JPH0537278A - 高周波モジユールにおける内蔵共振器の調整方法 - Google Patents
高周波モジユールにおける内蔵共振器の調整方法Info
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- JPH0537278A JPH0537278A JP21029191A JP21029191A JPH0537278A JP H0537278 A JPH0537278 A JP H0537278A JP 21029191 A JP21029191 A JP 21029191A JP 21029191 A JP21029191 A JP 21029191A JP H0537278 A JPH0537278 A JP H0537278A
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、高周波モジュールにおける内蔵共
振器の調整方法に関し、多層基板に内蔵した積層型ＬＣ
共振器の調整ができるようにすることを目的とする。 【構成】 積層型のＬＣ共振器を構成する、いずれか一
方のＧＮＤパターン３３−１を、該ＬＣ共振器を内蔵し
た多層基板３１の表面層に形成しておき、このＧＮＤパ
ターン３３−１の一部をトリミングして、該共振器のイ
ンピーダンスを変化させることにより、周波数調整を行
う。また、表面層に、共振器の各コイルパターンと接続
した複数のパッドＰ1 〜Ｐ3 を形成しておき、このパッ
ドを選択して周波数調整を行うように構成する。
振器の調整方法に関し、多層基板に内蔵した積層型ＬＣ
共振器の調整ができるようにすることを目的とする。 【構成】 積層型のＬＣ共振器を構成する、いずれか一
方のＧＮＤパターン３３−１を、該ＬＣ共振器を内蔵し
た多層基板３１の表面層に形成しておき、このＧＮＤパ
ターン３３−１の一部をトリミングして、該共振器のイ
ンピーダンスを変化させることにより、周波数調整を行
う。また、表面層に、共振器の各コイルパターンと接続
した複数のパッドＰ1 〜Ｐ3 を形成しておき、このパッ
ドを選択して周波数調整を行うように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波発振器、高周波
フィルタ等、共振器を使用した高周波回路を多層基板に
実装した高周波モジュールに用いられ、特に、多層基板
に内蔵した積層型のＬＣ共振器を、外部から調整できる
ようにした高周波モジュールにおける内蔵共振器の調整
方法に関する。
フィルタ等、共振器を使用した高周波回路を多層基板に
実装した高周波モジュールに用いられ、特に、多層基板
に内蔵した積層型のＬＣ共振器を、外部から調整できる
ようにした高周波モジュールにおける内蔵共振器の調整
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の高周波発振器モジュール
の構成図であり、図７Ａは斜視図（一部は断面図）、図
７Ｂは分解斜視図である。図中、１０Ａは多層基板の第
１層、１０Ｂは第２層、１０Ｃは第３層、１０Ｄは第４
層、１０Ｅは第５層、１１は回路パターン、１２はＧＮ
Ｄ層、１３は線路（ストリップライン）、１４は誘電
体、１５は導通部を示す。
の構成図であり、図７Ａは斜視図（一部は断面図）、図
７Ｂは分解斜視図である。図中、１０Ａは多層基板の第
１層、１０Ｂは第２層、１０Ｃは第３層、１０Ｄは第４
層、１０Ｅは第５層、１１は回路パターン、１２はＧＮ
Ｄ層、１３は線路（ストリップライン）、１４は誘電
体、１５は導通部を示す。
【０００３】従来、共振器を使用した高周波モジュール
として、例えば図７に示したような高周波発振器モジュ
ールが知られていた。このモジュールは、トリプレート
形ストリップラインを共振器として用い、該共振器を多
層基板に内蔵させたモジュールである。
として、例えば図７に示したような高周波発振器モジュ
ールが知られていた。このモジュールは、トリプレート
形ストリップラインを共振器として用い、該共振器を多
層基板に内蔵させたモジュールである。
【０００４】図示のように、多層基板の第３層１０Ｃ上
に、線路（ストリップライン）１３を形成し、第３層の
裏側（線路と反対側の面）にＧＮＤ層１２を形成する。
また、第２層１０Ｂ上にもＧＮＤ層１２を形成すること
により、前記線路１３を、誘電体層１４を介して、両側
からＧＮＤ層１２で挟んだ構造としている。
に、線路（ストリップライン）１３を形成し、第３層の
裏側（線路と反対側の面）にＧＮＤ層１２を形成する。
また、第２層１０Ｂ上にもＧＮＤ層１２を形成すること
により、前記線路１３を、誘電体層１４を介して、両側
からＧＮＤ層１２で挟んだ構造としている。
【０００５】この場合、線路（ストリップライン）１３
は、λ／４型の共振器となっており、その両側にＧＮＤ
層を配置してトリプレート型の共振器としたものであ
る。ところで、図７に示したような高周波発振器モジュ
ールは、ストリップラインを利用したλ／４型の共振器
を用いているので、８００〜９００ＭＨz帯またはそれ
以上の１ＧＨz 帯では、比較的設定が容易である。
は、λ／４型の共振器となっており、その両側にＧＮＤ
層を配置してトリプレート型の共振器としたものであ
る。ところで、図７に示したような高周波発振器モジュ
ールは、ストリップラインを利用したλ／４型の共振器
を用いているので、８００〜９００ＭＨz帯またはそれ
以上の１ＧＨz 帯では、比較的設定が容易である。
【０００６】なぜなら、前記周波数帯の波長λは３０cm
程度であり、共振器の長さはλg ／４≒ 2.5cmとなる。
ただし、λｇは、誘電体１４の比誘電率をεr とした場
合、λg ＝λ／√εr である。
程度であり、共振器の長さはλg ／４≒ 2.5cmとなる。
ただし、λｇは、誘電体１４の比誘電率をεr とした場
合、λg ＝λ／√εr である。
【０００７】従って、上記の周波数帯では小型モジュー
ル内に十分納めることができた。しかし、前記周波帯よ
り低い周波数帯では、多層基板に共振器を内蔵すること
は困難となる。
ル内に十分納めることができた。しかし、前記周波帯よ
り低い周波数帯では、多層基板に共振器を内蔵すること
は困難となる。
【０００８】例えば、３００ＭＨz 帯においては、λg
／４の値が約７cmと大きくなり、共振器を内蔵できなく
なる。一般に、５００ＭＨz 以下の周波帯では、ストリ
ップラインによる共振器を、多層基板に内蔵するのは困
難である。
／４の値が約７cmと大きくなり、共振器を内蔵できなく
なる。一般に、５００ＭＨz 以下の周波帯では、ストリ
ップラインによる共振器を、多層基板に内蔵するのは困
難である。
【０００９】そこで、５００ＭＨz 以下の周波数帯で
は、ＬＣ共振器を用いることになる。このＬＣ共振器と
して、Ｌ素子（コイル）を使った集中定数的な扱いの共
振器がある。
は、ＬＣ共振器を用いることになる。このＬＣ共振器と
して、Ｌ素子（コイル）を使った集中定数的な扱いの共
振器がある。
【００１０】この共振器は多層基板に内蔵したコイル
と、該コイルの巻線間、及び巻線とＧＮＤパターンとの
間に生じる容量等で、等価的なＬＣ共振器を構成するも
のである。
と、該コイルの巻線間、及び巻線とＧＮＤパターンとの
間に生じる容量等で、等価的なＬＣ共振器を構成するも
のである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のも
のにおいては、次のような課題があった。 (1) ５００ＭＨz 以下の周波数帯では、ストリップライ
ンによるλ／４型共振器は大型となるため、共振器内蔵
の高周波モジュールを構成することは困難であった。
のにおいては、次のような課題があった。 (1) ５００ＭＨz 以下の周波数帯では、ストリップライ
ンによるλ／４型共振器は大型となるため、共振器内蔵
の高周波モジュールを構成することは困難であった。
【００１２】そこでＬ素子を使った集中定数的扱いの共
振器（等価的なＬＣ共振器）を用いることが考えられ
る。しかし、このような共振器を多層基板に内蔵した場
合、Ｌ素子のインダクタンスの調整はできなかった。
振器（等価的なＬＣ共振器）を用いることが考えられ
る。しかし、このような共振器を多層基板に内蔵した場
合、Ｌ素子のインダクタンスの調整はできなかった。
【００１３】(2) 高周波モジュールの量産時には、製品
のバラツキが存在する。この場合、特に発振器では、発
振周波数のバラツキは許されないため、一個一個調整が
必要である。しかし、発振器を構成する共振器を、多層
基板に内蔵してしまうと、調整することはできなかっ
た。本発明は、このような従来の課題を解決し、多層基
板に内蔵した積層型ＬＣ共振器の調整ができるようにす
ることを目的とする。
のバラツキが存在する。この場合、特に発振器では、発
振周波数のバラツキは許されないため、一個一個調整が
必要である。しかし、発振器を構成する共振器を、多層
基板に内蔵してしまうと、調整することはできなかっ
た。本発明は、このような従来の課題を解決し、多層基
板に内蔵した積層型ＬＣ共振器の調整ができるようにす
ることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理図で
あり、（Ａ）は第１発明の原理図、（Ｂ）は第２発明の
原理図である。図中、３１は多層基板、３３−１はＧＮ
Ｄ電極、Ｐ1 〜Ｐ3 はパッド、３４はトリミング部分を
示す。
あり、（Ａ）は第１発明の原理図、（Ｂ）は第２発明の
原理図である。図中、３１は多層基板、３３−１はＧＮ
Ｄ電極、Ｐ1 〜Ｐ3 はパッド、３４はトリミング部分を
示す。
【００１５】本発明は上記の課題を解決するため、次の
ように構成した。 (1) 誘電体層を介し、コイルパターンの両側をＧＮＤパ
ターンで挟んだ構造の積層型ＬＣ共振器を、多層基板３
１に内蔵した高周波モジュールにおける内蔵共振器の調
整方法であって、前記ＧＮＤパターンの内、いずれか一
方のＧＮＤパターンを、多層基板３１の表面層上に形成
しておき、該ＧＮＤパターンを、３４の部分でトリミン
グして、該共振器のインピーダンスを変化させることに
より、周波数を調整するようにした。
ように構成した。 (1) 誘電体層を介し、コイルパターンの両側をＧＮＤパ
ターンで挟んだ構造の積層型ＬＣ共振器を、多層基板３
１に内蔵した高周波モジュールにおける内蔵共振器の調
整方法であって、前記ＧＮＤパターンの内、いずれか一
方のＧＮＤパターンを、多層基板３１の表面層上に形成
しておき、該ＧＮＤパターンを、３４の部分でトリミン
グして、該共振器のインピーダンスを変化させることに
より、周波数を調整するようにした。
【００１６】(2) 誘電体層を介し、コイルパターンの両
側をＧＮＤパターンで挟んだ構造の積層型ＬＣ共振器
を、多層基板３１に内蔵した高周波モジュールにおける
内蔵共振器の調整方法であって、前記多層基板３１の表
面層上に、複数のパッドＰ1 、Ｐ2 、Ｐ3 を設けると共
に、各パッドを、ＬＣ共振器を構成する各コイルパター
ンと接続しておき、前記パッドＰ1 〜Ｐ3 を選択するこ
とにより、共振器のインピーダンスを変化させて周波数
の調整を行うようにした。
側をＧＮＤパターンで挟んだ構造の積層型ＬＣ共振器
を、多層基板３１に内蔵した高周波モジュールにおける
内蔵共振器の調整方法であって、前記多層基板３１の表
面層上に、複数のパッドＰ1 、Ｐ2 、Ｐ3 を設けると共
に、各パッドを、ＬＣ共振器を構成する各コイルパター
ンと接続しておき、前記パッドＰ1 〜Ｐ3 を選択するこ
とにより、共振器のインピーダンスを変化させて周波数
の調整を行うようにした。
【００１７】(3) 誘電体層を介し、コイルパターンの両
側をＧＮＤパターンで挟んだ構造の積層型ＬＣ共振器
を、多層基板３１に内蔵した高周波モジュールにおける
内蔵共振器の調整方法であって、前記ＧＮＤパターンの
内、いずれか一方のＧＮＤパターンを、多層基板３１の
表面層に形成しておくと共に、前記表面層上に、複数の
パッドＰ1 、Ｐ2 、Ｐ3 を設け、前記パッドをＬＣ共振
器を構成する各コイルパターンと接続しておき、前記表
面層上のＧＮＤパターンのトリミングと、パッドＰ1 〜
Ｐ3の選択により、共振器のインピーダンスを変化させ
て、周波数の調整を行うようにした。
側をＧＮＤパターンで挟んだ構造の積層型ＬＣ共振器
を、多層基板３１に内蔵した高周波モジュールにおける
内蔵共振器の調整方法であって、前記ＧＮＤパターンの
内、いずれか一方のＧＮＤパターンを、多層基板３１の
表面層に形成しておくと共に、前記表面層上に、複数の
パッドＰ1 、Ｐ2 、Ｐ3 を設け、前記パッドをＬＣ共振
器を構成する各コイルパターンと接続しておき、前記表
面層上のＧＮＤパターンのトリミングと、パッドＰ1 〜
Ｐ3の選択により、共振器のインピーダンスを変化させ
て、周波数の調整を行うようにした。
【００１８】
【作用】上記構成にもとづく本発明の作用を、図１を参
照しながら説明する。図１Ａにおいては、積層型のＬＣ
共振器を多層基板３１に内蔵する際、多層基板３１の表
面層上に、前記ＬＣ共振器を構成する一方のＧＮＤパタ
ーン３３−１を形成しておく。
照しながら説明する。図１Ａにおいては、積層型のＬＣ
共振器を多層基板３１に内蔵する際、多層基板３１の表
面層上に、前記ＬＣ共振器を構成する一方のＧＮＤパタ
ーン３３−１を形成しておく。
【００１９】そして、実装基板を作製後、部品の実装を
行うことにより、高周波モジュールとする。その後、多
層基板３１の表面層上に形成したＧＮＤパターン３３−
１の一部をトリミングして共振器のインピーダンスを変
化させることにより、共振周波数の調整を行う。
行うことにより、高周波モジュールとする。その後、多
層基板３１の表面層上に形成したＧＮＤパターン３３−
１の一部をトリミングして共振器のインピーダンスを変
化させることにより、共振周波数の調整を行う。
【００２０】また、図１Ｂにおいては、多層基板３１の
表面層上に、上記のＧＮＤパターン３３−１を形成する
と共に、複数のパッドＰ1 〜Ｐ3を形成しておく。この
パッドＰ1 〜Ｐ3 は、ＬＣ共振器の各コイルパターンと
接続しておく。
表面層上に、上記のＧＮＤパターン３３−１を形成する
と共に、複数のパッドＰ1 〜Ｐ3を形成しておく。この
パッドＰ1 〜Ｐ3 は、ＬＣ共振器の各コイルパターンと
接続しておく。
【００２１】そして、ＬＣ共振器の調整時には、ＧＮＤ
パターン３３−１のトリミングを行うことにより周波数
調整ができるが、この外に、パッドを選択することによ
り、使用する回路の特性に合わせて、共振周波数の調整
をすることができる。
パターン３３−１のトリミングを行うことにより周波数
調整ができるが、この外に、パッドを選択することによ
り、使用する回路の特性に合わせて、共振周波数の調整
をすることができる。
【００２２】このようにすれば、積層型のＬＣ共振器を
多層基板に内蔵した後でも、ＬＣ共振器の周波数調整を
行うことができる。その結果、比較的周波数の低い帯域
でも、共振器を内蔵した小型の高周波モジュールが作製
できる。
多層基板に内蔵した後でも、ＬＣ共振器の周波数調整を
行うことができる。その結果、比較的周波数の低い帯域
でも、共振器を内蔵した小型の高周波モジュールが作製
できる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。（第１実施例の説明）図２〜図４は、本発明の第
１実施例を示した図であり、図２は、高周波モジュール
の分解斜視図、図３は、高周波モジュールの断面図及び
平面図、図４は、高周波モジュールの作り込み工程説明
図である。
する。（第１実施例の説明）図２〜図４は、本発明の第
１実施例を示した図であり、図２は、高周波モジュール
の分解斜視図、図３は、高周波モジュールの断面図及び
平面図、図４は、高周波モジュールの作り込み工程説明
図である。
【００２４】図中、図１と同符号は同一のものを示す。
また、３２は部品（ディスクリート部品）、３３−２は
ＧＮＤ電極、３５−１〜３５−５は多層基板の第１層〜
第５層、３６は配線層、３７−１〜３７−３はコイルパ
ターン、３８はブラインドスルーホールを示す。
また、３２は部品（ディスクリート部品）、３３−２は
ＧＮＤ電極、３５−１〜３５−５は多層基板の第１層〜
第５層、３６は配線層、３７−１〜３７−３はコイルパ
ターン、３８はブラインドスルーホールを示す。
【００２５】第１実施例の高周波モジュールは、高周波
発振器、あるいは高周波フィルタを構成する共振器を、
多層基板に内蔵したものである。この場合、前記共振器
として、積層型構造の共振器を用い、外部からインピー
ダンス調整ができるようにしたものである。
発振器、あるいは高周波フィルタを構成する共振器を、
多層基板に内蔵したものである。この場合、前記共振器
として、積層型構造の共振器を用い、外部からインピー
ダンス調整ができるようにしたものである。
【００２６】図２、図３に示したように、多層基板の第
１層３５−１上には、ＧＮＤ（接地）パターン３５−
１、配線パターン３６を形成すると共に、実装部品３２
を搭載する。
１層３５−１上には、ＧＮＤ（接地）パターン３５−
１、配線パターン３６を形成すると共に、実装部品３２
を搭載する。
