JPH053104A - Through type varistor - Google Patents
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- JPH053104A JPH053104A JP15466491A JP15466491A JPH053104A JP H053104 A JPH053104 A JP H053104A JP 15466491 A JP15466491 A JP 15466491A JP 15466491 A JP15466491 A JP 15466491A JP H053104 A JPH053104 A JP H053104A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、信号ライン等のノイズ
保護用として用いられている貫通バリスタに関し、特
に、素子強度を高め得る構造を備えた貫通バリスタに関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a through varistor used for noise protection of signal lines and the like, and more particularly to a through varistor having a structure capable of increasing the element strength.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、ＥＭＩフィルタとして、貫通孔を
有する素子本体と、該貫通孔に挿通された金属導体とを
有し、素子本体の外周面に電気機器のシャーシ等に接続
される電極を形成した貫通フィルタが公知である。上記
のような貫通フィルタとしては、素子本体に誘電体材料
を用いた貫通コンデンサが広く普及しているが、近年、
バリスタ機能を有するセラミック材料を用いた素子本体
を構成した貫通バリスタが開発されている。2. Description of the Related Art Conventionally, as an EMI filter, an element body having a through hole and a metal conductor inserted in the through hole are provided, and an electrode connected to a chassis of an electric device or the like is provided on an outer peripheral surface of the element body. Formed feedthrough filters are known. As the feedthrough filter as described above, feedthrough capacitors using a dielectric material in the element body are widely used, but in recent years,
A penetrating varistor that constitutes an element body using a ceramic material having a varistor function has been developed.
【０００３】従来の貫通バリスタの一例を図８に示す。
貫通バリスタ１では、バリスタ機能を有するセラミック
材料よりなる素子本体２の貫通孔２ａ内に電極３が、素
子外周壁に電極４が形成されている。貫通孔２ａ内には
金属導体５が挿入されており、電極３と半田６により接
合されている。An example of a conventional through varistor is shown in FIG.
In the through varistor 1, an electrode 3 is formed in a through hole 2a of an element body 2 made of a ceramic material having a varistor function, and an electrode 4 is formed on an outer peripheral wall of the element. A metal conductor 5 is inserted in the through hole 2a and is joined to the electrode 3 by the solder 6.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】信号ライン等で用いら
れている電圧は、電話回線で４０〜５０Ｖであるが、一
般的には電話回線の場合よりも低く、３〜２０Ｖとかな
り低い。従って、貫通バリスタを信号ライン用のノイズ
フィルタとして用いる場合には、バリスタ電圧を信号ラ
インの電圧に応じて低くしなければ、十分なノイズ電圧
抑制効果を得ることはできない。よって、貫通バリスタ
においては、バリスタ電圧を低めることが求められてい
る。The voltage used in the signal line or the like is 40 to 50V in the telephone line, but it is generally lower than in the case of the telephone line and 3 to 20V, which is considerably low. Therefore, when the through varistor is used as a noise filter for a signal line, a sufficient noise voltage suppressing effect cannot be obtained unless the varistor voltage is lowered according to the voltage of the signal line. Therefore, it is required to reduce the varistor voltage in the through varistor.
【０００５】しかしながら、セラミックバリスタでは、
一粒界当たりのバリスタ電圧は材料の特性で定まり、従
って、同じ材料を使う限りバリスタ電圧を低めることは
できない。よって、バリスタ電圧を低めるには、バリス
タ素子の貫通孔内周壁と素子外周壁との間の粒界の数を
低減する必要がある。貫通孔内周壁と素子外周壁との間
の粒界の数を低減する方法としては、貫通孔内周壁と
素子外周壁との間の厚み、すなわち素子本体の肉厚を薄
くすること、あるいは半導体セラミックスの粒径を大
きくすることが考えられる。However, in the ceramic varistor,
The varistor voltage per grain boundary is determined by the characteristics of the material, so the varistor voltage cannot be lowered as long as the same material is used. Therefore, in order to lower the varistor voltage, it is necessary to reduce the number of grain boundaries between the inner peripheral wall of the through hole of the varistor element and the outer peripheral wall of the element. As a method of reducing the number of grain boundaries between the inner peripheral wall of the through hole and the outer peripheral wall of the element, a method of reducing the thickness between the inner peripheral wall of the through hole and the outer peripheral wall of the element, that is, reducing the thickness of the element body, or the semiconductor It is conceivable to increase the grain size of ceramics.
