JPH0575316A - リング共振器 - Google Patents
リング共振器Info
- Publication number
- JPH0575316A JPH0575316A JP3230554A JP23055491A JPH0575316A JP H0575316 A JPH0575316 A JP H0575316A JP 3230554 A JP3230554 A JP 3230554A JP 23055491 A JP23055491 A JP 23055491A JP H0575316 A JPH0575316 A JP H0575316A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ring
- ring resonator
- conductor strip
- resonance frequency
- capacitance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/08—Strip line resonators
- H01P7/082—Microstripline resonators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明はリング共振器に関し、サイズの小さ
いリング共振器の提供を目的とする。 【構成】 背面接地導体２を有する誘電体基板１上でリ
ング状導体ストリップ３と容量素子とで構成されるリン
グ共振器において、リング状導体ストリップ３の相対す
る辺にまたがって複数の容量素子４ａ〜４ｄを分散配置
することで、共振周波数に効いてくる合成容量Ｃを大と
し、その分インダクタンスＬ、即ち、リング状導体スト
リップ３の全長ｌを小さくする。また、リング状導体ス
トリップ３の相対する二辺の間を切り欠いて、該切欠部
を共振周波数に比べて十分に大容量の容量素子で結合す
ると共に、複数の容量素子４ａ〜４ｄのうちいずれかを
バラクタダイオードで容量可変に構成し、バラクタダイ
オードを設ける場所によって所望の変調感度を得る。
いリング共振器の提供を目的とする。 【構成】 背面接地導体２を有する誘電体基板１上でリ
ング状導体ストリップ３と容量素子とで構成されるリン
グ共振器において、リング状導体ストリップ３の相対す
る辺にまたがって複数の容量素子４ａ〜４ｄを分散配置
することで、共振周波数に効いてくる合成容量Ｃを大と
し、その分インダクタンスＬ、即ち、リング状導体スト
リップ３の全長ｌを小さくする。また、リング状導体ス
トリップ３の相対する二辺の間を切り欠いて、該切欠部
を共振周波数に比べて十分に大容量の容量素子で結合す
ると共に、複数の容量素子４ａ〜４ｄのうちいずれかを
バラクタダイオードで容量可変に構成し、バラクタダイ
オードを設ける場所によって所望の変調感度を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリング共振器に関し、更
に詳しくは背面接地導体を有する誘電体基板上でリング
状導体ストリップと容量素子とで構成されるリング共振
器に関するものである。この種のリング共振器は、その
低価格性により、携帯電話、自動車電話又は光通信用ク
ロック等の準マイクロ波帯の発振器に用いられている。
今日、これらの機器には一層の小型化が要望されてお
り、このためにリング共振器にもサイズの小型化が要望
される。
に詳しくは背面接地導体を有する誘電体基板上でリング
状導体ストリップと容量素子とで構成されるリング共振
器に関するものである。この種のリング共振器は、その
低価格性により、携帯電話、自動車電話又は光通信用ク
ロック等の準マイクロ波帯の発振器に用いられている。
今日、これらの機器には一層の小型化が要望されてお
り、このためにリング共振器にもサイズの小型化が要望
される。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来のリング共振器の構成を示す
図で、図において１はガラスエポキシの誘電体基板、２
は背面接地導体、３はリング状導体ストリップ、４は部
品コンデンサである。従来のリング共振器は、リング状
導体ストリップ３と１個の部品コンデンサ４とで構成さ
れていた。今、コンデンサ４の容量をＣ、導体ストリッ
プ３のインダクタンスをＬとすると、リング共振器の共
