JPH0567576A - Manufacture of compound semiconductor crystal - Google Patents
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- JPH0567576A JPH0567576A JP25437391A JP25437391A JPH0567576A JP H0567576 A JPH0567576 A JP H0567576A JP 25437391 A JP25437391 A JP 25437391A JP 25437391 A JP25437391 A JP 25437391A JP H0567576 A JPH0567576 A JP H0567576A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は砒素(As)、燐
(P)、インジウム(In)を構成元素として含む化合
物半導体素子の製造方法に係わり、特に安全で、膜厚と
組成の再現性の良い成長技術を提供する方法に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a compound semiconductor device containing arsenic (As), phosphorus (P) and indium (In) as constituent elements, and is particularly safe and has reproducibility of film thickness and composition. It is about how to provide good growth technology.
【0002】[0002]
【従来の技術】現在、実用化されている半導体レーザ、
受光素子はIn1-x Gax Asy P1-y 、In1-x Ga
x AsといったIII−V族化合物半導体結晶で作られ
ている。これらの結晶は工業的には、それぞれ液相成長
法、クロライド気相成長法が用いられているが、近年有
機金属を原料とする有機金属気相成長法(以下MOVP
E法と略称する)が注目されている。その理由は、MO
VPE法においては組成制御が容易で、大面積の基板に
対しても膜厚と組成の均一性の優れた結晶が得られるた
め、従来法に比べて工業的利点が大きいと考えられてい
るためである。2. Description of the Related Art Semiconductor lasers currently in practical use,
The light receiving element is In 1-x Ga x As y P 1-y , In 1-x Ga
is made of group III-V compound semiconductor crystal such as x As. These crystals are industrially used in liquid phase epitaxy and chloride vapor phase epitaxy, respectively, but in recent years, metal organic vapor phase epitaxy (hereinafter MOVP) using organic metal as a raw material has been used.
The E method is abbreviated). The reason is MO
Since the composition control is easy in the VPE method and a crystal having excellent film thickness and composition uniformity can be obtained even in a large-area substrate, it is considered to have a great industrial advantage as compared with the conventional method. Is.
【0003】光波長が1.3から1.5μmのレーザの
活性層(In1-xGax Asy P1-y )をMOVPE法
で作製する場合を例にとって説明すると、通常のMOV
PE法では、III族原料としてトリメチルシンジウム
(以下TMIと略称する)、トリエチルガリウム(以下
TEGと略称する)、V族原料としてアルシン(以下A
sH3 と記す)、フォスフィン(以下PH3 と記す)を
用い、大気圧あるいは数10トール程度の減圧下で原料
を熱分解させInP基板上にエピタキシャル成長させ
る。Taking a case where an active layer (In 1-x Ga x As y P 1-y ) of a laser having a light wavelength of 1.3 to 1.5 μm is formed by the MOVPE method as an example, a normal MOV will be described.
In the PE method, trimethylcindium (hereinafter abbreviated as TMI), triethylgallium (hereinafter abbreviated as TEG) as a group III raw material, and arsine (hereinafter A as a group V raw material).
sH 3 ) and phosphine (hereinafter referred to as PH 3 ) are used to thermally decompose the raw material under atmospheric pressure or a reduced pressure of about several tens of torr to epitaxially grow it on the InP substrate.
【0004】図5に縦型反応管を有するMOVPE装置
により化合物半導体In1-x Gax Asy P1-y をIn
P基板上に成長する場合の装置構成を示す。図におい
て、1は反応管、2は高周波誘導コイル、3はサセプ
タ、4は基板、5は回転軸、6はロータリーポンプ、7
は圧力計、8は圧力調整弁、9はノズル、10は配管、
11,12は圧力調整弁、15,16は圧力計、19,
20は原料容器、23,24,27,28はマスフロー
コントローラ、29,30は減圧弁、31,32は高圧
ボンベ、33,34は恒温槽を示す。しかして、III
族原料のTMIとTEGはそれぞれステンレス製の原料
容器19,20に入っている。TEGは液体であるが、
TMIは固体であるため容器の内壁に針状結晶の状態で
付着している。原料容器は、恒温槽によりある一定の温
度に保たれている。例えばTMIは20℃、TEGは1
0℃であり、このときの飽和蒸気圧はそれぞれ1.1ト
ール,2.3トールである。マスフローコントローラ2
3,24により流量制御されたキャリアガスが、前記原
料容器内に導入され、原料の蒸気が飽和する。その後配
管10を通り反応管1に供給される。圧力計15,16
により原料容器内の圧力を検知しフィードバック信号を
圧力調整弁11,12に伝達して原料容器内の圧力を一
定値に保っている。通常この値は、760トール付近に
設定される。キャリアガス中の原料濃度は原料の飽和蒸
気圧と容器内の圧力により精密にコントロールされる。
また、原料の供給量は、(マスフローコントローラの流
量)×(濃度)である。一方、V族原料のアルシンとフ
ォスフィンは通常水素ガスで数10%程度に希釈されて
高圧ボンベ31,32に充填されている。充填圧は80
から100Kg/cm2 である。アルシンとフォスフィ
ンは減圧弁29,30により数Kg/cm2 まで圧力を
下げた後、マスフローコントローラ27,28により流
量をコントロールされ、配管10を通り反応管1に供給
される。反応管1は石英製である。その中にInP基板
4を乗せたカーボン製のサセプタ3があり、回転軸5を
中心に回転している。高周波誘導コイル2により基板加
熱を行う。前記配管10を通って供給される原料ガス
は、ノズル9を通ってInP基板4に吹き付けられ、化
合物半導体結晶が成長する。反応管内はロータリーポン
プ6により排気され、減圧状態で成長を行う。反応管内
の圧力は圧力計7により検知され、圧力調整弁8により
一定値にコントロールされる。この値は通常100トー
ル前後に設定される。In1-x Gax Asy P1-y の組
成x,yはそれぞれ原料の供給比TEG/TMI、As
H3 /PH3 により一意的に決まる。また成長速度は、
TMIとTEGの供給量の和で決まる。In FIG. 5, the compound semiconductor In 1-x Ga x As y P 1-y is converted into In by a MOVPE apparatus having a vertical reaction tube.
An apparatus configuration for growing on a P substrate is shown. In the figure, 1 is a reaction tube, 2 is a high frequency induction coil, 3 is a susceptor, 4 is a substrate, 5 is a rotary shaft, 6 is a rotary pump, and 7 is a rotary pump.
Is a pressure gauge, 8 is a pressure control valve, 9 is a nozzle, 10 is piping,
11, 12 are pressure regulating valves, 15 and 16 are pressure gauges, 19,
Reference numeral 20 is a raw material container, 23, 24, 27 and 28 are mass flow controllers, 29 and 30 are pressure reducing valves, 31 and 32 are high pressure cylinders, and 33 and 34 are constant temperature baths. Then III
The group materials TMI and TEG are contained in stainless steel material containers 19 and 20, respectively. TEG is a liquid,
Since TMI is solid, it adheres to the inner wall of the container in the form of needle crystals. The raw material container is kept at a certain temperature by a constant temperature bath. For example, TMI is 20 ℃, TEG is 1
The temperature is 0 ° C., and the saturated vapor pressures at this time are 1.1 Torr and 2.3 Torr, respectively. Mass flow controller 2
The carrier gas whose flow rate is controlled by 3, 24 is introduced into the raw material container, and the raw material vapor is saturated. After that, it is supplied to the reaction tube 1 through the pipe 10. Pressure gauge 15, 16
Detects the pressure in the raw material container and transmits a feedback signal to the pressure adjusting valves 11 and 12 to keep the pressure in the raw material container at a constant value. This value is typically set near 760 torr. The concentration of the raw material in the carrier gas is precisely controlled by the saturated vapor pressure of the raw material and the pressure inside the container.