【０００６】しかしながら、上記及びの何れの方法
を採用しても、バリスタ電圧を十分に低めた場合には、
素子強度がかなり低下するという問題があった。その結
果、電極芯となる金属導体を貫通孔に挿入する際や、電
子機器のシャーシに取り付ける際、あるいはコネクタを
接続する際等において、バリスタ素子にクラックが生じ
がちであった。本発明の目的は、素子強度を低下させる
ことなくバリスタ電圧を低めることを可能とした構造を
備えた貫通バリスタを提供することにある。However, even if either of the above methods is adopted, if the varistor voltage is sufficiently lowered,
There is a problem that the element strength is considerably reduced. As a result, cracks are likely to occur in the varistor element when the metal conductor serving as the electrode core is inserted into the through hole, when it is attached to the chassis of the electronic device, or when the connector is connected. An object of the present invention is to provide a through varistor having a structure capable of lowering the varistor voltage without lowering the element strength.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、貫通孔を有す
るバリスタ素子において、貫通孔内周壁または素子外周
壁に導電性ゴム層を固定的に配置したことを特徴とする
ものである。すなわち、請求項１に記載の発明では、貫
通孔を有するバリスタ素子、該貫通孔の内周壁または素
子外周壁の少なくとも一方に固定的に配置された導電性
ゴム層とを備える。The present invention is characterized in that, in a varistor element having a through hole, a conductive rubber layer is fixedly arranged on the inner peripheral wall of the through hole or the outer peripheral wall of the element. That is, the invention according to claim 1 includes a varistor element having a through hole, and a conductive rubber layer fixedly disposed on at least one of an inner peripheral wall of the through hole and an outer peripheral wall of the element.
【０００８】また、請求項２に記載の発明では、貫通孔
を有するバリスタ素子と、前記貫通孔内周壁または素子
外周壁の少なくとも一方に形成された金属電極膜と、前
記貫通孔内周壁及び素子外周壁の少なくとも一方に固定
的に配置された導電性ゴム層とを備える。上記導電性ゴ
ム層は、天然ゴム、合成ゴムのようにゴム弾性を有する
材料に、カーボン、銅、銀またはニッケル等の導電性粉
末を、３０〜５０体積％の割合で配合し、分散させるこ
とにより構成される。According to the second aspect of the invention, a varistor element having a through hole, a metal electrode film formed on at least one of the through hole inner peripheral wall and the element outer peripheral wall, the through hole inner peripheral wall and the element. A conductive rubber layer fixedly disposed on at least one of the outer peripheral walls. In the conductive rubber layer, a material having rubber elasticity such as natural rubber or synthetic rubber is mixed with conductive powder such as carbon, copper, silver or nickel at a ratio of 30 to 50% by volume and dispersed. It is composed of
【０００９】また、貫通孔を有するバリスタ素子は、従
来より貫通バリスタに用いられている、半導体セラミッ
ク材料からなり、通常、断面形状が円形の貫通孔が形成
された円筒体に構成される。もっとも、バリスタ素子の
形状についてはこれに限定されるものではなく、全体が
角筒状であってもよく、また貫通孔の断面形状も円形以
外の他の形状であってもよい。Further, the varistor element having a through hole is made of a semiconductor ceramic material, which has been conventionally used for a through varistor, and is usually formed into a cylindrical body having a through hole having a circular cross section. However, the shape of the varistor element is not limited to this, and the entire varistor element may have a rectangular tube shape, and the cross-sectional shape of the through hole may have a shape other than a circle.
【００１０】[0010]
【作用】請求項１，２に記載の本発明では、貫通孔内周
壁または素子外周壁の少なくとも一方に導電性ゴム層が
固定的に配置されているため、該導電性ゴム層のゴム弾
性により振動を吸収することが可能とされている。従っ
て、バリスタ素子に外部からの衝撃が直接加わることを
防止することができるので、バリスタ素子の厚みを薄く
することができる。すなわち、貫通バリスタ全体として
の素子強度を高めることが可能とされている。According to the present invention, the conductive rubber layer is fixedly arranged on at least one of the inner peripheral wall of the through hole and the outer peripheral wall of the element. It is possible to absorb vibration. Therefore, it is possible to prevent the external impact from being directly applied to the varistor element, so that the thickness of the varistor element can be reduced. That is, it is possible to increase the element strength of the through varistor as a whole.
【００１１】従って、バリスタ素子の厚みを薄くするこ
とができるため、本発明の貫通バリスタでは、セラミッ
クスの粒径を大きくすることなくバリスタ電圧を低める
ことができ、バリスタ電圧を低めた場合であっても電圧
非直線性が低下することがない。なお、外力を吸収する
ゴム層を導電性ゴム層で構成したのは、バリスタ素子の
貫通孔内周壁または素子外周壁を外部と電気的に接続す
る必要があるためである。Therefore, since the thickness of the varistor element can be reduced, the varistor voltage can be lowered in the through varistor of the present invention without increasing the grain size of the ceramics. However, the voltage non-linearity does not deteriorate. The rubber layer that absorbs external force is formed of a conductive rubber layer because it is necessary to electrically connect the inner peripheral wall of the through hole of the varistor element or the outer peripheral wall of the element to the outside.
【００１２】請求項２に記載の発明では、バリスタ素子
の貫通孔内周壁または素子外周壁の少なくとも一方に金
属電極層が形成されるため、該金属電極層により素子強
度がより効果的に高められる。According to the second aspect of the invention, since the metal electrode layer is formed on at least one of the inner peripheral wall of the through hole of the varistor element and the outer peripheral wall of the element, the element strength can be more effectively enhanced by the metal electrode layer. .
【００１３】[0013]
【実施例の説明】貫通孔内周壁に導電性ゴム層が固定的
に配置された実施例
図１は、本発明の第１の実施例の貫通バリスタを示す断
面図である。貫通バリスタ１０では、貫通孔１１ａを有
するバリスタ素子１１の該貫通孔１１ａの内周壁を覆う
ように導電性ゴム層１２が形成されている。そして、導
電性ゴム層１２に、中心導体１３が挿通されている。ま
た、バリスタ素子１１の素子外周壁には金属電極膜１４
が形成されている。[Description of Embodiment] conductive rubber layer in the through-hole inner walls fixedly
Disposed the Embodiment FIG. 1 is a sectional view showing a through varistor of a first embodiment of the present invention. In the through varistor 10, the conductive rubber layer 12 is formed so as to cover the inner peripheral wall of the through hole 11a of the varistor element 11 having the through hole 11a. Then, the central conductor 13 is inserted into the conductive rubber layer 12. Further, the metal electrode film 14 is formed on the outer peripheral wall of the varistor element 11.
Are formed.
【００１４】なお、導電性ゴム層１２は、導電性接着剤
を用いて貫通孔１１ａの内周壁に固定されていてもよ
く、あるいは貫通孔１１ａ内に圧入されることにより貫
通孔１１ａの内周壁に固定的に配置されていてもよい。
また、中心導体１３としては、導電性ゴム層１２の内径
と等しいか該内径よりも若干大きい径のものが用意さ
れ、導電性ゴム層１２に圧入されて固定される。もっと
も、中心導体１３についても、導電性ゴム層１２に導電
性接着剤により固定してもよい。The conductive rubber layer 12 may be fixed to the inner peripheral wall of the through hole 11a by using a conductive adhesive, or the inner peripheral wall of the through hole 11a may be pressed into the through hole 11a. May be fixedly arranged.
As the central conductor 13, a conductor having a diameter equal to or slightly larger than the inner diameter of the conductive rubber layer 12 is prepared, and is pressed into the conductive rubber layer 12 and fixed. However, the center conductor 13 may also be fixed to the conductive rubber layer 12 with a conductive adhesive.
【００１５】本実施例の貫通バリスタ１０では、中心導
体１３とバリスタ素子１１との間に導電性ゴム層１２が
配置されているため、該導電性ゴム層１２のゴム弾性に
より中心導体１３とバリスタ素子１１との間で衝撃が吸
収される。従って、中心導体１３を導電性ゴム層１２に
圧入する際や導電性ゴム層１２に固定する際、あるいは
中心導体１３を他の回路部分に接続するに際し、中心導
体１３側からの衝撃によりバリスタ素子１１にクラック
が生じることを効果的に防止することができる。In the through varistor 10 of this embodiment, since the conductive rubber layer 12 is arranged between the central conductor 13 and the varistor element 11, the elastic elasticity of the conductive rubber layer 12 causes the central conductor 13 and the varistor to be separated. The shock is absorbed between the element 11 and the element 11. Therefore, when the center conductor 13 is press-fitted into the conductive rubber layer 12, fixed to the conductive rubber layer 12, or when the center conductor 13 is connected to another circuit portion, the varistor element is impacted by the center conductor 13 side. It is possible to effectively prevent the occurrence of cracks in 11.
【００１６】図２は本発明の第２の実施例の貫通バリス
タ２０を示し、ここでは、バリスタ素子１１の貫通孔１
１ａの内周壁に金属電極膜２１が形成されており、該金
属電極膜２１の内周面に沿って導電性ゴム層１２が固定
的に配置されている。その他の点は、図１に示した実施
例の貫通バリスタ１０と同様である。図２に示した貫通
バリスタ２０においても、貫通孔１１ａの内周壁側に導
電性ゴム層１２が設けられているため、図１に示した実
施例の貫通バリスタ１０と同様にバリスタ素子１１のク
ラックを効果的に防止することができる。のみならず、
金属電極膜２１がバリスタ素子１１の貫通孔内周壁に形
成されているため、その分だけ図１に示した実施例の貫
通バリスタ１０よりも素子強度を高めることが可能とさ
れている。FIG. 2 shows a through varistor 20 of the second embodiment of the present invention, in which the through hole 1 of the varistor element 11 is shown.
A metal electrode film 21 is formed on the inner peripheral wall of 1a, and a conductive rubber layer 12 is fixedly arranged along the inner peripheral surface of the metal electrode film 21. Other points are the same as those of the through varistor 10 of the embodiment shown in FIG. Also in the through varistor 20 shown in FIG. 2, since the conductive rubber layer 12 is provided on the inner peripheral wall side of the through hole 11a, cracks in the varistor element 11 similar to the through varistor 10 of the embodiment shown in FIG. Can be effectively prevented. As well,
Since the metal electrode film 21 is formed on the inner peripheral wall of the through hole of the varistor element 11, it is possible to increase the element strength more than that of the through varistor 10 of the embodiment shown in FIG.
【００１７】素子外周
壁に導電性ゴム層を固定的に配置した実施例
図３は本発明の第３の実施例の貫通バリスタ３０を示
す。本実施例の貫通バリスタ３０では、バリスタ素子１
１の素子外周壁に導電性ゴム層３２が形成されている。
この導電性ゴム層３２は、筒状の導電性ゴムを用意し、
該筒状導電性ゴムにバリスタ素子１１を圧入することに
より、あるいは筒状の導電性ゴム３２の内周面とバリス
タ素子１１の外周壁とを導電性接着剤により固着するこ
とにより構成することができる。バリスタ素子１１の貫
通孔１１ａの内周壁には金属電極膜２１が形成されてお
り、中心導体１３は金属電極膜２１と半田３３により電
気的にかつ機械的に接続されている。 Embodiment in which a conductive rubber layer is fixedly arranged on the outer peripheral wall of the element FIG. 3 shows a through varistor 30 according to a third embodiment of the present invention. In the through varistor 30 of this embodiment, the varistor element 1
A conductive rubber layer 32 is formed on the outer peripheral wall of the element 1.
For this conductive rubber layer 32, a cylindrical conductive rubber is prepared,
The varistor element 11 may be press-fitted into the cylindrical conductive rubber, or the inner peripheral surface of the cylindrical conductive rubber 32 and the outer peripheral wall of the varistor element 11 may be fixed by a conductive adhesive. it can. A metal electrode film 21 is formed on the inner peripheral wall of the through hole 11 a of the varistor element 11, and the center conductor 13 is electrically and mechanically connected to the metal electrode film 21 by the solder 33.
【００１８】第３の実施例の貫通バリスタ３０では、バ
リスタ素子１１の素子外周壁に導電性ゴム層３２が固定
的に配置されているため、該貫通バリスタ３０を電気機
器のシャーシ等に組み込む際に、素子外周壁側から加わ
る外力を該導電性ゴム層３２で吸収することができる。
従って、バリスタ素子１１におけるクラック等の発生を
効果的に防止することができる。In the through varistor 30 of the third embodiment, since the conductive rubber layer 32 is fixedly arranged on the element outer peripheral wall of the varistor element 11, when the through varistor 30 is incorporated in a chassis of electric equipment or the like. In addition, the conductive rubber layer 32 can absorb the external force applied from the element outer peripheral wall side.
Therefore, it is possible to effectively prevent the occurrence of cracks or the like in the varistor element 11.
【００１９】図４は、本発明の第４の実施例の貫通バリ
スタ４０を示す。貫通バリスタ４０では、バリスタ素子
１１の外周壁に金属電極膜１４が形成されている。その
他の点については第３の実施例の貫通バリスタ３０と同
様である。従って、貫通バリスタ３０と同様に、貫通バ
リスタ４０においても電子機器のシャーシ等に組み込む
際に外力等によりバリスタ素子１１にクラックが発生す
ることを効果的に防止することができる。また、貫通バ
リスタ４０では、金属電極膜１４がバリスタ素子１１の
外周壁に形成されている分だけ、貫通バリスタ３０より
も素子強度を高めることが可能とされている。FIG. 4 shows a through varistor 40 according to a fourth embodiment of the present invention. In the through varistor 40, the metal electrode film 14 is formed on the outer peripheral wall of the varistor element 11. The other points are similar to those of the through varistor 30 of the third embodiment. Therefore, similar to the through varistor 30, the through varistor 40 can also effectively prevent the varistor element 11 from being cracked by an external force or the like when incorporated in a chassis or the like of an electronic device. Further, in the through varistor 40, the element strength can be made higher than that of the through varistor 30 because the metal electrode film 14 is formed on the outer peripheral wall of the varistor element 11.
【００２０】貫通孔内周壁及び素子外周壁の双方に導電
性ゴム層が形成された実施例
図５は、本発明の第５の実施例の貫通バリスタ５０を示
す。貫通バリスタ５０では、バリスタ素子１１の貫通孔
１１ａの内周壁及び素子外周壁の双方に導電性ゴム層１
２，３２が固定的に配置されている。そして、内側の導
電性ゴム層１２に中心導体１３が挿入されている。[0020] conducted to both the through hole inner peripheral wall and the element peripheral wall
Example in which a permeable rubber layer is formed FIG. 5 shows a through varistor 50 according to a fifth example of the present invention. In the through varistor 50, the conductive rubber layer 1 is formed on both the inner peripheral wall and the outer peripheral wall of the through hole 11 a of the varistor element 11.
2, 32 are fixedly arranged. Then, the center conductor 13 is inserted into the inner conductive rubber layer 12.
【００２１】本実施例の貫通バリスタ５０では、バリス
タ素子１１の貫通孔の内周壁側及び素子外周壁側の双方
に導電性ゴム層１２，３２が固定的に配置されているた
め、図１〜図４に示した実施例の貫通バリスタ１０〜４
０に比べて、より一層素子強度を高めることが可能とさ
れている。すなわち、内側の導電性ゴム層１２により中
心導体１３側から加えられる衝撃を吸収することができ
ると共に、外側の導電性ゴム層３２によりシャーシ等に
取り付ける際の外部からの衝撃を吸収することが可能と
されている。In the through varistor 50 of this embodiment, the conductive rubber layers 12 and 32 are fixedly arranged on both the inner peripheral wall side and the element outer peripheral wall side of the through hole of the varistor element 11, so that the structure shown in FIGS. Through varistor 10-4 of the embodiment shown in FIG.
As compared with 0, the element strength can be further increased. That is, the inner conductive rubber layer 12 can absorb the shock applied from the side of the central conductor 13, and the outer conductive rubber layer 32 can absorb the shock from the outside when mounting the chassis or the like. It is said that.
