JPH0573903A - 磁気デイスクの評価方法 - Google Patents
磁気デイスクの評価方法Info
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- JPH0573903A JPH0573903A JP25594791A JP25594791A JPH0573903A JP H0573903 A JPH0573903 A JP H0573903A JP 25594791 A JP25594791 A JP 25594791A JP 25594791 A JP25594791 A JP 25594791A JP H0573903 A JPH0573903 A JP H0573903A
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- magnetic head
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型圧電素子を浮動型磁気ヘッドスライダに
搭載し磁気ディスクとの接触を検出評価する方法におい
て、安価な方法で信号検出Ｓ／Ｎ比を向上する。 【構成】 Ａｌ2Ｏ3−Ｔｉ・Ｃの導電性のスライダ部１
１の流出端側に抵抗率１０8 Ωｍ以上のＡｌ2Ｏ3材質
（抵抗率ほぼ１０9 Ωｍ）の絶縁ブロック（絶縁層）１
２を接着し、その上に接触検出用の小型圧電素子１５を
接着する。この構造を有する小型圧電素子搭載浮動型磁
気ヘッドは、絶縁層を設けたことにより、圧電素子がス
ライダ，伝導性板ばね，ヘッド支持アームなどから電気
的に絶縁されるため、誘電ノイズが低減し検出信号のＳ
／Ｎ比が向上する。
搭載し磁気ディスクとの接触を検出評価する方法におい
て、安価な方法で信号検出Ｓ／Ｎ比を向上する。 【構成】 Ａｌ2Ｏ3−Ｔｉ・Ｃの導電性のスライダ部１
１の流出端側に抵抗率１０8 Ωｍ以上のＡｌ2Ｏ3材質
（抵抗率ほぼ１０9 Ωｍ）の絶縁ブロック（絶縁層）１
２を接着し、その上に接触検出用の小型圧電素子１５を
接着する。この構造を有する小型圧電素子搭載浮動型磁
気ヘッドは、絶縁層を設けたことにより、圧電素子がス
ライダ，伝導性板ばね，ヘッド支持アームなどから電気
的に絶縁されるため、誘電ノイズが低減し検出信号のＳ
／Ｎ比が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、浮動型磁気ヘッドを有
する磁気ディスク装置に使用される磁気ディスクの表面
の状況（表面の凹凸、欠陥等）を検出する磁気ディスク
の評価方法に係り、特に、小型圧電素子搭載型の浮動型
磁気ヘッドを用いて、ヘッド／ディスク間の間隔を阻害
する磁気ディスク表面の欠陥等を高Ｓ／Ｎでもって検出
できる磁気ディスクの評価方法に関する。
する磁気ディスク装置に使用される磁気ディスクの表面
の状況（表面の凹凸、欠陥等）を検出する磁気ディスク
の評価方法に係り、特に、小型圧電素子搭載型の浮動型
磁気ヘッドを用いて、ヘッド／ディスク間の間隔を阻害
する磁気ディスク表面の欠陥等を高Ｓ／Ｎでもって検出
できる磁気ディスクの評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、磁気ディスクの記録／再生装置
では、浮動型磁気ヘッドが用いられており、この浮動型
磁気ヘッドはサブミクロンオーダの隙間で磁気ディスク
表面上に浮上し且つ高速で走行している。ところで磁気
ディスクの高密度化には磁気ヘッドと磁気ディスクの浮
上隙間を低減することが必要不可欠であるが、一方、浮
上隙間が低減すると、磁気ディスク面の微小な突出部な
どによる磁気ヘッドと磁気ディスクの接触頻度（接触回
数）が増加し、磁気ヘッドの損傷や磁気ディスクの摩耗
が生じ、あるいは記録情報が破壊されるいわゆる摺動あ
るいはヘッドクラッシュと呼ばれる問題が発生する。こ
の磁気ヘッドと磁気ディスクの接触頻度を検出する方法
