JPH055689Y2 - - Google Patents
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Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、マイクロ波帯の発振器として使用
される誘電体共振器装荷型発振器に関するもので
ある。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] This invention relates to a dielectric resonator-loaded oscillator used as a microwave band oscillator.
第３図は、従来の誘電体共振器装荷型発振器
（以下、DROと略記する）の一部を示し、誘電体
共振器（以下、レゾネータと略記する）と発振器
（以下、OSCと略記する）の一部であるプリント
基板（以下、PWBと略記する）上の金属パター
ンとを電気的に結合させる構成を示す斜視図であ
る。この考案を説明するために特に必要のない
OSCの電源回路などの詳細な説明は省略する。
図において、１はPWBであり、マイクロ波帯で
よく使われているテフロンを母材とした基板であ
る。２は発振素子である電界効果型トランジスタ
（以下、FETと略記する）であり、PWB１の上
に構成された金属パターン３ａ〜３ｄにFET２
の各電極５ａ〜５ｃが半田付けされる。４は円筒
形のレゾネータであり、FET２の各電極５ａ〜
５ｃが半田付けされた金属パターン３ａ〜３ｄと
電気的に結合するように固定する。レゾネータ４
の固定方法については、この考案の説明には関係
しないので省略する。
Figure 3 shows part of a conventional dielectric resonator-loaded oscillator (hereinafter abbreviated as DRO), including a dielectric resonator (hereinafter abbreviated as resonator) and an oscillator (hereinafter abbreviated as OSC). FIG. 2 is a perspective view showing a configuration for electrically coupling a metal pattern on a printed circuit board (hereinafter abbreviated as PWB) that is a part of the circuit board. Not particularly necessary to explain this idea
A detailed explanation of the OSC power supply circuit, etc. will be omitted.
In the figure, 1 is a PWB, which is a substrate made of Teflon, which is often used in the microwave band. 2 is a field effect transistor (hereinafter abbreviated as FET) which is an oscillation element, and FET2 is connected to metal patterns 3a to 3d formed on PWB1.
Each of the electrodes 5a to 5c is soldered. 4 is a cylindrical resonator, and each electrode 5a of FET2
5c is fixed so as to be electrically coupled to the soldered metal patterns 3a to 3d. Resonator 4
The method of fixing is not related to the explanation of this invention and will therefore be omitted.
PWB１の金属パターンには通常銅が使用され
ており、銅表面の経年変化を防ぐために半田メツ
キが施されている。 Copper is normally used for the metal pattern of PWB1, and solder plating is applied to prevent the copper surface from deteriorating over time.
FET２の電極の構成は、５ａがゲート電極、
５ｂがソース電極、５ｃがドレイン電極である。
ゲート電極５ａは金属パターン３ａと、ソース電
極５ｂは金属パターン３ｂ，３ｃと、ドレイン電
極５ｃは金属パターン３ｄとそれぞれ半田付けさ
れている。レゾネータ４は、金属パターン３ａと
３ｂについて電気的に結合されており、発振素子
であるFET２のゲート電極５ａとソース電極５
ｂに対して結合することになる。 The structure of the electrodes of FET2 is as follows: 5a is the gate electrode;
5b is a source electrode, and 5c is a drain electrode.
The gate electrode 5a is soldered to the metal pattern 3a, the source electrode 5b to the metal patterns 3b and 3c, and the drain electrode 5c to the metal pattern 3d. The resonator 4 is electrically coupled to the metal patterns 3a and 3b, and has a gate electrode 5a and a source electrode 5 of the FET 2, which is an oscillation element.
It will be connected to b.
次に動作について説明する。第３図に示した
PWB１上に構成されたOSCは、３端子素子であ
るFET２を発振素子として、FET２のゲート電
極５ａとソース電極５ｂが半田付けされたPWB
１上の金属パターン３ａ，３ｂ上に円筒型のレゾ
ネータ４を取り付け、FET２のゲート側に負性
抵抗を発生させることによりFET２およびレゾ
ネータ４の電気定数によつて決まる一定の周波数
において発振させることができる。発振出力は金
属パターン３ｄに接続される出力回路から取り出
すことができる。出力回路についての説明は省略
する。 Next, the operation will be explained. Shown in Figure 3
The OSC configured on PWB1 is a PWB in which FET2, which is a three-terminal element, is used as an oscillation element, and the gate electrode 5a and source electrode 5b of FET2 are soldered.