振周波数ｆ0 は略ｆ0 ＝１／２π（ＬＣ）1/2 で与えら
れる。従って、共振周波数ｆ0 が低いと、大きなＣ又は
Ｌが必要となるが、実際上は単一で周波数特性の良い大
きなＣは得にくいので、代わりにＬを大きくしていた。
この例のリング共振器では、Ｈ＝０．８ｍｍ、Ｔ＝０．
０３５ｍｍ、Ｗ＝３．０ｍｍ及びＣ＝２ｐＦの条件で、
共振周波数ｆ0 ＝６６３ＭＨZ を得るのに、導体ストリ
ップ３の全長ｌは７７．６ｍｍとなっている。このよう
に、従来のリング共振器ではリング状導体ストリップ３
の全長ｌを長くする必要があり、このためにリング共振
器の占める面積が大きくなっていた。
図で、図において１はガラスエポキシの誘電体基板、２
は背面接地導体、３はリング状導体ストリップ、４は部
品コンデンサである。従来のリング共振器は、リング状
導体ストリップ３と１個の部品コンデンサ４とで構成さ
れていた。今、コンデンサ４の容量をＣ、導体ストリッ
プ３のインダクタンスをＬとすると、リング共振器の共
振周波数ｆ0 は略ｆ0 ＝１／２π（ＬＣ）1/2 で与えら
れる。従って、共振周波数ｆ0 が低いと、大きなＣ又は
Ｌが必要となるが、実際上は単一で周波数特性の良い大
きなＣは得にくいので、代わりにＬを大きくしていた。
この例のリング共振器では、Ｈ＝０．８ｍｍ、Ｔ＝０．
０３５ｍｍ、Ｗ＝３．０ｍｍ及びＣ＝２ｐＦの条件で、
共振周波数ｆ0 ＝６６３ＭＨZ を得るのに、導体ストリ
ップ３の全長ｌは７７．６ｍｍとなっている。このよう
に、従来のリング共振器ではリング状導体ストリップ３
の全長ｌを長くする必要があり、このためにリング共振
器の占める面積が大きくなっていた。
【０００３】図６は従来のリング共振器の共振特性を示
す図で、図６の（Ａ）は反射係数の絶対値｜Ｓ11｜及び
位相φの周波数特性、図６の（Ｂ）は反射係数Ｓ11のス
ミスチャート上での周波数特性を夫々示している。図６
の（Ａ）において、共振周波数ｆ0 ＝６６３ＭＨZ にお
ける反射係数｜Ｓ 11｜は略−３．５ｄＢ、位相φは略１
３５度である。
す図で、図６の（Ａ）は反射係数の絶対値｜Ｓ11｜及び
位相φの周波数特性、図６の（Ｂ）は反射係数Ｓ11のス
ミスチャート上での周波数特性を夫々示している。図６
の（Ａ）において、共振周波数ｆ0 ＝６６３ＭＨZ にお
ける反射係数｜Ｓ 11｜は略−３．５ｄＢ、位相φは略１
３５度である。
【０００４】図６の（Ｂ）は、反射係数Ｓ11のベクトル
を一定の周波数間隔でプロットし、これらを折れ線グラ
フで結んだものであり、図中のＭ1 は共振周波数ｆ0 ＝
６６３ＭＨZ における反射係数を示している。このよう
に、折れ線グラフは一定の周波数間隔でプロットされて
いるので、共振周波数ｆ0 ＝６６３ＭＨZ の付近では各
折れ線の長さが長いほど単位周波数当たりの位相変化が
急峻、即ち、共振回路のＱが大ということになる。
を一定の周波数間隔でプロットし、これらを折れ線グラ
フで結んだものであり、図中のＭ1 は共振周波数ｆ0 ＝
６６３ＭＨZ における反射係数を示している。このよう
に、折れ線グラフは一定の周波数間隔でプロットされて
いるので、共振周波数ｆ0 ＝６６３ＭＨZ の付近では各
折れ線の長さが長いほど単位周波数当たりの位相変化が
急峻、即ち、共振回路のＱが大ということになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来のリ
ング共振器は、リング状導体ストリップ３と１個の部品
コンデンサ４とで構成されたいたので、低い共振周波数
では導体ストリップ３の全長ｌを長くする必要があり、
このためにリング共振器の占める面積が大きくなってい
た。
ング共振器は、リング状導体ストリップ３と１個の部品
コンデンサ４とで構成されたいたので、低い共振周波数
では導体ストリップ３の全長ｌを長くする必要があり、
このためにリング共振器の占める面積が大きくなってい
た。
【０００６】本発明の目的は、サイズの小さいリング共
振器を提供することにある。
振器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題は図１の構成
により解決される。即ち、本発明のリング共振器は、背
面接地導体２を有する誘電体基板１上でリング状導体ス
トリップ３と容量素子とで構成されるリング共振器にお
いて、リング状導体ストリップ３の相対する辺にまたが
って複数の容量素子４ａ〜４ｄを分散配置したものであ
