JPH0552635B2 - - Google Patents

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JPH0552635B2
JPH0552635B2 JP24194485A JP24194485A JPH0552635B2 JP H0552635 B2 JPH0552635 B2 JP H0552635B2 JP 24194485 A JP24194485 A JP 24194485A JP 24194485 A JP24194485 A JP 24194485A JP H0552635 B2 JPH0552635 B2 JP H0552635B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
relay
switching means
turned
main relay
current
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP24194485A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62100980A (ja
Inventor
Kosei Ooshima
Hitoshi Kurita
Yasuteru Fujii
Akinori Ootsuka
Takahito Okutsu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、マイクロコンピユーター(以後マイ
コンと略す)等の制御部を備えた加熱装置に関す
るものである。
従来の技術 従来のマイコンを用いた加熱装置について、図
面を用いて説明する。
第4図において、1は加熱を制御するマイコ
ン、2はランプ制御用スイツチング手段、3は第
1のスイツチング手段(以後「メインリレー」と
言う)、4は第2のスイツチング手段(以後「突
入用リレー」と言う)、5はマグネトロン、6は
トランス、7は電源、8は突入防止用抵抗であ
る。
以上のように構成された制御回路について、以
下その動作について説明する。マイコン1からの
信号R1,R2,R3は、それぞれランプ制御用
信号、第1のスイツチング手段を制御する信号
(以後「メインリレー制御信号」と言う)、第2の
スイツチング手段を制御する信号(以後「突入用
リレー制御信号」と言う)である。まず、加熱開
始が制御部に入力されると、ランプ制御用信号
(以後「ランプリレー制御信号」と言う)Highと
なり、ランプ制御用スイツチング手段2が閉じ、
その後に突入用リレー制御信号R3ががHighと
なり、時間T0後、メインリレー制御信号R2が
Highとなる。
突入用リレー制御信号R3がHighとなると抵
孔8と接続された突入用リレー4が閉じ、トラン
ス6へ電流が流れ、トランス6は励磁される。抵
抗8は、トランス6の一次側に電圧が印加された
時、トランス6の一次側への流れ込み電流(以下
「突入電流」と言う)を制御するための抵抗であ
る。突入用リレー4がONしてから時間T0後にメ
インリレー3がONして、トランス6には正規の
電圧が印加され、通常の加熱が開始される。この
突入用リレー4は、突入電流を防ぐ目的であり、
第5図に示すように、ON時間T1≒1secであり、
メインリレーがONすれば、すぐにOFFするよう
になつている。
また、第5図に示すように断続加熱の場合も、
メインリレーのON,OFFを行なうわけである
が、その際にも、、突入用リレーは、メインリレ
ーより時間T0だけ先にONし、ON時間は、T1
ある。先に述べた突入電流が流れることにより、
磁気振動音が発生することになる。
ここで、第6図〜第8図を用いて、突入電流に
ついて説明する。第6図は、トランス6が励磁さ
れている時のトランス6の一次電圧V1と、トラ
ンス6の鉄心コア(図示せず)の磁束〓1の関係
を示したものである。
これは、突入用リレー4がない場合のメインリ
レー3のON位相と磁束〓1の関係わかる。
第7図は、トランス6が飽和しているときの一
次電圧V2と磁束量〓2の関係を示したものであ
る。これにより、メインリレー3のOFF位相と
磁束〓2との関係がわかる。
第8図は、このトランス6のB−H曲線と突入
リレーのない場合のメインリレー3のON位相に
対する突入電流の大きさを示したものである。い
ま第6図、第7図に示すように、メインリレー3
のON点をa点(すなわちON位相が0の点)と
し、OFF点をb点(すなわちOFF以相が1/4πの
点)とする。
突入電流の大きさは、ON点であるa点から、
電圧V1の方向が反転する点aPまでの磁束の変化
量△〓1と、OFF点であるb点における磁束〓2
の和すなわち(△〓1+〓2)の磁束に比例したも
のにある。いま、△〓1=2〓n,〓2=0、また
n=K・Bn(ここでBnは磁束密度、Kは定数で
ある。)より、+2Bnの磁束密度に比例した突入電
流が流れる。この大きさは、第8図に示すよう
に、B−H曲線上にプロツトしたa点から、磁界
の強さH1と突入電流1が得られる。この値は、
通常電流nの数十倍にもなる。メインリレー3
のON位相と突入電流の関係は、いま〓2=0と
考えると第8図の下方に示したようになる。従つ
て、この突入電流を小さく抑えるために、前述の
突入用リレー4を設け、さらに直列に抵抗8を接
続し、抵抗8により突入電流を抑えてきた。第9
図に突入用リレーとメインリレーのタイミング関
係及び突入リレーを流れる電流3、メインリレ
ーを流れる電流2のタイミング関係を示した。
突入用リレーがメインリレーより時間T0だけ先
にONする。この間に、抵抗8を直列接続した突
入用リレーからトランス6に電流3が流れ、ト
ランス6は励磁される。時間T0後に、メインリ
レーはONして、2が流れ始める。この時の電
流最高値sは突入電流値よりかなり低いものに
なる。
発明が解決しようとする問題点 ところが、このような突入用リレーとメインリ
レーのタイミングにおいて、ONする時間差T0
常に一定であり、メインリレーがONする際、
ON位相が一定となり、常に同一方向にsが流れ
るようになる。
このためメインリレーの接点において、接点に
同一方向に大きな電流が常に流れ、接点の転移が
発生し、やがて溶着するといつた問題がある。ま
た、メインリレーがOFFする場合、トランスを
流れているメイン電流を切るために、リレーの接
点間に大きなアークが発生し、前述のリレーの溶
着に対してさらに悪い条件となつている。このよ
うなことは、加熱が止まらないといつた極めて危
険な状態をつくり出している。このためリレーの
接点定格や接点材料等の選択及び信頼性評価試験
の徹底及び大巾なコストUPを招き、大きな問題
となつてきた。
本発明はこのような従来の問題点を解決するも
のであり、突入用リレー及びメインリレーを
ON,OFF制御を効率的に行ない、リレーの溶着
等の接点への負担を解消することを目的とする加
熱装置である。
問題点を解決するための手段 上記目的を達成するために被加熱物を収容する
加熱室と、前記加熱室に設けられた加熱手段と、
前記加熱手段に給電する第1のスイツチング手段
と、一端を抵抗と直列接続した第2のスイツチン
グ手段と、前記第1のスイツチング手段及び第2
のスイツチング手段の動作を制御する制御部とを
備え、前記第1のスイツチング手段に並列に、前
記抵抗を直列接続した前記第2のスイツチング手
段を接続し、前記制御部は、加熱開始時及び加熱
途中において、前記第2のスイツチング手段と第
1のスイツチング手段とのON時の時間差を、そ
のONする回数に比例した所定の時間となる構成
とした加熱装置である。
作 用 本発明の加熱装置は、突入用リレーとメインリ
レーのON,OFFのタイミングに関して、ONの
場合、従来まで、突入用リレーがある一定の時間
T0だけ先にONして、突入用リレーは、時間T1
だけしかONしていなかつたのに対して、突入用
リレーがある決められた時間だけ先にONして、
突入用リレーはメインリレーがOFFした後、あ
る所定の時間後OFFすることにより、メインリ
レーの溶着や接点の転移といつた問題を解決する
ことができる。
実施例 以下本発明の一実施例の加熱装置について、図
面を用いて説明する。第2図において、断続加熱
時(すなわちLOW POWER時)、突入用リレー
は、メインリレーより、1回目のONはTs1秒後、
2回目のONはTs2秒後、3回目はTs3という具合
でONするタイミングをずらしている。ここで、
n回目のON時の突入用リレーとメインリレーの
時間差Tsoは、 Tso=40nsec+4・(n−1) ここで、nは0からNまであり、Nはある所定
の値であり、Nまでくれば再度0から始まる。第
1図に示すように、N=16として、Tso=96nsec
から40nsecにもどるようにする。これは、Tso
100nsec以上になると、抵抗8の消費電力が大き
くなるためである。さらに、倍数を4としたの
は、メインリレーがONする場合に流れる電流が
3回以上続けて同極性としないためである。1回
目のONで40nsec、2回目は44nsec、3回目は
48nsecとなり、ONする位相が変化することにな
り、メインリレーがONする場合流れる電流l1
は、1回目が+l1、2回目が−l2といつた具
合に極性や電流値の大きさもONする毎に変化す
るようになつた。第3図に示すようにメインリレ
ーがONする場合の電流の変化は、断続加熱の場
合だけではなく、調理中のドア開や調理停止時か
らの再スタート、さらに一つの調理が終了してか
ら二つ目の調理をスタートさせる場合でもタイミ
ングを変化させている。これは、第5図で述べた
ようにメインリレーのON位相が電源のある一定
位相になるのではなく、ランダム位相となつてい
るからである。また、OFFの場合、メインリレ
ーがOFFした後、時間TR後、突入用リレーが
OFFするようにしている。従来まで、メインリ
レーがOFFする際、トランスに流れている大電
流をメインリレーの接点で切つており、接点のア
ークを発生していた。本発明では、メインリレー
がOFFしても、まだトランス6には突入用リレ
