JPH0568865A - Gas supply system - Google Patents
Gas supply systemInfo
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- JPH0568865A JPH0568865A JP25857791A JP25857791A JPH0568865A JP H0568865 A JPH0568865 A JP H0568865A JP 25857791 A JP25857791 A JP 25857791A JP 25857791 A JP25857791 A JP 25857791A JP H0568865 A JPH0568865 A JP H0568865A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ガス供給システムに関
する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a gas supply system.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスが高集積化、高性能化す
るにつれて、マイクロコンタミネーションが製品の歩留
まりや品質、信頼性に増々大きな影響を与えるようにな
ってきている。マイクロコンタミネーションによるデバ
イスの不良原因としては、粒子状レベルの汚染物質（パ
ーティクル）によるパターン欠陥や、原子、分子レベル
の汚染物質例えば重金属による電気的特性劣化などがあ
る。2. Description of the Related Art As semiconductor devices have become highly integrated and have high performance, microcontamination has a great influence on the yield, quality and reliability of products. Causes of device defects due to microcontamination include pattern defects due to particle-level contaminants (particles) and deterioration of electrical characteristics due to atomic- and molecular-level contaminants such as heavy metals.
【０００３】こうしたことから半導体ウエハの製造工程
においては、搬送系、処理系、洗浄系などの各方面から
トータルクリーン化を図らなければならず、このため処
理装置のガス供給システムにおいても、処理の種類によ
っては塩素ガスやシラン系のガスなど腐食性の強いガス
が使用されるため、ガス配管材料として耐食性の大きい
例えばＳＵＳ３１６Ｌを用い、また溶接部が腐食しやす
いことから溶接方法についても特殊な方法を採用するな
ど、クリーン化を図るために種々の工夫がなされてい
る。For this reason, in the manufacturing process of semiconductor wafers, it is necessary to achieve total cleanliness from various aspects such as the transfer system, the processing system, and the cleaning system. Therefore, even in the gas supply system of the processing apparatus, the processing can be performed. Corrosive gas such as chlorine gas or silane-based gas is used depending on the type, so SUS316L, which has a high corrosion resistance, is used as the gas pipe material, and the welding method is also a special method because the welded portion is easily corroded. Various measures have been taken to achieve cleanliness, such as adoption of.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、ガス配管に
おける腐食を完全に抑えることはできず、特に溶接部か
らの粒子レベルの汚染物質や重金属イオンの発生を１０
０％防止することはできないため、こうした汚染物質が
ミクロレベルで見ればウエハの処理装置例えば熱処理装
置内に導入されている。By the way, it is not possible to completely suppress the corrosion in the gas pipe, and in particular, the generation of particle-level pollutants and heavy metal ions from the welded portion can be suppressed.
Since 0% cannot be prevented, such contaminants are introduced into a wafer processing apparatus such as a heat treatment apparatus at a micro level.
【０００５】一方例えばＤＲＡＭを例にとると、メモリ
容量が１６Ｍ、３２Ｍ更には６４Ｍへと移行しつつあ
り、ガス供給システムから発生するパーティクルや重金
属イオンの量が従来の例えば４Ｍ程度の集積度のＤＲＡ
Ｍに対しては問題にならなかったとしても、このような
高集積度になると、デバイスに悪影響を及ぼすおそれが
ある。即ちガス供給システムの従来のガス配管材料例え
ばＳＵＳ３１６Ｌは、上述のようなデバイスの高集積度
を想定して選定されたものではないため、ここから発生
する汚染物質、特に溶接部における腐食性の低下により
発生した汚染物質の量は今後のデバイスに対しては許容
範囲を越えるおそれが強い。On the other hand, taking a DRAM as an example, the memory capacity is shifting to 16M, 32M and even 64M, and the amount of particles and heavy metal ions generated from the gas supply system is about 4M, which is the conventional level. DRA
Even if it is not a problem for M, such a high degree of integration may adversely affect the device. That is, the conventional gas piping material of the gas supply system, for example, SUS316L, was not selected in view of the high degree of integration of the device as described above. It is highly possible that the amount of pollutants generated by will exceed the allowable range for future devices.
【０００６】しかしながら半導体ウエハの処理装置のガ
ス配管として従来広く使用されているＳＵＳ３１６Ｌに
代わる適切な材料の選定についてまで検討されていない
のが実情であり、ガス配管材料も含めて、いわゆる次世
代のデバイスに対応したガス供給システムの確立が望ま
れている。However, the fact is that the selection of an appropriate material in place of SUS316L, which has been widely used in the past as a gas pipe for a semiconductor wafer processing apparatus, has not been studied yet. The establishment of a gas supply system compatible with devices is desired.