る。
により解決される。即ち、本発明のリング共振器は、背
面接地導体２を有する誘電体基板１上でリング状導体ス
トリップ３と容量素子とで構成されるリング共振器にお
いて、リング状導体ストリップ３の相対する辺にまたが
って複数の容量素子４ａ〜４ｄを分散配置したものであ
る。
【０００８】
【作用】本発明のリング共振器においては、リング状導
体ストリップ３の相対する辺にまたがって複数の容量素
子４ａ〜４ｄを分散配置したことにより、各容量素子４
ａ〜４ｄの単独の容量は小さくても、これらを合成した
容量は大きくなる。従って、低い共振周波数でも導体ス
トリップ３の全長Ｌを長くする必要がないばかりか、逆
に従来のものに比べて短くすることが可能である。
体ストリップ３の相対する辺にまたがって複数の容量素
子４ａ〜４ｄを分散配置したことにより、各容量素子４
ａ〜４ｄの単独の容量は小さくても、これらを合成した
容量は大きくなる。従って、低い共振周波数でも導体ス
トリップ３の全長Ｌを長くする必要がないばかりか、逆
に従来のものに比べて短くすることが可能である。
【０００９】また好ましくは、図４において、リング状
導体ストリップ３の相対する辺３ａ，３ｂ間を切り欠い
て、該切欠部を共振周波数ｆ0 に比べて十分に大容量の
容量素子７で結合すると共に、複数の容量素子４ａ〜４
ｄのうちいずれかをバラクタダイオード６で容量可変に
構成している。この場合は、共振周波数ｆ0 で見ると容
量素子７は短絡に見えるので、一本のリング状導体スト
リップ３が有る場合と変わらない。一方、例えば周波数
変調用の低周波信号で見るとリング状導体ストリップ３
の相対する辺３ａ，３ｂ間はアイソレーションされてい
るので、周波数変調用信号Ｖ1 を辺３ａの側に、またＧ
ＮＤ又は一定のバイアス電圧Ｖ2 を辺３ｂの側に夫々印
加できる。従って、周波数変調用信号Ｖ1 によってバラ
クタダイオード６の容量が変化し、これによりリング共
振器の共振周波数ｆ0 を変えることができる。
導体ストリップ３の相対する辺３ａ，３ｂ間を切り欠い
て、該切欠部を共振周波数ｆ0 に比べて十分に大容量の
容量素子７で結合すると共に、複数の容量素子４ａ〜４
ｄのうちいずれかをバラクタダイオード６で容量可変に
構成している。この場合は、共振周波数ｆ0 で見ると容
量素子７は短絡に見えるので、一本のリング状導体スト
リップ３が有る場合と変わらない。一方、例えば周波数
変調用の低周波信号で見るとリング状導体ストリップ３
の相対する辺３ａ，３ｂ間はアイソレーションされてい
るので、周波数変調用信号Ｖ1 を辺３ａの側に、またＧ
ＮＤ又は一定のバイアス電圧Ｖ2 を辺３ｂの側に夫々印
加できる。従って、周波数変調用信号Ｖ1 によってバラ
クタダイオード６の容量が変化し、これによりリング共
振器の共振周波数ｆ0 を変えることができる。
【００１０】この場合に、容量変化が共振周波数ｆ0 に
与える影響は容量素子４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄの位置の
順に小さくなる。従って、容量素子４ａ〜４ｄのうちい
ずれかをバラクタダイオード６とすることにより、周波
数の変調感度を任意に選択できることになる。
与える影響は容量素子４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄの位置の
順に小さくなる。従って、容量素子４ａ〜４ｄのうちい
ずれかをバラクタダイオード６とすることにより、周波
数の変調感度を任意に選択できることになる。
【００１１】
【実施例】以下、添付図面に従って本発明による実施例
を詳細に説明する。図２は実施例のリング共振器の構成
を示す図で、図において１はガラスエポキシの誘電体基
板、２は背面接地導体、３はリング状導体ストリップ、
４ａ〜４ｄは部品コンデンサ、５は他の回路との結合コ
ンデンサである。
を詳細に説明する。図２は実施例のリング共振器の構成
を示す図で、図において１はガラスエポキシの誘電体基
板、２は背面接地導体、３はリング状導体ストリップ、
４ａ〜４ｄは部品コンデンサ、５は他の回路との結合コ
ンデンサである。
【００１２】実施例のリング共振器では、Ｈ＝０．８ｍ
ｍ、Ｔ＝０．０３５ｍｍ、Ｗ＝３．０ｍｍ、Ｓ＝１．０
ｍｍ以上、及びコンデンサ４ａ〜４ｄの各容量Ｃａ〜Ｃ
ｄ＝２ｐＦの条件で、従来と同一の共振周波数ｆ0 ＝６
