JPH0547738A - 基板のウエツト処理方法 - Google Patents
基板のウエツト処理方法Info
- Publication number
- JPH0547738A JPH0547738A JP17352791A JP17352791A JPH0547738A JP H0547738 A JPH0547738 A JP H0547738A JP 17352791 A JP17352791 A JP 17352791A JP 17352791 A JP17352791 A JP 17352791A JP H0547738 A JPH0547738 A JP H0547738A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- basket
- substrate
- processing
- quartz
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体ウエハの薬液処理，洗浄処理方法に関
し，ウエハと石英バスケットの接触部での処理の完全化
と汚染の防止を目的とする。 【構成】 基板１と，該基板の周縁部が挿入された溝を
有するバスケット２とを処理液の中に浸漬し，該バスケ
ットに振動を与えながら行う処理方法であって，該振動
が基板１や石英バスケット２に損傷を与えないで且つ処
理液中で基板と石英バスケットとが該溝内で相互に移動
を伴う加速度で行われるように構成する。
し，ウエハと石英バスケットの接触部での処理の完全化
と汚染の防止を目的とする。 【構成】 基板１と，該基板の周縁部が挿入された溝を
有するバスケット２とを処理液の中に浸漬し，該バスケ
ットに振動を与えながら行う処理方法であって，該振動
が基板１や石英バスケット２に損傷を与えないで且つ処
理液中で基板と石英バスケットとが該溝内で相互に移動
を伴う加速度で行われるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板のウエット処理方法
に係り，特に半導体ウエハの薬液処理，洗浄処理方法に
関する。
に係り，特に半導体ウエハの薬液処理，洗浄処理方法に
関する。
【０００２】半導体装置の高集積化，微細化に伴い，ウ
エハプロセス中のウエット処理については特に汚染を受
けやすいため，プロセスはドライ化の傾向にあるが，ウ
エハプロセスからウエット処理を完全に駆逐するわけに
はいかず，ウエットプロセスの汚染フリーが重要な課題
となってきた。
エハプロセス中のウエット処理については特に汚染を受
けやすいため，プロセスはドライ化の傾向にあるが，ウ
エハプロセスからウエット処理を完全に駆逐するわけに
はいかず，ウエットプロセスの汚染フリーが重要な課題
となってきた。
【０００３】本発明はこの課題に対応した方法として利
用できる。
用できる。
【０００４】
【従来の技術】半導体装置製造のウエハプロセスのウエ
ット処理システムは，通常石英バスケットに複数枚のウ
エハをセットし，石英ハンガによりロボットで各処理槽
に搬送される。
ット処理システムは，通常石英バスケットに複数枚のウ
エハをセットし，石英ハンガによりロボットで各処理槽
に搬送される。
【０００５】処理層に浸漬された石英バスケットおよび
ウエハは，槽内の処理液またはガスの対流等による移動
がない限り，ウエハはセット時の状態に固定され，数〜
数10分の間処理される。
ウエハは，槽内の処理液またはガスの対流等による移動
がない限り，ウエハはセット時の状態に固定され，数〜
数10分の間処理される。
【０００６】この場合, 処理中のウエハは殆ど動きがな
く, そのため, ウエハと石英バスケットの接触部で液や
ガス等の浸透が妨げられたり, また接触部は処理の残留
物や塵や異物の溜まり場となり, 洗浄等の処理効果を低
下している。
く, そのため, ウエハと石英バスケットの接触部で液や
ガス等の浸透が妨げられたり, また接触部は処理の残留
物や塵や異物の溜まり場となり, 洗浄等の処理効果を低
下している。
【０００７】図２ (A)〜(D) は従来例による汚染を説明
する図である。図２(A) はウエハを保持した状態を示す
側面図で，１はウエハ，２はウエハを保持する石英バス
ケットである。
する図である。図２(A) はウエハを保持した状態を示す
側面図で，１はウエハ，２はウエハを保持する石英バス
ケットである。
【０００８】図２(B) の断面図に示されるようにウエハ
と石英バスケットが処理中常時接触していると，図３
(C) に示されるようにウエハ上に石英バスケットとの接
触部で汚染箇所Ｃができる。
と石英バスケットが処理中常時接触していると，図３
(C) に示されるようにウエハ上に石英バスケットとの接
触部で汚染箇所Ｃができる。
【０００９】図２(D) において，汚染箇所Ｃより矢印で
示されるように汚染源がウエハ上に拡がる。
