JPH05331289A - 二酸化硫黄と核置換スチレン誘導体との共重合体 - Google Patents
二酸化硫黄と核置換スチレン誘導体との共重合体Info
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- JPH05331289A JPH05331289A JP3313629A JP31362991A JPH05331289A JP H05331289 A JPH05331289 A JP H05331289A JP 3313629 A JP3313629 A JP 3313629A JP 31362991 A JP31362991 A JP 31362991A JP H05331289 A JPH05331289 A JP H05331289A
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- copolymer
- substituted styrene
- mol
- sulfur dioxide
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 高感度、高解像度で、耐ドライエッチン性に
優れた遠紫外線光、電子線またはＸ線に感応するレジス
ト材料として有用な共重合体を提供する。 【構成】 次式で表わされる二元共重合体（ｍ＝０、
ｎ＝１、ｐ＝１〜９９の整数、ｌ＝１０以上１００００
以下の整数）又は三元共重合体（ｐ，ｇ＝１〜１０、
モル分率ｌ＝１５〜９９％、ｍ＝１〜８５％、（ｐ＋
ｇ）＝５０〜９９％） （Ｒ１，Ｒ２はＨ、炭素数１〜４のアルキル基、または
〔Ｓｉ（ＣＨ３）２〕ｙＣＨ３でｙは１から３を表す。
Ｒ３は（ＣＨ２）ｍ、ｍ＝０またはｍ＝１〜３のアルキ
レン基を表す。ＸはＯＨ、ターシャリーブトキシ若しく
はターシャリーブトキシカルボニルオキシを表す。） 【効果】アルカリ現像時に膜減りの発生が殆どなく、基
板との接着力に優れ特別な基板処理なしでも容易にサブ
ミクロンの微細パターンが得られる。
優れた遠紫外線光、電子線またはＸ線に感応するレジス
ト材料として有用な共重合体を提供する。 【構成】 次式で表わされる二元共重合体（ｍ＝０、
ｎ＝１、ｐ＝１〜９９の整数、ｌ＝１０以上１００００
以下の整数）又は三元共重合体（ｐ，ｇ＝１〜１０、
モル分率ｌ＝１５〜９９％、ｍ＝１〜８５％、（ｐ＋
ｇ）＝５０〜９９％） （Ｒ１，Ｒ２はＨ、炭素数１〜４のアルキル基、または
〔Ｓｉ（ＣＨ３）２〕ｙＣＨ３でｙは１から３を表す。
Ｒ３は（ＣＨ２）ｍ、ｍ＝０またはｍ＝１〜３のアルキ
レン基を表す。ＸはＯＨ、ターシャリーブトキシ若しく
はターシャリーブトキシカルボニルオキシを表す。） 【効果】アルカリ現像時に膜減りの発生が殆どなく、基
板との接着力に優れ特別な基板処理なしでも容易にサブ
ミクロンの微細パターンが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は二酸化硫黄とスチレン誘
導体との新規な共重合体に関する。更に詳しくは光、電
子線またはＸ線に高感度に感応し、高解像度で且つ耐ド
ライエッチング性に優れたレジスト材料として有用な該
共重合体に関する。光の波長を特定すれば２００ｎｍ〜
３００ｎｍの遠紫外線光を用いる場合に好適である。
導体との新規な共重合体に関する。更に詳しくは光、電
子線またはＸ線に高感度に感応し、高解像度で且つ耐ド
ライエッチング性に優れたレジスト材料として有用な該
共重合体に関する。光の波長を特定すれば２００ｎｍ〜
３００ｎｍの遠紫外線光を用いる場合に好適である。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】近年半導体素子や集積回路
の集積度の向上はめざましく、それに伴いリソグラフィ
技術による微細加工への要求は年々厳しくなってきてい
る。この要求を充すものとして遠紫外線領域において感
応する高感度、高解像度、耐ドライエッチング性を兼ね
備えたレジスト材料の開発が要望されている。この要求
を充すものとして既に種々の提案がなされており高感度
レジストとしての化学増幅型レジストである poly(p-t-
butoxycarbonyloxystyrene)USP 4,491,628 Jan 1,1985
や poly(p-t-butoxycarbonyloxystyrene sulfone)EP 33
0,386(priority US 160,368)等が知られている。
の集積度の向上はめざましく、それに伴いリソグラフィ
技術による微細加工への要求は年々厳しくなってきてい
る。この要求を充すものとして遠紫外線領域において感
応する高感度、高解像度、耐ドライエッチング性を兼ね
備えたレジスト材料の開発が要望されている。この要求
を充すものとして既に種々の提案がなされており高感度
レジストとしての化学増幅型レジストである poly(p-t-
butoxycarbonyloxystyrene)USP 4,491,628 Jan 1,1985
や poly(p-t-butoxycarbonyloxystyrene sulfone)EP 33
0,386(priority US 160,368)等が知られている。
【０００３】従来の化学増幅型ポジ型レジスト例えば p
oly(p-t-butoxycarbonyloxystyrene), poly(p-t-butoxy
carbonyloxystyrene sulfone) 等のヒドロキシスチレン
誘導体を構造単位とするレジストは露光、露光后ベイク
で発生した酸により脱保護基されて生成したポリヒドロ
キシスチレンが、現像時、通常用いられるＴＭＡＨ(テトラ
メチルアンモニウムヒト゛ロキシト゛)水溶液で現像されポジ像が生じる
が、この際未露光部分が一部溶解し、膜減りを起こした
り、パターンが細って基板から剥離するという問題があ
った。
oly(p-t-butoxycarbonyloxystyrene), poly(p-t-butoxy
carbonyloxystyrene sulfone) 等のヒドロキシスチレン
誘導体を構造単位とするレジストは露光、露光后ベイク
で発生した酸により脱保護基されて生成したポリヒドロ
キシスチレンが、現像時、通常用いられるＴＭＡＨ(テトラ
メチルアンモニウムヒト゛ロキシト゛)水溶液で現像されポジ像が生じる
が、この際未露光部分が一部溶解し、膜減りを起こした
り、パターンが細って基板から剥離するという問題があ
った。
【０００４】
【発明が解決しようとする問題点】本発明者等は、上述
のような従来の化学増幅型ポジ型レジストの保有する欠
点のないレジスト材料を見出すべく鋭意研究を行った。
その結果、後述の（式３）で示される二酸化硫黄と特定
の核置換スチレン誘導体との二元共重合体または（式
４）で示される二酸化硫黄と特定の２種類の核置換スチ
レン誘導体との三元共重合体が上述の問題点を解決しう
ることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成し
た。すなわち、本発明の共重合体は上述の公知技術の問
題点を解決したもので、アルカリに対して溶解阻止力が
すぐれており、レジストとして用いた場合、ＴＭＡＨ現
像時に未露光部の膜減りの発生が殆どなく、また基板と
の接着性に優れており何ら特別な基板処理を施さずとも
剥離が生じることなく、容易にサブミクロンの微細パタ
ーンを得ることができる。
のような従来の化学増幅型ポジ型レジストの保有する欠
点のないレジスト材料を見出すべく鋭意研究を行った。
その結果、後述の（式３）で示される二酸化硫黄と特定
の核置換スチレン誘導体との二元共重合体または（式
４）で示される二酸化硫黄と特定の２種類の核置換スチ
レン誘導体との三元共重合体が上述の問題点を解決しう
ることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成し
た。すなわち、本発明の共重合体は上述の公知技術の問
題点を解決したもので、アルカリに対して溶解阻止力が
すぐれており、レジストとして用いた場合、ＴＭＡＨ現
像時に未露光部の膜減りの発生が殆どなく、また基板と
の接着性に優れており何ら特別な基板処理を施さずとも
剥離が生じることなく、容易にサブミクロンの微細パタ
ーンを得ることができる。
【０００５】以上の記述から明らかなように、本発明の
目的は下記のとおりである。すなわちその１は新規な共
重合体を提供することであり、その２は高感度、高解像
度で且つ耐ドライエッチング性に優れた光、電子線また
はＸ線に感応するレジスト材料として有用な共重合体を
提供することである。その３はアルカリに対する溶解阻
止力が優れており、アルカリ現像時に膜減りの発生が殆
どなくまた基板の接着力が優れており何ら特別な基板処
理を施さずとも容易にサブミクロンの微細パターンを得
ることができうるレジスト材料を提供することである。
本発明は二酸化硫黄とスチレン誘導体との共重合体であ
って、共重合体の構造単位として本願モノマー即ちアル
キル化されたスチレン誘導体を用いることによって共重
合体のアルカリに対する溶解耐性を向上させレジストと
しての実用化を可能にした。
目的は下記のとおりである。すなわちその１は新規な共
重合体を提供することであり、その２は高感度、高解像
度で且つ耐ドライエッチング性に優れた光、電子線また
はＸ線に感応するレジスト材料として有用な共重合体を
提供することである。その３はアルカリに対する溶解阻
止力が優れており、アルカリ現像時に膜減りの発生が殆
どなくまた基板の接着力が優れており何ら特別な基板処
理を施さずとも容易にサブミクロンの微細パターンを得
ることができうるレジスト材料を提供することである。
本発明は二酸化硫黄とスチレン誘導体との共重合体であ
って、共重合体の構造単位として本願モノマー即ちアル
キル化されたスチレン誘導体を用いることによって共重
合体のアルカリに対する溶解耐性を向上させレジストと
しての実用化を可能にした。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明は、下記（１）
〜（３）の構成を有する。 （１）１〜５０モル％の−ＳＯ2 −で示される構造単位
と５０〜９９モル％の下記（式１）で示される核置換ス
チレン誘導体を構造単位とし、線状化合物であって数平
均分子量が２．０００〜２．０００．０００で下記（式
３）の構造式を有する二酸化硫黄と核置換スチレン誘導
体との二元共重合体。
〜（３）の構成を有する。 （１）１〜５０モル％の−ＳＯ2 −で示される構造単位
と５０〜９９モル％の下記（式１）で示される核置換ス
チレン誘導体を構造単位とし、線状化合物であって数平
均分子量が２．０００〜２．０００．０００で下記（式
３）の構造式を有する二酸化硫黄と核置換スチレン誘導
体との二元共重合体。
【化６】 ここでＲ1 およびＲ2 はメタ位でＨ、炭素数１〜４のア
ルキル基若しくは［Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 ］y ＣＨ3 であ
り、ｙは１〜３の整数である。また、Ｒ1 とＲ2とは同
一であっても異ってもよい。Ｒ3 はパラ位で（ＣＨ2 ）
ｍ、ｍ＝０またはｍ＝１〜３のアルキレン基を表わし、
ＸはＯＨ、ターシャリーブトキシ基若しくはターシャリ
ーブトキシカルボニルオキシ基を表す。ただし、Ｒ1 お
よびＲ2 がＨでｍ＝０の場合を除く。
ルキル基若しくは［Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 ］y ＣＨ3 であ
り、ｙは１〜３の整数である。また、Ｒ1 とＲ2とは同
一であっても異ってもよい。Ｒ3 はパラ位で（ＣＨ2 ）
ｍ、ｍ＝０またはｍ＝１〜３のアルキレン基を表わし、
ＸはＯＨ、ターシャリーブトキシ基若しくはターシャリ
ーブトキシカルボニルオキシ基を表す。ただし、Ｒ1 お
よびＲ2 がＨでｍ＝０の場合を除く。
【化７】 ここで、Ｒ 1，Ｒ2 ，Ｒ3 およびＸの意味は（式１）の
場合と同様であり、ｐは１〜９９の任意の整数、ｎは１
０以上１０，０００以下の整数である。 （２）１〜５０モル％の−ＳＯ2 −で示される構造単位
と１５〜９８モル％の下記（式１）で示される核置換ス
チレン誘導体ならびに１〜８４モル％の下記（式２）で
示される核置換スチレン誘導体を構造単位とし、線状化
合物であって数平均分子量が２，０００〜２，０００，
０００で下記（式４）の構造式を有する二酸化硫黄と核
置換スチレン誘導体との三元共重合体。
場合と同様であり、ｐは１〜９９の任意の整数、ｎは１
０以上１０，０００以下の整数である。 （２）１〜５０モル％の−ＳＯ2 −で示される構造単位
と１５〜９８モル％の下記（式１）で示される核置換ス
チレン誘導体ならびに１〜８４モル％の下記（式２）で
示される核置換スチレン誘導体を構造単位とし、線状化
合物であって数平均分子量が２，０００〜２，０００，
０００で下記（式４）の構造式を有する二酸化硫黄と核
置換スチレン誘導体との三元共重合体。
【化８】 ここでＲ1 およびＲ2 はメタ位でＨ、炭素数１〜４のア
ルキル基若しくは［Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 ］y ＣＨ3 であ
り、ｙは１〜３の整数である。また、Ｒ1 とＲ2とは同
一であっても異ってもよい。Ｒ3 はパラ位で（ＣＨ2 ）
ｍ、ｍ＝０またはｍ＝１〜３のアルキレン基を表わし、
ＸはＯＨ、ターシャリーブトキシ基若しくはターシャリ
ーブトキシカルボニルオキシ基を表す。ただし、Ｒ1 お
よびＲ2 がＨでｍ＝０の場合を除く。
ルキル基若しくは［Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 ］y ＣＨ3 であ
り、ｙは１〜３の整数である。また、Ｒ1 とＲ2とは同
一であっても異ってもよい。Ｒ3 はパラ位で（ＣＨ2 ）
ｍ、ｍ＝０またはｍ＝１〜３のアルキレン基を表わし、
ＸはＯＨ、ターシャリーブトキシ基若しくはターシャリ
ーブトキシカルボニルオキシ基を表す。ただし、Ｒ1 お
よびＲ2 がＨでｍ＝０の場合を除く。
【化９】 ここでＸはＯＨ，ターシャリーブトキシ基若しくはター
シャリーブトキシカルボニルオキシ基を表す。
シャリーブトキシカルボニルオキシ基を表す。
【化１０】 ここで、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 およびＸの意味は（式１）の
場合と同様であり、ｐおよびｑは１〜１０であり、さら
にｌ，ｍは共重合体のモル分率に相当し、ｌは１５〜９
９モル％、ｍは１〜８５モル％、（ｐ＋ｑ）は５０〜９
９モル％であって、それぞれの構造単位は共重合体中に
不規則に分布して共重合体主鎖を構成している。ｎは５
以上５，０００以下の整数である。 （３）前記（１）若しくは（２）に記載の共重合体を有
効成分とするレジスト材料。
場合と同様であり、ｐおよびｑは１〜１０であり、さら
にｌ，ｍは共重合体のモル分率に相当し、ｌは１５〜９
９モル％、ｍは１〜８５モル％、（ｐ＋ｑ）は５０〜９
９モル％であって、それぞれの構造単位は共重合体中に
不規則に分布して共重合体主鎖を構成している。ｎは５
以上５，０００以下の整数である。 （３）前記（１）若しくは（２）に記載の共重合体を有
効成分とするレジスト材料。
【０００７】以下、本発明の構成と効果について詳細に
説明する。本発明の二酸化硫黄と核置換スチレン誘導体
との二元共重合体は（式３）によって表される。
説明する。本発明の二酸化硫黄と核置換スチレン誘導体
との二元共重合体は（式３）によって表される。
【化１１】 ここでＲ1 およびＲ2 はメタ位でＨ，ＣＨ3 ，ＣＨ2 Ｃ
Ｈ3,イソプロピル，ターシャリーブチルその他Ｃ１〜Ｃ
４のアルキル基または［Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 ］yＣＨ3 で
ｙは１から３を表す。Ｒ1 およびＲ2 は同じであっても
異なってもよい。Ｒ3 はパラ位で（ＣＨ2 ）ｍ，ｍ＝０
〜３のアルキレン基を表す。ＸはＯＨ、ターシャリーブ
トキシ若しくはターシャリーブトキシカルボニルオキシ
を表す。但しＲ1 およびＲ2 がＨで、ｍ＝０の場合を除
く。ｐは核置換スチレン誘導体とＳＯ2 とのモル比を示
しており、１〜９９の任意の値を示す。ｐが１の時は交
互共重合体を表す。
Ｈ3,イソプロピル，ターシャリーブチルその他Ｃ１〜Ｃ
４のアルキル基または［Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 ］yＣＨ3 で
ｙは１から３を表す。Ｒ1 およびＲ2 は同じであっても
異なってもよい。Ｒ3 はパラ位で（ＣＨ2 ）ｍ，ｍ＝０
〜３のアルキレン基を表す。ＸはＯＨ、ターシャリーブ
トキシ若しくはターシャリーブトキシカルボニルオキシ
を表す。但しＲ1 およびＲ2 がＨで、ｍ＝０の場合を除
く。ｐは核置換スチレン誘導体とＳＯ2 とのモル比を示
しており、１〜９９の任意の値を示す。ｐが１の時は交
互共重合体を表す。
【０００８】本発明の二酸化硫黄と核置換スチレン誘導
体との三元共重合体は（式４）によって表される。
体との三元共重合体は（式４）によって表される。
【化１２】 ここでＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 およびＸは（式３）の場合と同
じである。
じである。
【０００９】本発明に係る核置換スチレン誘導体の具体
例としては （式１）の例として ｍ，ｍ−ジメチル−ｐ−ヒドロキシスチレン ｍ−メチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン ｍ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレ
ン ｍ−メチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ
スチレン ｍ−トリメチルシリル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレ
ン ｍ−トリメチルシリル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシスチレン ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニオキシメチルスチレン ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニオキシエチルスチレン ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシエチルスチレン等があげられ
る。
例としては （式１）の例として ｍ，ｍ−ジメチル−ｐ−ヒドロキシスチレン ｍ−メチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン ｍ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレ
ン ｍ−メチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ
スチレン ｍ−トリメチルシリル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレ
ン ｍ−トリメチルシリル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシスチレン ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニオキシメチルスチレン ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニオキシエチルスチレン ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシエチルスチレン等があげられ
る。
【００１０】また、（式２）の例として ｐ−ヒドロキシスチレン ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン等を
あげることができる。そして共重合体中（式１）で示さ
れる構造単位を少なくとも１５モル％以上含むことで本
発明の目的を達することができる。
あげることができる。そして共重合体中（式１）で示さ
れる構造単位を少なくとも１５モル％以上含むことで本
発明の目的を達することができる。
【００１１】本発明の共重合体は公知のラジカル重合法
もしくはレドックス系重合法によって得ることができ
る。即ち、（式１）および（式２）に示したモノマー
（１ないし２種類）と反応開始剤（アゾビスイソブチロ
ニトリル，ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド，ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド等）とを耐圧反応
器に入れ、真空ラインにて脱気后、五酸化二燐で乾燥し
た二酸化硫黄を所定量加え、十分攪拌して均一溶液とし
たのち所定温度で所定時間重合させる。二酸化硫黄とモ
ノマーとの配合組成，反応開始剤の種類と量，重合溶剤
の種類と量，重合温度と時間等によって得られる共重合
体の組成，分子量，分子量分布は異なってくる。例えば
核置換スチレン誘導体とＳＯ2 とのモル比が１の交互共
重合体を得る場合には重合温度は−５０℃以下が好まし
い。
もしくはレドックス系重合法によって得ることができ
る。即ち、（式１）および（式２）に示したモノマー
（１ないし２種類）と反応開始剤（アゾビスイソブチロ
ニトリル，ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド，ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド等）とを耐圧反応
器に入れ、真空ラインにて脱気后、五酸化二燐で乾燥し
た二酸化硫黄を所定量加え、十分攪拌して均一溶液とし
たのち所定温度で所定時間重合させる。二酸化硫黄とモ
ノマーとの配合組成，反応開始剤の種類と量，重合溶剤
の種類と量，重合温度と時間等によって得られる共重合
体の組成，分子量，分子量分布は異なってくる。例えば
核置換スチレン誘導体とＳＯ2 とのモル比が１の交互共
重合体を得る場合には重合温度は−５０℃以下が好まし
い。
【００１２】ここで二酸化硫黄の共重合体の特徴は、
（式１）に示したモノマーの単独重合では高分子量体が
得られ難いのに対し、二酸化硫黄と共重合させることに
より（式１）に示したバルキーなモノマーとも比較的容
易に共重合し高分子量体が得られる点である。一般的に
ポジ型レジストとしての性能は高分子量体の方が優れて
いると言える。共重合体組成に関して言えば、（式１）
に示したモノマー単位とスルホン単位との比率がポジ型
レジストの感度と関連があり、特に電子線レジストとし
ての性能はこの比率が１：１の交互共重合体に近いほど
高感度となる。
（式１）に示したモノマーの単独重合では高分子量体が
得られ難いのに対し、二酸化硫黄と共重合させることに
より（式１）に示したバルキーなモノマーとも比較的容
易に共重合し高分子量体が得られる点である。一般的に
ポジ型レジストとしての性能は高分子量体の方が優れて
いると言える。共重合体組成に関して言えば、（式１）
に示したモノマー単位とスルホン単位との比率がポジ型
レジストの感度と関連があり、特に電子線レジストとし
ての性能はこの比率が１：１の交互共重合体に近いほど
高感度となる。
【００１３】このようにして得られた共重合体を溶解溶
剤（好ましくはメチルセロソルブアセテート，シクロヘ
キサノン）に溶解し、（好ましくは５〜２０ｗｔ％濃
度）必要に応じて酸発生剤（好ましくはオニウム塩−ト
リフェニルスルホニウム塩，ジフェニルヨードニウム
塩）を、共重合体に対して３〜１２ｗｔ％加え、均一溶
液とし、０．５μｍ以下のフィルターにて濾過する。該
溶液を以後レジスト溶液という。こうして得られたレジ
スト溶液をシリコンウエハー上にスピンコーターで塗布
しプリベイクして試験板（以後レジストフィルムまたは
フィルムという）とする。このフィルム膜厚は０．２〜
２．０μｍが好ましい。
剤（好ましくはメチルセロソルブアセテート，シクロヘ
キサノン）に溶解し、（好ましくは５〜２０ｗｔ％濃
度）必要に応じて酸発生剤（好ましくはオニウム塩−ト
リフェニルスルホニウム塩，ジフェニルヨードニウム
塩）を、共重合体に対して３〜１２ｗｔ％加え、均一溶
液とし、０．５μｍ以下のフィルターにて濾過する。該
溶液を以後レジスト溶液という。こうして得られたレジ
スト溶液をシリコンウエハー上にスピンコーターで塗布
しプリベイクして試験板（以後レジストフィルムまたは
フィルムという）とする。このフィルム膜厚は０．２〜
２．０μｍが好ましい。
【００１４】こうして得られたフィルムにパターンを描
いたマスクを通して遠紫外線（以後ｄｅｅｐＵＶまたは
ＤＵＶという）、電子線（以後ＥＢという）、Ｘ線露光
を行い、ポストベイク（以後ＰＥＢという）を行う。
（電子線露光の場合は直接描画）こうして得られたフィ
ルムを現像液に浸し現像する。現像液にアルカリ水溶液
（好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液（以後ＴＭＡＨという））を用いたときには露光部
分が溶解したポジ像が、現像液に有機溶剤を用いた時に
は未露光部分が溶解したネガ像が得られる。
いたマスクを通して遠紫外線（以後ｄｅｅｐＵＶまたは
ＤＵＶという）、電子線（以後ＥＢという）、Ｘ線露光
を行い、ポストベイク（以後ＰＥＢという）を行う。
（電子線露光の場合は直接描画）こうして得られたフィ
ルムを現像液に浸し現像する。現像液にアルカリ水溶液
（好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液（以後ＴＭＡＨという））を用いたときには露光部
分が溶解したポジ像が、現像液に有機溶剤を用いた時に
は未露光部分が溶解したネガ像が得られる。
【００１５】以下実施例により本発明を説明する。 実施例１ １００ｍｌの耐圧ガラス反応管に蒸留したパラ−ｔｅｒ
ｔ−ブトキシカルボニルオキシエチルスチレン１０．０
ｇとｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド（３モルトル
エン溶液）０．１４ｍｌを加え混合し真空脱気した。次
いでドライアイス／アセトンで冷却し、この反応管に五
酸化二燐で乾燥した二酸化硫黄（−１０℃で）１０．５
ｍｌを真空ラインにて加え、よく混合した。この反応管
を−５０℃の低温恒温槽に入れ、２０時間反応させた。
該時間経過後、未反応の二酸化硫黄を除去した後反応管
を開封した。該管内に残った反応液に少量のアセトンを
加えて均一溶液とし、該均一溶液を多量のメタノール中
に攪拌下投入すると白色のポリマーが沈澱した。このポ
リマーをガラスフィルター上で集めメタノールで洗浄
し、２４時間減圧乾燥した。このようにして３．１ｇの
ポリマーを得た。このポリマーはＩＲスペクトル分析に
よりパラ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシエチル
スチレンスルホン共重合体であり、その元素分析よりこ
のポリマー組成はパラ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル
オキシエチルスチレン単位が４８モル％でスルホン単位
が５２モル％であり、ほぼ１：１の交互共重合体である
ことが判った。また、このポリマーの分子量はＧＰＣ分
析によるポリスチレン換算値で数平均分子量（Ｍｎ）＝
１５４，０００、分散度（ｄ）＝１．８であった。
ｔ−ブトキシカルボニルオキシエチルスチレン１０．０
ｇとｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド（３モルトル
エン溶液）０．１４ｍｌを加え混合し真空脱気した。次
いでドライアイス／アセトンで冷却し、この反応管に五
酸化二燐で乾燥した二酸化硫黄（−１０℃で）１０．５
ｍｌを真空ラインにて加え、よく混合した。この反応管
を−５０℃の低温恒温槽に入れ、２０時間反応させた。
該時間経過後、未反応の二酸化硫黄を除去した後反応管
を開封した。該管内に残った反応液に少量のアセトンを
加えて均一溶液とし、該均一溶液を多量のメタノール中
に攪拌下投入すると白色のポリマーが沈澱した。このポ
リマーをガラスフィルター上で集めメタノールで洗浄
し、２４時間減圧乾燥した。このようにして３．１ｇの
ポリマーを得た。このポリマーはＩＲスペクトル分析に
よりパラ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシエチル
スチレンスルホン共重合体であり、その元素分析よりこ
のポリマー組成はパラ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル
オキシエチルスチレン単位が４８モル％でスルホン単位
が５２モル％であり、ほぼ１：１の交互共重合体である
ことが判った。また、このポリマーの分子量はＧＰＣ分
析によるポリスチレン換算値で数平均分子量（Ｍｎ）＝
１５４，０００、分散度（ｄ）＝１．８であった。
【００１６】実施例２ １００ｍｌの耐圧ガラス反応管に蒸留したメタ−メチル
−パラ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン１１．４ｇとアゾ
ビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）２８ｍｇを加え混
合し真空脱気した。次いでドライアイス／アセトンで冷
却し、この反応管に五酸化二燐で乾燥した二酸化硫黄
（−１０℃で）５．４ｍｌを真空ラインにて加え、よく
混合した。この反応管を６０℃の恒温槽に入れ５時間反
応させた。該時間経過後、反応管を室温まで冷却し、未
反応の二酸化硫黄を除去した後反応管を開封した。該管
内に残った反応液に少量のアセトンを加えて均一溶液と
し、該均一溶液を多量のメタノール中に攪拌下投入する
と白色のポリマーが沈澱した。このポリマーをガラスフ
ィルター上で集めメタノールで洗浄し、２４時間減圧乾
燥した。このようにして４．８ｇのポリマーを得た。こ
のポリマーはＩＲスペクトル分析および元素分析よりメ
タ−メチル−パラ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンスルホ
ン（２：１）共重合体であり、またこのポリマーの分子
量はＧＰＣ分析によるポリスチレン換算値で数平均分子
量（Ｍｎ）＝２６７，０００、分散度（ｄ）＝１．４で
あった。
−パラ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン１１．４ｇとアゾ
ビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）２８ｍｇを加え混
合し真空脱気した。次いでドライアイス／アセトンで冷
却し、この反応管に五酸化二燐で乾燥した二酸化硫黄
（−１０℃で）５．４ｍｌを真空ラインにて加え、よく
混合した。この反応管を６０℃の恒温槽に入れ５時間反
応させた。該時間経過後、反応管を室温まで冷却し、未
反応の二酸化硫黄を除去した後反応管を開封した。該管
内に残った反応液に少量のアセトンを加えて均一溶液と
し、該均一溶液を多量のメタノール中に攪拌下投入する
と白色のポリマーが沈澱した。このポリマーをガラスフ
ィルター上で集めメタノールで洗浄し、２４時間減圧乾
燥した。このようにして４．８ｇのポリマーを得た。こ
のポリマーはＩＲスペクトル分析および元素分析よりメ
タ−メチル−パラ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンスルホ
ン（２：１）共重合体であり、またこのポリマーの分子
量はＧＰＣ分析によるポリスチレン換算値で数平均分子
量（Ｍｎ）＝２６７，０００、分散度（ｄ）＝１．４で
あった。
【００１７】実施例３ １００ｍｌの耐圧ガラス反応管に蒸留したメタ−トリメ
チルシリル−パラ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキ
シスチレン７．３ｇとパラ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシスチレン５．５ｇとｔｅｒｔ−ブチルヒドロ
ペルオキシド（３モルトルエン溶液）０．１６ｍｌを加
え混合し真空脱気した。次いでドライアイス／アセトン
で冷却し、この反応管に五酸化二燐で乾燥した二酸化硫
黄（−１０℃で）１１．０ｍｌを真空ラインにて加え、
よく混合した。この反応管を−６０℃の低温恒温槽に入
れ、８時間反応させた。該時間経過後、未反応の二酸化
硫黄を除去した後反応管を開封した。該管内に残った反
応液に少量のアセトンを加えて均一溶液とし、該均一溶
液を多量のメタノール中に攪拌下投入すると白色のポリ
マーが沈澱した。このポリマーをガラスフィルター上で
集めメタノールで洗浄し、２４時間減圧乾燥した。この
ようにして２．８ｇのポリマーを得た。このポリマーは
ＩＲスペクトル分析および元素分析よりメタ−トリメチ
ルシリル−パラ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ
スチレン・パラ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ
スチレン・スルホン三元共重合体であり、このポリマー
組成はメタ−トリメチルシリル−パラ−ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニルオキシスチレン単位が２３モル％、パラ
