JPH05326425A - Vapor growth apparatus - Google Patents
Vapor growth apparatusInfo
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- JPH05326425A JPH05326425A JP4169831A JP16983192A JPH05326425A JP H05326425 A JPH05326425 A JP H05326425A JP 4169831 A JP4169831 A JP 4169831A JP 16983192 A JP16983192 A JP 16983192A JP H05326425 A JPH05326425 A JP H05326425A
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- channel
- susceptor
- substrate
- reactor
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は気相成長装置に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a vapor phase growth apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】たとえばＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を基
板の表面にエピタキシャル成長させるのに、有機金属化
合物を用いる気相成長法が注目されている。これは有機
金属を水素等のキャリアガスでバブリングしてガス状と
し、これを水素化合物とともにリアクタに投入すること
によって行なわれる。これらの混合ガスは加熱された基
板の表面に達すると、熱分解して、基板上で化合物結晶
がエピタキシャル成長する。2. Description of the Related Art A vapor phase growth method using an organometallic compound has been attracting attention, for example, for epitaxially growing a III-V group compound semiconductor on the surface of a substrate. This is carried out by bubbling an organic metal with a carrier gas such as hydrogen into a gaseous state, and introducing this into a reactor together with a hydrogen compound. When these mixed gases reach the surface of the heated substrate, they are thermally decomposed, and compound crystals are epitaxially grown on the substrate.
【０００３】図６はこの種気相成長装置の従来構成を示
し、１はリアクタ、２は原料となるガスが導入される導
入口、３はリアクタ１の内部をパージするためのガスが
導入される導入口、４はエピタキシャル成長が行なわれ
る基板、５は基板４を保持するカーボン製のサセプタ、
６はサセプタ５を搬送する搬送機構、７はサセプタ５を
加熱するための高周波コイルである。FIG. 6 shows the conventional structure of this seed vapor phase growth apparatus. 1 is a reactor, 2 is an inlet for introducing a raw material gas, and 3 is a gas for purging the inside of the reactor 1. An inlet 4, a substrate on which epitaxial growth is carried out, 5 a carbon susceptor for holding the substrate 4,
6 is a transfer mechanism for transferring the susceptor 5, and 7 is a high-frequency coil for heating the susceptor 5.
【０００４】基板４はサセプタ５の上に保持された状態
で、気密性とされたリアクタ１の内部に導入される。そ
して基板４は、高周波コイル７によって加熱されるサセ
プタ５とともに昇温される。また導入口２から導入され
たガスは、フローチャンネル８により充分に流れを整え
て基板４の表面に到達する。このガスが熱により分解し
て、基板４の上にエピタキシャル結晶が成長する。The substrate 4 held on the susceptor 5 is introduced into the airtight reactor 1. Then, the substrate 4 is heated with the susceptor 5 heated by the high frequency coil 7. Further, the gas introduced from the inlet 2 reaches the surface of the substrate 4 with its flow being sufficiently adjusted by the flow channel 8. This gas is decomposed by heat, and an epitaxial crystal grows on the substrate 4.
【０００５】ところでこの種装置では、図にも示してあ
るように、フローチャンネル８を基板４の直上まで延長
して配置する必要がある。そのため加熱されたサセプタ
５の輻射熱によりフローチャンネル８が温められ、熱分
解したガスの汚れが付着することがある。このように付
着したゴミが基板４の表面に落下するようなことがある
と、成長膜に不純物となって混入し、そのため膜特性が
変化してしまうなどの問題が発生する。By the way, in this type of device, as shown in the figure, the flow channel 8 needs to be arranged so as to extend right above the substrate 4. Therefore, the radiant heat of the heated susceptor 5 warms the flow channel 8, and dirt of the thermally decomposed gas may adhere. If the adhered dust drops on the surface of the substrate 4 as described above, it may be mixed as an impurity in the growth film, which causes a problem that the film characteristics are changed.