【００２７】また、多層基板の第２層３５−２、第３層
３５−３、第４層３５−４上には、それぞれヘリカルコ
イルを構成するコイルパターン３７−１、３７−２、３
７−３を形成する。
３５−３、第４層３５−４上には、それぞれヘリカルコ
イルを構成するコイルパターン３７−１、３７−２、３
７−３を形成する。
【００２８】更に、多層基板の第５層３５−５上には、
ＧＮＤパターン３３−２を形成する。なお、前記ＧＮＤ
パターン３３−１、３３−２、配線パターン３６、コイ
ルパターン３７−１、３７−２、３７−３は、全て厚膜
導体パターン（印刷）として形成する。
ＧＮＤパターン３３−２を形成する。なお、前記ＧＮＤ
パターン３３−１、３３−２、配線パターン３６、コイ
ルパターン３７−１、３７−２、３７−３は、全て厚膜
導体パターン（印刷）として形成する。
【００２９】そして、図２に点線で示したように、ＧＮ
Ｄパターン３３−１、３３−２間、コイルパターン３７
−１、３７−２、３７−３間、コイルパターン３７−３
とＧＮＤパターン３３−２間、コイルパターン３７−１
と配線パターン３６間を、それぞれブラインドスルーホ
ール（内部が導体で満たされたスルーホール）３８によ
り接続する。
Ｄパターン３３−１、３３−２間、コイルパターン３７
−１、３７−２、３７−３間、コイルパターン３７−３
とＧＮＤパターン３３−２間、コイルパターン３７−１
と配線パターン３６間を、それぞれブラインドスルーホ
ール（内部が導体で満たされたスルーホール）３８によ
り接続する。
【００３０】このようにすれば、コイルパターン３７−
１〜３７−３でヘリカルコイルを形成し、このヘリカル
コイルを、２つのＧＮＤパターン３３−１、３３−２で
コイルをサンドイッチ状に挟んだ構造となる。
１〜３７−３でヘリカルコイルを形成し、このヘリカル
コイルを、２つのＧＮＤパターン３３−１、３３−２で
コイルをサンドイッチ状に挟んだ構造となる。
【００３１】前記構造においては、各コイルパターン３
７−１〜３７−３間、及び、各コイルパターンと、ＧＮ
Ｄパターン３３−１、３３−２間等には、誘電体層（多
層基板の各層）が介在しているため、容量（静電容量）
が存在する。
７−１〜３７−３間、及び、各コイルパターンと、ＧＮ
Ｄパターン３３−１、３３−２間等には、誘電体層（多
層基板の各層）が介在しているため、容量（静電容量）
が存在する。
【００３２】従って、等価的にコイルとコンデンサから
成るＬＣ共振器を構成する。即ち、積層型のＬＣ共振器
を多層基板に内蔵した構造となる。ところで、一方のＧ
ＮＤパターン３３−１は、多層基板の第１層３５−１上
に形成してあり、この層は外側の層であるから、前記Ｇ
ＮＤパターン３３−１は、多層基板の表面に露出してい
る。
成るＬＣ共振器を構成する。即ち、積層型のＬＣ共振器
を多層基板に内蔵した構造となる。ところで、一方のＧ
ＮＤパターン３３−１は、多層基板の第１層３５−１上
に形成してあり、この層は外側の層であるから、前記Ｇ
ＮＤパターン３３−１は、多層基板の表面に露出してい
る。
【００３３】そこで、図３Ｂに示したように、内蔵した
共振器のインピーダンス調整をする場合には、表面に露
出している前記ＧＮＤパターン３３−１の一部を削るこ
とによりトリミングを行う（トリミング部分３４参
照）。
共振器のインピーダンス調整をする場合には、表面に露
出している前記ＧＮＤパターン３３−１の一部を削るこ
とによりトリミングを行う（トリミング部分３４参
照）。
【００３４】次に、図４を参照しながら、上記高周波モ
ジュールの作り込み工程を説明する。先ず、図２、図３
に示したような多層基板の各層に、それぞれ厚膜導体パ
ターンを形成しながら積層処理を行い、実装基板を作製
する。
ジュールの作り込み工程を説明する。先ず、図２、図３
に示したような多層基板の各層に、それぞれ厚膜導体パ
ターンを形成しながら積層処理を行い、実装基板を作製
する。
【００３５】その後、多層基板の表面に、部品（ディス
クリート部品）を実装する。これらの工程により、一応
高周波モジュールが出来上がる。しかし、この状態で
は、特性のバラツキがあるので、調整する必要がある。
そこで、図３Ｂに示したように、ＧＮＤパターン３３−
１の一部を削ることにより、ＬＣ共振器のインピーダン
スを変えて、共振周波数を調整する。
クリート部品）を実装する。これらの工程により、一応
高周波モジュールが出来上がる。しかし、この状態で
は、特性のバラツキがあるので、調整する必要がある。
そこで、図３Ｂに示したように、ＧＮＤパターン３３−
１の一部を削ることにより、ＬＣ共振器のインピーダン
スを変えて、共振周波数を調整する。
【００３６】（第２実施例の説明）図５、図６は第２実
施例を示した図であり、図５は高周波モジュールの分解
斜視図、図６は高周波モジュールの断面図及び平面図で
ある。図中、図１、図２、図３と同符号は、同一のもの
を示す。また、３９−１、３９−２、３９−３はコイル
の引出し端子を示す。
施例を示した図であり、図５は高周波モジュールの分解
斜視図、図６は高周波モジュールの断面図及び平面図で
ある。図中、図１、図２、図３と同符号は、同一のもの
を示す。また、３９−１、３９−２、３９−３はコイル
の引出し端子を示す。
【００３７】第２実施例の高周波モジュールは、第１実
施例と同様に、積層型構造の共振器を用い、該共振器を
多層基板に内蔵したものである。図示のように、多層基
板の第１層３５−１上には、ＧＮＤパターン３３−１、
配線パターン３６、パッドＰ1 〜Ｐ3 を形成すると共
に、部品（ディスクリート部品）３２を搭載する。な
お、前記パッドＰ1 〜Ｐ3 は、厚膜導体パターンで形成
する。
施例と同様に、積層型構造の共振器を用い、該共振器を
多層基板に内蔵したものである。図示のように、多層基
板の第１層３５−１上には、ＧＮＤパターン３３−１、
配線パターン３６、パッドＰ1 〜Ｐ3 を形成すると共
に、部品（ディスクリート部品）３２を搭載する。な
お、前記パッドＰ1 〜Ｐ3 は、厚膜導体パターンで形成
する。
【００３８】また、多層基板の第２層３５−２、第３層
３５−３、第４層３５−４上には、それぞれヘリカルコ
イルを構成するコイルパターン３７−１、３７−２、３
７−３を形成する。そして、各コイルパターン３７−１
〜３７−３には、それぞれコイルの引出し端子３９−
１、３９−２、３９−３を厚膜導体パターンとして形成
する。
３５−３、第４層３５−４上には、それぞれヘリカルコ
イルを構成するコイルパターン３７−１、３７−２、３
７−３を形成する。そして、各コイルパターン３７−１
〜３７−３には、それぞれコイルの引出し端子３９−
１、３９−２、３９−３を厚膜導体パターンとして形成
する。
【００３９】更に、第５層３５−５上には、ＧＮＤパタ
ーン３３−２を形成する。これらの各パターン間は、第
１実施例と同様にブラインドスルーホール３８によって
接続することにより、ヘリカルコイルを２つのＧＮＤパ
ターンでサンドイッチ状に挟んだ積層型の共振器とな
る。
ーン３３−２を形成する。これらの各パターン間は、第
１実施例と同様にブラインドスルーホール３８によって
接続することにより、ヘリカルコイルを２つのＧＮＤパ
ターンでサンドイッチ状に挟んだ積層型の共振器とな
る。
【００４０】なお、この実施例では、更に、コイルの引
出し端子３９−１とパッドＰ3 との間、コイルの引出し
端子３９−２とバッドＰ2 との間、コイルの引出し端子
３９−３とパッドＰ1 との間を、それぞれブラインドス
ルーホールによって接続する。
出し端子３９−１とパッドＰ3 との間、コイルの引出し
端子３９−２とバッドＰ2 との間、コイルの引出し端子
３９−３とパッドＰ1 との間を、それぞれブラインドス
ルーホールによって接続する。
【００４１】このようにして、積層型の共振器を、多層
基板に内蔵し、部品３２を第１層３５−１上に搭載す
る。その後、共振器の共振周波数を調整する場合には、
ＧＮＤパターン３３−１の一部を削ることによりトリミ
ングを行い、インピーダンス調整をする。また、この実
施例では、使用する回路の特性に合わせてパッドＰ1 〜
Ｐ3 を選択して使用すれば、共振器の周波数調整を任意
に行うことができる。
基板に内蔵し、部品３２を第１層３５−１上に搭載す
る。その後、共振器の共振周波数を調整する場合には、
ＧＮＤパターン３３−１の一部を削ることによりトリミ
ングを行い、インピーダンス調整をする。また、この実
施例では、使用する回路の特性に合わせてパッドＰ1 〜
Ｐ3 を選択して使用すれば、共振器の周波数調整を任意
に行うことができる。
【００４２】この場合、パッドＰ1 〜Ｐ3 の内いずれか
１つを選択し、選択したパッドと、任意の配線パターン
３６との間を、ジャンパー線（ジャンパーチップ等）で
接続すればよい。即ち、このパッドの選択により、ヘリ
カルコイルの入力端子を変えて、インピーダンス調整を
行う。なお、上記の実施例において、コイルの巻数及び
コイル径は、使用する周波数と、必要とするインピーダ
ンスにより決定すればよい。
１つを選択し、選択したパッドと、任意の配線パターン
３６との間を、ジャンパー線（ジャンパーチップ等）で
接続すればよい。即ち、このパッドの選択により、ヘリ
カルコイルの入力端子を変えて、インピーダンス調整を
行う。なお、上記の実施例において、コイルの巻数及び
コイル径は、使用する周波数と、必要とするインピーダ
ンスにより決定すればよい。
【００４３】（他の実施例）以上実施例について説明し
たが、本発明は次のようにしても実施可能である。 (1) 使用するコイルは、ヘリカルコイルに限らず、他の
コイルでもよい。例えば、Ｑの設定に余裕があれば、ス
パイラル型コイル、あるいは蛇行型コイルも使用可能で
ある。
たが、本発明は次のようにしても実施可能である。 (1) 使用するコイルは、ヘリカルコイルに限らず、他の
コイルでもよい。例えば、Ｑの設定に余裕があれば、ス
パイラル型コイル、あるいは蛇行型コイルも使用可能で
ある。
【００４４】(2) 上記実施例の共振器は、厚膜導体パタ
ーンとしては、コイルパターンのみを形成した例である
が、コイルパターンと、コンデンサ電極パターンを厚膜
導体パターンで形成したＬＣ共振器にも適用可能であ
る。 (3) 高周波モジュールは、高周波発振器、高周波フィル
ター等、共振器を用いた各種の高周波回路に適用可能で
ある。
ーンとしては、コイルパターンのみを形成した例である
が、コイルパターンと、コンデンサ電極パターンを厚膜
導体パターンで形成したＬＣ共振器にも適用可能であ
る。 (3) 高周波モジュールは、高周波発振器、高周波フィル
ター等、共振器を用いた各種の高周波回路に適用可能で
ある。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 (1) 高周波モジュールの量産時に、特性のバラツキが生
じても、モジュール個々に調整が可能になる。
のような効果がある。 (1) 高周波モジュールの量産時に、特性のバラツキが生
じても、モジュール個々に調整が可能になる。
【００４６】(2) 比較的周波数が低い２００〜５００Ｍ
Ｈz 帯でも、共振器を内蔵した小型の高周波モジュール
（発振器、フィルター等）が作製可能となる。 (3) 各コイルパターンに接続されたパッドを選択するこ
とにより、使用する回路の特性に合わせた周波数の調整
が任意にできる。
Ｈz 帯でも、共振器を内蔵した小型の高周波モジュール
（発振器、フィルター等）が作製可能となる。 (3) 各コイルパターンに接続されたパッドを選択するこ
とにより、使用する回路の特性に合わせた周波数の調整
が任意にできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理図である。
【図２】本発明の第１実施例における高周波モジュール
の分解斜視図である。
の分解斜視図である。
【図３】第１実施例における高周波モジュールの断面図
である。
である。
【図４】第１実施例における高周波モジュールの作り込
み工程説明図である。
み工程説明図である。
【図５】第２実施例における高周波モジュールの分解斜
視図である。
視図である。
【図６】第２実施例における高周波モジュールの断面及
び平面図である。
び平面図である。
【図７】従来の高周波発振器モジュールの構成図であ
る。
る。
３１ 多層基板
Ｐ1 〜Ｐ3 パッド
３２ 部品（ディスクリート部品）
３３−１、３３−２ ＧＮＤパターン
３４ トリミング部
３５−１〜３５−５ 多層基板の各層
３６ 配線層
３７−１〜３７−３ コイルパターン
３８ ブラインドスルーホール
３９−１〜３９−３ コイルの引出し端子
Claims (3)
- 【請求項１】 誘電体層を介し、コイルパターン（３７
−１〜３７−３）の両側をＧＮＤパターン（３３−１、
３３−２）で挟んだ構造の積層型ＬＣ共振器を、 多層基板（３１）に内蔵した高周波モジュールにおける
内蔵共振器の調整方法であって、 前記ＧＮＤパターンの内、いずれか一方のＧＮＤパター
ン（３３−１）を、多層基板（３１）の表面層（３５−
１）上に形成しておき、 該ＧＮＤパターン（３３−１）をトリミング（３４）し
て、該共振器のインピーダンスを変化させることによ
り、 周波数の調整を行うことを特徴とした高周波モジュール
における内蔵共振器の調整方法。 - 【請求項２】 誘電体層を介し、コイルパターン（３７
−１〜３７−３）の両側をＧＮＤパターン（３３−１、
３３−２）で挟んだ構造の積層型ＬＣ共振器を、 多層基板（３１）に内蔵した高周波モジュールにおける
内蔵共振器の調整方法であって、 前記多層基板（３１）の表面層（３５−１）上に、複数
のパッド（Ｐ1 〜Ｐ3 ）を設けると共に、 前記各パッドを、ＬＣ共振器を構成する各コイルパター
ン（３７−１〜３７−３）と接続しておき、 前記パッド（Ｐ1 〜Ｐ3 ）を選択することにより、 共振器のインピーダンスを変化させて、周波数の調整を
行うことを特徴とした高周波モジュールにおける内蔵共
振器の調整方法。 - 【請求項３】 誘電体層を介し、コイルパターンの両側
を、ＧＮＤパターン（３３−１、３３−２）で挟んだ構
造の積層型ＬＣ共振器を、 多層基板（３１）に内蔵した高周波モジュールにおける
内蔵共振器の調整方法であって、 前記ＧＮＤパターンの内、いずれか一方のＧＮＤパター
ン（３３−１）を、多層基板（３１）の表面層（３５−
１）上に形成しておくと共に、 前記表面層（３５−１）上に、複数のパッド（Ｐ1 〜Ｐ
3 ）を設け、 前記各パッドを、ＬＣ共振器を構成する各コイルパター
ン（３７−１〜３７−３）と接続しておき、 前記表面層（３５−１）上のＧＮＤパターン（３３−
１）のトリミング（３４）と、パッド（Ｐ1 〜Ｐ3 ）の
選択により、 共振器のインピーダンスを変化させて、周波数の調整を
行うことを特徴とした高周波モジュールにおける内蔵共
振器の調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21029191A JPH0537278A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 高周波モジユールにおける内蔵共振器の調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21029191A JPH0537278A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 高周波モジユールにおける内蔵共振器の調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537278A true JPH0537278A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16586970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21029191A Withdrawn JPH0537278A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 高周波モジユールにおける内蔵共振器の調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0537278A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006157031A (ja) * | 2006-01-10 | 2006-06-15 | Ngk Spark Plug Co Ltd | コンデンサ |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP21029191A patent/JPH0537278A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006157031A (ja) * | 2006-01-10 | 2006-06-15 | Ngk Spark Plug Co Ltd | コンデンサ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |