JPH0563647A - 光送信装置 - Google Patents
光送信装置Info
- Publication number
- JPH0563647A JPH0563647A JP3220103A JP22010391A JPH0563647A JP H0563647 A JPH0563647 A JP H0563647A JP 3220103 A JP3220103 A JP 3220103A JP 22010391 A JP22010391 A JP 22010391A JP H0563647 A JPH0563647 A JP H0563647A
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- JP
- Japan
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- signal
- optical
- circuit
- level
- bias
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 装置の使用環境が変動しても、バイアス光パ
ワーを一定に保つと共に、OMDを最適値に調整するこ
とができる。 【構成】 外部から入力する変調信号に対応した光信号
を送信するレーザダイオード22と、送信される光信号
の光出力を検出し、当該光出力に応じてレーザダイオー
ド22に供給するバイアス電流を制御してバイアス光パ
ワーを変化させるフォトダイオード23及びAPC回路
25とを有し、光信号を送信する光送信装置において、
バイアス光パワーを変化させる際に、バンドパスフィル
タ29、検波回路30、ローパスフィルタ31及びアン
プ32からなる信号検出回路で変調信号のピーク電圧値
を検出し、検出されたピーク電圧値と光信号の光出力レ
ベルとを割算回路で割算し、その比率を算出し、比較器
34、AGC回路35が上記比率に応じて入力する変調
信号の信号電流を制御する。
ワーを一定に保つと共に、OMDを最適値に調整するこ
とができる。 【構成】 外部から入力する変調信号に対応した光信号
を送信するレーザダイオード22と、送信される光信号
の光出力を検出し、当該光出力に応じてレーザダイオー
ド22に供給するバイアス電流を制御してバイアス光パ
ワーを変化させるフォトダイオード23及びAPC回路
25とを有し、光信号を送信する光送信装置において、
バイアス光パワーを変化させる際に、バンドパスフィル
タ29、検波回路30、ローパスフィルタ31及びアン
プ32からなる信号検出回路で変調信号のピーク電圧値
を検出し、検出されたピーク電圧値と光信号の光出力レ
ベルとを割算回路で割算し、その比率を算出し、比較器
34、AGC回路35が上記比率に応じて入力する変調
信号の信号電流を制御する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光変調度を一定に調整
する半導体レーザ駆動回路を有する光送信装置に関す
る。
する半導体レーザ駆動回路を有する光送信装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の光送信装置には、直線性
に優れた歪みの少ない半導体レーザダイオードを周波数
分割多重されたTV信号(40ch)で直接輝度変調し、
光信号に変換して1芯の光ファイバケーブルを介して上
記光信号を高品質長距離伝送する光AM−FDM送信装
置があった。上記光送信装置では、光変調を行う際、図
2に示すように、自動電力制御(以下、「APC」とい
う。)回路を付加し、バイアス電流Ioにアンプ11で
増幅された変調信号の信号電流Ipを重畳させてレーザ
ダイオード12を駆動させている。そして、上記レーザ
ダイオード12の光出力の一部を取り出すフォトダイオ
ード13に、自動電力制御(以下、「APC」とい
う。)回路14を接続し、光出力の変動に応じてトラン
ジスタ15にベース電圧を印加してバイアス電流を制御
していた。これにより、バイアス光パワーPoは、一定
値になり、重畳される変調信号により、光変調信号のピ
ークパワー値Ppが決定され、上記PoとPpによって
光変調度OMDが、下記のごとく決定されていた。
に優れた歪みの少ない半導体レーザダイオードを周波数
分割多重されたTV信号(40ch)で直接輝度変調し、
光信号に変換して1芯の光ファイバケーブルを介して上
