JPH0533124A

JPH0533124A - Laser flash vapor-deposition device

Info

Publication number: JPH0533124A
Application number: JP18745091A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Iketaki; 慶記池滝
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1991-07-26
Filing date: 1991-07-26
Publication date: 1993-02-09

Abstract

PURPOSE:To provide a laser flash vapor-deposition device capable of forming a uniform film at a high speed and film thickness monitor optimum for the laser flash vapor-deposition and capable of easily and accurately controlling the film thickness. CONSTITUTION:A target material 4 and a vapor-deposition substrate 10 are arranged in a vacuum vessel 1, and the target material 4 is irradiated with a laser beam to vapor-deposit the material on the substrate 10. In this laser flash vapor-deposition device, the target 4, laser incident direction theta and the substrate 10 are set so that (theta/2)-30 deg.<=alpha<=(theta/2)+30 deg. is satisfied where theta is the incident angle of the laser beam to the normal to the target surface and alphais the angle between a line connecting the center of the substrate and the laser beam-irradiating point of the target and the normal to the target surface.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光を用いてター
ゲットを気化・蒸着せしめることにより、薄膜を形成す
る所謂、レーザフラッシュ蒸着装置並びにその蒸着プロ
セスを考慮した膜厚管理のための膜厚モニタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a so-called laser flash vapor deposition apparatus for forming a thin film by vaporizing and evaporating a target using laser light, and a film thickness for film thickness management in consideration of the vapor deposition process. Regarding monitors.

【０００２】[0002]

【従来の技術】電子素子，集積回路等をはじめとして広
範な工業製品に応用される薄膜は、真空蒸着法又は化学
的方法等により製作されるが、このうち真空中で蒸着物
質を蒸発せしめ、基板に付着させる方法には、例えば蒸
着物質を直接に抵抗加熱する方法がある。そしてその他
に、電子ビームやイオンビームによって蒸着物質の表面
を衝撃し、該蒸着物質を気化せしめる方法またはスパッ
タガスを封入して交流もしくは直流電界によって該スパ
ッタガスをグロー放電せしめ、これにより発生したイオ
ンまたは電子により蒸着物質を衝撃して気化せしめる方
法、そしてこのスパッタガスを封入して行う方法におい
て更に交流磁場を印加する方法がある。2. Description of the Related Art Thin films applied to a wide range of industrial products such as electronic devices and integrated circuits are produced by a vacuum vapor deposition method or a chemical method. Among them, a vapor deposition material is evaporated in a vacuum. As a method of adhering to the substrate, for example, there is a method of directly resistance heating the vapor deposition material. And, in addition, a method of bombarding the surface of the vapor deposition material with an electron beam or an ion beam to vaporize the vapor deposition material, or to enclose the sputter gas and glow discharge the sputter gas by an AC or DC electric field, and thereby generate ions Alternatively, there is a method of bombarding a vapor deposition material with electrons to vaporize it, and a method of enclosing this sputtering gas and further applying an alternating magnetic field.

【０００３】ところが、上記各薄膜形成とも、蒸着物質
の融点，誘電的性質及び磁性的性質等に制限があり、そ
こで最近、いわゆるレーザフラッシュ法が新しい蒸着方
法として注目されている。この方法は、真空中に置かれ
たターゲット上にレーザ光を照射し、該ターゲットを気
化させて蒸着を行うものであるが、かかるレーザフラッ
シュ法によれば、真空中でいかなる種類の固体物質も蒸
着することができ、そしてパルス的に蒸着を行う方法で
あるから、安定した成膜を行うことができる上に、スパ
ッタガス等の媒体が不必要であるため、極めて安定した
成膜プロセスを構成することができる。However, in forming each of the above thin films, there are limitations on the melting point, the dielectric properties, the magnetic properties, etc. of the vapor deposition material, so that the so-called laser flash method has recently attracted attention as a new vapor deposition method. This method irradiates a laser beam on a target placed in a vacuum and vaporizes the target to perform vapor deposition. According to the laser flash method, any kind of solid substance in a vacuum is removed. Since it is a method of vapor deposition and pulsed vapor deposition, stable film formation is possible, and since a medium such as sputtering gas is unnecessary, an extremely stable film formation process is configured. can do.

【０００４】ところで、上記レーザフラッシュ法に限ら
ず、一般にこの種蒸着方法においては、大きな面積の均
一な膜を高速で形成することが要求される。しかも、各
成膜方法に最適な膜厚管理が必要になる。しかしなが
ら、上記レーザフラッシュ法において、ターゲット上に
レーザ光を照射する際、レーザ光は極めて狭いスポット
径で集光されるため、これに対応してターゲット物質か
らの気化はターゲット表面の極めて狭い部分で発生す
る。このため、レーザフラッシュ法の場合、従来から行
われていた蒸着物質を直接に抵抗加熱する方法等に比べ
ると、蒸着物質が気化する際に角度依存性が高くならざ
るを得ない。従って、基板への蒸着量が最大となるよう
にターゲットに対するレーザ光の照射角度を決定して、
該基板に対する蒸着量が１回の蒸着につき一様と見做せ
る程度にまで、基板と蒸着源とを離して配置する必要が
ある。そしてかかる配置を誤ると蒸着量が極端に減少
し、成膜時間が著しく増大する結果になる。By the way, not only the laser flash method but also this kind of vapor deposition method is generally required to form a uniform film having a large area at a high speed. Moreover, it is necessary to control the film thickness optimally for each film forming method. However, in the above laser flash method, when irradiating a laser beam onto the target, the laser beam is condensed with an extremely narrow spot diameter. Accordingly, vaporization from the target material corresponds to an extremely narrow portion of the target surface. Occur. For this reason, in the case of the laser flash method, the angle dependence is inevitably increased when the vapor deposition material is vaporized, as compared with the conventional method of directly resistance heating the vapor deposition material. Therefore, the irradiation angle of the laser beam to the target is determined so that the deposition amount on the substrate is maximized,
It is necessary to dispose the substrate and the vapor deposition source apart from each other so that the amount of vapor deposition on the substrate can be considered to be uniform for one vapor deposition. If such an arrangement is incorrect, the vapor deposition amount will be extremely reduced, and the film formation time will be significantly increased.

【０００５】本発明はかかる実情に鑑み、成膜速度が速
く、且つ均一な膜を形成し得るレーザフラッシュ蒸着装
置を提供すると共に、レーザフラッシュ蒸着方法に最適
で簡易且つ正確に膜厚管理を行い得る膜厚モニタを提供
することを目的とする。In view of the above situation, the present invention provides a laser flash vapor deposition apparatus capable of forming a uniform film with a high film formation rate, and is suitable for a laser flash vapor deposition method to easily and accurately control the film thickness. It is an object of the present invention to provide an obtained film thickness monitor.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明によるレーザフラ
ッシュ蒸着装置では、ターゲット，レーザ入射方向及び
蒸着基板が以下の幾何学的関係を満足するようになって
いる。（θ／２）−３０°≦α≦（θ／２）＋３０° （１）ここに、θはターゲット表面の法線に対するレーザの入
射角、αは基板の中心点とターゲットのレーザ照射点と
を結ぶ線がターゲット表面の法線となす角。In the laser flash vapor deposition apparatus according to the present invention, the target, the laser incident direction, and the vapor deposition substrate satisfy the following geometrical relationship. (Θ / 2) −30 ° ≦ α ≦ (θ / 2) + 30 ° (1) where θ is the incident angle of the laser with respect to the normal to the target surface, and α is the center point of the substrate and the laser irradiation point of the target. The angle between the line connecting the lines and the normal to the target surface.

【０００７】また、本発明による膜厚モニタは、金属メ
ッシュのアノード、適当な金属から成るカソード、上記
アノード及び上記カソードから成るそれぞれの電極を終
端する抵抗及び上記両電極に電圧を印加する電源を備え
ている。Further, the film thickness monitor according to the present invention comprises a metal mesh anode, a cathode made of a suitable metal, a resistor for terminating each electrode composed of the anode and the cathode, and a power source for applying a voltage to both electrodes. I have it.

【０００８】[0008]

【作用】先ずここで、近年、固体表面へレーザ光を照射
したときに起きる基礎過程に関する研究が進んでいる
が、特にレーザ光照射によるターゲット物質からの放出
粒子の角度依存性に関して、例えば橋詰等の研究による
測定結果がある。即ち図１は、ＹＡＧレーザ２倍高調波
（５３２ｎｍ）をアルミニウムターゲット表面へ照射し
た時の放出粒子（アルミニウム粒子）の角度依存性を示
している。図中、▲印は、入射レーザビームとしてエネ
ルギ密度が１．３Ｊｃｍ^-2のパルスを、ターゲット表面
へ入射角０で（直入射）、１．３×１０⁵発だけ照射し
たときに放出されるアルミニウム粒子の放出方向につい
ての角度分布を示している。また、□印は、ターゲット
表面へ入射角４５°でレーザ光が入射した場合のアルミ
ニウム粒子の角度分布を示している。First, in recent years, research on the basic process that occurs when a solid surface is irradiated with laser light is progressing. Especially, regarding the angle dependence of particles emitted from a target material by laser light irradiation, for example, Hashizume etc. There are measurement results from the study. That is, FIG. 1 shows the angle dependence of the emitted particles (aluminum particles) when the YAG laser double harmonic (532 nm) is applied to the aluminum target surface. In the figure, the ▴ mark is emitted when a pulse having an energy density of 1.3 Jcm ⁻² as an incident laser beam is irradiated onto the target surface at an incident angle of 0 (direct incidence) and 1.3 × 10 ⁵ shots. The angle distribution about the emission direction of aluminum particles is shown. The □ mark indicates the angular distribution of aluminum particles when laser light is incident on the target surface at an incident angle of 45 °.

【０００９】図１から明らかなように、レーザ光がター
ゲット表面に対して直入射する場合、該ターゲットから
の放出粒子の角度依存性は、ターゲット表面垂直方向に
対して±３０°の方向に強い指向性を有し、そしてこの
方向に放出粒子量の極大値が存在する。また、ターゲッ
ト表面に対して４５°の角度で入射する場合の該ターゲ
ットからの放出粒子の角度依存性は、このときの入射角
４５°のほぼ１／２程度の角度の方向に強い指向性を有
する。従って、本発明によれば上記のように、ターゲッ
ト、レーザ入射方向及び蒸着基板を、上記（１）式で表
される幾何学的条件を満足するように配置することによ
り、蒸着基板の位置を最適化して蒸着源から最も効率よ
く蒸着物質を放出させ且つ基板に蒸着させるようにする
ことができる。As is apparent from FIG. 1, when the laser light is directly incident on the target surface, the angle dependence of the particles emitted from the target is strong in the direction of ± 30 ° with respect to the vertical direction of the target surface. It is directional, and there is a maximum in the amount of emitted particles in this direction. Further, the angle dependence of the particles emitted from the target when it is incident on the target surface at an angle of 45 ° has a strong directivity in the direction of an angle of about ½ of the incident angle of 45 °. Have. Therefore, according to the present invention, as described above, by arranging the target, the laser incident direction, and the vapor deposition substrate so as to satisfy the geometric condition represented by the above formula (1), the position of the vapor deposition substrate can be changed. It can be optimized so that the deposition material is most efficiently released from the deposition source and deposited on the substrate.

【００１０】ところで、かかる本発明によるレーザフラ
ッシュ蒸着装置の機能を充分に発揮させるためには、こ
の種蒸着方法固有のプロセスを考慮した膜厚管理が必要
である。一方、レーザフラッシュ蒸着法と基本的には同
様の構成の装置を利用して、真空中に置かれたターゲッ
トに対してレーザ光を照射して該ターゲットを気化せし
め、その過程でＸ線を発生させる技術が進んでいる。そ
してこのような技術のうち、Ｘ線の強度モニタ用として
利用されているＸ線ダイオード（ＸＲＤ）はその原理
上、Ｘ線のみならずターゲット物質からの放出粒子のモ
ニタ用としても利用することができる。By the way, in order to fully exhibit the function of the laser flash vapor deposition apparatus according to the present invention, it is necessary to control the film thickness in consideration of the process peculiar to this type of vapor deposition method. On the other hand, using a device basically similar in structure to the laser flash vapor deposition method, a target placed in a vacuum is irradiated with laser light to vaporize the target, and X-rays are generated in the process. The technology to make it is advanced. Among these techniques, the X-ray diode (XRD) used for monitoring the intensity of X-rays can be used not only for monitoring X-rays but also for monitoring particles emitted from a target substance in principle. it can.

【００１１】本発明による膜厚モニタによれば、ＸＲＤ
の作動原理を示している図２において、Ｘ線がカソード
に入射するとその量子効率に応じて光電子が発生する。
そしてこの時の抵抗を流れるパルス状の電流の電荷量を
モニタすることにより、Ｘ線の光量を検知することがで
きる。一方、ある粒子（蒸着物質）が上記カソードに入
射した場合には、上記Ｘ線の場合と同様にしてカソード
表面における衝突によって、入射粒子量に応じて二次電
子が発生する。なお、この場合、粒子一個当たりで発生
する二次電子の数は、該粒子の運動エネルギ、その粒子
を構成する分子もしくは原子の構造及びカソードの形成
材料により決定される。そして、かかる二次電子放出に
よって形成される電流の信号は、Ｘ線や電子に対して数
μｓｅｃ程度遅れるため、従って両者を必要且つ充分に
分離することができ、これにより分離された信号をモニ
タ信号として有効に利用することができる。According to the film thickness monitor of the present invention, the XRD
2, which shows the operating principle of the above, when X-rays enter the cathode, photoelectrons are generated according to the quantum efficiency.
Then, the light quantity of the X-ray can be detected by monitoring the charge quantity of the pulsed current flowing through the resistor at this time. On the other hand, when a certain particle (vapor deposition material) is incident on the cathode, secondary electrons are generated according to the amount of the incident particle due to collision on the cathode surface as in the case of the X-ray. In this case, the number of secondary electrons generated per particle is determined by the kinetic energy of the particle, the structure of molecules or atoms constituting the particle, and the material forming the cathode. Since the signal of the current formed by such secondary electron emission is delayed by several μsec with respect to the X-rays and electrons, it is possible to separate the two necessary and sufficient, and thus the separated signal is monitored. It can be effectively used as a signal.

【００１２】[0012]

【実施例】以下、図３及び図４に基づき本発明によるレ
ーザフラッシュ蒸着装置並びに膜厚モニタの一実施例を
説明する。図３は本発明によるレーザフラッシュ蒸着装
置の概略構成を示しているが、図において、１は真空容
器、２は真空容器１に設けられた光学窓、３は上記真空
容器１内に配置されたＸＲＤ、４はジョイント５を介し
て回転駆動用モータ６と連結されているアルミニウム材
料で形成されたターゲットで、上記真空容器１内におい
て回転する（矢印Ａ）ようになっている。また、７はパ
ルス状のレーザ光を照射し得るＹＡＧレーザ、８はＹＡ
Ｇレーザ７が形成する光路上に光軸７ａ方向に移動可能
（矢印Ｂ）に配置された集光レンズ、９はその回転中心
が上記ターゲット４の中心位置と一致するように上記真
空容器１内に設置されていて該真空容器１の外部から回
転駆動される（矢印Ｃ）ようになっている回転テーブ
ル、１０はホルダー１１を介して上記回転テーブル９上
に取り付けられた基板である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the laser flash vapor deposition apparatus and film thickness monitor according to the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 3 shows a schematic structure of a laser flash vapor deposition apparatus according to the present invention. In the figure, 1 is a vacuum container, 2 is an optical window provided in the vacuum container 1, and 3 is arranged in the vacuum container 1. XRD, 4 are targets made of an aluminum material, which are connected to a rotation driving motor 6 via a joint 5, and are designed to rotate in the vacuum container 1 (arrow A). Further, 7 is a YAG laser capable of irradiating a pulsed laser beam, 8 is YA
A condenser lens disposed on the optical path formed by the G laser 7 so as to be movable (arrow B) in the optical axis 7a direction, and 9 is inside the vacuum container 1 so that its rotation center coincides with the center position of the target 4. The rotary table 10, which is installed on the rotary table 9 and is driven to rotate from the outside of the vacuum container 1 (arrow C), is a substrate mounted on the rotary table 9 via a holder 11.

【００１３】上記ＸＲＤ３は図４に示されるＸＲＤ計測
システムを構成するが、この図４中、１２はアルミニウ
ム材料で成るカソード、１３はニッケルメッシュで成る
アノード、１４は可変電源、１５は変圧器、１６は５０
Ω程度の抵抗器、１７は電荷検出器（ＡＤＣ）である。
なお、上記アノード１３に対して可変電源１４により３
００Ｖ程度の電圧が印加されるようになっている（図２
参照）。The XRD 3 constitutes the XRD measurement system shown in FIG. 4. In FIG. 4, 12 is a cathode made of an aluminum material, 13 is an anode made of nickel mesh, 14 is a variable power source, 15 is a transformer, 16 is 50
A resistor of about Ω, 17 is a charge detector (ADC).
It should be noted that the anode 13 is controlled by the variable power source 14
A voltage of about 00V is applied (Fig. 2
reference).

【００１４】本発明によるレーザフラッシュ蒸着装置並
びに膜厚モニタは、上記のように構成されており、次の
その作用を説明する。ＹＡＧレーザ７から発せられたレ
ーザ光は、集光レンズ８及び光学窓２を通過し、ターゲ
ット４に照射せしめられるが、この場合、上記集光レン
ズ８を光軸７ａに沿って適宜移動させるこにより、ター
ゲット４表面上に集光するようにフォーカシングが行わ
れる。The laser flash vapor deposition apparatus and the film thickness monitor according to the present invention are constructed as described above, and the operation thereof will be described below. The laser light emitted from the YAG laser 7 passes through the condenser lens 8 and the optical window 2 and is irradiated onto the target 4. In this case, the condenser lens 8 should be moved appropriately along the optical axis 7a. Thereby, focusing is performed so that the light is focused on the surface of the target 4.

【００１５】ターゲット４に対するレーザ光の照射によ
り該ターゲット４からアルミニウム粒子が放出される
が、放出粒子は前述したように角度依存性を有してい
る。本発明によれば前述した通り、ターゲット４、レー
ザ光の入射方向及び基板１０を、前記（１）式で表され
る幾何学的条件を満足するように配置することにより、
上記基板１０の位置を最適化して蒸着源であるターゲッ
ト４から最も効率よく蒸着物質を放出させ且つ蒸着させ
るようにすることができる。そこで本実施例では、図３
に示すようにターゲット４に対するレーザ光の入射角度
がθ＝４５°となるようにターゲット４をセットし、さ
らに、回転テーブル９を適宜回動することにより、上記
基板１０を、θ＝４５°の場合に上記（１）式の幾何学
的条件を満足する位置へ持ち来す。なお、図３では、上
記（１）式におけるαがほぼ０になっている状態が示さ
れている。このように基板４の位置を最適化することに
より、ターゲット４から放出されるアルミニウム粒子を
高い効率で基板４上に蒸着させることでき、蒸着速度を
極めて高めることができる。Aluminum particles are emitted from the target 4 by irradiating the target 4 with a laser beam, and the emitted particles have an angle dependency as described above. According to the present invention, as described above, by arranging the target 4, the incident direction of the laser light, and the substrate 10 so as to satisfy the geometric condition represented by the formula (1),
The position of the substrate 10 may be optimized so that the deposition material is most efficiently released and deposited from the target 4 which is the deposition source. Therefore, in this embodiment, as shown in FIG.
, The target 4 is set so that the incident angle of the laser light on the target 4 is θ = 45 °, and the rotary table 9 is appropriately rotated to move the substrate 10 to θ = 45 °. In this case, it is brought to a position that satisfies the geometric condition of the above formula (1). Note that FIG. 3 shows a state in which α in the above formula (1) is substantially zero. By optimizing the position of the substrate 4 in this way, aluminum particles emitted from the target 4 can be deposited on the substrate 4 with high efficiency, and the deposition rate can be extremely increased.

【００１６】このように、ターゲット４から放出される
アルミニウム粒子は極めて高い蒸着速度で基板４に蒸着
され、成膜プロセスが進行するが、一方、上記ＸＲＤ３
により構成されるＸＲＤ計測システムにおいて、カソー
ド１２に対して放出されたアルミニウム粒子が衝突する
際の二次電子放出電流が形成される。そしてアノード１
２からの出力信号は、５０オーム程度の内部インピーダ
ンスを有する上記電荷検出器１７によって検出され、こ
れにより基板４における蒸着量をモニタすることができ
る。As described above, the aluminum particles emitted from the target 4 are vapor-deposited on the substrate 4 at an extremely high vapor deposition rate and the film forming process proceeds. On the other hand, the XRD3
In the XRD measurement system configured by, a secondary electron emission current is formed when the emitted aluminum particles collide with the cathode 12. And anode 1
The output signal from 2 is detected by the charge detector 17 having an internal impedance of about 50 ohms, whereby the deposition amount on the substrate 4 can be monitored.

【００１７】かかる膜厚モニタによれば、従来の水晶振
動子を用いた方式と比べて、真空容器１の真空度等の環
境条件に全く左右されず、極めて高い応答速度でしかも
正確な膜厚のモニタを行うことができる。また、光学的
なエリプソメータ等を利用する方式のものと比べた場合
には、その構成が極めて簡単で済み、小型のこの種検出
器を実現することができる。そして本発明にかかるモニ
タ方式は、レーザパルスと同期して、１回１回のリアル
タイムによるモニタを行い得るので極めて便利である。
さらに、上記ＸＲＤ３は、蒸着物質が放出する際に発光
されるＸ線をモニタすることもできるため、レーザのエ
ネルギ変動やレーザビームの変動をも検知することがで
きる。According to such a film thickness monitor, as compared with the conventional method using a crystal oscillator, the film thickness is extremely independent of environmental conditions such as the degree of vacuum of the vacuum container 1 and the film thickness is extremely high and the film thickness is accurate. Can be monitored. Further, as compared with a system using an optical ellipsometer or the like, the configuration is extremely simple, and a small-sized detector of this type can be realized. The monitoring method according to the present invention is extremely convenient because it can perform real-time monitoring once in synchronization with the laser pulse.
Furthermore, since the XRD 3 can also monitor X-rays emitted when the vapor deposition material is emitted, it is possible to detect energy fluctuations of the laser and fluctuations of the laser beam.

【００１８】上記実施例において、アノード１２は、長
時間の成膜プロセスの場合に蒸着物質が付着し、そのた
めに量子効率が変化してしまうことがあるが、そのよう
な量子効率の変化に基づくモニタ精度の変動をなくする
ために、簡単に交換し得る構造になっている。また、上
記ＸＲＤ３は、レーザフラッシュ法のみならず、従来の
蒸着法において、小型で簡便な検出器として適用するこ
とができる。In the above-described embodiment, the anode 12 may have a change in quantum efficiency due to the deposition of a deposition material during a long-time film forming process. It has a structure that can be easily replaced in order to eliminate fluctuations in monitor accuracy. Further, the XRD 3 can be applied as a small and simple detector not only in the laser flash method but also in the conventional vapor deposition method.

【００１９】[0019]

【発明の効果】上述したように本発明によれば、成膜速
度が極めて高く、しかも均一な膜を形成することができ
るこの種レーザフラッシュ蒸着装置を実現することがで
きる。さらに、レーザフラッシュ蒸着法固有の成膜プロ
セスを考慮した簡易である上に高いモニタ精度を有する
膜厚モニタを実現することができる。As described above, according to the present invention, it is possible to realize a laser flash vapor deposition apparatus of this kind which has an extremely high film formation rate and can form a uniform film. Furthermore, it is possible to realize a film thickness monitor that is simple and has high monitoring accuracy in consideration of the film forming process specific to the laser flash vapor deposition method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明によるレーザフラッシュ蒸着装置におい
てＹＡＧレーザをアルミニウムターゲット表面へ照射し
た時の放出粒子の角度依存性を示すグラフである。FIG. 1 is a graph showing the angle dependence of emission particles when a YAG laser is irradiated onto an aluminum target surface in a laser flash vapor deposition apparatus according to the present invention.

【図２】本発明によるレーザフラッシュ蒸着装置に使用
される膜厚モニタを構成するＸＲＤの作動原理を示す図
である。FIG. 2 is a diagram showing an operating principle of an XRD constituting a film thickness monitor used in a laser flash vapor deposition apparatus according to the present invention.

【図３】本発明によるレーザフラッシュ蒸着装置の一実
施例による概略構成図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of an embodiment of a laser flash vapor deposition device according to the present invention.

【図４】本発明による膜厚モニタの一実施例による構成
例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration example according to an embodiment of a film thickness monitor according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１真空容器２光学窓３ＸＲＤ４ターゲット５ジョイント６回転駆動用モータ７ＹＡＧレーザ８集光レンズ９回転テーブル１０基板１１ホルダー１２カソード１３アノード１４可変電源１５変圧器１６抵抗器１７電荷検出器 1 vacuum container 2 optical window 3 XRD 4 targets 5 joints 6 Rotation drive motor 7 YAG laser 8 Condensing lens 9 rotating table 10 substrates 11 holder 12 cathode 13 Anode 14 Variable power supply 15 transformer 16 resistors 17 Charge detector

Claims

【特許請求の範囲】[Claims]

【請求項１】真空容器内にターゲット物質および蒸着
基板を配置し、ターゲット物質にレーザ光を照射するこ
とにより基板上に物質を蒸着するようにしたレーザフラ
ッシュ蒸着装置において、ターゲット，レーザ入射方向および蒸着基板を以下の幾
何学的関係を満足するように配置したことを特徴とする
レーザフラッシュ蒸着装置。（θ／２）−３０°≦α≦（θ／２）＋３０° ここに、θはターゲット表面の法線に対するレーザの入
射角、αは基板の中心点とターゲットのレーザ照射点と
を結ぶ線がターゲット表面の法線となす角。1. A laser flash vapor deposition apparatus in which a target material and a vapor deposition substrate are placed in a vacuum container and the target material is irradiated with laser light to vapor deposit the material on the substrate. A laser flash vapor deposition apparatus in which vapor deposition substrates are arranged so as to satisfy the following geometrical relationship. (Θ / 2) −30 ° ≦ α ≦ (θ / 2) + 30 ° where θ is the incident angle of the laser with respect to the normal to the target surface, and α is the line connecting the center point of the substrate and the laser irradiation point of the target. Is the angle formed by the normal to the target surface.

【請求項２】金属メッシュのアノード、適当な金属か
ら成るカソード、上記アノード及び上記カソードから成
るそれぞれの電極を終端する抵抗及び上記両電極に電圧
を印加する電源を備えた膜厚モニタ。2. A film thickness monitor comprising a metal mesh anode, a cathode made of a suitable metal, a resistor terminating each electrode consisting of the anode and the cathode, and a power supply for applying a voltage to both electrodes.