【０００７】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は，半導体ウエハなどの処理を
行うにあたって、被処理体に対する汚染物質の混入を極
力抑えることのできるガス供給システムを提供すること
にある。The present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to supply a gas capable of suppressing contamination of contaminants into an object to be processed when processing a semiconductor wafer or the like. To provide a system.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、ガス供給源か
ら通気路部を介して処理ガスを処理部に供給するガス供
給システムにおいて、腐食性ガスが通流する通気路部の
全部または一部を、６重量％以上のモリブデンを含むオ
ーステナイトステンレス鋼により構成したことを特徴と
する。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention is a gas supply system for supplying a processing gas from a gas supply source to a processing section via a ventilation path section, and all or one of the ventilation path section through which corrosive gas flows. The part is made of austenitic stainless steel containing 6% by weight or more of molybdenum.
【０００９】オ−ステナイトステンレス鋼としては、例
えばＭｏを６．０〜６．５重量％、Ｎｉを１７．５〜１
８．５重量％、Ｃｒを１９．５〜２０．５重量％含有
し、更に少なくともＣｕ及びＮを含有するものを用いる
ことができる。As the austenitic stainless steel, for example, Mo is 6.0 to 6.5% by weight and Ni is 17.5 to 1.
A material containing 8.5% by weight, 19.5 to 20.5% by weight of Cr, and further containing at least Cu and N can be used.
【００１０】[0010]
【作用】ガス供給源から処理ガスがガス配管及びバルブ
やマスフロメータなどの制御機器を介して熱処理装置内
に導入される。処理ガスが腐食性ガスである場合、これ
に接触する通気路部の内表面特に溶接部は、ミクロレベ
ルで見れば腐食されるが、例えばガス配管の全部を６重
量％以上のモリブテンを含むオーステナイトステンレス
鋼により構成することによりその腐食の進行は極めて遅
くなる。従って通気路部におけるパーティクルや重金属
イオンの発生は極力抑えられ、汚染物質の許容範囲が相
当狭い被処理体に対しても悪影響を避けることができ
る。The processing gas is introduced from the gas supply source into the heat treatment apparatus through the gas pipe and the control device such as the valve and the mass flow meter. When the process gas is a corrosive gas, the inner surface of the air passage part in contact with the gas, particularly the welded part, is corroded at a micro level, but for example, the entire gas pipe contains austenite containing 6 wt% or more of molybdenum. By using stainless steel, the progress of corrosion is extremely slow. Therefore, the generation of particles and heavy metal ions in the ventilation path can be suppressed as much as possible, and the adverse effect can be avoided even on the object to be processed having a considerably narrow range of contaminants.
【００１１】[0011]
【実施例】図１は本発明の実施例を示す図であり、腐食
性ガス例えば塩素ガスを充填したボンベよりなるガス供
給源１にガス配管２の一端側が接続されており、このガ
ス配管２には、例えばボールバルブＢＶ１、減圧弁Ｒ
Ｖ、バルブＶ１、逆止弁ＣＶ１、バルブＶ２、マスフロ
コントローラＭＦＣ、逆止弁ＣＶ２、ハンドバルブＨ
Ｖ、及びガスフィルタＦなどの制御機器がこの順に上流
側から介装されている。前記ガス配管２の他端側はテフ
ロンチューブ３を介してインジェクタ３１に接続されて
おり、ガス配管２中を通ってきた塩素ガスを熱処理部を
形成する熱処理装置４の反応管５内に供給するようにな
っている。FIG. 1 is a view showing an embodiment of the present invention, in which one end side of a gas pipe 2 is connected to a gas supply source 1 consisting of a cylinder filled with a corrosive gas such as chlorine gas. Includes, for example, a ball valve BV1 and a pressure reducing valve R
V, valve V1, check valve CV1, valve V2, mass flow controller MFC, check valve CV2, hand valve H
Control devices such as the V and the gas filter F are provided in this order from the upstream side. The other end of the gas pipe 2 is connected to an injector 31 via a Teflon tube 3, and the chlorine gas that has passed through the gas pipe 2 is supplied into a reaction tube 5 of a heat treatment device 4 that forms a heat treatment section. It is like this.
