JPH05308064A - シリコン自然酸化膜の「その場」除去方法及びその装置 - Google Patents
シリコン自然酸化膜の「その場」除去方法及びその装置Info
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- JPH05308064A JPH05308064A JP11159192A JP11159192A JPH05308064A JP H05308064 A JPH05308064 A JP H05308064A JP 11159192 A JP11159192 A JP 11159192A JP 11159192 A JP11159192 A JP 11159192A JP H05308064 A JPH05308064 A JP H05308064A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、成膜等の処理直前のシリコン基
板表面に存在する自然酸化膜を低温で加熱して「その
場」除去する方法及びその装置を得ることを目的とす
る。 【構成】 除去室1内に極微量のシラン類ガスを添加し
た水素ガスを供給し、シリコン基板3を基板支持台2上
に載置する。光入射窓7を介して、光源6からシラン類
ガスを光化学分解する波長の光を照射しながら、シリコ
ン基板3を加熱処理することにより、従来に比べ低温で
シリコン基板3の自然酸化膜を「その場」除去できる。
この時、光入射窓7をシリコン基板3の加熱処理温度と
同程度以上に加熱することにより、光入射窓7に膜堆積
が起こるのを防止する。
板表面に存在する自然酸化膜を低温で加熱して「その
場」除去する方法及びその装置を得ることを目的とす
る。 【構成】 除去室1内に極微量のシラン類ガスを添加し
た水素ガスを供給し、シリコン基板3を基板支持台2上
に載置する。光入射窓7を介して、光源6からシラン類
ガスを光化学分解する波長の光を照射しながら、シリコ
ン基板3を加熱処理することにより、従来に比べ低温で
シリコン基板3の自然酸化膜を「その場」除去できる。
この時、光入射窓7をシリコン基板3の加熱処理温度と
同程度以上に加熱することにより、光入射窓7に膜堆積
が起こるのを防止する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、シリコン自然酸化膜
の「その場」除去方法及び装置、特に、成膜等の処理直
前のシリコン基板表面に存在する自然酸化膜を低温で加
熱して「その場」除去する方法及び装置に関するもので
ある。
の「その場」除去方法及び装置、特に、成膜等の処理直
前のシリコン基板表面に存在する自然酸化膜を低温で加
熱して「その場」除去する方法及び装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】シリコン基板表面に存在する自然酸化膜
を完全に除去した後、外気に触れることなく成膜等以後
の処理を行う自然酸化膜の「その場」除去方法は、従来
からSiエピタキシャル成長プロセスにおける最も重要
な工程とされてきたが、この自然酸化膜除去方法は、微
細化の進展する今後のLSI製造プロセスにおいても決
定的な重要性を持ち始めている。一方、LSI製造プロ
セスでは、デバイスが損傷を受けるのを防止するため
に、同時に低温化が追及されるべきであり、この点に十
分配慮をした自然酸化膜除去プロセスが開発されなけれ
ばならない。
を完全に除去した後、外気に触れることなく成膜等以後
の処理を行う自然酸化膜の「その場」除去方法は、従来
からSiエピタキシャル成長プロセスにおける最も重要
な工程とされてきたが、この自然酸化膜除去方法は、微
細化の進展する今後のLSI製造プロセスにおいても決
定的な重要性を持ち始めている。一方、LSI製造プロ
セスでは、デバイスが損傷を受けるのを防止するため
に、同時に低温化が追及されるべきであり、この点に十
分配慮をした自然酸化膜除去プロセスが開発されなけれ
ばならない。
【0003】従来のSiエピタキシャルプロセスにおけ
る自然酸化膜除去方法としては、水素ベーク法が賞用さ
れている。しかし、この方法では、確実な自然酸化膜の
除去効果は、およそ950℃以上でしか認められず、現
状のLSI製造プロセスにおいてさえ許容することがで
きない。また、上述した低温化の切札として、HF(フ
ッ化水素)蒸気によるエッチング法が期待されている
が、原理的に処理後の半導体表面へのフッ素の残留は不
可避であり、さらに、酸化膜パターン部分の不要な過剰
エッチングの制御の問題も解決されなければならない。
さらに、高温が不要の物理的除去法として、Ar等によ
るスパッタエッチング法があるが、この場合は、スパッ
タダメージの問題と、微細なパターン部分で除去効果が
喪失するという問題点があった。
る自然酸化膜除去方法としては、水素ベーク法が賞用さ
れている。しかし、この方法では、確実な自然酸化膜の
除去効果は、およそ950℃以上でしか認められず、現
状のLSI製造プロセスにおいてさえ許容することがで
きない。また、上述した低温化の切札として、HF(フ
ッ化水素)蒸気によるエッチング法が期待されている
が、原理的に処理後の半導体表面へのフッ素の残留は不
可避であり、さらに、酸化膜パターン部分の不要な過剰
エッチングの制御の問題も解決されなければならない。
さらに、高温が不要の物理的除去法として、Ar等によ
るスパッタエッチング法があるが、この場合は、スパッ
タダメージの問題と、微細なパターン部分で除去効果が
喪失するという問題点があった。
【0004】上述した種々の自然酸化膜除去方法のう
ち、水素ベークによる自然酸化膜除去の低温化を目的と
して、最近、シラン類を極微量添加した水素ベーク法が
注目され、報告が相次いでいる。ここで、水素ベーク法
による自然酸化膜除去の機構を述べる。この場合に重要
なことは、水素は次の(1)式で与えられるような自然酸
化膜を直接還元するのではなく、(2)式で示されるよう
な水素雰囲気を提供したり、触媒としての作用の方が大
きいと考えられていることである。
ち、水素ベークによる自然酸化膜除去の低温化を目的と
して、最近、シラン類を極微量添加した水素ベーク法が
注目され、報告が相次いでいる。ここで、水素ベーク法
による自然酸化膜除去の機構を述べる。この場合に重要
なことは、水素は次の(1)式で与えられるような自然酸
化膜を直接還元するのではなく、(2)式で示されるよう
な水素雰囲気を提供したり、触媒としての作用の方が大
きいと考えられていることである。
【0005】
【化1】
【0006】すなわち、水素は、一般に考えられるよう
に直接に自然酸化膜を還元除去するのではなく単に還元
的な雰囲気を与えるだけであり、自然酸化膜(Si
O2)は、より還元性の強い(基板)シリコンによって
還元され、揮発性のSiOになることで蒸発除去される
のである。このような機構に基づき、水素ベーク法によ
る自然酸化膜除去の低温化を目的として、極微量のシラ
ン類、例えばモノシラン(SiH4)、ジシラン(Si2
H6)等のガスを添加して水素ベークが行われている。
に直接に自然酸化膜を還元除去するのではなく単に還元
的な雰囲気を与えるだけであり、自然酸化膜(Si
O2)は、より還元性の強い(基板)シリコンによって
還元され、揮発性のSiOになることで蒸発除去される
のである。このような機構に基づき、水素ベーク法によ
る自然酸化膜除去の低温化を目的として、極微量のシラ
ン類、例えばモノシラン(SiH4)、ジシラン(Si2
H6)等のガスを添加して水素ベークが行われている。
【0007】この方法は、上記(2)式における自然酸化
膜の還元剤として、基板シリコンに加え、極微量添加さ
れたSiH4やSi2H6が熱分解して発生する極めて還
元性に富むSiHn(シリルラジカル;n=1〜3)
と、同時に自然酸化膜上に発生する極微量のシリコン核
(種、seed)とを利用するものである。すなわち、
気相又は基板表面上で発生したSiHn及び自然酸化膜
上に発生した極微量のシリコン核により、次の(3)式及
び(4)式に示すような機構によっても、自然酸化膜が還
元、蒸発除去される。
膜の還元剤として、基板シリコンに加え、極微量添加さ
れたSiH4やSi2H6が熱分解して発生する極めて還
元性に富むSiHn(シリルラジカル;n=1〜3)
と、同時に自然酸化膜上に発生する極微量のシリコン核
(種、seed)とを利用するものである。すなわち、
気相又は基板表面上で発生したSiHn及び自然酸化膜
上に発生した極微量のシリコン核により、次の(3)式及
び(4)式に示すような機構によっても、自然酸化膜が還
元、蒸発除去される。
【0008】
【化2】
【0009】この方法を用いることにより、単純な水素
ベークに比べ、同等の自然酸化膜除去効果がおよそ10
0℃〜150℃低い温度、すなわち800℃〜850℃
程度の温度でも得られている。この方法において重要な
ことは、添加するシラン類ガスの濃度を実質的なシリコ
ン堆積が起こらないように、十分に希薄にすることであ
る。すなわち、もしシラン類ガスの添加量が過剰で濃度
が高すぎる場合には、シリコン核の発生が過剰になり、
結果として上記(3)式及び(4)式の機構により自然酸化
膜が除去されるよりは自然酸化膜上にシリコンが堆積す
る状態となる。換言すれば、添加するシラン類ガスはそ
の濃度によりシリコンの堆積用のソースガスにもなり