６３ＭＨZ を得るのに、導体ストリップ３の全長ｌは５
５．２ｍｍと、約７割に減少している。図３は実施例の
リング共振器の共振特性を示す図で、図３の（Ａ）は反
射係数の絶対値｜Ｓ11｜及び位相φの周波数特性、図３
の（Ｂ）は反射係数Ｓ11のスミスチャート上での周波数
特性を夫々示している。
ｍ、Ｔ＝０．０３５ｍｍ、Ｗ＝３．０ｍｍ、Ｓ＝１．０
ｍｍ以上、及びコンデンサ４ａ〜４ｄの各容量Ｃａ〜Ｃ
ｄ＝２ｐＦの条件で、従来と同一の共振周波数ｆ0 ＝６
６３ＭＨZ を得るのに、導体ストリップ３の全長ｌは５
５．２ｍｍと、約７割に減少している。図３は実施例の
リング共振器の共振特性を示す図で、図３の（Ａ）は反
射係数の絶対値｜Ｓ11｜及び位相φの周波数特性、図３
の（Ｂ）は反射係数Ｓ11のスミスチャート上での周波数
特性を夫々示している。
【００１３】図３の（Ａ）において、共振周波数ｆ0 ＝
６６３ＭＨZ における反射係数｜Ｓ 11｜は略−４．６ｄ
Ｂ、位相φは略１２８度である。図３の（Ｂ）は、反射
係数Ｓ11のベクトルを図６の（Ｂ）の場合と同一の一定
の周波数間隔でプロットし、これらを折れ線グラフで結
んだものであり、図中のＭ1 は共振周波数ｆ0 ＝６６３
ＭＨZ における反射係数Ｓ11を示している。共振周波数
ｆ0 ＝６６３ＭＨZ の付近の各折れ線の長さを従来の図
６の（Ｂ）の場合と比較すると、本実施例の図３の
（Ｂ）の方が格段に長くなっている。即ち、本実施例の
共振回路のＱが大ということになる。これは、導体スト
リップ３の全長ｌが減少した結果、導体損、誘電体損等
が軽減されたためと解される。
６６３ＭＨZ における反射係数｜Ｓ 11｜は略−４．６ｄ
Ｂ、位相φは略１２８度である。図３の（Ｂ）は、反射
係数Ｓ11のベクトルを図６の（Ｂ）の場合と同一の一定
の周波数間隔でプロットし、これらを折れ線グラフで結
んだものであり、図中のＭ1 は共振周波数ｆ0 ＝６６３
ＭＨZ における反射係数Ｓ11を示している。共振周波数
ｆ0 ＝６６３ＭＨZ の付近の各折れ線の長さを従来の図
６の（Ｂ）の場合と比較すると、本実施例の図３の
（Ｂ）の方が格段に長くなっている。即ち、本実施例の
共振回路のＱが大ということになる。これは、導体スト
リップ３の全長ｌが減少した結果、導体損、誘電体損等
が軽減されたためと解される。
【００１４】なお、本実施例によれば共振周波数ｆ0 に
は複数のコンデンサ４ａ〜４ｄの合成容量が効いてくる
ので、各コンデンサの温度特性等がバラバラでも平均化
される利点がある。更に、異なる温度特性のコンデンサ
を積極的に組み合わせて所望の温度特性を得ることも可
能である。図４は他の実施例のリング共振器の構成を示
す図で、図において３ａ，３ｂはリング状導体ストリッ
プ３の相対する辺、６はバラクタダイオード、７は共振
周波数ｆ0 に比べて十分大容量（例えば１０００ｐＦ）
の部品コンデンサ、８，９はバイアス給電用のコイルで
ある。
は複数のコンデンサ４ａ〜４ｄの合成容量が効いてくる
ので、各コンデンサの温度特性等がバラバラでも平均化
される利点がある。更に、異なる温度特性のコンデンサ
を積極的に組み合わせて所望の温度特性を得ることも可
能である。図４は他の実施例のリング共振器の構成を示
す図で、図において３ａ，３ｂはリング状導体ストリッ
プ３の相対する辺、６はバラクタダイオード、７は共振
周波数ｆ0 に比べて十分大容量（例えば１０００ｐＦ）
の部品コンデンサ、８，９はバイアス給電用のコイルで
ある。
【００１５】共振周波数ｆ0 で見るとコンデンサ７は短
絡に見えるので、一本のリング状導体ストリップ３が有
る場合と変わらない。一方、ＶＣＯの制御電圧又は周波
数変調用の低周波信号で見ると辺３ａ，３ｂ間はアイソ
レーションされているので、ＶＣＯの制御電圧又は周波
数変調用信号Ｖ1 を辺３ａの側に、またＧＮＤ又は一定
のバイアス電圧Ｖ2 を辺３ｂの側に夫々印加できる。従
って、信号Ｖ1 によってバラクタダイオード６の容量が
変化し、これによりリング共振器の共振周波数ｆ0 を変
えることができる。
絡に見えるので、一本のリング状導体ストリップ３が有
る場合と変わらない。一方、ＶＣＯの制御電圧又は周波
数変調用の低周波信号で見ると辺３ａ，３ｂ間はアイソ
レーションされているので、ＶＣＯの制御電圧又は周波
数変調用信号Ｖ1 を辺３ａの側に、またＧＮＤ又は一定
のバイアス電圧Ｖ2 を辺３ｂの側に夫々印加できる。従