としていくつかのものが提案されているが、一般的に
は、例えば「トライボロジスト」第３６巻第１号（１９
９１年）（第２頁〜第７頁）に記載のように、波形歪が
少ないため小型圧電素子を浮動型磁気ヘッドのスライダ
部に直接搭載した磁気ディスクの検査用磁気ヘッド装置
が用いられ、この小型圧電素子から発生するインパルス
信号の発生回路を計数するようにしたものが知られてい
る。また、この従来例では、小型圧電素子直接搭載型の
欠点であるＳ／Ｎ比の改善策として差動型圧電素子、狭
帯域バンドパスフィイルタにより検出周波数帯域を最適
化する方法が提案されている。
では、浮動型磁気ヘッドが用いられており、この浮動型
磁気ヘッドはサブミクロンオーダの隙間で磁気ディスク
表面上に浮上し且つ高速で走行している。ところで磁気
ディスクの高密度化には磁気ヘッドと磁気ディスクの浮
上隙間を低減することが必要不可欠であるが、一方、浮
上隙間が低減すると、磁気ディスク面の微小な突出部な
どによる磁気ヘッドと磁気ディスクの接触頻度（接触回
数）が増加し、磁気ヘッドの損傷や磁気ディスクの摩耗
が生じ、あるいは記録情報が破壊されるいわゆる摺動あ
るいはヘッドクラッシュと呼ばれる問題が発生する。こ
の磁気ヘッドと磁気ディスクの接触頻度を検出する方法
としていくつかのものが提案されているが、一般的に
は、例えば「トライボロジスト」第３６巻第１号（１９
９１年）（第２頁〜第７頁）に記載のように、波形歪が
少ないため小型圧電素子を浮動型磁気ヘッドのスライダ
部に直接搭載した磁気ディスクの検査用磁気ヘッド装置
が用いられ、この小型圧電素子から発生するインパルス
信号の発生回路を計数するようにしたものが知られてい
る。また、この従来例では、小型圧電素子直接搭載型の
欠点であるＳ／Ｎ比の改善策として差動型圧電素子、狭
帯域バンドパスフィイルタにより検出周波数帯域を最適
化する方法が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術によれ
ば、小型圧電素子直接搭載型の欠点であるＳ／Ｎ比を相
当に改善し測定精度の向上を図ることができるので、こ
の技術は磁気ヘッドと磁気ディスクの接触状況を評価す
る上で有効な手段である。一般に、量産品の磁気ディス
クでは、この手法を用いた評価を全数について行ってい
るので、小型圧電素子を搭載した検査用磁気ヘッドは、
繰り返し使用される。この結果、スライダ面に傷等が発
生し交換が必要となるため小型圧電素子搭載磁気ヘッド
は安価なものにしなければならないが、高価格の差動型
圧電素子を用いることは適当でない。また狭帯域フィル
タを使用する場合でも、小型圧電素子を磁気ヘッドのス
ライダに接着する際その接着状態を均一にするのは容易
ではなく、接着状態の違いにより圧電素子の感度特性が
異なるため、ヘッド交換ごとに検出周波数帯域の再設定
が必要となる。このため、上記従来技術は量産に適さな
いという問題があった。従って、本発明の目的は、Ｓ／
Ｎ比の劣化をできるだけ抑え且つ量産性に適した小型圧
電素子搭載磁気ヘッドを提供することにある。
ば、小型圧電素子直接搭載型の欠点であるＳ／Ｎ比を相
当に改善し測定精度の向上を図ることができるので、こ
の技術は磁気ヘッドと磁気ディスクの接触状況を評価す
る上で有効な手段である。一般に、量産品の磁気ディス
クでは、この手法を用いた評価を全数について行ってい
るので、小型圧電素子を搭載した検査用磁気ヘッドは、
繰り返し使用される。この結果、スライダ面に傷等が発
生し交換が必要となるため小型圧電素子搭載磁気ヘッド
は安価なものにしなければならないが、高価格の差動型
圧電素子を用いることは適当でない。また狭帯域フィル
タを使用する場合でも、小型圧電素子を磁気ヘッドのス
ライダに接着する際その接着状態を均一にするのは容易
ではなく、接着状態の違いにより圧電素子の感度特性が
異なるため、ヘッド交換ごとに検出周波数帯域の再設定
