JPH0539561Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0539561Y2 JPH0539561Y2 JP1986105147U JP10514786U JPH0539561Y2 JP H0539561 Y2 JPH0539561 Y2 JP H0539561Y2 JP 1986105147 U JP1986105147 U JP 1986105147U JP 10514786 U JP10514786 U JP 10514786U JP H0539561 Y2 JPH0539561 Y2 JP H0539561Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- etching
- analysis
- chamber
- ion gun
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 47
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 29
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 claims description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 15
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は例えばESCAなどの表面分析装置に関
し、特にエツチング用のイオン銃を備え、試料の
深さ方向についても分析することのできる表面分
析装置に関するものである。[Detailed description of the invention] (Field of industrial application) The present invention relates to a surface analysis device such as an ESCA, and in particular a surface analysis device that is equipped with an ion gun for etching and can also analyze the depth direction of a sample. It is related to.
（従来の技術）
試料のエツチングを行なうようにした表面分析
装置では、第４図に示されるように分析室２とは
別にエツチング室４を設けている。分析室２では
試料６を励起するための励起源８としてＸ線銃や
電子銃が設けられ、試料６から発生する電子やイ
オンを分析するエネルギー分析器１０が設けら
れ、エネルギー分析器１０の出口には検出器１２
が設けられている。また、エツチング室４では試
料６をエツチングするイオン銃１４が設けられて
いる。(Prior Art) A surface analysis apparatus for etching a sample is provided with an etching chamber 4 separate from the analysis chamber 2, as shown in FIG. The analysis chamber 2 is equipped with an X-ray gun and an electron gun as an excitation source 8 for exciting the sample 6, an energy analyzer 10 for analyzing electrons and ions generated from the sample 6, and an exit of the energy analyzer 10. has a detector 12
is provided. Further, the etching chamber 4 is provided with an ion gun 14 for etching the sample 6.
分析室２とエツチング室４にはそれぞれ独立し
た排気系が設けられ、分析室２とエツチング室４
の間はゲートバルブ１６により隔離され、また、
ゲートバルブ１６を介して分析室２とエツチング
室４の間で試料６を移送するための試料移送機構
（図示略）が設けられている。 The analysis chamber 2 and the etching chamber 4 are each provided with an independent exhaust system.
is isolated by a gate valve 16, and
A sample transfer mechanism (not shown) is provided for transferring the sample 6 between the analysis chamber 2 and the etching chamber 4 via the gate valve 16.
１８はエツチング室４にゲートバルブを介して
設けられた予備排気室であり、試料交換に使用さ
れる。予備排気室１８にも独立した排気系が設け
られている。 Reference numeral 18 denotes a preliminary exhaust chamber which is connected to the etching chamber 4 via a gate valve and is used for sample exchange. The preliminary exhaust chamber 18 is also provided with an independent exhaust system.
このようにエツチング室４を分析室２とは別に
設けているのは、試料６のエツチングにより発生
する中性粒子やイオンにより真空槽を汚染した
り、多試料自動分析装置の場合には他の試料を汚
染してしまうことがあり、分析の妨げになるから
である。また、何度もエツチングを行なつている
と真空度にも影響を及ぼし、多試料自動分析装置
などの機構類の動きにも影響を及ぼすことがある
からである。 The reason why the etching chamber 4 is provided separately from the analysis chamber 2 is to prevent contamination of the vacuum chamber with neutral particles and ions generated by etching the sample 6, and in the case of a multi-sample automatic analyzer. This is because it may contaminate the sample and interfere with analysis. Further, if etching is performed many times, it may affect the degree of vacuum and may also affect the operation of mechanisms such as a multi-sample automatic analyzer.
（考案が解決しようとする問題点）
分析室とエツチング室を個別に設ける従来の装
置では、まず装置全体が大型化する問題がある。
また、排気を行なわなければならない容積も大き
くなるので排気に時間がかかるという問題もあ
る。(Problems to be solved by the invention) In the conventional apparatus in which an analysis chamber and an etching chamber are provided separately, there is a problem that the entire apparatus becomes large in size.
Furthermore, since the volume that must be evacuated becomes large, there is also the problem that evacuation takes time.
