JPH0551749A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH0551749A JPH0551749A JP23227491A JP23227491A JPH0551749A JP H0551749 A JPH0551749 A JP H0551749A JP 23227491 A JP23227491 A JP 23227491A JP 23227491 A JP23227491 A JP 23227491A JP H0551749 A JPH0551749 A JP H0551749A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空容器における被処理物へのパ−ティクル
付着を防止するための真空処理装置を提供することを目
的とする。 【構成】 各々が減圧可能な複数の容器を開閉機構を介
して連設して成り、前記各容器間で被処理物を移動可能
に構成された真空装置において、少なくとも一つの前記
容器内に導入されるガス体に紫外光を投光するための投
光手段を設けたことを特徴とする。
付着を防止するための真空処理装置を提供することを目
的とする。 【構成】 各々が減圧可能な複数の容器を開閉機構を介
して連設して成り、前記各容器間で被処理物を移動可能
に構成された真空装置において、少なくとも一つの前記
容器内に導入されるガス体に紫外光を投光するための投
光手段を設けたことを特徴とする。
Description
【０００１】本発明は複数の真空容器を連結して成る真
空処理装置に係わり、特にロ−ドロックチャンバのよう
な真空容器における被処理物へのパ−ティクル付着を防
止するための真空処理装置に関するものである。
空処理装置に係わり、特にロ−ドロックチャンバのよう
な真空容器における被処理物へのパ−ティクル付着を防
止するための真空処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来技術】図４は一般的な真空搬送処理装置の構成を
表すものである。
表すものである。
【０００３】図において４０１はロ−ドロックチャン
バ、４０２は搬送室、４０３は反応室であり、これら３
室は連鎖的に接続されている。実際にプロセスを行うと
きには、まずウェハをカセットなどのホルダ−に入れ次
いで扉４０４を開け大気圧の状態でセットし扉を閉め
る。そして真空ポンプ４０５でロ−ドロックチャンバ４
０１を１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空に引く。このとき、真
空ポンプ４０６で搬送室４０２を１０-8Ｔｏｒｒ程度の
真空度に引いておき、ロ−ドロックチャンバ４０１と搬
送室４０２の間にあるゲ−トバルブ４０７を開けウェハ
を搬送し、その後ゲ−トバルブ４０７を閉める。このと
き、真空ポンプ４０８で反応室４０３を１０-1 0Ｔｏｒ
ｒ程度の真空度に引いておき、搬送室４０２と反応室４
０３の間にあるゲ−トバルブ４０９を開けウェハを搬送
する。このようにすると大気圧まで真空度を下げたロ−
ドロック室４０１と反応室４０３が直接同じ雰囲気に触
れること無く搬送でき、反応室４０３を常に高真空の状
態に保つことができる。反応室４０３にウェハが搬送さ
れたら、ゲ−トバルブ４０９を閉め反応室４０３を密閉
し真空ポンプでさらに高真空に引く。このような状態
で、例えばガス配管４１０を介して所定のガスを反応室
４０３内に流入しプロセスを行う。プロセスが終了した
後には再びゲ−トバルブ４０９を開けウェハを搬送室４
０２に搬送する。そしてゲートバルブ４０９を閉め反応
室４０３と遮断してからゲートバルブ４０７を開けロー
ドロックチャンバ４０１に搬送する。その搬送後は、ゲ
ートバルブ４０７を閉め搬送室４０２とロードロックチ
ャンバ４０１を遮断する。その後、ガス導入口４１１を
介してガスを流しロードロックチャンバ４０１をリーク
し真空度を大気圧まで下げ大気圧下でウェハの取り出し
を行っている。このようにロードロックチャンバではウ
ェハを取り出す際、チャンバ内に乾燥した窒素ガスやア
ルゴンガス等のガスを流しチャンバをリークする。
バ、４０２は搬送室、４０３は反応室であり、これら３
室は連鎖的に接続されている。実際にプロセスを行うと
きには、まずウェハをカセットなどのホルダ−に入れ次
いで扉４０４を開け大気圧の状態でセットし扉を閉め