が必要となる。このため、上記従来技術は量産に適さな
いという問題があった。従って、本発明の目的は、Ｓ／
Ｎ比の劣化をできるだけ抑え且つ量産性に適した小型圧
電素子搭載磁気ヘッドを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の磁気ディスク評価方法は検査に使用する圧
電素子搭載浮動型磁気ヘッドを以下のように構成する。
すなわち、この浮動型磁気ヘッドは、圧電素子が直接接
する（取付けられる）部材として、抵抗率が１０8 Ωｍ
以上を有する材料で構成する。
に、本発明の磁気ディスク評価方法は検査に使用する圧
電素子搭載浮動型磁気ヘッドを以下のように構成する。
すなわち、この浮動型磁気ヘッドは、圧電素子が直接接
する（取付けられる）部材として、抵抗率が１０8 Ωｍ
以上を有する材料で構成する。
【０００５】具体的には、小型の圧電素子が、磁気ヘッ
ドのスライダ部材上に形成した抵抗率が１０8 Ωｍ以上
を有する材料の薄膜上に接着される。もしくは、スライ
ダ自体を抵抗率が１０8 Ωｍ以上の材料で構成し、この
スライダ面上に直接小型の圧電素子を接着した構成とす
る。
ドのスライダ部材上に形成した抵抗率が１０8 Ωｍ以上
を有する材料の薄膜上に接着される。もしくは、スライ
ダ自体を抵抗率が１０8 Ωｍ以上の材料で構成し、この
スライダ面上に直接小型の圧電素子を接着した構成とす
る。
【０００６】
【作用】上記構成に基づく作用を説明する。
【０００７】一般に、電気回路的にみた圧電素子は、コ
ンデンサとインダクタンスの共振回路となっている。一
方磁気ヘッドのスライダ材はＭｎ−Ｚｎフェライト，Ａ
ｌ2Ｏ3 −Ｔｉ・Ｃが使用されており、これらの材料の
抵抗率は［１／ （１０5）］Ωｍ以下となっており導電
性のものである。また、スライダは、導体のばね板，導
体の支持アーム等を介して導体のキャリッジに取付けら
れているが、これらのばね板ないしキャリッジがアンテ
ナ作用を持つため、ノイズを拾うことになる。更に、圧
電素子と導電性スライダを接着した場合、接着面で誘電
ノイズが発生しやすいため結果的に検出Ｓ／Ｎ比の劣化
を招く原因となっている。
ンデンサとインダクタンスの共振回路となっている。一
方磁気ヘッドのスライダ材はＭｎ−Ｚｎフェライト，Ａ
ｌ2Ｏ3 −Ｔｉ・Ｃが使用されており、これらの材料の
抵抗率は［１／ （１０5）］Ωｍ以下となっており導電
性のものである。また、スライダは、導体のばね板，導
体の支持アーム等を介して導体のキャリッジに取付けら
れているが、これらのばね板ないしキャリッジがアンテ
ナ作用を持つため、ノイズを拾うことになる。更に、圧
電素子と導電性スライダを接着した場合、接着面で誘電
ノイズが発生しやすいため結果的に検出Ｓ／Ｎ比の劣化
を招く原因となっている。
【０００８】これに対し、本発明によれば、圧電素子接
着面に絶縁層を介在させるか、または、スライダ自体を
絶縁部材で作成してその上に圧電素子を接着するように
構成したので、圧電素子が他の導体部分から電気的に遮
断される結果、ノイズを低減しＳ／Ｎ比を向上すること
ができる。またＳ／Ｎ比の向上により狭帯域フィルタを
不要とすることもできる。
着面に絶縁層を介在させるか、または、スライダ自体を
絶縁部材で作成してその上に圧電素子を接着するように
構成したので、圧電素子が他の導体部分から電気的に遮
断される結果、ノイズを低減しＳ／Ｎ比を向上すること
ができる。またＳ／Ｎ比の向上により狭帯域フィルタを
不要とすることもできる。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面の図１から図
４により説明する。
４により説明する。
【００１０】＜実施例１＞図１は、本発明による小型圧
電素子搭載浮動型磁気ヘッドの外観図で、同図（ａ）は
磁気ディスク半径方向から見た図、同図（ｂ）は磁気デ
ィスク回転方向から見た図である。材質がＡｌ2Ｏ3−Ｔ
ｉ・Ｃ（抵抗率は１０5 分の１Ωｍ）のスライダ部１１
の流出端側に、寸法１ｍｍ×３．２ｍｍ，厚さ０．３ｍ
ｍ寸法で、抵抗率がほぼ１０9 ΩｍのＡｌ2Ｏ3材質の絶
縁ブロック１２をエポキシ樹脂の接着剤を用い接着す
る。その後Ａｌ2Ｏ3材質の絶縁ブロック１２の上に、寸
法１mm×４ｍｍで厚さ０．３ｍｍの材質がチタン酸ジル
コン酸鉛の小型圧電素子１３を、同様に、エポキシ樹脂
の接着剤を用い接着する。スライダ部から突出した小型
圧電素子１３の部分に信号検出用のリード線１４を両電
極側にハンダ付けして電圧信号を取り出すように構成す
る。なお、図示のように、一方の電極ないしリード線は
小型圧電素子１３の上面に設け、他方の電極ないしリー
ド線（接地側）は絶縁ブロック１２の下面に設けてお
り、従って、圧電素子１３は等価的に高出力インピーダ
ンス回路を呈する。
電素子搭載浮動型磁気ヘッドの外観図で、同図（ａ）は
磁気ディスク半径方向から見た図、同図（ｂ）は磁気デ
ィスク回転方向から見た図である。材質がＡｌ2Ｏ3−Ｔ
ｉ・Ｃ（抵抗率は１０5 分の１Ωｍ）のスライダ部１１
の流出端側に、寸法１ｍｍ×３．２ｍｍ，厚さ０．３ｍ
ｍ寸法で、抵抗率がほぼ１０9 ΩｍのＡｌ2Ｏ3材質の絶
縁ブロック１２をエポキシ樹脂の接着剤を用い接着す
る。その後Ａｌ2Ｏ3材質の絶縁ブロック１２の上に、寸
法１mm×４ｍｍで厚さ０．３ｍｍの材質がチタン酸ジル
コン酸鉛の小型圧電素子１３を、同様に、エポキシ樹脂
の接着剤を用い接着する。スライダ部から突出した小型
圧電素子１３の部分に信号検出用のリード線１４を両電
極側にハンダ付けして電圧信号を取り出すように構成す
る。なお、図示のように、一方の電極ないしリード線は
小型圧電素子１３の上面に設け、他方の電極ないしリー
ド線（接地側）は絶縁ブロック１２の下面に設けてお
り、従って、圧電素子１３は等価的に高出力インピーダ
ンス回路を呈する。
【００１１】図２は、図１に示す小型圧電素子搭載浮動
型磁気ヘッドを用いた評価装置の構成図である。スピン
ドル２１に装着された５．２５インチ磁気ディスク２２
の表面に、図１に示す小型圧電素子搭載浮動型磁気ヘッ
ド２３（以下ヘッドとする）を置く。磁気ヘッドのスラ
イダは、通常のように導電性板ばね２８，導電性支持ア
ーム２９等を介してキャリッジ２４に取付けられてい
る。この状態でスピンドル２１を任意の回転数で回転さ
せる。
型磁気ヘッドを用いた評価装置の構成図である。スピン
ドル２１に装着された５．２５インチ磁気ディスク２２
の表面に、図１に示す小型圧電素子搭載浮動型磁気ヘッ
ド２３（以下ヘッドとする）を置く。磁気ヘッドのスラ
イダは、通常のように導電性板ばね２８，導電性支持ア
ーム２９等を介してキャリッジ２４に取付けられてい
る。この状態でスピンドル２１を任意の回転数で回転さ
せる。
【００１２】なお本実施例ではヘッド２３は一本しか使
用していないが、両面同時に行うことも可能である。
用していないが、両面同時に行うことも可能である。
【００１３】次にキャリッジ２４を駆動して、ヘッド２
３を５．２５インチ磁気ディスク２２の半径位置３０ｍ
ｍに移動し、その後０．２ｍｍピッチで半径位置６２ｍ
ｍに移動する。この移動ピッチ毎にヘッド２３からの信
号を平衡型プリアンプ２５（圧電素子の極性がいずれで
も入力できるようにする）により４０ｄＢのゲインで増
幅し、次いで帯域１００ｋＨｚ〜３００ｋＨｚのバンド
パスフィルタ２６を通す。このバンドパスフィルタ２６
の帯域は評価装置等の機械的振動を十分除去できればい
くらにしても良いが、ヘッドと磁気ディスクが接触した
際に発生するＡＥ波（アコースティック・エミション：
弾性波）の帯域が１００ｋＨｚ〜３００ｋＨｚであるこ
とを考慮すると、このＡＥ波を効果的に検出できるよう
にするために本実施例の帯域が好ましい。バンドパスフ
ィルタ２６を介した信号を振幅弁別器２７に供給し、振
幅弁別器２７でヘッドと磁気ディスクの接触を判定す
る。判定方法は圧電素子のノイズレベルに対し２〜６倍
の電圧スライスレベルを設定するのが一般的であり、本
実施例ではノイズレベル１００ｍＶｏｐ（０ないしピー
ク間電圧）に対し電圧スライスレベルを３００ｍＶｏｐ
に設定し接触判定を行った。
３を５．２５インチ磁気ディスク２２の半径位置３０ｍ
ｍに移動し、その後０．２ｍｍピッチで半径位置６２ｍ
ｍに移動する。この移動ピッチ毎にヘッド２３からの信
号を平衡型プリアンプ２５（圧電素子の極性がいずれで
も入力できるようにする）により４０ｄＢのゲインで増
幅し、次いで帯域１００ｋＨｚ〜３００ｋＨｚのバンド
パスフィルタ２６を通す。このバンドパスフィルタ２６
の帯域は評価装置等の機械的振動を十分除去できればい
くらにしても良いが、ヘッドと磁気ディスクが接触した
際に発生するＡＥ波（アコースティック・エミション：
弾性波）の帯域が１００ｋＨｚ〜３００ｋＨｚであるこ
とを考慮すると、このＡＥ波を効果的に検出できるよう
にするために本実施例の帯域が好ましい。バンドパスフ
ィルタ２６を介した信号を振幅弁別器２７に供給し、振
幅弁別器２７でヘッドと磁気ディスクの接触を判定す
る。判定方法は圧電素子のノイズレベルに対し２〜６倍
の電圧スライスレベルを設定するのが一般的であり、本
実施例ではノイズレベル１００ｍＶｏｐ（０ないしピー
ク間電圧）に対し電圧スライスレベルを３００ｍＶｏｐ
に設定し接触判定を行った。
【００１４】この評価装置を使用し、図１に示す小型圧
電素子搭載浮動型磁気ヘッドと絶縁ブロックを介さない
従来ヘッドの接触時Ｓ／Ｎ比の比較を次の条件で行っ
た。スピンドル回転数３６００ｒｐｍで０．０８ミクロ
ンの隙間で浮上するように設定したスライダーで各々５
本のヘッドを作成し、磁気ディスク表面の同一接触部で
のＳ／Ｎ比測定結果を図３に示す。図中、Ｓは信号成分
（インパルス）、Ｎはノイズである。本実施例のヘッド
の方が上記文献の従来技術に比べて約８ｄＢ高くなって
いる。
電素子搭載浮動型磁気ヘッドと絶縁ブロックを介さない
従来ヘッドの接触時Ｓ／Ｎ比の比較を次の条件で行っ
た。スピンドル回転数３６００ｒｐｍで０．０８ミクロ
ンの隙間で浮上するように設定したスライダーで各々５
本のヘッドを作成し、磁気ディスク表面の同一接触部で
のＳ／Ｎ比測定結果を図３に示す。図中、Ｓは信号成分
（インパルス）、Ｎはノイズである。本実施例のヘッド
の方が上記文献の従来技術に比べて約８ｄＢ高くなって
いる。
【００１５】なお、圧電素子の共振周波数は、面方向の
寸法に基づくものが４００ｋＨｚ程度、厚みに基づくも
のが６ＭＨｚ程度で、上記ＡＥ波の周波数とは相当離れ
ている。本実施例では、圧電素子１３及び絶縁ブロック
１２の厚みをいずれも０．３ｍｍとしたが、これらを変
更した場合でも、ＡＥ波に与える影響はそれ程大きくな
いと考えられる。ただし、量産性を高め特性のばらつき
のないものを得るため、厚みなどは一定にする方がよ
い。
寸法に基づくものが４００ｋＨｚ程度、厚みに基づくも
のが６ＭＨｚ程度で、上記ＡＥ波の周波数とは相当離れ
ている。本実施例では、圧電素子１３及び絶縁ブロック
１２の厚みをいずれも０．３ｍｍとしたが、これらを変
更した場合でも、ＡＥ波に与える影響はそれ程大きくな
いと考えられる。ただし、量産性を高め特性のばらつき
のないものを得るため、厚みなどは一定にする方がよ
い。
【００１６】＜実施例２＞図４にスライダ材料の抵抗率
を、１０8 Ωｍ以上とする場合の実施例を示す。スライ
ダ部４１の材料を部分安定化ＺｒＯ2 （イットリウムを
添加したもので、加工し易く、熱伝導率が高く、抵抗率
が１０9 Ωｍ程度）とし、流入端側に寸法１×４ｍｍ，
厚さ０．３ｍｍの材質がチタン酸ジルコン酸鉛の小型圧
電素子４２をエポキシ樹脂の接着剤を用い接着する。ス
ライダ部から突出した小型圧電素子４２の部分に信号検
出用のリード線４３を両電極側にハンダ付けして取り出
したもである。
を、１０8 Ωｍ以上とする場合の実施例を示す。スライ
ダ部４１の材料を部分安定化ＺｒＯ2 （イットリウムを
添加したもので、加工し易く、熱伝導率が高く、抵抗率
が１０9 Ωｍ程度）とし、流入端側に寸法１×４ｍｍ，
厚さ０．３ｍｍの材質がチタン酸ジルコン酸鉛の小型圧
電素子４２をエポキシ樹脂の接着剤を用い接着する。ス
ライダ部から突出した小型圧電素子４２の部分に信号検
出用のリード線４３を両電極側にハンダ付けして取り出
したもである。
【００１７】本実施例では絶縁ブロックのような振動を
減衰させる物質を介さないため、検出感度が上り、その
分＜実施例１＞よりも検出Ｓ／Ｎ比がさらに改善され、
＜実施例１＞と同様の評価条件で検出Ｓ／Ｎ比を比較す
ると約３ｄＢ程度高くなる。以上の実施例において、小
型圧電素子１３または４２が取付けられる面の材料１２
または４１としては、抵抗率が１０8 Ωｍ以上の絶縁材
料が選ばれる。これは、１０8 Ωｍ以下の半導体材料で
は、小型圧電素子を他の導電部材から電気的に絶縁する
のが困難となることのほかに、そのような半導体材料で
は、硬さ（加工容易性）や熱伝導度（伝え易い）などヘ
ッドスライダに適用できるような材質のものがほとんど
ないことによる。
減衰させる物質を介さないため、検出感度が上り、その
分＜実施例１＞よりも検出Ｓ／Ｎ比がさらに改善され、
＜実施例１＞と同様の評価条件で検出Ｓ／Ｎ比を比較す
ると約３ｄＢ程度高くなる。以上の実施例において、小
型圧電素子１３または４２が取付けられる面の材料１２
または４１としては、抵抗率が１０8 Ωｍ以上の絶縁材
料が選ばれる。これは、１０8 Ωｍ以下の半導体材料で
は、小型圧電素子を他の導電部材から電気的に絶縁する
のが困難となることのほかに、そのような半導体材料で
は、硬さ（加工容易性）や熱伝導度（伝え易い）などヘ
ッドスライダに適用できるような材質のものがほとんど
ないことによる。
【００１８】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、本発明の磁
気ディスクの評価方法によれば、圧電素子搭載型磁気ヘ
ッドの、圧電素子が直接接する部材（絶縁ブロックまた
はスライダ）を、抵抗率１０8 Ωｍ以上の材料で構成し
たことによって、安価な方法で且つ検出回路等の変更も
なく小型圧電素子搭載浮動型磁気ヘッドからの信号Ｓ／
Ｎを８〜１０ｄＢ程度改善できるため、測定精度向上が
図られる効果がある。
気ディスクの評価方法によれば、圧電素子搭載型磁気ヘ
ッドの、圧電素子が直接接する部材（絶縁ブロックまた
はスライダ）を、抵抗率１０8 Ωｍ以上の材料で構成し
たことによって、安価な方法で且つ検出回路等の変更も
なく小型圧電素子搭載浮動型磁気ヘッドからの信号Ｓ／
Ｎを８〜１０ｄＢ程度改善できるため、測定精度向上が
図られる効果がある。
【図１】本発明の一実施例による、絶縁ブロックを介し
た小型圧電素子搭載浮動型磁気ヘッドの外観図である。
た小型圧電素子搭載浮動型磁気ヘッドの外観図である。
【図２】本発明の一実施例による、小型圧電素子搭載浮
動型磁気ヘッドを用いた評価装置の構成図である。
動型磁気ヘッドを用いた評価装置の構成図である。
【図３】Ｓ／Ｎ比測定結果を示す図である。
【図４】本発明の他の実施例による小型圧電素子搭載浮
動型磁気ヘッドの外観図である。
動型磁気ヘッドの外観図である。
１１ Ａｌ2Ｏ3−Ｔｉ・Ｃのスライダ部 １２ Ａｌ2Ｏ3材質の絶縁ブロック １３，４２ 小型圧電素子 １４，４３ 信号検出用のリード線 ２１ スピンドル ２２ 磁気ディスク（５．２５インチ） ２３ 小型圧電素子搭載浮動型磁気ヘッド ２４ キャリッジ ２５ 平衡型プリアンプ ２６ バンドパスフィルタ ２７ 振幅弁別器 ４１ 部分安定化ＺｒＯ2 のスライダ部
Claims (1)
- 【請求項１】 スライダ部に圧電素子が搭載され、高速
回転する磁気ディスク表面上を微小間隙をもって浮上し
ながら走査する浮動型磁気ヘッドを備え、前記浮動型磁
気ヘッドが走査中に磁気ディスク表面に接触した際に前
記圧電素子から発生するインパルス状信号を検出し磁気
ディスクの表面状況を評価する方法において、前記浮動
型磁気ヘッドの、前記圧電素子が直接接する部材は、抵
抗率が１０8 Ωｍ以上を有する材料から成ることを特徴
とする磁気ディスクの評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25594791A JPH0573903A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 磁気デイスクの評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25594791A JPH0573903A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 磁気デイスクの評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0573903A true JPH0573903A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17285793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25594791A Pending JPH0573903A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 磁気デイスクの評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0573903A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0916953A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Nec Corp | グライドハイト測定方法及び装置 |
| US5714924A (en) * | 1995-01-27 | 1998-02-03 | Tdk Corporation | Positive characteristic thermistor device |
| US7239488B2 (en) * | 2004-03-09 | 2007-07-03 | Sae Magnetics (H.K.), Ltd. | MR sensor on an insulating substrate and method of manufacture |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP25594791A patent/JPH0573903A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5714924A (en) * | 1995-01-27 | 1998-02-03 | Tdk Corporation | Positive characteristic thermistor device |
| JPH0916953A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Nec Corp | グライドハイト測定方法及び装置 |
| US7239488B2 (en) * | 2004-03-09 | 2007-07-03 | Sae Magnetics (H.K.), Ltd. | MR sensor on an insulating substrate and method of manufacture |
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