示されるように汚染源がウエハ上に拡がる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従って, ウエハと石英
バスケットの接触部での処理が完全に行われることが要
求されるようになってきた。
バスケットの接触部での処理が完全に行われることが要
求されるようになってきた。
【００１１】本発明はウエハと石英バスケットの接触部
での処理の完全化と汚染の防止を目的とする。
での処理の完全化と汚染の防止を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，基板
と，該基板の周縁部が挿入された溝を有するバスケット
とを処理液の中に浸漬し，該バスケットに振動を与えな
がら行う処理方法であって，該振動が基板や石英バスケ
ットに損傷を与えないで且つ処理液中で基板と石英バス
ケットとが該溝内で相互に移動を伴う加速度で行われる
ことを特徴とする基板のウエット処理方法。
と，該基板の周縁部が挿入された溝を有するバスケット
とを処理液の中に浸漬し，該バスケットに振動を与えな
がら行う処理方法であって，該振動が基板や石英バスケ
ットに損傷を与えないで且つ処理液中で基板と石英バス
ケットとが該溝内で相互に移動を伴う加速度で行われる
ことを特徴とする基板のウエット処理方法。
【００１３】
【作用】本発明はウエハと石英バスケットの接触部への
液体の浸透をよくするため, 石英バスケットやウエハに
振動を与えて, ウエハと石英バスケットが常時接触しな
いようにしたものである。
液体の浸透をよくするため, 石英バスケットやウエハに
振動を与えて, ウエハと石英バスケットが常時接触しな
いようにしたものである。
【００１４】この振動は, ウエハや石英バスケットに損
傷を与えないで且つ液中でウエハと石英バスケットとが
相互に移動を伴う加速度で行う。この加速度は振動系の
質量と振幅と周期と処理液種によって決まる。
傷を与えないで且つ液中でウエハと石英バスケットとが
相互に移動を伴う加速度で行う。この加速度は振動系の
質量と振幅と周期と処理液種によって決まる。
【００１５】そのために, 表裏両面とも周縁部の面取り
加工を行ったウエハを用いると上記振動条件の適用可能
な範囲は広くなる。従来, 石英バスケットやウエハに振
動を与えることは, ウエハに欠け等の損傷を与えるため
行われないのが一般的であったが, 本発明は, 上記振動
条件が存在することを本発明者が確認した結果を利用し
て，敢えて振動を与えるようにしたものである。
加工を行ったウエハを用いると上記振動条件の適用可能
な範囲は広くなる。従来, 石英バスケットやウエハに振
動を与えることは, ウエハに欠け等の損傷を与えるため
行われないのが一般的であったが, 本発明は, 上記振動
条件が存在することを本発明者が確認した結果を利用し
て，敢えて振動を与えるようにしたものである。
【００１６】
【実施例】図１(A),(B) は本発明の実施例の説明図であ
る。図１(A) は正面図, 図１(B) は側面図である。
る。図１(A) は正面図, 図１(B) は側面図である。
【００１７】図において，１はウエハ，２はウエハを保
持する石英バスケット，３はバスケットを保持する石英
ハンガ，４はハンガを保持するアーム，５は処理槽であ
る。実施例に使用したウエハは直径４インチ，厚さ 800
μｍである。
持する石英バスケット，３はバスケットを保持する石英
ハンガ，４はハンガを保持するアーム，５は処理槽であ
る。実施例に使用したウエハは直径４インチ，厚さ 800
μｍである。
【００１８】実施例１：従来の石英ハンガを保持する処
理システムのアームをウエハに対して垂直（左右）に振
幅２〜５mmの往復運動を10〜30秒の周期で機械的に振動
させる。
理システムのアームをウエハに対して垂直（左右）に振
幅２〜５mmの往復運動を10〜30秒の周期で機械的に振動
させる。
【００１９】処理槽５内の処理液を水とし，ウエハの周
縁部を保持するバスケットの溝の深さは６mm, 幅は２m
m，アームを含め振動系の質量は0.55kgである。この場
合，ウエハが挿入されたバスケットの溝幅の範囲内で，
ウエハとバスケットは相互に移動し，常時同一場所での
接触はなくなった。
縁部を保持するバスケットの溝の深さは６mm, 幅は２m
m，アームを含め振動系の質量は0.55kgである。この場
合，ウエハが挿入されたバスケットの溝幅の範囲内で，
ウエハとバスケットは相互に移動し，常時同一場所での
接触はなくなった。
【００２０】実施例２：従来の石英ハンガを保持する処
理システムのアームをウエハに対して平行（上下）に振
幅10〜20mmの往復運動を２〜３秒の周期で機械的に振動
させる。
理システムのアームをウエハに対して平行（上下）に振
幅10〜20mmの往復運動を２〜３秒の周期で機械的に振動
させる。
【００２１】処理槽５内の処理液を水とし，ウエハの周
縁部を保持するバスケットの溝の深さは６mm, 幅は２m
m，アームを含め振動系の質量は0.55kgである。この場
