JPH0570959A - プラズマｃｖｄ装置用電極及びその形成方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置用電極及びその形成方法Info
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- JPH0570959A JPH0570959A JP26326091A JP26326091A JPH0570959A JP H0570959 A JPH0570959 A JP H0570959A JP 26326091 A JP26326091 A JP 26326091A JP 26326091 A JP26326091 A JP 26326091A JP H0570959 A JPH0570959 A JP H0570959A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマＣＶＤ装置に於て、電極上に形成
する膜の剥離によるパーティクル発生を防止する電極及
びその形成方法を提供する。 【構成】 絶縁材料により平板上の構造物１１を形成
し、前記構造物中に導電性材料より成る電極板１３を埋
め込み、ガス導入孔１２を備えることによって、電極と
形成される膜の接触面の熱膨張係数が、前記膜の熱膨張
係数と等しい電極が得られる。
する膜の剥離によるパーティクル発生を防止する電極及
びその形成方法を提供する。 【構成】 絶縁材料により平板上の構造物１１を形成
し、前記構造物中に導電性材料より成る電極板１３を埋
め込み、ガス導入孔１２を備えることによって、電極と
形成される膜の接触面の熱膨張係数が、前記膜の熱膨張
係数と等しい電極が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマＣＶＤ装置用
電極及びその形成方法に関するものである。
電極及びその形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造分野に使用されるプラ
ズマＣＶＤ装置に於て、シリコンウェハ基板にＳｉＯ2
薄膜を成膜するときに、プラズマＣＶＤ装置内の電極表
面及びチャンバ内壁表面にも前記膜が析出する。この
時、前記電極表面や前記チャンバ内壁などがアルミニウ
ムなどの金属であるため、熱膨張係数が前記膜の熱膨張
係数と異なることがあり、よって析出した前記膜が剥離
し、前記ウェハ上に落ちて、パーティクルの発生の原因
となる。ここで、プロセスチャンバは、石英などが材料
として利用可能であり、パーティクル発生を比較的容易
に解決することができる。しかし、電極については導電
性材料を用いることが必須であり、パーティクル発生の
解決は困難である。
ズマＣＶＤ装置に於て、シリコンウェハ基板にＳｉＯ2
薄膜を成膜するときに、プラズマＣＶＤ装置内の電極表
面及びチャンバ内壁表面にも前記膜が析出する。この
時、前記電極表面や前記チャンバ内壁などがアルミニウ
ムなどの金属であるため、熱膨張係数が前記膜の熱膨張
係数と異なることがあり、よって析出した前記膜が剥離
し、前記ウェハ上に落ちて、パーティクルの発生の原因
となる。ここで、プロセスチャンバは、石英などが材料
として利用可能であり、パーティクル発生を比較的容易
に解決することができる。しかし、電極については導電
性材料を用いることが必須であり、パーティクル発生の
解決は困難である。
【０００３】この問題を解決するために、特開平１−１
８８６７８号公報に記載されているようにチャンバ内の
全表面上に、熱膨張係数が前記ＳｉＯ2薄膜の値と近い
アルミナなどのセラミックスをコーティングし、前記膜
の剥離を防止する技術が提案されている。
８８６７８号公報に記載されているようにチャンバ内の
全表面上に、熱膨張係数が前記ＳｉＯ2薄膜の値と近い
アルミナなどのセラミックスをコーティングし、前記膜
の剥離を防止する技術が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記方法で
はチャンバ内の全表面上にアルミナなどのセラミックス
をコーティングしても、装置を構成する部材の熱膨張係
数は、母材である前記チャンバ内壁材料の熱膨張係数が
支配するため、コーティングされたセラミックスが剥離
するという問題があった。
はチャンバ内の全表面上にアルミナなどのセラミックス
をコーティングしても、装置を構成する部材の熱膨張係
数は、母材である前記チャンバ内壁材料の熱膨張係数が
支配するため、コーティングされたセラミックスが剥離
するという問題があった。
【０００５】そこで、本発明はプラズマＣＶＤによるＳ
ｉＯ2薄膜を成膜するときに、電極と形成される膜との
