JPH0573934U - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH0573934U
JPH0573934U JP1263692U JP1263692U JPH0573934U JP H0573934 U JPH0573934 U JP H0573934U JP 1263692 U JP1263692 U JP 1263692U JP 1263692 U JP1263692 U JP 1263692U JP H0573934 U JPH0573934 U JP H0573934U
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JP
Japan
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stage
error
reference position
pattern
expansion
Prior art date
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Pending
Application number
JP1263692U
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English (en)
Inventor
朋次郎 藤田
武司 谷口
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0573934U publication Critical patent/JPH0573934U/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】本考案は、半導体製造用の装置に係り、露光装
置のステージ上に位置認識可能な基準マークを3箇所に
配置し、ステージの位置決め用測長計器の誤差を補正す
ることを目的とする。 【構成】照明光源1と、コンデンサレンズ4,レティク
ル5,投影レンズ6,基準位置マーク7,被露光体9,
X,Y軸用棒ミラー10,18、ステージ12,レーザ
干渉計14,17、パターン検出器15,制御装置16
から成る。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、半導体素子製造用の装置に係り、特に集積度の高い超LSIの製造 装置に好適な、露光装置の被露光***置決め用のステージの安定的精度維持に関 する。
【0002】
【従来の技術】
従来の装置におけるステージ上に配置された基準位置マークの役割は、特許出 願公開平1−309324 号のようにステージ上に1箇所にのみ配置されており、ステ ージのパターン保持体との相対的位置合わせのみ誤差補正するようになっており 、ステージが被露光体の全面で常に安定した回転,伸縮,直交度を保ちつつ移動 できるような配慮がなされていなかった。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
記憶素子などの半導体製造分野における素子の回路パターンを、半導体基板上 に焼き付け露光する露光装置において、被露光体上に形成される回路パターンの 配列はある規則性を持っていることが必要とされる。すなわち、被露光体のある 基準面に対しての回転成分,伸縮成分,直交成分などが常に安定して配列されて いれば、前記被露光体上の少なくとも2つ位置情報を得ることで、前記被露光体 上の全ての回路パターンの配列を推定することが出来る。逆にいえば、前記回転 成分、伸縮成分、直交成分が安定していなければ、前記位置情報は数個から十数 個程度必要になり、装置の重要な性能指数である単位時間当りの処理能力に対し て不利となる。
【0004】 本考案は、何らかの外的要因例えば、温度変動,建物の振動や移動物の接触な どによる加振又は加圧,気流や気圧の変化等により、前記ステージの位置決め用 測長計器に誤差が生じた場合に、予め設置されている基準位置マークによりその 誤差を算出し補正しようとするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
前記問題を解決するため、前記ステージ上に位置認識が可能な基準位置マーク を3個、そのうち1個を基準に他の2個は水平,垂直方向にそれぞれ極力離れた 位置に設置する。基準位置マークは、回路パターンの配列を推定するために必要 な位置情報を得るのと同じ手段を用いて位置の認識を行う。
【0006】 まず、基準位置マークの基準の位置を前記回路パターンの配列を推定する際の 手法と同様の手法で位置認識を行う。そこで得られた位置情報の水平方向をX0 ,垂直方向をY0とする。次に水平方向にステージを移動し、水平方向に設置さ れているマークの位置情報X1,Y1を得る。更に、前記X0,Y0を得た位置 から垂直方向にステージを移動し、垂直方向に設置されているマークの位置情報 X2,Y2を得る。
【0007】 以上の動作により得られたデータより、ステージの回転誤差,伸縮誤差,直交 誤差を算出する。但し、各基準位置マーク間の距離をA(mm)とする。
【0008】 回転誤差 △θ={(Y1−Y0)−(X2−X0)}/2/A*10-6 (ppm) 伸縮誤差 △X=(X1−X0)/A*10-6 (ppm) △Y=(Y2−Y0)/A*10−6 (ppm) 直交誤差 △R={(Y1−Y0)−(X2−X0)}/A*10-6 (ppm) により求める。
【0009】 前記回転誤差,伸縮誤差,直交誤差は、前記X0,Y0の位置情報を基準に、 ステージの送りガイドの平行度に対しての誤差として求められる。すなわち、本 考案の基本は、ステージの送りガイドの平行度と基準位置マークとの相対的位置 関係が安定しているという条件で効力を得ることが出来るものである。
【0010】 前記回転誤差△θ,伸縮誤差△X及び△Y,直交誤差△Rは、前記ステージの 位置決め用測長計器に誤差補正される。
【0011】
【作用】
前記基準位置マークは、前記ステージ上に3箇所設置されており、1個の基準 位置マークを基準に水平方向と垂直方向にそれぞれ設置されている。装置が通常 稼働を始めるにあたって、まず、中心に設置されている基準位置マークを、前記 回路パターンの被露光体上の配列を推定するために用いている位置情報の認識手 法を使って検出する。この時の位置情報をX0,Y0とする。次にステージをス テージガイドの送り方向に沿って水平方向に移動させ、水平方向に設置された基 準位置マークを検出しX1,Y1を得る。次にステージを一旦X0,Y0の位置 に戻し、その位置から同様にステージガイドの送り方向に沿って垂直方向に移動 させ、垂直方向に設置された基準位置マークを検出しX2,Y2を得る。