(これが一般的な用途である)、一方、シリコン酸化膜
のエッチングガスにもなるが、自然酸化膜の除去は後者
の性質を利用したものである。このような用途としての
シラン類ガスの添加量は、実際には数ppmから数十p
pmの濃度が一般的である。
ベークに比べ、同等の自然酸化膜除去効果がおよそ10
0℃〜150℃低い温度、すなわち800℃〜850℃
程度の温度でも得られている。この方法において重要な
ことは、添加するシラン類ガスの濃度を実質的なシリコ
ン堆積が起こらないように、十分に希薄にすることであ
る。すなわち、もしシラン類ガスの添加量が過剰で濃度
が高すぎる場合には、シリコン核の発生が過剰になり、
結果として上記(3)式及び(4)式の機構により自然酸化
膜が除去されるよりは自然酸化膜上にシリコンが堆積す
る状態となる。換言すれば、添加するシラン類ガスはそ
の濃度によりシリコンの堆積用のソースガスにもなり
(これが一般的な用途である)、一方、シリコン酸化膜
のエッチングガスにもなるが、自然酸化膜の除去は後者
の性質を利用したものである。このような用途としての
シラン類ガスの添加量は、実際には数ppmから数十p
pmの濃度が一般的である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上述したようなシリコ
ン自然酸化膜の「その場」除去方法では、シラン類ガス
を添加して熱分解を行うため、水素ベークの低温化に有
効であるが、それでもなお800℃〜850℃程度の温
度が必要であり、LSIプロセスへの適用にはさらに一
層の低温化が要求されているという問題点があった。こ
の発明は、このような問題点を解決するためになされた
もので、従来のシラン類ガスの添加による水素ベークよ
りもさらに低温で自然酸化膜の除去が可能であり、LS
Iプロセスへも適用することができるシリコン自然酸化
膜の「その場」除去方法及びその装置を得ることを目的
とする。
ン自然酸化膜の「その場」除去方法では、シラン類ガス
を添加して熱分解を行うため、水素ベークの低温化に有
効であるが、それでもなお800℃〜850℃程度の温
度が必要であり、LSIプロセスへの適用にはさらに一
層の低温化が要求されているという問題点があった。こ
の発明は、このような問題点を解決するためになされた
もので、従来のシラン類ガスの添加による水素ベークよ
りもさらに低温で自然酸化膜の除去が可能であり、LS
Iプロセスへも適用することができるシリコン自然酸化
膜の「その場」除去方法及びその装置を得ることを目的
とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第1項
に係るシリコン自然酸化膜の「その場」除去方法は、極
微量のシラン類ガスを添加した水素雰囲気中で、このシ
ラン類ガスを光化学分解する波長の光を照射しながら、
以後の処理直前のシリコン基板を加熱処理するものであ
る。
に係るシリコン自然酸化膜の「その場」除去方法は、極
微量のシラン類ガスを添加した水素雰囲気中で、このシ
ラン類ガスを光化学分解する波長の光を照射しながら、
以後の処理直前のシリコン基板を加熱処理するものであ
る。
【0012】この発明の請求項第2項に係るシリコン自
然酸化膜の「その場」除去装置は、シリコン基板が内部
に配置され、極微量のシラン類ガスが添加された水素ガ
スが供給されるチャンバに設けられ、かつ、このチャン
バ外部に設けられた光源からの光をチャンバ内に入射す
る光入射窓を、上記シリコン基板の加熱処理温度と同程
度以上に加熱して、以後の処理直前のシリコン基板を加
熱処理するものである。
然酸化膜の「その場」除去装置は、シリコン基板が内部
に配置され、極微量のシラン類ガスが添加された水素ガ
スが供給されるチャンバに設けられ、かつ、このチャン
バ外部に設けられた光源からの光をチャンバ内に入射す
る光入射窓を、上記シリコン基板の加熱処理温度と同程
度以上に加熱して、以後の処理直前のシリコン基板を加
熱処理するものである。
【0013】
【作用】この発明の請求項第1項においては、温度と無
関係にSiHnラジカルとシリコン核を供給できる光化
学分解を採用することによって、極微量シラン類ガス添
加水素ベーク法における有効下限温度の一層の低温化を
図ったものである。
関係にSiHnラジカルとシリコン核を供給できる光化
学分解を採用することによって、極微量シラン類ガス添
加水素ベーク法における有効下限温度の一層の低温化を
図ったものである。
【0014】この発明の請求項第2項においては、光入
射窓をシリコン基板の加熱温度と同程度以上に加熱する
ので、光入射窓に膜堆積が起こるのを防止し、入射光が
阻害されるのを回避できる。