By attaching a cylindrical resonator 4 on the metal patterns 3a and 3b on the metal pattern 1 and generating negative resistance on the gate side of the FET 2, it is possible to oscillate at a constant frequency determined by the electrical constants of the FET 2 and the resonator 4. can. The oscillation output can be taken out from an output circuit connected to the metal pattern 3d. A description of the output circuit will be omitted.
第４図にレゾネータ４とPWB１上の金属パタ
ーン３ａ，３ｂとの接触の様子を示す。レゾネー
タ４は金属パターン３ａと３ｂとに均等に接触し
て電気的に結合し、FET２の持つ電気定数とレ
ゾネータ４の電気定数とによりあらかじめ予想さ
れる周波数で安定に発振する。 FIG. 4 shows the state of contact between the resonator 4 and the metal patterns 3a and 3b on the PWB 1. The resonator 4 evenly contacts and electrically couples the metal patterns 3a and 3b, and stably oscillates at a frequency predicted in advance based on the electric constants of the FET 2 and the electric constants of the resonator 4.
従来のDROは以上のように構成されているの
で、安定に発振出力を得るためには、第４図に示
すように、レゾネータ４が金属パターン３ａおよ
び３ｂに均等に接触することが必要であり、第５
図に示すように、金属パターン３ａまたは３ｂの
厚さに差が生じてレゾネータ４が金属パターン３
ａおよび３ｂに均等に接触しなければ、電気的な
結合に不均衡を生じ所要の発振周波数で発振させ
ることができなくなり、回路設計の際に予想され
ない不要な周波数で発振するなどの問題点があつ
た。
Since the conventional DRO is configured as described above, in order to obtain stable oscillation output, it is necessary for the resonator 4 to be in equal contact with the metal patterns 3a and 3b, as shown in Fig. 4. , 5th
As shown in the figure, there is a difference in the thickness of the metal pattern 3a or 3b, and the resonator 4 is connected to the metal pattern 3a or 3b.
If a and 3b are not contacted evenly, the electrical coupling will be unbalanced, making it impossible to oscillate at the desired oscillation frequency, leading to problems such as oscillation at unnecessary frequencies that were not anticipated during circuit design. It was hot.
ところが、金属パターン３ａ，３ｂは前述の通
り、半田メツキされているため、ゲート電極５ａ
およびソース電極５ｂを半田付けする際にレゾネ
ータ４を取り付けるところまで半田が流れて金属
パターン３ａまたは３ｂの表面に凹凸を生じた
り、PWB１を製造する際の半田メツキの表面仕
上がりが悪く半田の表面に凹凸を残している場
合、第５図に示すようになり、不要な周波数で発
振するため、DROとして完全な動作をするもの
でなかつた。 However, since the metal patterns 3a and 3b are soldered as described above, the gate electrode 5a
Also, when soldering the source electrode 5b, the solder may flow to the point where the resonator 4 is attached, causing unevenness on the surface of the metal pattern 3a or 3b, or the surface finish of the solder plating when manufacturing the PWB 1 may be poor, and the solder surface may become uneven. If irregularities were left, the result would be as shown in Figure 5, and the DRO would not work perfectly because it would oscillate at an unnecessary frequency.
そのために、PWB１にFET２を半田付けした
あとで、レゾネータ４が取り付く金属パターン３
ａおよび３ｂの不要な半田を取り除き、第４図に
示す接触状態が確保できるように、手直し作業を
実施しなければならないなどの問題点があつた。 For this purpose, after soldering FET2 to PWB1, metal pattern 3 to which resonator 4 will be attached.
There were problems such as the need to remove unnecessary solder from a and 3b and perform rework to ensure the contact state shown in FIG. 4.
