JPH05300000A - Ecl level output circuit and ecl/dcfl level conversion input circuit and semiconductor integrated circuit device - Google Patents
Ecl level output circuit and ecl/dcfl level conversion input circuit and semiconductor integrated circuit deviceInfo
- Publication number
- JPH05300000A JPH05300000A JP4223900A JP22390092A JPH05300000A JP H05300000 A JPH05300000 A JP H05300000A JP 4223900 A JP4223900 A JP 4223900A JP 22390092 A JP22390092 A JP 22390092A JP H05300000 A JPH05300000 A JP H05300000A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- effect transistor
- type field
- field effect
- side power
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電界効果トランジスタ
を用いたＥＣＬレベル出力回路およびＥＣＬ／ＤＣＦＬ
レベル変換入力回路ならびに半導体集積回路装置に関す
るもので、特に、ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴを用いた集積回
路装置に適用することを目的とする。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ECL level output circuit and ECL / DCFL using field effect transistors.
The present invention relates to a level conversion input circuit and a semiconductor integrated circuit device, and is particularly intended to be applied to an integrated circuit device using GaAs MESFET.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、超高速信号伝送、大容量情報処理
の分野で、化合物半導体（例えばＧａＡｓ）の電界効果
トランジスタ（例えばＭＥＳＦＥＴ）を用いた大規模集
積回路装置（以後、ＬＳＩと略す）の開発が活発化して
いる。しかしながら、超高速信号伝送、大容量情報処理
の分野では、従来よりＥＣＬ(Emitter Coupled Logic)
によるＬＳＩが主流であったため、ＧａＡｓによるＬＳ
ＩもＥＣＬレベルによる入出力インタフェースレベルが
要求される。ＥＣＬレベルはＥＣＬ回路の特性から、Ｈ
ＩＧＨレベルは−０．９Ｖ、ＬＯＷレベルは−１．７Ｖ
となる。ＧａＡｓによるＬＳＩにおいては、基本回路に
ＳＣＦＬ(Soure Coupled FET Logic) 回路を採用した場
合には、比較的簡単にＥＣＬレベルが得られるが、消費
電力の点で優れるＤＣＦＬ(Direct Coupled FET Logic)
回路を基本回路とした場合には、以下に述べる問題点が
あった。2. Description of the Related Art In recent years, in the fields of ultrahigh-speed signal transmission and large-capacity information processing, large-scale integrated circuit devices (hereinafter abbreviated as LSI) using field effect transistors (for example, MESFET) made of compound semiconductors (for example, GaAs) have been developed. Development is becoming active. However, in the field of ultra-high-speed signal transmission and large-capacity information processing, ECL (Emitter Coupled Logic) has been used in the past.
Since LSI by LS was the mainstream, LS by GaAs
I also requires an input / output interface level based on the ECL level. ECL level is H from the characteristics of ECL circuit.
IGH level is -0.9V, LOW level is -1.7V
Becomes In GaAs LSI, DCFL (Direct Coupled FET Logic) is superior in power consumption, although ECL level can be obtained relatively easily when SCFL (Soure Coupled FET Logic) circuit is adopted as the basic circuit.
When the circuit is a basic circuit, there are the following problems.
【０００３】図９に、従来のＤＣＦＬ回路におけるＥＣ
Ｌレベル出力回路を示す。図９において、出力回路は、
スイッチング素子として動作するエンハンスメント型電
界効果トランジスタ１、負荷素子として動作するデプレ
ッション型電界効果トランジスタ２とで論理動作部分が
構成され、前記論理動作部分の出力を受け、出力トラン
ジスタとして動作するデプレッション型電界効果トラン
ジスタ３とレベルシフト動作を行うダイオード８とで出
力部が構成される。なお、１０は入力端子、１１は出力
端子、１２は高電位側電源（電位は、例えばＧＮＤ）、
１３は低電位側電源（電位は、例えばＶSS）であり、Ｖ
OL、ＶOHは出力電圧を示す。また、出力端子１１に接続
されるＥＣＬ回路は省略されている。FIG. 9 shows an EC in a conventional DCFL circuit.
An L level output circuit is shown. In FIG. 9, the output circuit is
A depletion type field effect transistor which operates as a switching element and a depletion type field effect transistor 2 which operates as a load element constitutes a logic operation portion, receives the output of the logic operation portion and operates as an output transistor. The output part is composed of the transistor 3 and the diode 8 that performs the level shift operation. In addition, 10 is an input terminal, 11 is an output terminal, 12 is a high potential side power source (potential is, for example, GND),
Reference numeral 13 denotes a low potential side power source (potential is, for example, V SS )
OL and V OH indicate the output voltage. Further, the ECL circuit connected to the output terminal 11 is omitted.
