JPH05339727A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH05339727A JPH05339727A JP14914392A JP14914392A JPH05339727A JP H05339727 A JPH05339727 A JP H05339727A JP 14914392 A JP14914392 A JP 14914392A JP 14914392 A JP14914392 A JP 14914392A JP H05339727 A JPH05339727 A JP H05339727A
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- JP
- Japan
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- target
- magnetic
- magnet
- substrate
- magnetic flux
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 透磁率や磁気異方性の方向のバラツキの少な
い、優れた磁気特性を持った磁性膜を形成する。 【構成】 カソード１にターゲット３とこのターゲット
３の表面にもれる磁束を発生する第１の磁石４とを配置
し、ターゲット３に対向して基板ホルダー５を配置し、
第１の磁石４による磁束を基板ホルダー５上の基板６の
表面近傍で相殺する第２の磁石７を基板ホルダー５の裏
面に配置し、磁束の影響を受けずに磁性膜を形成できる
ようにした。
い、優れた磁気特性を持った磁性膜を形成する。 【構成】 カソード１にターゲット３とこのターゲット
３の表面にもれる磁束を発生する第１の磁石４とを配置
し、ターゲット３に対向して基板ホルダー５を配置し、
第１の磁石４による磁束を基板ホルダー５上の基板６の
表面近傍で相殺する第２の磁石７を基板ホルダー５の裏
面に配置し、磁束の影響を受けずに磁性膜を形成できる
ようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド等の磁気応
用デバイスに用いられる磁性膜を形成するために好適に
利用できるスパッタリング装置に関するものである。
用デバイスに用いられる磁性膜を形成するために好適に
利用できるスパッタリング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＡＶ機器等のデジタル化に伴い、
より高密度で記録可能な磁気記録デバイスの研究開発が
盛んである。この磁気記録デバイスの性能を大きく左右
するのはそこで使用されている磁性膜である。そのた
め、近年はより優れた磁気特性を持つ磁性膜が求められ
るようになっている。
より高密度で記録可能な磁気記録デバイスの研究開発が
盛んである。この磁気記録デバイスの性能を大きく左右
するのはそこで使用されている磁性膜である。そのた
め、近年はより優れた磁気特性を持つ磁性膜が求められ
るようになっている。
【０００３】以下、この磁性膜を形成するために用いら
れている従来のスパッタリング装置について説明する。
れている従来のスパッタリング装置について説明する。
【０００４】図３に従来のスパッタリング装置に使用さ
れているターゲット及び基板ホルダー部の構成を示す。
図３において、１１はカソードで、バッキングプレート
１２を介してターゲット１３が配置されている。又、カ
ソード１１内にターゲット１３の表面にもれる磁束を発
生させる磁石１４が配置されている。ターゲット１３に
対向して基板ホルダー１５が配置され、その上に基板１
６が保持されている。
れているターゲット及び基板ホルダー部の構成を示す。
図３において、１１はカソードで、バッキングプレート
１２を介してターゲット１３が配置されている。又、カ
ソード１１内にターゲット１３の表面にもれる磁束を発
生させる磁石１４が配置されている。ターゲット１３に
対向して基板ホルダー１５が配置され、その上に基板１
６が保持されている。
【０００５】なお、これらは図示しないスパッタチャン
バー内に配置されている。
バー内に配置されている。
【０００６】以上のように構成されたスパッタリング装
置について、以下その動作について説明する。スパッタ
チャンバー内を真空排気するとともにアルゴンガスを導
入し、その圧力を１０-2〜１０-3Ｔｏｒｒ程度に保ち、
カソード１１より高周波又は直流電力をターゲット１３
に印加することによってその表面にプラズマを発生させ
る。このとき、磁石１４から発生した磁束がターゲット
１３の表面にもれ、その磁束によって電子がサイクロト
ロン運動をするため、アルゴンガスとの衝突回数が増
え、プラズマが高密度化する。この高密度プラズマ中の
陽イオンであるアルゴンイオンがマイナス電位を持つタ
ーゲット１３に衝突することによってターゲット１３を
形成する原子を叩き出し、その叩き出された原子がター
ゲット１３に対向して配置されている基板１６上に堆積
することにより膜が形成される。
置について、以下その動作について説明する。スパッタ
チャンバー内を真空排気するとともにアルゴンガスを導
入し、その圧力を１０-2〜１０-3Ｔｏｒｒ程度に保ち、
カソード１１より高周波又は直流電力をターゲット１３
に印加することによってその表面にプラズマを発生させ
る。このとき、磁石１４から発生した磁束がターゲット
１３の表面にもれ、その磁束によって電子がサイクロト
ロン運動をするため、アルゴンガスとの衝突回数が増
え、プラズマが高密度化する。この高密度プラズマ中の
陽イオンであるアルゴンイオンがマイナス電位を持つタ
ーゲット１３に衝突することによってターゲット１３を
形成する原子を叩き出し、その叩き出された原子がター
ゲット１３に対向して配置されている基板１６上に堆積