って、信号Ｖ1 によってバラクタダイオード６の容量が
変化し、これによりリング共振器の共振周波数ｆ0 を変
えることができる。
【００１６】この場合に、容量変化が共振周波数ｆ0 に
与える影響はコンデンサ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄの位置
の順に小さくなる。例えば１Ｖで０．５ｐＦ変わるバラ
クタダイオード６を用意し、これをコンデンサ４ａ，４
ｃ又は４ｄの位置に使用した場合に、バラクタダイオー
ド６の容量を０．５ｐＦ変えて共振周波数ｆ0 の変化を
測定すると、コンデンサ４ａの位置では３０ＭＨZ ／
Ｖ、４ｃの位置では１２ＭＨZ ／Ｖ、４ｄの位置では３
ＭＨZ ／Ｖの変調感度が得られた。従って、本実施例に
よればバラクタダイオード６を設ける場所に応じて所望
の変調感度が得られる。
与える影響はコンデンサ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄの位置
の順に小さくなる。例えば１Ｖで０．５ｐＦ変わるバラ
クタダイオード６を用意し、これをコンデンサ４ａ，４
ｃ又は４ｄの位置に使用した場合に、バラクタダイオー
ド６の容量を０．５ｐＦ変えて共振周波数ｆ0 の変化を
測定すると、コンデンサ４ａの位置では３０ＭＨZ ／
Ｖ、４ｃの位置では１２ＭＨZ ／Ｖ、４ｄの位置では３
ＭＨZ ／Ｖの変調感度が得られた。従って、本実施例に
よればバラクタダイオード６を設ける場所に応じて所望
の変調感度が得られる。
【００１７】なお、上記実施例では４個のコンデンサ４
ａ〜４ｄを使用したが、コンデンサの数は他の個数でも
良い。
ａ〜４ｄを使用したが、コンデンサの数は他の個数でも
良い。
【００１８】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、リング
状導体ストリップ３の相対する辺にまたがって複数の容
量素子４ａ〜４ｄを分散配置したので、リング状導体ス
トリップ３の全長ｌを短くでき、リング共振器のサイズ
を小さくできる。また、バラクタダイオード６を設ける
場所によって所望の変調感度が得られる。
状導体ストリップ３の相対する辺にまたがって複数の容
量素子４ａ〜４ｄを分散配置したので、リング状導体ス
トリップ３の全長ｌを短くでき、リング共振器のサイズ
を小さくできる。また、バラクタダイオード６を設ける
場所によって所望の変調感度が得られる。
【図１】図１は本発明の原理的構成図である。
【図２】図２は実施例のリング共振器の構成を示す図で
ある。
ある。
【図３】図３は実施例のリング共振器の共振特性を示す
図である。
図である。
【図４】図４は他の実施例のリング共振器の構成を示す
図である。
図である。
【図５】図５は従来のリング共振器の構成を示す図であ
る。
る。
【図６】図６は従来のリング共振器の共振特性を示す図
である。
である。
１ 誘電体基板 ２ 背面接地導体 ３ リング状導体ストリップ ４ａ〜４ｄ 容量素子
Claims (2)
- 【請求項１】 背面接地導体（２）を有する誘電体基板
（１）上でリング状導体ストリップ（３）と容量素子と
で構成されるリング共振器において、 リング状導体ストリップ（３）の相対する辺にまたがっ
て複数の容量素子（４ａ〜４ｄ）を分散配置したことを
特徴とするリング共振器。 - 【請求項２】 リング状導体ストリップ（３）の相対す
る辺（３ａ，３ｂ）間を切り欠いて、該切欠部を共振周
波数に比べて十分に大容量の容量素子（７）で結合する
と共に、複数の容量素子（４ａ〜４ｄ）のうちいずれか
をバラクタダイオード（６）で容量可変に構成したこと
を特徴とする請求項１のリング共振器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3230554A JPH0575316A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | リング共振器 |
| EP92308253A EP0532330B1 (en) | 1991-09-10 | 1992-09-10 | Ring resonator device |
| US07/942,809 US5406238A (en) | 1991-09-10 | 1992-09-10 | Ring resonator device |
