JPH05340958A

JPH05340958A - 加速度センサ

Info

Publication number: JPH05340958A
Application number: JP3099280A
Authority: JP
Inventors: Masanori Kubota; 正則久保田; Masayoshi Suzumasa; 政善鈴政; Masahiro Matsumoto; 昌大松本
Original assignee: Hitachi Automotive Engineering Co Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Automotive Systems Engineering Co Ltd
Priority date: 1990-06-18
Filing date: 1991-04-30
Publication date: 1993-12-24

Abstract

(57)【要約】【目的】移動体の車両制御システムに適用され、加速
度を精度良く検出でき、零点調整と感度調整を簡易に行
える。また、検出加速度に対してスパンを変更でき、感
度の基本出力特性を選択できる。１つの加速度センサ
で、複数種類の加速度の検出に対処する。調整はオンチ
ップトリミングで行う。【構成】加速度検出処理回路において、感度調整部と
零点調整部を備えると共に、感度の基本出力特性（検出
加速度の感度スパン）を変更できる調整部を備える。こ
れらは複数の抵抗とスイッチの組み合わせで構成され、
スイッチのオン・オフ動作は、外部よりオンチップトリ
ミングで行えるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、加速度センサに係り、
特に、自動車等の移動体に適用される車体制御システム
に好適であり、出力特性を調整する感度調整回路及び零
点調整回路を備え、各種の加速度を検出できるように加
速度の検出スパンを変更できる加速度センサに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、例えば特開平１−２５３６５
７号公報に開示される如き加速度センサが提案されてい
る。加速度センサの加速度検出原理としては、圧電材料
の圧電効果を利用した圧電式、ピエゾ抵抗効果を利用し
た歪ゲージ式、力のフィードバック機構を有するサーボ
式、差動トランスやホールＩＣを利用した磁気式、フォ
トインタプラタを利用した光式、シリコン微細加工技術
を利用した静電容量式など種々のものが知られている。

【０００３】また最近では、加速度センサの駆動回路を
ワンチップの集積回路（ＩＣ）として小形化を図ったも
のもあり、オンチップで出力特性を調整する、すなわち
オンチップトリミングを行うものもある。ここでオンチ
ップトリミングとは、ＩＣの内部で各回路要素、例えば
抵抗要素に対し外部より信号を与えて、当該抵抗要素の
抵抗値を所望する適宜な値に調整することをいう。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一般的に従来の加速度
センサでは、製造時における各種の要因によって、出力
特性においてその零点や感度のバラツキが発生する。従
って、加速度センサの製造後において、かかるバラツキ
がなくなるように、何らかの方法で、検出加速度に対す
る加速度センサの出力特性を調整する必要がある。加速
度センサの零点調整は、加速度センサの出力特性のグラ
フを平行移動させることにより行われる。また加速度セ
ンサの感度調整は、加速度センサの出力特性のグラフの
傾きを変えることにより行われる。

【０００５】上記の場合、従来では、例えばボリューム
で抵抗値を変化させる方法、アルミナ基板等に印刷され
た抵抗をレーザトリミングする方法が一般的であり、回
路上に調整用の電子部品を設けることや調整用スペース
が必要である。このため、回路の部品点数の増加、電子
回路のスペース部分の増大、センサの大型化、コスト高
という課題が生じる。

【０００６】また、適切な出力特性を有した加速度セン
サであっても、それを取り付ける車両の種類、車両にお
けるその取り付け箇所、検出しようとする加速度の種類
に応じて、感度のスパンを変更しなければならないとい
う必要性が生じる。このように加速度センサでは、使用
の目的又は必要性に応じて、検出加速度のスパン、すな
わち加速度センサの基本出力特性自体を変更したい場合
が生じる。

【０００７】前述した従来技術におけるオンチップトリ
ミングでは、限定された特定の検出加速度に関して、す
なわち、基本出力特性を１つとし、この１つの基本出力
特性に関して感度調整のためその出力特性の傾きを調整
することは可能であった。しかしながら、複数の検出加
速度、例えば、検出しようとする加速度のスパンが０〜
±１Ｇ，０〜±１．５Ｇ，０〜±２Ｇ（Ｇ＝９．８ｍ／
ｓ²）などの加速度に関しては、チップサイズ、精度等
の制約があり、１種類のＩＣ（又は加速度センサ）で複
数の検出加速度に対する出力特性を調整しづらかった。
換言すれば、従来の加速度センサでは、検出しようとす
る加速度に関し複数の基本出力特性を用意すること、及
びこれらの複数の基本出力特性のいずれかに設定するよ
う、必要に応じて任意に調整することが困難であった。

【０００８】上記の如く、従来の加速度センサにおける
オンチップトリミングでは、ＩＣチップを大きくして抵
抗やスイッチを増すことによりスパンを大きくすること
が可能であったが、検出加速度の基本出力特性自体を変
更し、目的とする所要の調整精度を得ることはできない
という課題があった。

【０００９】本発明の目的は、１種類のＩＣチップで形
成された加速度センサであり、ＩＣチップのサイズを大
きくすることなく、ＩＣチップ内にて複数の検出加速度
の基本出力特性を所定の精度内で調整できるようにした
加速度センサを提供することにある。本発明の他の目的
は、感度や零点を調整する回路を含む出力調整回路を備
え、感度や零点を調整を高精度で行うことができ、セン
サ回路の小形化、低コスト化を達成する加速度センサを
提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る第１の加速
度センサは、加速度に対応して変位する可動電極とこの
可動電極の両側で可動電極に対向して配置される一対の
固定電極を含む加速度検出素子と、この加速度検出素子
の出力する信号を処理する加速度検出処理回路とからな
る加速度センサであり、加速度検出処理回路は、第１の
切換手段と第２の切換手段を含み且つ可動電極の変位に
対応して変化する加速度検出素子で設定された容量情報
を取り出す容量情報検出回路と、この容量情報検出回路
の出力信号に基づき加速度検出素子の可動電極を静電サ
ーボ制御するための第１のパルス波形信号を生成して２
つの固定電極のそれぞれに与えるパルス幅変調回路と、
第１のパルス波形信号に同期した第２のパルス波形信号
で第１及び第２の切換手段の切換動作を行う切換実行手
段と、第１のパルス波形信号をアナログの出力信号に変
換する変換回路と、出力信号を所定の特性に調整する出
力調整回路とを含むように構成される。前記の構成にお
いて、出力調整回路は複数の抵抗及び複数の切換手段を
含み、複数の切換手段を動作させることにより、抵抗の
組み合わせを選択して出力特性における感度のデジタル
的に調整することができる。また前記の構成において、
出力特性おける零点を調整するための零点調整回路を設
けることができる。前記の各構成において、前記加速度
検出処理回路をワンチップの集積回路で形成することが
できる。これによって、オンチップトリミングで調整す
ることが可能となる。本発明に係る第２の加速度センサ
は、加速度に対応して変位する可動電極とこの可動電極
の両側で可動電極に対向して配置される固定電極を含む
加速度検出素子と、この加速度検出素子の出力する信号
を処理する加速度検出処理回路とからなる加速度センサ
であり、加速度検出処理回路は、加速度に対する基本出
力特性を調整するスパン調整回路を含み、このスパン調
整回路内に、スパン調整用の複数の抵抗と、この複数の
抵抗の中から所定特性が得られるよういずれかを選択す
る複数の切換手段とを設けるように構成される。前記の
構成において、スパン調整回路を含む加速度検出処理回
路はワンチップの集積回路で形成され、オンチップトリ
ミングでスパン調整を行う。前記第１及び第２の加速度
センサの構成を組み合わせて加速度センサを実現するこ
とができる。

