JPH05315881A - 水晶振動子の製造方法 - Google Patents
水晶振動子の製造方法Info
- Publication number
- JPH05315881A JPH05315881A JP30967792A JP30967792A JPH05315881A JP H05315881 A JPH05315881 A JP H05315881A JP 30967792 A JP30967792 A JP 30967792A JP 30967792 A JP30967792 A JP 30967792A JP H05315881 A JPH05315881 A JP H05315881A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- crystal
- photoresist
- film
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 平面電極9の反転パターン形状を有するフォ
トレジスト5と金属膜3とをエッチングマスクとして水
晶基板1をエッチングして、水晶振動子の外形形状を形
成し、さらにフォトレジストをエッチングマスクにして
金属膜をエッチングし、さらに全面に電極膜7を形成
し、フォトレジストを除去し、平面電極と側面電極11
とを形成する。 【効果】 水晶基板からフォトエッチ技術により、音叉
型や厚みすべり型水晶振動子を容易に形成することがで
きる。
トレジスト5と金属膜3とをエッチングマスクとして水
晶基板1をエッチングして、水晶振動子の外形形状を形
成し、さらにフォトレジストをエッチングマスクにして
金属膜をエッチングし、さらに全面に電極膜7を形成
し、フォトレジストを除去し、平面電極と側面電極11
とを形成する。 【効果】 水晶基板からフォトエッチ技術により、音叉
型や厚みすべり型水晶振動子を容易に形成することがで
きる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、音叉型水晶振動子や厚
みすべり型水晶振動子などの超小型水晶振動子をフォト
リソグラフィー技術と化学エッチング技術とにより作成
するための水晶振動子の製造方法に関するものである。
みすべり型水晶振動子などの超小型水晶振動子をフォト
リソグラフィー技術と化学エッチング技術とにより作成
するための水晶振動子の製造方法に関するものである。
【0002】従来の小型水晶振動子の製造方法を、図
3,図4,図8を用いて説明する。
3,図4,図8を用いて説明する。
【0003】図3は、フォトリソグラフィー技術と化学
エッチング技術(以下フォトエッチ技術と記載する)に
より得られる音叉型の水晶振動子を示す斜視図であり、
図4は、図3の斜視図の音叉枝部におけるA−A線での
断面を示す断面図である。
エッチング技術(以下フォトエッチ技術と記載する)に
より得られる音叉型の水晶振動子を示す斜視図であり、
図4は、図3の斜視図の音叉枝部におけるA−A線での
断面を示す断面図である。
【0004】図3と図4とに示すように、水晶片21を
励振するための電極膜として、平面電極25と側面電極
23とが形成してある。
励振するための電極膜として、平面電極25と側面電極
23とが形成してある。
【0005】図3と図4とに示す水晶振動子の外形形状
加工と電極膜形成と製造方法は、たとえば特開昭56−
106412号公報や、特開昭59−54309号公報
に紹介されている。
加工と電極膜形成と製造方法は、たとえば特開昭56−
106412号公報や、特開昭59−54309号公報
に紹介されている。
【0006】図8は特開昭56−106412号公報に
記載の水晶振動子の製造方法を示す断面図である。
記載の水晶振動子の製造方法を示す断面図である。
【0007】図8(a)に示すように、水晶基板を音叉
形状に外形形状加工を行い、その後水晶片71の音叉の
枝部には、フォトエッチ技術により平面電極73を所定
の形状にパターニングする。しかる後に、金属マスク7
7を水晶片71の表裏両面に配置する。このとき金属マ
スク77の開口部79を、側面電極75を形成する水晶
片71位置に合わせる。その後、金属膜マスク77をマ
スクにして、矢印72の方向から、側面電極75材料と
して、クロム(Cr)と金(Au)などを真空蒸着法に
より形成する。
形状に外形形状加工を行い、その後水晶片71の音叉の
枝部には、フォトエッチ技術により平面電極73を所定
の形状にパターニングする。しかる後に、金属マスク7
7を水晶片71の表裏両面に配置する。このとき金属マ
スク77の開口部79を、側面電極75を形成する水晶
片71位置に合わせる。その後、金属膜マスク77をマ
スクにして、矢印72の方向から、側面電極75材料と
して、クロム(Cr)と金(Au)などを真空蒸着法に
より形成する。
【0008】この結果、図8(b)に示すように、金属
マスク77の開口部79内の水晶片71の側面部に側面
電極75を形成することができる。