る。そして真空ポンプ４０５でロ−ドロックチャンバ４
０１を１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空に引く。このとき、真
空ポンプ４０６で搬送室４０２を１０-8Ｔｏｒｒ程度の
真空度に引いておき、ロ−ドロックチャンバ４０１と搬
送室４０２の間にあるゲ−トバルブ４０７を開けウェハ
を搬送し、その後ゲ−トバルブ４０７を閉める。このと
き、真空ポンプ４０８で反応室４０３を１０-1 0Ｔｏｒ
ｒ程度の真空度に引いておき、搬送室４０２と反応室４
０３の間にあるゲ−トバルブ４０９を開けウェハを搬送
する。このようにすると大気圧まで真空度を下げたロ−
ドロック室４０１と反応室４０３が直接同じ雰囲気に触
れること無く搬送でき、反応室４０３を常に高真空の状
態に保つことができる。反応室４０３にウェハが搬送さ
れたら、ゲ−トバルブ４０９を閉め反応室４０３を密閉
し真空ポンプでさらに高真空に引く。このような状態
で、例えばガス配管４１０を介して所定のガスを反応室
４０３内に流入しプロセスを行う。プロセスが終了した
後には再びゲ−トバルブ４０９を開けウェハを搬送室４
０２に搬送する。そしてゲートバルブ４０９を閉め反応
室４０３と遮断してからゲートバルブ４０７を開けロー
ドロックチャンバ４０１に搬送する。その搬送後は、ゲ
ートバルブ４０７を閉め搬送室４０２とロードロックチ
ャンバ４０１を遮断する。その後、ガス導入口４１１を
介してガスを流しロードロックチャンバ４０１をリーク
し真空度を大気圧まで下げ大気圧下でウェハの取り出し
を行っている。このようにロードロックチャンバではウ
ェハを取り出す際、チャンバ内に乾燥した窒素ガスやア
ルゴンガス等のガスを流しチャンバをリークする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術には、ロ
ードロックチャンバのリークに大きな問題がある。すな
わちガス導入口より、例えば乾燥窒素ガスを流した際、
ロードロックチャンバ内のパーティクルが舞い上がりウ
ェハに降り注いだり、窒素ガスを流すために発生する静
電気等によりウェハが帯電しパーティクルが多量に付着
したりする。このため従来型のロードロックチャンバで
は付着したパーティクルによりウェハを汚染し歩留まり
の低下を引き起こした。なお、例えば上記帯電の問題を
解決するためチャンバのリークに用いる窒素ガスの流量
を減らす等の対応がなされているが、パーティクルの付
着にはウェハの帯電による要因が大き過ぎて十分な効果
が上がらない。
ードロックチャンバのリークに大きな問題がある。すな
わちガス導入口より、例えば乾燥窒素ガスを流した際、
ロードロックチャンバ内のパーティクルが舞い上がりウ
ェハに降り注いだり、窒素ガスを流すために発生する静
電気等によりウェハが帯電しパーティクルが多量に付着
したりする。このため従来型のロードロックチャンバで
は付着したパーティクルによりウェハを汚染し歩留まり
の低下を引き起こした。なお、例えば上記帯電の問題を
解決するためチャンバのリークに用いる窒素ガスの流量
を減らす等の対応がなされているが、パーティクルの付
着にはウェハの帯電による要因が大き過ぎて十分な効果
が上がらない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の真空処理装置
は、各々が減圧可能な複数の容器を開閉機構を介して連
設して成り、前記各容器間で被処理物を移動可能に構成
された真空装置において、少なくとも一つの前記容器内
に導入されるガス体に紫外光を投光するための投光手段
を設けたことを特徴とする。上記投光手段によりガス体
をイオン化し試料に照射するため試料の帯電が除去でき
る。
は、各々が減圧可能な複数の容器を開閉機構を介して連
設して成り、前記各容器間で被処理物を移動可能に構成
された真空装置において、少なくとも一つの前記容器内
に導入されるガス体に紫外光を投光するための投光手段
を設けたことを特徴とする。上記投光手段によりガス体
をイオン化し試料に照射するため試料の帯電が除去でき
る。
【０００６】
【作用】容器（例えばロードロックチャンバ）内に導入
されるガス（例えば窒素ガス）は投光手段（例えば重水
素ランプ）から投光される紫外線により電離されている
ので、容器内に置かれる被処理物（例えばウェハ）が帯
電している場合にもその帯電電荷は前記電離した荷電体