射窓をシリコン基板の加熱温度と同程度以上に加熱する
ので、光入射窓に膜堆積が起こるのを防止し、入射光が
阻害されるのを回避できる。
【0015】
【実施例】従来の極微量シラン類ガスを添加した水素ベ
ーク法において、ある程度の低温化が達成できるのは、
上述のように、熱分解して発生するSiHnラジカル
と、臨界核以下の大きさのシリコンの自然酸化膜還元効
果によるものであるが、この熱分解効率が従来法の適用
下限温度を決めていた要因の一つであった。そこで、こ
の発明では、温度と無関係に上記SiHnラジカルとシ
リコン核を供給できる光化学分解を採用することによっ
て、極微量シラン類ガス添加水素ベーク法における有効
下限温度の一層の低温化を達成したものである。また、
この発明の特徴は、添加シラン類ガスの濃度を極微量と
することで、この添加シラン類ガスを通常の用途である
シリコンの堆積に用いるのではなく、逆に酸化シリコン
膜のエッチング除去に用いることにある。
ーク法において、ある程度の低温化が達成できるのは、
上述のように、熱分解して発生するSiHnラジカル
と、臨界核以下の大きさのシリコンの自然酸化膜還元効
果によるものであるが、この熱分解効率が従来法の適用
下限温度を決めていた要因の一つであった。そこで、こ
の発明では、温度と無関係に上記SiHnラジカルとシ
リコン核を供給できる光化学分解を採用することによっ
て、極微量シラン類ガス添加水素ベーク法における有効
下限温度の一層の低温化を達成したものである。また、
この発明の特徴は、添加シラン類ガスの濃度を極微量と
することで、この添加シラン類ガスを通常の用途である
シリコンの堆積に用いるのではなく、逆に酸化シリコン
膜のエッチング除去に用いることにある。
【0016】図1は、この発明の一実施例によるシリコ
ン自然酸化膜の「その場」除去装置を示す概略構成図で
ある。図において、自然酸化膜の「その場」除去室1内
には、加熱装置2aを備えた基板支持台2に載置された
シリコン基板3が収容されている。また、除去室1に
は、極微量のシラン類ガスが添加された水素ガスを供給
するガス供給管4及び除去室1内を排気する真空排気管
5が設けられている。さらに、除去室1の外部には、シ
ラン類ガスを光化学分解する光を発生する光源6が設け
られている。この光源6は、シラン類ガスを光化学分解
する放射線波長を有するものであれば、レーザでもラン
プでもよく、例えばArFエキシマレーザ(例えば19
30Å)、低圧水銀ランプ(例えば2537Å、184
9Å)又は重水素ランプ等が好適に使用できる。
ン自然酸化膜の「その場」除去装置を示す概略構成図で
ある。図において、自然酸化膜の「その場」除去室1内
には、加熱装置2aを備えた基板支持台2に載置された
シリコン基板3が収容されている。また、除去室1に
は、極微量のシラン類ガスが添加された水素ガスを供給
するガス供給管4及び除去室1内を排気する真空排気管
5が設けられている。さらに、除去室1の外部には、シ
ラン類ガスを光化学分解する光を発生する光源6が設け
られている。この光源6は、シラン類ガスを光化学分解
する放射線波長を有するものであれば、レーザでもラン
プでもよく、例えばArFエキシマレーザ(例えば19
30Å)、低圧水銀ランプ(例えば2537Å、184
9Å)又は重水素ランプ等が好適に使用できる。
【0017】光源6からの光は、例えば石英で造られた
光入射窓7を介して除去室1内のシリコン基板3に照射
される。この光入射窓7は、加熱装置8によりシリコン
基板3と同程度又はそれ以上の温度に加熱されている。
除去室1には、ゲートバルブ9を介して成膜室10が隣
接して配置されている。この成膜室10は、除去室1で
自然酸化膜が除去されたシリコン基板3を、外気に接触
することなく気密下でゲートバルブ9を通過し、成膜室
10内に搬送され、シリコン基板3の成膜処理を行うも
のである。成膜室10内には、加熱装置11aを備えシ
リコン基板3を載置する基板支持台11が配置され、成
膜反応用ガスを成膜室10内に供給する成膜反応用のガ
ス供給管12、及び成膜室10内を真空排気する真空排
気管13が設けられている。
光入射窓7を介して除去室1内のシリコン基板3に照射
される。この光入射窓7は、加熱装置8によりシリコン
基板3と同程度又はそれ以上の温度に加熱されている。
除去室1には、ゲートバルブ9を介して成膜室10が隣
接して配置されている。この成膜室10は、除去室1で
自然酸化膜が除去されたシリコン基板3を、外気に接触
することなく気密下でゲートバルブ9を通過し、成膜室
10内に搬送され、シリコン基板3の成膜処理を行うも
のである。成膜室10内には、加熱装置11aを備えシ
リコン基板3を載置する基板支持台11が配置され、成
膜反応用ガスを成膜室10内に供給する成膜反応用のガ
ス供給管12、及び成膜室10内を真空排気する真空排
気管13が設けられている。
【0018】上述したように構成された自然酸化膜の
「その場」除去装置においては、まず、除去室1内を真
空排気管13を介して図示しない真空排気手段により真
空排気した後、1ppm〜100ppm程度の極微量の
シラン類ガスが添加された水素ガスをガス供給管4から
除去室1内に供給する。加熱手段2a及び8によりそれ
ぞれシリコン基板3及び光入射窓7を500℃〜600
℃程度に加熱する。シリコン基板3と同程度の温度に加
熱された光入射窓7を介して、シラン類ガスを光化学分
解する波長の光を光源6から除去室1内のシリコン基板
3に照射する。従来に比べてより低温に加熱されたシリ
コン基板3は、極微量シラン類ガスの添加された水素ガ
ス中で光照射を受けながら、ベークされてシリコン基板
3表面の自然酸化膜が除去される。
「その場」除去装置においては、まず、除去室1内を真
空排気管13を介して図示しない真空排気手段により真
空排気した後、1ppm〜100ppm程度の極微量の
シラン類ガスが添加された水素ガスをガス供給管4から
除去室1内に供給する。加熱手段2a及び8によりそれ
ぞれシリコン基板3及び光入射窓7を500℃〜600
℃程度に加熱する。シリコン基板3と同程度の温度に加
熱された光入射窓7を介して、シラン類ガスを光化学分
解する波長の光を光源6から除去室1内のシリコン基板
3に照射する。従来に比べてより低温に加熱されたシリ
コン基板3は、極微量シラン類ガスの添加された水素ガ
ス中で光照射を受けながら、ベークされてシリコン基板
3表面の自然酸化膜が除去される。
【0019】この時、光入射窓7はシリコン基板3の加
熱処理温度と同程度以上の温度に加熱されているため、
光入射窓7に堆積しようとするシリコンは、上記(4)式
に類似する機構によりSiOに変換されて蒸発し、結果
として光入射窓7は清浄なままに保持されることにな
る。このように、従来の光エネルギーを利用するプロセ
スにおいて最も厄介な問題の一つであった光入射窓7へ
の膜堆積に起因する励起光入射の阻害は、光入射窓7を
上述のように加熱することにより完全に回避することが
できる。
熱処理温度と同程度以上の温度に加熱されているため、
光入射窓7に堆積しようとするシリコンは、上記(4)式
に類似する機構によりSiOに変換されて蒸発し、結果
として光入射窓7は清浄なままに保持されることにな
る。このように、従来の光エネルギーを利用するプロセ
スにおいて最も厄介な問題の一つであった光入射窓7へ
の膜堆積に起因する励起光入射の阻害は、光入射窓7を
上述のように加熱することにより完全に回避することが
できる。
【0020】自然酸化膜が除去されたシリコン基板3
は、外気に触れることなくゲートバルブ9を介して成膜
室10に搬送される。この成膜室10内は、予め真空排
気管13による真空排気した後、成膜反応用ガスがガス
供給管12から供給されている。基板支持台11に載置
されたシリコン基板3は、所定の成膜処理が行われる。
は、外気に触れることなくゲートバルブ9を介して成膜
室10に搬送される。この成膜室10内は、予め真空排
気管13による真空排気した後、成膜反応用ガスがガス
供給管12から供給されている。基板支持台11に載置
されたシリコン基板3は、所定の成膜処理が行われる。
【0021】なお、上述した実施例における成膜室10
での成膜処理は、光化学反応的に実施する必要はなく、
熱CVDやプラズマCVDその他の処理方法であっても
よい。また、自然酸化膜除去以後の工程では、成膜以外
の種々の処理を行うことができる。
での成膜処理は、光化学反応的に実施する必要はなく、
熱CVDやプラズマCVDその他の処理方法であっても
よい。また、自然酸化膜除去以後の工程では、成膜以外
の種々の処理を行うことができる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の請求項
第1項に係る発明は、極微量のシラン類ガスを添加した
水素雰囲気中で、このシラン類ガスの光化学分解する波
長の光を照射しながら、以後の処理直前のシリコン基板
を加熱処理するので、ベークによるシリコン自然酸化膜
の「その場」除去に必要な温度を大幅に低下させること
ができ、LSIプロセスへも適用可能であるという効果
を奏する。
第1項に係る発明は、極微量のシラン類ガスを添加した
水素雰囲気中で、このシラン類ガスの光化学分解する波
長の光を照射しながら、以後の処理直前のシリコン基板
を加熱処理するので、ベークによるシリコン自然酸化膜
の「その場」除去に必要な温度を大幅に低下させること
ができ、LSIプロセスへも適用可能であるという効果
を奏する。
【0023】この発明の請求項第2項に係る発明は、シ
リコン基板が内部に配置され、極微量のシラン類ガスが
添加された水素ガスが供給されるチャンバに設けられ、
かつ、このチャンバ外部に設けられた光源からの光をチ
ャンバ内に入射する光入射窓を、上記シリコン基板の加
熱処理温度と同程度以上に加熱して、以後の処理直前の
シリコン基板を加熱処理するので、光入射窓に膜堆積が
起こるのを防止し、入射光が阻害されるのを回避できる
という効果を奏する。
リコン基板が内部に配置され、極微量のシラン類ガスが
添加された水素ガスが供給されるチャンバに設けられ、
かつ、このチャンバ外部に設けられた光源からの光をチ
ャンバ内に入射する光入射窓を、上記シリコン基板の加
熱処理温度と同程度以上に加熱して、以後の処理直前の
シリコン基板を加熱処理するので、光入射窓に膜堆積が
起こるのを防止し、入射光が阻害されるのを回避できる
という効果を奏する。
【図1】この発明の一実施例によるシリコン自然酸化膜
の「その場」除去装置を示す概略構成図である。
の「その場」除去装置を示す概略構成図である。
1 除去室 2、11 基板支持台 2a、8、11a 加熱装置 3 シリコン基板 4、12 ガス供給管 5、13 真空排気管 6 光源 7 光入射窓 9 ゲートバルブ 10 成膜室 12 ガス供給管
Claims (2)
- 【請求項1】 極微量のシラン類ガスを添加した水素雰
囲気中で、このシラン類ガスを光化学分解する波長の光
を照射しながら、以後の処理直前のシリコン基板を加熱
処理することを特徴とするシリコン自然酸化膜の「その
場」除去方法。 - 【請求項2】 シリコン基板が内部に配置され、極微量
のシラン類ガスが添加された水素ガスが供給されるチャ
ンバに設けられ、かつ、このチャンバ外部に設けられた
光源からの光をチャンバ内に入射する光入射窓を、上記
シリコン基板の加熱処理温度と同程度以上に加熱して、
以後の処理直前のシリコン基板を加熱処理することを特
徴とするシリコン自然酸化膜の「その場」除去装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11159192A JPH05308064A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | シリコン自然酸化膜の「その場」除去方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11159192A JPH05308064A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | シリコン自然酸化膜の「その場」除去方法及びその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05308064A true JPH05308064A (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=14565250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11159192A Pending JPH05308064A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | シリコン自然酸化膜の「その場」除去方法及びその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05308064A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07147267A (ja) * | 1993-11-24 | 1995-06-06 | Nec Corp | 微細配線形成装置 |
JPH07176627A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-04-30 JP JP11159192A patent/JPH05308064A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07147267A (ja) * | 1993-11-24 | 1995-06-06 | Nec Corp | 微細配線形成装置 |
JPH07176627A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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