【００１１】

【作用】本発明による第１の加速度センサでは、加速度
検出素子の出力信号を処理する回路として、加速度検出
処理回路を簡易な構成で作製すると共に、零点調整回路
及び感度調整回路を含む加速度検出処理回路をワンチッ
プのＩＣで形成することにより小形化及び低コスト化を
達成する。本発明による第２の加速度検出センサでは、
加速度検出処理回路の中にスパン調整回路を設け、複数
の検出加速度のそれぞれに対応する基本出力特性を任意
に選択できるように検出スパン、すなわち加速度センサ
の基本出力特性を段階的に変化させることできる。すな
わちスパン抵抗に対し直列又は並列に複数の抵抗を接続
し、これらの複数の抵抗の中から、所定の特性が得られ
るよう、抵抗値を適宜に選択する複数の切換手段を設け
たものである。複数の検出加速度の基本出力特性に適合
した複数の抵抗を予めスパン設定用抵抗に対し直列又は
並列に接続しておき、例えば、第１の加速度検出範囲の
ときは、第１の抵抗が選択できるよう切換手段をオン・
オフし、第２の加速度検出範囲のときは第２の抵抗が選
択できるように切換手段をオン・オフし、それぞれ、加
速度検出のための基本出力特性を選択する。つまり、零
点調整とスパン調整の前の段階で、必要とされる検出加
速度の基本出力特性が得られる。またＩＣ化された加速
度センサにおいて、オンチップトリミングで上記の各種
調整を行うことを可能とした。

【００１２】

【実施例】以下に、本発明の実施例を添付図面に基づき
説明する。先ず、本発明の第１実施例について説明す
る。図１は本発明の第１実施例を示す出力調整部とその
入力側周辺部の構成図、図２は加速度センサの全体構成
を示す回路図、図３は加速度検出素子の要部構造（ｂ）
と等価回路（ａ）を示す図である。図４〜図１２は、本
実施例の関連図面であり、図１〜図３の説明の中で、必
要に応じて適宜に参照して説明する。

【００１３】先ず、加速度検出素子について説明する。
図２において１は検出対象の加速度に対して感応する加
速度検出素子である。図３を参照して加速度検出素子１
の具体的構成を説明する。加速度検出素子１は移動体で
ある車体の適宜な箇所に固定される。図３（ｂ）におい
て、加速検出素子１は、平行に配設された２つの固定電
極２，３と、固定電極２，３の間に配置された可動電極
４とから構成される。可動電極４の両側に可動電極４に
対向して配置される一対の固定電極２，３は、アルミニ
ウム等の金属材で形成され、それぞれがガラス板５，６
に蒸着、又はその他適宜の方法により形成される。可動
電極４は、シリコンビーム７の先部に形成される。シリ
コンビーム７はシリコンの微細加工技術により形成さ
れ、単数、複数のいずれで構成してもよい。可動電極４
はシリコンビーム７の先端にて重錘の機能を有する。シ
リコン板８を両面からエッチングすることにより、シリ
コンビーム７及びこのシリコンビーム７に支持される可
動電極４が一体的に形成される。

【００１４】シリコン板８の一端８ａはスペーサとして
の役割をなす。上記のような検出部を構成すると、ガラ
ス板５，６に設けた固定電極２，３と可動電極４を位置
合せして、ガラス板５，６をスペーサ８ａ，９を介して
平行に配置し、ガラス板５，６のそれぞれとスペーサ８
ａ，９とを陽極接合する。こうして可動電極４を介在さ
せた状態で固定電極２，３が対向配置されるが、可動電
極４と各固定電極２，３には、初期ギャップ（例えば３
μｍ程度の微細ギャップ）が確保される。

【００１５】可動電極４は、検出すべき加速度及び各固
定電極２，３から受ける静電気力（吸引力）によりＹ方
向に変位する。この可動電極４が変化すると、可動電極
４と固定電極２の間の静電容量Ｃ₁、及び可動電極４と
固定電極３の間の静電容量Ｃ₂は変化する。なお上記構
成を有する加速度検出素子１を電気回路で示すと、等価
的に図３（ａ）に示すような回路となる。この等価回路
では、固定電極２，３と可動電極４は端子で示されてい
る。

【００１６】図４は、可動電極４の変位に対する静電容
量Ｃ₁，Ｃ₂と、Ｃ₁とＣ₂の差分ΔＣとの関係を示す
線図で、横軸に可動電極４の変位ω（μｍ）を示し、初
期ギャップｄ₀＝３μｍを保持する中立点を変位零と
し、正方向の変位は可動電極４が上方向（固定電極２
側）に移動した状態を、負方向の変位は可動電極２が下
方向（固定電極３側）に移動した状態を表わす。この線
図からも明らかなように可動電極４が、固定電極２側に
移動する程、静電容量Ｃ₁が大きくなり、逆に固定電極
３側に移動する程、静電容量Ｃ₂が大きくなる。また、
Ｃ₁−Ｃ₂で得られる静電容量の差分ΔＣも、これに対
応して、中立点（基準位置）を零とし、それぞれ正方
向、負方向に大きくなる。なお、可動電極４が中立点に
ある場合には、静電容量Ｃ₁，Ｃ₂は、双方共に同一値
（６．５ｐＦ程度）にある。従ってＣ₁とＣ₂とΔＣの
うちいずれか１つを検出することにより、可動電極４の
変位を知ることができる。本実施例では、図２に示すよ
うに、検出感度と安定性を考慮して、ΔＣで与えられる
容量情報（これは可動電極４の変位情報である）を容量
検出部１０で検出している。

【００１７】なお、可動電極４は、例えば０〜±１Ｇ、
０〜１０Ｈ_Z程度の加速度範囲を検出するもので、この
条件では可動電極４の変位は微小であり、中立点の位置
０を中心に±３０ｆＦ（フェムトファラッド）の微小
範囲で変位するので、Ｃ₁，Ｃ₂，ΔＣのいずれかの特
性を用いても線形な変化信号としてとらえることができ
る。

【００１８】再び図２に戻って、加速度センサの他の回
路要部を概説的に説明する。図２中、破線で囲った部分
１１が、検出された加速度に関する信号を処理する加速
度検出処理回路で、この回路は集積回路（以下ＩＣと記
す）で構成されている。ＩＣ１１は高速のデジタル処理
及びアナログ処理や大電流駆動にすぐれたバイポーラデ
バイスと、デジタル処理にすぐれ、低消費電力化及び高
集積化が可能であるＣＭＯＳデバイスの混合デバイス
（Ｂｉ−ＣＭＯＳデバイス）によってＩＣ化を図ってい
る。ＩＣ１１は駆動電源Ｖ_DDにより駆動される（本実施
例の場合Ｖ_DDは定電圧で、例えば８Ｖである）。駆動電
源Ｖ_DDは図中演算増幅器やロジック回路等の電源に使用
される（給電のための結線関係は図示せず）。なお基準
電圧発生回路１２は、ＩＣ１１の内部で使用している各
種の基準電圧Ｖ_R1，Ｖ_B1，Ｖ_B2，Ｖ_H，Ｖ_Lを作ってい
る。容量検出部１０は、前述の容量差ΔＣを検出し、Δ
Ｃの変化を電圧信号に変換して出力するもので、出力増
幅器１３で位相補償を行いつつ増幅し、パルス幅変調器
１４に送られる。容量検出部１０の詳細構成及びその動
作については後述される。パルス幅変調器１４は、増幅
器１３の出力に応じてパルス幅が変化する矩形波電圧を
パルス列状に出力する。このパルス幅変調器１４の出力
は、ゲート部１５により矩形波電圧の波高値を所定電圧
値（基準電圧Ｖ_R1）に制御される２つの出力が作られ
る。２つの出力のうち、１つの出力Ｖ₂は信号線Ｋ₁を
介して固定電極３に入力され、他の１つの出力Ｖ₁は、
反転器１６で反転されて得られ、信号線Ｋ₂を介して固
定電極２に印加される。なお可動電極４の電位は、上記
波高値Ｖ_R1になるように設定されている。パルス幅変調
器１４の詳細構成及びその動作は後述される。

【００１９】上記の各印加電圧Ｖ₁，Ｖ₂により、固定
電極２，３のそれぞれに静電気力が発生する。これらの
２つの静電気力は、可動電極４に対する吸引力として作
用する。固定電極２による静電気力は、可動電極４を図
３中の上方向に移動させ（この静電気力を正方向の静電
気力Ｆ₁とする）、固定電極３による静電気力は、可動
電極４を図３中の下方向に移動させる（この静電気力を
負方向の静電気力Ｆ₂とする）。従って可動電極４に作
用する総計としての静電気力Ｆ₀は、静電気力Ｆ₁，Ｆ
₂の和、Ｆ₀＝Ｆ₁＋（−Ｆ₂）で表わされる。換言す
れば、加速度が存在しない状態で静電気力Ｆ₁＝Ｆ₂の
場合であれば，可動電極４は中立点に保たれ、静電気力
Ｆ₁＞Ｆ₂であれば、可動電極４を上方に移動させる力
が働き、静電気力Ｆ₁＜Ｆ₂であれば可動電極４を下方
向に移動させる力が働く。

【００２０】図５は固定電極２に印加される矩形波電圧
（ａ）及び固定電極３に印加される矩形波電圧（ｂ）を
示し、各矩形波電圧はパルス幅変調（デューティ制御）
を受けている。図６は固定電極２，３から可動電極４に
作用する各種静電気力Ｆ₁，Ｆ₂及びそれらの和（静電
気力Ｆ₀）を示すものである。図６に示すように、デュ
ーティ〔Ｄ（パルス幅）／Ｔ（周期）〕を連続的に変え
れば、静電気力Ｆ₁，Ｆ₂及びトータルの静電気力Ｆ₀
を直線的な特性で変化させることができる。

【００２１】図６において例えばＤ／Ｔ＝０の場合に
は、固定電極２に印加される電圧はほぼ零、これに対し
て固定電極３に印加される反転された電圧は最大となる
ので、静電気力Ｆ₁が零、静電気力Ｆ₂が最大となり、
静電気力Ｆ₀も負方向に最大となる。Ｄ／Ｔ＝１の場合
は、Ｄ／Ｔ＝０の場合と逆の関係になる。Ｄ／Ｔ＝０．
５の場合は、静電気力Ｆ₁，Ｆ₂が等しくなるので、そ
のトータルの静電気力Ｆ₀が零となり、加速度がない場
合には、可動電極４が中立点（初期位置）に拘束される
ことになる。またＤ／Ｔ＝０．２５の場合には、固定電
極２と３のそれぞれに印加される矩形波電圧の１周期当
りのパルス幅比率が１：３となり、これら比例して静電
気力Ｆ₁対Ｆ₂の比率も１：３になり、この差引分が負
方向の静電気力Ｆ₀として可動電極４に作用する。この
ようにして、静電気力Ｆ₀はＤ／Ｔ＝０．５を零クロス
点として、Ｄ／Ｔの値に応じて正方向及び負方向に直線
的な特性で変化する。

【００２２】上記実施例の加速度センサでは、外部から
加速度を受けて可動電極４が変位した時に（可動電極４
の変位方向は加速度の加わる方向と反対である）、静電
容量Ｃ₁，Ｃ₂の差分ΔＣの出力に基づき、パルス幅変
調器１４により、このΔＣが零となる位置までＤ／Ｔを
デューティ制御（ここでは、パルス幅変調）するもので
ある。例えば加速度が正方向に最大（測定範囲の最大）
の状態で発生し、可動電極４がこれと反対方向（固定電
極３側）に最大変位した時には、最大の−ΔＣの出力に
基づきＤ／Ｔが設定範囲の最大となるパルス幅変調を行
う。この場合には静電気力Ｆ₀は正方向に最大となり、
可動電極４に作用する負方向の加速度変位力（反力）と
相殺されて、可動電極４は中立点の位置（ΔＣが零にな
る位置）になるまで静電サーボ制御が行われる。

【００２３】反対に加速度が負方向に最大の状態で発生
し、可動電極４が，これと反対方向（固定電極２側）に
最大変位した時は、最大のΔＣの出力に基づきＤ／Ｔが
設定範囲の最小となるパルス幅変調を行う。この場合に
は、静電気力Ｆ₀は負方向に最大になり、可動電極４に
作用する正方向加速度変位（反力）と相殺されて、前記
と同様、可動電極４は中立点まで戻される。

【００２４】このようなＤ／Ｔ制御は、加速の度合、加
速の方向に左右される可動電極４の変化及び方向に対応
して常にΔＣが零となるように行なわれる。そしてパル
ス幅変調器１４から出力された、Ｄ／Ｔ制御されたパル
ス幅変調電圧Ｖpwm を積分器１７で積分処理すれば、加
速度に比例した直線的な出力電圧（平均値）Ｖout ′を
得ることができる。このＶout ′及び前記Ｖpwm は、前
述の加速度検出素子１とＩＣ１１等の製造時における各
種の要因によって、その感度や零点はある範囲でバラツ
キを有する。

【００２５】図７は、加速度センサによる加速度（Ｇ）
に対する最終的出力電圧Ｖout の特性（出力特性）の一
例を示すもので、この特性は、加速度センサの出力調整
部１８で感度、零点を調整することにより得られる。図
７で示した特性例では、加速度の検出範囲を０〜±１Ｇ
の範囲としている。１Ｇ＝９．８ｍ／ｓ²である。図７
において加速度が正方向に最大（＋１Ｇ）の場合は、Ｄ
／Ｔが最大なので出力Ｖout も最大となり、逆に負方向
に最大（−１Ｇ）の場合は、Ｄ／Ｔが最小なので出力Ｖ
out は最少となる。加速度が０の場合にはＤ／Ｔ＝０．
５なので、出力Ｖout が中間点をとる。これら３つの点
を結ぶ線形なＶout 特性が加速度０〜±１Ｇの範囲内で
得られる。

【００２６】次に、ＩＣ１１における前述の容量検出部
１０の詳細構成及びその動作（静電容量ΔＣの検出動
作）を図２に基づき説明する。加速度検出素子１で形成
される静電容量Ｃ₁，Ｃ₂について、図２に示される如
く、静電容量Ｃ₂に与えられる信号はパルス幅変調器１
４の出力Ｖ₂、及び静電容量Ｃ₁に与えられる信号は反
転器１６の出力Ｖ₁であり、これらの出力電圧Ｖ₁，Ｖ
₂は図５に示される。静電容量Ｃ１，Ｃ２の接続点ａ、
つまり可動電極４は、演算増幅器１９の負端子に接続さ
れ、負端子と出力端子との間には、容量Ｃ_fのコンデン
サ２０と例えばＰチャンネルＭＯＳからなるスイッチ２
１が並列に接続される。演算増幅器１９の正端子には基
準電圧Ｖ_R1を印加し（本実施例ではＶ_R1＝５．８Ｖ）、
負端子を正端子と同電位にした。このようにして、可動
電極４の電位を基準電圧Ｖ_R1に保っている。演算増幅器
１９の出力は、サンプルホールド回路２２に与えられ
る。サンプルホールド回路２２は演算増幅器２３とスイ
ッチ２４（例えば、ＰチャンネルＭＯＳスイッチであ
る）と充電用コンデンサ２５から構成される。

【００２７】図８（ａ）〜（ｅ）の動作波形を参照し
て、容量検出部１０の詳細構成及び動作について説明す
る。スイッチ２１は、通常オン状態であり、容量Ｃ_fの
コンデンサ２０を放電させて演算増幅器１９の出力Ｖ_c
を基準電圧Ｖ_R1にする。パルス幅変調された矩形波電圧
Ｖ₁の立上り、Ｖ₂の立下りにほぼ同期してスイッチ２
１がオフ状態になる（信号φ_Rによって制御される）。
この時Ｃ₁は充電され、Ｃ₂は放電される。Ｃ₁からＣ
_fに移動する電荷Ｑ₁、及びＣ₂からＣ_fに移動する電
荷Ｑ₂は次式のようになる。

【００２８】

【数１】Ｑ₁＝Ｃ₁Ｖ_R1

【００２９】

【数２】Ｑ₂＝−Ｃ₂Ｖ_R1 ここで、前述の通り、Ｖ_R1はパルス幅変調された矩形波
電圧Ｖ₁，Ｖ₂の電圧値である。また容量Ｃ_fのコンデ
ンサ２０に蓄えられる電荷Ｑ_fはＱ₁とＱ₂の和になる
から、

【００３０】

【数３】Ｑ_f＝Ｑ₁＋Ｑ₂＝（Ｃ₁−Ｃ₂）Ｖ_R1 で表わされ、コンデンサ２０の容量Ｃ_fの両端の電圧Ｖ
は、次式のようになる。

【００３１】

【数４】

【００３２】演算増幅器１９の出力Ｖ_cは、次式とな
る。

【００３３】

【数５】

【００３４】サンプルホールド回路２２では、スイッチ
２４を一定時間の間オンにして（信号φ_Sによって制御
される）、容量Ｃ_sのコンデンサ２５に充電を行い、演
算増幅器１９の出力Ｖ_cをサンプリングし、これにより
Ｃ₁とＣ₂の差分ΔＣを、基準電圧Ｖ_R1を乗算した電圧
換算値として検出する。すなわち、サンプルホールド回
路２２は、演算増幅器１９の出力をサンプリングし、Δ
Ｃに対応する電圧Ｖ_sを演算増幅器２３の出力端に出力
する。この出力Ｖ_sが容量検出部１０の出力となる。

【００３５】上記の構成及び作用を有する容量検出部１
０によれば、可動電極４の位置制御（静電サーボ制御に
よる）に用いるパルス電圧Ｖ₁，Ｖ₂を利用してＣ₁，
Ｃ₂の静電容量差ΔＣ、換言すれば、加速度による可動
電極４の変位を、電圧レベルの信号として検出すること
ができる。

【００３６】更に、上記の出力Ｖ_sを増幅器１３にて増
幅し、その増幅出力Ｖ_inとして、パルス幅変調器１４へ
入力される。本実施例の場合、増幅器１３の増幅倍率は
例えば５０倍である。増幅器１３における増幅用演算増
幅器１３ａの正入力端子は、基準電圧Ｖ_R1が印加され
る。

【００３７】次に、前述したパルス幅変調器１４の詳細
な構成及び動作と可変手段を有する遅延回路３５の動作
について、図９の各動作波形を参照して説明する。図９
のｂ〜ｈは、図２のパルス幅変調器１４の回路中の点ｂ
〜ｈに対応している。

【００３８】図２中の３１は、フリップフロップ回路３
２で動作し且つ可変手段を備えた発振器である。ｂ点の
波形は、基準電圧Ｖ_H，Ｖ_L（本実施例では、Ｖ_H＝６
Ｖ，Ｖ_L＝３Ｖである）とフリップフロップ回路３２の
出力ｄ（点ｄでの信号）、例えばＮＭＯＳよりなるスイ
ッチ３３、コンデンサ３４によって、所定の周期Ｔを有
する三角波波形となる。電流源Ａ₁，Ａ₂の電流比を変
えることにより、三角波波形の立上り、立下りの傾きを
変えることができる（本実施例の場合、Ａ₁：Ａ₂＝
１：５０）。

【００３９】フリップフロップ回路３２の出力ｃ（点ｃ
における信号）は、遅延回路３５に入力され、出力ｄは
反転してＡＮＤ回路３６へ入力される。また、ｂ点の三
角波波形をコンパレータ３７の正入力端子へ入力し、前
述の増幅器１３の出力Ｖ_inを負入力端子で入力すると、
コンパレータ３７の出力ｅが得られる。出力ｅを反転し
てＡＮＤ回路３６に入力すると、ＡＮＤ回路３６の出力
ｆが得られる。更に、可変手段を有する遅延回路３５に
より、出力ｃの立上り、換言すれば出力ｆの立上りから
の所定の時間（Ｔ_h）オンするパルス信号ｇを得る。こ
のパルス信号ｇと、前記出力ｆは、ＮＯＲ回路３８に入
力され、その出力としてｈが得られる。本実施例の場
合、上述の所定周期Ｔと所定の時間Ｔ_hは、備えられた
可変手段により、個々の回路特性のバラツキを調整でき
るように構成されている。このパルス信号ｇに基づき、
反転器３９を介して前記の信号φ_Sが得られ、反転器４
０，４１を介して前述した信号φ_Rが得られる。また出
力ｈは、反転器１６とバッファ部４２と前記ゲート部１
５を通して前記Ｖ₁となり、バッファ部４２とゲート部
１５を通して前記のＶ₂及びパルス幅変調電圧Ｖpwm と
なる。パルス幅変調電圧Ｖpwm を積分器１７で積分する
と、加速度に比例した出力電圧Ｖout ′が得られる。本
実施例の場合、積分器１７は、抵抗ＲとコンデンサＣか
らなるＲＣ回路を２段階接続したローパスフィルタであ
る。またＲ，Ｃの値により出力特性の所定の遮断周波数
が得られる。更にコンデンサＣは、ＩＣ１１の内部又は
外部のいずれに取り付けてもかまわない。ただし、コン
デンサＣをＩＣ１１の内部に設けた場合には、ＩＣ１１
のサイズは大きくなる（コンデンサの容量値の大きさに
よりＩＣサイズは異なる）。

【００４０】次に、図２及び図１０〜図１２に基づいて
出力調整部１８の詳細な構成及び動作を説明をする。出
力調整部１８の中間部の出力をＶ_M、前述の如く最終的
出力をＶout とする

【００４１】とき、出力電圧Ｖout は下記の

【数８】により表わされる。

【００４２】先ずＶ_Mは、図２中に定義された基準とな
る電圧Ｖ_B3と抵抗Ｒ₁，Ｒ₂と、前記パルス幅変調電圧
Ｖpwm とによって、

【００４３】

【数６】

【００４４】として求められる。ここで、電圧Ｖ_B3は、
後述される零点調整部５１から出力される電圧である。
上記のＶ_Mを用いて、更に図２中に定義された抵抗
Ｒ_s，Ｒ_f及び基準電圧Ｖ_B2を用いて、Ｖout は下式の
ように表現される。

【００４５】

【数７】

【００４６】上式において

【数６】を用いてＶ_Mを消去すると、次の式に変換され
る。

【００４７】

【数８】

【００４８】上式においてＲ₁，Ｒ₂を固定抵抗、Ｖ_B2
を一定電圧とすれば、加速度センサの感度はＲ_f／Ｒ_s
によって決まり、零点はＲ_f／Ｒ_sとＶ_B3により決ま
る。そこで、先に感度（Ｒ_f／Ｒ_s）を調整してから零
点を調整すれば、感度の影響を受けずに零点を調整で
き、調整の仕方が比較的に簡単となる。よってＲ_f／Ｒ
_s及びＶ_B3を可変にするように構成しておけば、出力電
圧Ｖout は所定の特性に調整することができる。

【００４９】また前述した積分回路１７を構成するロー
パスフィルタの抵抗部は、抵抗Ｒ₁であり、上式からも
明らかなように、抵抗Ｒ１は感度を決定する一つの要素
であり、同時にローパスフィルタ用の抵抗も兼用してい
る。

【００５０】次に、感度と零点の調整の仕方について説
明する。先ず、感度調整の例について説明する。例えば
ＮチャンネルＭＯＳよりなる複数のスイッチＳ₁〜Ｓ₇
と、抵抗Ｒ_a〜Ｒ_iとを、図２に示す如く組み合せて接
続する。演算増幅器５２の正入力端子に、所定の基準電
圧Ｖ_B2を入力する。スイッチＳ₁〜Ｓ₇をデジタル的に
オン、オフすることにより、感度を調整するための前述
した抵抗Ｒ_s，Ｒ_fを２⁷（１２８）通りに組み合せる
ことができる。抵抗Ｒ_sは抵抗Ｒ_a〜Ｒ_eの組み合わせ
によって作られ、また抵抗Ｒ_fは抵抗Ｒ_j〜Ｒ_iの組み
合わせによって作られる。本実施例の場合，７ビットの
調整分解能力を有するが、抵抗及びスイッチを増してビ
ット数を増すことにより分解能を上げることができる。
またスイッチＳ₁〜Ｓ₄をオフ、Ｓ₅〜Ｓ₇をオンの状
態にすることにより、抵抗Ｒ_e，Ｒ_jにより特性が得ら
れる。この特性は、初期特性となる。

【００５１】更に、調整用のパッドＢ₁〜Ｂ₇をＩＣ１
１に設け、これらのパッドからスイッチＳ₁〜Ｓ₇のオ
ン、オフする信号を入力し、２⁷（１２８）通りの組合
せを実行させれば、前もって感度の特性が適宜に選択
し、設定することができる。スイッチＳ₁〜Ｓ₇のオン
・オフ動作をオンチップによりトリミング可能とするの
は、第１のスイッチ制御手段５３である。この第１のス
イッチ制御手段５３について、図１０により説明する。
図１０において、Ｂ₁端子にはツェナーダイオードＺＤ
を接続し、抵抗Ｒ_Y，Ｒ_ZはＶ_DDに接続される。抵抗Ｒ
_XはトランジスタＴ_rのベース抵抗、抵抗Ｒ_Zはエミッ
タ抵抗である。トランジスタＴ_rはＰＮＰ形であり、エ
ミッタにはバッファ５４が接続される。Ｂ₁端子とグラ
ンド（ＧＮＤ）との間にツェナー電圧以上の電圧をプロ
ーバー等を介して印加し、ツェナーダイオードＺＤの拡
散層（ｎ⁺，ｐ⁺）を破壊する。すると、Ｂ₁端子がＧ
ＮＤショートされる。これによりトランジスタＴ_rがオ
ンし、エミッタ部がＧＮＤレベルになり、バッファ５４
の出力端子Ｄ₁がＨｉレベルになり、端子Ｄ₁に接続さ
れたスイッチＳ₁がオンする。その他の端子Ｂ₂〜
Ｂ₇、Ｄ₂〜Ｄ₇も同様な構成を有しており、その図示
は省略される。

【００５２】次に、零点調整の例について図１１、図１
２に基づいて説明する。前述したように５１が零調整部
であり、Ｖ_B1は一定の前記基準電圧である（本実施例の
場合３．５Ｖ）。本実施例の場合、ＮチャンネルＭＯＳ
よりなるスイッチＷ１〜Ｗ１２７，Ｌ１〜Ｌ８と抵抗ｒ
１〜ｒ２２４を直交マトリクス的に接続する。基準電圧
としてＶ_B1を使用し、抵抗ｒ１〜ｒ２２４の分圧回路に
おいて、出力Ｖ_B3を取り出す。５５は第２のスイッチ制
御手段であり、入力端子ｂ₁〜ｂ₇と出力端子ｄ₁〜ｄ
₇を有する。端子ｄ₁〜ｄ₇をすべてＧＮＤレベル（０
Ｖ）にすると、出力電圧Ｖ_B3のオープンとなる。ｄ₁の
みハイレベルでｄ₂〜ｄ₇のすべてをＧＮＤレベルにす
ると、スイッチＷ１，Ｌ１が選択（オン）され、出力Ｖ
_B3は、

【００５３】

【数９】

【００５４】となる。端子ｂ₁〜ｂ₇の状態と出力電圧
Ｖ_B3との関係は、表１に示す通りである。つまり、Ｖ_B3
では、表１に示すようにＶ_B1の２⁷（１２８）通りの分
圧電圧を出力することができる。本実施例の場合、７ビ
ットの調整分解能を有する。また一連の動作は、感度の
調整例と同様であり、出力Ｖ_B3をデジタル的に制御でき
る。また第２のスイッチ制御手段５５の動作も、第１の
スイッチ制御手段５３と同一である。

【００５５】

【表１】

【００５６】なお図２に示す如く、パルス幅変調電圧Ｖ
_PWMをＩＣ１１の外部へ取り出せるようにＩＣに配線５
６、パッド５７を設け、これにより加速度に比例したデ
ューティ波形出力が得ることができる。

【００５７】次いで、上記

【数８】における抵抗Ｒ_f，Ｒ_Sの変化範囲について説
明する。Ｒ_f，Ｒ_Sの変化範囲は、ＩＣ１１のチップサ
イズ、精度の制約を受ける。すな

【００５８】わち、

【数８】は、図７に示した検出しようとする加速度に対
する出力電圧特性（±１ＧでＶ_out＝０．５〜４．５
Ｖ）を調整するものである。従って、例えば図１３の出
力電圧特性（±１．５ＧでＶ_out＝０．５〜４．５Ｖ）
や図１４の出力電圧特性（±２ＧでＶ_out＝０．５〜
４．５Ｖ）なども含めて調整しようとすると、精度が悪
くなったり、ＩＣのチップサイズが大きくなってしま
う。図７、図１３、図１４のそれぞれの特性は、検出加
速度のスパンが異なるのであるが、基本的には感度の大
きさ（基本出力特性）が異なるものである。そこで、加
速度センサの出力調整部の入力段の固定抵抗Ｒ₂を、図
１に示した回路構成とすることにより、図７と図１３と
図１４に示された基本出力特性のいずれをも得られるこ
とを可能とした。図１では、ＩＣ１１の内部構成におい
て、特に、抵抗Ｒからなる抵抗Ｒ₁とコンデンサＣとで
構成される積分器１７、抵抗Ｒ₂，Ｒ_s，Ｒ_fと２つの
演算増幅器を含む出力調整部１８を示す。ただし零点調
整部５１の図示は省略されている。

【００５９】図１から明らかなように、抵抗Ｒ₂は、直
列に接続されたＲ₂₀，Ｒ₂₁，Ｒ₂₂の３つの抵抗に分割さ
れ、且つ分割抵抗Ｒ₂₁，Ｒ₂₂に対しそれぞれ並列にスイ
ッチＳ₂₁，Ｓ₂₂を接続する構成とした。本実施例の場
合、スイッチＳ₂₁，Ｓ₂₂には、ＰＭＯＳを使用してい
る。なお、前記図２で抵抗Ｒ２は単に固定抵抗として図
示されているだけで、詳細に示されていない。そして、
スイッチＳ₂₁，Ｓ₂₂に対しては、それぞれＩＣ１１に設
けられたパッドＰ₁，Ｐ₂が接続される。このパッドＰ
₁，Ｐ₂を介して外部より信号を与えることによりスイ
ッチＳ₂₁，Ｓ₂₂のオン・オフ状態を制御することがで
き、これにより抵抗Ｒ₂の値を変化させることができ
る。上記構成においてスイッチＳ₂₁をオフし、Ｓ₂₂をオ
ンすることにより（本実施例の場合、ＩＣのパッドをＧ
ＮＤレベルにするとＳ₂₁，Ｓ₂₂はオンする）、抵抗

【００６０】Ｒ₂の抵抗値はＲ₂₀＋Ｒ₂₁となり、

【数８】は下記の

【数１０】に書き換えられる。

【００６１】

【数１０】

【００６２】上式において、抵抗Ｒ₂₀，Ｒ₂₁を予め適宜
に設定することにより

【数１０】に基づいて、図１３に示された感度の基本出
力特性を得ることができる。

【００６３】同様にして、スイッチＳ₂₁，Ｓ₂₂の両方を
オンにすると、抵抗Ｒ₂の抵抗値は

【００６４】Ｒ₂₀となり、

【数８】は

【数１１】に書き換えられる。

【００６５】

【数１１】

【００６６】上式により、同様にして図１４に示された
感度の基本出力特性を得ることができる。

【００６７】以上の如く、抵抗Ｒ₂₀，Ｒ₂₁，Ｒ₂₂からな
る抵抗Ｒ₂において、並設されたスイッチＳ₂₁，Ｓ₂₂の
オン・オフの組合せにより、１つの加速度センサでオン
チップトリミングを利用して例えば３通りの基本出力特
性を得ることが可能となる。またスイッチＳ₂₁，Ｓ₂₂の
オン、オフの動作は、前述した図１０に示すようなスイ
ッチ制御手段５３と同様なスイッチ制御手段で制御する
ことができる。

【００６８】出力調整部１８の第２の実施例を図１５に
示す。この実施例では、抵抗Ｒ₂の部分を３つの抵抗に
分割し且つこれらの抵抗を並列に接続し、図示される如
く２つの抵抗に関してスイッチＳ₂₁，Ｓ₂₂を配設してい
る。その他の構成は、前記第１図に示した構成と同じで
ある。分割された３つの抵抗の各抵抗値を適宜に設定す
ることにより且つスイッチＳ₂₁，Ｓ₂₂のオン・オフ動作
を適宜に組み合わせることにより、３通りの所望の抵抗
値を得る。すなわち、スイッチＳ₂₁，Ｓ₂₂を共にオフに
することにより当該抵抗部（前記Ｒ₂の部分）の抵抗値
をＲ₂とし、スイッチＳ₂₁オン且つスイッチＳ₂₂をオフ
とすることによりＲ₂₀＋Ｒ₂₁、スイッチＳ₂₁，Ｓ₂₂を共
にオンとすることによりＲ₂₀としている。スイッチ
Ｓ₂₁，Ｓ₂₂のオン・オフ動作はパッドＰ₁，Ｐ₂を介し
て外部より制御される。以上により、前記第１実施例の
場合と同様に、各種の加速度を検出できるように、オン
チップトリミングで検出加速度の基本出力特性を、例え
ば３通りに適宜に変更することができる。

【００６９】出力調整部１８の第３の実施例を図１６に
示す。この実施例では、回路の接続構成は図１に示した
第１実施例と類似している。構成上相違する点は、スイ
ッチＳ₂₁，Ｓ₂₂を使用する代わりに、ＩＣチップ上のア
ルミ配線のためのアルミ配線用マスクを、図示する如く
Ａマスク（実線で示した配線）とＢマスク（破線で示し
た配線）とＣマスク（一点鎖線で示した配線）とを用意
し、抵抗部（前記Ｒ₂の部分）の値を、それぞれＡマス
クの部分はＲ₂、Ｂマスクの部分はＲ₂₀、Ｃマスクの部
分はＲ₂₀＋Ｒ₂₁としたＩＣを作製するものである。本実
施例の場合には作製された加速度センサのＩＣでは、製
造の段階でＡマスク、Ｂマスク、Ｃマスクのいずれかが
選択される。従って、オンチップトリミングを行うこと
はできないが、ＩＣチップを大きくすることなく、感度
についての基本出力特性を設定することができる。

【００７０】以上で説明した加速度センサは、自動車に
適用するのが最も好ましいが、一般的に各種移動体に適
用することができる。前記実施例では、主にハード回路
構成で説明したが、ソフト的に実現することができるの
は、勿論である。

【００７１】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明によ
れば、次の効果を奏する。加速度検出素子の信号処理と
して感度や零点を調整する出力調整部を有する加速度検
出処理回路を簡易な構成で作製できると共に、ワンチッ
プのＩＣで構成したため、回路の小形化及びセンサとし
て小形化、センサの低コスト化を達成できる。

【００７２】感度や零点のバラツキを、抵抗やスイッチ
の組み合わせによりデジタル的に調整することができ、
事前に感度や零点の特性を把握でき、抵抗のバラツキ、
演算増幅器や基準電圧等の回路のバラツキを吸収でき、
高精度に感度や零点の調整を行うことができる。

【００７３】更に、検出加速度のスパンに影響し得る複
数の抵抗とこれに直列又は並列に接続された複数の切換
手段を設け、複数の抵抗の中から所定特性が得られるよ
う抵抗を選択し、１種類の加速度センサで、必要に応じ
て複数の加速度のいずれかを選択して検出できるように
基本出力特性を変更するができる。ＩＣ化された加速度
センサでは、チップサイズを変更することなく感度に関
する基本出力特性、すなわちスパンを変更することがで
きる。加えて、オンチップトリミングで前記基本出力特
性を変更することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の出力調整部及びその周辺回路の第１実
施例を示す回路図である。

【図２】加速度センサの全体的構成を示す回路図であ
る。

【図３】加速度検出素子の機械的構造とその等価回路を
説明するための図である。

【図４】可動電極の変位と静電容量Ｃ₁，Ｃ₂及び容量
差ΔＣとの関係を示すグラフである。

【図５】パルス幅変調器の出力と反転器の出力を示す波
形図である。

【図６】固定電極に印加される電圧波形のデューティと
可動電極に作用する静電気力との関係を示すグラフであ
る。

【図７】加速度センサの出力特性（基本出力特性）の一
例を示す特性図である。

【図８】容量検出部の動作を説明するための各部波形図
である。

【図９】パルス幅変調器の動作を説明するための各部波
形図である。

【図１０】スイッチ制御手段の一例を説明するための回
路図である。

【図１１】零点調整部の具体的構成を示す回路図であ
る。

【図１２】零点調整部の出力電圧を取り出すための回路
構成を示す回路図である。

【図１３】加速度センサの出力特性（基本出力特性）の
他の例を示す特性図である。

【図１４】加速度センサの出力特性（基本出力特性）の
他の例を示す特性図である。

【図１５】本発明の出力調整部及びその周辺回路の第２
実施例を示す回路図である。

【図１６】本発明の出力調整部及びその周辺回路の第３
実施例を示す回路図である。

【符号の説明】

１加速度検出素子２，３固定電極４可動電極１０容量検出部１１加速度検出処理回路１４パルス幅変調器１７積分回路１８出力調整部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鈴政政善茨城県勝田市大字高場2520番地株式会社日立製作所佐和工場内 (72)発明者松本昌大茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立製作所日立研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】加速度に対応して変位する可動電極とこ
の可動電極の両側で可動電極に対向して配置される固定
電極を含む加速度検出素子と、この加速度検出素子の出
力する信号を処理する加速度検出処理回路とからなる加
速度センサにおいて、前記加速度検出処理回路は、第１
の切換手段と第２の切換手段を含み且つ前記可動電極の
変位に対応して変化する前記加速度検出素子で設定され
た容量情報を取り出す容量情報検出手段と、この容量情
報検出手段の出力信号に基づき前記加速度検出素子の前
記可動電極を静電サーボ制御するための第１のパルス波
形信号を生成して２つの前記固定電極のそれぞれに与え
るパルス幅変調手段と、前記第１のパルス波形信号に同
期した第２のパルス波形信号で前記第１及び第２の切換
手段の切換動作を行う切換実行手段と、前記第１のパル
ス波形信号をアナログの出力信号に変換する変換手段
と、前記出力信号を所定特性に調整する出力調整手段を
含むことを特徴とする加速度センサ。
【請求項２】請求項１記載の加速度センサにおいて、
前記加速度検出処理回路は、ワンチップの集積回路で形
成されることを特徴とする加速度センサ。
【請求項３】請求項１記載の加速度センサにおいて、
前記容量情報検出手段は、前記第１の切換手段がオフで
ある時、前記第２の切換手段がオンであることを特徴と
する加速度センサ。
【請求項４】請求項１記載の加速度センサにおいて、
前記２つの固定電極のうち、一方に前記第１のパルス波
形信号を与え、他方に第１のパルス波形信号を反転した
信号を与えるようにしたことを特徴とする加速度セン
サ。
【請求項５】請求項１記載の加速度センサにおいて、
前記容量情報検出手段は、その入力段に演算増幅器を有
し、この演算増幅器の正入力端子に与えられた基準電圧
と、前記第１のパルス波形信号の波高値とが同一である
ことを特徴とする加速度センサ。
【請求項６】請求項１記載の加速度センサにおいて、
前記出力調整手段は複数の抵抗及び複数の切換手段を含
み、前記複数の切換手段を切換動作させることにより、
前記抵抗の組み合わせを選択して出力特性における感度
をデジタル的に調整することを特徴とする加速度セン
サ。
【請求項７】請求項６記載の加速度センサにおいて、
前記出力調整手段は出力特性おける零点を調整するため
の零点調整手段を有することを特徴とする加速度セン
サ。
【請求項８】請求項６又は７記載の加速度センサにお
いて、前記加速度検出処理回路はワンチップの集積回路
で形成され、前記調整は、オンチップトリミングで行わ
れることを特徴とする加速度センサ。
【請求項９】加速度に対応して変位する可動電極とこ
の可動電極の両側で可動電極に対向して配置される固定
電極を含む加速度検出素子と、この加速度検出素子の出
力する信号を処理する加速度検出処理回路とからなる加
速度センサにおいて、前記加速度検出処理回路は、前記
加速度に対する基本出力特性を調整するスパン調整手段
を含み、このスパン調整手段内は、スパン調整用の複数
の抵抗と、この複数の抵抗の中から所定特性が得られる
よういずれかを選択する複数の切換手段とからなること
を特徴とする加速度センサ。
【請求項１０】請求項９記載の加速度センサにおい
て、前記複数の抵抗は直列に接続され、そのうちの一部
の抵抗に並列に前記切換手段が接続されたことを特徴と
する加速度センサ。
【請求項１１】請求項９記載の加速度センサにおい
て、前記複数の抵抗は並列に接続され、そのうちの一部
の抵抗に直列に前記切換手段が接続されたことを特徴と
する加速度センサ。
【請求項１２】請求項１０記載の加速度センサにおい
て、前記複数の抵抗は直列に接続され、そのうちの一部
の抵抗に並列に、前記切換手段の代わりに、配線マスク
が設けられたことを特徴とする加速度センサ。
【請求項１３】請求項９〜１２のいずれか１項に記載
の加速度センサにおいて、前記スパン調整手段を含む加
速度検出処理回路はワンチップの集積回路で形成され、
オンチップトリミングでスパン調整を行うことを特徴と
する加速度センサ。
【請求項１４】請求項１３記載の加速度センサにおい
て、１種類の前記集積回路で、複数の前記基本出力特性
のうちいずれかを選択することを可能とする加速度セン
サ。
【請求項１５】請求項１記載の加速度センサにおい
て、前記加速度検出処理回路は、更に、請求項９〜１２
のいずれか１項に記載されたスパン調整手段を含み、加
速度検出処理回路の全体をワンチップの集積回路で形成
したことを特徴とする加速度センサ。
【請求項１６】請求項２記載の加速度センサにおい
て、前記第１のパルス波形信号を外部に取り出す取出し
部を設けたことを特徴とする加速度センサ。