により中和される。
されるガス（例えば窒素ガス）は投光手段（例えば重水
素ランプ）から投光される紫外線により電離されている
ので、容器内に置かれる被処理物（例えばウェハ）が帯
電している場合にもその帯電電荷は前記電離した荷電体
により中和される。
【０００７】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。なお、本実施例の説明は重設された真空容器のうち
代表的なロードロックチャンバについてのみ説明する。
図１は第１実施例を示すものである。図１において１０
１は真空容器たるロードロックチャンバであり、例えば
材質はＳＵＳ３１６Ｌで内面が複合電解研磨及び酸化不
動態処理されており、一辺が３００ｍｍの中空立方箱体
状に形成されている。
る。なお、本実施例の説明は重設された真空容器のうち
代表的なロードロックチャンバについてのみ説明する。
図１は第１実施例を示すものである。図１において１０
１は真空容器たるロードロックチャンバであり、例えば
材質はＳＵＳ３１６Ｌで内面が複合電解研磨及び酸化不
動態処理されており、一辺が３００ｍｍの中空立方箱体
状に形成されている。
【０００８】１０２はガスの配管であり、例えば材質は
ＳＵＳ３１６Ｌで内面が複合電解研磨及び酸化不動態処
理されており口径は１／４インチである。なお、ガスと
してアルゴンが用いられる。
ＳＵＳ３１６Ｌで内面が複合電解研磨及び酸化不動態処
理されており口径は１／４インチである。なお、ガスと
してアルゴンが用いられる。
【０００９】１０３はガスの配管であり、例えば材質は
ＳＵＳ３１６Ｌで内面が複合電解研磨及び酸化不動態処
理されており口径は１／４インチである。なお、このガ
スとしては、例えば窒素ガスを用いられる。
ＳＵＳ３１６Ｌで内面が複合電解研磨及び酸化不動態処
理されており口径は１／４インチである。なお、このガ
スとしては、例えば窒素ガスを用いられる。
【００１０】１０４は紫外光投光部であり、例えば重水
素ランプから成る。
素ランプから成る。
【００１１】１０５は紫外光がガスに投光される際に通
過する窓で例えば波長３６０ｎｍ以下の紫外光をよく通
過させる合成石英を用いてある。これは、紫外光を透過
させるものであれば他の材質を用いてもよい。
過する窓で例えば波長３６０ｎｍ以下の紫外光をよく通
過させる合成石英を用いてある。これは、紫外光を透過
させるものであれば他の材質を用いてもよい。
【００１２】１０６は試料のサセプターであり、例えば
材質がＳＵＳ３１６Ｌで表面が複合電解研磨されており
その大きさは直径６インチである。
材質がＳＵＳ３１６Ｌで表面が複合電解研磨されており
その大きさは直径６インチである。
【００１３】１０７は試料であり、例えば直径５インチ
のシリコンウェハを用いた。
のシリコンウェハを用いた。
【００１４】１０８は前記真空漕を真空に引くための真
空ポンプであり、例えばターボ分子ポンプを用いた。
空ポンプであり、例えばターボ分子ポンプを用いた。
【００１５】では実際の動作原理を示す。
【００１６】窒素ガスが配管１０３に流れると重水素ラ
ンプ１０４から投光される紫外光が合成石英窓１０５を
通して前記窒素ガスに照射される。照射された紫外線に
より窒素ガスの一部がＮ2 +とｅ-に電離し電離した状態
でシリコンウェハ上に流れ込みウェハの帯電を除去す
る。例えば、紫外線投光された窒素ガスを流さずにター
ボ分子ポンプ１０８を止めて配管１０２よりアルゴンガ
スのみを例えば２〜３ｌ／ｍｉｎ流してロードロックチ
ャンバをリークし、その時のシリコンウェハ上のパーテ
ィクルをパーティクル測定装置によって測定すると１０
００〜１５００個であった。上記と同じ条件で窒素ガス
を配管１０３を介して、例えば常圧で５ｃｃ／ｍｉｎ流
し重水素ランプ１０４を投光してやるとシリコンウェハ
上のパーティクルは通常の手法による測定で５個以下で
あった。このようにパーティクルを激減できるという顕
著な効果を有する。
ンプ１０４から投光される紫外光が合成石英窓１０５を
通して前記窒素ガスに照射される。照射された紫外線に
より窒素ガスの一部がＮ2 +とｅ-に電離し電離した状態
でシリコンウェハ上に流れ込みウェハの帯電を除去す
る。例えば、紫外線投光された窒素ガスを流さずにター
ボ分子ポンプ１０８を止めて配管１０２よりアルゴンガ
スのみを例えば２〜３ｌ／ｍｉｎ流してロードロックチ