【００１２】そして前記ガス配管２としては、Ｍｏ（モ
リブテン）を６．０重量％以上含有するオーステナイト
ステンレス鋼、例えばＣを０．０２０重量％以下、Ｓｉ
を０．８０重量％以下、Ｍｎを１．００重量％以下、Ｐ
を０．２５重量％以下、Ｓを０．０１重量％以下、Ｃｕ
を０．５〜１．０重量％、Ｎｉを１７．５〜１８．５重
量％、Ｃｒを１９．５〜２０．５重量％、Ｍｏを６．０
〜６．５重量％、Ｎを０．１８〜０．２２重量％含有す
る完全オーステナイトステンレス鋼（以下ステンレス鋼
Ａという。）により構成する。As the gas pipe 2, an austenitic stainless steel containing Mo (molybdenum) in an amount of 6.0 wt% or more, for example, C in an amount of 0.020 wt% or less, Si
Is 0.80% by weight or less, Mn is 1.00% by weight or less, P
0.25 wt% or less, S 0.01 wt% or less, Cu
Is 0.5 to 1.0% by weight, Ni is 17.5 to 18.5% by weight, Cr is 19.5 to 20.5% by weight, and Mo is 6.0.
.About.6.5% by weight and 0.18 to 0.22% by weight of N, and is composed of completely austenitic stainless steel (hereinafter referred to as stainless steel A).
【００１３】前記ステンレス鋼Ａの含有成分のうち、熱
処理装置のガス供給システムに最も要求される耐食性に
大きく関連する成分に関して述べると、Ｃｒは耐食性、
特に耐孔食性に優れているので溶接部の耐食性を確保す
るのに重要な成分であり、またＮｉは耐食性を得、かつ
Ｃｒとの混合比を調節して完全オーステナイト相を得る
ために必要な成分である。そしてＭｏについては、孔
食、スキ間腐食防止に有効に作用し、溶接部の耐孔食性
を向上させるために６重量％以上含有することが必要で
ある。更にＮは耐孔食性を得、かつオーステナイト相安
定化のために含有されており、ＣｕはＭｏを含有したオ
ーステナイトステンレス鋼において耐酸性を向上するた
めに添加されている。Of the components contained in the stainless steel A, the components most closely related to the corrosion resistance most required for the gas supply system of the heat treatment apparatus will be described. Cr is the corrosion resistance,
In particular, since it has excellent pitting corrosion resistance, it is an important component for ensuring the corrosion resistance of the welded portion, and Ni is necessary for obtaining the corrosion resistance and adjusting the mixing ratio with Cr to obtain the complete austenite phase. It is an ingredient. Mo is required to be contained in an amount of 6% by weight or more in order to effectively prevent pitting corrosion and inter-gap corrosion and to improve pitting corrosion resistance of the welded portion. Further, N is contained for obtaining pitting corrosion resistance and stabilizing the austenite phase, and Cu is added for improving acid resistance in the austenitic stainless steel containing Mo.
【００１４】次に上述実施例の作用について述べると、
熱処理装置４の反応管５内にウエハボート６により多数
のウエハＷをロードした後、反応管５内を所定の真空度
に減圧すると共に、ヒータ７により所定温度の均熱状態
とし、次いでガス供給源１よりの例えば塩素ガスを配管
１内を通流させると共に、減圧弁ＲＧ及びマスフロコン
トローラＭＦＣにより夫々圧力及び流量を制御して、イ
ンジェクタ３１を介して反応管５内に導入し、反応管５
内を所定の圧力に維持してウエハＷに対して熱処理であ
る例えばエッチング処理を行う。Next, the operation of the above embodiment will be described.
After loading a large number of wafers W into the reaction tube 5 of the heat treatment apparatus 4 by the wafer boat 6, the inside of the reaction tube 5 is depressurized to a predetermined degree of vacuum, and the heater 7 is brought to a soak state of a predetermined temperature, and then gas is supplied. For example, chlorine gas from the source 1 is caused to flow through the pipe 1, and the pressure and the flow rate are controlled by the pressure reducing valve RG and the mass flow controller MFC, respectively, and introduced into the reaction pipe 5 through the injector 31. 5
The inside of the wafer W is maintained at a predetermined pressure, and the wafer W is subjected to heat treatment, for example, etching treatment.
【００１５】ここでガス配管２においては、非溶接継手
の場合シール部材の劣化や構造が複雑であるなどの問題
があることから溶接部の個所が多くあり、これら溶接部
に例えば塩素ガスが接触しているが、ガス配管２は、上
述のように溶接部の耐孔食性に有効なＭｏを６．００〜
６．５０重量％含有した完全オーステナイトステンレス
鋼により構成されているため、母体については勿論のこ
と、溶接部においても腐食は事実上起こらず、従って粒
子レベルや原子、分子レベルの汚染物質の発生は極力抑
えられるので、ガス供給システムから取り込まれる汚染
物質がウエハＷの信頼性に影響を及ぼすおそれはない。In the case of the non-welded joint, the gas pipe 2 has many welded portions due to problems such as deterioration of the sealing member and complicated structure. For example, chlorine gas comes into contact with these welded portions. However, the gas pipe 2 contains 6.00 Mo which is effective for the pitting corrosion resistance of the welded portion as described above.