記光信号を高品質長距離伝送する光AM−FDM送信装
置があった。上記光送信装置では、光変調を行う際、図
2に示すように、自動電力制御(以下、「APC」とい
う。)回路を付加し、バイアス電流Ioにアンプ11で
増幅された変調信号の信号電流Ipを重畳させてレーザ
ダイオード12を駆動させている。そして、上記レーザ
ダイオード12の光出力の一部を取り出すフォトダイオ
ード13に、自動電力制御(以下、「APC」とい
う。)回路14を接続し、光出力の変動に応じてトラン
ジスタ15にベース電圧を印加してバイアス電流を制御
していた。これにより、バイアス光パワーPoは、一定
値になり、重畳される変調信号により、光変調信号のピ
ークパワー値Ppが決定され、上記PoとPpによって
光変調度OMDが、下記のごとく決定されていた。
【0003】 OMD={(Pp−Po)/Po}×100 (%)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記光送信
装置には、OMDの最適値があり、バイアス光パワーP
oだけを変化させて光出力レベルを変化させると、OM
Dの値が変化し、これによって信号対雑音比、歪み特性
の悪化という現象を招き、装置の送信性能が悪化すると
いう問題点があった。このため、ユーザの使用環境に合
わせてバイアス光パワーPoを変化させる場合には、装
置の設置段階で、変調信号レベルも変化させて、上記O
MDを最適値に調整する必要がある。しかし、設置場所
に測定器を持ち込み測定を行うことは、測定器の大きさ
等によって実現が難しく、また外部から供給される変調
信号レベルは、一定ではなく、装置の使用環境によって
変動するという問題点があった。
装置には、OMDの最適値があり、バイアス光パワーP
oだけを変化させて光出力レベルを変化させると、OM
Dの値が変化し、これによって信号対雑音比、歪み特性
の悪化という現象を招き、装置の送信性能が悪化すると
いう問題点があった。このため、ユーザの使用環境に合
わせてバイアス光パワーPoを変化させる場合には、装
置の設置段階で、変調信号レベルも変化させて、上記O
MDを最適値に調整する必要がある。しかし、設置場所
に測定器を持ち込み測定を行うことは、測定器の大きさ
等によって実現が難しく、また外部から供給される変調
信号レベルは、一定ではなく、装置の使用環境によって
変動するという問題点があった。
【0005】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、装置の使用環境が変動しても、バイアス光パワーを
一定に保つと共に、OMDを最適値に調整することがで
きる光送信装置を提供することを目的とする。
で、装置の使用環境が変動しても、バイアス光パワーを
一定に保つと共に、OMDを最適値に調整することがで
きる光送信装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、入力する変調信号に対応した光信号を
送信する送信手段と、前記送信される光信号の光出力を
検出し、当該光出力に応じて前記送信手段に供給するバ
イアス電流を制御するバイアス電流制御手段とを有し、
前記光信号を送信する光送信装置において、前記変調信
号の信号レベルを検出する信号検出手段と、当該検出さ
れた変調信号の信号レベルと前記光信号の光出力レベル
との比率を演算する演算回路と、前記演算された比率に
応じて前記入力する変調信号の信号電流を制御する信号
電流制御手段とを具える光送信装置が提供される。
に、本発明では、入力する変調信号に対応した光信号を
送信する送信手段と、前記送信される光信号の光出力を
検出し、当該光出力に応じて前記送信手段に供給するバ
イアス電流を制御するバイアス電流制御手段とを有し、
前記光信号を送信する光送信装置において、前記変調信
号の信号レベルを検出する信号検出手段と、当該検出さ
れた変調信号の信号レベルと前記光信号の光出力レベル
との比率を演算する演算回路と、前記演算された比率に
応じて前記入力する変調信号の信号電流を制御する信号
電流制御手段とを具える光送信装置が提供される。
【0007】
【作用】バイアス電流を制御してバイアス光パワーを一
定に保つと共に、当該バイアス光パワーを変化させた際
に、変調信号の信号電流を制御して変調信号レベルを変
化させてOMDを調整する。従って、装置の使用環境に
応じた光出力パワーの調整が可能になり、これによっ