【０００４】図９の従来例は、次のように動作する。出
力回路への入力端子１０にＨＩＧＨレベルの信号（論理
“１”とする）が印加されると、トランジスタ１は導通
状態になり論理動作部分の出力はＬＯＷとなり、低電位
側電源１３に対して０．１〜０．２Ｖだけ高い電圧にな
り、トランジスタ３のゲート電極に印加される。トラン
ジスタ３はデプレッション型なので、ゲート・ソース間
電圧ＶGSは−０．１Ｖ程度（ソース電位はゲート電位よ
り０．１Ｖ程度高い）となり、ダイオード８でレベルシ
フトされるので、出力端子１１には低電位側電源１３と
同じ電位の出力ＬＯＷレベルの出力電圧ＶOLが出る。低
電位側電源１３の電圧ＶSSは通常−２．０Ｖなので、出
力電圧ＶOLは−２．０Ｖになる。The conventional example of FIG. 9 operates as follows. When a HIGH level signal (logic "1") is applied to the input terminal 10 to the output circuit, the transistor 1 becomes conductive and the output of the logic operation portion becomes LOW, so that the low potential side power supply 13 is supplied. The voltage becomes higher by 0.1 to 0.2 V and is applied to the gate electrode of the transistor 3. Since the transistor 3 is a depletion type, the gate-source voltage V GS becomes about -0.1 V (the source potential is higher than the gate potential by about 0.1 V), and the level is shifted by the diode 8, so that the output terminal 11 has a low voltage. An output LOW level output voltage V OL having the same potential as that of the potential-side power supply 13 is output. Since the voltage V SS of the low-potential-side power supply 13 is normally -2.0V, the output voltage V OL becomes -2.0V.
【０００５】上記動作とは逆に入力端子１０にＬＯＷレ
ベル（論理“０”とする）が印加されると、トランジス
タ１は非導通状態になり、論理動作部分の出力はＨＩＧ
Ｈとなり、ほぼ高電位側電源１２と同じ電位ＧＮＤにな
る。今度はトランジスタ３では殆どレベルシフトされず
にダイオード８で約０．７５Ｖレベルシフトされ、出力
端子１１には電位ＧＮＤから０．７５Ｖ低い−０．７５
Ｖの電位の出力ＨＩＧＨレベル（ＶOH）が出る。On the contrary to the above operation, when a LOW level (logic "0") is applied to the input terminal 10, the transistor 1 becomes non-conductive, and the output of the logic operation portion becomes HIG.
It becomes H, and becomes the same potential GND as the power source 12 on the high potential side. This time, the level of the transistor 3 is hardly shifted and the level of the diode 8 is shifted by about 0.75V, and the output terminal 11 is 0.75V lower than the potential GND by -0.75.
The output HIGH level (V OH ) of the potential of V appears.
【０００６】図１０に、従来のＤＣＦＬ回路におけるＥ
ＣＬ／ＤＣＬＦレベル変換入力回路を示す。図１０にお
いて、入力回路は、対になるスイッチング素子として動
作するエンハンスメント型電界効果型トランジスタ５
１，５３、負荷素子として動作するデプレッション型電
界効果型トランジスタ５２，５４とで作動増幅部をな
し、この作動増幅部と定電流源トランジスタ５５とで論
理動作部分が構成され、上記論理動作部分の出力を受
け、出力トランジスタとして動作するデプレッション型
電界効果型トランジスタ５６と出力定電流源トランジス
タ５７とで出力部が構成される。３０は入力端子、３１
は出力端子、ＲＥＦは基準入力である。FIG. 10 shows E in the conventional DCFL circuit.
A CL / DCLF level conversion input circuit is shown. In FIG. 10, the input circuit is an enhancement type field effect transistor 5 that operates as a pair of switching elements.
1, 53 and the depletion type field effect transistors 52 and 54 that operate as load elements form an operation amplification section, and the operation amplification section and the constant current source transistor 55 form a logic operation section. The depletion type field effect transistor 56 which receives an output and operates as an output transistor and the output constant current source transistor 57 constitute an output section. 30 is an input terminal, 31
Is an output terminal, and REF is a reference input.
【０００７】この従来例は、次のように動作する。すな
わち所望の論理しきい値（ＥＣＬレベル入力の場合には
約１．３Ｖ）を基準入力ＲＥＦに与えることにより、こ
の回路は所望の論理レベルにしたがって動作し、トラン
ジスタ５６，５７で構成される出力部でレベルシフトさ
れＧａＡｓＤＣＦＬレベルに変換される。This conventional example operates as follows. That is, by applying a desired logic threshold value (about 1.3 V in the case of ECL level input) to the reference input REF, this circuit operates according to the desired logic level and the output formed by the transistors 56 and 57 is output. It is level-shifted at the part and converted to the GaAsDCFL level.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、図
９に示す従来のＣＥＬレベル出力回路では、出力電圧Ｖ
OHは−０．７５Ｖ、出力電圧ＶOLは−２．０Ｖとなり、
本来のＥＣＬレベルであるＶOHは−０．９Ｖ、ＶOLは−
１．７Ｖとは異なった値になってしまう。ＶOLが正規の
値より低いのは大きな問題にならないが、ＶOHが高めに
出るのは問題である。これは正規の値より高いレベルを
ＥＣＬ回路に入力すると、入力トランジスタがサチュレ
ーション（少数キャリアの飽和現象）を起こしてしま
い、動作速度が数倍〜数十倍低下し、正常な動作が期待
できなくなるからである。この他に従来の回路構成では
出力用のトランジスタ３に直列にレベルシフトのダイオ
ード８が接続されるために出力インピーダンスが高くな
ってしまい、出力立ち上がり特性が悪くなるという欠点
があった。As described above, in the conventional CEL level output circuit shown in FIG. 9, the output voltage V
OH is -0.75V, the output voltage V OL is -2.0V, and the
The original ECL level, V OH, is -0.9 V and V OL is-
The value will be different from 1.7V. It is not a big problem that V OL is lower than the normal value, but it is a problem that V OH is higher. This is because when a level higher than the normal value is input to the ECL circuit, the input transistor causes saturation (saturation phenomenon of minority carriers), the operating speed decreases several to several tens of times, and normal operation cannot be expected. Because. In addition to this, in the conventional circuit configuration, since the level shift diode 8 is connected in series to the output transistor 3, the output impedance becomes high and the output rising characteristic deteriorates.