合，ウエハが挿入されたバスケットの溝の深さの範囲内
で，ウエハとバスケットは相互に移動し，常時同一場所
での接触はなくなった。
縁部を保持するバスケットの溝の深さは６mm, 幅は２m
m，アームを含め振動系の質量は0.55kgである。この場
合，ウエハが挿入されたバスケットの溝の深さの範囲内
で，ウエハとバスケットは相互に移動し，常時同一場所
での接触はなくなった。
【００２２】なお，この場合は当然ウエハが振動により
液面より出ないようにする。上記のいずれの実施例も，
従来システムの一部を改造するだけで，簡単に実現でき
る。
液面より出ないようにする。上記のいずれの実施例も，
従来システムの一部を改造するだけで，簡単に実現でき
る。
【００２３】なお，振動方式は，圧縮空気によるシリン
ダ駆動方式やモータ駆動方式等の在来方式を利用でき
る。従来はウエハとバスケットの接触部で，ウエハ上に
異物や汚染等の痕跡が見られたが，実施例によると次の
効果がある。 ウエハ周縁部の異物付着や汚染が激減
した。 さらにウエハ周縁部に異物付着や汚染がわず
かに生じても，ウエハ全面に拡がるのを抑制する。
処理が完全に行われるため，後工程やデバイス特性への
悪い影響を防止できる。 上記の結果，デバイスの信
頼性と製造歩留の向上が期待できる。
ダ駆動方式やモータ駆動方式等の在来方式を利用でき
る。従来はウエハとバスケットの接触部で，ウエハ上に
異物や汚染等の痕跡が見られたが，実施例によると次の
効果がある。 ウエハ周縁部の異物付着や汚染が激減
した。 さらにウエハ周縁部に異物付着や汚染がわず
かに生じても，ウエハ全面に拡がるのを抑制する。
処理が完全に行われるため，後工程やデバイス特性への
悪い影響を防止できる。 上記の結果，デバイスの信
頼性と製造歩留の向上が期待できる。
【００２４】次に, 本発明の効果を示す汚染微粒子の数
値例を，従来例と対比して示す。実験に使用したプロセ
スフローはつぎの通りである。15％フッ酸液に0.5 分
間浸漬, 窒素でバブリングしながら３分間水洗，
輻射熱による３分間のヒータ乾燥を２回行う。
値例を，従来例と対比して示す。実験に使用したプロセ
スフローはつぎの通りである。15％フッ酸液に0.5 分
間浸漬, 窒素でバブリングしながら３分間水洗，
輻射熱による３分間のヒータ乾燥を２回行う。
【００２５】この際，フッ酸処理時に振動を与える場合
と無しの場合について，ダストメータで汚染微粒子の数
をカウントした結果を次に示す。 (A) 振動有り 微粒子サイズ 0.2〜0.6 0.6〜5.0 5.0〜 計 （μｍ） 処理前 2804 5402 2925 11131 処理後 585 410 94 1089 増減 -2219 -4992 -2831 -10042 (B) 振動無し 微粒子サイズ 0.2〜0.6 0.6〜5.0 5.0〜 計 （μｍ） 処理前 620 1315 7225 2657 処理後 1575 1005 186 2766 増減 +955 -310 -536 +109 上記の結果より, 振動有りの方が汚染微粒子の処理後の
減少数が大きいことが分かる。
と無しの場合について，ダストメータで汚染微粒子の数
をカウントした結果を次に示す。 (A) 振動有り 微粒子サイズ 0.2〜0.6 0.6〜5.0 5.0〜 計 （μｍ） 処理前 2804 5402 2925 11131 処理後 585 410 94 1089 増減 -2219 -4992 -2831 -10042 (B) 振動無し 微粒子サイズ 0.2〜0.6 0.6〜5.0 5.0〜 計 （μｍ） 処理前 620 1315 7225 2657 処理後 1575 1005 186 2766 増減 +955 -310 -536 +109 上記の結果より, 振動有りの方が汚染微粒子の処理後の
減少数が大きいことが分かる。
【００２６】
【発明の効果】基板のウエット処理において，ウエハと
石英バスケットの接触部での処理の完全化と汚染の防止
が可能となった。
石英バスケットの接触部での処理の完全化と汚染の防止
が可能となった。
【００２７】この結果，デバイスの信頼性と製造歩留の
向上に寄与することができた。
向上に寄与することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例の説明断面図
【図２】 従来例による汚染を説明する図
１ ウエハ ２ ウエハを保持する石英バスケット ３ バスケットを保持する石英ハンガ ４ ハンガを保持するアーム ５ 処理槽
Claims (1)
- 【請求項１】 基板と，該基板の周縁部が挿入された溝
を有するバスケットとを処理液の中に浸漬し，該バスケ
ットに振動を与えながら行う処理方法であって，該振動
が基板や石英バスケットに損傷を与えないで且つ処理液
中で基板と石英バスケットとが該溝内で相互に移動を伴