Since it is composed of completely austenitic stainless steel containing 6.50% by weight, virtually no corrosion occurs not only in the base material but also in the welded portion, so that the generation of contaminants at the particle level, atomic level and molecular level is prevented. Since it is suppressed as much as possible, there is no possibility that the contaminants taken in from the gas supply system affect the reliability of the wafer W.
【００１６】ここで半導体ウエハの熱処理のために用い
られる処理ガスの中でも腐食性の極めて大きいガスの一
つである塩素ガスを用いて、上述実施例でガス配管２に
使用したステンレス鋼Ａの溶接部の耐食性を次のように
して調べた。即ち溶接部を有するステンレス鋼Ａよりな
る内径１／４インチのパイプ中に水分を１００ｐｐｍ含
む塩素ガスを封じ込めて３日間放置し、その後パイプを
解放して溶接部の表面観察を行った。その結果溶接部に
おける腐食はまったく観察されなかった。Welding of the stainless steel A used for the gas pipe 2 in the above-mentioned embodiment using chlorine gas, which is one of the processing gases used for the heat treatment of semiconductor wafers, is one of the most corrosive gases. The corrosion resistance of the parts was examined as follows. That is, chlorine gas containing 100 ppm of water was enclosed in a pipe made of stainless steel A having a welded portion and having an inner diameter of 1/4 inch, and the pipe was left for 3 days, and then the pipe was released to observe the surface of the welded portion. As a result, no corrosion was observed in the weld.
【００１７】また表１に示す比較鋼１〜比較鋼４を用い
て同様の試験を行ったところ、いずれもわずかに腐食が
認められた。Further, when the same test was performed using Comparative Steels 1 to 4 shown in Table 1, slight corrosion was observed in all of them.
【００１８】[0018]
【表１】 なお表１中ステンレス鋼Ａについての含有成分を本発明
の鋼として表示してある。[Table 1] In Table 1, the components contained in stainless steel A are shown as the steel of the present invention.
【００１９】以上の実験結果からステンレス鋼Ａは、溶
接部においても大きな耐食性があり、例えば半導体ウエ
ハの熱処理装置に用いられるガス供給システムの配管材
料として好適であることが理解される。この理由は、ス
テンレス鋼Ａが耐食性の大きなオーステナイトステンレ
ス鋼をベースとして、孔食、スキ間腐食に最も有効なＭ
ｏを比較鋼１〜４に比べて多く含有していることに基づ
くものと推察される。そして本発明ではガス配管に用い
るオーステナイトステンレス鋼中のＭｏの含有量は、上
述の実施例に限定されないが、配管中の溶接部において
ウエハの信頼性を確保するに十分な耐食性を得るために
は、６重量％以上であることが必要である。From the above experimental results, it is understood that stainless steel A has a high corrosion resistance even in the welded portion and is suitable as a piping material for a gas supply system used in a heat treatment apparatus for semiconductor wafers, for example. The reason for this is that stainless steel A is based on austenitic stainless steel, which has high corrosion resistance, and is the most effective M for pitting and inter-gap corrosion.
It is presumed that it is based on the fact that O is contained in a larger amount than in Comparative Steels 1 to 4. And in the present invention, the content of Mo in the austenitic stainless steel used for the gas pipe is not limited to the above-mentioned examples, but in order to obtain sufficient corrosion resistance to secure the reliability of the wafer in the welded portion in the pipe. , 6% by weight or more.
【００２０】以上において本発明では、６重量％以上の
Ｍｏを含むオーステナイトステンレス鋼をガス配管の全
部に使用してもよいし、その一部例えば溶接部を有する
配管部のみに使用してもよく、更にはバルブなどの制御
機器における通気路部に用いてもよい。In the above, in the present invention, the austenitic stainless steel containing 6% by weight or more of Mo may be used for all of the gas pipes, or a part thereof, for example, only for the pipe portion having the welded portion. Further, it may be used for a ventilation path portion in a control device such as a valve.
