JPH0555167A

JPH0555167A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0555167A
Application number: JP21569691A
Authority: JP
Inventors: Koji Urabe; 耕児占部
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1991-08-28
Filing date: 1991-08-28
Publication date: 1993-03-05

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】電解メッキによる半導体装置の金属配線形成に
おいて、層間接続孔の微細化に伴うメッキ膜の段差被覆
性の低下を防ぐ。【構成】層間接続孔１０４を開口し、スパッタ法を用い
てバリヤメタルとしての第１金属膜１０５および電解メ
ッキの下地としての第２金属膜１０６を形成した後、プ
ラズマＣＶＤ法を用いて絶縁膜１０７を形成する。層間
接続孔側壁部の絶縁膜１０７ａ，第２金属膜１０６およ
び底部の絶縁膜１０７ｂを除去し、接続孔底部の第２金
属膜１０６を露出させ、電解メッキ法により層間接続孔
のみをメッキ膜で埋設する。【効果】層間接続孔に電解メッキを施し金属配線の被覆
性を大幅に向上させることにより、多層配線に於ける接
続抵抗を低減でき、接続孔の上下接続の容易な、安定し
た特性と高い長期信頼性を有する金属配線を形成できる
効果を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電解メッキによる半導
体装置の金属配線形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体装置の金属配線形成方法
は、図１２に示す通り、Ｐ型あるいはＮ型の半導体基板
１０１上に、既知の手法であるＣＶＤ技術，フォトリソ
グラフィー技術，ドライエッチング技術，イオン注入技
術，熱拡散技術等を用いて、半導体基板１０１上に、半
導体基板とは異なる導電機構を有する拡散層１０２，シ
リコン酸化膜あるいはシリコン酸化膜にリンやボロンが
添加されているＰＳＧ，ＢＰＳＧより構成される厚さ
０．５〜１．０μｍの層間絶縁膜１０３、０．４〜１．
０μｍ径の層間接続孔１０４より構成される構造を形成
する。

【０００３】さらに、拡散層と上層に形成される金属配
線の間の原子拡散の抑制による耐熱性の向上およびメッ
キ時のメッキ電流供給を目的として、タングステンにチ
タンが５〜１０％添加されたチタンタングステン合金あ
るいはチタンと窒化チタンの２層より構成される第１金
属膜１０５を、既知の技術であるＤ．Ｃ．マグネトロン
スパッタ法を用いて成膜パワー１．０〜５．０ｋＷ、成
膜圧力２〜１０ｍＴｏｒｒとし、０．０５〜０．２μｍ
の厚みで、層間絶縁膜１０３、拡散層１０２上に形成す
る。続いて、メッキ法により金属配線を形成する際の第
１金属膜１０５表面のメッキ液からの保護、密着性の改
善、メッキ電流の供給を目的として、金，白金，パラジ
ウム等より構成される第１金属膜１０６を、Ｄ．Ｃ．マ
グネトロンスパッタ法を用いて成膜パワー０．５〜１．
０ｋＷ、成膜圧力２〜１０ｍＴｏｒｒの条件の下、０．
０１〜０．１μｍの厚みで第１金属膜１０５上に形成す
る。

【０００４】さらに図１３のごとく、フォトリソグラフ
ィー技術を用いてポジタイプフォトレジストより構成さ
れる配線形成用マスク１０９を１．０〜２．０μｍの厚
みで第２金属膜１０６上に選択的に形成し、硫酸金ナト
リウム，硫酸，燐酸等により構成される電解金メッキ液
を用い、第１金属膜１０６を陰極、白金あるいはチタン
に白金を被覆したメッシュ状電極を陽極として通電し、
メッキ温度６０℃、電流密度１〜４ｍＡ／ｃｍ²の条件
の下で電解金メッキを行い、金より構成される低い電気
抵抗を有する第４金属膜１１０を０．５〜２．０μｍの
厚みで選択的に形成し、さらに有機溶剤を用いて配線形
成用マスク膜１０９を除去する。第４金属膜１１０は配
線全体の電気抵抗の低減を目的として形成されるもので
ある。

【０００５】続いて図１４に示す通り、アルゴンガスを
ソースとしたミリング法、ＣＦ₄，ＳＦ₆をエッチング
ガスとした反応性イオンエッチング法により、第４金属
膜１１０をエッチングマスクとして下層の第１金属膜１
０５および第２金属膜１０６の不要部分のみを除去し
て、第１金属膜層１０５，第２金属膜１０６，第４金属
膜１１０より構成される半導体集積回路装置の金属配線
を形成していた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置の金属配線の形成方法は、以下に示す欠点がある。

【０００７】層間接続孔の微細化にともない、金メッキ
液が入りにくくなり接続孔底部からのメッキ金属膜の成
長が阻害されることにより金メッキ膜の段差被覆性は低
下し、層間接続抵抗値が上昇したりエレクトロマイグレ
ーションやストレスマイグレーションによる断線が発生
しやすくなるため金属配線の安定した良好な電気特性や
高い長期信頼性が得にくい。したがって高い長期信頼性
と安定した特性を有する半導体装置を得にくくなり、さ
らにその製造過程での高い歩留りは実現できない。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の金属配線形成方
法は、下層に拡散層あるいは配線が存在する層間絶縁膜
に層間接続孔を開孔する工程と、層間絶縁膜上に第１金
属膜および第２金属膜を形成する工程と、第２金属膜上
に絶縁膜を形成する工程と、層間接続孔側壁部に存在す
る絶縁膜および第２金属膜を除去する工程と、層間接続
孔底部に存在する絶縁膜を除去する工程と、電解メッキ
を施し第３金属膜により層間接続孔部分のみを選択的に
埋設する工程と、絶縁膜を除去する工程と、第２金属膜
上に配線形成用マスク膜を形成する工程と、電解メッキ
を行い第４金属膜により選択的に配線形成する工程と、
第１金属膜および第２金属膜の不要部分のみを除去して
金属配線を形成する工程を有する。

【０００９】また、第３金属膜により層間接続孔部分の
みを選択的に埋設する工程に続いて、絶縁膜上に配線形
成用マスク膜を形成し、配線形成領域に存在する絶縁膜
のみを除去する工程と、電解メッキを行い第４金属膜に
より選択的に配線形成する工程と、配線形成用マスク膜
および絶縁膜を除去する工程と、第１金属膜および第２
金属膜の不要部分のみを除去して金属配線を形成する工
程を有してもよい。

【００１０】以上に述べた手段は、層間接続孔底部にの
みメッキ金属膜の下地膜が露出しておりメッキ金属膜が
底部から開口部に向かって一方向に成長するため、層間
接続部の段差被覆性を大幅に向上させる作用を持つ。

【００１１】

【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。

【００１２】図１に示す通り、Ｐ型あるいはＮ型の半導
体基板１０１上に、既知の手法であるＣＶＤ技術，フォ
トリソグラフィー技術，ドライエッチング技術，イオン
注入技術，熱拡散技術等を用いて、半導体基板１０１上
に、半導体基板とは異なる導電機構を有する拡散層１０
２，シリコン酸化膜あるいはシリコン酸化膜にリンやボ
ロンが添加されているＰＳＧ，ＢＰＳＧより構成される
厚さ０．５〜１．０μｍの層間絶縁膜１０３，０．４〜
１．０μｍ径の層間接続孔１０４より構成される構造を
形成する。

【００１３】さらに、拡散層と上層に形成される金属配
線の間の原子拡散の抑制による耐熱性の向上およびメッ
キ時のメッキ電流供給を目的として、タングステンにチ
タンが５〜１０％添加されたチタンタングステン合金あ
るいはチタンと窒化チタンの２層より構成される第２金
属膜１０５を、既知の技術であるＤ．Ｃ．マグネトロン
スパッタ法を用いて成膜パワー１．０〜５．０ｋＷ、成
膜圧力２〜１０ｍＴｏｒｒとし、０．０５〜０．２μｍ
の厚みで、層間絶縁膜１０３，拡散層１０２上に形成す
る。続いて、メッキ法により金属配線を形成する際の第
１金属膜１０５表面のメッキ液からの保護、密着性の改
善、メッキ電流の供給を目的として、金，白金，パラジ
ウム等より構成される第２金属膜１０６を、Ｄ．Ｃ．マ
グネトロンスパッタ法を用いて成膜パワー０．５〜１．
０ｋＷ、成膜圧力２〜１０ｍＴｏｒｒの条件の下、０．
０１〜０．１μｍの厚みで第１金属膜１０５上に形成す
る。

【００１４】続いて図２に示す通り、プラズマＣＶＤ法
を用いてＳｉＨ₄，Ｎ₂Ｏ，ＮＨ₄，Ｎ₂等を原料ガス
として用い、ＲＦパワー０．５〜１．０ｋＷ、成膜圧力
０．１〜１０Ｔｏｒｒの条件のもと、シリコン酸化膜あ
るいはシリコン窒化膜等より構成される絶縁膜１０７を
０．１〜．５μｍの厚みで形成する。図３に示す通り、
プラズマＣＶＤ法により形成されさ絶縁膜側壁部１０７
ａは平坦部に比べて膜厚が薄く膜質が疎であることを利
用し、フッ酸，バッファードフッ酸あるいは熱リン酸等
の溶液中で等方性エッチングを施すことにより、選択的
に絶縁膜側壁部１０７ａを除去する。図４に示す通り、
メッキ金属膜による接続孔の埋設工程に於て側壁からの
成長を防ぐために第２金属膜１０６の接続孔側壁部分を
王水により除去する。さらに図５に示す通り、層間接続
孔上端部分の絶縁膜がオーバーハング形状であり、平坦
部に比べて絶縁膜底部の膜厚が薄いことを利用し、ＣＦ
₄，ＳＦ₆等をエッチングガスとして異方性ドライエッ
チングを施すことにより、絶縁膜底部１０７ｂのみを除
去し、接続孔底部の第２金属膜１０６を露出させる。

【００１５】続いて図６に示すように、第２金属膜１０
６を陰極、メッシュ状のチタン板の表面部に白金を被覆
した金属電極板を陽極として、６０℃程度に恒温保持さ
れた例えば亜硫酸金塩などで構成される電解金メッキ液
と接触させ、陰極両極間にバイアスを印加・通電するこ
とにより、第３金属膜１０８を絶縁膜１０７の存在しな
い微細な層間接続孔底部の第２金属膜１０６上から０．
５〜１．０μｍの厚みで開口部に向かって一方向に成長
させる。この際、メッキ温度，通電量，印加電圧値およ
び印加波形等のメッキ条件を変化させる事により微細な
層間接続孔への第３金属膜１０８の埋め込み量，埋め込
み形状を制御する事が出来るが、標準的なメッキ条件は
温度６０℃，電流密度１〜４ｍＡ／ｃｍ²となる。

【００１６】続いて図７に示す通り、絶縁膜１０７を全
面的に除去し、既知の手法であるフォトリソグラフィー
技術，ドライエッチング技術を用いてフォトレジスト，
シリコン酸化膜，あるいはシリコン窒化膜等より構成さ
れる配線形成用マスク１０９を０．５〜２．０μｍの厚
みで第２金属膜１０６上に選択的に形成し、第３金属膜
１０８と同様に電解メッキ法を用いて、第４金属膜１１
０を配線形成用マスク１０９の存在しない第２金属膜１
０６及び第３金属膜１０８上にのみ選択的に０．５〜
１．０μｍの厚みで形成する。

【００１７】続いて図８のごとく、有機溶剤を用いた剥
離法あるいは酸素プラズマを用いたアッシング法等の既
知の手法を用いて配線形成用マスク１０９を除去し、さ
らに第４金属膜１１０をエッチングマスク、ＳＦ₆，Ｃ
Ｆ₄，ＣＣｌ₄，ＢＣｌ₃等をエッチングガスとして既
知の手法であるドライエッチング法を用いてエッチバッ
クを行い、第１金属膜１０５および第２金属膜の不要部
分を除去して、第１金属膜１０５，第２金属膜１０６，
第３金属膜１０８および第４金属膜１１０より構成され
る金属配線を形成する。

【００１８】このような金属配線の形成方法において
は、層間接続孔底部にのみメッキ金属膜の下地膜が露出
しておりメッキ金属膜が底部から開口部に向かって一方
向に成長するため、層間接続孔をメッキ金属膜により平
坦に埋設する事が可能となり従来より接続抵抗が低く、
信頼性が高く、上下接続孔の連結の容易な配線構造が得
られる。

【００１９】本発明の半導体装置の金属配線形成方法
は、モス，バイポーラ等の半導体集積回路装置の種類に
かかわらず適応可能である事は言うまでもない。

【００２０】続いて本発明の他の実施例を図面を参照し
て説明する。

【００２１】図９に示す通り、実施例１と同様の手法お
よび材料を用いて、半導体基板１０１上に、半導体基板
とは異なる導電機構を有する拡散層１０２，シリコン酸
化膜あるいはシリコン酸化膜にリンやボロンが添加され
ているＰＳＧ，ＢＰＳＧより構成される厚さ０．５〜
１．０μｍの層間絶縁膜１０３，０．４〜１．０μｍ径
の層間接続孔１０４、第１金属膜１０５および第２金属
膜１０６より構成される構造を形成し、続いて絶縁膜１
０７を形成し、絶縁膜側壁部１０７ａ，第２金属膜１０
６の側壁部および絶縁膜底部１０７ｂを選択的に除去し
た後、電解メッキにより第３金属膜１０８を実施例１と
同様の厚みで形成する。

【００２２】続いて、図１０に示す通り、絶縁膜１０７
を除去する事なく配線形成用マスク膜１０８を形成し、
配線形成部分の絶縁膜をドライエッチにより除去し、露
出した第１金属膜層１０５上に電解メッキにより０．５
〜１．０μｍの第３金属膜１０９を形成する。この際、
第１金属膜層１０５上ではなく絶縁膜１０７上でフォト
リソグラフィ工程を施すため、露光に於ける第２金属膜
１０６からの反射の影響が低減されるため良好な配線形
状を得ることが可能となる。

【００２３】さらに図１１に示す通り、有機溶剤を用い
た剥離法あるいは酸素プラズマを用いたアッシング法等
の既知の手法を用いて配線形成用マスク膜１０９を除去
し、絶縁膜１０６を全面的に除去した後にＡｒをミリン
グソースとしたイオンミリング法、ＣＦ₄，ＳＦ₆，Ｃ
Ｆ₄等をエッチングガスとした既知の手法であるドライ
エッチング法を用いてエッチバックを行い、第１金属膜
１０５および第２金属膜１０６の不要部分を除去して、
第１金属膜層１０５，第２金属膜１０６，第３金属膜１
０８および第４金属膜１１０より構成される金属配線を
形成する。

【００２４】このような金属配線の形成方法において
は、層間接続孔底部だけにメッキ金属膜の下地膜が露出
しておりメッキ金属膜が底部から開口部に向かって一方
向に成長するため、層間接続孔をメッキ金属膜により平
坦に埋設する事が可能となり従来より接続抵抗が低く、
信頼性が高く、上下接続孔の連結の容易な配線構造が得
られる。

【００２５】本発明の半導体装置の金属配線形成方法
は、モス，バイポーラ等の半導体集積回路装置の種類に
かかわらず適応可能である事は言うまでもない。

【００２６】図１５から図１７はさらに他の実施例を示
すものである。図１５に示す通り、Ｐ型あるいはＮ型の
半導体基板２０１上に、既知の手法であるＣＶＤ技術，
フォトリソグラフィー技術，ドライエッチング技術，イ
オン注入技術，熱拡散技術等を用いて、半導体基板２０
１上に、半導体基板とは異なる導電機構を有する拡散層
２０２，シリコン酸化膜あるいはシリコン酸化膜にリン
やボロンが添加されているＰＳＧ，ＢＰＳＧより構成さ
れる厚さ０．５〜１．０μｍの層間絶縁膜２０３、０．
４〜１．０μｍ径の層間接続孔２０４より構成される構
造を形成する。

【００２７】さらに、拡散層と上層に形成される金属配
線の間の原子拡散の抑制による耐熱性の向上およびメッ
キ時のメッキ電流供給を目的として、タングステンにチ
タンが５〜１０％添加されたチタンタングステン合金よ
り構成される第２金属膜２０５を、既知の技術である
Ｄ．Ｃ．マグネトロンスパッタ法を用いて成膜パワー
１．０〜５．０ｋＷ、成膜圧力２〜１０ｍＴｏｒｒと
し、０．０５〜０．２μｍの厚みで、層間絶縁膜２０
３，拡散層２０２上に形成する。続いて、メッキ法によ
り層間接続孔に金属配線を形成する際の密着性の改善、
メッキ電流の供給を目的とし、第１金属膜２０５よりス
パッタ率の大きい金を第２金属膜２０６として、Ｄ．
Ｃ．マグネトロンスパッタ法を用いて成膜パワー０．５
〜１．０ｋＷ、成膜圧力２〜１０ｍＴｏｒｒの条件の
下、０．０１〜０．１μｍの厚みで第１金属膜２０５上
に形成する。

【００２８】続いて、図１６に示すように第１金属膜１
０５と第２金属膜１０６のスパッタ率の差を利用して、
イオンミリングを施すことにより、層間接続孔外部の第
２金属膜２０６を除去する。この際、アルゴンガスを基
板に対して斜めに入射することにより接続孔底部の第２
金属膜２０６は除去されない。

【００２９】続いて図１７に示すように、第２金属膜２
０６を陰極、メッシュ状のチタン板の表面部に白金を被
覆した金属電極板を陽極として、６０℃程度に恒温保持
された例えば亜硫酸金塩などで構成される電解金メッキ
液と接触させ、陰極両極間にバイアスを印加・通電する
ことにより、第３金属膜２０８を層間接続孔内壁部の第
２金属膜２０６から接続孔中心部に向かって成長させ
る。この際、第１金属膜はメッキ電流経路として、第２
金属膜２０６はメッキ金属との密着層としての機能をも
つ。また、メッキ温度，通電量，印加電圧値および印加
波形等のメッキ条件を変化させる事により微細な層間接
続孔への第３金属膜２０８の埋め込み量，埋め込み形状
を制御する事が出来るが、標準的なメッキ条件は温度３
０〜６０℃、電流密度１〜４ｍＡ／ｃｍ²となる。この
ようにして層間接続孔２０４を第３金属膜１０６で埋設
した後、既知の技術を用いて上層配線を形成する。

【００３０】このような金属配線の形成方法において
は、層間接続孔内壁部にのみメッキ金属膜の下地膜が露
出しており上層配線が存在しないため、接続孔開口部で
の上層配線のオーバーハング状の成長の影響を受けな
い。したがって、層間接続孔をメッキ金属膜により平坦
かつボイドを発生させる事なく埋設する事が可能とな
り、従来より接続抵抗が低く、信頼性が高く、上下接続
孔の連結の容易な配線構造が得られる。

【００３１】本発明の半導体装置の金属配線形成方法
は、モス，バイポーラ等の半導体集積回路装置の種類に
かかわらず適応可能である事は言うまでもない。

【００３２】次に、本発明のさらに他の実施例を図１８
−図２０を参照して説明する。

【００３３】図１８に示す通り、本実施例１と同様の手
法および材料を用いて、半導体基板２０１上に、半導体
基板とは異なる導電機構を有する拡散層２０２，シリコ
ン酸あるいはシリコン酸化膜にリンやボロンが添加され
ているＰＳＧ，ＢＰＳＧより構成される厚さ０．５〜
１．０μｍの層間絶縁膜２０３、０．４〜１．０μｍ径
の層間接続孔１０４、第１金属膜２０５および第２金属
膜２０６より構成される構造を形成する。さらに、プラ
ズマＣＶＤ法を用いてＳｉＨ₄，Ｎ₂Ｏ，ＮＨ₄，Ｎ₂
等を原料ガスとして用い、ＲＦパワー０．５〜１．０ｋ
Ｗ、成膜圧力０．１〜１．０ｔｏｒｒの条件のもと、シ
リコン酸化膜より構成される絶縁膜２０７を０．１〜
０．５μｍの厚みで形成する。

【００３４】続いて図１９に示すように、微細な層間接
続孔内部の絶縁膜２０７ａは平坦部に比べて膜厚が薄く
膜質が疎であることを利用し、絶縁膜２０７ａのみをフ
ッ酸あるいはバッファードフッ酸により除去する。

【００３５】続いて図２０に示す通り、層間接続孔内部
にのみ露出した第２金属膜層２０５上に電解メッキによ
り０．５〜１．０μｍの第３金属膜２０８を形成する。
続いて、絶縁膜２０７を全面的に除去する。このように
して層間接続孔２０４を第３金属膜２０６で埋設した
後、既知の技術を用いて上層配線を形成する。

【００３６】このような金属配線の形成方法において
は、層間接続孔内壁部にのみメッキ金属膜の下地膜が露
出しており上層配線が存在しないため、接続孔開口部で
の上層配線のオーバーハング状の成長の影響を受けな
い。したがって、層間接続孔をメッキ金属膜により平坦
に埋設する事が可能となり、従来より接続抵抗が低く、
信頼性が高く、上下接続孔の連結の容易な配線構造が得
られる。

【００３７】本発明の半導体装置の金属配線形成方法
は、モス，バイポーラ等の半導体集積回路装置の種類に
かかわらず適応可能である事は言うまでもない。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
の金属配線形成方法は、層間接続孔をメッキ金属膜によ
り平坦に埋設する事ができるので、多層配線に於ける接
続抵抗を低減でき、接続孔の上下接続の容易な、安定し
た特性と高い長期信頼性を有する金属配線を形成できる
効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明一実施例の製造工程の一部を示す断面図
である。

【図２】一実施例工程の他の一部を示す断面図である。

【図３】一実施例工程のさらに他の一部を示す断面図で
ある。

【図４】一実施例工程のさらに他の一部を示す断面図で
ある。

【図５】一実施例工程のさらに他の一部を示す断面図で
ある。

【図６】一実施例工程のさらに他の一部を示す断面図で
ある。

【図７】一実施例工程のさらに他の一部を示す断面図で
ある。

【図８】一実施例工程のさらに他の一部を示す断面図で
ある。

【図９】他の実施例工程の一部を示す断面図である。

【図１０】他の実施例工程の他の一部を示す断面図であ
る。

【図１１】他の実施例工程のさらに他の一部を示す断面
図である。

【図１２】従来工程の一部を示す断面図である。

【図１３】従来工程の他の一部を示す断面図である。

【図１４】従来工程のさらに他の一部を示す断面図であ
る。

【図１５】さらに他の実施例工程の一部を示す断面図で
ある。

【図１６】本実施例工程の他の一部を示す断面図であ
る。

【図１７】本実施例工程のさらに他の一部を示す断面図
である。

【図１８】さらに別の実施例工程の一部を示す断面図で
ある。

【図１９】本実施例工程の他の一部を示す断面図であ
る。

【図２０】本実施例工程のさらに他の一部を示す断面図
である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電解メッキにより半導体装置の金属配線
を形成する半導体装置の製造方法において、下層に拡散
層あるいは配線が存在する層間絶縁膜に層間接続孔を開
孔する工程と、前記層間絶縁膜上にバリヤメタルとして
の第１金属膜を形成する工程と、前記第１金属膜上にメ
ッキ金属の下地としての第２金属膜を形成する工程と、
前記第２金属膜上に絶縁膜を形成する工程と、層間接続
孔側壁部に存在する前記絶縁膜および前記第２金属膜を
除去する工程と、層間接続孔底部に存在する前記絶縁膜
を除去する工程と、電解メッキを施し第３金属膜により
層間接続孔部分のみを選択的に埋設する工程と、前記絶
縁膜を除去する工程と、第２金属膜上に配線形成用マス
ク膜を形成する工程と、電解メッキを行い第４金属膜に
より選択的に配線形成する工程と、配線形成用マスク膜
を除去する工程と、第１金属膜および第２金属膜の不要
部分のみを除去して金属配線を形成する工程とを有する
事を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】電解メッキにより半導体装置の金属配線
を形成する半導体装置の製造方法において、下層に拡散
層あるいは配線が存在する層間絶縁膜に層間接続孔を開
孔する工程と、前記層間絶縁膜上にバリヤメタルとして
の第１金属膜を形成する工程と、前記第１金属膜上にメ
ッキ金属の下地としての第２金属膜を形成する工程と、
前記第２金属膜上に絶縁膜を形成する工程と、層間接続
孔側壁部に存在する前記絶縁膜および前記第２金属膜を
除去する工程と、層間接続孔底部に存在する前記絶縁膜
を除去する工程と、電解メッキを施し第３金属膜により
層間接続孔部分のみを選択的に埋設する工程と、前記絶
縁膜上に配線形成用マスク膜を形成し、配線形成領域に
存在する前記絶縁膜のみを除去する工程と、電解メッキ
を行い第４金属膜により選択的に配線形成する工程と、
配線形成用マスク膜および前記絶縁膜を除去する工程
と、第１金属膜および第２金属膜の不要部分のみを除去
して金属配線を形成する工程とを有する事を特徴とした
半導体装置の製造方法。
【請求項３】下層に拡散層あるいは配線が存在する層
間絶縁膜に層間接続孔を開孔する工程と、前記層間絶縁
膜上にバリヤメタルとしての第１金属膜を形成する工程
と、前記第１金属膜上にメッキ金属の下地としての第２
金属膜を形成する工程と、平坦部の第２金属膜を除去す
るかあるいは平坦部に絶縁膜を残存させることにより層
間接続孔内部の一部または全部のみに第２金属膜を露出
させる工程と、電解メッキを施し第３金属膜により層間
接続孔部分のみを選択的に埋設する工程と、上層配線を
形成する工程とを有する事を特徴とする半導体装置の製
造方法。