することにより膜が形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、プラズマを高密度化するために発生させ
たターゲット１３の表面にもれる磁束により基板１６の
表面上に磁界が形成されるため、磁性膜を形成する際に
膜がその磁界の影響を受けてしまう。その結果、磁気異
方性の方向や透磁率のばらつきが基板表面内で生じてし
まい、優れた磁気特性を持つ膜の形成が困難であるとい
う問題があった。
来の構成では、プラズマを高密度化するために発生させ
たターゲット１３の表面にもれる磁束により基板１６の
表面上に磁界が形成されるため、磁性膜を形成する際に
膜がその磁界の影響を受けてしまう。その結果、磁気異
方性の方向や透磁率のばらつきが基板表面内で生じてし
まい、優れた磁気特性を持つ膜の形成が困難であるとい
う問題があった。
【０００８】本発明は上記従来の問題点に鑑み、透磁率
や磁気異方性の方向のバラツキの少ない、優れた磁気特
性を持った磁性膜を形成できるスパッタリング装置を提
供することを目的とする。
や磁気異方性の方向のバラツキの少ない、優れた磁気特
性を持った磁性膜を形成できるスパッタリング装置を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置は、カソードにターゲットとこのターゲットの表面
にもれる磁束を発生する第１の磁石とを配置し、ターゲ
ットに対向して基板ホルダーを配置したスパッタリング
装置において、第１の磁石による磁束を基板ホルダー上
の基板表面近傍で相殺する第２の磁石を基板ホルダーの
裏面に配置したことを特徴とする。
装置は、カソードにターゲットとこのターゲットの表面
にもれる磁束を発生する第１の磁石とを配置し、ターゲ
ットに対向して基板ホルダーを配置したスパッタリング
装置において、第１の磁石による磁束を基板ホルダー上
の基板表面近傍で相殺する第２の磁石を基板ホルダーの
裏面に配置したことを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明は上記した構成によって、ターゲット表
面にもれた磁界を基板ホルダー裏面に設けた第２の磁石
によって基板表面近くで打ち消すことかできるので、タ
ーゲット表面の磁束の影響を受けずに成膜することがで
き、その結果磁気特性の優れた磁性膜を得ることができ
る。
面にもれた磁界を基板ホルダー裏面に設けた第２の磁石
によって基板表面近くで打ち消すことかできるので、タ
ーゲット表面の磁束の影響を受けずに成膜することがで
き、その結果磁気特性の優れた磁性膜を得ることができ
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例のスパッタリング装
置について図１、図２を参照しながら説明する。
置について図１、図２を参照しながら説明する。
【００１２】図１において、１はカソードで、バッキン
グプレート２を介してターゲット３が配置されている。
又、カソード１内にはターゲット３の表面にもれる磁束
を発生させる第１の磁石４が配置されている。ターゲッ
ト３に対向して基板ホルダー５が配置され、その上に基
板６が保持されている。基板ホルダー５の裏面には第１
の磁石４による磁束を基板ホルダー５上の基板６表面近
傍で相殺する第２の磁石７が配置されている。これらの
構成要素は図示しないスパッタチャンバー内に配置され
ている。
グプレート２を介してターゲット３が配置されている。
又、カソード１内にはターゲット３の表面にもれる磁束
を発生させる第１の磁石４が配置されている。ターゲッ
ト３に対向して基板ホルダー５が配置され、その上に基
板６が保持されている。基板ホルダー５の裏面には第１
の磁石４による磁束を基板ホルダー５上の基板６表面近
傍で相殺する第２の磁石７が配置されている。これらの
構成要素は図示しないスパッタチャンバー内に配置され
ている。
【００１３】以上のように構成されたスパッタリング装
置の動作を次に説明する。スパッタチャンバー内を真空
排気するとともにアルゴンガスを導入し、その圧力を１
０-2〜１０-3Ｔｏｒｒ程度に保ち、カソード１より高周
波又は直流電力をターゲット３に印加することによって
その表面にプラズマを発生させる。このとき、第１の磁
石４から発生した磁束がターゲット３の表面にもれ、そ
の磁束によって電子がサイクロトロン運動をするため、
アルゴンガスとの衝突回数が増え、プラズマが高密度化
する。この高密度プラズマ中の陽イオンであるアルゴン
イオンがマイナス電位を持つターゲット３に衝突するこ
とによってターゲット３を形成する原子が叩き出され、
その叩き出された原子がターゲット３に対向して配置さ
れている基板６上に堆積することにより膜が形成され
る。その際、基板６の表面近傍において、図２に示すよ
うに、第１の磁石４から発生してターゲット３の表面に
もれた磁束８が基板ホルダー６の裏面の第２の磁石７か
ら発生した磁束９によって相殺される。その結果、磁性
膜はターゲット３表面の磁束８の影響を受けずに基板６
上に成膜される。
置の動作を次に説明する。スパッタチャンバー内を真空
排気するとともにアルゴンガスを導入し、その圧力を１
０-2〜１０-3Ｔｏｒｒ程度に保ち、カソード１より高周
波又は直流電力をターゲット３に印加することによって
その表面にプラズマを発生させる。このとき、第１の磁
石４から発生した磁束がターゲット３の表面にもれ、そ
の磁束によって電子がサイクロトロン運動をするため、
アルゴンガスとの衝突回数が増え、プラズマが高密度化
する。この高密度プラズマ中の陽イオンであるアルゴン
イオンがマイナス電位を持つターゲット３に衝突するこ
とによってターゲット３を形成する原子が叩き出され、
その叩き出された原子がターゲット３に対向して配置さ
れている基板６上に堆積することにより膜が形成され
る。その際、基板６の表面近傍において、図２に示すよ
うに、第１の磁石４から発生してターゲット３の表面に
もれた磁束８が基板ホルダー６の裏面の第２の磁石７か