Further, the supply amount of the raw material is (flow rate of the mass flow controller) × (concentration). On the other hand, the group V raw materials arsine and phosphine are usually diluted with hydrogen gas to several tens of percent and then filled in the high-pressure cylinders 31 and 32. Filling pressure is 80
To 100 Kg / cm 2 . After reducing the pressure of arsine and phosphine to several Kg / cm 2 by the pressure reducing valves 29 and 30, the flow rates are controlled by the mass flow controllers 27 and 28 and are supplied to the reaction tube 1 through the pipe 10. The reaction tube 1 is made of quartz. There is a susceptor 3 made of carbon on which an InP substrate 4 is placed, and it rotates around a rotating shaft 5. The substrate is heated by the high frequency induction coil 2. The raw material gas supplied through the pipe 10 is sprayed onto the InP substrate 4 through the nozzle 9 to grow a compound semiconductor crystal. The inside of the reaction tube is evacuated by the rotary pump 6 to grow under reduced pressure. The pressure in the reaction tube is detected by the pressure gauge 7 and controlled to a constant value by the pressure adjusting valve 8. This value is usually set around 100 torr. The composition x and y of In 1-x Ga x As y P 1-y are the feed ratios TEG / TMI and As of the raw materials, respectively.
Uniquely determined by H 3 / PH 3 . Also, the growth rate is
Determined by the sum of TMI and TEG supply.
【0005】この方法における第1の問題点は,III
族原料の一つであるTMIが室温付近で固体であるた
め、液体原料に比べキャリアガス中の原料濃度が一定に
なり難いということである。その理由は固体の表面はキ
ャリアガス中の酸素や水分の影響で変化し易く最表面に
変質層が形成されるためである。そのため飽和蒸気圧が
変化し、キャリアガス中の原料濃度が変化する。また、
長期の使用期間中にTMIが再結晶化するため表面積が
減少し、キャリアガス中の原料濃度が次第に低下する。
そのため長期間に亘る原料の安定供給性に問題があり、
組成及び成長速度の再現性が得られないという問題があ
った。一方、従来から室温付近で液体のIn原料である
トリエチルインジウム(以下TEIと略称する)も用い
られてきたが、室温付近の蒸気圧が低いため実用的な成
長速度を得るためには原料容器と配管10を室温以上に
加熱する必要があり、装置の構成が複雑になること、原
料の純化が難しくTMIに比べ純度が劣ること等の問題
があった。The first problem with this method is that III
Since TMI, which is one of the group raw materials, is solid around room temperature, it is difficult to keep the raw material concentration in the carrier gas constant compared to liquid raw materials. The reason is that the surface of the solid is apt to change due to the influence of oxygen and water in the carrier gas, and an altered layer is formed on the outermost surface. Therefore, the saturated vapor pressure changes and the raw material concentration in the carrier gas changes. Also,
Since TMI is recrystallized during a long use period, the surface area is reduced and the raw material concentration in the carrier gas is gradually reduced.
Therefore, there is a problem in the stable supply of raw materials over a long period of time,
There was a problem that reproducibility of composition and growth rate could not be obtained. On the other hand, conventionally, triethylindium (hereinafter abbreviated as TEI), which is a liquid In raw material near room temperature, has also been used, but since the vapor pressure near room temperature is low, it is necessary to use a raw material container in order to obtain a practical growth rate. It is necessary to heat the pipe 10 to room temperature or higher, which complicates the configuration of the apparatus and makes it difficult to purify the raw material, resulting in poor purity as compared with TMI.
【0006】第2の問題点は、V族原料として用いるア
ルシン,フォスフィンが毒性の高いガスであり、通常は
水素ガスで20%程度に希釈した高圧ガスボンベに入れ
て供給されることである。このため万一の漏洩を想定し
た対策と、装置上の安全対策が要求される。講ずべき対
策の主なものは、アルシン,フォスフィンの漏洩を検
知し警報を出すシステム、これと連動してアルシン,
フォスフィンの供給を停止する遮断システム、アルシ
ン,フォスフィンボンベと成長装置を完全に覆う隔壁を
設け、作業者がいる作業空間とは独立な空調とし、万一
の漏洩の際にはアルシン,フォスフィンを除害して大気
に排出する空調設備等である。このためMOVPE装置
を工場に導入するためには膨大な設備投資が必要であ
る。The second problem is that arsine and phosphine used as V group raw materials are highly toxic gases and are usually supplied in a high pressure gas cylinder diluted with hydrogen gas to about 20%. For this reason, it is necessary to take measures against possible leakage and safety measures on the device. The main measures to be taken are a system that detects leaks of arsine and phosphine and issues an alarm.
A barrier system that completely shuts off the supply of phosphine, arsine and phosphine cylinders, and a partition that completely covers the growth equipment are installed, and the air conditioning is independent of the working space in which workers exist. It is an air-conditioning system that removes harmful substances and discharges them into the atmosphere. Therefore, enormous capital investment is required to introduce the MOVPE device into the factory.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の欠点を
改善するために提案されたもので、その目的は、In
原料に由来する再現性の劣化、及び、毒性の強いAs
H3 ,PH3 を用いることにより生じる大きな危険の問
題を解決し、再現性が良くしかも安全に高品質なIn
1-x Gax Asy P1-y を製造できる化合物半導体結晶
の製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed to remedy the above drawbacks, and its purpose is to
Reproducibility deterioration due to raw material and As toxicity
The problem of great danger caused by using H 3 and PH 3 is solved, and high quality In
It is an object of the present invention to provide a method for producing a compound semiconductor crystal capable of producing 1-x Ga x As y P 1-y .
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明はIII族原料及びV族原料をそれぞれキャ
リアガスと共に反応容器に導入し、熱分解して、基板上
にIII−V族化合物半導体結晶を気相成長する方法に
おいて、V族原料としてモノターシャリーブチルアルシ
ン(C4 H9 AsH2 )とモノターシャリーブチルフォ
スフィン(C4 H9 PH2 )を用い、III族原料の一
つとしてエチルジメチルインジウム(C2 H5 (C
H3 )2 In)を用いることを特徴とする化合物半導体
結晶の製造方法を発明の要旨とするものである。換言す
れば本発明は、In1-x Gax Asy P1-y の組成制
御性と成長速度の再現性を高めるため、従来用いられて
きたTMI,TEIに代わるIn原料として室温付近で
液体のエチルジメチルインジウム(以下EDMInと略
称する)を用いること、製造装置の安全性を高めるた
め、従来用いられてきた毒性の強いAsH3 ,PH3 に
代わるAs,P原料として毒性の低いモノターシャリー
ブチルアルシン(以下TBAと略称する)とモノターシ
ャリーブチルフォスフィン(以下TBPと略称する)を
用いることを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention introduces a group III source and a group V source together with a carrier gas into a reaction vessel and thermally decomposes them to form a group III-V group on a substrate. In the method of vapor-depositing a compound semiconductor crystal, monotertiary butyl arsine (C 4 H 9 AsH 2 ) and monotertiary butyl phosphine (C 4 H 9 PH 2 ) are used as Group V raw materials, Ethyl dimethyl indium (C 2 H 5 (C
The gist of the invention is a method for producing a compound semiconductor crystal, which is characterized by using H 3 ) 2 In). In other words, in order to improve the composition controllability of In 1-x Ga x As y P 1-y and the reproducibility of the growth rate, the present invention replaces TMI and TEI that have been used conventionally with liquids at room temperature as an In raw material. Ethyl dimethyl indium (hereinafter abbreviated as EDMIn) is used, and in order to enhance the safety of the manufacturing equipment, a less toxic mono-tertiary material is used as a raw material for As and P, which replaces the highly toxic AsH 3 and PH 3 used conventionally. Butyl arsine (hereinafter abbreviated as TBA) and mono-tertiary butyl phosphine (hereinafter abbreviated as TBP) are used.
【0009】[0009]
【作用】本発明においては、In原料としてEDMIn
を用いることによって再現性を向上させ、さらに、A
s,P原料としてTBA,TBPを用いることによって
装置の安全性を向上させることができる。In the present invention, EDMIn is used as the In raw material.
Reproducibility is improved by using
The safety of the device can be improved by using TBA and TBP as the s and P raw materials.
【0010】[0010]
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。な
お、実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱
しない範囲で、種々の変更あるいは改良を行い得ること
は言うまでもない。EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described. It is needless to say that the embodiment is merely an example, and various modifications and improvements can be made without departing from the spirit of the present invention.
【0011】図1は本発明方法において用いられるMO
VPE装置の概略を示す。図において、1は反応管、2
は高周波誘導コイル、3はサセプタ、4は基板、5は回
転軸、6はロータリーポンプ、7は圧力計、8は圧力調
整弁、9はノズル、10は配管、11〜14は圧力調整
弁、15〜17は圧力計、19〜22は原料容器、23
〜26はマスフローコントローラを示す。In原料とし
てEDMIn、Ga原料としてトリエチルガリウム(以
下TEGと略称する)、As原料としてTBA、P原料
としてTBPを用いた。これらの原料はそれぞれ原料容
器19,20,21,22に入っている。図5に示した
従来法の装置構成の内、TMI容器19をEDMIn容
器に換え、アルシンとフォスフィンのボンベ31,32
をTBAとTBPの容器21,22に換えた。その外の
機能は従来法と同じである。FIG. 1 shows the MO used in the method of the present invention.
The outline of a VPE device is shown. In the figure, 1 is a reaction tube, 2
Is a high frequency induction coil, 3 is a susceptor, 4 is a substrate, 5 is a rotary shaft, 6 is a rotary pump, 7 is a pressure gauge, 8 is a pressure adjusting valve, 9 is a nozzle, 10 is piping, 11 to 14 are pressure adjusting valves, 15 to 17 are pressure gauges, 19 to 22 are raw material containers, 23
26 show mass flow controllers. EDMIn was used as an In raw material, triethylgallium (hereinafter abbreviated as TEG) as a Ga raw material, TBA as an As raw material, and TBP as a P raw material. These raw materials are contained in raw material containers 19, 20, 21, and 22, respectively. In the apparatus configuration of the conventional method shown in FIG. 5, the TMI container 19 is replaced with an EDMIn container, and arsine and phosphine cylinders 31, 32 are used.
Was replaced with TBA and TBP containers 21 and 22. Other functions are the same as the conventional method.
【0012】EDMInは、室温付近で液体であるため
固体原料に付随する供給安定性に係わる問題はない。図
2には、EDMInとTMIを入れたバブラーに流すキ
ャリアガス流量を一定とした時のInPの成長速度と原
料の使用率(当初の量に対する使用量の割合)との関係
を示した。EDMInの場合は、使いきるまで一定の成
長速度であるのに対してTMIの場合は成長速度が変化
している。また、EDMInの蒸気圧と純度はTMIと
同等であるため、従来から使用されてきた液体In原料
のTEIより有利である。文献(American Cyanamid 社
の ApplicationNote No.2)によれば、TBAのLC50
の値は70ppmでAsH3 より14分の1毒性が低
く、TBPのLC50の値は1100ppm以上でありP
H3 より100分の1毒性が低い。ちなみにAsH3 と
PH3 のLC50の値はそれぞれ5ppmと11ppmで
ある。LC50はガスの毒性の程度を示すものであり、ガ
スを4時間吸入させたラット(ネズミの一種)がその後
14日以内に半数死ぬガス濃度である。Since EDMIn is a liquid near room temperature, there is no problem concerning the supply stability associated with the solid raw material. FIG. 2 shows the relationship between the growth rate of InP and the usage rate of the raw material (ratio of the usage amount to the initial amount) when the carrier gas flow rate flowing in the bubbler containing EDMIn and TMI is constant. In the case of EDMIn, the growth rate is constant until it is used up, whereas in the case of TMI, the growth rate changes. Further, since the vapor pressure and the purity of EDMIn are equivalent to those of TMI, they are more advantageous than the TEI of the liquid In raw material that has been used conventionally. According to the literature (American Cyanamid Co. of ApplicationNote No.2), LC of TBA 50
Values AsH 3 than 14 minutes for one low toxicity at 70 ppm, the value of the LC 50 of TBP is not less than 1100 ppm P
1/100 less toxic than H 3 . By the way, the LC 50 values of AsH 3 and PH 3 are 5 ppm and 11 ppm, respectively. LC 50 indicates the degree of gas toxicity, and is the gas concentration at which half of the rats (a mouse) inhaled the gas for 4 hours die within 14 days.
【0013】図3には、各組成に於けるIn1-x Gax
Asy P1-y のInPに対する格子不整(△a/a)
と、EDMInとTEGの供給モル比(EDMIn/T
EG)との関係を示す。各yの組成ともEDMIn/T
EGと△a/aは直線関係を示し、組成制御性が良好で
あることを示している。FIG. 3 shows In 1-x Ga x in each composition.
Lattice mismatch with respect to As y P 1-y InP of (△ a / a)
And the feed molar ratio of EDMIn and TEG (EDMIn / T
EG). EDMIn / T for each y composition
EG and Δa / a show a linear relationship, indicating that the composition controllability is good.
【0014】図4にはInPに格子整合するIn0.56G
a0.44As0.93P0.07を活性層とするダブルヘテロ構造
を有するウェハから作製した分布帰還型レーザの特性を
示す。図中の実線は光出力、点線は外部微分量子効率を
示す。また同時に発振スペクトルも示した。注入電流が
200mAの時、光出力が20mW程度でており、従来
原料を用いた時と同程度の特性が得られている。発振ス
ペクトルから、単一縦モードであることがわかる。FIG. 4 shows In 0.56 G lattice-matched with InP.
The characteristics of a distributed feedback laser manufactured from a wafer having a double hetero structure having a 0.44 As 0.93 P 0.07 as an active layer are shown. The solid line in the figure shows the optical output, and the dotted line shows the external differential quantum efficiency. At the same time, the oscillation spectrum is also shown. When the injection current is 200 mA, the light output is about 20 mW, and the characteristics are the same as when using the conventional raw material. From the oscillation spectrum, it can be seen that there is a single longitudinal mode.
【0015】[0015]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればI
II族原料及びV族原料をそれぞれキャリアガスと共に
反応容器に導入し、熱分解して、基板上にIII−V族
化合物半導体結晶を気相成長する方法において、V族原
料としてモノターシャリーブチルアルシン(C4 H9 A
sH2 )とモノターシャリーブチルフォスフィン(C4
H9 PH2 )を用い、III族原料の一つとしてエチル
ジメチルインジウム(C2 H5 (CH3 )2 In)を用
いることにより、In原料としてEDMInを用いる
ことにより再現性を向上させ、As,P原料としてそ
れぞれTBA,TBPを用いることにより装置の安全性
を向上させることができる。更に本発明を用いて作製し
た分布帰還型レーザは、良好な特性を示すことから、本
発明は半導体レーザや受光素子用のIn1-x Gax As
y P1-y やIn1-x Gax Asを成長する方法として有
効であることが示されている。As described above, according to the present invention, I
In a method of introducing a Group II raw material and a Group V raw material into a reaction vessel together with a carrier gas and thermally decomposing them, a III-V group compound semiconductor crystal is vapor-deposited on a substrate. (C 4 H 9 A
sH 2 ) and mono-tertiary butyl phosphine (C 4
H 9 PH 2 ) and ethyl dimethylindium (C 2 H 5 (CH 3 ) 2 In) as one of the group III raw materials to improve reproducibility by using EDMIn as an In raw material. The safety of the device can be improved by using TBA and TBP as the P and P raw materials, respectively. Furthermore, since the distributed feedback laser manufactured by using the present invention exhibits good characteristics, the present invention is based on In 1-x Ga x As for semiconductor lasers and light receiving elements.