マスク77の開口部79内の水晶片71の側面部に側面
電極75を形成することができる。
【0009】図8に示す水晶振動子の製造方法において
は、クロムと金からなる蒸着膜は、金属マスク77の開
口部79を通して、水晶片71の側面部に側面電極75
を形成する製造プロセスである。つまり、平面電極73
はフォトエッチ技術によって形成し、側面電極75は金
属マスク77を用いて真空蒸着法にて形成する製造プロ
セスである。
は、クロムと金からなる蒸着膜は、金属マスク77の開
口部79を通して、水晶片71の側面部に側面電極75
を形成する製造プロセスである。つまり、平面電極73
はフォトエッチ技術によって形成し、側面電極75は金
属マスク77を用いて真空蒸着法にて形成する製造プロ
セスである。
【0010】一方、図9は特開昭59−54309号公
報に記載の水晶振動子の製造方法を示し、図9は音叉枝
部における断面を示す断面図ある。
報に記載の水晶振動子の製造方法を示し、図9は音叉枝
部における断面を示す断面図ある。
【0011】まず図9(a)に示すように、外形形状が
音叉形状を有する水晶片81を、薄板の水晶基板よりフ
ォトエッチ技術により形成する。
音叉形状を有する水晶片81を、薄板の水晶基板よりフ
ォトエッチ技術により形成する。
【0012】しかる後に、図9(b)に示すように、水
晶片81の全面に、クロムと金からなる電極膜83を真
空蒸着法により形成する。
晶片81の全面に、クロムと金からなる電極膜83を真
空蒸着法により形成する。
【0013】その後、図9(c)に示すように、フォト
レジスト85を水晶片81の全面に形成し、露光、現像
処理を行い、電極膜83をエッチングする領域のフォト
レジスト85に開口部87を形成する。
レジスト85を水晶片81の全面に形成し、露光、現像
処理を行い、電極膜83をエッチングする領域のフォト
レジスト85に開口部87を形成する。
【0014】その後、図9(d)に示すように、フォト
レジスト85の開口部87内に露出した電極膜83をエ
ッチングし、さらにフォトレジスト85を剥離して、平
面電極83aと側面電極83bとを形成することができ
る。
レジスト85の開口部87内に露出した電極膜83をエ
ッチングし、さらにフォトレジスト85を剥離して、平
面電極83aと側面電極83bとを形成することができ
る。
【0015】この図9を用いて説明した水晶振動子の製
造プロセスでは、金属マスクを使用せず、すべてフォト
エッチ技術で、水晶振動子の外形形状の加工工程と電極
膜の形成工程とを行うものである。
造プロセスでは、金属マスクを使用せず、すべてフォト
エッチ技術で、水晶振動子の外形形状の加工工程と電極
膜の形成工程とを行うものである。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】近年、水晶振動子の応
用製品を使用する各種電子製品は、携帯機器化の傾向が
強まり、ますます小型化、薄型化、高機能化している。
用製品を使用する各種電子製品は、携帯機器化の傾向が
強まり、ますます小型化、薄型化、高機能化している。
【0017】したがって、その代表例である水晶振動子
も超小型化、薄型化は勿論のこと、高安定化、高周波
化、表面実装化(SMD)が強く求められている。
も超小型化、薄型化は勿論のこと、高安定化、高周波
化、表面実装化(SMD)が強く求められている。
【0018】しかしながら、振動子の特性を維持しなが
ら上記の各種要求を実現するには、従来の製造技術では
限度があり、製造プロセスの工夫が必要である。とくに
振動周波数が高い高周波振動子であるATカット厚みす
べり振動子などにそれが言える。
ら上記の各種要求を実現するには、従来の製造技術では
限度があり、製造プロセスの工夫が必要である。とくに
振動周波数が高い高周波振動子であるATカット厚みす
べり振動子などにそれが言える。
【0019】以下、従来例における課題について、図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【0020】図8に示す製造方法おいては、水晶片71
の側面電極75形成領域に対する金属マスク77の開口
部79の位置合わせが難しい。水晶片1に対する金属マ
スク77の開口部79の位置ずれが生じた場合は、水晶
片71の平面にも蒸着膜が形成さる。この結果、側面電
極75が平面部にはみ出すように形成され、水晶振動子
の特性が劣化する。
の側面電極75形成領域に対する金属マスク77の開口
部79の位置合わせが難しい。水晶片1に対する金属マ
スク77の開口部79の位置ずれが生じた場合は、水晶
片71の平面にも蒸着膜が形成さる。この結果、側面電
極75が平面部にはみ出すように形成され、水晶振動子
の特性が劣化する。
【0021】またさらに、水晶片71の幅寸法が、10
0ミクロン以下になった場合、金属マスク77そのもの
の加工が困難となってくる。
0ミクロン以下になった場合、金属マスク77そのもの
の加工が困難となってくる。
【0022】さらに、フォトエッチ技術にて外形形状加
工と電極膜形成とを行う図9に示す製造プロセスでは、
回転塗布法では、水晶片81の平面と側面とにフォトレ
ジスト85を形成することが難しい。
工と電極膜形成とを行う図9に示す製造プロセスでは、
回転塗布法では、水晶片81の平面と側面とにフォトレ
ジスト85を形成することが難しい。
【0023】またさらに図9(c)に示す工程にて、フ
ォトレジスト85の開口部87を形成する露光処理時
に、水晶片81とフォトマスクとの位置ズレが生じる
と、水晶片81の側面に形成されたフォトレジスト85
まで、露光され現像時に除去される。このため水晶片8
1側面部の側面電極83bが一部欠けるように形成さ
れ、水晶振動子の特性が劣化する。
ォトレジスト85の開口部87を形成する露光処理時
に、水晶片81とフォトマスクとの位置ズレが生じる
と、水晶片81の側面に形成されたフォトレジスト85
まで、露光され現像時に除去される。このため水晶片8
1側面部の側面電極83bが一部欠けるように形成さ
れ、水晶振動子の特性が劣化する。
【0024】一方、水晶片81側面部の長手方向の一部
領域の側面電極83bを一部除去したい場合は、露光時
に露光光が、水晶片81の側面部に入射せず光量が不足
となり、フォトレジスト85がポジ型であれば光分解さ
れず、ネガ型であれば光架橋しない問題を有している。
領域の側面電極83bを一部除去したい場合は、露光時
に露光光が、水晶片81の側面部に入射せず光量が不足
となり、フォトレジスト85がポジ型であれば光分解さ
れず、ネガ型であれば光架橋しない問題を有している。
【0025】以上の説明で明かなように、水晶片が超小
型化すると、側面部における電極膜のパターニングが問
題となっている。
型化すると、側面部における電極膜のパターニングが問
題となっている。
【0026】本発明の目的は、上記の課題を解決し、フ
ォトエッチ技術にて超小型水晶片の形状加工、および平
面電極と側面電極の形成を容易に実施できる水晶振動子
の製造方法を提供することにある。
ォトエッチ技術にて超小型水晶片の形状加工、および平
面電極と側面電極の形成を容易に実施できる水晶振動子
の製造方法を提供することにある。
【0027】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の水晶振動子の製造方法においては、下記記載の
製造プロセスを採用する。
本発明の水晶振動子の製造方法においては、下記記載の
製造プロセスを採用する。
【0028】本発明の水晶振動子の製造方法は、薄板の
水晶基板に金属膜を形成し、金属膜を水晶振動子の外形
形状にパターニングする工程と、金属膜上に所定の電極
形状とはネガティブな関係のパターンと露出した水晶基
板平面の一部とに電極膜形成時の保護膜としてフォトレ
ジストを形成する工程と、露出した水晶基板をエッチン
グし所定の水晶振動子形状に加工する工程と、フォトレ
ジストをマスクに金属膜をエッチングする工程と、水晶
基板の平面と側面に電極膜を形成する工程と、フォトレ
ジストとフォトレジスト上に形成された電極膜とを除去
する工程と、金属膜をエッチングし水晶基板面と密着し
た平面電極と側面電極とを残存させる工程とを有するこ
とを特徴とする。
水晶基板に金属膜を形成し、金属膜を水晶振動子の外形
形状にパターニングする工程と、金属膜上に所定の電極
形状とはネガティブな関係のパターンと露出した水晶基
板平面の一部とに電極膜形成時の保護膜としてフォトレ
ジストを形成する工程と、露出した水晶基板をエッチン
グし所定の水晶振動子形状に加工する工程と、フォトレ
ジストをマスクに金属膜をエッチングする工程と、水晶
基板の平面と側面に電極膜を形成する工程と、フォトレ
ジストとフォトレジスト上に形成された電極膜とを除去
する工程と、金属膜をエッチングし水晶基板面と密着し
た平面電極と側面電極とを残存させる工程とを有するこ
とを特徴とする。
【0029】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図1と図2とは本発明の水晶振動子の製造プロセス
を工程順に示す断面図である。なお図1は図3の音叉枝
部のA―A線における断面を示す断面図であり、図2は
図3の音叉先端部のB−B線における断面を示す断面図
である。
る。図1と図2とは本発明の水晶振動子の製造プロセス
を工程順に示す断面図である。なお図1は図3の音叉枝
部のA―A線における断面を示す断面図であり、図2は
図3の音叉先端部のB−B線における断面を示す断面図
である。
【0030】まず図1(a)に示すように、水晶原石よ
り所定の角度にて切り出し、さらに研磨処理を行って水
晶基板1を所定の厚さにする。この水晶基板1の厚さと
しては、30〜200ミクロンとする。
り所定の角度にて切り出し、さらに研磨処理を行って水
晶基板1を所定の厚さにする。この水晶基板1の厚さと
しては、30〜200ミクロンとする。