う加速度で行われることを特徴とする基板のウエット処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17352791A JPH0547738A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 基板のウエツト処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17352791A JPH0547738A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 基板のウエツト処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547738A true JPH0547738A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=15962180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17352791A Withdrawn JPH0547738A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 基板のウエツト処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547738A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5791357A (en) * | 1996-06-06 | 1998-08-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Support jig for thin circular objects |
| US6209555B1 (en) * | 1999-04-27 | 2001-04-03 | Imtec Acculine, Inc. | Substrate cassette for ultrasonic cleaning |
| US6647998B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers |
| US6941957B2 (en) * | 2002-01-12 | 2005-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method and apparatus for pretreating a substrate prior to electroplating |
| JP2009016436A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Sharp Corp | 薄板処理方法および薄板処理装置 |
| JP2014225605A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 三菱電機株式会社 | 処理装置 |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP17352791A patent/JPH0547738A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5791357A (en) * | 1996-06-06 | 1998-08-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Support jig for thin circular objects |
| US6209555B1 (en) * | 1999-04-27 | 2001-04-03 | Imtec Acculine, Inc. | Substrate cassette for ultrasonic cleaning |
| US6647998B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers |
| US6941957B2 (en) * | 2002-01-12 | 2005-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method and apparatus for pretreating a substrate prior to electroplating |
| JP2009016436A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Sharp Corp | 薄板処理方法および薄板処理装置 |
| JP2014225605A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 三菱電機株式会社 | 処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |