JPH0546111U - Surface acoustic wave oscillator - Google Patents
Surface acoustic wave oscillatorInfo
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- JPH0546111U JPH0546111U JP9556491U JP9556491U JPH0546111U JP H0546111 U JPH0546111 U JP H0546111U JP 9556491 U JP9556491 U JP 9556491U JP 9556491 U JP9556491 U JP 9556491U JP H0546111 U JPH0546111 U JP H0546111U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 寸法・重量が小さく、複数の発振周波数出力
を持つ弾性表面波発振器を得る。
【構成】 増幅器と弾性表面波共振器から構成される、
弾性表面波発振器において、共振周波数の異る複数の弾
性表面波共振器と、それらに接続されたマイクロ波帯の
スイッチもしくは電力合成分配器と、それに接続された
移相器とを同一圧電体基板上に製作した前記弾性表面波
共振器を用いる。
【効果】 従来例と比べて小型軽量化された弾性表面波
発振器を得ることができる。
(57) [Summary] [Purpose] To obtain a surface acoustic wave oscillator having a small size and weight and having a plurality of oscillation frequency outputs. [Composition] Comprised of an amplifier and a surface acoustic wave resonator,
In a surface acoustic wave oscillator, a plurality of surface acoustic wave resonators having different resonance frequencies, a microwave band switch or power combiner / distributor connected to the same, and a phase shifter connected to the same piezoelectric substrate The surface acoustic wave resonator manufactured above is used. [Effect] It is possible to obtain a surface acoustic wave oscillator that is smaller and lighter than the conventional example.
Description
【０００１】[0001]
この考案は、マイクロ波を発生する弾性表面波発振器の改良に関するものであ る。 The present invention relates to an improvement of a surface acoustic wave oscillator that generates microwaves.
【０００２】[0002]
図５は、従来の弾性表面波発振器を示すブロック図である。図において、１は 弾性表面波共振器であり、２は弾性表面波発振器１に接続された第１の増幅器で あり、３は第１の増幅器２に接続された電力分配器であり、４は電力分配器３に 接続された移相器であり、移相器４は前記弾性表面波共振器１にも接続されてい る。また、５は前記電力分配器３に接続された第２の増幅器である。 FIG. 5 is a block diagram showing a conventional surface acoustic wave oscillator. In the figure, 1 is a surface acoustic wave resonator, 2 is a first amplifier connected to a surface acoustic wave oscillator 1, 3 is a power distributor connected to a first amplifier 2, and 4 is a power distributor. The phase shifter is connected to the power distributor 3, and the phase shifter 4 is also connected to the surface acoustic wave resonator 1. Reference numeral 5 is a second amplifier connected to the power distributor 3.
【０００３】 図６は、周波数の異る従来例の図５に示す弾性表面波発振器を複数個並列に構 成し、スイッチにて出力の周波数を切り換えることのできる発振器の構成を示し たブロック図である。図において、６〜９は各々発振周波数の異る前記の従来例 の弾性表面波発振器である。１０は６〜９の弾性表面波発振器に接続されたマイ クロ波帯のスイッチであり、１１はマイクロ波帯のスイッチ１０に接続された周 波数選択回路である。FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of an oscillator in which a plurality of surface acoustic wave oscillators shown in FIG. 5 of different prior arts having different frequencies are configured in parallel and the output frequency can be switched by a switch. Is. In the figure, 6 to 9 are the conventional surface acoustic wave oscillators having different oscillation frequencies. Reference numeral 10 is a microwave band switch connected to the surface acoustic wave oscillators 6 to 9, and 11 is a frequency selection circuit connected to the microwave band switch 10.
【０００４】 次に動作について説明する。図５において、弾性表面波共振器１、第１の増幅 器２、電力分配器３、移相器４により閉ループ系を組んでおり、閉ループ系の一 巡した利得を１以上にし、移相器４により適切に閉ループ系の位相を調整するこ とにより、弾性表面波共振器１の共振周波数ｆ0 において、この回路を発振させ ることができる。発振出力は電力分配器３に接続された第２の増幅器５により増 幅され取り出すことができる。Next, the operation will be described. In FIG. 5, a closed loop system is formed by the surface acoustic wave resonator 1, the first amplifier 2, the power divider 3, and the phase shifter 4, and the loop gain of the closed loop system is set to 1 or more. By properly adjusting the phase of the closed loop system by means of 4, this circuit can be oscillated at the resonance frequency f 0 of the surface acoustic wave resonator 1. The oscillation output can be amplified and taken out by the second amplifier 5 connected to the power distributor 3.
【０００５】 続いて図６の動作について説明する。周波数選択回路１１から周波数選択信号 をマイクロ波帯のスイッチ１０に送出すると、その信号によりマイクロ波帯のス イッチは弾性表面波発振器６〜９のうちの１つの出力を選択するので、所望の周 波数の出力を取り出すことができるNext, the operation of FIG. 6 will be described. When a frequency selection signal is sent from the frequency selection circuit 11 to the microwave band switch 10, the microwave band switch selects the output of one of the surface acoustic wave oscillators 6 to 9 by the signal. Can output the wave number output
【０００６】[0006]
図６に示す複数の発振周波数出力を得ることのできる従来の弾性表面発振器で は構成する要素が各々個別部品で構成されているので、それらを基板上にアセン ブリし、一体化することが必要であり、その結果、発振器の寸法・重量が大きく なるという問題点があった。 In the conventional surface acoustic wave oscillator capable of obtaining a plurality of oscillation frequency outputs shown in Fig. 6, the constituent elements are each composed of individual parts, so it is necessary to assemble them on a substrate and integrate them. As a result, there is a problem that the size and weight of the oscillator become large.
【０００７】 この考案は上記のような課題を解決するためになされたもので、弾性表面波発 振器の部品点数を減らすとともに寸法・重量の小さい弾性表面波発振器を得るこ とを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to reduce the number of parts of a surface acoustic wave oscillator and to obtain a surface acoustic wave oscillator having a small size and weight. ..
【０００８】[0008]
この考案に係る弾性表面波発振器は、共振周波数の異る複数の共振器とマイク ロ波帯のスイッチもしくは電力分配合成器と移相器を同一圧電体基板上に形成し 、弾性表面波共振器バンクとして、一個の部品とするものである。 The surface acoustic wave oscillator according to the present invention has a plurality of resonators having different resonance frequencies, a switch in the microwave band or a power distribution synthesizer, and a phase shifter formed on the same piezoelectric substrate. The bank is a single component.
【０００９】[0009]
この考案における弾性表面波発振器は個別部品で構成されていた従来の発振器 に比べ、一体化した弾性表面波発振器バンクを用いているので、部品点数が削減 され、かつ小型化されるので、寸法・重量を小さくすることができる。 The surface acoustic wave oscillator in this invention uses an integrated surface acoustic wave oscillator bank compared to the conventional oscillator that was composed of individual parts, so the number of parts is reduced and the size is reduced. The weight can be reduced.
【００１０】[0010]
実施例１． 以下、この考案の一実施例を図について説明する。図１において、１２は圧電 体基板であり、１３は圧電体基板１２上に形成されｔ第１のマイクロ波帯のスイ ッチであり、１５−１８は前記圧電体基板１２上に形成され、各々第１のマイク ロ波帯のスイッチ１３に接続され、共振周波数が各々異る第１から第４の弾性表 面波共振器である。１４は前記圧電体基板１２上に形成され、前記第１〜第４の 弾性表面波共振器１５〜１８に接続された第２のマイクロ波帯のスイッチである 。１９は第２のマイクロ波帯のスイッチ１４に接続された移相器である。この前 記圧電体基板上に形成された図１に示す部品を弾性表面波共振器バンクと呼ぶ。 Example 1. An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, reference numeral 12 is a piezoelectric substrate, 13 is a switch of the first microwave band formed on the piezoelectric substrate 12, and 15-18 is formed on the piezoelectric substrate 12. The first to fourth surface acoustic wave resonators are connected to the first microwave band switch 13 and have different resonance frequencies. Reference numeral 14 denotes a second microwave band switch formed on the piezoelectric substrate 12 and connected to the first to fourth surface acoustic wave resonators 15 to 18. Reference numeral 19 is a phase shifter connected to the switch 14 in the second microwave band. The component shown in FIG. 1 formed on the piezoelectric substrate is called a surface acoustic wave resonator bank.