【００２２】図６は、本発明の第６の実施例に係る貫通
バリスタ６０を示す。貫通バリスタ６０では、バリスタ
素子１１の貫通１１ａの内周壁に金属電極膜２１が、素
子外周壁に金属電極膜１４が形成されている。その他の
点については、図５に示した貫通バリスタ５０と同様で
ある。従って、図６に示した貫通バリスタ６０では、金
属電極膜１４，２１が形成されている分だけ、貫通バリ
スタ５０に比べて素子強度を高めることが可能とされて
いる。FIG. 6 shows a through varistor 60 according to the sixth embodiment of the present invention. In the through varistor 60, the metal electrode film 21 is formed on the inner peripheral wall of the penetration 11 a of the varistor element 11 and the metal electrode film 14 is formed on the outer peripheral wall of the element. Other points are the same as those of the through varistor 50 shown in FIG. Therefore, in the penetrating varistor 60 shown in FIG. 6, the element strength can be increased as compared with the penetrating varistor 50 because the metal electrode films 14 and 21 are formed.
【００２３】その他の実施例
上述してきた実施例では、バリスタ素子１１の貫通孔の
内周壁及び素子外周壁の全面を覆うように導電性ゴム層
が形成されていたが、本発明の貫通バリスタにおいて、
導電性ゴム層は貫通孔内周壁や素子外周壁の全面に形成
される必要はない。すなわち、図７に示す貫通バリスタ
７０のように、バリスタ素子１１の両端近傍においての
み外周壁を覆うように第１，第２導電性ゴム層７１，７
２を形成してもよい。この場合においても、第１，第２
の導電性ゴム層７１，７２が設けられている部分を利用
して、電子機器のシャーシ等に取り付けるようにすれ
ば、外部からの衝撃がバリスタ素子１１に加わることを
防止することができる。 Other Embodiments In the embodiments described above, the conductive rubber layer is formed so as to cover the entire inner peripheral wall and the outer peripheral wall of the through hole of the varistor element 11, but in the through varistor of the present invention, ,
The conductive rubber layer does not have to be formed on the entire inner wall of the through hole or the outer wall of the element. That is, like the through varistor 70 shown in FIG. 7, the first and second conductive rubber layers 71, 7 are formed so as to cover the outer peripheral wall only in the vicinity of both ends of the varistor element 11.
2 may be formed. Even in this case, the first and second
By using the portions provided with the conductive rubber layers 71 and 72 to attach to the chassis of the electronic device or the like, it is possible to prevent external impact from being applied to the varistor element 11.
【００２４】また、本発明の貫通バリスタにおいて、導
電性ゴム層はバリスタ素子の貫通孔内周壁及び素子外周
壁の全周に渡って形成される必要も必ずしもない。すわ
なち、貫通孔内周壁または素子外周壁において複数の導
電性ゴム層を周方向に分散配置した構成であってもよ
い。In the through varistor of the present invention, the conductive rubber layer does not necessarily have to be formed over the entire circumference of the through hole inner peripheral wall and the element outer peripheral wall of the varistor element. That is, a plurality of conductive rubber layers may be dispersedly arranged in the circumferential direction on the inner peripheral wall of the through hole or the outer peripheral wall of the element.
【００２５】[0025]
【発明の効果】本発明では、バリスタ素子の貫通孔の内
周壁または素子外周壁の少なくとも一方に導電性ゴム層
が固定的に配置されているため、該導電性ゴム層の衝撃
吸収能によりバリスタ素子に加わる外力を吸収すること
ができる。従って、バリスタ素子の厚みを薄くし、バリ
スタ電圧を低めた場合であっても、素子強度の低下を防
止することができる。なお、請求項２に記載のように、
金属電極層を形成した場合には、該金属電極層により素
子本体の機械的強度がより一層効果的に高められる。According to the present invention, since the conductive rubber layer is fixedly disposed on at least one of the inner peripheral wall of the through hole of the varistor element and the outer peripheral wall of the element, the varistor is absorbed by the impact absorbing ability of the conductive rubber layer. The external force applied to the element can be absorbed. Therefore, even when the thickness of the varistor element is reduced and the varistor voltage is reduced, it is possible to prevent the reduction of the element strength. In addition, as described in claim 2,
When the metal electrode layer is formed, the mechanical strength of the element body is more effectively enhanced by the metal electrode layer.