接触面の熱膨張係数が、形成される膜の熱膨張係数とほ
ぼ等しく、前記面の剥離が生じ難く、パーティクル発生
を防止するプラズマＣＶＤ装置用電極及びその形成方法
を提供することを目的とする。
ｉＯ2薄膜を成膜するときに、電極と形成される膜との
接触面の熱膨張係数が、形成される膜の熱膨張係数とほ
ぼ等しく、前記面の剥離が生じ難く、パーティクル発生
を防止するプラズマＣＶＤ装置用電極及びその形成方法
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマＣＶＤ
装置用電極は、多数の孔を有する電極を絶縁材内に形成
すると共に、前記絶縁材に複数のガス導入孔を設けたも
のである。
装置用電極は、多数の孔を有する電極を絶縁材内に形成
すると共に、前記絶縁材に複数のガス導入孔を設けたも
のである。
【０００７】また、前記電極上に、熱膨張係数の異なる
複数の層を、この熱膨張係数の大きい順に形成し、これ
ら各層にガス導入孔を形成させたものである。
複数の層を、この熱膨張係数の大きい順に形成し、これ
ら各層にガス導入孔を形成させたものである。
【０００８】更に、本発明のプラズマＣＶＤ装置用電極
の形成方法は、第１の絶縁材を形成する工程と、この第
１の絶縁材に多数の孔を有する電極を形成する工程と、
少なくとも前記電極を覆う第２の絶縁材を形成する工程
と、前記第１の絶縁材と前記電極と前記第２の絶縁材を
焼結する工程と、前記第２の絶縁材にガス導入孔を形成
する工程とから成るものである。
の形成方法は、第１の絶縁材を形成する工程と、この第
１の絶縁材に多数の孔を有する電極を形成する工程と、
少なくとも前記電極を覆う第２の絶縁材を形成する工程
と、前記第１の絶縁材と前記電極と前記第２の絶縁材を
焼結する工程と、前記第２の絶縁材にガス導入孔を形成
する工程とから成るものである。
【０００９】
【作用】本発明によれば、前記の構成によって、プラズ
マＣＶＤによる絶縁薄膜を成膜する時に於て、電極と形
成される膜との接触面の熱膨張係数が、形成される膜の
熱膨張係数とほぼ等しくなる。
マＣＶＤによる絶縁薄膜を成膜する時に於て、電極と形
成される膜との接触面の熱膨張係数が、形成される膜の
熱膨張係数とほぼ等しくなる。
【００１０】従って、前記面の剥離が生じにくいプラズ
マＣＶＤ装置用電極を形成することにより、パーティク
ルの発生を防止することができる。
マＣＶＤ装置用電極を形成することにより、パーティク
ルの発生を防止することができる。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の第１実施例を図１及び図２を
参照して説明する。図１は本発明の第１実施例である枚
葉式プラズマＣＶＤ装置用電極の構造の概略図である。
図２は第１実施例である電極の泥漿鋳込み法による形成
図を示す。
参照して説明する。図１は本発明の第１実施例である枚
葉式プラズマＣＶＤ装置用電極の構造の概略図である。
図２は第１実施例である電極の泥漿鋳込み法による形成
図を示す。
【００１２】図１に示す枚葉式プラズマＣＶＤ装置用電
極は、アルミナ磁器製の絶縁体１１にプロセスガス導入
孔１２を設け、アルミナ磁器製の絶縁体１１中にアルミ
製の電極板１３を備えている。
極は、アルミナ磁器製の絶縁体１１にプロセスガス導入
孔１２を設け、アルミナ磁器製の絶縁体１１中にアルミ
製の電極板１３を備えている。
【００１３】アルミ製の電極板１３には多数の孔１４が
開いており、アルミナ磁器製の絶縁体１１との接合状態
を向上させる役割を果たしている。また、前記絶縁体に
はプロセスガス導入孔１２が設けられており、プラズマ
ＣＶＤによるＳｉＯ2薄膜を成膜するときの膜厚均一性
を向上させる役割を果たしている。
開いており、アルミナ磁器製の絶縁体１１との接合状態
を向上させる役割を果たしている。また、前記絶縁体に
はプロセスガス導入孔１２が設けられており、プラズマ
ＣＶＤによるＳｉＯ2薄膜を成膜するときの膜厚均一性
を向上させる役割を果たしている。
【００１４】図２に、図１の電極の形成方法を示す。こ
の電極の形成方法はまず、図２Ａに示すように、石膏型
２１上にアルミナ微粒子を分散させた泥漿２２を鋳込
み、２ｍｍ厚の着肉層２３を形成する。次に、前記泥漿
２２を石膏型２１より排出し、図２Ｂに示すように、多
数の孔１４を開けたアルミ製の電極板２４を前記着肉層
２３上に載置する。更に、アルミナ微粒子を分散させた
泥漿２２を鋳込み、図２Ｃに示すように、多数の孔１４
を開けたアルミ製の電極板２４上に着肉層２５を形成す
る。この後、前記着肉層２３、前記電極板２４、前記着
肉層２５より成る成形体を石膏型２１から外し、前記成
形体を焼結した後、プロセスガス導入孔１２を加工する