| DE69216729T DE69216729D1 (de) | 1991-09-10 | 1992-09-10 | Ringresonatorvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3230554A JPH0575316A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | リング共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575316A true JPH0575316A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16909579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3230554A Pending JPH0575316A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | リング共振器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5406238A (ja) |
| EP (1) | EP0532330B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0575316A (ja) |
| DE (1) | DE69216729D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5965494A (en) * | 1995-05-25 | 1999-10-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Tunable resonance device controlled by separate permittivity adjusting electrodes |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69319382T2 (de) * | 1992-04-30 | 1999-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Zweifachmodus Streifenleitungsringresonator und Bandpassfilter mit solchen Resonatoren |
| US5400002A (en) * | 1992-06-12 | 1995-03-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Strip dual mode filter in which a resonance width of a microwave is adjusted and dual mode multistage filter in which the strip dual mode filters are arranged in series |
| DE4430988A1 (de) * | 1994-08-31 | 1996-03-21 | Siemens Ag | HF-Streifenleitungsresonator |
| US6653914B2 (en) * | 1994-08-31 | 2003-11-25 | Siemens Aktiengesellschaft | RF strip line resonator with a curvature dimensioned to inductively cancel capacitively caused displacements in resonant frequency |
| US6211754B1 (en) * | 1997-06-04 | 2001-04-03 | Sanyo Electric Co., Ltd, | Integrated resonance circuit consisting of a parallel connection of a microstrip line and a capacitor |
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