ら発生した磁束９によって相殺される。その結果、磁性
膜はターゲット３表面の磁束８の影響を受けずに基板６
上に成膜される。
【００１４】以上のように本実施例によれば、基板ホル
ダー６裏面に、ターゲット３表面からもれた磁束８を基
板７の表面近傍で相殺する第２の磁石７を配設したこと
により、ターゲット３表面からもれる磁束の影響を受け
ることなく磁性膜を形成することが可能となり、優れた
磁気特性を持つ膜を得ることができる。
ダー６裏面に、ターゲット３表面からもれた磁束８を基
板７の表面近傍で相殺する第２の磁石７を配設したこと
により、ターゲット３表面からもれる磁束の影響を受け
ることなく磁性膜を形成することが可能となり、優れた
磁気特性を持つ膜を得ることができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明のスパッタリング装置によれば、
以上のように第１の磁石にて発生させたターゲット表面
からもれる磁束を、基板表面近傍において基板ホルダー
裏面に配設した第２の磁石にて相殺するようにしたの
で、無磁界中で磁性膜を形成することが可能となり、優
れた磁気特性を持つ磁性膜を成膜することができる。
以上のように第１の磁石にて発生させたターゲット表面
からもれる磁束を、基板表面近傍において基板ホルダー
裏面に配設した第２の磁石にて相殺するようにしたの
で、無磁界中で磁性膜を形成することが可能となり、優
れた磁気特性を持つ磁性膜を成膜することができる。
【図１】本発明の一実施例におけるスパッタリング装置
の要部の縦断面図である。
の要部の縦断面図である。
【図２】同実施例における基板表面近傍の磁束の状態の
説明図である。
説明図である。
【図３】従来例のスパッタリング装置の要部の縦断面図
である。
である。
１ カソード ３ ターゲット ４ 第１の磁石 ５ 基板ホルダー ６ 基板 ７ 第２の磁石
フロントページの続き (72)発明者 西原 宗和 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 カソードにターゲットとこのターゲット
の表面にもれる磁束を発生する第１の磁石とを配置し、
ターゲットに対向して基板ホルダーを配置したスパッタ
リング装置において、第１の磁石による磁束を基板ホル
ダー上の基板表面近傍で相殺する第２の磁石を基板ホル
ダーの裏面に配置したことを特徴とするスパッタリング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14914392A JPH05339727A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14914392A JPH05339727A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05339727A true JPH05339727A (ja) | 1993-12-21 |
Family
ID=15468708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14914392A Pending JPH05339727A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05339727A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017169448A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 株式会社 アルバック | 成膜装置、および、成膜方法 |
| TWI757474B (zh) * | 2018-02-13 | 2022-03-11 | 瑞士商艾維太克股份有限公司 | 磁控濺鍍的方法及用於磁控濺鍍的設備 |
-
1992
- 1992-06-09 JP JP14914392A patent/JPH05339727A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017169448A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 株式会社 アルバック | 成膜装置、および、成膜方法 |
| JPWO2017169448A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2018-06-28 | 株式会社アルバック | 成膜装置、および、成膜方法 |
| EP3438323A4 (en) * | 2016-03-29 | 2019-11-06 | ULVAC, Inc. | FILM-EDITING DEVICE AND FILM-EDGING PROCESS |
| US11111577B2 (en) | 2016-03-29 | 2021-09-07 | Ulvac, Inc. | Film-forming apparatus and film-forming method |
| TWI757474B (zh) * | 2018-02-13 | 2022-03-11 | 瑞士商艾維太克股份有限公司 | 磁控濺鍍的方法及用於磁控濺鍍的設備 |
| US11476099B2 (en) * | 2018-02-13 | 2022-10-18 | Evatec Ag | Methods of and apparatus for magnetron sputtering |
| US11848179B2 (en) | 2018-02-13 | 2023-12-19 | Evatec Ag | Methods of and apparatus for magnetron sputtering |
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