て、光受信装置の光入力パワーを最適値に調整すること
が可能になる。
定に保つと共に、当該バイアス光パワーを変化させた際
に、変調信号の信号電流を制御して変調信号レベルを変
化させてOMDを調整する。従って、装置の使用環境に
応じた光出力パワーの調整が可能になり、これによっ
て、光受信装置の光入力パワーを最適値に調整すること
が可能になる。
【0008】
【実施例】本発明の実施例を図1の図面に基づき説明す
る。図1は、AM−FDM方式の本発明に係る光送信装
置の構成を示す構成ブロック図である。上記光送信装置
は、使用上40波の変調信号が周波数分割多重されてレ
ーザダイオードに供給され、光変調信号として光ファイ
バケーブルに出力されるが、本実施例では、動作原理を
容易に理解できるように、多波数のうちの1波について
の構成を示す。
る。図1は、AM−FDM方式の本発明に係る光送信装
置の構成を示す構成ブロック図である。上記光送信装置
は、使用上40波の変調信号が周波数分割多重されてレ
ーザダイオードに供給され、光変調信号として光ファイ
バケーブルに出力されるが、本実施例では、動作原理を
容易に理解できるように、多波数のうちの1波について
の構成を示す。
【0009】図において、レーザダイオード22は、バ
イアス光パワーPoを発光させるためのバイアス電流I
oと、アンプ21で増幅されて光変調を行うための変調
信号の信号電流Ipが流れることによって、駆動して光
信号を発光させている。フォトダイオード23は、上記
光信号の一部を取り出して、電流−電圧変換器24を介
してAPC回路25とPoレベル検出回路26とに出力
する。
イアス光パワーPoを発光させるためのバイアス電流I
oと、アンプ21で増幅されて光変調を行うための変調
信号の信号電流Ipが流れることによって、駆動して光
信号を発光させている。フォトダイオード23は、上記
光信号の一部を取り出して、電流−電圧変換器24を介
してAPC回路25とPoレベル検出回路26とに出力
する。
【0010】APC回路25は、ローパスフィルタ25
aと比較器25bとから構成され、バイアス光パワーP
oの変動を検知し、該変動に応じてトランジスタ27に
ベース電圧を印加してバイアス電流Ioを制御する。こ
れにより、バイアス光パワーPoは、一定値になる。P
oレベル検出回路26は、バッファアンプ26aとゼロ
調アンプ26bとアンプ26cとから構成され、バイア
ス光パワーの出力レベルを検出しており、上記検出した
出力レベルを電圧値Poとして割算回路33に出力す
る。
aと比較器25bとから構成され、バイアス光パワーP
oの変動を検知し、該変動に応じてトランジスタ27に
ベース電圧を印加してバイアス電流Ioを制御する。こ
れにより、バイアス光パワーPoは、一定値になる。P
oレベル検出回路26は、バッファアンプ26aとゼロ
調アンプ26bとアンプ26cとから構成され、バイア
ス光パワーの出力レベルを検出しており、上記検出した
出力レベルを電圧値Poとして割算回路33に出力す
る。
【0011】分岐器28は、アンプ21で増幅された変
調信号を、上述したレーザダイオード22を変調するた
めの第1の信号成分と、変調信号を検出するための第2
の信号成分とに分岐しており、上記第2の信号成分は、
バンドパスフィルタ29で1周波数の信号成分になり、
検波回路30で検波され、ローパスフィルタ31で積分
されて低周波数の信号に変換され、アンプ32を介して
割算回路33に入力する。上記アンプ32から出力され
る信号成分は、変調信号のピーク電圧値Vpと同じ値の
レベルを持っている。
調信号を、上述したレーザダイオード22を変調するた
めの第1の信号成分と、変調信号を検出するための第2
の信号成分とに分岐しており、上記第2の信号成分は、
バンドパスフィルタ29で1周波数の信号成分になり、
検波回路30で検波され、ローパスフィルタ31で積分
されて低周波数の信号に変換され、アンプ32を介して
割算回路33に入力する。上記アンプ32から出力され
る信号成分は、変調信号のピーク電圧値Vpと同じ値の
レベルを持っている。
【0012】割算回路33は、Poレベル検出回路26
から出力されるバイアス光パワーの出力レベルと、アン
プ32から出力される変調信号成分の出力レベルとの比
率を演算し、演算結果である比率を比較器34に出力す
る。比較器34は、上記入力する比率と予め設定された
OMDの基準レベルとを比較し、比較結果を自動利得制
