JPH0559736U - マグネトロンのカソード組立体の下端シールド固定構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 マグネトロンのカソード組立体がアノード円
筒の中心軸に対して正確に中心に合わさるようにして、
熱電子の漏れにより生じる暗電流量を最小化し、マグネ
トロンの効率を向上させる。 【構成】 カソード組立体を、中央にセンターリード１
５が貫通する貫通孔２８ｂが形成され、下端にフランジ
２８ａを有する、フィラメントを支持接続する改良され
た下端シールド２８と、上面にフランジ２８ａを結合し
て下端シールド２８を支持し、中心部にセンターリード
１５を貫通支持する第１支持孔３１ａを有し、サイド部
分にサイドリード１７を貫通支持する第２支持孔３１ｂ
とを有して、下側磁極１０の中央開口１０ａに固定的に
搭載された絶縁体３１とから構成する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、マイクロ波を発生する、電子レンジと称されるマイクロ波加熱炉に 装着されるマグネトロンのカソード組立体の下端シールドを固定するための構造 に係り、詳細にはマグネトロンの発振に不必要な暗電流を減少することができる 下端シールドの改良された構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】

一般に、マグネトロンは、効率的にマイクロ波を発生する二極管の一種で、マ イクロ波加熱炉内に装着されて食品の加熱、解凍に使用される。添付図面の図１ に示すように、マイクロ波加熱炉のためのマグネトロンは、内側に複数の放射状 に延びるベーン３を設けたアノード円筒１と、該アノード円筒内に同軸に配置さ れたカソードと称される直接加熱フィラメント２とからなっている。

【０００３】 また、マグネトロンは、上下磁石５、６と上下板７、８及び上下磁極９、１０ からなる磁気回路と、アンテナ１１とアンテナセラミック１２と排気管１３及び アンテナキャップ１４からなる出力領域とを含んでいる。

【０００４】 マグネトロンはこのように構成されているので、フィラメント１２に電流が流 された時、フィラメントから熱電子がフィラメントとアノード円筒のベーン３と の間に画成された作用空間内に放出される。そして、放出された熱電子はフィラ メントとベーンとの間に誘導された電界の力と磁気回路によって作用空間に印加 された磁束の力によってサイクロイド運動し、それによってエネルギーをベーン に加えてマイクロ波を発生する。そして、マイクロ波はマグネトロンの外側に出 力領域を通して放出され、導波管を通ってマイクロ波加熱炉内の空間に放射され て該加熱炉内の食料品を加熱、解凍する。

【０００５】 この時に、貫通型コンデンサ１９と第１ケース２０と第２ケース２１と及びチ ョークコイル２３からなり、入力領域の近傍に配置されたフィルター回路が、ア ノード円筒内に発生した種々の高周波及び基本波の一部がフィラメント２、セン ターリード１５、サイドリード１７及び入力領域を通ってマグネトロンの外側に 漏洩するのを防止するように作用する。

【０００６】 さらに、図１の領域Ａを拡大した図２に示すように、フィラメント２から放出 された熱電子が作用空間４から出るのを防止すべく、円錐台形の上端シールド１ ６と円筒形の下端シールド１８が鑞付けによってセンターリード１５、サイドリ ード１７にそれぞれ結合され、実質的に作用空間の上下端を閉鎖する。さらに、 外部衝撃によってフィラメント２が破損するのを防止するために、絶縁材料で作 られたスペーサ２２が、センターリード、サイドリード１５、１７に貫通して結 合される。

【０００７】 このように構成されたカソード組立体では、熱電子が作用空間内でサイクロイ ド運動をもたらすことにより発生したマイクロ波エネルギはベーン３に移送され る。この時、熱電子の一部が、エネルギをベーン与えることなく、ベーン３の上 下縁と上下端シールド１６、１８との間の隙間を通って逃げるので、マグネトロ ンの発振に寄与しない暗電流が生じる。

【０００８】 上下磁極９、１０と上下端シールド１６、１８との間には４ＫＶの電位差があ るので、該上下端シールドは磁極の中心開口内に正確に中心にくるように配置し なければならない。もし、それらの間に均一な隙間が維持されないと、マグネト ロンの破損を引き起こす火花放電が生じる。

【０００９】

【考案が解決しようとする課題】

しかし、マイクロ波加熱炉用マグネトロンの従来のカソード組立体は、下端シ ールドがアノード円筒の中心軸に対して正確に中心に位置して組み立てられて製 造され、これにより作用空間の外への熱電子の漏洩を最小にするようにしている が、実際は、図２に示すように、フィラメントを支持する上下端シールドはあた かも浮いたような状態で組み立てられ、それ故、それらは正確に中心が合わされ ず、偏心している。その結果、フィラメントから放出された熱電子はベーンの上 下縁と上下端シールドとの間の広い隙間を通って逃げ、そのためにマグネトロン の効率を低下する。

【００１０】 また、４ＫＶの電位差がある、上下磁極と上下端シールドとの間の間隔は均一 に維持されず、狭くなって火花が発生するおそれがあるために、ジグを使用して センターリードとサイドリードを前後左右に調整することにより、上下端シール ドをアノード円筒内に正確に中心合わせをする、複雑で、困難な調整工程が要求 される。

【００１１】 従って、本考案は、前記従来技術の問題に鑑みてなされたもので、フィラメン トの下端を支持する下端シールドを、アノード円筒の中心軸に対して正確に中心 を合わせることができる、マグネトロンの下端シールド固定構造を提供すること により、マグネトロンの発振に寄与しない暗電流量を最小化し、そして下端シー ルドの偏心のために該下端シールドがアノード円筒と接触して生じる火花の発生 を防止することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】

前記目的を達成するため、本考案は、マイクロ波を発生するマグネトロンの下 端シールド固定構造にして、中心部にセンターリードが貫通する貫通孔が形成さ れ、下端にフランジを有する、下端シールドと、上面を前記フランジに結合して 前記下端シールドを支持し、貫通して延びるセンターリードを支持する、中心部 に形成された第１支持孔と、貫通して延びるサイドリードを支持する、サイド部 分に形成された第２支持孔とを有する、絶縁体とから構成してなることを特徴と している。

【００１３】

【実施例】

以下、本考案を実施例により添付図面を参照して詳細に説明する。

【００１４】 本考案のマグネトロン用のカソード組立体の構造を示す図３によると、マグネ トロンの基本部分は、カソード組立体の下端シールド構造を除いて従来技術と構 造及び機能が同一である。従って、以下の説明では、従来技術と同一の部分につ いては同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。

【００１５】 図４及び図５は本考案による下端シールドを示している。下端シールド２８は 略帽子形状で、その下端に設けられたフランジ２８ａがあり、その中心部に貫通 孔２８ｂが形成され、センターリード１５が貫通している。下端シールドの中央 円筒部分に据え付けられた部分を有するフィラメント２は、フランジ２８ａに結 合され、支持されている。

【００１６】 下端シールド２８は、高融点金属、例えばモリブデンで形成され、高融点の鑞 付け材料、例えばＮｉ−Ｒｕ−Ｍｏ合金粉末により被覆される。それ故、フィラ メント２は鑞付け材料を溶融して下端シールドに接続される。

【００１７】 図６及び図７は本考案の下端シールド２８の固定用の絶縁体を示している。絶 縁体３１は、セラミック材により形成され、円盤形状である。この絶縁体は、図 ３に示すように、下側磁極１０の中央開口１０ａ内にはめ込まれる。それ故、絶 縁体３１の外径は、下側磁極の中央開口１０ａの内径に近い寸法を有する。

【００１８】 絶縁体３１は、その中心部に形成された、センターリード１５の断面積と等し い寸法を有する第１支持孔３１ａと、そのサイド部分に形成された、サイドリー ド１７の断面積と等しい寸法を有する第２支持孔３１ｂとを有し、センターリー ド１５、サイドリード１７がそれぞれこれら支持孔３１ａ、３１ｂにしっかりは め込まれる。

【００１９】 絶縁体３１の上面には、支持孔３１ｂと交差するリング形のメタライジング部 ３５が形成され、該メタライジング部３５を介して上方の下端シールド２８が接 合され、絶縁体３１の支持孔３１ｂを通じて挿入されるサイドリード１７と下端 シールド２８とが接続される。

【００２０】 絶縁体３１の中央の支持孔３１ａを貫通して延びるセンターリード１５は、従 来技術と同様に、下端シールド２８の中央の貫通孔２８ｂを通って上端シールド １６と連結される。さらに、フィラメント２が上端シールド１６と下端シールド ２８との間に配置され、従来技術と同様の機能を果たす。

【００２１】 前述したように、下端シールド２８を結合した絶縁体３１が、下側磁極１０の 中央開口１０ａに固定的に搭載されるので、下端シールドはアノード円筒の中心 軸に対して正確に中心が合わされ、上下端シールド１６、２８とベーン３の上下 縁との間の隙間が均一に保持され、そのため、隙間から逃げる熱電子によって生 成される暗電流量を従来技術と比較して激減させる。

【００２２】 本考案を好ましい実施例によって説明してきたが、請求の範囲によって画定さ れる考案の範囲を逸脱することなく変更、改良が可能であることが理解できるで あろう。

【００２３】

【考案の効果】

以上説明したように本考案によれば、作用空間から逃げる熱電子量を最小化す るように、アノード円筒の中心軸に対してカソード組立体を正確にセンタリング するので、マグネトロンの効率が向上する。また、本考案のカソード組立体は前 述のように暗電流を非常に減少させるために、従来技術において暗電流を減少さ せるために行われたジグを使用しての調整工程を省くことができる。

【００２４】 さらに、下側磁極に固定的に搭載された、予め設定した厚さの絶縁体がセンタ ーリードとサイドリードの両方を固定するように機能するので、外部衝撃による フィラメントの破損を防止するために従来技術において要求された分離スペーサ を省くことができ、マグネトロンの製造コストを下げることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】在来型のマグネトロン構造を示す縦断面図であ
る。

【図２】従来技術のカソード組立体を示す、図１のＡ領
域の拡大図である。

【図３】本考案のカソード組立体の断面図である。

【図４】本考案の下端シールドの断面図である。

【図５】本考案の下端シールドの斜視図である。

【図６】本考案の下端シールド固定用の絶縁体の斜視図
である。

【図７】本考案の下端シールド固定用の絶縁体の断面図
である。

【符号の説明】

１５ センターリード １７ サイドリード ２８ 下端シールド ２８ａ フランジ ２８ｂ 貫通孔 ３１ 絶縁体 ３１ａ、３１ｂ 支持孔 ３５ メタライジング部

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 マイクロ波発生用のマグネトロンの下端
   シールド固定構造にして、 中心部にセンターリードが貫通する貫通孔が形成され、
   下端に形成されたフランジを有する、下端シールドと、 上面に前記フランジを結合して前記下端シールドを支持
   し、貫通して延びるセンターリードを支持する、中心部
   に形成された第１支持孔と、貫通して延びるサイドリー
   ドを支持する、サイド部分に形成された第２支持孔とを
   有する、絶縁体とから構成してなることを特徴とする、
   マグネトロンのカソード組立体の下端シールド固定構
   造。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のマグネトロンのカソー
   ド組立体の下端シールド固定構造において、 前記絶縁体は、前記サイドリードがはめ込まれる前記第
   ２支持孔を交差するリング形状の、上面に形成されたメ
   タライジング部分を含むことを特徴とするマグネトロン
   のカソード組立体の下端シールド固定構造。