【００１１】 図２は、上記弾性表面波共振器バンクを用いて、従来例の図６に示す弾性表面 波発振器と同様な機能を持つ本考案の弾性表面波発振器のブロック図である。２ 、３、５、１１は従来例と同様であり、２０は周波数選択回路１１、第１の増幅 器２電力分配器３に接続された、前記弾性表面波共振器バンクである。FIG. 2 is a block diagram of a surface acoustic wave oscillator of the present invention having the same function as the conventional surface acoustic wave oscillator shown in FIG. 6 using the surface acoustic wave resonator bank. Reference numerals 2, 3, 5, and 11 are the same as those in the conventional example, and 20 is the surface acoustic wave resonator bank connected to the frequency selection circuit 11 and the first amplifier 2 power distributor 3.
【００１２】 続いて実施例の動作について説明する。周波数選択回路１１より周波数選択信 号を弾性表面波共振器バンク２０に送りこむと、弾性表面波共振器バンク２０上 のマイクロ波帯のスイッチ１３、１４により第１〜第４の弾性表面波共振器１５ 〜１８のうちどれかを含む回路が選択される。移相器１９では、選択された弾性 表面波共振器の共振周波数で発振するよう位相が調整されて、従来例と同様な動 作で所望の発振出力を得ることができる。本実施例は、従来例と比較して圧電体 基板１２上に形成した弾性表面波共振器バンク２０を用いたことにより、増幅器 、電力分配器、移相器等の個別部品の数を少くすることができるので、形状寸法 の小さい弾性表面波発振器を得ることができる。また、補足して説明すると、弾 性表面波共振器バンクは、マイクロ波集積回路技術を用いて製作するので数ミリ 角程度の小型化された部品とすることができる。Next, the operation of the embodiment will be described. When the frequency selection signal is sent from the frequency selection circuit 11 to the surface acoustic wave resonator bank 20, the microwave band switches 13 and 14 on the surface acoustic wave resonator bank 20 cause the first to fourth surface acoustic wave resonators. A circuit including any of 15 to 18 is selected. In the phase shifter 19, the phase is adjusted to oscillate at the resonance frequency of the selected surface acoustic wave resonator, and the desired oscillation output can be obtained by the same operation as in the conventional example. In this embodiment, the surface acoustic wave resonator bank 20 formed on the piezoelectric substrate 12 is used as compared with the conventional example, so that the number of individual components such as an amplifier, a power distributor, and a phase shifter is reduced. Therefore, it is possible to obtain a surface acoustic wave oscillator having a small shape and size. Also, as a supplementary explanation, since the elastic surface wave resonator bank is manufactured by using the microwave integrated circuit technology, it can be a miniaturized component of about several millimeters square.
【００１３】 実施例２． 以下図３、図４により、他の実施例について説明する。図３において、１２は 前記実施例と同様に圧電体基板であり、２１は圧電体基板１２上に形成された第 １の合成分配器であり、１５〜１８は前記実施例と同様に圧電体基板１２上に形 成され、各々第１の電力合成分配器２１に接続された、共振周波数が各々異なる 第１〜第４の弾性表面波共振器である。また、２２は、圧電体基板１２上に形成 され、第１〜第４の弾性表面波共振基１５〜１８に接続された第２の電力合成分 配器であり、１９は第２の電力合成分配器２２に接続された移相器である。この 圧電体基板１２上に形成された図３に示す部品を弾性表面波共振器バンクと呼ぶ 。Example 2. Another embodiment will be described below with reference to FIGS. In FIG. 3, 12 is a piezoelectric substrate as in the above-described embodiment, 21 is a first composite distributor formed on the piezoelectric substrate 12, and 15 to 18 are piezoelectric substances as in the above-described embodiments. First to fourth surface acoustic wave resonators formed on the substrate 12 and connected to the first power combiner / distributor 21 and having different resonance frequencies. Reference numeral 22 is a second power combiner / distributor formed on the piezoelectric substrate 12 and connected to the first to fourth surface acoustic wave resonance groups 15 to 18, and 19 is the second power combiner / distributor. It is a phase shifter connected to the device 22. The component shown in FIG. 3 formed on the piezoelectric substrate 12 is called a surface acoustic wave resonator bank.
