JPH0555279A - Manufacture of semiconductor - Google Patents
Manufacture of semiconductorInfo
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- JPH0555279A JPH0555279A JP3244395A JP24439591A JPH0555279A JP H0555279 A JPH0555279 A JP H0555279A JP 3244395 A JP3244395 A JP 3244395A JP 24439591 A JP24439591 A JP 24439591A JP H0555279 A JPH0555279 A JP H0555279A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体の製造方法に係
り、特にダイボンド工程からモールド工程まで連続した
一貫製造ラインによる半導体の製造方法に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor by a continuous integrated production line from a die bonding process to a molding process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種の半導体の製造方法は、図
５に示されている工程を経て成されている。2. Description of the Related Art Conventionally, this type of semiconductor manufacturing method has been performed through the steps shown in FIG.
【０００３】図示されているように、先ず半導体はダイ
ボンド工程１に投入され、ダイボンダーでリードフレー
ム上等にダイボンディングされる。As shown in the figure, first, a semiconductor is put into a die bonding step 1 and die-bonded on a lead frame or the like with a die bonder.
【０００４】次に、ダイボンディングされた半導体は接
着剤硬化工程２に移送され、キュア炉内で接着剤が硬化
される。Next, the die-bonded semiconductor is transferred to an adhesive curing step 2 and the adhesive is cured in a curing oven.
【０００５】そして、接着剤の硬化した半導体はワイヤ
ーボンド工程３に移送され、ワイヤーボンダーでワイヤ
ーボンディングされる。Then, the semiconductor in which the adhesive is hardened is transferred to a wire bonding step 3 and wire bonded by a wire bonder.
【０００６】その後、ワイヤーボンディングされた半導
体はモールド工程４に移送され、モールド装置でワイヤ
ごと樹脂封止される。Thereafter, the wire-bonded semiconductor is transferred to a molding step 4 and is resin-sealed together with the wire in a molding device.
【０００７】このように従来の半導体の製造方法は、ダ
イボンド工程からモールド工程まで連続した一貫製造ラ
インにより成されており、製造機種を限定して各製造装
置をライン化し、タクトバランスのみを考慮してライン
化を行っている。作業時間では、ダイボンド工程１，接
着剤硬化工程２及びワイヤーボンド工程３が４：２：１
になるタクトバランスを考慮したライン設計がなされて
いた。As described above, the conventional semiconductor manufacturing method comprises a continuous integrated manufacturing line from the die-bonding process to the molding process. The manufacturing models are limited and each manufacturing device is lined up. Only the tact balance is considered. The line has been created. In the working time, the die bonding process 1, the adhesive curing process 2 and the wire bonding process 3 are 4: 2: 1.
The line design was made in consideration of the tact balance.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な半導体の製造方法は、近年の半導体のピン数，厚さ，
大きさ等の多様化により、上記モールド工程４に使用さ
れるモールド装置を多機種の半導体に対応させなければ
ならなくなってきた。By the way, the semiconductor manufacturing method as described above has been required in the recent semiconductor pin count, thickness,
Due to the diversification of size and the like, it has become necessary to adapt the molding apparatus used in the molding step 4 to various types of semiconductors.
【０００９】しかし、従来の半導体の製造方法にあって
は、ダイボンド工程からモールド工程まで連続した一貫
製造ラインにより特定機種の製造を行っており、特にモ
ールド工程４の金型でライン規制を受けるシステムにな
っているため、多機種に対応し難く、対応させるために
は多大な設備費を必要とするという問題があった。However, in the conventional semiconductor manufacturing method, a specific model is manufactured by a continuous integrated manufacturing line from the die-bonding process to the molding process, and in particular, the system subject to the line regulation by the mold in the molding process 4. Therefore, there is a problem in that it is difficult to support a large number of models and a large amount of equipment cost is required to support it.
【００１０】本発明の目的は、上記課題に鑑み、多大な
設備費を必要とせず、多機種の半導体の製造に対応する
ことができる、半導体の製造方法を提供するにある。In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing method which does not require a large equipment cost and can be applied to the manufacture of multiple types of semiconductors.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明に係
る半導体の製造方法によれば、ダイボンド工程を行うダ
イボンダーと、接着剤硬化工程を行うキュア炉と、ワイ
ヤーボンド工程を行うワイヤーボンダーと、モールド工
程を行うモールド装置とを順に備えた製造ラインにより
成される半導体の製造方法において、上記モールド装置
の前にバッファーストッカーを介設して、上記ダイボン
ド工程，接着剤硬化工程及びワイヤーボンド工程を経た
半導体をストックし、且つ、取り出せるようにしたこと
により、達成される。According to the semiconductor manufacturing method of the present invention, the above object is to provide a die bonder for performing a die bonding step, a curing furnace for performing an adhesive curing step, and a wire bonder for performing a wire bonding step. In a method for manufacturing a semiconductor, which is formed by a manufacturing line sequentially including a molding device that performs a molding process, a buffer stocker is provided in front of the molding device, and the die bonding step, the adhesive curing step, and the wire bonding step. This is achieved by stocking and removing semiconductors that have passed through.