−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン単位が
２８モル％でスルホン単位が４９モル％であった。また
このポリマーの分子量はＧＰＣ分析によるポリスチレン
換算値で数平均分子量（Ｍｎ）＝１９４，０００、分散
度（ｄ）＝３．２であった。
チルシリル−パラ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキ
シスチレン７．３ｇとパラ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシスチレン５．５ｇとｔｅｒｔ−ブチルヒドロ
ペルオキシド（３モルトルエン溶液）０．１６ｍｌを加
え混合し真空脱気した。次いでドライアイス／アセトン
で冷却し、この反応管に五酸化二燐で乾燥した二酸化硫
黄（−１０℃で）１１．０ｍｌを真空ラインにて加え、
よく混合した。この反応管を−６０℃の低温恒温槽に入
れ、８時間反応させた。該時間経過後、未反応の二酸化
硫黄を除去した後反応管を開封した。該管内に残った反
応液に少量のアセトンを加えて均一溶液とし、該均一溶
液を多量のメタノール中に攪拌下投入すると白色のポリ
マーが沈澱した。このポリマーをガラスフィルター上で
集めメタノールで洗浄し、２４時間減圧乾燥した。この
ようにして２．８ｇのポリマーを得た。このポリマーは
ＩＲスペクトル分析および元素分析よりメタ−トリメチ
ルシリル−パラ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ
スチレン・パラ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ
スチレン・スルホン三元共重合体であり、このポリマー
組成はメタ−トリメチルシリル−パラ−ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニルオキシスチレン単位が２３モル％、パラ
−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン単位が
２８モル％でスルホン単位が４９モル％であった。また
このポリマーの分子量はＧＰＣ分析によるポリスチレン
換算値で数平均分子量（Ｍｎ）＝１９４，０００、分散
度（ｄ）＝３．２であった。
【００１８】実施例４ 実施例１で得られたポリマーをシクロヘキサノンに溶解
して１０．０％の溶液とし該溶液を０．２μｍのフィル
ターで濾過した。この溶液をシリコンウエハー上に回転
数３５００ｒｐｍで３０秒間スピン塗布し、ホットプレ
ート上１０５℃で２分間プリベイクした。プリベイク後
の膜厚は０．３μｍであった。このものに加速電圧２０
ｋｖで露光量を変化させ電子線照射を行い、次いでホッ
トプレート上１１０℃で３０秒間ベイクを行った。該ウ
エハーを１．５％のＴＭＡＨ中で３０秒間浸漬現像し蒸
留水で６０秒間リンスした。このようにして得られたそ
れぞれのパターンの残膜を触針段差計で測定し残膜が完
全に除去されている部分の露光量（分解感度）を求めた
所、２０μＣ／ｃｍ2 の値が得られた。また未露光部分
の膜減りは殆どなかった。
して１０．０％の溶液とし該溶液を０．２μｍのフィル
ターで濾過した。この溶液をシリコンウエハー上に回転
数３５００ｒｐｍで３０秒間スピン塗布し、ホットプレ
ート上１０５℃で２分間プリベイクした。プリベイク後
の膜厚は０．３μｍであった。このものに加速電圧２０
ｋｖで露光量を変化させ電子線照射を行い、次いでホッ
トプレート上１１０℃で３０秒間ベイクを行った。該ウ
エハーを１．５％のＴＭＡＨ中で３０秒間浸漬現像し蒸
留水で６０秒間リンスした。このようにして得られたそ
れぞれのパターンの残膜を触針段差計で測定し残膜が完
全に除去されている部分の露光量（分解感度）を求めた
所、２０μＣ／ｃｍ2 の値が得られた。また未露光部分
の膜減りは殆どなかった。
【００１９】実施例５ 実施例１で得られたポリマー１ｇと０．０５ｇのトリフ
ェニルスルホニウムトリフレートとを１０ｍｌのシクロ
ヘキサノンに溶解し該溶液を０．２μｍのテフロンフィ
ルターで濾過した。この溶液をシリコンウエハー上に回
転数２５００ｒｐｍで３０秒間スピン塗布し、ホットプ
レート上１０５℃で２分間プリベイクした。この時の膜
厚は０．５μｍであった。このものにマスクを通し、露
光量を変化させてＤｅｅｐＵＶ露光を行い（光源として
ウシオ製の５００Ｗ Ｘｅ−Ｈｇランプを，照明系はキ
ャノンＰＬＡ−５２０，コールドミラーＣＭ２５０を使
用）、次いでホットプレート上１１０℃で３０秒間ベイ
クを行った。該ウエハーを１．５％のＴＭＡＨ中で３０
秒間浸漬現像し蒸留水で６０秒間リンスした。このよう
にして得られたそれぞれのパターンを顕微鏡で観察しそ
の解像性から最適露光量（分解感度）と解像度を求めた
所、感度１０ｍＪ／ｃｍ2 ，解像度０．４μｍの値が得
られた。また未露光部分の膜減りは殆どなかった。
ェニルスルホニウムトリフレートとを１０ｍｌのシクロ
ヘキサノンに溶解し該溶液を０．２μｍのテフロンフィ
ルターで濾過した。この溶液をシリコンウエハー上に回
転数２５００ｒｐｍで３０秒間スピン塗布し、ホットプ
レート上１０５℃で２分間プリベイクした。この時の膜
厚は０．５μｍであった。このものにマスクを通し、露
光量を変化させてＤｅｅｐＵＶ露光を行い（光源として
ウシオ製の５００Ｗ Ｘｅ−Ｈｇランプを，照明系はキ
ャノンＰＬＡ−５２０，コールドミラーＣＭ２５０を使
用）、次いでホットプレート上１１０℃で３０秒間ベイ
クを行った。該ウエハーを１．５％のＴＭＡＨ中で３０
秒間浸漬現像し蒸留水で６０秒間リンスした。このよう
にして得られたそれぞれのパターンを顕微鏡で観察しそ
の解像性から最適露光量（分解感度）と解像度を求めた
所、感度１０ｍＪ／ｃｍ2 ，解像度０．４μｍの値が得
られた。また未露光部分の膜減りは殆どなかった。
【００２０】実施例６ 実施例５と同じレジスト溶液をシリコンウエハー上に回
転数１５００ｒｐｍで３０秒間スピン塗布し、ホットプ
レート上１０５℃で２分間プリベイクした。この時の膜
厚は０．９５μｍであった。このものに実施例５と同様
にＤｅｅｐＵＶ露光を行い、次いでホットプレート上１
１０℃で３０秒間ベイクを行った。該ウエハーをジクロ
ロメタン：シクロヘキサノン＝１：１の溶剤で６０秒間
浸漬現像しイソプロパノールで６０秒間リンスした。
（この場合、未露光部が現像液で溶解除去されネガ像を
与える）このようにして得られたそれぞれのパターンの
残膜を触針計で測定し残膜がほぼ一定値に飽和する点の
露光量（ネガ感度）を求めた所、２０ｍＪ／ｃｍ2 の値
が得られた。