【００１４】 図４は上記弾性表面波共振器バンクを用いて、従来例の弾性表面波発振器と同 様な機能を持つ本考案の弾性表面波発振器のブロック図である。２、３、５、１ １は従来例と同様であり、２０は周波数選択回路１１、第１の増幅器２に接続さ れた弾性表面波共振器バンクであり、２３は、周波数選択回路１１、弾性表面波 共振器バンク２０、電力分配器３に接続されたチューナブルフィルタである。FIG. 4 is a block diagram of a surface acoustic wave oscillator of the present invention having the same function as the conventional surface acoustic wave oscillator using the surface acoustic wave resonator bank. 2, 3, 5, 11 are the same as in the conventional example, 20 is a frequency selection circuit 11, a surface acoustic wave resonator bank connected to the first amplifier 2, and 23 is a frequency selection circuit 11, Surface acoustic wave A tunable filter connected to the resonator bank 20 and the power distributor 3.
【００１５】 続いて本実施例の動作について説明する。周波数選択回路１１より周波数選択 信号を弾性表面波共振器バンク２０とチューナブルフィルタ２３に送りこむと、 弾性表面波共振器バンク２０中にある移相器１９では、所望の周波数で回路が発 振するように位相が調整され、チューナブルフィルタ２３では、回路に不要な発 振が起きないようにフィルタの中心周波数と帯域を制御する。このようにして、 従来例と同様に所望の発振出力を得ることができる。本実施例でも圧電体基板１ ２上に形成した弾性表面波バンク２０を用いたことにより、増幅器、電力分配器 、移相器等の個別部品の数を従来例より少くすることができるので、形状寸法の 小さい発振器を得ることができる。Next, the operation of this embodiment will be described. When a frequency selection signal is sent from the frequency selection circuit 11 to the surface acoustic wave resonator bank 20 and the tunable filter 23, the phase shifter 19 in the surface acoustic wave resonator bank 20 causes the circuit to oscillate at a desired frequency. The phase is adjusted as described above, and the tunable filter 23 controls the center frequency and band of the filter so that unnecessary vibration does not occur in the circuit. In this way, a desired oscillation output can be obtained as in the conventional example. Also in this embodiment, since the surface acoustic wave bank 20 formed on the piezoelectric substrate 12 is used, the number of individual components such as an amplifier, a power divider, and a phase shifter can be reduced as compared with the conventional example. It is possible to obtain an oscillator having a small geometrical dimension.
【００１６】[0016]
以上のように、この考案によれば、弾性表面波共振器バンクを圧電体基板上に 一体化して形成したので、部品点数が削減でき、形状寸法が小さく、重量の小さ い弾性表面波発振器を得ることができるという効果がある。 As described above, according to the present invention, since the surface acoustic wave resonator bank is integrally formed on the piezoelectric substrate, the number of parts can be reduced, and the surface acoustic wave oscillator having a small shape and size and a small weight can be realized. There is an effect that can be obtained.
【図１】この考案の一実施例の弾性表面波共振器バンク
のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of a surface acoustic wave resonator bank according to an embodiment of the present invention.
【図２】この考案の一実施例の弾性表面波発振器のブロ
ック図である。FIG. 2 is a block diagram of a surface acoustic wave oscillator according to an embodiment of the present invention.
【図３】この考案の他の実施例の弾性表面波共振器バン
クのブロック図である。FIG. 3 is a block diagram of a surface acoustic wave resonator bank according to another embodiment of the present invention.
【図４】この考案の他の実施例の弾性表面波発振器のブ
ロック図である。FIG. 4 is a block diagram of a surface acoustic wave oscillator according to another embodiment of the present invention.
【図５】従来の弾性表面波発振器のブロック図である。FIG. 5 is a block diagram of a conventional surface acoustic wave oscillator.
【図６】従来の複数の周波数出力を得ることのできる弾
性表面波共振器のブロック図である。FIG. 6 is a block diagram of a conventional surface acoustic wave resonator capable of obtaining a plurality of frequency outputs.
