JPH0567351A - Phase transition type optical recording medium - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To provide a phase transition type optical recording medium capable of hardly deteriorating optical characteristics even though the thickness of a recording layer is made thin, thereby decreasing an energy quantity required for recording and increasing the rewriting count and having a high recording sensibility. CONSTITUTION:On a substrate, a recording layer 3 changing an optical property by a phase transition and a protecting layer 2 preventing from the thermal change at least at a light incident side of the recording layer 3 are provided. The recording, reproducing and erasing of an information is performed by changing the optical property of the recording layer 3 by a means such as light or heat. A layer thickness of the recording layer 3 is made thinner than 20nm and also the protecting layer 2 positioning at the light incident side of the recording layer 3 is formed with a protecting layer material having the equal or less refractive index to that of the substrate material.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、基板上に相変化によ
って光学的性質が変化する記録層を設け、光、熱等の手
段によりこの記録層の光学的性質を変化させて情報の記
録・再生・消去を行う相変化光記録媒体に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention provides a recording layer whose optical properties are changed by a phase change on a substrate, and changes the optical properties of the recording layer by means of light, heat or the like to record information. The present invention relates to a phase change optical recording medium that performs reproduction / erasure.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、記録情報の書換えが可能な光記録
媒体として、結晶−アモルファス間の相変化を利用し
た、いわゆる相変化光記録媒体が知られている。この相
変化光記録媒体では、高出力のレーザー光を記録層上に
照射してその照射部位を溶融後急冷することによりアモ
ルファス状態に変化させ、これによって情報の記録を行
う。一方、中間出力のレーザー光を記録層上に照射して
その照射部位を所定時間結晶化温度以上に保持すること
により結晶状態に変化させ、これによって情報の消去を
行う。また、低出力のレーザー光を記録層上に照射して
結晶状態とアモルファス状態の光学的性質の違いを反射
光量の差として検出することにより情報の再生を行うも
のである。2. Description of the Related Art Conventionally, a so-called phase change optical recording medium utilizing a phase change between crystal and amorphous has been known as an optical recording medium capable of rewriting recorded information. In this phase-change optical recording medium, the recording layer is irradiated with a high-power laser beam, and the irradiated portion is melted and then rapidly cooled to change to an amorphous state, thereby recording information. On the other hand, by irradiating the recording layer with an intermediate output laser beam and maintaining the irradiated portion at a crystallization temperature or higher for a predetermined time, it is changed to a crystalline state, thereby erasing information. Information is reproduced by irradiating the recording layer with a low-output laser beam and detecting the difference in optical properties between the crystalline state and the amorphous state as the difference in the amount of reflected light.

【０００３】そして、この種の相変化光記録媒体におい
ては、通常、基板上に設けられる記録層の上下両面にそ
れぞれ保護層を設け、特に光入射側の保護層について
は、レーザビームによる書込み時あるいは書換え時更に
は記録の消去時における記録層の熱変形を防止するとい
う物理的役割の他に、干渉効果を高めてＣＮ比、記録感
度の改善を図るという光学的役割を担うことが必要であ
るとされている（特開平２−１９５，５３７号公報、特
開昭６１−１８０，９４５号公報）。そして、従来にお
いては、この光入射側の保護層に上記の如き光学的役割
を持たせるために、保護層材料の屈折率を基板材料の屈
折率よりも高くし、この屈折率の高い保護層材料で形成
された保護層に生じる干渉効果を利用している。このた
め、相変化光記録媒体における光入射側保護層の保護層
材料については、少なくとも基板材料の屈折率よりも大
きい屈折率を有することが必要であるとされており、基
板材料の屈折率ｎが１．４５〜１．６程度であるのに対
して、通常、屈折率ｎが２．０以上の高屈折率材料、例
えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂ （ｎ：２．０）やＺｎＳ（ｎ：
２．３）等が使用されている。In this type of phase-change optical recording medium, protective layers are usually provided on the upper and lower surfaces of the recording layer provided on the substrate, and the light-incident side protective layer is used when writing with a laser beam. Alternatively, in addition to the physical role of preventing thermal deformation of the recording layer at the time of rewriting and at the time of erasing recording, it is necessary to play an optical role of improving the CN ratio and recording sensitivity by enhancing the interference effect. (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-195,537, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-180,945). In the prior art, in order to allow the protective layer on the light incident side to have the optical role as described above, the refractive index of the protective layer material is set higher than that of the substrate material, and the protective layer having a high refractive index is provided. The interference effect generated in the protective layer formed of the material is used. Therefore, it is said that the protective layer material of the light incident side protective layer in the phase change optical recording medium needs to have a refractive index higher than at least the refractive index of the substrate material. Is about 1.45 to 1.6, while a high refractive index material having a refractive index n of 2.0 or more, for example, ZnS—SiO ₂ (n: 2.0) or ZnS (n:
2.3) etc. are used.

【０００４】ところで、この様な相変化光記録媒体にお
いては、記録時に記録材料を６００°Ｃ程度以上の高温
に加熱する必要があるので、多くのエネルギー量を必要
とし、このため記録感度が悪く、また、書換え回数も少
ないという問題がある。By the way, in such a phase-change optical recording medium, since it is necessary to heat the recording material to a high temperature of about 600 ° C. or more at the time of recording, a large amount of energy is required, and therefore the recording sensitivity is poor. Also, there is a problem that the number of times of rewriting is small.

【０００５】そこで、従来においては、この様な問題を
解決する方法として、記録層の層厚を薄くしてその熱容
量を低くし、これによってレーザビームによる書込み、
書換えあるいは消去の際に必要とするエネルギー量を低
下せしめることが提案されている（特開平２−１９５，
５３８号公報、特開平２−１９５，５３７号公報、Ｔ．
Ｏｈｔａ，ｅｔ ａｌ．ＳＰＩＥ，ｖｏｌ．１０７８
ＯＤＳＴＭ、ｐ２７、１９８９）。この様に記録時に必
要とするレーザビームのエネルギー量を低下させること
で、同じ光吸収率であれば記録感度が向上し、また、光
記録媒体の熱的負荷が軽減し、記録層の熱変形量が減少
して書換え回数が増加する。Therefore, in the past, as a method for solving such a problem, the thickness of the recording layer is reduced to reduce its heat capacity, whereby writing with a laser beam is performed.
It has been proposed to reduce the amount of energy required for rewriting or erasing (JP-A-2-195, 2005).
538, JP-A-2-195,537, T.I.
Ohta, et al. SPIE, vol. 1078
ODSTM, p27, 1989). By thus reducing the amount of laser beam energy required for recording, the recording sensitivity is improved with the same light absorption rate, and the thermal load on the optical recording medium is reduced, resulting in thermal deformation of the recording layer. The amount decreases and the number of rewrites increases.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、相変化
光記録媒体においては、記録層の層厚をある一定の値よ
り小さくすることができないという問題がある。すなわ
ち、例えば記録層の記録材料がＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料
である場合、この記録層の層厚を２０ｎｍより薄くする
と、図８に示すように、この記録層における結晶質状態
の部位とアモルファス状態の部位との間の反射率の差が
小さくなって十分な再生信号のＣＮ比が取れなくなり、
情報の再生誤りが増加してしまう。それと共に、全体の
反射率の平均値が低下して、光記録媒体からの反射光を
利用するフォーカスサーボ、トラッキングサーボ等のサ
ーボ動作が不安定になるという問題が生じる。このた
め、この記録層の層厚を（例えば２０ｎｍより）薄くし
て記録感度の向上と書換え回数の増加を図ることについ
ては自ずからその限界があった。However, in the phase change optical recording medium, there is a problem that the layer thickness of the recording layer cannot be made smaller than a certain value. That is, for example, when the recording material of the recording layer is a Ge-Sb-Te-based material and the layer thickness of this recording layer is made thinner than 20 nm, as shown in FIG. The difference in the reflectance between the state and the part becomes small, and a sufficient CN ratio of the reproduced signal cannot be obtained.
Information reproduction errors increase. At the same time, the average value of the entire reflectance decreases, and the servo operation such as focus servo and tracking servo that uses the reflected light from the optical recording medium becomes unstable. For this reason, there is a limit to reducing the recording layer thickness (for example, less than 20 nm) to improve the recording sensitivity and the number of times of rewriting.

【０００７】そこで、本発明者らは、相変化光記録媒体
においてその書換え回数を増加せしめ、かつ、記録感度
の向上を図ることについて鋭意研究を重ねた結果、記録
層の層厚を薄くし、その光入射側の保護層として屈折率
の小さい保護層材料を選ぶことにより、書換え回数と記
録感度の問題を解決できることを見出し、本発明に到達
した。Therefore, the inventors of the present invention have made earnest studies to increase the number of times of rewriting in a phase change optical recording medium and to improve the recording sensitivity. As a result, the thickness of the recording layer is reduced. The inventors have found that the problems of the number of rewritings and the recording sensitivity can be solved by selecting a protective layer material having a small refractive index as the protective layer on the light incident side, and arrived at the present invention.

【０００８】従って、本発明の目的は、記録層の層厚を
薄くしても光学特性が悪化せず、それにより記録に必要
なエネルギー量を少なくし、書換え回数が多く、しか
も、記録感度の高い相変化光記録媒体を提供することに
ある。Therefore, it is an object of the present invention that the optical characteristics are not deteriorated even if the thickness of the recording layer is reduced, whereby the amount of energy required for recording is reduced, the number of times of rewriting is increased, and the recording sensitivity is increased. It is to provide a high phase change optical recording medium.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、基
板上に相変化によって光学的性質が変化する記録層とこ
の記録層の少なくとも光入射側にその熱変形を防止する
保護層とを設け、光、熱等の手段によりこの記録層の光
学的性質を変化させて情報の記録・再生・消去を行う相
変化光記録媒体において、上記記録層の層厚を２０ｎｍ
より薄くすると共に、この記録層の光入射側に位置する
保護層を、基板材料の屈折率と同程度以下の屈折率を有
する保護層材料で形成した相変化光記録媒体である。ま
た、本発明の相変化光記録媒体は、上記光入射側の保護
層を形成する保護層材料の屈折率が１．７以下としたも
のである。更に、本発明の相変化光記録媒体は、上記光
入射側の保護層が、上記基板側から順に第１層、第２層
及び第３層の３層で構成されていると共に、この第１層
及び第３層の屈折率をｎ_p 、層厚をｄ_p 、第２層の屈折
率をｎ_q 、層厚をｄ_q 、使用する光の波長をλとすると
きの下記数１で示す式（１）〜（３）によって得られる
光入射側の保護層の等価屈折率Ｎが、基板の屈折率より
も小さくしたものである。また更に、本発明の相変化光
記録媒体は、上記光入射側の保護層が、上記基板側から
順に第１層及び第２層の２層で構成されると共に、この
第１層の屈折率をｎ_p 、層厚をｄ_p 、第２層の屈折率を
ｎ_q 、層厚をｄ_q 、使用する光の波長をλとするときの
下記数１で示す式（１）〜（３）によって得られる光入
射側の保護層の等価屈折率Ｎが、基板の屈折率よりも小
さく、かつ第２層の屈折率をｎ_p が基板の屈折理率とほ
ぼ等しくしたものである。更に、本発明の相変化光記録
媒体は、記録層の層厚を１５ｎｍ以下としたものであ
る。That is, according to the present invention, a recording layer whose optical properties are changed by a phase change is provided on a substrate, and a protective layer for preventing thermal deformation is provided on at least the light incident side of the recording layer. In a phase change optical recording medium for recording / reproducing / erasing information by changing the optical properties of the recording layer by means of light, heat, etc., the recording layer has a layer thickness of 20 nm.
The phase change optical recording medium is made thinner, and the protective layer located on the light incident side of the recording layer is formed of a protective layer material having a refractive index equal to or less than that of the substrate material. In the phase change optical recording medium of the present invention, the refractive index of the protective layer material forming the protective layer on the light incident side is 1.7 or less. Further, in the phase change optical recording medium of the present invention, the protective layer on the light incident side is composed of three layers of a first layer, a second layer and a third layer in order from the substrate side. The refractive index of the layer and the third layer is n _p , the layer thickness is d _p , the refractive index of the second layer is n _q , the layer thickness is d _q , and the wavelength of the light used is λ The equivalent refractive index N of the protective layer on the light incident side obtained by the expressions (1) to (3) is smaller than the refractive index of the substrate. Furthermore, in the phase change optical recording medium of the present invention, the protective layer on the light incident side is composed of two layers, a first layer and a second layer, in order from the substrate side, and the refractive index of the first layer is Where n _{p is} the layer thickness, d _{p is} the refractive index of the second layer, n _{q is} the layer thickness, d _{q is} the layer thickness, and λ is the wavelength of the light to be used. The equivalent refractive index N of the protective layer on the light incident side obtained by the above is smaller than the refractive index of the substrate, and the refractive index n _p of the second layer is substantially equal to the refractive index of the substrate. Furthermore, in the phase change optical recording medium of the present invention, the recording layer has a layer thickness of 15 nm or less.

【００１０】[0010]

【数１】 [Equation 1]

【００１１】本発明において、基板を形成する基板材料
としては、従来公知のものでよく特に限定されるもので
はないが、例えばガラス等の無機材料や、ポリカーボネ
ート、アクリル樹脂、ポリオレフィン類、ポリジクロロ
ペンタジエン、ポリイミド、エポキシ樹脂等の樹脂材料
を挙げることができる。これらの基板材料については、
通常その屈折率が１．４５〜１．６の範囲にある。この
基板の厚さは、変形が生じずかつゴミの悪影響を防止で
きる厚さであればよく、例えば１．２ｍｍである。In the present invention, the substrate material forming the substrate may be any conventionally known one and is not particularly limited. For example, inorganic materials such as glass, polycarbonate, acrylic resin, polyolefins, polydichloropentadiene. Examples thereof include resin materials such as polyimide, epoxy resin, and the like. For these substrate materials,
Usually, its refractive index is in the range of 1.45 to 1.6. The thickness of this substrate may be such that it does not deform and can prevent the adverse effects of dust, and is, for example, 1.2 mm.

【００１２】また、本発明において上記基板上に設けら
れる記録層を形成する記録材料としては、それが光、熱
等の手段により結晶質状態とアモルファス状態との間の
相変化を引起し、この相変化による光学的性質を利用し
て情報の記録・再生、又は記録・再生・消去を行うこと
ができるものであればよく、特に限定されるものではな
いが、具体的には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｏ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｐｄ、Ｇｅ−Ｔｅ等を挙げることができ、好ましくは
Ｇｅ−Ｓｂ−ＴｅやＩｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ等である。
この記録層の層厚は、通常２０ｎｍより薄く、好ましく
は１５ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以下である。
この記録層の層厚が２０ｎｍ以上に厚くなると、書換え
回数及び記録感度の改善という本発明の作用効果を顕著
にに達成することが難しくなる。なお、記録層の層厚が
５ｎｍ以下になると、均一な膜を作ることが難しくなる
ので、蒸着、スパッタリング等の作製法では５ｎｍ以上
であることが望ましい。In the present invention, as the recording material for forming the recording layer provided on the substrate, it causes a phase change between a crystalline state and an amorphous state by means of light, heat or the like, It is not particularly limited as long as it can record / reproduce information or record / reproduce / erase information by utilizing the optical property due to the phase change, and specifically, Ge-Sb -Te, In-Ge-S
b-Te, Ge-Sb-Te-Co, Ge-Sb-Te
-Pd, Ge-Te, etc. can be mentioned, and Ge-Sb-Te and In-Ge-Sb-Te are preferable.
The thickness of this recording layer is usually less than 20 nm, preferably 15 nm or less, more preferably 10 nm or less.
When the layer thickness of this recording layer becomes thicker than 20 nm, it becomes difficult to remarkably achieve the operational effects of the present invention of improving the number of times of rewriting and recording sensitivity. If the recording layer has a thickness of 5 nm or less, it is difficult to form a uniform film. Therefore, it is desirable that the thickness is 5 nm or more in the production methods such as vapor deposition and sputtering.

【００１３】更に、上記記録層の光入射側に設けられる
保護層を形成する保護層材料としては、その屈折率ｎが
記録層として使用する記録材料の屈折率と同等又はそれ
以下のものであり、熱膨張率が比較的小さくて記録層の
熱変形を防止できる保護層を形成し得るものであればよ
く、具体的には屈折率ｎ：１．７以下の下記のような材
料、すなわちＳｉＯ₂ （ｎ：１．４５) 、ＭｇＦ₂
（ｎ：１．３８) 、ＣａＦ₂ （ｎ：１．２５) 、Ａｌ₂
Ｏ₃ （ｎ：１．６２) 、ＣｅＦ₃ （ｎ：１．６３)、Ｎ
ｄＦ₃ （ｎ：１．６）、ＬａＦ₃ （ｎ：１．５９) 、Ｎ
ａＦ（ｎ：１．３４) 、ＮｉＦ（ｎ：１．３６) 、Ｎａ
₃ ＡｌＦ₆ （ｎ：１．３５)等を挙げることができ、こ
れらはそのいずれかを単独で使用できるほか、２種以上
の混合物として使用することもできる。なお、２種以上
を混合した場合、その混合物の屈折率ｎは個々の材料の
中間的な値として得られる。これらの保護層材料のう
ち、ＳｉＯ₂ は、その屈折率が１．４５と小さいだけで
なく、その熱膨張率（線熱膨張率）が０．５５×１０^-6
／°Ｃであって、従来より保護層材料として通常使用さ
れているＺｎＳ- ＳｉＯ₂ の熱膨張率（線熱膨張率）５
×１０^-6／°Ｃに比べて一桁程度小さい値であり、その
熱変形量が従来の保護層材料より小さい。従って、本発
明で使用する保護層材料としては、このＳｉＯ₂ あるい
はこのＳｉＯ₂ を主成分として含有するものが特に好ま
しい。この光入射側の保護層の層厚については、従来の
保護層と同様の厚さでよく、通常２０〜５００ｎｍ、好
ましくは５０〜２００ｎｍである。Further, as the protective layer material for forming the protective layer provided on the light incident side of the recording layer, the refractive index n thereof is equal to or lower than the refractive index of the recording material used as the recording layer. Any material can be used as long as it has a relatively small coefficient of thermal expansion and can form a protective layer capable of preventing thermal deformation of the recording layer, and specifically, the following materials having a refractive index n: 1.7 or less, that is, SiO. ₂ (n: 1.45), MgF ₂
(N: 1.38), CaF ₂ (n: 1.25), Al ₂
O ₃ (n: 1.62), CeF ₃ (n: 1.63), N
dF ₃ (n: 1.6), LaF ₃ (n: 1.59), N
aF (n: 1.34), NiF (n: 1.36), Na
₃ AlF ₆ (n: 1.35) and the like can be mentioned, and any of them can be used alone, or can be used as a mixture of two or more kinds. When two or more kinds are mixed, the refractive index n of the mixture is obtained as an intermediate value of each material. Among these protective layer materials, SiO ₂ not only has a small refractive index of 1.45 but also has a thermal expansion coefficient (linear thermal expansion coefficient) of 0.55 × 10 ^−6.
/ ° C, and the thermal expansion coefficient (linear thermal expansion coefficient) of ZnS-SiO ₂ which has been conventionally used as a protective layer material is 5
This is a value that is smaller than that of × 10 ^-6 / ° C by about one digit, and the amount of thermal deformation thereof is smaller than that of the conventional protective layer material. Therefore, as the protective layer material used in the present invention, the SiO ₂ or the material containing the SiO ₂ as a main component is particularly preferable. The thickness of the protective layer on the light incident side may be the same as that of the conventional protective layer, and is usually 20 to 500 nm, preferably 50 to 200 nm.

【００１４】また、上記光入射側の設ける保護層２は、
図１に示すような１層構造とする他、図２に示すような
３層構造、あるいは図３に示すような２層構造とする。
光入射側の保護層を３層構造とする場合、その保護層
は、基板１側から順に第１層、第２層及び第３層の３層
で構成されると共に、第１層及び第３層の屈折率を
ｎ_p 、層厚をｄ_p 、第２層の屈折率をｎ_q 、層厚をｄ_q
で構成されるので、「日本学術振興会編、薄膜ハンドブ
ック、オーム社、１９８３」等の文献に示されるよう
に、前記した数１で示す式（１）〜（３）から得られ
る、屈折率Ｎの保護層が１層存在する状態と光学的に等
価である。そして、光入射側の保護層を２層構造とする
場合、その保護層自体は２層からなるが、基板上第２層
の屈折率ｎ_p が基板の屈折率とほぼ等しいことから、疑
似的に上述した３層が存在するように、光学的に作用す
る。The protective layer 2 provided on the light incident side is
In addition to the one-layer structure shown in FIG. 1, a three-layer structure shown in FIG. 2 or a two-layer structure shown in FIG.
When the protective layer on the light incident side has a three-layer structure, the protective layer is composed of three layers of a first layer, a second layer, and a third layer in this order from the substrate 1 side, and at the same time, the first layer and the third layer. The refractive index of the layer is n _p , the layer thickness is d _p , the refractive index of the second layer is n _q , and the layer thickness is d _q.
Therefore, as shown in documents such as “Japan Society for the Promotion of Science, Thin Film Handbook, Ohmsha Co., Ltd., 1983”, the refractive index obtained from the formulas (1) to (3) shown in the above-mentioned Equation 1 is obtained. It is optically equivalent to a state in which one N protective layer exists. When the protective layer on the light incident side has a two-layer structure, the protective layer itself is composed of two layers, but since the refractive index n _p of the second layer on the substrate is substantially equal to the refractive index of the substrate, it is pseudo. As described above, the above three layers are present so that they act optically.

【００１５】光入射側に設ける保護層を上記したように
２層あるいは３層構造とする場合、その複層構成の保護
層における等価屈折率Ｎは、小さいほど記録層を薄くす
ることが可能であり本発明による記録回数増加の効果が
顕著となるが、好ましくは基板材料の屈折率（１．５程
度）より小さく、より好ましくは１．２程度以下であ
る。When the protective layer provided on the light incident side has a two-layer or three-layer structure as described above, the smaller the equivalent refractive index N of the protective layer having the multilayer structure, the thinner the recording layer can be made. The effect of increasing the number of recordings according to the present invention becomes remarkable, but it is preferably smaller than the refractive index (about 1.5) of the substrate material, and more preferably about 1.2 or less.

【００１６】また、２層構造の保護層とした場合、その
第２層めの保護層の屈折率ｎ_p は基板の屈折率とほぼ等
しいことが必要であるが、具体的には、両者の屈折率差
が概ね０．３以下であることが好ましく、より好ましく
は０．１以下である。When a protective layer having a two-layer structure is used, the refractive index n _p of the second protective layer needs to be substantially equal to the refractive index of the substrate. The difference in refractive index is preferably 0.3 or less, and more preferably 0.1 or less.

【００１７】複層構造からなる光入射側の保護層を形成
する材料としては、前記のＳｉＯ₂、ＺｎＳ- ＳｉＯ₂
等を使用できるほか、ＺｎＳ、ＳｉＣ、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 、Ｓ
ｎ０₂ 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ 、Ｔｉ
Ｏ、ＴｉＯ₂ 、ＴｉＮ、ＴｉＣ、ＺｒＯ₂ 等の誘導体材
料、あるいはこれら材料を主成分とする材料を適宜選択
して使用することができる。As the material for forming the light-incident-side protective layer having a multi-layer structure, the above-mentioned SiO ₂ and ZnS-SiO _{2 are used.}
In addition to ZnS, SiC, In ₂ O ₃ , S
n0 ₂ , Si ₃ N ₄ , Al ₂ O ₃ , Ta ₂ O ₅ , Ti
Derivative materials such as O, TiO ₂ , TiN, TiC, and ZrO ₂ or materials containing these materials as main components can be appropriately selected and used.

【００１８】なお、上記記録層の光透過側には、光入射
側と同様に保護層を設けてもよく、また、この光透過側
保護層の上にその機能を強化する目的で紫外線硬化樹脂
層や保護板等を設けてもよい。この光透過側保護層を形
成する保護層材料としては、上記光入射側保護層を形成
する保護層材料のほか、従来より保護層材料として使用
されているＺｎＳ−ＳｉＯ₂ 、ＺｎＳ、ＡｌＮ等の公知
の保護層材料を使用することができる。また、紫外線硬
化樹脂層としてはアクリレート系等の材料を挙げること
ができ、更に、保護板としては基板材料と同様にガラス
等の無機材料や、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポ
リオレフィン類、ポリジクロロペンタジエン、ポリイミ
ド、エポキシ樹脂等の樹脂材料を挙げることができる。
更に、記録層の冷却速度を大きくする目的で、あるい
は、記録層を透過したレーザビームを反射させてその光
吸収率を高める目的で、上記光透過側保護層の上に反射
層を設けてもよく、この反射層を形成する反射層材料と
しては、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の従来公
知の種々の金属を挙げることができる。A protective layer may be provided on the light transmitting side of the recording layer, similarly to the light incident side, and an ultraviolet curable resin may be provided on the light transmitting side protective layer for the purpose of strengthening its function. You may provide a layer, a protective plate, etc. As the protective layer material for forming the light transmitting side protective layer, in addition to the protective layer material for forming the light incident side protective layer, ZnS—SiO ₂ , ZnS, AlN or the like which has been conventionally used as a protective layer material. Known protective layer materials can be used. Further, examples of the ultraviolet curable resin layer include acrylate-based materials, and further, as the protective plate, an inorganic material such as glass, polycarbonate, acrylic resin, polyolefins, polydichloropentadiene, polyimide similar to the substrate material. Examples thereof include resin materials such as epoxy resin.
Further, a reflective layer may be provided on the light transmitting side protective layer for the purpose of increasing the cooling rate of the recording layer or for the purpose of reflecting the laser beam transmitted through the recording layer and increasing the light absorption rate thereof. Of course, as the reflective layer material forming this reflective layer, various conventionally known metals such as Al, Al alloys, Au, Ag and Cu can be cited.

【００１９】また、本発明の相変化光記録媒体における
記録層や光入射側の保護層の製造法については、特に限
定されるものではなく、従来公知の種々の方法、例えば
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、分子線エピタクシー法（ＭＢＥ）、化学蒸着法（Ｃ
ＶＤ）等の方法を採用することができる。The method for producing the recording layer and the protective layer on the light incident side in the phase change optical recording medium of the present invention is not particularly limited, and various conventionally known methods such as vacuum vapor deposition method and sputtering can be used. Method, ion plating method, molecular beam epitaxy method (MBE), chemical vapor deposition method (C
A method such as VD) can be adopted.

【００２０】[0020]

【作用】本発明によれば、光入射側の保護層の屈折率が
基板の屈折率と同程度以下であり、記録層の層厚を薄く
しても従来と同程度の良好な光学的特性を得ることがで
き、従ってこの記録層を従来より薄く形成することがで
き、その結果、記録層の熱容量が低下し、記録に必要な
エネルギー量が低下して、書込み回数や記録感度を改善
できる。また、この光入射側保護層の保護層材料として
ＳｉＯ₂ を主成分とする材料を選択することにより、こ
の光入射側保護層の熱膨張率を格段に小さくすることが
でき、これによって記録層の熱変形を防止するという物
理的機能も向上する。According to the present invention, the refractive index of the protective layer on the light incident side is about the same as or lower than the refractive index of the substrate, and even if the layer thickness of the recording layer is reduced, the optical characteristics are as good as those of the conventional one. Therefore, the recording layer can be formed thinner than before, and as a result, the heat capacity of the recording layer is reduced, the amount of energy required for recording is reduced, and the number of writings and recording sensitivity can be improved. .. Further, by selecting a material containing SiO ₂ as a main component as the protective layer material of the light-incident-side protective layer, the coefficient of thermal expansion of the light-incident-side protective layer can be remarkably reduced, whereby the recording layer The physical function of preventing thermal deformation of is also improved.

【００２１】なお、光入射側保護層の屈折率が基板の屈
折率と同程度以下であれば、記録層の層厚を薄くしても
従来と同程度の良好な光学的特性を得ることができる理
由は次のように説明される。ここで、上記の保護層は単
層構造、複層構造のいずれの構成のものであっても同様
の理由が成り立つ。すなわち、図４〜図６において、従
来は主に光入射側保護層２の上下の界面における反射を
利用して干渉効果を大きくしていた（図４）。ここで、
記録層３を薄くすると、記録層３を透過する光が多くな
るため干渉効果が小さくなって光学的特性が悪化する
（図５）。しかし、記録層３を薄くしても、同時に、光
入射側保護層２と光透過側保護層４との界面における反
射、及び、記録層３と反射層５との界面における反射に
基づく干渉を大きくできれば、従来と同様の良好な光学
的特性を得ることが可能である。このうち、光透過側保
護層４と反射層５との界面における反射は、記録層３を
薄くして記録層３を透過する光が増えることにより自動
的に大きくなる。一方、光入射側保護層２と記録層３と
の界面における反射を大きくするには、光入射側保護層
２の屈折率を小さくして記録層３との屈折率差を大きく
すればよい。光入射側保護層２の屈折率が基板１の屈折
率と同程度以下まで小さくなれば、その効果は顕著であ
り、記録層３を薄くしても、従来と同程度の良好な光学
的特性を得ることができる（図６）。If the refractive index of the light-incident-side protective layer is equal to or lower than the refractive index of the substrate, good optical characteristics comparable to conventional ones can be obtained even if the recording layer is thin. The reason for this can be explained as follows. Here, the same reason is established whether the protective layer has a single-layer structure or a multi-layer structure. That is, in FIGS. 4 to 6, conventionally, the interference effect has been increased mainly by utilizing the reflection at the upper and lower interfaces of the light incident side protective layer 2 (FIG. 4). here,
When the recording layer 3 is made thin, the amount of light that passes through the recording layer 3 increases, so that the interference effect decreases and the optical characteristics deteriorate (FIG. 5). However, even if the recording layer 3 is made thin, at the same time, interference due to reflection at the interface between the light incident side protective layer 2 and the light transmitting side protective layer 4 and reflection at the interface between the recording layer 3 and the reflective layer 5 is caused. If it can be increased, it is possible to obtain the same good optical characteristics as the conventional one. Of these, the reflection at the interface between the light transmission side protective layer 4 and the reflection layer 5 automatically increases as the recording layer 3 is thinned and the amount of light transmitted through the recording layer 3 increases. On the other hand, in order to increase the reflection at the interface between the light incident side protective layer 2 and the recording layer 3, the refractive index of the light incident side protective layer 2 may be decreased to increase the difference in the refractive index from the recording layer 3. The effect is remarkable when the refractive index of the light incident side protective layer 2 is reduced to the same level or less as the refractive index of the substrate 1, and even if the recording layer 3 is made thin, good optical characteristics comparable to the conventional one are obtained. Can be obtained (FIG. 6).

【００２２】[0022]

【実施例】以下、実施例及び比較例に基づいて、本発明
を具体的に説明する。EXAMPLES The present invention will be specifically described below based on Examples and Comparative Examples.

【００２３】実施例１ 図１に示すように、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート
（屈折率ｎ：１．５８）製の基板１の上に、スパッタリ
ング法により、層厚１６０ｎｍのＳｉＯ₂ （屈折率ｎ：
１．４５）製の光入射側保護層２と、層厚１３ｎｍのＧ
ｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ 製の記録層３とを順次積層し、次いで
その上に層厚３０ｎｍのＡｌＮ製の光透過側保護層４と
層厚１００ｎｍのＡｌ−Ｔｉ合金製の反射層５を順次積
層し、更にその上にポリカーボネート製の表面保護板６
を紫外線硬化樹脂で接着し、実施例１の光記録媒体を作
製した。Example 1 As shown in FIG. 1, on a substrate 1 made of polycarbonate (refractive index n: 1.58) having a thickness of 1.2 mm, a SiO ₂ layer (refractive index having a refractive index of 160 nm) having a layer thickness of 160 nm was formed by a sputtering method. n:
1.45) light incident side protective layer 2 and G having a layer thickness of 13 nm
A recording layer 3 made of e ₂ Sb ₂ Te ₅ is sequentially laminated, and then a light transmission side protective layer 4 made of AlN having a layer thickness of 30 nm and a reflective layer 5 made of an Al—Ti alloy having a layer thickness of 100 nm are sequentially formed thereon. Layered, and then a polycarbonate surface protection plate 6
Was bonded with an ultraviolet curable resin to prepare an optical recording medium of Example 1.

【００２４】次に、この光記録媒体について、ａｓ−ｄ
ｅｐｏ状態（アモルファス相）の反射率Ｒ_A と結晶化後
（結晶相）の反射率Ｒ_X とを分光光度計により測定し、
これらの測定値から反射率差（Ｒ_X −Ｒ_A ）及び平均反
射率〔（Ｒ_X ＋Ｒ_A ）／２〕を求めた。結果を表１に示
す。Next, regarding this optical recording medium, as-d
The reflectance R _{A in the} epo state (amorphous phase) and the reflectance R _X after crystallization (crystal phase) were measured by a spectrophotometer,
Reflectance difference from these measurements (R _X -R _A) and the average reflectance _{[(R X + R A) /} 2 ] was determined. The results are shown in Table 1.

【００２５】実施例２ 実施例１における光入射側保護層２に代えて層厚１６０
ｎｍの（ＳｉＯ₂)₈₀（ＺｎＳ）₂₀〔屈折率ｎ：１．６〕
製の保護層２を形成した以外は、実施例１と同一の構成
からなる光記録媒体を作製し、実施例１と同様の測定を
行った。Example 2 Instead of the light incident side protective layer 2 in Example 1, a layer thickness of 160
nm (SiO ₂ ) ₈₀ (ZnS) ₂₀ [refractive index n: 1.6]
An optical recording medium having the same configuration as that of Example 1 was prepared except that the protective layer 2 made of was formed, and the same measurement as that of Example 1 was performed.

【００２６】実施例３ 実施例１における光入射側保護層２に代えて層厚１６０
ｎｍのＣａＦ₂ （屈折率ｎ：１．２５）製の保護層２を
形成し、同じく記録層３の厚さを１０ｎｍとし、光透過
側保護層４０ｎｍとした以外は、実施例１と同一の構成
からなる光記録媒体を作製し、実施例１と同様の測定を
行った。Example 3 Instead of the light incident side protective layer 2 in Example 1, a layer thickness of 160
The same as Example 1 except that the protective layer 2 made of CaF ₂ (refractive index n: 1.25) of 10 nm was formed, the thickness of the recording layer 3 was 10 nm, and the protective layer on the light transmitting side was 40 nm. An optical recording medium having the constitution was produced and the same measurement as in Example 1 was performed.

【００２７】実施例４ 実施例３における光入射側保護層２に代えて層厚１６０
ｎｍの（ＳｉＯ₂)₈₀（ＺｎＳ）₂₀〔屈折率ｎ：１．４〕
製の保護層２を形成した以外は、実施例３と同一の構成
からなる光記録媒体を作製し、実施例１と同様の測定を
行った。Example 4 Instead of the light incident side protective layer 2 in Example 3, a layer thickness of 160
nm (SiO ₂ ) ₈₀ (ZnS) ₂₀ [refractive index n: 1.4]
An optical recording medium having the same configuration as that of Example 3 was prepared except that the protective layer 2 made of was formed, and the same measurement as that of Example 1 was performed.

【００２８】実施例５ 図２に示すように基板１の上に、層厚ｄ_p ＝１３０ｎｍ
のＳｉＯ₂ 製の第１層（屈折率ｎ_p ：１．４５）と、層
厚ｄ_q ＝１４０ｎｍのＡｌＮ製の第２層（屈折率ｎ_q ：
１．９）と、層厚ｄ_p ＝１３０ｎｍのＳｉＯ₂ 製の第３
層（屈折率ｎ_p：１．４５）との３層からなる光入射保
護層２を設け、記録層３の厚さを１０ｎｍとし、光透過
側保護層４として厚さを４５ｎｍのＳｉＯ₂ 層を形成し
た以外は、実施例１と同一の構成からなる光記録媒体を
作製し、実施例１と同様の測定を行った。ここで、光の
波長λを８３０ｎｍとして数式１〜３から等価屈折率Ｎ
を算出すると、等価屈折率Ｎが約１．１となり、本実施
例の媒体では屈折率約１．１の光入射側保護層２が形成
されているのと光学的に等価になる。Example 5 As shown in FIG. 2, a layer thickness d _p = 130 nm is formed on a substrate 1.
SiO ₂ first layer (refractive index n _p : 1.45) and AlN second layer with a layer thickness d _q = 140 nm (refractive index n _q :
1.9) and a third SiO ₂ layer with a layer thickness d _p = 130 nm.
A light incident protective layer 2 composed of three layers (refractive index n _p : 1.45) is provided, the thickness of the recording layer 3 is 10 nm, and the light transmitting side protective layer 4 is a SiO ₂ layer having a thickness of 45 nm. An optical recording medium having the same configuration as that of Example 1 except for forming was prepared, and the same measurement as that of Example 1 was performed. Here, assuming that the wavelength λ of light is 830 nm, the equivalent refractive index N
Then, the equivalent refractive index N becomes about 1.1, which is optically equivalent to the formation of the light incident side protective layer 2 having a refractive index of about 1.1 in the medium of the present embodiment.

【００２９】実施例６ 図３に示すように基板１の上に、層厚ｄ_p ＝１４０ｎｍ
のＡｌＮ製の第１層（屈折率ｎ_p ：１．９）と、層厚ｄ
_q ＝１３０ｎｍのＳｉＯ₂ 製の第２層（屈折率ｎ_q ：
１．４５）との２層からなる光入射保護層２を設けた以
外は、実施例５と同一の構成からなる光記録媒体を作製
し、実施例１と同様の測定を行った。ここで、光の波長
λを８３０ｎｍとして数式１〜３から等価屈折率Ｎを算
出すると、その値は約１．１となる。本来、等価屈折率
は３層構成のものに対して計算されるものであるが、本
実施例の媒体では屈折率約１．１の光入射側保護層２が
形成されているのと光学的に等価になる。Example 6 As shown in FIG. 3, a layer thickness d _p = 140 nm is formed on a substrate 1.
AlN first layer (refractive index n _p : 1.9) and layer thickness d
The second layer made of SiO ₂ with _q = 130 nm (refractive index n _q :
An optical recording medium having the same structure as in Example 5 was prepared except that the light incident protective layer 2 consisting of two layers (1.45) was provided, and the same measurement as in Example 1 was performed. Here, when the equivalent refractive index N is calculated from Formulas 1 to 3 with the wavelength λ of light being 830 nm, the value is about 1.1. Originally, the equivalent refractive index is calculated for a three-layered structure, but it is optical that the light incident side protective layer 2 having a refractive index of about 1.1 is formed in the medium of this embodiment. Is equivalent to

【００３０】比較例１ 実施例１における光入射側保護層２に代えて層厚１６０
ｎｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＺｎＳ）₂₀〔屈折率ｎ：２．０〕
製の保護層２を形成した以外は、実施例１と同一の構成
からなる光記録媒体を作製し、実施例１と同様の測定を
行った。Comparative Example 1 Instead of the light incident side protective layer 2 in Example 1, a layer thickness 160
nm (ZnS) ₈₀ (ZnS) ₂₀ [refractive index n: 2.0]
An optical recording medium having the same configuration as that of Example 1 was prepared except that the protective layer 2 made of was formed, and the same measurement as that of Example 1 was performed.

【００３１】比較例２ 実施例１における光入射側保護層２に代えて比較例１と
同じく層厚１６０ｎｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＺｎＳ）₂₀〔屈
折率ｎ：２．０〕製の保護層２を形成し、また記録層３
の厚さを１０ｎｍとした以外は、実施例１と同一の構成
からなる光記録媒体を作製し、実施例１と同様の測定を
行った。Comparative Example 2 Instead of the light incident side protective layer 2 in Example 1, a protective layer 2 made of (ZnS) ₈₀ (ZnS) ₂₀ [refractive index n: 2.0] having a layer thickness of 160 nm is used as in Comparative Example 1. Forming the recording layer 3
An optical recording medium having the same configuration as that of Example 1 was prepared except that the thickness was set to 10 nm, and the same measurement as that of Example 1 was performed.

【００３２】[0032]

【表１】 [Table 1]

【００３３】表１の結果から明らかなように、実施例１
〜６の媒体は何れも反射率差、平均反射率が共に、比較
例のものより大きな値が得られ、記録層の厚さが１３ｎ
ｍ又は１０ｎｍの如く薄いものでありながら、光学特性
が損なわれることなく大きく改善されることが認められ
る。As is clear from the results in Table 1, Example 1
In each of the media of Nos. 6 to 6, both the difference in reflectance and the average reflectance were larger than those in the comparative example, and the thickness of the recording layer was 13 n.
It is recognized that the thickness is as thin as m or 10 nm, but the optical characteristics are greatly improved without impairing the optical characteristics.

【００３４】また、実施例１〜６において、その光入射
側保護層２の屈折率（等価屈折率Ｎの場合も含む）と記
録層３の最適層厚（ｎｍ）との関係は、概ね図７に示す
ようになることがわかった。すなわち、同図の結果から
わかるように、光入射側保護層２の屈折率を低下させる
ことによって、光学特性が損なわれない良好な記録層の
層厚を薄くできることがわかる。また、特に屈折率が
１．７以下であれば、記録層の厚さを１５ｎｍ以下にで
きることがわかる。In Examples 1 to 6, the relationship between the refractive index (including the equivalent refractive index N) of the light incident side protective layer 2 and the optimum layer thickness (nm) of the recording layer 3 is roughly as shown in FIG. It turned out that it becomes as shown in 7. That is, as can be seen from the results in the figure, by lowering the refractive index of the light-incident-side protective layer 2, it is possible to reduce the thickness of a good recording layer that does not impair the optical characteristics. Further, it can be seen that the thickness of the recording layer can be set to 15 nm or less especially when the refractive index is 1.7 or less.

【００３５】[0035]

【発明の効果】本発明の相変化光記録媒体によれば、記
録層を２０ｎｍより薄いものとしても、結晶相−アモル
ファス相の間の反射率差が大きいため再生誤りが少な
く、また、平均反射率が大きいため安定したサーボ動作
が得られる。また、本発明のよれば、記録層を薄くする
ことができるため、情報記録時に必要なエネルギー量を
少なくすることができ、その結果、書換え回数が多く、
しかも、記録感度の高い相変化光記録媒体を提供するこ
とができる。According to the phase-change optical recording medium of the present invention, even if the recording layer is thinner than 20 nm, the difference in reflectance between the crystal phase and the amorphous phase is large, so that the reproduction error is small and the average reflection is small. Since the ratio is large, stable servo operation can be obtained. Further, according to the present invention, since the recording layer can be thinned, the amount of energy required for recording information can be reduced, and as a result, the number of rewrites is large,
Moreover, it is possible to provide a phase change optical recording medium having high recording sensitivity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】 本発明の実施例１に係る相変化光記録媒体の
層構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a layer structure of a phase change optical recording medium according to Example 1 of the invention.

【図２】 本発明の実施例５に係る相変化光記録媒体の
層構成を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a layer structure of a phase change optical recording medium according to Example 5 of the invention.

【図３】 本発明の実施例６に係る相変化光記録媒体の
層構成を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the layer structure of a phase change optical recording medium according to Example 6 of the invention.

【図４】 従来の光記録媒体の光学的作用を説明するた
めの模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram for explaining an optical action of a conventional optical recording medium.

【図５】 従来の光記録媒体の記録層を薄くした場合の
光学的作用を説明するための模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram for explaining an optical action when a recording layer of a conventional optical recording medium is thinned.

【図６】 本発明の光学的作用を説明するための模式図
である。FIG. 6 is a schematic diagram for explaining an optical action of the present invention.

【図７】 光入射側の保護層材料の屈折率−記録層の層
厚の関係を示すグラフ図である。FIG. 7 is a graph showing the relationship between the refractive index of the protective layer material on the light incident side and the layer thickness of the recording layer.

【図８】 従来の相変化記録媒体の記録層と反射率の関
係を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a relationship between a recording layer and a reflectance of a conventional phase change recording medium.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…基板、２…光入射側保護層、３…記録層、４…光透
過側保護層、５…反射層、６…保護板、７…紫外線硬化
樹脂。1 ... Substrate, 2 ... Light incident side protective layer, 3 ... Recording layer, 4 ... Light transmitting side protective layer, 5 ... Reflective layer, 6 ... Protective plate, 7 ... UV curable resin.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板上に相変化によって光学的性質が変
化する記録層とこの記録層の少なくとも光入射側にその
熱変形を防止する保護層とを設け、光、熱等の手段によ
りこの記録層の光学的性質を変化させて情報の記録・再
生・消去を行う相変化光記録媒体において、上記記録層
の層厚を２０ｎｍより薄くすると共に、この記録層の光
入射側に位置する保護層を、基板材料の屈折率と同程度
以下の屈折率を有する保護層材料で形成したことを特徴
とする相変化光記録媒体。1. A recording layer, whose optical properties are changed by a phase change, is provided on a substrate, and a protective layer for preventing its thermal deformation is provided on at least the light incident side of this recording layer, and this recording is performed by means of light, heat or the like. In a phase-change optical recording medium for recording / reproducing / erasing information by changing the optical property of the layer, the layer thickness of the recording layer is made thinner than 20 nm, and a protective layer positioned on the light incident side of the recording layer. Is formed of a protective layer material having a refractive index equal to or less than that of the substrate material, a phase change optical recording medium. 【請求項２】 上記光入射側の保護層を形成する保護層
材料の屈折率が１．７以下である請求項１記載の相変化
光記録媒体。2. The phase change optical recording medium according to claim 1, wherein the protective layer material forming the protective layer on the light incident side has a refractive index of 1.7 or less. 【請求項３】 上記光入射側の保護層が、上記基板側か
ら順に第１層、第２層及び第３層の３層で構成されてい
ると共に、この第１層及び第３層の屈折率をｎ_p 、層厚
をｄ_p 、第２層の屈折率をｎ_q 、層厚をｄ_q 、使用する
光の波長をλとするときの下記数１で示す式（１）〜
（３）によって得られる光入射側の保護層の等価屈折率
Ｎが、基板の屈折率よりも小さい請求項１記載の相変化
記録媒体。 【数１】 3. The light incident side protective layer is composed of three layers of a first layer, a second layer and a third layer in order from the substrate side, and refraction of the first layer and the third layer. Where n _{p is} the refractive index, d _{p is} the layer thickness, n _{q is} the refractive index of the second layer, d _{q is} the layer thickness, and λ is the wavelength of the light to be used.
The phase change recording medium according to claim 1, wherein the equivalent refractive index N of the light incident side protective layer obtained by (3) is smaller than the refractive index of the substrate. [Equation 1] 【請求項４】 上記光入射側の保護層が、上記基板側か
ら順に第１層及び第２層の２層で構成されると共に、こ
の第１層の屈折率をｎ_p 、層厚をｄ_p 、第２層の屈折率
をｎ_q 、層厚をｄ_q 、使用する光の波長をλとするとき
の下記数１で示す式（１）〜（３）によって得られる光
入射側の保護層の等価屈折率Ｎが、基板の屈折率よりも
小さく、かつ第２層の屈折率をｎ_p が基板の屈折理率と
ほぼ等しい請求項１記載の相変化記録媒体。 【数１】 4. The light incident side protective layer is composed of two layers, a first layer and a second layer, in order from the substrate side, and the first layer has a refractive index of n _p and a layer thickness of d. _p , the refractive index of the second layer is n _q , the layer thickness is d _q , and the wavelength of the light used is λ, the protection of the light incident side obtained by the following formulas (1) to (3) The phase change recording medium according to claim 1, wherein the equivalent refractive index N of the layer is smaller than the refractive index of the substrate, and the refractive index n _p of the second layer is substantially equal to the refractive index of the substrate. [Equation 1] 【請求項５】 記録層の層厚が１５ｎｍ以下である請求
項１〜４のいずれかに記載の相変化光記録媒体。5. The phase change optical recording medium according to claim 1, wherein the recording layer has a layer thickness of 15 nm or less.