【０００９】また、従来の図１０に示すＥＣＬ／ＤＣＦ
Ｌレベル変換入力回路は、上記したように動作するが以
下に述べる問題点がある。すなわち、本ＥＣＬ／ＤＣＦ
Ｌレベル変換入力回路は、作動増幅器を用いた回路構成
になっている。しかしながら、本回路を用いるのはＤＣ
ＦＬ回路を用いた集積回路装置であり、同一の集積回路
装置の中に異なった動作原理の論理回路が混在すること
になる。このような論理回路の混在があると、プロセス
パラメータが変動したときにそれぞれの形式の論理回路
が異なった特性の変動を示すため、プロセスパラメータ
変動に対して弱い回路になる。The conventional ECL / DCF shown in FIG.
The L level conversion input circuit operates as described above, but has the following problems. That is, this ECL / DCF
The L level conversion input circuit has a circuit configuration using an operational amplifier. However, this circuit uses DC
This is an integrated circuit device using the FL circuit, and logic circuits having different operating principles are mixed in the same integrated circuit device. When such logic circuits coexist, the logic circuits of the respective types exhibit different characteristic fluctuations when the process parameters fluctuate, so that the circuits become weak against the process parameter fluctuations.
【００１０】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、特にＨＩＧＨレベルがＥＣＬレ
ベルに合致した出力レベルを出すことができ、さらに、
出力インピーダンスの上昇を防ぎ出力立ち上がり特性の
悪化がないＥＣＬレベル出力回路を得ることおよびプロ
セスパラメータ変動に対して強い耐性を持つ集積回路装
置を実現するために、基本的にＤＣＦＬ回路に準じた回
路構成を用いたＥＣＬ／ＤＣＦＬレベル変換入力回路を
得ることを目的とする。なお、以下請求項１〜８に対応
させて第１〜第８の発明という。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and in particular, an output level in which the HIGH level matches the ECL level can be output.
In order to obtain an ECL level output circuit that prevents the output impedance from rising and that the output rising characteristic does not deteriorate, and to realize an integrated circuit device that has strong resistance to process parameter variations, a circuit configuration basically conforming to the DCFL circuit It is an object to obtain an ECL / DCFL level conversion input circuit using the. The first to eighth inventions will be referred to as the first to eighth inventions.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明に係
るＥＣＬレベル出力回路は、ソース電極が低電位側電源
に接続され、ゲート電極が入力端子に接続されたエンハ
ンスメント型電界効果トランジスタ（ｎ型ＧａＡｓＭＥ
ＳＦＥＴ）と、ソース電極とゲート電極とが前記エンハ
ンスメント型電界効果トランジスタのドレイン電極に共
通接続されたデプレッション型電界効果トランジスタ
と、前記デプレッション型電界効果トランジスタのドレ
イン電極と高電位側電源の間に接続された定電圧手段
と、前記デプレッション型電界効果トランジスタのドレ
イン電極と前記低電位電源との間に接続され、前記定電
圧手段にバイアス電流を流す定電流手段と、ゲート電極
が前記エンハンスメント型電界効果トランジスタのドレ
イン電極に接続され、ドレイン電極が前記高電位側電源
に接続され、ソース電極が出力端子に接続されたデプレ
ッション型電界効果トランジスタとで構成される。In an ECL level output circuit according to a first aspect of the present invention, an enhancement type field effect transistor having a source electrode connected to a low potential side power source and a gate electrode connected to an input terminal ( n-type GaAsME
SFET), a depletion type field effect transistor having a source electrode and a gate electrode commonly connected to a drain electrode of the enhancement type field effect transistor, and a drain electrode of the depletion type field effect transistor and a high potential side power supply. Constant voltage means, a drain electrode of the depletion type field effect transistor and the low potential power source, a constant current means for supplying a bias current to the constant voltage means, and a gate electrode for the enhancement type field effect. The depletion type field effect transistor is connected to the drain electrode of the transistor, the drain electrode is connected to the high potential side power source, and the source electrode is connected to the output terminal.
【００１２】第２の発明に係るＥＣＬレベル出力回路
は、ソース電極が低電位側電源に接続され、ゲート電極
が入力端子に接続されたエンハンスメント型電界効果ト
ランジスタと、ソース電極とゲート電極とが前記エンハ
ンスメント型電界効果トランジスタのドレイン電極に共
通接続されたデプレッション型電界効果トランジスタ
と、前記デプレッション型電界効果トランジスタのドレ
イン電極と高電位側電源の間に接続された定電圧手段
と、前記エンハンスメント型電界効果トランジスタのド
レイン電極と前記低電位側電源との間に接続された前記
定電圧手段にバイアス電流を流す定電流手段と、ゲート
電極が前記エンハンスメント型電界効果トランジスタの
ドレイン電極に接続され、ドレイン電極が前記高電位側
電源に接続され、ソース電極が出力端子に接続されたデ
プレッション型電界効果トランジスタとで構成される。In the ECL level output circuit according to the second invention, an enhancement type field effect transistor having a source electrode connected to a low potential side power source and a gate electrode connected to an input terminal, and the source electrode and the gate electrode are the above-mentioned. A depletion type field effect transistor commonly connected to a drain electrode of the enhancement type field effect transistor, a constant voltage means connected between the drain electrode of the depletion type field effect transistor and a high potential side power source, and the enhancement type field effect. A constant current means for supplying a bias current to the constant voltage means connected between the drain electrode of the transistor and the low potential side power supply, and a gate electrode connected to the drain electrode of the enhancement-type field effect transistor, and the drain electrode is Connected to the high-potential side power source, source Pole constituted by the connected depletion type field effect transistor to the output terminal.