【0031】その後、図1(b)に示すように、水晶基
板1の表裏両面にクロムと金との積層膜からなる金属膜
3を形成する。この金属膜3の形成は、真空蒸着法など
により行う。
板1の表裏両面にクロムと金との積層膜からなる金属膜
3を形成する。この金属膜3の形成は、真空蒸着法など
により行う。
【0032】その後、感光性樹脂(図示せず)を全面に
回転塗布法により形成し、所定のフォトマスクを用いて
露光、現像処理を行い、感光性樹脂をパターニングし、
さらにその後、このパターニングした感光性樹脂をエッ
チングマスクとして金属膜3をエッチングするフォトエ
ッチ技術により、金属膜3を音叉外形形状にパターニン
グする。ここで金属膜3を構成する金はヨウ素系の水溶
液を用いてエッチングし、クロムは硝酸第二セリウムア
ンモニウムと過塩素酸との混合溶液を用いてエッチング
する。
回転塗布法により形成し、所定のフォトマスクを用いて
露光、現像処理を行い、感光性樹脂をパターニングし、
さらにその後、このパターニングした感光性樹脂をエッ
チングマスクとして金属膜3をエッチングするフォトエ
ッチ技術により、金属膜3を音叉外形形状にパターニン
グする。ここで金属膜3を構成する金はヨウ素系の水溶
液を用いてエッチングし、クロムは硝酸第二セリウムア
ンモニウムと過塩素酸との混合溶液を用いてエッチング
する。
【0033】つぎに図1(c)と図2(a)に示すよう
に、全面にフォトレジストを回転塗布法により形成し、
露光、および現像処理を行い、平面電極の形状とは反転
(ネガティブ)形状を有するフォトレジスト5を形成す
る。このフォトレジスト5はポジ型、ネガ型のいずれで
も良い。
に、全面にフォトレジストを回転塗布法により形成し、
露光、および現像処理を行い、平面電極の形状とは反転
(ネガティブ)形状を有するフォトレジスト5を形成す
る。このフォトレジスト5はポジ型、ネガ型のいずれで
も良い。
【0034】このとき、音叉振動子の先端部や叉部底部
などのように側面電極非形成領域では、図2(a)に示
すように、フォトレジスト5は露出する水晶基板1の平
面部と音叉両枝部に形成する金属膜3上との両方に形成
する。
などのように側面電極非形成領域では、図2(a)に示
すように、フォトレジスト5は露出する水晶基板1の平
面部と音叉両枝部に形成する金属膜3上との両方に形成
する。
【0035】つぎに図1(d)と図2(b)に示すよう
に、金属膜3とフォトレジスト5とをエッチングマスク
に用いて、水晶基板1を酸性フッ化アンモニウムなどを
用いてエッチングする。
に、金属膜3とフォトレジスト5とをエッチングマスク
に用いて、水晶基板1を酸性フッ化アンモニウムなどを
用いてエッチングする。
【0036】このとき、金属膜3とフォトレジスト5と
は、前述の水晶基板1のエッチング液に耐える。ただ
し、フォトレジスト5は、金属膜3上にあるフォトレジ
スト5だけが、密着性を維持することができる。この結
果、水晶振動子の外形形状は、金属膜3と同一形状の音
叉形状となる。
は、前述の水晶基板1のエッチング液に耐える。ただ
し、フォトレジスト5は、金属膜3上にあるフォトレジ
スト5だけが、密着性を維持することができる。この結
果、水晶振動子の外形形状は、金属膜3と同一形状の音
叉形状となる。
【0037】この水晶基板1のエッチングプロセスにお
いて、側面電極非形成領域では、図2(b)に示すよう
に、露出した水晶基板1がエッチングされ、そのエッチ
ング液は時間の経過とともに、フォトレジスト5の下部
領域である水晶基板1もエッチングし、空間4を形成す
る。
いて、側面電極非形成領域では、図2(b)に示すよう
に、露出した水晶基板1がエッチングされ、そのエッチ
ング液は時間の経過とともに、フォトレジスト5の下部
領域である水晶基板1もエッチングし、空間4を形成す
る。
【0038】これは、水晶基板1のエッチングの際、エ
ッチング液が密着性の良い金属膜3と水晶基板1の界面
には浸入せず、密着性の悪いフォトレジスト5と水晶基
板1の界面には浸入することにより、金属膜3の非形成
領域の水晶基板1がエッチングされる。
ッチング液が密着性の良い金属膜3と水晶基板1の界面
には浸入せず、密着性の悪いフォトレジスト5と水晶基
板1の界面には浸入することにより、金属膜3の非形成
領域の水晶基板1がエッチングされる。
【0039】それにより、フォトレジスト5の下部で、
かつ金属膜3を形成していない領域は、空間4となる。
したがって、側面電極膜形成時に、フォトレジスト5は
側面電極を形成したくない部分の保護膜として利用でき
る。
かつ金属膜3を形成していない領域は、空間4となる。
したがって、側面電極膜形成時に、フォトレジスト5は
側面電極を形成したくない部分の保護膜として利用でき
る。
【0040】つぎに図1(e)と図2(c)に示すよう
に、フォトレジスト5をエッチングマスクに用いて、水
晶基板1の表裏両面に形成した金属膜3をエッチングす
る。それにより、電極膜形成部6の水晶基板1面が露出
し、後述する工程で形成する電極膜を形成することがで