【００２１】また本発明で用いるオーステナイトステン
レス鋼は、全部がオーステナイト相でなくとも、一部が
オーステナイト相であるもの、例えばフェライトオース
テナイト二相ステンレス鋼なども含むものである。The austenitic stainless steel used in the present invention includes austenitic stainless steel having a part of austenitic phase, for example, ferritic austenitic duplex stainless steel, if not all.
【００２２】また、本発明は熱処理装置に限らず、エッ
チング装置、イオン注入装置、プラズマＣＶＤ装置など
に適用してもよい。The present invention is not limited to the heat treatment apparatus, but may be applied to an etching apparatus, an ion implantation apparatus, a plasma CVD apparatus and the like.
【００２３】[0023]
【発明の効果】本発明によれば、腐食性ガスが通流する
通気路部の一部または全部をＭｏを６重量％以上含有す
るオーステナイトステンレス鋼により構成したので通気
路部の耐食性特に溶接部の耐食性が大きく、この結果粒
子レベル、あるいは分子、原子レベルの汚染物質の発生
を極力抑えることができる。従って熱処理装置内の被処
理体に対する汚染物質による信頼性の低下を防止し、例
えば今後一層高集積化が図られる半導体デバイスの製造
に有効であり、歩留まりの向上に寄与するものである。According to the present invention, since a part or all of the air passage portion through which corrosive gas flows is made of austenitic stainless steel containing 6% by weight or more of Mo, the corrosion resistance of the air passage portion, especially the welded portion. Corrosion resistance is high, and as a result, generation of pollutants at the particle level, molecular level, or atomic level can be suppressed as much as possible. Therefore, it is possible to prevent the reliability of the object to be processed in the heat treatment apparatus from being deteriorated due to contaminants, and it is effective, for example, in the manufacture of a semiconductor device in which higher integration will be achieved in the future, and contributes to the improvement of the yield.
【図１】本発明の実施例を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of the present invention.
１ ガス供給源 ２ ガス配管 ３ テフロンチューブ ３１ インジェクタ ４ 熱処理装置 ５ 反応管 1 Gas Supply Source 2 Gas Pipe 3 Teflon Tube 31 Injector 4 Heat Treatment Device 5 Reaction Tube
Claims (2)
スを処理部に供給するガス供給システムにおいて、 腐食性ガスが通流する通気路部の全部または一部を、６
重量％以上のモリブデンを含むオーステナイトステンレ
ス鋼により構成したことを特徴とするガス供給システ
ム。1. A gas supply system for supplying a processing gas from a gas supply source to a processing section via a ventilation path section, wherein all or part of the ventilation path section through which the corrosive gas flows is
A gas supply system comprising an austenitic stainless steel containing molybdenum by weight or more.
６．０〜６．５重量％、Ｎｉを１７．５〜１８．５重量
％、Ｃｒを１９．５〜２０．５重量％含有し、更に少な
くともＣｕ及びＮを含有するものであることを特徴とす
る請求項１記載のガス供給システム。2. Austenitic stainless steel contains 6.0 to 6.5% by weight of Mo, 17.5 to 18.5% by weight of Ni and 19.5 to 20.5% by weight of Cr, and The gas supply system according to claim 1, wherein the gas supply system contains at least Cu and N.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25857791A JPH0568865A (en) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | Gas supply system |
| US07/942,501 US5307568A (en) | 1991-09-09 | 1992-09-09 | Gas supply system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25857791A JPH0568865A (en) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | Gas supply system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0568865A true JPH0568865A (en) | 1993-03-23 |
Family
ID=17322185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25857791A Pending JPH0568865A (en) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | Gas supply system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0568865A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6984267B2 (en) * | 1998-06-30 | 2006-01-10 | Fujitsu Limited | Manufacture system for semiconductor device with thin gate insulating film |
| US20100212593A1 (en) * | 2009-02-23 | 2010-08-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
| US7862638B2 (en) | 2007-04-10 | 2011-01-04 | Tokyo Electron Limited | Gas supply system for semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2021153119A (en) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 信越半導体株式会社 | Piping connection method and semiconductor wafer heat treatment device |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP25857791A patent/JPH0568865A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6984267B2 (en) * | 1998-06-30 | 2006-01-10 | Fujitsu Limited | Manufacture system for semiconductor device with thin gate insulating film |
| US7862638B2 (en) | 2007-04-10 | 2011-01-04 | Tokyo Electron Limited | Gas supply system for semiconductor manufacturing apparatus |
| US20100212593A1 (en) * | 2009-02-23 | 2010-08-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
| US8343277B2 (en) * | 2009-02-23 | 2013-01-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
| JP2021153119A (en) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 信越半導体株式会社 | Piping connection method and semiconductor wafer heat treatment device |
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