この考案は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、不要な手直し作業を省くとと
もに、安定な発振出力が得られるDROを得るこ
とを目的とする。 This idea was made to solve the problems mentioned above, and aims to eliminate unnecessary rework and to obtain a DRO that can provide stable oscillation output.
この考案に係るDROは、レゾネータと金属パ
ターンとが接触するPWBの表面に塗布時液状で
塗布後固化し半田の溶融温度に耐え得る誘電体膜
を塗布し、金属パターンのレゾネータに接触する
部分は半田メツキを施さず、誘電体膜により銅表
面の経年変化を防ぎ、他のPWBの表面金属パタ
ーンは半田メツキとしたものである。
The DRO according to this invention coats the surface of the PWB where the resonator and metal pattern come into contact with a dielectric film that is in liquid form at the time of application and solidifies after application and can withstand the melting temperature of solder, and the part of the metal pattern that contacts the resonator No solder plating was applied, a dielectric film was used to prevent aging of the copper surface, and the other PWB surface metal patterns were solder plated.
この考案におけるDROは、レゾネータと接触
する金属パターンの表面に誘電体膜を塗布しるこ
とにより、レゾネータと金属パターンとの間に半
田が流入することなくこれらの間の接触が均等に
なり、安定な発振出力を得ることができるもので
ある。
In this DRO, by applying a dielectric film to the surface of the metal pattern that comes into contact with the resonator, the contact between the resonator and the metal pattern is made even and stable without any solder flowing between them. It is possible to obtain a high oscillation output.
以下、この考案の一実施例を図について説明す
る。第１図において、６はソルダレジストであ
り、レゾネータ４が接触する金属パターン３ａ，
３ｂの表面に一様に塗布されている。ソルダレジ
スト６は、第２図に示すように、金属パターン３
ａ，３ｂの表面を覆い、誘電体膜であるソルダレ
ジスト６を介して、レゾネータ４と金属パターン
３ａ，３ｂとが電気的に結合する。
An embodiment of this invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, 6 is a solder resist, and the metal pattern 3a, which the resonator 4 contacts,
It is uniformly applied to the surface of 3b. The solder resist 6 has a metal pattern 3 as shown in FIG.
The resonator 4 and the metal patterns 3a, 3b are electrically coupled to each other via a solder resist 6 which is a dielectric film and covers the surfaces of the metal patterns 3a, 3b.
ソルダレジスト６は、電気的には誘電体として
取り扱うことができ、厚さが充分に薄い場合は
DROの電気特性に与える影響は実用上問題ない。
誘電体膜であるソルダレジスト６は、PWB１の
製作時に広く使用されているものでよく、また、
ソルダレジスト６は熱硬化樹脂で硬化前は液体で
あり、流動性が高く一様に塗布することができ
る。 The solder resist 6 can be electrically treated as a dielectric, and if it is thin enough,
The effect on the electrical characteristics of DRO is not a practical problem.
The solder resist 6, which is a dielectric film, may be one that is widely used when manufacturing the PWB 1, and
The solder resist 6 is a thermosetting resin that is liquid before hardening, and has high fluidity and can be applied uniformly.
第１図に示すDROにおいては、PWB１上の金
属パターン３ａおよび３ｂのソルダレジスト６が
塗布された部分の表面は銅であり、半田がないた
め表面の凹凸は半田メツキされた場合に比べて小
さくなつている。さらに、ソルダレジスト６は前
述の通り熱硬化する前は流動性の高い液体であ
り、第２図に示すように、PWB１の表面に一様
に広がつており、表面の凹凸はソルダレジスト６
を塗布する前の状態とほぼ同じである。ソルダレ
ジスト６の厚みは20〜30μｍにすることができ
る。 In the DRO shown in Fig. 1, the surface of the parts of the metal patterns 3a and 3b on the PWB 1 coated with the solder resist 6 is copper, and since there is no solder, the surface irregularities are smaller than when solder-plated. It's summery. Furthermore, as mentioned above, the solder resist 6 is a highly fluid liquid before it is thermally hardened, and as shown in FIG.