１ 弾性表面波共振器 ２ 第１の増幅器 ３ 電力分配器 １１ 周波数選択回路 １２ 圧電体基板 １３ 第１のマイクロ波帯のスイッチ １４ 第２のマイクロ波帯のスイッチ １５ 第１の弾性表面波共振器 １６ 第２の弾性表面波共振器 １７ 第３の弾性表面波共振器 １８ 第４の弾性表面波共振器 １９ 移相器 ２０ 弾性表面波共振器バンク ２１ 第１の電力合成分配器 ２２ 第２の電力合成分配器 ２３ チューナブルフィルタ 1 Surface Acoustic Wave Resonator 2 First Amplifier 3 Power Divider 11 Frequency Selection Circuit 12 Piezoelectric Substrate 13 First Microwave Band Switch 14 Second Microwave Band Switch 15 First Surface Acoustic Wave Resonator 16 Second surface acoustic wave resonator 17 Third surface acoustic wave resonator 18 Fourth surface acoustic wave resonator 19 Phase shifter 20 Surface acoustic wave resonator bank 21 First power combiner / distributor 22 Second Power combiner / distributor 23 Tunable filter
Claims (2)
幅器とそれに接続され、かつ前記弾性表面波共振器に接
続された電力分配器と、前記弾性表面波共振器に接続さ
れた周波数選択回路によって構成される弾性表面波発振
機において、共振周波数の異る弾性表面波共振器を複数
個とそれらに接続されたマイクロ波帯のスイッチと、マ
イクロ波帯のスイッチに接続された移相器とを同一圧電
体基板上に形成した前記の弾性表面波共振器を具備した
ことを特徴とする弾性表面波発振器。1. A surface acoustic wave oscillator, an amplifier connected to the surface acoustic wave oscillator, a power distributor connected to the surface acoustic wave resonator and connected to the surface acoustic wave resonator, and a frequency selection circuit connected to the surface acoustic wave resonator. In a surface acoustic wave oscillator configured, a plurality of surface acoustic wave resonators having different resonance frequencies, a microwave band switch connected to them, and a phase shifter connected to the microwave band switch are provided. A surface acoustic wave oscillator comprising the surface acoustic wave resonator formed on the same piezoelectric substrate.
幅器とそれに接続された電力分配器と、それに接続され
かつ前記弾性表面波共振器に接続されたチューナブルフ
ィルタと、それに接続されかつ前記弾性表面波共振器に
接続され周波数選択回路によって構成される弾性表面波
発振器において、共振周波数の異る弾性表面波共振器を
複数個と、それらに接続された電力分配合成器とそれに
接続された移相器とを同一圧電体基板上に形成した前記
の弾性表面波共振器を具備したことを特徴とする弾性表
面波発振器。2. A surface acoustic wave resonator, an amplifier connected thereto, a power distributor connected thereto, a tunable filter connected to the surface acoustic wave resonator, and a tunable filter connected to the surface acoustic wave resonator. In a surface acoustic wave oscillator connected to a surface acoustic wave resonator and configured by a frequency selection circuit, a plurality of surface acoustic wave resonators having different resonance frequencies, a power distribution combiner connected to them and a power distribution combiner connected to them A surface acoustic wave oscillator comprising the surface acoustic wave resonator having the phase shifter formed on the same piezoelectric substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9556491U JPH0546111U (en) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | Surface acoustic wave oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9556491U JPH0546111U (en) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | Surface acoustic wave oscillator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0546111U true JPH0546111U (en) | 1993-06-18 |
Family
ID=14141089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9556491U Pending JPH0546111U (en) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | Surface acoustic wave oscillator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0546111U (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000030594A (en) * | 1998-06-02 | 2000-01-28 | Nokia Mobile Phones Ltd | Structure of resonator |
| JP2006128075A (en) * | 2004-10-01 | 2006-05-18 | Seiko Epson Corp | High-frequency heating device, semiconductor manufacturing device, and light source device |
| US7498902B2 (en) | 2004-12-28 | 2009-03-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Balanced/unbalanced filter module and communication apparatus |
-
1991
- 1991-11-21 JP JP9556491U patent/JPH0546111U/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000030594A (en) * | 1998-06-02 | 2000-01-28 | Nokia Mobile Phones Ltd | Structure of resonator |
| JP2006128075A (en) * | 2004-10-01 | 2006-05-18 | Seiko Epson Corp | High-frequency heating device, semiconductor manufacturing device, and light source device |
| US7498902B2 (en) | 2004-12-28 | 2009-03-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Balanced/unbalanced filter module and communication apparatus |
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