ーや抵抗8を通して若干電流は流れていることに
なり、メインリレーOFF時に接点間に大きな電
圧が発生しないため、接点間のアークは発生しな
い。さらに、メインリレーOFF後の時間TR間は、
突入用リレーを通してトランスに電流が流れるこ
とになるが電流値は非常に小さいと考えられ、し
たがつてトランスの残留磁束〓2も極めて小さく
することができる。
このように本実施例によれば、突入用リレー4
とメインリレー3のON時の時間差TSをONする
回数に比例して変化させることにより、さらに、
OFF時に時間TRだけ先にメインリレー4をOFF
することにより、メインリレーの接点の転移や溶
着を防ぐことができる。
発明の効果 以上のように本発明は、突入用リレーとメイン
リレーのON時、OFF時をある決められたタイミ
ングでスイツチング動作を行なわせることがで
き、以下の各項目 (1) メインリレーへのON電流ががランダムとな
り、一定でなくなり、さらにOFF時に、接点
間のアークが発生しなくなり、リレー接点の転
移や溶着等という重欠点を完全になくすことが
できる。
(2) メインリレーのON位相が電源同期位相から
ランダム位相となることにより、電源ライン等
からのノイズに対して強くなつた。
(3) 突入用リレーは、メインリレーがOFFした
後にOFFすることになり、ON時間が長くな
り、短時間のON,OFFはなくなり、機械的寿
命を長くすることができる。
の実現が可能であり、その効果は大なるものがあ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における加熱装置の
動作を示すフローチヤート、第2図は同装置のメ
インリレーと突入用リレーのタイミングチヤー
ト、第3図は同装置のメインリレー電流と突入用
リレー電流のタイミングチヤート、第4図は従来
からある加熱装置の制御回路図、第5図は従来の
装置におけるメインリレーと突入用リレーのタイ
ミングチヤート、第6図、第7図はそれぞれ同装
置における電圧Vと磁束〓の関係図、第8図は同
装置のトランスB−H曲線と突入電流の関係図、
第9図は同装置のメインリレー電流と突入用リレ
ー電流のタイミングチヤートである。 1……マイクロコンピユーター、2……ランプ
用リレー、3……メインリレー、4……突入用リ
レー、5……マグネトロン、6……トランス、7
……電源、8……抵抗。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 被加熱物を収容する加熱室と、その加熱室に
    設けられた加熱手段と、その加熱手段に断続給電
    する第1のスイツチング手段と、一端を抵抗と直
    列接続した第2のスイツチング手段と、前記第1
    のスイツチング手段及び第2のスイツチング手段
    の動作を制御する制御部とを備え、前記第1のス
    イツチング手段に並列に、前記抵抗を直列接続し
    た前記第2のスイツチング手段を接続し、前記制
    御部は、加熱開始時及び加熱途中において、前記
    第2のスイツチング手段が第1のスイツチング手
    段より先にONし、その遅延時間は、第1のスイ
    ツチング手段のONの回数に比例した時間となる
    ように制御する構成とした加熱装置。 2 第1のスイツチング手段と第2のスイツチン
    グ手段において、OFF時は、先に第1のスイツ
    チング手段がOFFし、ある所定の時間後、第2
    のスイツチング手段がOFFする構成とした特許
    請求の範囲第1項記載の加熱装置。
JP24194485A 1985-10-29 1985-10-29 加熱装置 Granted JPS62100980A (ja)

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JP24194485A JPS62100980A (ja) 1985-10-29 1985-10-29 加熱装置

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JP24194485A JPS62100980A (ja) 1985-10-29 1985-10-29 加熱装置

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JPS62100980A JPS62100980A (ja) 1987-05-11
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JP7324625B2 (ja) * 2019-07-01 2023-08-10 ミネベアミツミ株式会社 モータの駆動制御装置およびモータの駆動制御方法

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JPS62100980A (ja) 1987-05-11

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