It has been shown to be effective as a method for growing y P 1-y and In 1-x Ga x As.
【図1】本発明において用いられる製造装置を示す。FIG. 1 shows a manufacturing apparatus used in the present invention.
【図2】EDMInの供給安定性を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the supply stability of EDMIn.
【図3】本発明におけるIn1-x Gax Asy P1-y 混
晶の組成制御性を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing composition controllability of an In 1-x Ga x As y P 1-y mixed crystal in the present invention.
【図4】本発明により成長したIn0.56Ga0.44As
0.93P0.07層を活性層とする分布帰還型レーザの特性を
示す図である。FIG. 4 In 0.56 Ga 0.44 As grown according to the present invention
The 0.93 P 0.07 layers is a graph showing characteristics of a distributed feedback laser to the active layer.
【図5】従来原料を用いたMOVPE装置を示す。FIG. 5 shows a MOVPE apparatus using a conventional raw material.
1 反応管 2 高周波誘導コイル 3 サセプタ 4 基板 5 回転軸 6 ロータリーポンプ 7 圧力計 8 圧力調整弁 9 ノズル 10 配管 11〜14 圧力調整弁 15〜17 圧力計 19〜22 原料容器 23〜26 マスフローコントローラ 27,28 マスフローコントローラ 29,30 減圧弁 31,32 高圧ボンベ 33,34 恒温槽 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Reaction tube 2 High frequency induction coil 3 Susceptor 4 Substrate 5 Rotating shaft 6 Rotary pump 7 Pressure gauge 8 Pressure adjusting valve 9 Nozzle 10 Piping 11 to 14 Pressure adjusting valve 15 to 17 Pressure gauge 19 to 22 Raw material container 23 to 26 Mass flow controller 27 , 28 Mass flow controller 29, 30 Pressure reducing valve 31, 32 High pressure cylinder 33, 34 Constant temperature bath
Claims (1)
ャリアガスと共に反応容器に導入し、熱分解して、基板
上にIII−V族化合物半導体結晶を気相成長する方法
において、V族原料としてモノターシャリーブチルアル
シン(C4 H9 AsH2 )とモノターシャリーブチルフ
ォスフィン(C4 H9 PH2 )を用い、III族原料の
一つとしてエチルジメチルインジウム(C2 H5 (CH
3 )2 In)を用いることを特徴とする化合物半導体結
晶の製造方法。1. A method for introducing a group III source material and a group V source material into a reaction vessel together with a carrier gas and thermally decomposing them to vapor-deposit a group III-V compound semiconductor crystal on a substrate. Using mono-tert-butylarsine (C 4 H 9 AsH 2 ) and mono-tert-butyl phosphine (C 4 H 9 PH 2 ), ethyl dimethyl indium (C 2 H 5 (CH
3 ) A method for producing a compound semiconductor crystal, which comprises using 2 In).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25437391A JPH0567576A (en) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | Manufacture of compound semiconductor crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25437391A JPH0567576A (en) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | Manufacture of compound semiconductor crystal |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0567576A true JPH0567576A (en) | 1993-03-19 |
Family
ID=17264091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25437391A Pending JPH0567576A (en) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | Manufacture of compound semiconductor crystal |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0567576A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08250437A (en) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Nec Corp | Metal organic vapor growth method |
JP2009260349A (en) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Praxair Technol Inc | Reagent dispensing apparatus, and delivery method |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP25437391A patent/JPH0567576A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08250437A (en) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Nec Corp | Metal organic vapor growth method |
JP2009260349A (en) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Praxair Technol Inc | Reagent dispensing apparatus, and delivery method |
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