【0012】 以上のX,Yそれぞれ3点の位置情報より、前述の算出式よりステージの回転 誤差,伸縮誤差,直交誤差を算出し、前記ステージの位置決め用測長計器に誤差 補正される。
【0013】
【実施例】
本考案の一実施例を図1及び図2により説明する。
【0014】 図1は、本露光装置の全体構成を示したもので、1の照明光源より発っせられ た露光光は、2の照明光学系の内部で露光波長の単一化,光強度分布の均一化, 露光エネルギー量の適正化がなされ、4のミラー、5のコンデンサレンズを介し て、5の回路パターンの原画となるレティクルに照射される。露光波長の単一化 及び光強度分布の均一化は、2の照明光学系内の光学部品の作用によって達成さ れ、露光エネルギー量の適正化は、2の照明光学系内のシャッタにより制御され る。5のレティクルを透過した露光光は、6の投影レンズを通り、8のホルダに 支持された、9の被露光体上に結像する。12のステージは、9の被露光体の全 面に、5のレティクル上に描かれた回路パターンを露光するために、1回の露光 毎に適量水平方向又は垂直方向に移動する。この移動量は、14のレーザ干渉計 と、13のビームスプリッタと、10のX軸用棒ミラーと、18のY軸用棒ミラ ーによって計測される。さらに、16の制御装置により移動量を、11のX軸モ ータ又は19のY軸モータにあたえる。15のパターン検出器内部の光源より発 せられたパターン検出光は、ミラー面を反射して、6の縮小レンズ内部を通って 、9の被露光体上の位置認識マークを照射する。位置認識マークから反射した検 出光は、同じ経路をたどって、15のパターン検出器内部のイメージセンサ上に 位置認識マーク像を形成する。イメージセンサの信号は、16の制御装置に送ら れ、14のレーザ干渉計の計測値に位置補正情報としてあたえられる。
【0015】 図2で、ステージ上の各基準位置マークの構成について説明する。7の基準位 置マークは、12のステージの定盤の上に3箇所設置されている。ステージ上左 下側にある、7の基準位置マークを、20の縮小レンズ中心の位置に移動し、パ ターン検出器によって位置認識を行う。次にステージ上右下側にある、7の基準 位置マークを、20の縮小レンズ中心の位置に移動し、パターン検出器によって 位置認識を行う。更にステージ上左上側にある、7の基準位置マークについても 同様に位置認識を行う。X軸及びY軸各3点のデータを基に、測長計基準のステ ージの回転,伸縮,直交誤差を算出し、16の制御装置により補正する。
【0016】
【考案の効果】
以上のように、本考案では、ステージの位置決め用測長計器に何らかの外的要 因により誤差が生じた場合、ステージ上に設けられた3個の基準位置検出マーク より、回転誤差,伸縮誤差,直交誤差を求め、誤差補正することにより、長期的 な回路パターンの被露光体上における配列の精度誤差を、回転成分,伸縮成分, 直交成分それぞれについて10mm当り換算で、約0.05μm 程度だったものを 約0.01μm に低減出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例による本露光装置の構成を示
す平面図である。
【図2】本考案の一実施例による本露光装置のステージ
上に設けた基準位置マークの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
1…照明光源、2…照明光学系、3…ミラー、4…コン
デンサレンズ、5…レティクル、6…投影レンズ、7…
基準位置マーク、8…ホルダー、9…被露光体、10…
X軸用棒ミラー、11…X軸モータ、12…ステージ、
13…ビームスプリッター、14,17…レーザ干渉
計、15…パターン検出器、16…制御装置、18…Y
軸用棒ミラー、19…Y軸モータ、20…縮小レンズ中
心。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】光でパターン保持体を照射し、それによっ
    てそのパターン保持体を透過した光を投影レンズにより
    ステージ上の被露光体上に投影し、前記パターン保持体
    のパターンを前記ステージ上の前記被露光体に形成する
    露光装置において、前記ステージ上に位置認識の可能な
    基準位置マークを3箇所に配置したことを特徴とする露
    光装置。
JP1263692U 1992-03-13 1992-03-13 露光装置 Pending JPH0573934U (ja)

Priority Applications (1)

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JP1263692U JPH0573934U (ja) 1992-03-13 1992-03-13 露光装置

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JP1263692U JPH0573934U (ja) 1992-03-13 1992-03-13 露光装置

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JPH0573934U true JPH0573934U (ja) 1993-10-08

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ID=11810865

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JP1263692U Pending JPH0573934U (ja) 1992-03-13 1992-03-13 露光装置

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JP (1) JPH0573934U (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014019641A (ja) * 2013-07-04 2014-02-03 Bando Kiko Co Ltd スクライブ方法及びスクライブ装置
JPWO2014010154A1 (ja) * 2012-07-12 2016-06-20 坂東機工株式会社 スクライブ方法及びスクライブ装置
JP2017019290A (ja) * 2016-10-17 2017-01-26 坂東機工株式会社 スクライブ方法及びスクライブ装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014019641A (ja) * 2013-07-04 2014-02-03 Bando Kiko Co Ltd スクライブ方法及びスクライブ装置
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