JPH0537014A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH0537014A JPH0537014A JP3192315A JP19231591A JPH0537014A JP H0537014 A JPH0537014 A JP H0537014A JP 3192315 A JP3192315 A JP 3192315A JP 19231591 A JP19231591 A JP 19231591A JP H0537014 A JPH0537014 A JP H0537014A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数のＡｌＧａＡｓ層の側面に電極を形成す
る際に、この部分での電極の断線を防止できるととも
に、電極の膜厚も厚くして、膜厚が薄いことによる信頼
性の低下を防止する。 【構成】 半導体基板１上に、第１の III−Ｖ族化合物
半導体層２と複数のＡｌＧａＡｓ層３、４、５を設ける
とともに、この複数のＡｌＧａＡｓ層上に第２のIII−
Ｖ族化合物半導体層６を設けて、前記半導体基板１の裏
面側と第２の III−Ｖ族化合物半導体層６上に電極７、
８を設けた半導体発光素子において、前記複数のＡｌＧ
ａＡｓ層３、４、５の対向する側面を半導体基板１の表
面に対して６８°以下に傾斜させた。
る際に、この部分での電極の断線を防止できるととも
に、電極の膜厚も厚くして、膜厚が薄いことによる信頼
性の低下を防止する。 【構成】 半導体基板１上に、第１の III−Ｖ族化合物
半導体層２と複数のＡｌＧａＡｓ層３、４、５を設ける
とともに、この複数のＡｌＧａＡｓ層上に第２のIII−
Ｖ族化合物半導体層６を設けて、前記半導体基板１の裏
面側と第２の III−Ｖ族化合物半導体層６上に電極７、
８を設けた半導体発光素子において、前記複数のＡｌＧ
ａＡｓ層３、４、５の対向する側面を半導体基板１の表
面に対して６８°以下に傾斜させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体発光素子に関し、
特に半導体基板上に複数のＡｌＧａＡｓ層が設けられた
半導体発光素子に関する。
特に半導体基板上に複数のＡｌＧａＡｓ層が設けられた
半導体発光素子に関する。
【０００２】
【発明の背景】近時、ＧａＡｓ膜などの化合物半導体の
研究が盛んに行われている。化合物半導体の多くは直接
遷移型半導体であることから、シリコンなどの半導体に
比べて機能的および性能的に優れた発光素子を形成でき
るが、良質で大面積の単結晶基板を得にくいという問題
がある。そこで、良質で大面積化が可能なシリコン基板
上に、ＧａＡｓ膜を堆積させて機能的および性能的にす
ぐれ且つ大面積化が可能な半導体デバイスを形成するこ
とが種々試みられている。
研究が盛んに行われている。化合物半導体の多くは直接
遷移型半導体であることから、シリコンなどの半導体に
比べて機能的および性能的に優れた発光素子を形成でき
るが、良質で大面積の単結晶基板を得にくいという問題
がある。そこで、良質で大面積化が可能なシリコン基板
上に、ＧａＡｓ膜を堆積させて機能的および性能的にす
ぐれ且つ大面積化が可能な半導体デバイスを形成するこ
とが種々試みられている。
【０００３】従来、例えば図２に示すような、半導体発
光素子が提案されている。図２において、１はシリコン
などから成る半導体基板、２は一導電型不純物を含有す
るＧａＡｓ膜などから成る第１の III−Ｖ族化合物半導
体層、３は一導電型不純物を含有する第１のＡｌX Ｇａ
1-x Ａｓ層、４は逆導電型不純物を含有する第２のＡｌ
y Ｇａ1-y Ａｓ層、５は逆導電型不純物を含有する第３
のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ層、６は逆導電型不純物を含有す
る第２の III−Ｖ族化合物半導体層、７は上部電極層、
８はシリコン基板１の裏面側に形成された下部電極層で
ある。上述のような構造とすることによって、一導電型
不純物を含有する第１のＡｌX Ｇａ1-x Ａｓ層３と逆導
電型不純物を含有する第３のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ層５と
でキャリアを閉じ込めて、一導電型不純物を含有する第
１のＡｌX Ｇａ1-x Ａｓ層３と逆導電型不純物を含有す
る第２のＡｌy Ｇａ1-yＡｓ層４との界面部分でキャリ
アを再結合させて発光させようとするものである。この
場合、７００ｎｍ程度の波長を有する発光を得るため
に、第２のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ層４のＡｌの混晶比ｙは
０．３などに設定されるが、第３のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ
層５は、バンドギャップを大きくするために、Ａｌの混
晶比ｚは０．６５などに設定される。
光素子が提案されている。図２において、１はシリコン
などから成る半導体基板、２は一導電型不純物を含有す
るＧａＡｓ膜などから成る第１の III−Ｖ族化合物半導
体層、３は一導電型不純物を含有する第１のＡｌX Ｇａ
1-x Ａｓ層、４は逆導電型不純物を含有する第２のＡｌ
y Ｇａ1-y Ａｓ層、５は逆導電型不純物を含有する第３
のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ層、６は逆導電型不純物を含有す
る第２の III−Ｖ族化合物半導体層、７は上部電極層、
８はシリコン基板１の裏面側に形成された下部電極層で
ある。上述のような構造とすることによって、一導電型
不純物を含有する第１のＡｌX Ｇａ1-x Ａｓ層３と逆導
電型不純物を含有する第３のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ層５と
でキャリアを閉じ込めて、一導電型不純物を含有する第
１のＡｌX Ｇａ1-x Ａｓ層３と逆導電型不純物を含有す
る第２のＡｌy Ｇａ1-yＡｓ層４との界面部分でキャリ
アを再結合させて発光させようとするものである。この
場合、７００ｎｍ程度の波長を有する発光を得るため
に、第２のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ層４のＡｌの混晶比ｙは
０．３などに設定されるが、第３のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ
層５は、バンドギャップを大きくするために、Ａｌの混
晶比ｚは０．６５などに設定される。
【０００４】このような、ＧａＡｓ膜やＡｌＧａＡｓ膜
は、Ｈ2 ＳＯ4 −Ｈ2 Ｏ2 −Ｈ2 Ｏ系（１：２５：７
８）のエッチング液を用いて、異方性エッチングを行う
ことによって、ＧａＡｓ膜やＡｌＧａＡｓ膜の側面を傾
斜したメサ形状にしようとするが、ＡｌＧａＡｓ膜のう
ちのＡｌの混晶比が小さい第２のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ層
４の側面は６８°程度に傾斜してエッチングできるもの
の、Ａｌの混晶比が大きい第３のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ層
５の側面は、上述のようなエッチング液を用いてエッチ
ングしたとしても、側面の傾斜部分は半導体基板１に対
して、高々θ＝７８°までしか傾斜させることができ
ず、側面が急峻に立ち上がった形状をしていた。なお、
第１のＡｌX Ｇａ1-x Ａｓ層３のＡｌの混晶比ｘは、
０．３に設定されたり、０．６５に設定されるが、０．
６５に設定された場合には、図２に示すように、その側
面は第３のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ層５の側面と同様に急峻
に立ち上がる。その結果、この側面に上部電極７を形成
する場合、この急峻に立ち上がった第３のＡｌz Ｇａ
1-z Ａｓ層５の側面部分や第１のＡｌX Ｇａ1-x Ａｓ層
３の側面部分で電極７の断線を誘発したり、電極材料の
膜厚が薄いことによる信頼性低下などの問題があった。
は、Ｈ2 ＳＯ4 −Ｈ2 Ｏ2 −Ｈ2 Ｏ系（１：２５：７
８）のエッチング液を用いて、異方性エッチングを行う
ことによって、ＧａＡｓ膜やＡｌＧａＡｓ膜の側面を傾
斜したメサ形状にしようとするが、ＡｌＧａＡｓ膜のう
ちのＡｌの混晶比が小さい第２のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ層
４の側面は６８°程度に傾斜してエッチングできるもの
の、Ａｌの混晶比が大きい第３のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ層
５の側面は、上述のようなエッチング液を用いてエッチ
ングしたとしても、側面の傾斜部分は半導体基板１に対
して、高々θ＝７８°までしか傾斜させることができ
ず、側面が急峻に立ち上がった形状をしていた。なお、
第１のＡｌX Ｇａ1-x Ａｓ層３のＡｌの混晶比ｘは、
０．３に設定されたり、０．６５に設定されるが、０．
６５に設定された場合には、図２に示すように、その側
面は第３のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ層５の側面と同様に急峻
に立ち上がる。その結果、この側面に上部電極７を形成
する場合、この急峻に立ち上がった第３のＡｌz Ｇａ
1-z Ａｓ層５の側面部分や第１のＡｌX Ｇａ1-x Ａｓ層
３の側面部分で電極７の断線を誘発したり、電極材料の
膜厚が薄いことによる信頼性低下などの問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような問
題点に鑑みてなされたものであり、その特徴とするとこ
ろは、半導体基板上に、第１の III−Ｖ族化合物半導体
層と複数のＡｌＧａＡｓ層を設けるとともに、この複数
のＡｌＧａＡｓ層上に第２の III−Ｖ族化合物半導体層
を設けて、前記半導体基板の裏面側と第２の III−Ｖ族
化合物半導体層上に電極を設けた半導体発光素子におい
て、前記複数のＡｌＧａＡｓ層の対向する側面を半導体
基板の表面に対して６８°以下に傾斜させた点にある。
題点に鑑みてなされたものであり、その特徴とするとこ
ろは、半導体基板上に、第１の III−Ｖ族化合物半導体
層と複数のＡｌＧａＡｓ層を設けるとともに、この複数
のＡｌＧａＡｓ層上に第２の III−Ｖ族化合物半導体層
を設けて、前記半導体基板の裏面側と第２の III−Ｖ族
化合物半導体層上に電極を設けた半導体発光素子におい
て、前記複数のＡｌＧａＡｓ層の対向する側面を半導体
基板の表面に対して６８°以下に傾斜させた点にある。
【０００６】
【作用】上記のように、複数のＡｌＧａＡｓ層の対向す
る側面を半導体基板の表面に対して６８°以下に傾斜さ
せたことにより、複数のＡｌＧａＡｓ層の側面に電極を
形成する際に、この部分での電極の断線を防止できると
ともに、電極の膜厚も厚くすることができ、膜厚が薄い
ことによる信頼性低下の問題も無くなる。
る側面を半導体基板の表面に対して６８°以下に傾斜さ
せたことにより、複数のＡｌＧａＡｓ層の側面に電極を
形成する際に、この部分での電極の断線を防止できると
ともに、電極の膜厚も厚くすることができ、膜厚が薄い
ことによる信頼性低下の問題も無くなる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明
する。なお、従来例と同一部分には、同一符号を付して
説明する。
する。なお、従来例と同一部分には、同一符号を付して
説明する。
【０００８】図１は、本発明に係る半導体発光素子の一
実施例を示す断面図であり、１は半導体基板である。
実施例を示す断面図であり、１は半導体基板である。
【０００９】前記半導体基板１は、（１００）面から
（００１）面に２°オフして切り出した単結晶シリコン
基板などで構成され、アンチモン（Ｓｂ）などから成る
ドナーを１０17個／ｃｍ3 程度含有させたｎ型半導体基
板が用いられる。
（００１）面に２°オフして切り出した単結晶シリコン
基板などで構成され、アンチモン（Ｓｂ）などから成る
ドナーを１０17個／ｃｍ3 程度含有させたｎ型半導体基
板が用いられる。
【００１０】前記半導体基板１上には、一導電型、例え
ばｎ型不純物を含有する第１の III−Ｖ族化合物半導体
層２が形成されている。この第１の III−Ｖ族化合物半
導体層２は、バッファ層として機能するものであり、例
えばＧａＡｓ層などから成る。この第１の III−Ｖ族化
合物半導体層２には、シリコン（Ｓｉ）などから成るド
ナーを１０18個／ｃｍ3 程度含有し、二段階成長法や熱
サイクル法を適宜採用したＭＯＣＶＤ法で厚み１〜１．
５μｍ程度に形成される。すなわち、ＭＯＣＶＤ装置内
を９００〜１０００℃で一旦加熱した後に、４００〜４
５０℃に下げてＴＭＧａガス、ＡｓＨ3 ガス、および半
導体用不純物元素源となるＳｉＨ4 ガスを用いたＭＯＣ
ＶＤ法によりＧａＡｓ膜を成長させるとともに、６００
〜６５０℃に上げてＧａＡｓ膜を成長（二段階成長法）
させ、次に３００〜９００℃で温度を上下させ（熱サイ
クル法）、熱膨張係数の相違に起因する内部応力を発生
させ、シリコン基板１とＧａＡｓ層２の格子定数の相違
に起因するミスフィット転移を低減させるように形成す
る。
ばｎ型不純物を含有する第１の III−Ｖ族化合物半導体
層２が形成されている。この第１の III−Ｖ族化合物半
導体層２は、バッファ層として機能するものであり、例
えばＧａＡｓ層などから成る。この第１の III−Ｖ族化
合物半導体層２には、シリコン（Ｓｉ）などから成るド
ナーを１０18個／ｃｍ3 程度含有し、二段階成長法や熱
サイクル法を適宜採用したＭＯＣＶＤ法で厚み１〜１．
５μｍ程度に形成される。すなわち、ＭＯＣＶＤ装置内
を９００〜１０００℃で一旦加熱した後に、４００〜４
５０℃に下げてＴＭＧａガス、ＡｓＨ3 ガス、および半
導体用不純物元素源となるＳｉＨ4 ガスを用いたＭＯＣ
ＶＤ法によりＧａＡｓ膜を成長させるとともに、６００
〜６５０℃に上げてＧａＡｓ膜を成長（二段階成長法）
させ、次に３００〜９００℃で温度を上下させ（熱サイ
クル法）、熱膨張係数の相違に起因する内部応力を発生
させ、シリコン基板１とＧａＡｓ層２の格子定数の相違
に起因するミスフィット転移を低減させるように形成す
る。
【００１１】前記第１の III−Ｖ族化合物半導体層２上
には、一導電型不純物を含有する第１のＡｌX Ｇａ1-x
Ａｓ層３が形成されている。この第１のＡｌX Ｇａ1-x
Ａｓ層３は、シリコンなどから成るドナーを１０17個／
ｃｍ3 程度含有している。この第１のＡｌX Ｇａ1-x Ａ
ｓ層３は、ＴＭＡｌガス、ＴＭＧａガス、ＡｓＨ3 ガ
ス、および半導体用不純物元素源となるＳｉＨ4 ガスを
用いたＭＯＣＶＤ法により形成され、Ａｌの混晶比ｘ
は、例えば０．３または０．６５などに設定される。
には、一導電型不純物を含有する第１のＡｌX Ｇａ1-x
Ａｓ層３が形成されている。この第１のＡｌX Ｇａ1-x
Ａｓ層３は、シリコンなどから成るドナーを１０17個／
ｃｍ3 程度含有している。この第１のＡｌX Ｇａ1-x Ａ
ｓ層３は、ＴＭＡｌガス、ＴＭＧａガス、ＡｓＨ3 ガ
ス、および半導体用不純物元素源となるＳｉＨ4 ガスを
用いたＭＯＣＶＤ法により形成され、Ａｌの混晶比ｘ
は、例えば０．３または０．６５などに設定される。
【００１２】前記第１のＡｌX Ｇａ1-x Ａｓ層３上に
は、第２のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ層４が形成される。この
第２のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ層４は、逆導電型、例えばｐ
型半導体用不純物となる亜鉛（Ｚｎ）などのアクセプタ
を１０17個／ｃｍ3 程度含有している。この第２のＡｌ
y Ｇａ1-y Ａｓ層４は、ＴＭＡｌガス、ＴＭＧａガス、
ＡｓＨ3 ガス、および半導体用不純物元素源となるＤＭ
Ｚｎガスを用いたＭＯＣＶＤ法により形成され、７００
ｎｍ程度の波長を有する光を発光するためにＡｌの混晶
比ｙは、例えば０．３などに設定される。前述の第１の
ＡｌX Ｇａ1-x Ａｓ層３とこの第２のＡｌy Ｇａ1-y Ａ
ｓ層４とで半導体接合部が形成され、発光部が形成され
る。
は、第２のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ層４が形成される。この
第２のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ層４は、逆導電型、例えばｐ
型半導体用不純物となる亜鉛（Ｚｎ）などのアクセプタ
を１０17個／ｃｍ3 程度含有している。この第２のＡｌ
y Ｇａ1-y Ａｓ層４は、ＴＭＡｌガス、ＴＭＧａガス、
ＡｓＨ3 ガス、および半導体用不純物元素源となるＤＭ
Ｚｎガスを用いたＭＯＣＶＤ法により形成され、７００
ｎｍ程度の波長を有する光を発光するためにＡｌの混晶
比ｙは、例えば０．３などに設定される。前述の第１の
ＡｌX Ｇａ1-x Ａｓ層３とこの第２のＡｌy Ｇａ1-y Ａ
ｓ層４とで半導体接合部が形成され、発光部が形成され
る。
【００１３】前記第２のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ層４上に
は、第３のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ層５が形成されている。
この第３のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ層５は、厚みが１μｍ程
度に形成される。すなわち、この第３のＡｌz Ｇａ1-z
Ａｓ層５も、ＴＭＡｌガス、ＴＭＧａガス、ＡｓＨ3 ガ
ス、および逆導電型、例えばｐ型を呈する半導体用不純
物元素源となるＤＭＺｎガスを用いたＭＯＣＶＤ法によ
り形成される。この第３のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ層５のＡ
ｌの混晶比ｚは、バンドギャップを大きくするために、
例えばｚ＝０．６５などに設定して形成される。
は、第３のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ層５が形成されている。
この第３のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ層５は、厚みが１μｍ程
度に形成される。すなわち、この第３のＡｌz Ｇａ1-z
Ａｓ層５も、ＴＭＡｌガス、ＴＭＧａガス、ＡｓＨ3 ガ
ス、および逆導電型、例えばｐ型を呈する半導体用不純
物元素源となるＤＭＺｎガスを用いたＭＯＣＶＤ法によ
り形成される。この第３のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ層５のＡ
ｌの混晶比ｚは、バンドギャップを大きくするために、
例えばｚ＝０．６５などに設定して形成される。
【００１４】前記第３のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ層５上に
は、逆導電型不純物を含有する第２のIII−Ｖ族化合物
半導体層６が形成されている。この第２の III−Ｖ族化
合物半導体層６も、例えばＧａＡｓ膜などで構成され、
上部電極７とオーミックコンタクトをとるために、亜鉛
（Ｚｎ）などから成る逆導電型不純物を高濃度に含有さ
せてある。
は、逆導電型不純物を含有する第２のIII−Ｖ族化合物
半導体層６が形成されている。この第２の III−Ｖ族化
合物半導体層６も、例えばＧａＡｓ膜などで構成され、
上部電極７とオーミックコンタクトをとるために、亜鉛
（Ｚｎ）などから成る逆導電型不純物を高濃度に含有さ
せてある。
【００１５】上記半導体基板１上に、第１の III−Ｖ族
化合物半導体層２と複数のＡｌＧａＡｓ層３、４、５を
設けるとともに、この複数のＡｌXＧａ1-x Ａｓ層３、
４、５上に第２の III−Ｖ族化合物半導体層６を順次積
層して、発光素子の輪郭形状を形成するように所定形状
にエッチングする。
化合物半導体層２と複数のＡｌＧａＡｓ層３、４、５を
設けるとともに、この複数のＡｌXＧａ1-x Ａｓ層３、
４、５上に第２の III−Ｖ族化合物半導体層６を順次積
層して、発光素子の輪郭形状を形成するように所定形状
にエッチングする。
【００１６】このエッチングに際しては、酸解離定数
（ｐＫａ）が０〜５の値をもつ酸、例えばＨＳＯ4 （ｐ
ｋａ＝１．９）、Ｈ3 ＰＯ4 （ｐｋａ＝２．２）、Ｈ4
Ｐ2 Ｏ7 （ｐｋａ＝１．０）、Ｈ2 Ｃ2 Ｏ4 （ｐｋａ＝
１．２５）、Ｈ3 Ｐ2 Ｏ7 - （ｐｋａ＝２．５）など
と、ＫＨ2 ＰＯ4 、Ｋ2 ＳＯ4 などの塩基を適当量比に
混合してｐＨ０．１〜２．５とした水溶液に、Ｈ2 Ｏ2
などの酸化剤を加えたエッチング液でエッチングする。
例えばＨ3 ＰＯ4 とＫＨ2 ＰＯ4とが１モル：１モルの
水溶液は、ｐＨ２．２のエッチング液となり、同じく１
０モル：１モルでｐＨ１．２のエッチング液となり、本
発明品の製造工程において好適に用いることができる。
このように、ｐＨ０．１〜２．５の酸と塩基と酸化剤の
溶液で、ＡｌＧａＡｓ膜３、４、５をエッチングする
と、Ａｌの混晶比の大小にかかわらずその側面を、従来
のＡｌの混晶比が小さい場合よりもさらに緩やかな傾き
である６６°まで傾斜させてエッチングすることができ
る。なお、ｐＨが０．１より小さくなると、従来のエッ
チング液とメサ形状は変わらず、Ａｌの混晶比の大きい
層の側面を６８°以下に傾斜させることができない。ま
た、ｐＨが２．５を越えるとＧａＡｓのＧａがＧａ（Ｏ
Ｈ）3 の塊状になってエッチングが不能となる。したが
って、このエッチング液のｐＨは０．１〜２．５としな
ければならない。
（ｐＫａ）が０〜５の値をもつ酸、例えばＨＳＯ4 （ｐ
ｋａ＝１．９）、Ｈ3 ＰＯ4 （ｐｋａ＝２．２）、Ｈ4
Ｐ2 Ｏ7 （ｐｋａ＝１．０）、Ｈ2 Ｃ2 Ｏ4 （ｐｋａ＝
１．２５）、Ｈ3 Ｐ2 Ｏ7 - （ｐｋａ＝２．５）など
と、ＫＨ2 ＰＯ4 、Ｋ2 ＳＯ4 などの塩基を適当量比に
混合してｐＨ０．１〜２．５とした水溶液に、Ｈ2 Ｏ2
などの酸化剤を加えたエッチング液でエッチングする。
例えばＨ3 ＰＯ4 とＫＨ2 ＰＯ4とが１モル：１モルの
水溶液は、ｐＨ２．２のエッチング液となり、同じく１
０モル：１モルでｐＨ１．２のエッチング液となり、本
発明品の製造工程において好適に用いることができる。
このように、ｐＨ０．１〜２．５の酸と塩基と酸化剤の
溶液で、ＡｌＧａＡｓ膜３、４、５をエッチングする
と、Ａｌの混晶比の大小にかかわらずその側面を、従来
のＡｌの混晶比が小さい場合よりもさらに緩やかな傾き
である６６°まで傾斜させてエッチングすることができ
る。なお、ｐＨが０．１より小さくなると、従来のエッ
チング液とメサ形状は変わらず、Ａｌの混晶比の大きい
層の側面を６８°以下に傾斜させることができない。ま
た、ｐＨが２．５を越えるとＧａＡｓのＧａがＧａ（Ｏ
Ｈ）3 の塊状になってエッチングが不能となる。したが
って、このエッチング液のｐＨは０．１〜２．５としな
ければならない。
【００１７】前記第２の III−Ｖ族化合物半導体層６上
には、上部電極７が形成されており、この上部電極７は
Ａｇ、Ａｇ／Ｚｎ、或いはＡｕ／Ｃｒなどから成り、蒸
着法などで厚み５０００Å程度に形成される。なお、図
示されていないが、第１の III−Ｖ族化合物半導体層
２、複数のＡｌＧａＡｓ層３、４、５、および第２の I
II−Ｖ族化合物半導体層６の側面にも、酸化シリコン膜
などのパシベーション膜を介して上部電極７が形成され
る。
には、上部電極７が形成されており、この上部電極７は
Ａｇ、Ａｇ／Ｚｎ、或いはＡｕ／Ｃｒなどから成り、蒸
着法などで厚み５０００Å程度に形成される。なお、図
示されていないが、第１の III−Ｖ族化合物半導体層
２、複数のＡｌＧａＡｓ層３、４、５、および第２の I
II−Ｖ族化合物半導体層６の側面にも、酸化シリコン膜
などのパシベーション膜を介して上部電極７が形成され
る。
【００１８】また、半導体基板１の裏面側には下部電極
８が形成されており、この下部電極８はＡｇ或いはＡｕ
／Ｃｒなどから成り、蒸着法などで厚み５０００Å程度
に形成される。
８が形成されており、この下部電極８はＡｇ或いはＡｕ
／Ｃｒなどから成り、蒸着法などで厚み５０００Å程度
に形成される。
【００１９】上述のように形成した半導体発光素子は、
上部電極７と下部電極８との間に電流を流して、第１の
ＡｌX Ｇａ1-x Ａｓ層３と第２のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ層
４部分でキャリアを発生させて、界面部分で再結合させ
ることによって発光させるものである。
上部電極７と下部電極８との間に電流を流して、第１の
ＡｌX Ｇａ1-x Ａｓ層３と第２のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ層
４部分でキャリアを発生させて、界面部分で再結合させ
ることによって発光させるものである。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体発光
素子によれば、複数のＡｌＧａＡｓ層の対向する側面を
半導体基板の表面に対して６８°以下に傾斜させたこと
により、複数のＡｌＧａＡｓ層の側面に電極を形成する
際に、この部分での電極の断線を防止できるとともに、
電極の膜厚も厚くすることができ、膜厚が薄いことによ
る信頼性低下の問題も無くなる。
素子によれば、複数のＡｌＧａＡｓ層の対向する側面を
半導体基板の表面に対して６８°以下に傾斜させたこと
により、複数のＡｌＧａＡｓ層の側面に電極を形成する
際に、この部分での電極の断線を防止できるとともに、
電極の膜厚も厚くすることができ、膜厚が薄いことによ
る信頼性低下の問題も無くなる。
【図１】本発明に係る半導体発光素子の一実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】従来の半導体発光素子を示す断面図である。
１、半導体基板
２、第１の III−Ｖ族化合物半導体層
３〜５、複数のＡｌＧａＡｓ層
６、第２の III−Ｖ族化合物半導体層
７、上部電極
８、下部電極
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に、第１の III−Ｖ族化合
物半導体層と複数のＡｌＧａＡｓ層を設けるとともに、
この複数のＡｌＧａＡｓ層上に第２のIII−Ｖ族化合物
半導体層を設けて、前記半導体基板の裏面側と第２の I
II−Ｖ族化合物半導体層上に電極を設けた半導体発光素
子において、前記複数のＡｌＧａＡｓ層の対向する側面
が半導体基板の表面に対して６８°以下に傾斜している
ことを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記複数のＡｌＧａＡｓ層のうち、少な
くとも一層のＡｌの混晶比が０．６以上であることを特
徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192315A JPH0537014A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192315A JPH0537014A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537014A true JPH0537014A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16289243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3192315A Pending JPH0537014A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0537014A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100729873B1 (ko) * | 1997-09-04 | 2007-10-16 | 제너럴 일렉트릭 캄파니 | 개선된내분해성및개선된열안정성을갖는충격개질된카보네이트중합체조성물 |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP3192315A patent/JPH0537014A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100729873B1 (ko) * | 1997-09-04 | 2007-10-16 | 제너럴 일렉트릭 캄파니 | 개선된내분해성및개선된열안정성을갖는충격개질된카보네이트중합체조성물 |
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