【０００６】これを防止するためにこのようなゴミを除
去する必要があり、従来では定期的にリアクタ１の内部
を大気開放してフローチャンネル８を取り出し、洗浄す
るようにしてた。しかしこのような方法ではリアクタ１
の内部が汚染されたり、毒性のガスが大気中に放散され
るなどの問題があった。In order to prevent this, it is necessary to remove such dust, and conventionally, the inside of the reactor 1 was periodically opened to the atmosphere and the flow channel 8 was taken out and washed. However, in such a method, the reactor 1
There were problems such as the inside of the plant being polluted and toxic gas being emitted into the atmosphere.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、フローチャ
ンネルに付着したゴミを、リアクタを開放することなく
除去することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to remove dust attached to a flow channel without opening the reactor.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、フローチャン
ネルを、リアクタに固定された固定チャンネルと、この
固定チャンネル部の先端に着脱自在に取り付けられた補
助チャンネルとによって構成し、この補助チャンネル
を、外部からの操作により、サセプタと、このサセプタ
上に基板を搬送するのに使用する搬送機構によって、固
定チャンネルに着脱するようにしたことを特徴とする。According to the present invention, a flow channel is constituted by a fixed channel fixed to a reactor and an auxiliary channel detachably attached to the tip of the fixed channel portion. It is characterized in that the susceptor and the transfer mechanism used to transfer the substrate onto the susceptor can be attached to and detached from the fixed channel by an external operation.
【０００９】[0009]
【作用】フローチャンネルはその上方は基板から離れた
位置にあるため、ガス分解によつて汚染されることは極
めて少ない。そのためフローチャンネルを二分割し、そ
の一方の固定チャンネルに対して、その先端にある補助
チャンネルを着脱自在として、これを交換することによ
って熱分解によるガスの汚れに基づく問題を解消するこ
とができる。The flow channel is located above the substrate and is far away from the substrate, so that it is rarely contaminated by gas decomposition. Therefore, the flow channel is divided into two, and the auxiliary channel at the tip of the flow channel is detachably attached to one of the fixed channels, and by exchanging the auxiliary channel, it is possible to solve the problem caused by gas contamination due to thermal decomposition.
【００１０】補助チャンネルの固定チャンネルに対する
着脱は、サセプタと、このサセプタ上に基板を搬送する
のに使用する搬送機構によって行なう。基板は、サセプ
タおよび搬送機構によって、リアクタの内部を開放する
ことなく、リアクタの内部に搬送および搬出されるよう
に構成されているのが普通である。したがってこのサセ
プタおよび搬送機構を利用すれば、リアクタの内部を開
放することなく、補助チャンネルを固定チャンネルに対
して着脱することができる。The auxiliary channel is attached to and detached from the fixed channel by a susceptor and a transfer mechanism used to transfer a substrate onto the susceptor. The substrate is usually configured to be transferred into and out of the reactor by the susceptor and the transfer mechanism without opening the inside of the reactor. Therefore, by using this susceptor and the transfer mechanism, the auxiliary channel can be attached to and detached from the fixed channel without opening the inside of the reactor.
【００１１】[0011]
【実施例】本発明の実施例を図１以降の各図によって説
明する。なお図６と同じ符号を付した部分は、同一また
は対応する部分を示す。本発明にしたがい、フローチャ
ンネル８として、リアクタ１の上端が固定されている固
定チャンネル９と、この固定チャンネル９の先端に着脱
自在に取り付けられる補助チャンネル１０とによって構
成する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In addition, the part given the same code as FIG. 6 shows the same or corresponding part. According to the present invention, the flow channel 8 is composed of a fixed channel 9 to which the upper end of the reactor 1 is fixed, and an auxiliary channel 10 detachably attached to the tip of the fixed channel 9.
【００１２】図の例は補助チャンネル１０として、固定
チャンネル９に対して下方から押し上げられ、続いて回
動することによって固定チャンネル９に取り付けられる
構成を示す。その具体例を図２によって説明すると、固
定チャンネル９の先端にＬ字状に屈曲した屈曲部１１を
形成し、またその周縁の数個所に切欠部１２を設けてお
く。また補助チャンネル１０の上端内面に、切欠部１２
を通過し得る幅の鍵部１３を数個所に設けておく。The example shown in the drawing shows a structure in which the auxiliary channel 10 is attached to the fixed channel 9 by being pushed up from below against the fixed channel 9 and then rotated. A concrete example thereof will be described with reference to FIG. 2. A bent portion 11 bent into an L shape is formed at the tip of the fixed channel 9, and notches 12 are provided at several positions on the periphery thereof. Further, the notch 12 is formed on the inner surface of the upper end of the auxiliary channel 10.
A plurality of key portions 13 having a width that can pass through are provided.
【００１３】補助チャンネル１０を取り付ける場合は、
外部からの操作により、これを下方より押し上げて、ま
ず鍵部１３を切欠部１２内に通過させ、更に屈曲部１１
の上方にまで押し上げる。そのあと補助チャンネル１０
を左右いずれかの方向に回動させると、図１に示すよう
に鍵部１３が屈曲部１１に係合し、固定チャンネル９に
取り付けられるようになる。取り付けられている補助チ
ャンネル１０を取り外すには、逆の操作を旋せばよい。When mounting the auxiliary channel 10,
It is pushed up from below by an operation from the outside to first allow the key portion 13 to pass through the notch portion 12, and then the bent portion 11
Push up above. Then auxiliary channel 10
When is rotated in either the left or right direction, the key portion 13 engages with the bent portion 11 and is attached to the fixed channel 9 as shown in FIG. To remove the attached auxiliary channel 10, the reverse operation may be performed.
【００１４】次に補助チャンネル１０をリアクタ１内に
搬送する操作を図３〜図５を参照して説明する。この搬
送は、基板４をリアクタ４内に搬送出するのに使用する
搬送機構を利用する。リアクタ１の下方に搬送機構６が
出入りする準備室１５が、またこの準備室１５にはゲー
トバルブ１６を介して予備室１７が連結されている。Next, the operation of transporting the auxiliary channel 10 into the reactor 1 will be described with reference to FIGS. This transfer utilizes a transfer mechanism used to transfer the substrate 4 into the reactor 4. A preparatory chamber 15 through which the transport mechanism 6 moves in and out of the reactor 1 is connected to the preparatory chamber 17 via a gate valve 16.
【００１５】最初にゲートバルブ１６を閉じておいて、
予備室１７内で基板搬送用の搬送器具１８の先端のフォ
ーク１９の上に、搬送治具２０を載せ、その上に補助チ
ャンネル１０を載せる。この状態を示したのが図３であ
る。そして予備室１７を真空排気し、不活性ガスで置換
する。First, with the gate valve 16 closed,
In the preliminary chamber 17, the transfer jig 20 is placed on the fork 19 at the tip of the transfer instrument 18 for transferring the substrate, and the auxiliary channel 10 is placed thereon. This state is shown in FIG. Then, the preliminary chamber 17 is evacuated and replaced with an inert gas.
【００１６】一方準備室１５内において、搬送機構６に
よりサセプタ５を下降させておき、ここでゲートバルブ
１６を開き、搬送機構１８を準備室１５内に挿入する。
そしてフォーク１９をサセプタ５の直上まで搬送する。
この状態を示したのが図４である。On the other hand, in the preparation chamber 15, the susceptor 5 is lowered by the transfer mechanism 6, the gate valve 16 is opened here, and the transfer mechanism 18 is inserted into the preparation chamber 15.
Then, the fork 19 is conveyed to just above the susceptor 5.
This state is shown in FIG.
【００１７】このあと搬送機構６を上昇させ、補助チャ
ンネル１０をリアクタ１内に搬送する。そして前記した
ように鍵部１３が切欠部１２を通過して屈曲部１１の上
方にまで押し上げる。この状態を示したのが図５であ
る。After that, the transfer mechanism 6 is raised to transfer the auxiliary channel 10 into the reactor 1. Then, as described above, the key portion 13 passes through the cutout portion 12 and is pushed up to above the bent portion 11. This state is shown in FIG.
【００１８】このあと、搬送機構６を回動させてから下
降させる。これにより鍵部１３と屈曲部１１とを係合さ
せる。更に続く搬送機構６の下降により、サセプタ５の
上には搬送治具２０のみが残った状態で当初の位置に復
帰する。搬送機構１８を予備室１７まで戻すことによっ
て補助チャンネル１０の取付けが完了する。既に取り付
けられている補助チャンネル１０の取外しには、逆の手
順で行なえばよい。After that, the transport mechanism 6 is rotated and then lowered. Thereby, the key portion 13 and the bent portion 11 are engaged with each other. When the transport mechanism 6 further descends, the transport jig 6 returns to the initial position with only the transport jig 20 remaining on the susceptor 5. The attachment of the auxiliary channel 10 is completed by returning the transport mechanism 18 to the preliminary chamber 17. To remove the auxiliary channel 10 that has already been attached, the reverse procedure may be performed.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、熱
分解したガスの汚れが付着したフローチャンネルの交
換、洗浄にあたり、従来のようにリアクタを大気開放す
る必要はなくなり、しかもフローチャンネルを固定チャ
ンネルと補助チャンネルとに分割し、補助チャンネルを
固定チャンネルに対して着脱自在としたので、補助チャ
ンネルのみを外部操作により着脱すればよいことによ
り、その着脱を容易に行なうことができる効果を奏す
る。As described above in detail, according to the present invention, it is not necessary to open the reactor to the atmosphere as in the conventional case when replacing or cleaning the flow channel having the contaminants of the thermally decomposed gas, and the flow channel is not required. Since the auxiliary channel is divided into a fixed channel and an auxiliary channel, and the auxiliary channel can be attached to and detached from the fixed channel, only the auxiliary channel needs to be attached and detached by an external operation, which facilitates the attachment and detachment. Play.
【図１】本発明の実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.
【図２】図１のフローチャンネルの分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the flow channel of FIG.
【図３】補助チャンネルの取付けのための予備室内での
操作を説明する断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an operation in the auxiliary chamber for mounting the auxiliary channel.
【図４】補助チャンネルの取付けのための準備室内での
操作を説明する断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating an operation in a preparation chamber for mounting the auxiliary channel.
【図５】補助チャンネルの取付けのためのリアクタ内で
の撮作を説明する断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating an operation in a reactor for mounting an auxiliary channel.
【図６】従来例を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a conventional example.
１ リアクタ ２ ガス導入口 ４ 基板 ５ サセプタ ６ サセプタを搬送する搬送機構 ８ フローチャンネル ９ 固定チャンネル １０ 補助チャンネル １５ 準備室 １７ 予備室 １８ 基板をサセプタに搬送する搬送機構 1 Reactor 2 Gas Inlet Port 4 Substrate 5 Susceptor 6 Transfer Mechanism for Transferring Susceptor 8 Flow Channel 9 Fixed Channel 10 Auxiliary Channel 15 Preparation Room 17 Preliminary Room 18 Transfer Mechanism to Transfer Substrate to Susceptor
Claims (1)
持するサセプタ、原料であるガスを加熱されている前記
基板の表面に導入するフローチャンネルを具備するとと
もに、前記サセプタを前記リアクタの内部に搬送する搬
送機構を備えてなる気相成長装置において、前記フロー
チャンネルを、前記リアクタに固定された固定チャンネ
ルと、前記固定チャンネル部の先端に着脱自在に取り付
けられた補助チャンネルとによって構成し、前記補助チ
ャンネルを、前記サセプタと、このサセプタ上に前記基
板を搬送するのに使用する搬送機構によって、前記固定
チャンネルに着脱するようにしてなる気相成長装置。1. A reactor is provided with a substrate, a susceptor for holding the substrate, and a flow channel for introducing a raw material gas to the surface of the substrate being heated, and the susceptor is provided inside the reactor. In a vapor phase growth apparatus comprising a transporting mechanism for transporting, the flow channel is constituted by a fixed channel fixed to the reactor and an auxiliary channel detachably attached to a tip of the fixed channel portion, A vapor phase growth apparatus in which an auxiliary channel is attached to and detached from the fixed channel by the susceptor and a transfer mechanism used to transfer the substrate onto the susceptor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16983192A JP3168703B2 (en) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | Vapor phase growth equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16983192A JP3168703B2 (en) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | Vapor phase growth equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326425A true JPH05326425A (en) | 1993-12-10 |
| JP3168703B2 JP3168703B2 (en) | 2001-05-21 |
Family
ID=15893727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16983192A Expired - Fee Related JP3168703B2 (en) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | Vapor phase growth equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3168703B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007019375A (en) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Angstrom Technologies:Kk | Micro structure forming method and forming apparatus |
-
1992
- 1992-05-18 JP JP16983192A patent/JP3168703B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007019375A (en) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Angstrom Technologies:Kk | Micro structure forming method and forming apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3168703B2 (en) | 2001-05-21 |
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