転数１５００ｒｐｍで３０秒間スピン塗布し、ホットプ
レート上１０５℃で２分間プリベイクした。この時の膜
厚は０．９５μｍであった。このものに実施例５と同様
にＤｅｅｐＵＶ露光を行い、次いでホットプレート上１
１０℃で３０秒間ベイクを行った。該ウエハーをジクロ
ロメタン：シクロヘキサノン＝１：１の溶剤で６０秒間
浸漬現像しイソプロパノールで６０秒間リンスした。
（この場合、未露光部が現像液で溶解除去されネガ像を
与える）このようにして得られたそれぞれのパターンの
残膜を触針計で測定し残膜がほぼ一定値に飽和する点の
露光量（ネガ感度）を求めた所、２０ｍＪ／ｃｍ2 の値
が得られた。
【００２１】比較例１ 実施例２と同様の方法で、パラ−ｔｅｒｔ−ブトキシス
チレン１０．６ｇとＡＩＢＮ２６ｍｇと二酸化硫黄（−
１０℃で）５．４ｍｌとよりパラ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
スチレンスルホン（２：１）共重合体４．３ｇを得た。
このポリマーの分子量は数平均分子量（Ｍｎ）＝２４
３，０００、分散度（ｄ）＝１．５であった。次いで実
施例５と同様に、ここで得られたポリマー１ｇと０．０
５ｇのトリフェニルスルホニウムトリフレートとを１０
ｍｌのシクロヘキサノンに溶解しレジスト溶液を作成し
た。この溶液をヘキサメチルジシラザン（以後ＨＭＤＳ
という）処理したシリコンウエハー上に回転数２７００
ｒｐｍで３０秒間スピン塗布し、ホットプレート上で１
０５℃、２分間プリベイクし、膜厚０．８μｍのフィル
ムを得た。実施例５と同様にしてＤＵＶ露光を行い、１
１０℃で３０秒間ベイクを行った後、該ウエハーを１．
５％のＴＭＡＨ中で３０秒間浸漬現像し蒸留水で６０秒
間リンスした。この結果、感度はおよそ１０ｍＪ／ｃｍ
2 と良好であったが解像性は１．０μｍ以下のパターン
に剥離が生じ不良であった。また未露光部分の膜減りは
８％であった。
チレン１０．６ｇとＡＩＢＮ２６ｍｇと二酸化硫黄（−
１０℃で）５．４ｍｌとよりパラ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
スチレンスルホン（２：１）共重合体４．３ｇを得た。
このポリマーの分子量は数平均分子量（Ｍｎ）＝２４
３，０００、分散度（ｄ）＝１．５であった。次いで実
施例５と同様に、ここで得られたポリマー１ｇと０．０
５ｇのトリフェニルスルホニウムトリフレートとを１０
ｍｌのシクロヘキサノンに溶解しレジスト溶液を作成し
た。この溶液をヘキサメチルジシラザン（以後ＨＭＤＳ
という）処理したシリコンウエハー上に回転数２７００
ｒｐｍで３０秒間スピン塗布し、ホットプレート上で１
０５℃、２分間プリベイクし、膜厚０．８μｍのフィル
ムを得た。実施例５と同様にしてＤＵＶ露光を行い、１
１０℃で３０秒間ベイクを行った後、該ウエハーを１．
５％のＴＭＡＨ中で３０秒間浸漬現像し蒸留水で６０秒
間リンスした。この結果、感度はおよそ１０ｍＪ／ｃｍ
2 と良好であったが解像性は１．０μｍ以下のパターン
に剥離が生じ不良であった。また未露光部分の膜減りは
８％であった。
【００２２】比較例２ 実施例１と同様の方法で、パラーｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシスチレン１０．０ｇとｔｅｒｔ−ブチル
ヒドロペルオキシド（３モルトルエン溶液）０．１５ｍ
ｌと二酸化硫黄（−１０℃で）１２ｍｌとよりパラ−ｔ
ｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンスルホン
（１：１）交互共重合体２．７ｇを得た。このポリマー
の分子量は数平均分子量（Ｍｎ）＝２００，０００、分
散度（ｄ）＝２．５であった。実施例５と同様にここで
得られたポリマー１ｇと０．０５ｇのトリフェニルスル
ホニウムトリフレートとを１０ｍｌのシクロヘキサノン
に溶解しレジスト溶液を作成した。この溶液をＨＭＤＳ
処理したシリコンウエハー上に回転数１８００ｒｐｍで
３０秒間スピン塗布し、ホットプレート上１０５℃で２
分間プリベイクし膜厚０．８μｍのフィルムを得た。実
施例５と同様にＤＵＶ露光を行い、次いで１１０℃で３
０秒間ベイクを行った後、該ウエハーを１．５％のＴＭ
ＡＨ中で３０秒間浸漬現像し蒸留水で６０秒間リンスし
た。この結果、感度はおよそ１０ｍＪ／ｃｍ2 と良好で
あったが解像度は１．０μｍ以下のパターンに剥離が生
じ不良であった。また未露光部分の膜減りは１２％であ
った。
ルボニルオキシスチレン１０．０ｇとｔｅｒｔ−ブチル
ヒドロペルオキシド（３モルトルエン溶液）０．１５ｍ
ｌと二酸化硫黄（−１０℃で）１２ｍｌとよりパラ−ｔ
ｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンスルホン
（１：１）交互共重合体２．７ｇを得た。このポリマー
の分子量は数平均分子量（Ｍｎ）＝２００，０００、分
散度（ｄ）＝２．５であった。実施例５と同様にここで
得られたポリマー１ｇと０．０５ｇのトリフェニルスル
ホニウムトリフレートとを１０ｍｌのシクロヘキサノン
に溶解しレジスト溶液を作成した。この溶液をＨＭＤＳ
処理したシリコンウエハー上に回転数１８００ｒｐｍで
３０秒間スピン塗布し、ホットプレート上１０５℃で２
分間プリベイクし膜厚０．８μｍのフィルムを得た。実
施例５と同様にＤＵＶ露光を行い、次いで１１０℃で３
０秒間ベイクを行った後、該ウエハーを１．５％のＴＭ
ＡＨ中で３０秒間浸漬現像し蒸留水で６０秒間リンスし
た。この結果、感度はおよそ１０ｍＪ／ｃｍ2 と良好で
あったが解像度は１．０μｍ以下のパターンに剥離が生
じ不良であった。また未露光部分の膜減りは１２％であ
った。
図１は、本発明に係る二元共重合体の、図２は本発明に
係る三元共重合体の赤外線吸収スペクトル図である。
係る三元共重合体の赤外線吸収スペクトル図である。
【手続補正書】
【提出日】平成４年１２月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る二元共重合体の赤外線吸収スペ
クトル図である。
クトル図である。
【図２】 本発明に係る三元共重合体の赤外線吸収スペ
クトル図である。
クトル図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 １〜５０モル％の−ＳＯ2 −で示される
構造単位と５０〜９９モル％の下記（式１）で示される
核置換スチレン誘導体を構造単位とし、線状化合物であ
って数平均分子量が２，０００〜２，０００，０００で
下記（式３）の構造式を有する二酸化硫黄と核置換スチ
レン誘導体との二元共重合体。 【化１】 ここでＲ1 およびＲ2 はメタ位でＨ、炭素数１〜４のア
ルキル基若しくは［Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 ］y ＣＨ3 であ
り、ｙは１〜３の整数である。また、Ｒ1 とＲ2とは同
一であっても異ってもよい。Ｒ3 はパラ位で（ＣＨ2 ）
ｍ 、ｍ＝０またはｍ＝１〜３のアルキレン基を表わし、
ＸはＯＨ、タ−シャリ−ブトキシ基若しくはタ−シャリ
−ブトキシカルボニルオキシ基を表す。ただし、Ｒ1 お
よびＲ2 がＨでｍ＝０の場合を除く。 【化２】 ここで、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 およびＸの意味は（式１）の
場合と同様であり、ｐは１〜９９の任意の整数、ｎは１
０以上１０，０００以下の整数である。 - 【請求項２】 １〜５０モル％の−ＳＯ2 −で示される
構造単位と１５〜９８モル％の下記（式１）で示される
核置換スチレン誘導体ならびに１〜８４モル％の下記
（式２）で示される核置換スチレン誘導体を構造単位と
し、線状化合物であって数平均分子量が２，０００〜
２，０００，０００で下記（式４）の構造式を有する二
酸化硫黄と核置換スチレン誘導体との三元共重合体。 【化３】 ここでＲ1 およびＲ2 はメタ位でＨ、炭素数１〜４のア
ルキル基若しくは［Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 ］y ＣＨ3 であ
り、ｙは１〜３の整数である。また、Ｒ1 とＲ2とは同
一であっても異ってもよい。Ｒ3 はパラ位で（ＣＨ2 ）
ｍ 、ｍ＝０またはｍ＝１〜３のアルキレン基を表わし、
ＸはＯＨ、タ−シャリ−ブトキシ基若しくはタ−シャリ
−ブトキシカルボニルオキシ基を表す。ただし、Ｒ1 お
よびＲ2 がＨでｍ＝０の場合を除く。 【化４】 ここでＸはＯＨ、ターシャリーブトキシ基若しくはター
シャリーブトキシカルボニルオキシ基を表す。 【化５】 ここで、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 およびＸの意味は（式１）の
場合と同様であり、ｐおよびｑは１〜１０であり、さら
にｌ，ｍは共重合体のモル分率に相当し、ｌは１５〜９
９モル％、ｍは１〜８５モル％、（ｐ＋ｑ）は５０〜９
９モル％であって、それぞれの構造単位は共重合体中に
不規則に分布して共重合体主鎖を構成している。ｎは５
以上５，０００以下の整数である。 - 【請求項３】 請求項（１）若しくは（２）に記載の共
重合体を有効成分とするレジスト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3313629A JPH0721055B2 (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 二酸化硫黄と核置換スチレン誘導体との共重合体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3313629A JPH0721055B2 (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 二酸化硫黄と核置換スチレン誘導体との共重合体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05331289A true JPH05331289A (ja) | 1993-12-14 |
| JPH0721055B2 JPH0721055B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=18043624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3313629A Expired - Lifetime JPH0721055B2 (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 二酸化硫黄と核置換スチレン誘導体との共重合体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0721055B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0683056A (ja) * | 1991-12-12 | 1994-03-25 | American Teleph & Telegr Co <Att> | デバイスの製造方法 |
| EP1035436A1 (en) * | 1999-03-08 | 2000-09-13 | JSR Corporation | Resist pattern formation method |
| US6537736B1 (en) | 1999-03-12 | 2003-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Patten formation method |
| JP2010513650A (ja) * | 2006-12-20 | 2010-04-30 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | 反射防止膜組成物 |
-
1991
- 1991-10-31 JP JP3313629A patent/JPH0721055B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0683056A (ja) * | 1991-12-12 | 1994-03-25 | American Teleph & Telegr Co <Att> | デバイスの製造方法 |
| EP1035436A1 (en) * | 1999-03-08 | 2000-09-13 | JSR Corporation | Resist pattern formation method |
| US6537736B1 (en) | 1999-03-12 | 2003-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Patten formation method |
| JP2010513650A (ja) * | 2006-12-20 | 2010-04-30 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | 反射防止膜組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0721055B2 (ja) | 1995-03-08 |
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