【００１２】[0012]
【作用】上記構成によれば、上記バッファーストッカー
がモールド装置の前に介設され、該バッファーストッカ
ーに上記ダイボンド工程，接着剤硬化工程及びワイヤー
ボンド工程を経た半導体をストックし、且つ、適宜取り
出せる。According to the above construction, the buffer stocker is provided in front of the molding device, and the semiconductors which have undergone the die bonding step, the adhesive curing step and the wire bonding step can be stocked in the buffer stocker and taken out appropriately.
【００１３】従って、ダイボンド工程からワイヤーボン
ド工程までを終了した半導体をバッファーストッカーに
ストックしたり、該バッファーストッカーから製作予定
品をモールド工程を行うモールド装置に移送したり、或
いは、全ラインを稼動させたときにはタクトバランスを
保持するために上記バッファーストッカーを活用するこ
とができる。Therefore, the semiconductors that have undergone the die-bonding process to the wire-bonding process are stocked in a buffer stocker, the products to be manufactured are transferred from the buffer stocker to a molding apparatus for performing a molding process, or all lines are operated. In this case, the buffer stocker can be used to maintain the tact balance.
【００１４】これにより、モールド工程の金型でライン
規制を受けることがないので、多大な設備費を必要とせ
ず、多機種の半導体の製造に対応することができるもの
である。As a result, since the mold in the molding process is not subject to line regulation, a large amount of equipment cost is not required, and it is possible to cope with the manufacture of various types of semiconductors.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、本発明に係る半導体の製造方法の好適
一実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１に
示されているように、本実施例の半導体の製造方法を行
う製造ラインは、ダイボンド工程１１を行うダイボンダ
ーと、接着剤硬化工程１２を行うキュア炉と、ワイヤー
ボンド工程１３を行うワイヤーボンダーと、これらダイ
ボンド工程１１，接着剤硬化工程１２及びワイヤーボン
ド工程１３を経た半導体をストックし、且つ、適宜取り
出せるバッファーストッカー１５と、モールド工程１４
を行うモールド装置とが順に備えられている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred embodiment of a semiconductor manufacturing method according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. As shown in FIG. 1, the manufacturing line for performing the semiconductor manufacturing method of the present embodiment includes a die bonder for performing a die bonding step 11, a curing furnace for performing an adhesive curing step 12, and a wire for performing a wire bonding step 13. A bonder, a buffer stocker 15 for stocking and appropriately taking out the semiconductor that has undergone the die bonding process 11, the adhesive curing process 12, and the wire bonding process 13, and a molding process 14.
And a molding device for performing the above.
【００１６】このように構成された製造ラインを使用し
て本実施例の半導体の製造方法は、先ず、半導体がダイ
ボンド工程１１に投入され、ダイボンダーでリードフレ
ーム上等にダイボンディングされる。In the semiconductor manufacturing method of this embodiment using the manufacturing line configured as described above, first, the semiconductor is put into the die bonding step 11 and die-bonded on a lead frame or the like by a die bonder.
【００１７】次に、ダイボンディングされた半導体は接
着剤硬化工程１２に移送され、キュア炉内で接着剤が硬
化される。Next, the die-bonded semiconductor is transferred to the adhesive curing step 12, and the adhesive is cured in the curing oven.
【００１８】そして、接着剤の硬化した半導体はワイヤ
ーボンド工程１３に移送され、ワイヤーボンダーでワイ
ヤーボンディングされる。Then, the semiconductor in which the adhesive is hardened is transferred to the wire bonding step 13 and wire bonded by a wire bonder.
【００１９】その後、これらダイボンド工程１１，接着
剤硬化工程１２及びワイヤーボンド工程１３を経た半導
体は、上記バッファーストッカー１５にストックされた
り、該バッファーストッカー１５から適宜取り出された
りする。After that, the semiconductors that have undergone the die bonding step 11, the adhesive curing step 12 and the wire bonding step 13 are stocked in the buffer stocker 15 or taken out from the buffer stocker 15 as appropriate.
【００２０】上記バッファーストッカー１５から取り出
された半導体はモールド工程１４に移送され、モールド
装置でワイヤごと樹脂封止される。The semiconductor taken out from the buffer stocker 15 is transferred to the molding step 14 and is resin-sealed together with the wire in the molding device.
【００２１】次に、上記実施例における作用を述べる。
上述したように、上記バッファーストッカー１５がモー
ルド装置の前に介設され、該バッファーストッカー１５
に上記ダイボンド工程１１，接着剤硬化工程１２及びワ
イヤーボンド工程１３を経た半導体がストックされ、且
つ、適宜取り出される。Next, the operation of the above embodiment will be described.
As described above, the buffer stocker 15 is provided in front of the molding device, and
The semiconductors that have undergone the die-bonding step 11, the adhesive-curing step 12 and the wire-bonding step 13 are stocked and properly taken out.
【００２２】従って、次の三通りのライン活用を行うこ
とができる。即ち、第１のライン活用方法は、図２に示
されているように、ダイボンド工程１１からワイヤーボ
ンド工程１３までを終了した半導体をバッファーストッ
カー１５にストックしてライン活用する。Therefore, the following three types of line utilization can be performed. That is, in the first line utilization method, as shown in FIG. 2, the semiconductor that has completed the die bonding process 11 to the wire bonding process 13 is stocked in the buffer stocker 15 and utilized in the line.
【００２３】また、第２のライン活用方法は、図３に示
されているように、上記バッファーストッカー１５から
製作予定品をモールド工程１４を行うモールド装置に移
送してライン活用する。In the second line utilization method, as shown in FIG. 3, the product to be manufactured is transferred from the buffer stocker 15 to a molding device for carrying out the molding step 14 for line utilization.
【００２４】さらに、第３のライン活用方法は、図４に
示されているように、全ラインを稼動させたときにはタ
クトバランスを保持するために上記バッファーストッカ
ー１５を活用するものである。Further, as shown in FIG. 4, the third line utilization method is to utilize the buffer stocker 15 in order to maintain the tact balance when all the lines are operated.
【００２５】以上のように、モールド工程１４の金型で
ライン規制を受けることがないので、多大な設備費を必
要とせず、多機種の半導体の製造に対応することができ
るものである。As described above, since the mold in the molding step 14 is not subject to line regulation, a large amount of equipment cost is not required and it is possible to cope with the manufacture of various types of semiconductors.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上述べたように本発明に係る半導体の
製造方法によれば、多大な設備費を必要とせず、多機種
の半導体の製造に対応することができる、という優れた
効果を発揮する。As described above, according to the semiconductor manufacturing method of the present invention, it is possible to cope with the manufacturing of various types of semiconductors without requiring a large equipment cost. To do.
【図１】本発明に係る半導体の製造方法に使用する製造
ラインを示す系統図である。FIG. 1 is a system diagram showing a manufacturing line used in a method for manufacturing a semiconductor according to the present invention.
【図２】本発明に係る半導体の製造方法における第１の
ライン活用方法を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic view showing a first line utilization method in a semiconductor manufacturing method according to the present invention.
【図３】本発明に係る半導体の製造方法における第２の
ライン活用方法を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic view showing a second line utilization method in the semiconductor manufacturing method according to the present invention.
【図４】本発明に係る半導体の製造方法における第３の
ライン活用方法を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic view showing a third line utilization method in the semiconductor manufacturing method according to the present invention.
【図５】従来の半導体の製造方法に使用されていた製造
ラインを示す系統図である。FIG. 5 is a system diagram showing a manufacturing line used in a conventional semiconductor manufacturing method.
１１ ダイボンド工程 １２ 接着剤硬化工程 １３ ワイヤーボンド工程 １４ モールド工程 １５ バッファーストッカー 11 Die Bonding Process 12 Adhesive Curing Process 13 Wire Bonding Process 14 Molding Process 15 Buffer Stocker
Claims (1)
接着剤硬化工程を行うキュア炉と、ワイヤーボンド工程
を行うワイヤーボンダーと、モールド工程を行うモール
ド装置とを順に備えた製造ラインにより成される半導体
の製造方法において、上記モールド装置の前にバッファ
ーストッカーを介設して、上記ダイボンド工程，接着剤
硬化工程及びワイヤーボンド工程を経た半導体をストッ
クし、且つ、取り出せるようにしたことを特徴とする、
半導体の製造方法。1. A die bonder for performing a die bonding step,
In a semiconductor manufacturing method comprising a curing furnace for performing an adhesive curing step, a wire bonder for performing a wire bonding step, and a molding device for sequentially performing a molding step, a buffer stocker is provided before the molding apparatus. The semiconductor that has undergone the die bonding step, the adhesive curing step, and the wire bonding step is stocked through, and is made to be taken out,
Semiconductor manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3244395A JPH0555279A (en) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | Manufacture of semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3244395A JPH0555279A (en) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | Manufacture of semiconductor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555279A true JPH0555279A (en) | 1993-03-05 |
Family
ID=17118040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3244395A Pending JPH0555279A (en) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | Manufacture of semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555279A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002103763A1 (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-27 | Renesas Technology Corp. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8253367B2 (en) | 2010-01-15 | 2012-08-28 | Panasonic Corporation | Control apparatus, control method, and control program for elastic actuator drive mechanism |
| US8650868B2 (en) | 2010-12-17 | 2014-02-18 | Panasonic Corporation | Control apparatus, control method, and control program for elastic actuator drive mechanism |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP3244395A patent/JPH0555279A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002103763A1 (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-27 | Renesas Technology Corp. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US7076317B2 (en) | 2001-06-14 | 2006-07-11 | Renesas Technology Corp. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8253367B2 (en) | 2010-01-15 | 2012-08-28 | Panasonic Corporation | Control apparatus, control method, and control program for elastic actuator drive mechanism |
| US8650868B2 (en) | 2010-12-17 | 2014-02-18 | Panasonic Corporation | Control apparatus, control method, and control program for elastic actuator drive mechanism |
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