【００２６】よって、本発明によれば、信号ライン用の
ノイズフィルタとして好適な低バリスタ電圧の貫通バリ
スタを、素子強度を低下させることなく提供することが
可能となる。また、本発明の貫通バリスタでは、クラッ
クが発生し難いため、貫通バリスタの良品率を高めるこ
とも可能となる。Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a through varistor having a low varistor voltage, which is suitable as a noise filter for a signal line, without lowering the element strength. Further, in the through varistor of the present invention, cracks are less likely to occur, so it is possible to increase the yield rate of the through varistor.
【図１】第１の実施例の貫通バリスタを示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing a through varistor according to a first embodiment.
【図２】第２の実施例の貫通バリスタを示す断面図。FIG. 2 is a sectional view showing a through varistor according to a second embodiment.
【図３】第３の実施例の貫通バリスタを示す断面図。FIG. 3 is a sectional view showing a through varistor according to a third embodiment.
【図４】第４の実施例の貫通バリスタを示す断面図。FIG. 4 is a sectional view showing a through varistor according to a fourth embodiment.
【図５】第５の実施例の貫通バリスタを示す断面図。FIG. 5 is a sectional view showing a through varistor according to a fifth embodiment.
【図６】第６の実施例の貫通バリスタを示す断面図。FIG. 6 is a sectional view showing a through varistor according to a sixth embodiment.
【図７】第７の実施例の貫通バリスタを示す断面図。FIG. 7 is a sectional view showing a through varistor according to a seventh embodiment.
【図８】従来の貫通バリスタを示す断面図。FIG. 8 is a sectional view showing a conventional through varistor.
１０…貫通バリスタ １１…バリスタ素子 １１ａ…貫通孔 １２…導電性ゴム層 １３…中心導体 １４…金属電極膜 10 ... Penetration varistor 11 ... Varistor element 11a ... through hole 12 ... Conductive rubber layer 13 ... Central conductor 14 ... Metal electrode film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂部 行雄 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Yukio Sakabe 2-10-10 Tenjin, Nagaokakyo, Kyoto Stock Murata Manufacturing Co., Ltd.
Claims (2)
孔の内周壁または素子外周壁の少なくとも一方に固定的
に配置された導電性ゴム層とを備えることを特徴とす
る、貫通バリスタ。1. A through varistor comprising: a varistor element having a through hole; and a conductive rubber layer fixedly arranged on at least one of an inner peripheral wall of the through hole and an outer peripheral wall of the element.
孔の内周壁または素子外周壁の少なくとも一方に形成さ
れた金属電極層と、前記貫通孔の内周壁または素子外周
壁の少なくとも一方に固定的に配置された導電性ゴム層
とを備えることを特徴とする貫通バリスタ。2. A varistor element having a through hole, a metal electrode layer formed on at least one of an inner peripheral wall of the through hole and an outer peripheral wall of the element, and a metal electrode layer fixed to at least one of an inner peripheral wall of the through hole and an outer peripheral wall of the element. Through varistor provided with a conductive rubber layer disposed in a fixed manner.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15466491A JPH053104A (en) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | Through type varistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15466491A JPH053104A (en) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | Through type varistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053104A true JPH053104A (en) | 1993-01-08 |
Family
ID=15589195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15466491A Pending JPH053104A (en) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | Through type varistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH053104A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5019316A (en) * | 1986-07-03 | 1991-05-28 | Toray Industries, Inc. | Method for producing thermoplastic synthetic yarn |
| WO1996002922A3 (en) * | 1994-07-14 | 1996-07-25 | Oryx Techn Corp | Variable voltage protection structures and methods for making same |
-
1991
- 1991-06-26 JP JP15466491A patent/JPH053104A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5019316A (en) * | 1986-07-03 | 1991-05-28 | Toray Industries, Inc. | Method for producing thermoplastic synthetic yarn |
| WO1996002922A3 (en) * | 1994-07-14 | 1996-07-25 | Oryx Techn Corp | Variable voltage protection structures and methods for making same |
| CN1079571C (en) * | 1994-07-14 | 2002-02-20 | 苏吉克斯公司 | Variable voltage protection structures and methods for making same |
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