ことにより、図１に示す構造の電極を得ることができ
る。このように本実施例によれば、電極板２４に多数の
孔１４を開けたので、前記絶縁体１１と前記電極板１３
が、強固に接合することができ、前記電極面に形成され
た膜の剥離を防止することができる。
の電極の形成方法はまず、図２Ａに示すように、石膏型
２１上にアルミナ微粒子を分散させた泥漿２２を鋳込
み、２ｍｍ厚の着肉層２３を形成する。次に、前記泥漿
２２を石膏型２１より排出し、図２Ｂに示すように、多
数の孔１４を開けたアルミ製の電極板２４を前記着肉層
２３上に載置する。更に、アルミナ微粒子を分散させた
泥漿２２を鋳込み、図２Ｃに示すように、多数の孔１４
を開けたアルミ製の電極板２４上に着肉層２５を形成す
る。この後、前記着肉層２３、前記電極板２４、前記着
肉層２５より成る成形体を石膏型２１から外し、前記成
形体を焼結した後、プロセスガス導入孔１２を加工する
ことにより、図１に示す構造の電極を得ることができ
る。このように本実施例によれば、電極板２４に多数の
孔１４を開けたので、前記絶縁体１１と前記電極板１３
が、強固に接合することができ、前記電極面に形成され
た膜の剥離を防止することができる。
【００１５】次に、本発明の第２実施例を図３及び図４
を参照して説明する。図３は本発明の第２実施例である
枚葉式プラズマＣＶＤ装置用電極の構造概略図である。
図４は第２実施例である枚葉式プラズマＣＶＤ装置用電
極の形成図である。
を参照して説明する。図３は本発明の第２実施例である
枚葉式プラズマＣＶＤ装置用電極の構造概略図である。
図４は第２実施例である枚葉式プラズマＣＶＤ装置用電
極の形成図である。
【００１６】図３で示す電極は、アルミ製の電極板３１
の下部にアルミニウム８０％−アルミナ２０％の層３２
を設け、前記層３２の下部にアルミニウム６０％−アル
ミナ４０％の層３３を設け、前記層３３の下部にアルミ
ニウム４０％−アルミナ６０％の層３４を設け、更に前
記層３４の下部にアルミニウム２０％−アルミナ８０％
の層３５を設け、最後に、前記層３５の下部にアルミナ
の層３６を備えている。
の下部にアルミニウム８０％−アルミナ２０％の層３２
を設け、前記層３２の下部にアルミニウム６０％−アル
ミナ４０％の層３３を設け、前記層３３の下部にアルミ
ニウム４０％−アルミナ６０％の層３４を設け、更に前
記層３４の下部にアルミニウム２０％−アルミナ８０％
の層３５を設け、最後に、前記層３５の下部にアルミナ
の層３６を備えている。
【００１７】尚、前記各形成層３２、３３、３４、３
５、３６のそれぞれの厚さは約１ｍｍである。そして、
前記電極板３１及び前記各層３２、３３、３４、３５、
３６に、プロセスガス導入孔３７が多数設けられてお
り、プラズマＣＶＤによるＳｉＯ2薄膜を成膜するとき
の膜厚均一性を向上させる役割を果たしている。
５、３６のそれぞれの厚さは約１ｍｍである。そして、
前記電極板３１及び前記各層３２、３３、３４、３５、
３６に、プロセスガス導入孔３７が多数設けられてお
り、プラズマＣＶＤによるＳｉＯ2薄膜を成膜するとき
の膜厚均一性を向上させる役割を果たしている。
【００１８】図４に第２実施例である枚葉式プラズマＣ
ＶＤ装置用電極の形成方法を示す。
ＶＤ装置用電極の形成方法を示す。
【００１９】この電極の形成方法を説明すると、まず、
図４Ａに示すように、金型４１にアルミ微粉末を入れ、
アルミ微粉末層４２を形成する。次に、図４Ｂに示すよ
うに、前記アルミ微粉末層４２上にアルミニウム８０％
−アルミナ２０％の割合で混合した微粉末を入れ、アル
ミニウム８０％−アルミナ２０％の層４３を設ける。同
様にして、更に前記層４３上にアルミニウム６０％−ア
ルミナ４０％の層４４を、前記層４４上にアルミニウム
４０％−アルミナ６０％の層４５を、前記層４５上にア
ルミニウム２０％−アルミナ８０％の層４６を、前記層
４６上にアルミナの層４７を設け、加圧成形することに
より図４Ｃに示すような構造を形成する。この後、前記
各形成層４２、４３、４４、４５、４６、４７より成る
成形体を金型４１から外し、これを焼結し、プロセスガ
ス導入孔を加工することにより、図３に示す構造の電極
を得ることができる。
図４Ａに示すように、金型４１にアルミ微粉末を入れ、
アルミ微粉末層４２を形成する。次に、図４Ｂに示すよ
うに、前記アルミ微粉末層４２上にアルミニウム８０％
−アルミナ２０％の割合で混合した微粉末を入れ、アル
ミニウム８０％−アルミナ２０％の層４３を設ける。同
様にして、更に前記層４３上にアルミニウム６０％−ア
ルミナ４０％の層４４を、前記層４４上にアルミニウム
４０％−アルミナ６０％の層４５を、前記層４５上にア
ルミニウム２０％−アルミナ８０％の層４６を、前記層
４６上にアルミナの層４７を設け、加圧成形することに
より図４Ｃに示すような構造を形成する。この後、前記
各形成層４２、４３、４４、４５、４６、４７より成る
成形体を金型４１から外し、これを焼結し、プロセスガ
ス導入孔を加工することにより、図３に示す構造の電極
を得ることができる。
【００２０】このように、前記絶縁体からなる各形成層
４２、４３、４４、４５、４６、４７を形成することに
よって、熱膨張係数が異なるアルミとアルミナとの間の
熱応力を緩和させ、強固にすることができる。従って、
電極と形成される膜との接触面の熱膨張係数が、形成さ
れる膜の熱膨張係数とほぼ等しくなり、前記膜の剥離を
防止することができる。
４２、４３、４４、４５、４６、４７を形成することに
よって、熱膨張係数が異なるアルミとアルミナとの間の
熱応力を緩和させ、強固にすることができる。従って、
電極と形成される膜との接触面の熱膨張係数が、形成さ
れる膜の熱膨張係数とほぼ等しくなり、前記膜の剥離を
防止することができる。
【００２１】尚、本発明では、上記の実施例に限定され
るものではない。例えば、図１に示した第１実施例で
は、電極材料として多数の孔を備えたアルミ板を用いて
いるが、パンチングメタル若しくはメッシュを用いても
良い。また、図１及び図２では絶縁材料としてアルミナ
を用いているが、シリカ或いはジルコニアなどの材料を
用いても良い。
るものではない。例えば、図１に示した第１実施例で
は、電極材料として多数の孔を備えたアルミ板を用いて
いるが、パンチングメタル若しくはメッシュを用いても
良い。また、図１及び図２では絶縁材料としてアルミナ
を用いているが、シリカ或いはジルコニアなどの材料を
用いても良い。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、プ
ラズマＣＶＤによる絶縁薄膜を成膜するときに、電極と
形成される膜の接触面の熱膨張係数が、形成される膜の
熱膨張係数とほぼ等しいプラズマＣＶＤ装置用電極を形
成することができ、電極面に形成される膜の剥離を生じ
難くし、これとによりパーティクルの発生を防止するこ
とができる。
ラズマＣＶＤによる絶縁薄膜を成膜するときに、電極と
形成される膜の接触面の熱膨張係数が、形成される膜の
熱膨張係数とほぼ等しいプラズマＣＶＤ装置用電極を形
成することができ、電極面に形成される膜の剥離を生じ
難くし、これとによりパーティクルの発生を防止するこ
とができる。
【図１】本発明の第１実施例であるプラズマＣＶＤ装置
用電極構造の概略図である。
用電極構造の概略図である。
【図２】Ａ、Ｂ及びＣからなり、本発明の第１実施例で
あるプラズマＣＶＤ装置用電極の形成図である。
あるプラズマＣＶＤ装置用電極の形成図である。
【図３】本発明の第２実施例であるプラズマＣＶＤ装置
用電極構造の概略図である。
用電極構造の概略図である。
【図４】Ａ、Ｂ及びＣからなり、本発明の第２実施例で
あるプラズマＣＶＤ装置用電極の形成図である。
あるプラズマＣＶＤ装置用電極の形成図である。
１１ アルミナ磁器製の絶縁体 １２、３７ プロセスガス導入孔 １３、２４、３１ アルミ製の電極板 １４ 孔 ２１ 石膏型 ２２ アルミナ微粒子を分散させた泥漿 ２３、２５ 着肉層 ３２、４３ アルミニウム８０％−アルミナ２０％の層 ３３、４４ アルミニウム６０％−アルミナ４０％の層 ３４、４５ アルミニウム４０％−アルミナ６０％の層 ３５、４６ アルミニウム２０％−アルミナ８０％の層 ３６、４７ アルミナの層 ４１ 金型 ４２ アルミ微粉末層
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に絶縁膜を成膜するプラズマＣ
ＶＤ装置用電極であって、多数の孔を有する電極を絶縁
材内に形成すると共に、前記絶縁材に複数のガス導入孔
を設けたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置用電極。 - 【請求項２】 基板上に絶縁膜を成膜するプラズマＣ
ＶＤ装置用電極であって、前記電極上に熱膨張係数の異
なる複数の層を、この熱膨張係数の大きい順に形成し、
これら各層にガス導入孔が形成されていることを特徴と
するプラズマＣＶＤ装置用電極。 - 【請求項３】 基板上に絶縁膜を成膜するプラズマＣ
ＶＤ装置用電極の形成方法であって、第１の絶縁材に多
数の孔を有する電極を形成する工程と、少なくとも前記
電極を覆う第２の絶縁材を形成する工程と、前記第１の
絶縁材と前記電極と前記第２の絶縁材を焼結する工程
と、前記第２の絶縁材にガス導入孔を形成する工程とか
らなることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置用電極の形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26326091A JPH0570959A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | プラズマｃｖｄ装置用電極及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26326091A JPH0570959A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | プラズマｃｖｄ装置用電極及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0570959A true JPH0570959A (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=17386998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26326091A Withdrawn JPH0570959A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | プラズマｃｖｄ装置用電極及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0570959A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274103A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-10-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ガスシャワー体 |
| DE10254427A1 (de) * | 2002-11-21 | 2004-06-09 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Beschichtungsanlage und Verfahren zur Beschichtung |
| JP2006205085A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Ngk Insulators Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2009093710A (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Hoya Corp | 磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体 |
| WO2010087385A1 (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置およびガス吐出部材 |
| US20110000432A1 (en) * | 2008-06-12 | 2011-01-06 | Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research | One atmospheric pressure non-thermal plasma reactor with dual discharging-electrode structure |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP26326091A patent/JPH0570959A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE10254427B4 (de) * | 2002-11-21 | 2005-03-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Beschichtungsanlage und Verfahren zur Beschichtung |
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| KR101336363B1 (ko) * | 2009-01-29 | 2013-12-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 가스 토출 부재 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |