JPH0566415A - Active matrix type liquid crystal display device - Google Patents
Active matrix type liquid crystal display deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、スイッチ素子として
薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略称）を用いたアク
ティブマトリクス型液晶表示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device using a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) as a switch element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般にアクティブマトリクス型液晶表示
装置は、画素毎に設けられたスイッチ素子によって、表
示素子アレイに画像信号を選択的に印加し、液晶を準ス
タティック的に駆動することにより、高精細・高コント
ラスト・高応答速度でクロストークの無い鮮明な画像を
得ようとするものである。2. Description of the Related Art Generally, an active matrix type liquid crystal display device has a high definition by applying image signals selectively to a display element array by a switch element provided for each pixel and driving the liquid crystal quasi-statically.・ It aims to obtain a clear image with high contrast and high response speed and no crosstalk.
【０００３】ところで、図５はスイッチ素子としてＴＦ
Ｔを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の駆動
原理を説明するための等価回路図であり、走査線１と信
号線２との各交点には、ＴＦＴ３を介して液晶４と画素
容量５が接続されている。そして、走査回路６は走査線
１に順次ゲートパルスを印加し、それに同期して信号ホ
ールド回路７は走査線１の１ライン分の画像信号を信号
線２に出力する。ＴＦＴ３は所定の走査線１にゲートパ
ルスが印加されている間で導通状態となり、その時の所
定の信号線２に出力されている画像信号に応じて、画素
容量５に電荷が蓄積され、液晶４が駆動される。更に、
ゲートパルスが次の走査線１に移ると、ＴＦＴ３は非導
通状態になり、蓄積された電荷は次に走査を受けるまで
保持される結果、液晶４の表示状態が維持される。By the way, FIG. 5 shows a TF as a switching element.
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram for explaining a driving principle of an active matrix type liquid crystal display device using T, in which a liquid crystal 4 and a pixel capacitance 5 are provided via a TFT 3 at each intersection of a scanning line 1 and a signal line 2. It is connected. Then, the scanning circuit 6 sequentially applies the gate pulse to the scanning line 1, and the signal holding circuit 7 outputs the image signal for one line of the scanning line 1 to the signal line 2 in synchronization with the gate pulse. The TFT 3 becomes conductive while the gate pulse is applied to the predetermined scanning line 1, and charges are accumulated in the pixel capacitor 5 in accordance with the image signal output to the predetermined signal line 2 at that time, and the liquid crystal 4 is driven. Furthermore,
When the gate pulse is transferred to the next scanning line 1, the TFT 3 becomes non-conductive, and the accumulated charges are held until the next scanning, so that the display state of the liquid crystal 4 is maintained.
【０００４】近年、フラットディスプレイの発展により
ディスプレイ搭載機器の小形化が急速に進展してきた
が、カラー化や更なる高精細化の要求から、アクティブ
マトリクス型液晶表示装置への期待が高まっている。
又、家庭用テレビ受像機やビデオモニターとしては、大
画面化の要求から同液晶表示装置を使用した投射型とし
て期待されている。In recent years, with the development of flat displays, miniaturization of display-equipped devices has been rapidly progressing. However, the demand for active matrix type liquid crystal display devices is increasing due to the demand for colorization and higher definition.
Further, as a home television receiver and a video monitor, a projection type using the same liquid crystal display device is expected from the demand for a large screen.
【０００５】しかしながら、アクティブマトリクス型液
晶表示装置は、その製造過程で薄膜の成長とフォトリソ
グラフィーによる微細加工を要するため、大面積にわた
って無欠陥で製造することは困難とされている。そこ
で、アクティブマトリクス型液晶表示装置の直視型に対
応した大型化，高精細化，又は投射型に対応した小型
化，超高精細化するアクティブマトリクス型液晶表示素
子の量産のためには、生じた欠陥を後工程で補修する技
術の開発が必須であり、様々な提案がなされている。そ
の代表的な例として、レーザーを用いた画素補修法があ
る。However, since the active matrix type liquid crystal display device requires growth of a thin film and fine processing by photolithography in its manufacturing process, it is difficult to manufacture it without defects over a large area. Therefore, this has occurred for mass production of an active matrix type liquid crystal display device which is large in size corresponding to a direct view type of an active matrix type liquid crystal display device and has high definition, or miniaturization corresponding to a projection type and ultra high definition. It is essential to develop a technology for repairing defects in a later process, and various proposals have been made. A typical example is a pixel repair method using a laser.
【０００６】図６および図７はレーザー補修を考慮した
アクティブマトリクス型液晶表示装置の１画素分の一例
を示す概略図であり、図６は液晶表示装置のアレイ基板
の平面図、図７は図６のＣ−Ｃ′線に沿って切断し矢印
方向に見た液晶表示装置の断面図である。6 and 7 are schematic views showing an example of one pixel of an active matrix type liquid crystal display device in consideration of laser repair. FIG. 6 is a plan view of an array substrate of the liquid crystal display device, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device taken along line CC ′ of FIG. 6 and viewed in the direction of the arrow.
【０００７】同図に示すように、画素の各構成要素はガ
ラス基板１０上に形成されている。その一部が補助容量
電極を兼ねる表示電極１１は、信号線２の長手方向に沿
って分割されており、その個々にＴＦＴ３が設けられて
いる。ＴＦＴ３は走査線１と一体のゲート電極１２，ゲ
ート絶縁膜１３，信号線２と一体のドレイン電極１４，
表示電極１１に接着されたソース電極１５，および半導
体層１６から構成されている。そして、２つの表示電極
１１の間には、ゲート絶縁膜１３を介して両方の表示電
極１１と重複するように導電体１７が形成されている。
又、走査線１と概略平行な方向には、補助容量線１８が
表示電極１１と部分的にゲート絶縁膜１３を介して対向
するように形成されており、表示電極１１と補助容量線
１８の重なり部分で負荷的な補助容量が得られる。As shown in the figure, each constituent element of the pixel is formed on a glass substrate 10. The display electrode 11, a part of which also serves as the auxiliary capacitance electrode, is divided along the longitudinal direction of the signal line 2, and the TFT 3 is provided for each of the divided portions. The TFT 3 includes a gate electrode 12 integrated with the scanning line 1, a gate insulating film 13, a drain electrode 14 integrated with the signal line 2,
It comprises a source electrode 15 adhered to the display electrode 11 and a semiconductor layer 16. Then, a conductor 17 is formed between the two display electrodes 11 via the gate insulating film 13 so as to overlap both display electrodes 11.
Further, an auxiliary capacitance line 18 is formed in a direction substantially parallel to the scanning line 1 so as to partially face the display electrode 11 with the gate insulating film 13 interposed therebetween. A load-like auxiliary capacity can be obtained at the overlapping portion.
【０００８】この補助容量は、図５における画素容量５
を増加させ、保持期間でのＴＦＴ３の漏れ電流、および
表示電極１１と他の電極との間の結合容量による表示電
極電位の変動を緩和する重要な働きを有している。This auxiliary capacitance corresponds to the pixel capacitance 5 in FIG.
Has an important function of alleviating the leakage current of the TFT 3 during the holding period and the fluctuation of the display electrode potential due to the coupling capacitance between the display electrode 11 and other electrodes.
【０００９】一方、図７から明らかなように、ガラス基
板１９上には共通電極２０が形成されており、液晶４を
介してガラス基板１０と対向している。そして、表示電
極１１と共通電極２０の間の電界により、所定の表示が
なされる。On the other hand, as is apparent from FIG. 7, a common electrode 20 is formed on the glass substrate 19 and faces the glass substrate 10 with the liquid crystal 4 interposed therebetween. Then, a predetermined display is performed by the electric field between the display electrode 11 and the common electrode 20.
【００１０】図６に示した画素は、主に表示電極１１・
補助容量線１８間ショートの補修を考慮して形成された
ものである。一般に、補助容量部は非常に大きな面積を
有するための上記のショートが生じ易く、画素欠陥の原
因の殆どを占めている。The pixel shown in FIG. 6 is mainly composed of the display electrode 11
It is formed in consideration of repairing a short circuit between the auxiliary capacitance lines 18. In general, the storage capacitor portion has a very large area, so the above-mentioned short circuit is likely to occur and accounts for most of the pixel defects.
【００１１】図６における画素補修法を述べると、補助
容量線１８上の×印部でショートが発生した場合、先ず
破線−(1) に沿ってレーザーカットを行ない、ショート
した補助容量電極部を表示電極１１から切り離す。The pixel repairing method shown in FIG. 6 will be described. When a short circuit occurs at the X portion on the auxiliary capacitance line 18, laser cutting is first performed along the broken line-(1) to remove the shorted auxiliary capacitance electrode portion. Separated from the display electrode 11.
【００１２】次に、導電体１７と表示電極１１との重複
部をレーザーボンディングし、両方の表示電極１１を電
気的に接続することで、残りの補助容量を両方の表示電
極１１間で共有させ、補助容量減少の影響を小さく抑え
ようというものである。Next, the overlapping portion between the conductor 17 and the display electrode 11 is laser-bonded to electrically connect both display electrodes 11 so that the remaining auxiliary capacitance is shared between both display electrodes 11. The purpose is to suppress the influence of the decrease in auxiliary capacity to a small level.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】ところで、アクティブ
マトリクス型も含めて液晶表示素子は自発光型ではな
く、その機能は単なる光シャッターに過ぎない。そのた
め、表示素子として重要な性能である明るさを得るため
には、液晶表示素子の光透過率が高い必要がある。この
ため、アレイ基板においては表示電極面積が出来る限り
広い必要がある。By the way, the liquid crystal display elements including the active matrix type are not self-luminous types, and their functions are merely optical shutters. Therefore, in order to obtain brightness, which is an important performance as a display element, the liquid crystal display element needs to have a high light transmittance. Therefore, in the array substrate, the display electrode area needs to be as large as possible.
【００１４】このような要求の下で、図６に示した画素
欠陥補修法の例は、表示電極電位変動を抑えるために表
示電極１１が分割されており、更にそれぞれの表示素子
にＴＦＴ３が形成されている。その分、画素欠陥補修の
効果はあるもののアレイ基板の表示電極面積が狭くなっ
てしまい、液晶表示素子に要求される透過率を犠牲にし
ていた。Under such requirements, in the example of the pixel defect repairing method shown in FIG. 6, the display electrode 11 is divided in order to suppress the fluctuation of the display electrode potential, and the TFT 3 is further provided in each display element. Has been formed. Although there is an effect of repairing the pixel defect, the area of the display electrode of the array substrate is reduced, and the transmittance required for the liquid crystal display element is sacrificed.
【００１５】この発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、レーザーによる画素欠陥補修が可能で表示電極面積
を殆ど犠牲にすることがないアクティブマトリクス型液
晶表示装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide an active matrix type liquid crystal display device capable of repairing pixel defects by a laser and hardly sacrificing a display electrode area.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】この発明は、第１の絶縁
基板上にゲート電極，ゲート絶縁膜，半導体膜，ソース
電極およびドレイン電極から構成された薄膜トランジス
タと、上記ソース電極に接続された表示電極と、この表
示電極に接続された補助容量とが、上記ゲート電極と一
体の行選択線および上記ドレイン電極と一体の列選択線
の交点付近にマトリクス状に配置されたアレイ基板と、
このアレイ基板と所定間隙で配設され第２の絶縁基板上
に共通電極が形成された対向基板と、上記アレイ基板と
上記対向基板との間に挾持された液晶と、を具備してな
るアクティブマトリクス型液晶表示装置において、According to the present invention, there is provided a thin film transistor comprising a gate electrode, a gate insulating film, a semiconductor film, a source electrode and a drain electrode on a first insulating substrate, and a display connected to the source electrode. An array substrate in which electrodes and auxiliary capacitors connected to the display electrodes are arranged in a matrix near intersections of the row selection lines integrated with the gate electrodes and the column selection lines integrated with the drain electrodes;
An active substrate including an opposing substrate which is disposed with a predetermined gap from the array substrate and has a common electrode formed on a second insulating substrate, and a liquid crystal sandwiched between the array substrate and the opposing substrate. In a matrix type liquid crystal display device,
【００１７】上記表示電極のうち第１の表示電極と、こ
の第１の表示電極に隣接する行選択線と列選択線の交点
付近に配置された第２の表示電極との間に、それぞれの
電極と重複部分を有し、且つ電気的に接続されていない
導電体が形成されてなることを特徴とするアクティブマ
トリクス型液晶表示装置である。Of the above-mentioned display electrodes, a first display electrode and a second display electrode adjacent to the first display electrode near the intersection of the row selection line and the column selection line are respectively provided. An active matrix type liquid crystal display device, characterized in that a conductor having an overlapping portion with an electrode and not electrically connected is formed.
【００１８】[0018]
【作用】この発明によれば、画素の構成要素の形状・配
置を工夫することにより、画素欠陥を補修し、画素欠陥
の殆ど無い高い表示品位と共に、明るい表示性能を有す
るアクティブマトリクス型液晶表示装置が得られる。According to the present invention, by devising the shape and arrangement of the constituent elements of the pixel, the pixel defect is repaired, and the active matrix type liquid crystal display device having the high display quality with almost no pixel defect and the bright display performance. Is obtained.
【００１９】[0019]
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の一実施例
を詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
【００２０】この発明のアクティブマトリクス型液晶表
示装置は図１および図２に示すように構成され、図１は
アレイ基板上の２画素分を示す平面図、図２は図１のＡ
−Ａ′線に沿って切断し矢印方向から見たＴＦＴ部の断
面図である。The active matrix type liquid crystal display device of the present invention is constructed as shown in FIGS. 1 and 2, FIG. 1 is a plan view showing two pixels on the array substrate, and FIG. 2 is A of FIG.
FIG. 6 is a cross-sectional view of the TFT section taken along line -A ′ and seen from the direction of the arrow.
【００２１】即ち、図１から明らかなようにＴＦＴ３０
は、絶縁基板４９（図２参照）上に形成された行選択線
３１と一体のゲート電極３２，ゲート絶縁膜３３，半導
体層３４，列選択線３５と一体のドレイン電極３６，補
助容量電極３７と一括形成された表示電極３８に接着さ
れたソース電極３９とから構成されている。[0021] That is, TFT 30 as apparent from FIG. 1
Is a gate electrode 32 integrated with a row selection line 31, a gate insulating film 33, a semiconductor layer 34, a drain electrode 36 integrated with a column selection line 35, an auxiliary capacitance electrode 37 formed on an insulating substrate 49 (see FIG. 2). And a source electrode 39 adhered to the display electrode 38 formed together.
【００２２】同様にＴＦＴ４０は、絶縁基板４９（図２
参照）上に形成された行選択線３１と一体のゲート電極
４１，ゲート絶縁膜３３，半導体層３４，列選択線４２
と一体のドレイン電極４３，補助容量電極４４と一括形
成された表示電極４５に接着されたソース電極４６とか
ら構成されている。Similarly, the TFT 40 has an insulating substrate 49 (see FIG. 2).
The gate electrode 41, the gate insulating film 33, the semiconductor layer 34, and the column selection line 42 which are integrated with the row selection line 31 formed above.
A drain electrode 43, an auxiliary capacitance electrode 44, and a source electrode 46 adhered to a display electrode 45 formed together.
【００２３】そして、表示電極３８と表示電極４５の間
には、各電極３８，４５および列選択線４２のいずれか
らも電気的に浮遊した導電体４７が、各電極３８，４５
に重複するように形成されている。更に、補助容量電極
３７，４４を横切って、行選択線３１と概略平行な方向
に補助容量線４８が形成されている。このようなアレイ
基板を、図２を参照して製造工程に従って説明すること
にする。Between the display electrode 38 and the display electrode 45, a conductor 47 electrically floating from each of the electrodes 38, 45 and the column selection line 42 is provided.
Are formed so as to overlap. Further, an auxiliary capacitance line 48 is formed across the auxiliary capacitance electrodes 37 and 44 in a direction substantially parallel to the row selection line 31. Such an array substrate will be described according to the manufacturing process with reference to FIG.
【００２４】先ず、例えばガラスからなる絶縁基板４９
の一主面上には、例えば遮光性材料であるＣｒ（クロ
ム）膜をスパッタ法で被膜した後、所定の形状にフォト
エッチングすることによりゲート電極３２，補助容量線
４８および導電体４７が形成され、更に、これを覆うよ
うに例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）からなるゲート絶
縁膜３３がプラズマＣＶＤ法により形成されている。こ
のゲート絶縁膜３３は、ゲート電極３２とソース電極３
９の間に介在する絶縁膜である。First, an insulating substrate 49 made of glass, for example.
A gate electrode 32, an auxiliary capacitance line 48 and a conductor 47 are formed by coating a Cr (chrome) film, which is a light-shielding material, on the one main surface by a sputtering method and then photoetching it into a predetermined shape. Further, a gate insulating film 33 made of, for example, silicon oxide (SiOx) is formed by plasma CVD so as to cover it. The gate insulating film 33 includes the gate electrode 32 and the source electrode 3
9 is an insulating film interposed between the two.
【００２５】ゲート絶縁膜３３のゲート電極３２に対向
する部分には、例えばｉ型の水素化アモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる半導体層３４がプラズマＣ
ＶＤ法を利用して形成されている。更に、半導体層３４
上には互いに電気的に分離されたｎ型の水素化アモルフ
ァスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなるドレイン領域５
０とソース領域５１が、同じくプラズマＣＶＤ法を利用
して設けられている。そして、半導体層３４のソース領
域５１側に隣接するゲート絶縁膜３３上には、例えばＩ
ＴＯ（インジウム・チン・オキサイド）膜をスパッタ法
で被膜した後、所定の形状にフォトエッチングすること
により表示電極３８，補助容量電極３７が一括形成され
ている。又、ソース領域５１にはソース電極３９の一端
が接続され、ソース電極３９の他端は表示電極３８に延
在して接続されている。At a portion of the gate insulating film 33 facing the gate electrode 32, a semiconductor layer 34 made of, for example, i-type hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) is provided as a plasma C.
It is formed using the VD method. Further, the semiconductor layer 34
A drain region 5 made of n-type hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) electrically isolated from each other is provided above the drain region 5.
0 and the source region 51 are also provided by using the plasma CVD method. Then, on the gate insulating film 33 adjacent to the source region 51 side of the semiconductor layer 34, for example, I
After a TO (indium tin oxide) film is coated by the sputtering method, the display electrode 38 and the auxiliary capacitance electrode 37 are collectively formed by photoetching into a predetermined shape. Further, one end of the source electrode 39 is connected to the source region 51, and the other end of the source electrode 39 extends and is connected to the display electrode 38.
【００２６】更に、ドレイン領域５０には、ドレイン電
極３６の一端が接続されている。ここで、ドレイン電極
３６とソース電極３９は、例えばＭｏ（モリブデン）膜
とＡｌ（アルミニウム）膜とをスパッタ法で順次被膜し
た後、所定の形状にフォトエッチングするという同じ工
程で形成しており、又、図１における行選択線３１もド
レイン電極３６とソース電極３９と同じ工程で形成して
いる。こうして所望のアレイ基板５２が得られる。Further, one end of the drain electrode 36 is connected to the drain region 50. Here, the drain electrode 36 and the source electrode 39 are formed in the same process in which, for example, a Mo (molybdenum) film and an Al (aluminum) film are sequentially coated by a sputtering method and then photoetched into a predetermined shape. The row selection line 31 in FIG. 1 is also formed in the same process as the drain electrode 36 and the source electrode 39. Thus, the desired array substrate 52 is obtained.
【００２７】一方、例えばガラスからなる絶縁基板５３
の一主面上には、例えばＩＴＯからなる共通電極５４が
形成されることにより、対向基板５５が構成されてい
る。そして、アレイ基板５２の一主面上には、更に全面
に例えばポリイミド（ＰＩ）からなる配向膜５６が形成
されており、又、対向基板５５の一主面上にも、全面に
同じく例えばポリイミド（ＰＩ）からなる配向膜５７が
形成されている。そして、アレイ基板５２と対向基板５
５の一主面上に、各々の配向膜５６，５７を所定の方向
に布等で擦ることにより、ラビングによる配向処理がそ
れぞれ施されるようになる。更に、アレイ基板５２と対
向基板５５とは、互いの一主面側が対向し且つ互いの配
向膜５６，５７が概略９０°をなすように組み合わせら
れ、これより得られる間隙には液晶６０が挾持されてい
る。On the other hand, the insulating substrate 53 made of glass, for example.
A counter electrode 55 is formed by forming a common electrode 54 made of, for example, ITO on one main surface. An alignment film 56 made of, for example, polyimide (PI) is formed on the entire main surface of the array substrate 52, and also on the entire main surface of the counter substrate 55, for example, polyimide. An alignment film 57 made of (PI) is formed. Then, the array substrate 52 and the counter substrate 5
By rubbing each of the alignment films 56 and 57 on the one main surface 5 with a cloth or the like in a predetermined direction, the alignment treatment by rubbing is performed. Further, the array substrate 52 and the counter substrate 55 are combined such that their main surfaces are opposed to each other and their alignment films 56 and 57 form an angle of about 90 °, and the liquid crystal 60 is held in a gap obtained from the alignment films 56 and 57. Has been done.
【００２８】そして、アレイ基板５２と対向基板５５の
他主面側には、それぞれ偏光板５８，５９が被着されて
おり、アレイ基板５２と対向基板５５のどちらか一方の
他主面側から照明を行なう形になっている。Polarizing plates 58 and 59 are attached to the other main surface side of the array substrate 52 and the counter substrate 55, respectively. From the other main surface side of either the array substrate 52 or the counter substrate 55. It is designed to illuminate.
【００２９】この実施例では、補助容量部の×印に補助
容量電極３７，４４間ショートが生じた場合、先ず破線
(2) に沿ってレーザカッティングを行ない、欠陥が生じ
た補助容量電極３７を表示電極３８から切り離す。この
時点では、表示電極３８は画素欠陥にはならないもの
の、周辺正常画素との画素電極電位差が無視出来ないほ
ど大きくなり、表示品位を落としてしまう。In this embodiment, when a short circuit occurs between the auxiliary capacitance electrodes 37 and 44 at the cross mark of the auxiliary capacitance portion, the broken line is first drawn.
Laser cutting is performed along (2) to separate the defective auxiliary capacitance electrode 37 from the display electrode 38. At this point, the display electrode 38 does not become a pixel defect, but the potential difference of the pixel electrode from the surrounding normal pixels becomes so large that it cannot be ignored, and the display quality is degraded.
【００３０】そこで、次に表示電極３８と表示電極４５
との間に形成され電気的に浮遊させてあった導電体４７
とそれぞれの電極とのレーザボンディングを行ない、表
示電極３８と表示電極４５とを電気的に接続し、補助容
量電極４４と補助容量線４８で構成される補助容量を表
示電極３８，４５で共有する。こうすることで画素欠陥
補修のために画素を分割する必要がなく、即ち、画素分
割に伴なう表示電極面積の減少がなく、表示素子として
明るい、且つ画素欠陥補修が可能で表示品位の良い、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置が得られる。 （他の実施例）Therefore, next, the display electrode 38 and the display electrode 45
A conductor 47 formed between and electrically suspended
Laser bonding with the respective electrodes to electrically connect the display electrode 38 and the display electrode 45, and share the auxiliary capacitance formed by the auxiliary capacitance electrode 44 and the auxiliary capacitance line 48 with the display electrodes 38 and 45. .. By doing so, it is not necessary to divide the pixel for repairing the pixel defect, that is, there is no decrease in the display electrode area due to the pixel division, it is bright as a display element, and the pixel defect can be repaired and the display quality is good. An active matrix type liquid crystal display device can be obtained. (Other embodiments)
【００３１】図３および図４はこの発明の他の実施例を
示したもので、図３はアレイ基板上の２画素分を示す平
面図、図４は図３のＢ−Ｂ′線に沿って切断し矢印方向
に見たＴＦＴ部の断面図であり、上記実施例と同様効果
が得られる。FIGS. 3 and 4 show another embodiment of the present invention. FIG. 3 is a plan view showing two pixels on the array substrate, and FIG. 4 is a view taken along the line BB 'in FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view of the TFT portion cut by cutting and viewed in the direction of the arrow, and the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained.
【００３２】この他の実施例では、上記実施例の場合に
比べ、電気的に浮遊させてある導電体４７が図３の縦方
向に隣接した画素の表示電極３８，４５に重複するよう
に２箇所に形成されている点で異なっている。この他の
実施例における補修方法は、上記実施例の場合と同様で
ある。In this other embodiment, as compared with the case of the above embodiment, the electrically floating conductor 47 is overlapped with the display electrodes 38 and 45 of the vertically adjacent pixels in FIG. It is different in that it is formed in the place. The repairing method in the other embodiments is the same as that in the above embodiment.
【００３３】[0033]
【発明の効果】この発明によれば、画素の構成要素の形
状・配置を工夫することにより、画素欠陥を補修し、画
素欠陥の殆ど無い高い表示品位と共に、明るい表示性能
を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置を実現す
ることが出来る。According to the present invention, by devising the shape and arrangement of the constituent elements of the pixel, the pixel defect is repaired, and the active matrix type liquid crystal having a high display quality with almost no pixel defect and a bright display performance. A display device can be realized.
【図１】この発明の一実施例に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置におけるアレイ基板上の２画素分を示
す平面図。FIG. 1 is a plan view showing two pixels on an array substrate in an active matrix type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１のＡ−Ａ′線に沿って切断し矢印方向に見
たＴＦＴ部の断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of the TFT section taken along the line AA ′ of FIG. 1 and viewed in the direction of the arrow.
【図３】この発明の他の実施例に係るアクティブマトリ
クス型液晶表示装置におけるアレイ基板上の２画素分を
示す平面図。FIG. 3 is a plan view showing two pixels on an array substrate in an active matrix type liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.
【図４】図３のＢ−Ｂ′線に沿って切断し矢印方向に見
たＴＦＴ部の断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view of the TFT section taken along line BB ′ of FIG. 3 and viewed in the direction of the arrow.
【図５】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
等価回路図。FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of a conventional active matrix liquid crystal display device.
【図６】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おけるアレイ基板上の２画素分を示す平面図。FIG. 6 is a plan view showing two pixels on an array substrate in a conventional active matrix type liquid crystal display device.
【図７】図６のＣ−Ｃ′線に沿って切断し矢印方向に見
たＴＦＴ部の断面図。7 is a cross-sectional view of the TFT section taken along the line CC ′ of FIG. 6 and viewed in the direction of the arrow.
【符号の説明】３０ ，４０…ＴＦＴ、３１…行選択線、３２，４１…ゲ
ート電極、３３…ゲート絶縁膜、３４…半導体膜、３
５，４２…列選択線、３６，４３…ドレイン電極、３
７，４４…補助容量電極、３８，４５…表示電極、３
９，４６…ソース電極、４７…導電体、４８…補助容量
線、４９、５３…絶縁基板、５２…アレイ基板、５４…
共通電極、５５…対向基板、６０…液晶。[Explanation of reference numerals] 30 , 40 ... TFT, 31 ... Row selection line, 32, 41 ... Gate electrode, 33 ... Gate insulating film, 34 ... Semiconductor film, 3
5, 42 ... Column selection lines, 36, 43 ... Drain electrodes, 3
7, 44 ... Auxiliary capacitance electrode, 38, 45 ... Display electrode, 3
9, 46 ... Source electrode, 47 ... Conductor, 48 ... Auxiliary capacitance line, 49, 53 ... Insulating substrate, 52 ... Array substrate, 54 ...
Common electrode, 55 ... Counter substrate, 60 ... Liquid crystal.
Claims (1)
絶縁膜，半導体膜，ソース電極およびドレイン電極から
構成された薄膜トランジスタと、上記ソース電極に接続
された表示電極と、この表示電極に接続された補助容量
電極とが、上記ゲート電極と一体の行選択線および上記
ドレイン電極と一体の列選択線の交点付近にマトリクス
状に配置されたアレイ基板と、 このアレイ基板と所定間隙で配設され第２の絶縁基板上
に共通電極が形成された対向基板と、 上記アレイ基板と上記対向基板との間に挾持された液晶
と、を具備してなるアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、 上記表示電極のうち第１の表示電極と、この第１の表示
電極に隣接する行選択線と列選択線の交点付近に配置さ
れた第２の表示電極との間に、それぞれの電極と重複部
分を有し、且つ電気的に接続されていない導電体が形成
されてなることを特徴とするアクティブマトリクス型液
晶表示装置。1. A thin film transistor comprising a gate electrode, a gate insulating film, a semiconductor film, a source electrode and a drain electrode on a first insulating substrate, a display electrode connected to the source electrode, and a display electrode connected to the display electrode. An array substrate in which the formed auxiliary capacitance electrodes are arranged in a matrix in the vicinity of an intersection of a row selection line integrated with the gate electrode and a column selection line integrated with the drain electrode, and a predetermined gap with the array substrate. An active matrix type liquid crystal display device comprising: a counter substrate having a common electrode formed on a second insulating substrate; and a liquid crystal sandwiched between the array substrate and the counter substrate. Between the first display electrode of the electrodes and the second display electrode arranged near the intersection of the row selection line and the column selection line adjacent to the first display electrode, the respective electrodes are provided. An active matrix type liquid crystal display device, characterized in that a conductor having an overlapping portion with and not electrically connected is formed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22684991A JPH0566415A (en) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | Active matrix type liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22684991A JPH0566415A (en) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | Active matrix type liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0566415A true JPH0566415A (en) | 1993-03-19 |
Family
ID=16851531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22684991A Pending JPH0566415A (en) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | Active matrix type liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0566415A (en) |
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-
1991
- 1991-09-06 JP JP22684991A patent/JPH0566415A/en active Pending
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| US8659712B2 (en) | 2008-12-10 | 2014-02-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, method for manufacturing active matrix substrate, liquid crystal panel, method for manufacturing liquid crystal panel, liquid crystal display device, liquid crystal display unit, and television receiver |
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