御(以下、「AGC」という。)回路35に出力する。
から出力されるバイアス光パワーの出力レベルと、アン
プ32から出力される変調信号成分の出力レベルとの比
率を演算し、演算結果である比率を比較器34に出力す
る。比較器34は、上記入力する比率と予め設定された
OMDの基準レベルとを比較し、比較結果を自動利得制
御(以下、「AGC」という。)回路35に出力する。
【0013】AGC回路35は、上記比較結果に応じ
て、外部から入力する変調信号の信号電流Ipを制御す
る。すなわち、上記AGC回路35は、バイアス光パワ
ーの出力レベルと変調信号成分の出力レベルとの比率
が、OMD基準レベルを決定している電圧値と同じ値に
なるように、変調信号の信号電流Ipを制御して上記変
調信号のレベル変動を吸収する。
て、外部から入力する変調信号の信号電流Ipを制御す
る。すなわち、上記AGC回路35は、バイアス光パワ
ーの出力レベルと変調信号成分の出力レベルとの比率
が、OMD基準レベルを決定している電圧値と同じ値に
なるように、変調信号の信号電流Ipを制御して上記変
調信号のレベル変動を吸収する。
【0014】次に、本実施例の光送信装置の動作につい
て説明する。まず、アンプ21を介してレーザダイオー
ド22にバイアス光パワーPo、ピークパワー値Ppの
光信号が入力されると、フォトダイオード23は、上記
光信号の一部を取り出して、光信号に対応する電流を発
生させ、その電流は、電流−電圧変換器24でバイアス
光出力Vo、ピーク電圧値Vpの電圧信号に変換され、
APC回路25とPoレベル検出回路26とに出力され
る。
て説明する。まず、アンプ21を介してレーザダイオー
ド22にバイアス光パワーPo、ピークパワー値Ppの
光信号が入力されると、フォトダイオード23は、上記
光信号の一部を取り出して、光信号に対応する電流を発
生させ、その電流は、電流−電圧変換器24でバイアス
光出力Vo、ピーク電圧値Vpの電圧信号に変換され、
APC回路25とPoレベル検出回路26とに出力され
る。
【0015】APC回路25は、バイアス光パワーPo
が一定値になるような制御を行い、Poレベル検出回路
26は、現在レーザダイオード22がどの程度の光パワ
ーで発光されているか検出し、上記検出したレーザダイ
オード22の光出力レベルが電圧値に換算されて出力さ
れる。また、アンプ21で増幅された変調信号は、分岐
器28で上記第1の信号成分と第2の信号成分とに分岐
され、第2の信号成分は、バンドパスフィルタ29、検
波回路30、ローパスフィルタ31及びアンプ32から
構成される信号検出回路を通って、電圧レベルVpの直
流成分となって割算回路33に入力する。
が一定値になるような制御を行い、Poレベル検出回路
26は、現在レーザダイオード22がどの程度の光パワ
ーで発光されているか検出し、上記検出したレーザダイ
オード22の光出力レベルが電圧値に換算されて出力さ
れる。また、アンプ21で増幅された変調信号は、分岐
器28で上記第1の信号成分と第2の信号成分とに分岐
され、第2の信号成分は、バンドパスフィルタ29、検
波回路30、ローパスフィルタ31及びアンプ32から
構成される信号検出回路を通って、電圧レベルVpの直
流成分となって割算回路33に入力する。
【0016】Poレベル検出回路26からの出力レベル
及びアンプ32からの出力レベルは、割算回路33に入
力し、比率演算が行われ、その演算結果が比較器34に
入力し、ここでOMDの基準レベルと比較され、比較結
果がAGC回路35に入力する。AGC回路35は、上
記アンプ32で比較される上記比率がOMD基準レベル
と同じ値になるように、変調信号の信号電流Ipを制御
して上記変調信号のレベル変動を吸収する。
及びアンプ32からの出力レベルは、割算回路33に入
力し、比率演算が行われ、その演算結果が比較器34に
入力し、ここでOMDの基準レベルと比較され、比較結
果がAGC回路35に入力する。AGC回路35は、上
記アンプ32で比較される上記比率がOMD基準レベル
と同じ値になるように、変調信号の信号電流Ipを制御
して上記変調信号のレベル変動を吸収する。
【0017】従って、本実施例では、バイアス電流を制
御してバイアス光パワーを一定に保つと共に、当該バイ
アス光パワーを変化させた際に、変調信号レベルとバイ
アス光パワーレベルを割算し、その結果を一定に保つよ
うに変調信号の信号電流を制御して変調信号レベルを変
化させて、常に安定したOMDを得るので、光送信装置
の使用環境に応じた光出力パワーの調整が可能になる。
御してバイアス光パワーを一定に保つと共に、当該バイ
アス光パワーを変化させた際に、変調信号レベルとバイ
アス光パワーレベルを割算し、その結果を一定に保つよ
うに変調信号の信号電流を制御して変調信号レベルを変
化させて、常に安定したOMDを得るので、光送信装置
の使用環境に応じた光出力パワーの調整が可能になる。
【0018】なお、本実施例では、外部からの変調信号
入力の値が変動しても絶えず一定のOMDを保つように
構成しているが、装置の調整段階において、OMDの調
整を行う際に、各レーザダイオードに光出力特性の違い
により、全てのレーザダイオードに同じ変調信号を与え
たのでは、OMDの値が装置によって変化してしまうの
で、これを正確に微調整する必要がある。そこで、本発
明では、比較器34のOMD基準レベルを可変に微調整
できる構造にすることも可能で、OMDをより簡単に調
整することができる。このため、外部からの変調信号入
力値を変化させることなくOMDを自由な値に設定する
ことができる。
入力の値が変動しても絶えず一定のOMDを保つように
構成しているが、装置の調整段階において、OMDの調
整を行う際に、各レーザダイオードに光出力特性の違い
により、全てのレーザダイオードに同じ変調信号を与え
たのでは、OMDの値が装置によって変化してしまうの
で、これを正確に微調整する必要がある。そこで、本発
明では、比較器34のOMD基準レベルを可変に微調整
できる構造にすることも可能で、OMDをより簡単に調
整することができる。このため、外部からの変調信号入
力値を変化させることなくOMDを自由な値に設定する
ことができる。
【0019】また、光信号の伝送において、光ファイバ
ーケーブルの伝送ロスが小さいと、光受信装置に受信さ
れる光レベルは、大きくなり、光受信装置のフォトダイ
オードが飽和してしまい、歪み特性の劣化という現象が
生じる。そこで、本発明では、APC回路25の比較器
25bのPo基準レベルを可変に調整できる構造にする
ことも可能で、光受信装置のフォトダイオードが飽和し
ない範囲まで、光送信装置のバイアス光パワーを変化さ
せることができる。この場合には、比較器34のOMD
基準レベルを固定値にしておけば、絶えず一定のOMD
が得られ、光ファイバーケーブルの伝送ロスが小さい時
でも簡単に対応することができる。また、バイアス光パ
ワーが装置の使用環境の違いによって変動しても、その
変動をAPC回路で監視してOMDを一定にするよう
に、変調信号をレーザダイオードに供給することができ
るので、安定したOMDが保たれる。
ーケーブルの伝送ロスが小さいと、光受信装置に受信さ
れる光レベルは、大きくなり、光受信装置のフォトダイ
オードが飽和してしまい、歪み特性の劣化という現象が
生じる。そこで、本発明では、APC回路25の比較器
25bのPo基準レベルを可変に調整できる構造にする
ことも可能で、光受信装置のフォトダイオードが飽和し
ない範囲まで、光送信装置のバイアス光パワーを変化さ
せることができる。この場合には、比較器34のOMD
基準レベルを固定値にしておけば、絶えず一定のOMD
が得られ、光ファイバーケーブルの伝送ロスが小さい時
でも簡単に対応することができる。また、バイアス光パ
ワーが装置の使用環境の違いによって変動しても、その
変動をAPC回路で監視してOMDを一定にするよう
に、変調信号をレーザダイオードに供給することができ
るので、安定したOMDが保たれる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、入力
する変調信号に対応した光信号を送信する送信手段と、
前記送信される光信号の光出力を検出し、当該光出力に
応じて前記送信手段に供給するバイアス電流を制御する
バイアス電流制御手段とを有し、前記光信号を送信する
光送信装置において、前記変調信号の信号レベルを検出
する信号検出手段と、当該検出された変調信号の信号レ
ベルと前記光信号の光出力レベルとの比率を演算する演
算回路と、前記演算された比率に応じて前記入力する変
調信号の信号電流を制御する信号電流制御手段とを具え
たので、装置の使用環境が変動しても、バイアス光パワ
ーを一定に保つと共に、OMDを最適値に調整すること
ができ、装置の信頼性を向上させることができる。
する変調信号に対応した光信号を送信する送信手段と、
前記送信される光信号の光出力を検出し、当該光出力に
応じて前記送信手段に供給するバイアス電流を制御する
バイアス電流制御手段とを有し、前記光信号を送信する
光送信装置において、前記変調信号の信号レベルを検出
する信号検出手段と、当該検出された変調信号の信号レ
ベルと前記光信号の光出力レベルとの比率を演算する演
算回路と、前記演算された比率に応じて前記入力する変
調信号の信号電流を制御する信号電流制御手段とを具え
たので、装置の使用環境が変動しても、バイアス光パワ
ーを一定に保つと共に、OMDを最適値に調整すること
ができ、装置の信頼性を向上させることができる。
【図1】本発明に係る光送信装置の構成を示す構成ブロ
ック図である。
ック図である。
【図2】従来の光送信装置の構成を示す構成ブロック図
である。
である。
11,21,32 アンプ 12,22 レーザダイオード 13,23 フォトダイオード 14,25 APC回路 15,27 トランジスタ 26 Poレベル検出回路 28 分岐器 29,31 フィルタ 30 検波回路 33 割算回路 34 比較器 35 AGC回路
Claims (1)
- 【請求項1】 入力する変調信号に対応した光信号を送
信する送信手段と、前記送信される光信号の光出力を検
出し、当該光出力に応じて前記送信手段に供給するバイ
アス電流を制御するバイアス電流制御手段とを有し、前
記光信号を送信する光送信装置において、前記変調信号
の信号レベルを検出する信号検出手段と、当該検出され
た変調信号の信号レベルと前記光信号の光出力レベルと
の比率を演算する演算回路と、前記演算された比率に応
じて前記入力する変調信号の信号電流を制御する信号電
流制御手段とを具えたことを特徴とする光送信装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3220103A JPH0563647A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 光送信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3220103A JPH0563647A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 光送信装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0563647A true JPH0563647A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16745963
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3220103A Pending JPH0563647A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 光送信装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0563647A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH077213A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-10 | Nec Corp | 光変調増幅器 |
US6192060B1 (en) * | 1998-01-19 | 2001-02-20 | Nec Corporation | Optical transmitter |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP3220103A patent/JPH0563647A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH077213A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-10 | Nec Corp | 光変調増幅器 |
US6192060B1 (en) * | 1998-01-19 | 2001-02-20 | Nec Corporation | Optical transmitter |
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