きる。
に、フォトレジスト5をエッチングマスクに用いて、水
晶基板1の表裏両面に形成した金属膜3をエッチングす
る。それにより、電極膜形成部6の水晶基板1面が露出
し、後述する工程で形成する電極膜を形成することがで
きる。
【0041】つぎに図1(f)と図2(d)に示すよう
に、全面に電極膜7を真空蒸着法などを用いて形成す
る。この電極膜7は、金属膜3と異なる材料を形成し、
たとえばチタン(Ti)とパラジウム(Pd)の積層膜
を用いる。
に、全面に電極膜7を真空蒸着法などを用いて形成す
る。この電極膜7は、金属膜3と異なる材料を形成し、
たとえばチタン(Ti)とパラジウム(Pd)の積層膜
を用いる。
【0042】この電極膜7の膜厚は、1000オングス
トローム程度と薄くする。さらに、電極膜7の形成温度
は、フォトレジスト5のパターン形状が劣化しないよう
に、低温で形成する。
トローム程度と薄くする。さらに、電極膜7の形成温度
は、フォトレジスト5のパターン形状が劣化しないよう
に、低温で形成する。
【0043】電極膜7形成プロセスにおいて、側面電極
を形成しない部分では、図2(d)に示すように、空間
4に橋渡しするような形状のフォトレジスト5上に電極
膜7が形成されることになる。この結果、音叉の叉部の
底部付近などの側面部には、フォトレジスト5が保護膜
として機能し、電極膜7は形成されない。
を形成しない部分では、図2(d)に示すように、空間
4に橋渡しするような形状のフォトレジスト5上に電極
膜7が形成されることになる。この結果、音叉の叉部の
底部付近などの側面部には、フォトレジスト5が保護膜
として機能し、電極膜7は形成されない。
【0044】これによりいかなる場所でも、電極膜7の
選択形成が可能となり、絶縁対策などに有効となる。
選択形成が可能となり、絶縁対策などに有効となる。
【0045】つぎに図1(g)に示すように、フォトレ
ジスト5と、このフォトレジスト5上に形成した電極膜
7とを除去する。フォトレジスト5の除去は、たとえば
加温した溶剤の中に浸漬し、フォトレジスト5を溶解さ
せることにより行う。
ジスト5と、このフォトレジスト5上に形成した電極膜
7とを除去する。フォトレジスト5の除去は、たとえば
加温した溶剤の中に浸漬し、フォトレジスト5を溶解さ
せることにより行う。
【0046】この溶剤は、電極膜7のピンホールを通し
て、フォトレジスト5に到達し、フォトレジスト5を溶
解する。そのとき、水晶基板1上に形成された電極膜7
は、水晶基板1と密着しており、剥離はしない。
て、フォトレジスト5に到達し、フォトレジスト5を溶
解する。そのとき、水晶基板1上に形成された電極膜7
は、水晶基板1と密着しており、剥離はしない。
【0047】つぎに図1(h)と図2(e)に示すよう
に、平面電極と反転パターン形状を有する金属膜3をエ
ッチング除去することにより、平面電極9と側面電極1
1とを形成する。
に、平面電極と反転パターン形状を有する金属膜3をエ
ッチング除去することにより、平面電極9と側面電極1
1とを形成する。
【0048】この金属膜3のエッチングは、前述の金と
クロムのエッチング液をそれぞれ用いて行う。このと
き、金とクロムからなる金属膜3のエッチング液に、電
極膜7はエッチングされない材料であるチタンとパラジ
ウムで構成しているため、電極膜7はエッチングされず
に残る。
クロムのエッチング液をそれぞれ用いて行う。このと
き、金とクロムからなる金属膜3のエッチング液に、電
極膜7はエッチングされない材料であるチタンとパラジ
ウムで構成しているため、電極膜7はエッチングされず
に残る。
【0049】この結果、平面電極9と側面電極11とを
有する、図3に示すような、水晶振動子を形成すること
ができる。
有する、図3に示すような、水晶振動子を形成すること
ができる。
【0050】以上図1と図2とを用いて説明した水晶振
動子の製造方法によれば、フォトレジストでのパターン
形成工程は、図9を用いて説明した従来例のように、側
面領域にフォトレジストを形成していない。このため、
水晶基板の平面上にて、フォトレジスト処理を行うた
め、高精度に水晶振動子の外形形状と電極膜とを作成す
ることができる。
動子の製造方法によれば、フォトレジストでのパターン
形成工程は、図9を用いて説明した従来例のように、側
面領域にフォトレジストを形成していない。このため、
水晶基板の平面上にて、フォトレジスト処理を行うた
め、高精度に水晶振動子の外形形状と電極膜とを作成す
ることができる。
【0051】さらに、図8に示す従来例のように、側面
電極形成のための金属マスクが不要であり、フォトレジ
ストも平面処理のために回転塗布法で容易に形成できる
メリットがある。
電極形成のための金属マスクが不要であり、フォトレジ
ストも平面処理のために回転塗布法で容易に形成できる
メリットがある。
【0052】なお、本発明の説明には周波数調整などに
かかわるプロセスなどは説明していないが、本発明の製
造プロセスの途中に設けることは可能である。
かかわるプロセスなどは説明していないが、本発明の製
造プロセスの途中に設けることは可能である。
【0053】本発明の水晶振動子の製造方法を用いた他
の実施例を、図5と図7との斜視図と、図6の断面図を
用いて説明する。なお、図6は、図5におけるC―C線
での断面を示す断面図である。
の実施例を、図5と図7との斜視図と、図6の断面図を
用いて説明する。なお、図6は、図5におけるC―C線
での断面を示す断面図である。
【0054】図7に示すように、水晶基板65は従来よ
り作成されているATカット厚みすべり水晶振動子の基
板であり、水晶片67はこの水晶基板65より作成され
る。
り作成されているATカット厚みすべり水晶振動子の基
板であり、水晶片67はこの水晶基板65より作成され
る。
【0055】一方、水晶基板61は、X軸を中心にY軸
を30〜40゜傾斜させた水晶基板であり、この水晶基
板61に作成する水晶片63を図5に示す。
を30〜40゜傾斜させた水晶基板であり、この水晶基
板61に作成する水晶片63を図5に示す。
【0056】図5に示す水晶振動子は、矢印45のよう
に厚みすべり振動をする。振動子の長手方向がX軸、厚
さ方向がZ´軸、振動周波数が決定される方向がY´軸
である。
に厚みすべり振動をする。振動子の長手方向がX軸、厚
さ方向がZ´軸、振動周波数が決定される方向がY´軸
である。
【0057】図5と図6とに示すように、水晶片41の
側面に振動子を励振するための電極膜43を形成する。
側面に振動子を励振するための電極膜43を形成する。
【0058】図5に示す振動子は、厚さがZ´軸方向で
あり、化学エッチングが容易な振動子である。また、振
動周波数が決まるY´軸方向の寸法は、振動周波数がた
とえば12.8MHzであれば130ミクロンと細く、
超小型である。したがって、図5、図6、および図7に
示す水晶振動子は、図1を用いて説明したフォトエッチ
技術により形成することができる。
あり、化学エッチングが容易な振動子である。また、振
動周波数が決まるY´軸方向の寸法は、振動周波数がた
とえば12.8MHzであれば130ミクロンと細く、
超小型である。したがって、図5、図6、および図7に
示す水晶振動子は、図1を用いて説明したフォトエッチ
技術により形成することができる。
【0059】この厚みすべり振動子の製造プロセスに本
発明の製造プロセスを用いれば、超小型の平面電極、側
面電極を有するいかなる形状の振動子も、高精度で製造
が可能となる。
発明の製造プロセスを用いれば、超小型の平面電極、側
面電極を有するいかなる形状の振動子も、高精度で製造
が可能となる。
【0060】なお、本発明の振動子の製造方法は、音叉
型水晶振動子や厚みすべり型水晶振動子で説明したが、
GT型、DT型などの他の振動形態を有する振動子やニ
オブ酸リチウムなどからなる振動子にも適用できる。
型水晶振動子や厚みすべり型水晶振動子で説明したが、
GT型、DT型などの他の振動形態を有する振動子やニ
オブ酸リチウムなどからなる振動子にも適用できる。
【0061】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よる水晶振動子の製造プロセスによれば、水晶基板から
フォトエッチ技術によって作成する音叉型や厚みすべり
水晶振動子を容易に製造することができる。とくに、水
晶振動子の形状や、平面および側面に形成する電極膜の
形状精度が、超小型化しても充分に高精度を維持するこ
とができることから、その効果は極めて大きい。
よる水晶振動子の製造プロセスによれば、水晶基板から
フォトエッチ技術によって作成する音叉型や厚みすべり
水晶振動子を容易に製造することができる。とくに、水
晶振動子の形状や、平面および側面に形成する電極膜の
形状精度が、超小型化しても充分に高精度を維持するこ
とができることから、その効果は極めて大きい。
【図1】本発明の実施例における水晶振動子の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図2】本発明の実施例における水晶振動子の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図3】従来例と本発明の実施例とにおける音叉型水晶
振動子を示す斜視図である。
振動子を示す斜視図である。
【図4】従来例と本発明の実施例における音叉型水晶振
動子の枝部における断面を示す断面図である。
動子の枝部における断面を示す断面図である。
【図5】本発明の実施例における厚みすべり水晶振動子
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図6】本発明の実施例における厚みすべり水晶振動子
の振動部における断面を示す断面図である。
の振動部における断面を示す断面図である。
【図7】従来例と本発明の実施例とにおける水晶基板を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図8】従来例における音叉型水晶振動子の製造方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図9】従来例における音叉型水晶振動子の製造方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
1 水晶基板 3 金属膜 4 空間 5 フォトレジスト 7 電極膜 9 平面電極 11 側面電極
Claims (1)
- 【請求項1】 薄板の水晶基板に金属膜を形成し、金属
膜を水晶振動子の外形形状にパターニングする工程と、
金属膜上に所定の電極形状とはネガティブな関係のパタ
ーンと露出した水晶基板平面の一部とに電極膜形成時の
保護膜としてフォトレジストを形成する工程と、露出し
た水晶基板をエッチングし所定の水晶振動子形状に加工
する工程と、フォトレジストをマスクに金属膜をエッチ
ングする工程と、水晶基板の平面と側面とに電極膜を形
成する工程と、フォトレジストとフォトレジスト上に形
成された電極膜とを除去する工程と、金属膜をエッチン
グし水晶基板面と密着した平面電極と側面電極とを残存
させる工程とを有することを特徴とする水晶振動子の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30967792A JPH05315881A (ja) | 1992-03-13 | 1992-10-23 | 水晶振動子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8824992 | 1992-03-13 | ||
JP4-88249 | 1992-03-13 | ||
JP30967792A JPH05315881A (ja) | 1992-03-13 | 1992-10-23 | 水晶振動子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05315881A true JPH05315881A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=26429664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30967792A Pending JPH05315881A (ja) | 1992-03-13 | 1992-10-23 | 水晶振動子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05315881A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006030900A1 (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Citizen Watch Co., Ltd. | 振動子の製造方法 |
US7138288B2 (en) | 2003-03-28 | 2006-11-21 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method for manufacturing small crystal resonator |
JP2008060952A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Kyocera Kinseki Corp | 音叉型水晶振動板とその製造方法 |
WO2008029854A1 (fr) | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Ulvac, Inc. | Appareil et procédé de gravure sèche |
US7485238B2 (en) | 2001-08-31 | 2009-02-03 | Daishinku Corporation | Etching method, etched product formed by the same, and piezoelectric vibration device, method for producing the same |
US8898874B2 (en) | 2008-02-19 | 2014-12-02 | Sii Crystal Technology Inc. | Method of fabricating a piezoelectric vibrating piece |
JP2015019139A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-10-23 JP JP30967792A patent/JPH05315881A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7485238B2 (en) | 2001-08-31 | 2009-02-03 | Daishinku Corporation | Etching method, etched product formed by the same, and piezoelectric vibration device, method for producing the same |
US7138288B2 (en) | 2003-03-28 | 2006-11-21 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method for manufacturing small crystal resonator |
WO2006030900A1 (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Citizen Watch Co., Ltd. | 振動子の製造方法 |
US7901587B2 (en) | 2004-09-17 | 2011-03-08 | Citizen Holdings Co. Ltd. | Manufacturing method for vibrator |
JP2008060952A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Kyocera Kinseki Corp | 音叉型水晶振動板とその製造方法 |
WO2008029854A1 (fr) | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Ulvac, Inc. | Appareil et procédé de gravure sèche |
US8898874B2 (en) | 2008-02-19 | 2014-12-02 | Sii Crystal Technology Inc. | Method of fabricating a piezoelectric vibrating piece |
JP2015019139A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電素子の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7485238B2 (en) | Etching method, etched product formed by the same, and piezoelectric vibration device, method for producing the same | |
KR100880984B1 (ko) | At 컷 수정 진동편 및 그 제조 방법 | |
JP2002033640A (ja) | 圧電デバイス | |
US7859173B2 (en) | Tuning fork type quartz crystal resonator | |
JPH05315881A (ja) | 水晶振動子の製造方法 | |
JP2004088706A (ja) | エッチング方法及びその方法によって成形されたエッチング成形品 | |
JP5936438B2 (ja) | 圧電振動デバイスの製造方法 | |
JPH07212161A (ja) | 水晶振動子の製造方法 | |
JP4305728B2 (ja) | 振動片の製造方法 | |
JP2004040399A (ja) | エッチング方法及びその方法によって成形されたエッチング成形品 | |
JPS61218214A (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
JPS61127217A (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
JP2001251154A (ja) | 圧電振動片の製造方法 | |
JPH04294622A (ja) | 圧電素子の製造方法 | |
JPS6127929B2 (ja) | ||
JPH04130810A (ja) | Atカット水晶振動片の製造方法 | |
JPS6038891B2 (ja) | 超小型水晶振動子の製造方法 | |
JP3442517B2 (ja) | 水晶振動子の製造方法 | |
JP2002314162A (ja) | 水晶基板とその製造方法 | |
JP4324948B2 (ja) | 高周波圧電振動デバイスの製造方法 | |
JP2607669Y2 (ja) | 水晶振動子 | |
US20230179164A1 (en) | Method For Manufacturing Vibrator Element | |
JPH08162874A (ja) | 水晶振動子の製造方法 | |
JPS6173409A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JPS643367B2 (ja) |