The condition is almost the same as before it was applied. The thickness of the solder resist 6 can be 20 to 30 μm.
ソルダレジスト６を塗布したPWB１の上に、
第３図の場合と同様にしてレゾネータ４を取り付
けると、PWB１の表面の凹凸が小さいこと、か
つPWB１にFET２の各電極を半田付けする際に
も半田が流れることがないため、金属パターン３
ａまたは３ｂの表面に凹凸を生じることがなく、
レゾネータ４は金属パターン３ａおよび３ｂに対
して誘電体であるソルダレジスト６を介して電気
的に均等に結合することになり、DROとして安
定に動作し得る。 On top of PWB1 coated with solder resist 6,
When the resonator 4 is attached in the same manner as in the case of Fig. 3, the metal pattern 4
No unevenness occurs on the surface of a or 3b,
The resonator 4 is electrically evenly coupled to the metal patterns 3a and 3b via the dielectric solder resist 6, and can stably operate as a DRO.
ソルダレジスト６はマイクロ波帯で使用する以
外のPWB１については広く使用されており、こ
の製造工程においてはソルダレジスト６の塗布は
標準的な作業であつて、ソルダレジスト６を塗布
することにより大幅なコスト上昇を招くことはな
く、また、第３図によるDROについてFET２を
半田付けした後に実施するPWB１表面の手直し
作業に比べて大幅に時間の短い作業であり、
DRO全体としての組立時間が短縮されることな
り、製造コストが改善される。 Solder resist 6 is widely used for PWB 1 other than those used in the microwave band, and application of solder resist 6 is a standard operation in this manufacturing process. It does not increase costs, and it is a much shorter work than reworking the surface of PWB 1, which is done after soldering FET 2 for DRO shown in Figure 3.
Assembly time for the entire DRO will be shortened, improving manufacturing costs.
なお、上記実施例ではFET２のゲート電極５
ａとソース電極５ｂとにレゾネータ４を結合させ
たDROを示したが、DROとしてはドレイン電極
５ｃとソース電極５ｂとにレゾネータ４を結合さ
せるものであつてもよく、PWB１上に構成され
たOSCであり、金属パターン３ａ〜３ｄのいず
れかとレゾネータ４とを結合させたDROであれ
ば、上記実施例と同様の効果を奏する。 In addition, in the above embodiment, the gate electrode 5 of FET2
Although the DRO is shown in which the resonator 4 is coupled to the drain electrode 5c and the source electrode 5b, the DRO may be one in which the resonator 4 is coupled to the drain electrode 5c and the source electrode 5b, and the OSC configured on the PWB 1 Therefore, if the DRO is a DRO in which one of the metal patterns 3a to 3d and the resonator 4 are combined, the same effects as in the above embodiment can be achieved.
また、金属パターン３ａ，３ｂの表面に塗布さ
れる樹脂はソルダレジスト６だけに限らず、塗布
時液状で塗布後固化し半田の溶融温度に耐え、か
つ金属パターン３ａおよび３ｂの表面を一様に覆
い、レゾネータ４と金属パターン３ａ，３ｂとが
均等に接触できるようになるものであれば、他の
誘電体損失の少ない誘電体膜であつてもよく、上
記実施例と同様の効果が得られる。 Furthermore, the resin applied to the surfaces of the metal patterns 3a and 3b is not limited to the solder resist 6; it is liquid at the time of application, solidifies after application, withstands the melting temperature of the solder, and uniformly coats the surfaces of the metal patterns 3a and 3b. Any other dielectric film with less dielectric loss may be used as long as it allows uniform contact between the resonator 4 and the metal patterns 3a, 3b, and the same effect as in the above embodiment can be obtained. .
以上のように、この考案によれば、レゾネータ
と金属パターンとの接触状態が改善され電気的な
結合が安定になるので、DROとして安定な発振
出力が得られ、かつ、PWB表面の手直し作業が
不要になるので、組立時間が短縮できるものが得
られる効果がある。
As described above, according to this invention, the contact condition between the resonator and the metal pattern is improved and the electrical coupling becomes stable, so a stable oscillation output can be obtained as a DRO, and the rework of the PWB surface can be avoided. Since this is not necessary, the assembly time can be reduced.
第１図はこの考案の一実施例による誘電体共振
器装荷型発振器の一部を示す斜視図、第２図は第
１図に示した誘電体共振器装荷型発振器の要部断
面図、第３図は従来の誘電体共振器装荷型発振器
の一部を示す斜視図、第４図は第３図に示した誘
電体共振器装荷型発振器の要部断面図、第５図は
第３図に示した誘電体共振器装荷型発振器におけ
る不都合な状態を示す要部断面図である。
１はプリント基板PWB、２は電界効果型トラ
ンジスタFET、３ａ〜３ｄは金属パターン、４
は誘電体共振器（レゾネータ）、５ａ〜５ｃは電
極、６は誘電体膜（ソルダレジスト）。なお、図
中、同一符号は同一または相当部分を示す。
FIG. 1 is a perspective view showing a part of a dielectric resonator-loaded oscillator according to an embodiment of the invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of essential parts of the dielectric resonator-loaded oscillator shown in FIG. 3 is a perspective view showing a part of a conventional dielectric resonator-loaded oscillator, FIG. 4 is a cross-sectional view of the main part of the dielectric resonator-loaded oscillator shown in FIG. 3, and FIG. FIG. 3 is a sectional view of a main part showing an inconvenient state in the dielectric resonator-loaded oscillator shown in FIG. 1 is a printed circuit board PWB, 2 is a field effect transistor FET, 3a to 3d are metal patterns, 4
5 is a dielectric resonator (resonator), 5a to 5c are electrodes, and 6 is a dielectric film (solder resist). In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
この金属パターン上に電極が半田付けされたトラ
ンジスタとを備え、上記プリント基板上に上記金
属パターンと電気的に結合するように誘電体共振
器を装荷した誘電体共振器装荷型発振器におい
て、上記誘電体共振器と上記金属パターンとを、
この金属パターンの一部の上に塗布された、塗布
時液状で塗布後固化し半田の溶融温度に耐え得る
誘電体膜を介して電気的に結合させたことを特徴
とする誘電体共振器装荷型発振器。 A metal pattern configured on a printed circuit board,
In the dielectric resonator-loaded oscillator, the dielectric resonator-loaded oscillator includes a transistor having an electrode soldered on the metal pattern, and a dielectric resonator is loaded on the printed circuit board so as to be electrically coupled to the metal pattern. The body resonator and the metal pattern,
A dielectric resonator is applied on a part of the metal pattern, and is electrically coupled to the dielectric film through a dielectric film that is liquid at the time of application, solidifies after application, and can withstand the melting temperature of the solder. type oscillator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985108351U JPH055689Y2 (en) | 1985-07-15 | 1985-07-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985108351U JPH055689Y2 (en) | 1985-07-15 | 1985-07-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6217204U JPS6217204U (en) | 1987-02-02 |
| JPH055689Y2 true JPH055689Y2 (en) | 1993-02-15 |
Family
ID=30985466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985108351U Expired - Lifetime JPH055689Y2 (en) | 1985-07-15 | 1985-07-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH055689Y2 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5081043A (en) * | 1973-11-08 | 1975-07-01 | ||
| JPS5384446A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Fujitsu Ltd | Stabilizing oscillator of dielectric resonator |
| JPS53134350A (en) * | 1977-03-01 | 1978-11-22 | Western Electric Co | Microwave oscillator |
-
1985
- 1985-07-15 JP JP1985108351U patent/JPH055689Y2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPS5081043A (en) * | 1973-11-08 | 1975-07-01 | ||
| JPS5384446A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Fujitsu Ltd | Stabilizing oscillator of dielectric resonator |
| JPS53134350A (en) * | 1977-03-01 | 1978-11-22 | Western Electric Co | Microwave oscillator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6217204U (en) | 1987-02-02 |
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