本考案はエツチング室と分析室を分けるのでは
なく、同じ真空槽内でエツチングと分析の両方を
行なうことができるようにすることにより、装置
を小型で簡略にし、排気系も少なくて済むように
することを目的とするものである。 This invention does not separate the etching chamber and analysis chamber, but allows both etching and analysis to be performed in the same vacuum chamber, thereby making the equipment smaller and simpler, and requiring less exhaust system. The purpose is to
（問題点を解決するための手段）
本考案の表面分析装置では、真空槽内の垂直軸
上の互いに高さの異なる位置に分析位置、エツチ
ング位置及び試料交換位置が配置されており、そ
の真空槽内には、分析位置に置かれた試料にＸ線
又は粒子線を照射する励起源と、分析位置で励起
された試料から発生する粒子線を受けて分析する
測定系と、エツチング位置に置かれた試料にエツ
チング用のイオンビームを照射するイオン銃と、
イオン銃の出口とエツチング位置の試料とを取り
囲み、底面と上面には試料が垂直方向に移動でき
る出入り口が設けられているカバーと、試料を垂
直方向に移動させて分析位置、エツチング位置及
び試料交換位置に位置決めする移動機構とを備え
ている。(Means for Solving the Problems) In the surface analysis device of the present invention, the analysis position, etching position, and sample exchange position are arranged at different heights on the vertical axis in the vacuum chamber, and the vacuum Inside the tank, there is an excitation source that irradiates the sample placed at the analysis position with X-rays or particle beams, a measurement system that receives and analyzes the particle beam generated from the sample excited at the analysis position, and an etching system placed at the etching position. an ion gun that irradiates the etched sample with an ion beam for etching;
A cover surrounds the exit of the ion gun and the sample at the etching position, and has entrances and exits on the bottom and top surfaces that allow the sample to move vertically. and a moving mechanism for positioning.
（実施例） 第１図は本考案の一実施例を表わす。(Example) FIG. 1 represents an embodiment of the present invention.
２０は真空槽であり、この真空槽内で試料６は
垂直方向に分析位置６ａ、エツチング位置６ｂ、
及び試料交換位置６ｃの３段階の位置に設置され
る。分析位置６ａではその位置の試料を励起する
Ｘ線源や電子銃８が設けられ、分析位置６ａの試
料から放出される電子などを分析するエネルギー
分析器１０が設けられ、そのエネルギー分析器１
０の出口に検出器１２が設けられている。 20 is a vacuum chamber, and within this vacuum chamber, the sample 6 is placed vertically at an analysis position 6a, an etching position 6b, and an etching position 6b.
and the sample exchange position 6c. The analysis position 6a is provided with an X-ray source and an electron gun 8 that excite the sample at that position, and an energy analyzer 10 that analyzes electrons etc. emitted from the sample at the analysis position 6a.
A detector 12 is provided at the outlet of 0.
試料６のエツチング位置６ｂにはそのエツチン
グ位置６ｂの試料をエツチングするようにエツチ
ング用のイオン銃２２が設けられ、エツチング位
置６ｂの試料とイオン銃２２の出口を取り囲むよ
うにカバー２４が設けられている。カバー２４は
第２図及び第３図に詳しく示されるように、その
底面に試料入口用の孔２６が開けられ、その上面
に試料６を分析位置へ移動させるための孔２８が
開けられ、その孔２８にはエツチング時に閉じる
ことのできる蓋３０が設けられている。 An ion gun 22 for etching is provided at the etching position 6b of the sample 6 so as to etch the sample at the etching position 6b, and a cover 24 is provided to surround the sample at the etching position 6b and the exit of the ion gun 22. There is. As shown in detail in FIGS. 2 and 3, the cover 24 has a hole 26 for the sample inlet on its bottom surface, a hole 28 for moving the sample 6 to the analysis position on its top surface, and a hole 28 for moving the sample 6 to the analysis position. The hole 28 is provided with a lid 30 that can be closed during etching.
試料６は試料回転台３２に取りつけられ、試料
回転台３２が回転することにより試料６をエツチ
ング位置６ｂの下方の試料交換位置６ｃに位置決
めすることができる。試料交換位置６ｃの試料６
は第２図に示されるように試料上下装置３４によ
りカバー２４の底面の入口２６からエツチング位
置６ｂへ押し上げられ、エツチングが終了した後
はカバー２４の上面の孔２８から蓋３０を開けて
その上方の分析位置６ａへとさらに押し上げるこ
とができる。分析が終了した後はこれとは逆に、
試料は分析位置６ａからエツチング位置６ｂを通
つて試料交換位置６ｃへと戻される。 The sample 6 is attached to a sample rotating table 32, and by rotating the sample rotating table 32, the sample 6 can be positioned at a sample exchange position 6c below the etching position 6b. Sample 6 at sample exchange position 6c
As shown in FIG. 2, the specimen is pushed up from the inlet 26 on the bottom of the cover 24 to the etching position 6b by the sample lifting device 34, and after etching is completed, the lid 30 is opened through the hole 28 on the top of the cover 24 and the sample is removed from above. can be further pushed up to the analysis position 6a. On the contrary, after the analysis is complete,
The sample is returned from the analysis position 6a through the etching position 6b to the sample exchange position 6c.
真空槽２０には排気系が設けられ、また、試料
交換のための予備排気室１８も設けられている。 The vacuum chamber 20 is provided with an exhaust system, and is also provided with a preliminary exhaust chamber 18 for sample exchange.
本実施例では、エツチングを行なう場合は試料
６をエツチング位置６ｂに位置決めし、カバー２
４の蓋３０を閉じてイオン銃２２によりエツチン
グを行なう。これによりエツチング中に出るスパ
ツタ粒子はカバー２４内に閉じ込められ、分析用
の励起源８やエネルギー分析器１０を汚染するこ
とがなくなる。 In this embodiment, when performing etching, the sample 6 is positioned at the etching position 6b, and the cover 2 is
Etching is performed using the ion gun 22 with the lid 30 of No. 4 closed. As a result, spatter particles generated during etching are confined within the cover 24, and do not contaminate the excitation source 8 for analysis or the energy analyzer 10.
また、第２図及び第３図に示されるように、カ
バー２４の内側にメツシユ３６を配置し、このメ
ツシユに負の電圧を印加することによりエツチン
グ中に出るプラスイオンを容易にトラツプできる
ようにすることもできる。 Furthermore, as shown in FIGS. 2 and 3, a mesh 36 is arranged inside the cover 24, and by applying a negative voltage to this mesh, positive ions generated during etching can be easily trapped. You can also.
（考案の効果）
本考案の表面分析装置では、分析用の励起源及
び測定系を備えた真空槽に、エツチング用のイオ
ン銃を設け、エツチング用の試料位置と分析用の
試料位置を垂直軸上の互いに高さの異なる位置に
配置するとともに、エツチング用の試料位置では
イオン銃の出口と試料とを取り囲むカバーを設け
たので、エツチング用のイオン銃が分析室と同じ
真空槽内に設けられ、装置全体が簡単で小型にな
る。(Effects of the invention) In the surface analysis device of the invention, an ion gun for etching is installed in a vacuum chamber equipped with an excitation source and a measurement system for analysis, and the sample position for etching and the sample position for analysis are aligned on a vertical axis. The ion gun for etching was placed in the same vacuum chamber as the analysis chamber because a cover was provided to surround the exit of the ion gun and the sample at the sample position for etching. , the entire device becomes simple and compact.
また、エツチング中はエツチングされている試
料の周りをカバー２４で被つているので、エツチ
ングにより発生するイオンや中性粒子により真空
槽内を汚染することがない。そして、この表面分
析装置の維持について考えれば、カバー２４を掃
除するだけで汚れを取るとができるので容易であ
る。 Furthermore, since the sample being etched is covered with the cover 24 during etching, the inside of the vacuum chamber is not contaminated by ions or neutral particles generated by etching. When considering the maintenance of this surface analysis device, it is easy to remove dirt by simply cleaning the cover 24.
第１図は本考案の一実施例を示す概略断面図、
第２図は同実施例の要部を示す斜視図、第３図は
同実施例の要部を示す概略断面図、第４図は従来
の表面分析装置を示す概略断面図である。
６……試料、６ａ……分析用試料位置、６ｂ…
…エツチング用試料位置、８……分析用励起源、
１０……エネルギー分析器、１２……検出器、２
０……真空槽、２２……エツチング用イオン銃、
２４……カバー。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of the present invention;
Fig. 2 is a perspective view showing the main part of the embodiment, Fig. 3 is a schematic cross-sectional view showing the main part of the embodiment, and Fig. 4 is a schematic cross-sectional view showing a conventional surface analysis device. 6 ... sample, 6a ... analysis sample position, 6b ...
...etching sample position, 8...analysis excitation source,
10: Energy analyzer, 12: Detector, 2
0: vacuum chamber; 22: etching ion gun;
24...Cover.
Claims (1)
に分析位置、エツチング位置及び試料交換位置が
配置されており、その真空槽内には、分析位置に
置かれた試料にＸ線又は粒子線を照射する励起源
と、分析位置で励起された試料から発生する粒子
線を受けて分析する測定系と、エツチング位置に
置かれた試料にエツチング用のイオンビームを照
射するイオン銃と、イオン銃の出口とエツチング
位置の試料とを取り囲み、底面と上面には試料が
垂直方向に移動できる出入り口が設けられている
カバーと、試料を垂直方向に移動させて分析位
置、エツチング位置及び試料交換位置に位置決め
する移動機構と、を備えた表面分析装置。 An analysis position, an etching position, and a sample exchange position are arranged at different heights on the vertical axis within the vacuum chamber, and the sample placed at the analysis position is exposed to X-rays or particle beams within the vacuum chamber. an excitation source that irradiates the particle beam, a measurement system that receives and analyzes the particle beam generated from the excited sample at the analysis position, an ion gun that irradiates the sample placed at the etching position with an ion beam for etching, and an ion gun. The cover surrounds the outlet of the sample and the sample at the etching position, and has openings on the bottom and top surfaces through which the sample can be moved vertically. A surface analysis device equipped with a moving mechanism for positioning.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986105147U JPH0539561Y2 (en) | 1986-07-08 | 1986-07-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986105147U JPH0539561Y2 (en) | 1986-07-08 | 1986-07-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6312153U JPS6312153U (en) | 1988-01-26 |
| JPH0539561Y2 true JPH0539561Y2 (en) | 1993-10-07 |
Family
ID=30979301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986105147U Expired - Lifetime JPH0539561Y2 (en) | 1986-07-08 | 1986-07-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0539561Y2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2764600B2 (en) * | 1989-02-16 | 1998-06-11 | 宣夫 御子柴 | Reflection electron beam diffractometer |
| JP2987417B2 (en) * | 1993-03-04 | 1999-12-06 | 科学技術庁金属材料技術研究所長 | In-situ preparation and observation method of thin film sample for transmission electron microscope and its apparatus |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0314775Y2 (en) * | 1985-02-14 | 1991-04-02 |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP1986105147U patent/JPH0539561Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6312153U (en) | 1988-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3820964B2 (en) | Sample observation apparatus and method using electron beam | |
| JPH10160691A (en) | Fluorescence x-ray analyzer | |
| JPH0539561Y2 (en) | ||
| US6507029B1 (en) | Sample processing apparatus and method for removing charge on sample through light irradiation | |
| JPH10335399A (en) | Device and method for processing sample | |
| JP2002365182A5 (en) | ||
| JP6708298B2 (en) | Mass spectrometer | |
| JP2986129B2 (en) | Ion beam analyzer | |
| JPH0541397Y2 (en) | ||
| JPH0574182B2 (en) | ||
| JPH0314775Y2 (en) | ||
| JPS6345467B2 (en) | ||
| JP2000149844A (en) | Electron beam inspection device | |
| JP7485048B2 (en) | Automated Analysis Equipment | |
| JP2000162161A (en) | Fluorescent x-ray analyzing device | |
| JPH05258701A (en) | Electron beam device | |
| JPH0548358Y2 (en) | ||
| JPH0355238Y2 (en) | ||
| JPS61256554A (en) | Scanning-type electronic microscope | |
| JPS60189854A (en) | Device for replacing the sample | |
| JPH04233149A (en) | Analyzing device for surface of sample | |
| JPH06331574A (en) | Analyzer | |
| JPH11168126A (en) | Manufacture of electronic device and foreign substance anyalyzer thereof | |
| JPS6219970Y2 (en) | ||
| JP2507484B2 (en) | Polarized total reflection X-ray fluorescence structure analyzer |