ャンバをリークし、その時のシリコンウェハ上のパーテ
ィクルをパーティクル測定装置によって測定すると１０
００〜１５００個であった。上記と同じ条件で窒素ガス
を配管１０３を介して、例えば常圧で５ｃｃ／ｍｉｎ流
し重水素ランプ１０４を投光してやるとシリコンウェハ
上のパーティクルは通常の手法による測定で５個以下で
あった。このようにパーティクルを激減できるという顕
著な効果を有する。
【００１７】なお上記実施例では真空漕１０１及び配管
１０２には、例えばその材質はＳＵＳ３１６Ｌで内面が
複合電解研磨及び酸化不動態処理されているものを用い
たが用途によって任意の材質、大きさのものを用いても
よい。
１０２には、例えばその材質はＳＵＳ３１６Ｌで内面が
複合電解研磨及び酸化不動態処理されているものを用い
たが用途によって任意の材質、大きさのものを用いても
よい。
【００１８】配管１０３には上記実施例では、例えばそ
の材質としてＳＵＳ３１６Ｌで内面が複合電解研磨及び
酸化不動態処理されているものを用いたが、例えばテフ
ロンを内面にコートしたチューブやあるいはセラミック
チューブでもよい。要は、できたイオンと電子を中和し
ないよう表面が絶縁物であればよい。
の材質としてＳＵＳ３１６Ｌで内面が複合電解研磨及び
酸化不動態処理されているものを用いたが、例えばテフ
ロンを内面にコートしたチューブやあるいはセラミック
チューブでもよい。要は、できたイオンと電子を中和し
ないよう表面が絶縁物であればよい。
【００１９】サセプター１０６には上記実施例では、例
えばその材質がＳＵＳ３１６Ｌで複合電解研磨されてい
るものを用いたが用途によって任意の材質、形状のもの
を用いてもよいし複数でもよい。
えばその材質がＳＵＳ３１６Ｌで複合電解研磨されてい
るものを用いたが用途によって任意の材質、形状のもの
を用いてもよいし複数でもよい。
【００２０】試料１０７には上記実施例では、例えばシ
リコンウェハを用いたが用途によって任意の材料を用い
てもよい。即ち、石英基板やガラス基板あるいはガリウ
ム砒素等の化合物半導体のウェハでもよい。
リコンウェハを用いたが用途によって任意の材料を用い
てもよい。即ち、石英基板やガラス基板あるいはガリウ
ム砒素等の化合物半導体のウェハでもよい。
【００２１】真空ポンプ１０８には上記実施例では、例
えばターボ分子ポンプを用いたが用途によって任意の真
空ポンプを用いてもよい。
えばターボ分子ポンプを用いたが用途によって任意の真
空ポンプを用いてもよい。
【００２２】又、上記実施例では第１のガスとして窒素
ガス、第２のガスとしてアルゴンガスを用いたが乾燥ガ
スであれば任意のガスを用いてもよいしガス導入口１０
２と１０３に導入されるガスが同じであってもよい。望
ましくは酸素濃度が１０ｐｐｍ以下であるとよい。これ
は紫外線投光によりオゾンが発生しＮ2 +イオンが減少す
るからである。ガス導入口についても上記実施例では個
別のものを用いたが共通していてもよい。
ガス、第２のガスとしてアルゴンガスを用いたが乾燥ガ
スであれば任意のガスを用いてもよいしガス導入口１０
２と１０３に導入されるガスが同じであってもよい。望
ましくは酸素濃度が１０ｐｐｍ以下であるとよい。これ
は紫外線投光によりオゾンが発生しＮ2 +イオンが減少す
るからである。ガス導入口についても上記実施例では個
別のものを用いたが共通していてもよい。
【００２３】図２は第２実施例を示すものである。
【００２４】本実施例は上記実施例の配管１０３を試料
１０７の直近まで延長した配管２０１で構成したもの
で、他の構成は第１実施例と同様であるので重複した説
明は省略する。第１実施例と同じく紫外光が投光された
窒素ガスを配管１０３に流してパーティクルをパーティ
クル測定装置で測定した結果５個以下であった。即ち第
１実施例と同様の効果を有する。
１０７の直近まで延長した配管２０１で構成したもの
で、他の構成は第１実施例と同様であるので重複した説
明は省略する。第１実施例と同じく紫外光が投光された
窒素ガスを配管１０３に流してパーティクルをパーティ
クル測定装置で測定した結果５個以下であった。即ち第
１実施例と同様の効果を有する。
【００２５】なお、上記実施例では、例えばガス配管２
０１を試料直近まで延長させたが、この配管２０１は真
空漕内にガスを導入できればどこについていてもよく移
動可能な構成であってもよい。
０１を試料直近まで延長させたが、この配管２０１は真
空漕内にガスを導入できればどこについていてもよく移
動可能な構成であってもよい。
【００２６】又、上記実施例では、例えば配管２０１は
直管であるがその用途に応じた曲管であってもよい。
直管であるがその用途に応じた曲管であってもよい。
【００２７】図３は第３実施例を示すものである。
【００２８】本実施例では実施例のサセプター１０６
を、例えばウェハ３０２を複数枚処理できるキャリア３
０１とした構成にしたものである。その他の構成は第１
実施例と同様とした。第１実施例と同様に窒素ガスを流
してパーティクルをパーティクル測定装置で測定した結
果、例えばウェハ５枚を保持できるキャリアとしたとこ
ろ平均してパーティクルの数がウェハ１枚あたり５個以
下であった。第１の実施例と同様な効果を奏する。
を、例えばウェハ３０２を複数枚処理できるキャリア３
０１とした構成にしたものである。その他の構成は第１
実施例と同様とした。第１実施例と同様に窒素ガスを流
してパーティクルをパーティクル測定装置で測定した結
果、例えばウェハ５枚を保持できるキャリアとしたとこ
ろ平均してパーティクルの数がウェハ１枚あたり５個以
下であった。第１の実施例と同様な効果を奏する。
【００２９】本第３の実施例のキャリア３０１は、例え
ばウェハを垂直にして５枚保持する構造としたがその用
途によって任意の角度に傾かせて保持してもよい。
ばウェハを垂直にして５枚保持する構造としたがその用
途によって任意の角度に傾かせて保持してもよい。
【００３０】上記第１から第３の実施例においては、チ
ャンバのリークの際に起こるウェハの帯電を防止するた
めにロードロックチャンバに紫外光を投光した窒素ガス
を導入した。しかし、真空中でのウェハの搬送中にもウ
ェハが帯電することが報告されている。その原因は今の
ところ明らかにされていないが、上記紫外線を投光した
ガスを搬送室に導入してもウェハの帯電が除去できるの
で、搬送中の帯電を防止するために搬送室に導入口を設
けてもよい。
ャンバのリークの際に起こるウェハの帯電を防止するた
めにロードロックチャンバに紫外光を投光した窒素ガス
を導入した。しかし、真空中でのウェハの搬送中にもウ
ェハが帯電することが報告されている。その原因は今の
ところ明らかにされていないが、上記紫外線を投光した
ガスを搬送室に導入してもウェハの帯電が除去できるの
で、搬送中の帯電を防止するために搬送室に導入口を設
けてもよい。
【００３１】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、容器間を移動
する被処理物が帯電した場合でも、その帯電電荷が中和
され、前記被処理物へのパーティクル付着を防止でき、
被処理物の歩留まり低下の回避に貢献できる。
する被処理物が帯電した場合でも、その帯電電荷が中和
され、前記被処理物へのパーティクル付着を防止でき、
被処理物の歩留まり低下の回避に貢献できる。
【００３２】請求項２の発明によれば、電離したガス体
を試料に高効率で被処理物に供給できる。
を試料に高効率で被処理物に供給できる。
【図１】第１実施例に係わる真空処理装置の要部概略模
式図である。
式図である。
【図２】第２実施例に係わる真空処理装置の要部概略模
式図である。
式図である。
【図３】第３実施例に係わる真空処理装置の要部概略模
式図である。
式図である。
【図４】従来技術に係わる真空処理装置の概略模式図で
ある。
ある。
１０１ 真空漕容器、 １０２ 第２のガスの配管、 １０３ 第１のガスの配管、 １０４ 紫外線投光手段、 １０５ 合成石英窓投光部、 １０６ サセプター、 １０７ 試料（被処理物）、 １０８ 真空ポンプ、 ２０１ ガスの配管、 ３０１ サセプター、 ３０２ 試料（被処理物）。
Claims (4)
- 【請求項１】 各々が減圧可能な複数の容器を開閉機構
を介して連設して成り、前記各容器間で被処理物を移動
可能に構成された真空装置において、少なくとも一つの
前記容器内に導入されるガス体に紫外光を投光するため
の投光手段を設けたことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】 前記投光手段は、前記少なくとも一つの
容器と前記ガス体の供給手段との間に設けられ、少なく
とも内部表面が絶縁物で形成された管体に導入されるガ
ス体を照射することを特徴とする請求項１記載の真空処
理装置。 - 【請求項３】 前記ガス体は窒素ガス若しくはアルゴン
ガス、叉は窒素ガスとアルゴンガスの混合ガスであるこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の真空処理
装置。 - 【請求項４】 前記投光手段は、合成石英から成る投光
部分を介して前記ガス体を照射することを特徴とする請
求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の真空処
理装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23227491A JPH0551749A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 真空処理装置 |
| EP92917995A EP0661385A1 (en) | 1991-08-19 | 1992-08-19 | Method for forming oxide film |
| PCT/JP1992/001048 WO1993004210A1 (en) | 1991-08-19 | 1992-08-19 | Method for forming oxide film |
| US08/680,519 US6146135A (en) | 1991-08-19 | 1996-07-09 | Oxide film forming method |
| US10/120,628 US6949478B2 (en) | 1991-08-19 | 2002-04-11 | Oxide film forming method |
| US11/129,710 US20050206018A1 (en) | 1991-08-19 | 2005-05-13 | Oxide film forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23227491A JPH0551749A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0551749A true JPH0551749A (ja) | 1993-03-02 |
Family
ID=16936673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23227491A Pending JPH0551749A (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-20 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0551749A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6635589B2 (en) | 1994-08-11 | 2003-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Methods of heat treatment and heat treatment apparatus for silicon oxide films |
| JP2007012467A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 除電装置及びこれを備えたチャンバ |
| CN106016977A (zh) * | 2016-05-20 | 2016-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 干燥装置 |
| JP2021048355A (ja) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | 日新イオン機器株式会社 | 基板処理装置 |
| TWI724316B (zh) * | 2017-11-22 | 2021-04-11 | 日商日新離子機器股份有限公司 | 平面面板顯示器製造裝置 |
-
1991
- 1991-08-20 JP JP23227491A patent/JPH0551749A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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