【００１３】第３の発明に係るＥＣＬレベル出力回路
は、ソース電極が低電位側電源に接続され、ゲート電極
が入力端子に接続されたエンハンスメント型電界効果ト
ランジスタと、ソース電極とゲート電極とが前記エンハ
ンスメント型電界効果トランジスタのドレイン電極に共
通接続され、ドレイン電極が高電位側電源に接続された
デプレッション型電界効果トランジスタと、前記エンハ
ンスメント型電界効果トランジスタのドレイン電極と前
記低電位側電源との間に接続されデプレッション型電界
効果トランジスタにバイアス電流を流す定電流手段と、
ゲート電極が前記エンハンスメント型電界効果トランジ
スタのドレイン電極に接続され、ドレイン電極が前記高
電位側電源に接続され、ソース電極が出力端子に接続さ
れたエンハンスメント型電界効果型トランジスタとで構
成される。An ECL level output circuit according to a third aspect of the present invention is an enhancement-type field effect transistor having a source electrode connected to a low potential side power source and a gate electrode connected to an input terminal, and a source electrode and a gate electrode. Between a depletion type field effect transistor commonly connected to the drain electrode of the enhancement type field effect transistor and having a drain electrode connected to the high potential side power source, and between the drain electrode of the enhancement type field effect transistor and the low potential side power source. Constant current means connected to flow a bias current to the depletion type field effect transistor,
The enhancement type field effect transistor has a gate electrode connected to the drain electrode of the enhancement type field effect transistor, a drain electrode connected to the high potential side power source, and a source electrode connected to an output terminal.
【００１４】第４の発明に係るＥＣＬ／ＤＣＦＬレベル
変換入力回路は、ドレイン電極を高電位側電源に接続
し、ソース電極とゲート電極とを共通接続したデプレッ
ション型電界効果型トランジスタと、ドレイン電極をデ
プレッション型電界効果型トランジスタのソース電極に
接続し、ゲート電極を入力端子に接続したエンハンスメ
ント型電界効果型トランジスタと、一端をエンハンスメ
ント型電界効果トランジスタのソース電極に接続し、他
端を低電位側電源に接続した抵抗素子と、アノードを高
電位側電源に接続したダイオードと、このダイオードの
カソードにアノードを接続したダイオードと、このダイ
オードのカソードに一端を接続し、他端をエンハンスメ
ント型電界効果型トランジスタのソース電極に接続した
抵抗素子と、ゲート電極をエンハンスメント型電界効果
型トランジスタのドレイン電極に接続し、ドレイン電極
を高電位側電源に接続し、ソース電極を出力端子とした
デプレッション型電界効果型トランジスタと、ドレイン
電極を出力に接続し、ソース電極とゲート電極とを低電
位側電源端子に共通接続したデプレッション型電界効果
型トランジスタとからなるものである。In the ECL / DCFL level conversion input circuit according to the fourth aspect of the present invention, the drain electrode is connected to the high potential side power source, and the depletion type field effect transistor in which the source electrode and the gate electrode are commonly connected and the drain electrode are connected. An enhancement-type field-effect transistor in which the source electrode of a depletion-type field-effect transistor is connected and a gate electrode is connected to the input terminal, and one end is connected to the source electrode of the enhancement-type field-effect transistor and the other end is a low-potential-side power supply To the high-potential-side power source, a diode having its anode connected to the high-potential side power supply, a diode having its anode connected to the cathode, and one end of this diode's cathode connected to the other end of which is an enhancement-type field-effect transistor. Resistance element connected to the source electrode of The pole is connected to the drain electrode of the enhancement-type field-effect transistor, the drain electrode is connected to the high-potential-side power supply, the depletion-type field-effect transistor whose source electrode is the output terminal, and the drain electrode is connected to the output. The depletion-type field effect transistor has an electrode and a gate electrode commonly connected to a low-potential-side power supply terminal.
【００１５】第５の発明に係るＥＣＬ／ＤＣＦＬレベル
変換入力回路は、ドレイン電極を高電位側電源に接続
し、ソース電極とゲート電極とを共通接続したデプレッ
ション型電界効果型トランジスタと、ドレイン電極をデ
プレッション型電界効果型トランジスタのソース電極に
接続し、ゲート電極を入力端子に接続したエンハンスメ
ント型電界効果型トランジスタと、一端を前記エンハン
スメント型電界効果型トランジスタのソース電極に接続
し、他端を低電位側電源に接続した抵抗素子と、一端を
高電位側電源に接続した抵抗素子と、この抵抗素子の他
端にアノードを接続し、カソードを低電位側電源に接続
したダイオードと、抵抗素子の他端に一端を接続し、他
端をエンハンスメント型電界効果型トランジスタのソー
ス電極に接続した抵抗素子と、ゲート電極をエンハンス
メント型電界効果型トランジスタのドレイン電極に接続
し、ドレイン電極を高電位側電源に接続し、ソース電極
を出力端子としたデプレッション型電界効果型トランジ
スタと、ドレイン電極を出力端子に接続し、ソース電極
とゲート電極とを低電位側電源に共通接続したデプレッ
ション型電界効果型トランジスタとからなるものであ
る。In the ECL / DCFL level conversion input circuit according to the fifth aspect of the present invention, the drain electrode is connected to the high potential side power source, and the depletion type field effect transistor in which the source electrode and the gate electrode are commonly connected and the drain electrode are connected. An enhancement type field effect transistor having a depletion type field effect transistor connected to the source electrode and a gate electrode connected to an input terminal, and one end connected to the enhancement type field effect transistor source electrode and the other end having a low potential. Side power supply, a resistance element whose one end is connected to the high potential side power supply, a diode whose anode is connected to the other end of this resistance element and whose cathode is connected to the low potential side power supply, and other resistance elements. One end is connected to the other end, and the other end is connected to the source electrode of the enhancement type field effect transistor. The device and the gate electrode are connected to the drain electrode of the enhancement type field effect transistor, the drain electrode is connected to the high potential side power source, and the depletion type field effect transistor with the source electrode as the output terminal and the drain electrode as the output terminal And a depletion type field effect transistor in which a source electrode and a gate electrode are commonly connected to a low potential side power source.
【００１６】第６の発明に係るＥＣＬ／ＤＣＦＬレベル
変換入力回路は、ドレイン電極を高電位側電源に接続
し、ソース電極とゲート電極とを共通接続したデプレッ
ション型電界効果型トランジスタと、ドレイン電極をデ
プレッション型電界効果型トランジスタのソース電極に
接続し、ゲート電極を入力端子に接続したエンハンスメ
ント型電界効果型トランジスタと、一端をエンハンスメ
ント型電界効果型トランジスタのソース電極に接続し、
他端を低電位側電源に接続した抵抗素子と、アノードを
高電位側電源に接続したダイオードと、このダイオード
のカソードにアノードを接続したダイオードと、このダ
イオードのカソードに一端を接続した抵抗素子と、ゲー
ト電極を抵抗素子の他端に接続し、ドレイン電極を高電
位側電源に接続し、ソース電極をエンハンスメント型電
界効果型トランジスタのソース電極に接続したデプレッ
ション型電界効果型トランジスタと、一端をこのデプレ
ッション型電界効果型トランジスタのゲート電極に接続
し、他端を低電位側電源に接続した抵抗素子と、ゲート
電極をエンハンスメント型電界効果型トランジスタのド
レイン電極に接続し、ドレイン電極を高電位側電源に接
続し、ソース電極を出力端子としたデプレッション型電
界効果型トランジスタと、ドレイン電極を出力端子に接
続し、ソース電極とゲート電極とを低電位側電源に共通
接続したデプレッション型電界効果型トランジスタとか
らなものである。In the ECL / DCFL level conversion input circuit according to the sixth aspect of the present invention, the drain electrode is connected to the high-potential side power source, and the depletion type field effect transistor in which the source electrode and the gate electrode are commonly connected and the drain electrode are connected. Connected to the source electrode of the depletion type field effect transistor and the enhancement type field effect transistor in which the gate electrode is connected to the input terminal, and one end is connected to the source electrode of the enhancement type field effect transistor,
A resistance element whose other end is connected to the low potential side power supply, a diode whose anode is connected to the high potential side power supply, a diode whose anode is connected to the cathode of this diode, and a resistance element whose one end is connected to the cathode of this diode. , The gate electrode is connected to the other end of the resistance element, the drain electrode is connected to the high potential side power source, the source electrode is connected to the source electrode of the enhancement type field effect transistor, and one end is A resistance element connected to the gate electrode of the depletion type field effect transistor and the other end connected to the low potential side power source, and the gate electrode is connected to the drain electrode of the enhancement type field effect transistor and the drain electrode is connected to the high potential side power source. Depletion-type field-effect transistor with source electrode as output terminal Motor and connects the drain electrode to the output terminal is such a depletion type field effect transistor connected in common and the source electrode and the gate electrode to the low potential side power supply.
【００１７】第７の発明に係るＥＣＬ／ＤＣＦＬレベル
変換入力回路は、一端を入力端子に接続した抵抗素子
と、一端をこの抵抗素子の他端に接続し、他端を低電位
側電源に接続した抵抗素子と、ドレイン電極を高電位側
電源に接続し、ソース電極とゲート電極とを共通接続し
たデプレッション型電界効果型トランジスタと、ドレイ
ン電極をデプレッション型電界効果型トランジスタのソ
ース電極に接続し、ゲート電極を上記直列した抵抗素子
の接続部に接続し、ソース電極を低電位側電源に接続し
たエンハンスメント型電界効果トランジスタと、ゲート
電極をエンハンスメント型電界効果型トランジスタのド
レイン電極に接続し、ドレイン電極を高電位側電源に接
続し、ソース電極を出力端子としたデプレッション型電
界効果型トランジスタと、ドレイン電極を出力端子に接
続し、ソース電極とゲート電極とを低電位側電源に共通
接続したデプレッション型電界効果型トランジスタとか
らなるものである。An ECL / DCFL level conversion input circuit according to a seventh aspect of the present invention is such that a resistance element having one end connected to an input terminal, one end connected to the other end of the resistance element, and the other end connected to a low potential side power source. The resistance element and the drain electrode are connected to the high-potential side power source, the depletion type field effect transistor in which the source electrode and the gate electrode are commonly connected, and the drain electrode are connected to the source electrode of the depletion type field effect transistor, An enhancement type field effect transistor in which a gate electrode is connected to the connection portion of the series resistance elements, a source electrode is connected to a low potential side power source, and a gate electrode is connected to a drain electrode of the enhancement type field effect transistor, and a drain electrode Is connected to the high-potential side power supply and the source electrode is the output terminal If, connect the drain electrode to the output terminal, it is made of a depletion type field effect transistor connected in common and the source electrode and the gate electrode to the low potential side power supply.
【００１８】第８の発明に係る半導体集積回路装置は、
ドレイン電極を高電位側電源に接続し、ソース電極を仮
想グランドに接続したデプレッション型電界効果型トラ
ンジスタと、一端を前記デプレッション型電界効果型ト
ランジスタのソース電極に接続し、他端を低電位側電源
に接続した抵抗素子と、アノードを高電位側電源に接続
したダイオードと、このダイオードのカソードにアノー
ドを接続したダイオードと、このダイオードのカソード
に一端を接続し、他端を上記デプレッション型電界効果
型トランジスタのゲート電極に接続した抵抗素子と、一
端を上記デプレッション型電界効果型トランジスタのゲ
ート電極に接続し、他端を低電位側電源に接続した抵抗
素子とで仮想グランド発生回路を構成し、仮想グランド
と電源の間に、入力バッファ回路，内部ゲート回路，出
力バッファ回路を接続して構成したものである。A semiconductor integrated circuit device according to the eighth invention is
A depletion type field effect transistor in which the drain electrode is connected to a high potential side power source and a source electrode is connected to a virtual ground, and one end is connected to the source electrode of the depletion type field effect transistor and the other end is a low potential side power source. Connected to the resistor, a diode whose anode is connected to the high-potential side power supply, a diode whose anode is connected to the cathode of this diode, and one end of which is connected to the cathode of this diode, and the other end of which is the depletion type field effect type A resistance element connected to the gate electrode of the transistor and a resistance element having one end connected to the gate electrode of the depletion-type field effect transistor and the other end connected to the low-potential-side power supply constitute a virtual ground generation circuit. Connect the input buffer circuit, internal gate circuit, and output buffer circuit between the ground and the power supply. It is constructed by connection to.
【００１９】[0019]
【作用】第１の発明においては、定電流手段により、定
電圧手段に一定値のバイアス電流を流すことにより、イ
ンバータの負荷として用いられているデプレッション型
電界効果トランジスタのドレインとグランド端子との間
に所望の電圧降下を生じせしめ、出力レベルをＥＣＬレ
ベルに合致させる。さらに、出力ダイオードを省略でき
るので、出力インピーダンスの上昇を抑制することがで
きる。In the first aspect of the present invention, the constant current means causes a constant value of bias current to flow through the constant voltage means, so that the drain and the ground terminal of the depletion type field effect transistor used as the load of the inverter are connected. To produce the desired voltage drop and to match the output level to the ECL level. Furthermore, since the output diode can be omitted, it is possible to suppress an increase in output impedance.
【００２０】第２の発明においては、定電流手段によ
り、定電圧手段とインバータの負荷として用いられてい
るデプレッション型電界効果トランジスタとに一定値の
バイアス電流を流すことにより、上記デプレッション型
電界効果トランジスタのソースとグランド端子との間に
所望の電圧降下を生じせしめ、出力レベルをＥＣＬレベ
ルに合致させる。さらに、出力ダイオードを省略できる
ので、出力インピーダンスの上昇を抑制することができ
る。In the second aspect of the invention, the depletion type field effect transistor is provided by causing a constant current means to flow a constant value of bias current through the constant voltage means and the depletion type field effect transistor used as a load of the inverter. Causes a desired voltage drop between the source and the ground terminal to match the output level to the ECL level. Furthermore, since the output diode can be omitted, it is possible to suppress an increase in output impedance.
【００２１】第３の発明においては、定電流手段によ
り、インバータの負荷として用いられているデプレッシ
ョン型電界効果トランジスタに一定値のバイアス電流を
流すことにより、上記デプレッション型電界効果トラン
ジスタのソースとグランド端子との間に所望の電圧降下
を生じせしめ、出力レベルをＥＣＬレベルに合致させ
る。さらに、出力ダイオードを省略できるので、出力イ
ンピーダンスの上昇を抑制することができる。In the third aspect of the invention, the constant current means causes a bias current of a constant value to flow through the depletion type field effect transistor used as the load of the inverter, whereby the source and ground terminal of the depletion type field effect transistor. To produce the desired voltage drop and to bring the output level to match the ECL level. Furthermore, since the output diode can be omitted, it is possible to suppress an increase in output impedance.
【００２２】第４の発明においては、ダイオードと抵抗
素子からなる定電圧手段により発生させた一定電圧部に
入力用のエンハンスメント型電界効果トランジスタのソ
ース電極を接続することによりＥＣＬ／ＤＣＦＬレベル
変換する入力回路を構成することができる。さらに、定
電圧手段を高電位側電源より、ダイオード２段と抵抗素
子とを接続して構成したことにより、特に高電位側電源
に対して温度特性の優れた定電圧を発生させることがで
きる。In the fourth aspect of the invention, the input for enhancing the ECL / DCFL level is connected by connecting the source electrode of the enhancement type field effect transistor for input to the constant voltage portion generated by the constant voltage means consisting of the diode and the resistance element. A circuit can be constructed. Further, since the constant voltage means is constituted by connecting the two-stage diode and the resistance element from the high potential side power source, it is possible to generate a constant voltage having excellent temperature characteristics especially to the high potential side power source.
【００２３】第５の発明において、抵抗素子からなる定
電圧手段により発生させた一定電圧部に入力用のエンハ
ンスメント型電界効果トランジスタのソース電極を接続
することによりＥＣＬ／ＤＣＦＬレベル変換する入力回
路を構成することができる。さらに、定電圧手段を低電
位側電源よりダイオードを用いてクランプする構成にす
ることにより、特に低電位側電源に対して温度特性の優
れた定電圧を発生させることができる。In the fifth invention, an input circuit for ECL / DCFL level conversion is constructed by connecting a source electrode of an enhancement type field effect transistor for input to a constant voltage part generated by a constant voltage means composed of a resistance element. can do. Further, by arranging the constant voltage means to clamp the low potential side power source using a diode, it is possible to generate a constant voltage having excellent temperature characteristics especially to the low potential side power source.
【００２４】第６の発明においては、ダイオードと抵抗
素子からなる定電圧手段により発生させた一定電圧部に
入力用のエンハンスメント型電界効果トランジスタのソ
ース電極を接続することによりＥＣＬ／ＤＣＦＬレベル
変換する入力回路を構成することができる。さらに、定
電圧手段の出力をディプレッション型電界効果トランジ
スタを用いて構成することにより、特に安定した定電圧
を発生させることができる。In the sixth aspect of the invention, the input for enhancing the ECL / DCFL level is connected by connecting the source electrode of the enhancement type field effect transistor for input to the constant voltage portion generated by the constant voltage means composed of the diode and the resistance element. A circuit can be constructed. Furthermore, by constructing the output of the constant voltage means using a depletion type field effect transistor, a particularly stable constant voltage can be generated.
【００２５】第７の発明においては、入力電位を抵抗分
割によりレベルシフトすることによりＥＣＬ／ＤＣＦＬ
レベル変換する入力回路を構成することができる。In the seventh invention, the ECL / DCFL is level-shifted by resistance division of the input potential.
An input circuit for level conversion can be configured.
【００２６】第８の発明においては、仮想グランド発生
回路により発生させた仮想グランドレベルに、集積回路
装置内の他の回路を接地することによりＥＣＬ／ＤＣＦ
Ｌレベル変換可能な半導体集積回路装置を構成すること
ができる。According to the eighth aspect of the invention, the ECL / DCF is grounded by grounding the other circuit in the integrated circuit device to the virtual ground level generated by the virtual ground generating circuit.
A semiconductor integrated circuit device capable of L level conversion can be configured.
【００２７】[0027]
【実施例】以下、この発明にかかる第１の発明のＥＣＬ
レベル出力回路の実施例を図１について説明する。図１
において、１はソース電極を低電位側電源１３に接続
し、ゲート電極を入力端子１０に接続したエンハンスメ
ント型電界効果トランジスタ（以下、単にトランジスタ
という。以下の他のトランジスタについても同様とす
る）、２はソース電極とゲート電極とを前記トランジス
タ１のドレイン電極に共通接続したデプレッション型電
界効果トランジスタ、４は前記トランジスタ２のドレイ
ン電極にカソードを接続したダイオード、５は上記ダイ
オード４のアノードに一端を接続し、他端を高電位側電
源１２に接続した抵抗素子、６は前記トランジスタ２の
ドレイン電極にアノードを接続したダイオード、７は上
記ダイオード６のカソードに一端を接続し、他端を低電
位側電源１３に接続したデプレッション型電界効果トラ
ンジスタ、３は前記トランジスタ２のソース電極にゲー
ト電極を接続し、ドレイン電極に高電位側電源１２を接
続し、ソース電極を出力端子１１に接続したデプレッシ
ョン型電界効果トランジスタである。上記トランジスタ
１，２で論理動作部部分を構成し、ダイオード４，抵抗
素子５で定電圧手段を構成し、ダイオード６，トランジ
スタ７で上記定電圧手段にバイアス電流を流す定電流手
段を構成する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The ECL of the first invention according to the present invention is described below.
An embodiment of the level output circuit will be described with reference to FIG. Figure 1
In FIG. 1, 1 is an enhancement-type field effect transistor (hereinafter, simply referred to as a transistor, the same applies to other transistors below) in which the source electrode is connected to the low-potential-side power supply 13 and the gate electrode is connected to the input terminal 10. Is a depletion-type field effect transistor in which the source electrode and the gate electrode are commonly connected to the drain electrode of the transistor 1, 4 is a diode whose cathode is connected to the drain electrode of the transistor 2, and 5 is one end of which is connected to the anode of the diode 4. And a resistor element having the other end connected to the high-potential side power source 12, 6 is a diode whose anode is connected to the drain electrode of the transistor 2, 7 is one end connected to the cathode of the diode 6, and the other end is the low potential side. The depletion type field effect transistor 3 connected to the power supply 13 is the transistor A gate electrode connected to the source electrode of Njisuta 2, connects the high potential side power supply 12 to the drain electrode, a depletion type field effect transistor connected to the source electrode to the output terminal 11. The transistors 1 and 2 compose a logic operation part, the diode 4 and the resistance element 5 compose constant voltage means, and the diodes 6 and transistor 7 compose constant current means for supplying a bias current to the constant voltage means.
【００２８】次に、本実施例の動作について説明する。
入力端子１０にＨＩＧＨレベルの信号が印加されると、
トランジスタ１は導通状態になり論理動作部分の出力は
ＬＯＷとなり、低電位側電源１３から０．１〜０．２Ｖ
だけ高い電圧になり、トランジスタ３のゲート電極に印
加される。トランジスタ３で−０．１Ｖ程度レベルシフ
トされ、出力端子１１には低電位側電源１３の電圧ＶSS
から０．２〜０．３Ｖだけ高い電圧の出力ＬＯＷレベル
（ＶOL）が出る。電圧ＶSSは通常−０．２Ｖなので、出
力電圧ＶOLは−１．７〜−１．８Ｖになり、ほぼ所望の
ＥＣＬレベルの出力電圧ＶOLになる。Next, the operation of this embodiment will be described.
When a HIGH level signal is applied to the input terminal 10,
The transistor 1 becomes conductive, the output of the logic operation part becomes LOW, and the low-potential side power source 13 outputs 0.1 to 0.2V.
Becomes a high voltage and is applied to the gate electrode of the transistor 3. The level is shifted by about -0.1 V by the transistor 3, and the voltage V SS of the low potential side power source 13 is applied to the output terminal 11.
Output LOW level of from 0.2~0.3V only high voltage (V OL) comes out. Since the voltage V SS is normally -0.2 V, the output voltage V OL is -1.7 to -1.8 V, which is an almost desired ECL level output voltage V OL .
【００２９】入力端子１０にＬＯＷレベルの信号が印加
されると、トランジスタ１は非導通状態になり論理動作
部分の出力はＨＩＧＨとなる。このとき、ダイオード
６，トランジスタ７で構成される定電流手段により、ダ
イオード４，抵抗素子５からなる定電圧手段にバイアス
電流が流され、一定電圧の電圧降下があるために、前記
論理動作部分の出力は従来例で述べた値より低下する。
ここでは、抵抗素子５で０．３Ｖ、ダイオード４で０．
７５Ｖ、合計０．９５Ｖの電圧降下が得られるように各
素子の値を設定している。論理動作部分の出力は、トラ
ンジスタ３のゲート電極に入力され−０．１Ｖのレベル
シフトを受け、出力端子１１には−０．８５Ｖの出力Ｈ
ＩＧＨレベル（ＶOH）が得られ、ＥＣＬレベルと一致す
る。When a LOW level signal is applied to the input terminal 10, the transistor 1 becomes non-conductive and the output of the logic operation portion becomes HIGH. At this time, the bias current is caused to flow through the constant voltage means composed of the diode 4 and the resistance element 5 by the constant current means composed of the diode 6 and the transistor 7, and there is a voltage drop of a constant voltage. The output is lower than the value described in the conventional example.
Here, the resistance element 5 is 0.3 V, and the diode 4 is 0.
The value of each element is set so that a voltage drop of 75V, 0.95V in total, can be obtained. The output of the logic operation portion is input to the gate electrode of the transistor 3 and undergoes a level shift of -0.1V, and the output terminal 11 outputs the output H of -0.85V.
The IGH level (V OH ) is obtained and matches the ECL level.
【００３０】以上述べたように、本実施例によれば、Ｅ
ＣＬレベルに合致した出力レベルを出すことができる。
さらに、出力用のトランジスタ３のソースが直接出力端
子１１となるので、レベルシフトダイオードによる出力
インピーダンスの上昇がなく、そのため、出力立ち上が
り特性の悪化がないＥＣＬレベル出力回路を得ることが
できる。As described above, according to this embodiment, E
An output level that matches the CL level can be output.
Furthermore, since the source of the output transistor 3 directly serves as the output terminal 11, there is no increase in the output impedance due to the level shift diode, so that it is possible to obtain an ECL level output circuit without deterioration of the output rising characteristic.
【００３１】次に、この発明にかかる第２の発明のＥＣ
Ｌレベル出力回路の実施例を図２について説明する。な
お、実施例１の内容と重複する部分については適宜説明
を省略する。図２においては、図１と次の点が異なって
いる。定電圧手段がダイオード４のみで構成されている
ことと、定電流手段が論理動作部分の出力と低電位側電
源１３間に接続されていることである。Next, the EC of the second invention according to the present invention
An embodiment of the L level output circuit will be described with reference to FIG. It should be noted that the description of the same parts as those of the first embodiment will be omitted as appropriate. 2 differs from FIG. 1 in the following points. The constant voltage means is composed only of the diode 4, and the constant current means is connected between the output of the logic operation part and the low potential side power supply 13.
【００３２】次に、本実施例の動作について説明する。
入力端子１０にＨＩＧＨレベルの信号が印加された時は
図１の実施例と同じ動作をし、出力電圧ＶOLＬは−１．
７〜−１．８Ｖになり、ほぼ所望のＥＣＬレベルにな
る。入力端子１０にＬＯＷレベルの信号が印加される
と、トランジスタ１は非導通状態になり論理動作部分の
出力はＨＩＧＨとなる。このとき、ダイオード６，トラ
ンジスタ７で構成される定電流手段により、定電圧手段
であるダイオード４と負荷であるトランジスタ２，７に
バイアス電流が流され一定電圧の電圧降下がある。ここ
では、ダイオード４で０．７５Ｖ、トランジスタ２で
０．３Ｖ、合計０．９５Ｖの電圧降下が得られるように
バイアス電流値を設定している。論理動作部分の出力
は、トランジスタ３のゲート電極に入力され−０．１Ｖ
のレベルシフトを受け、出力端子１１には−０．８５Ｖ
の出力ＨＩＧＨレベル（ＶOH）が得られ、ＥＣＬレベル
と一致する。Next, the operation of this embodiment will be described.
When a HIGH level signal is applied to the input terminal 10, the same operation as in the embodiment of FIG. 1 is performed, and the output voltage VOL L is -1.
It becomes 7 to -1.8V, which is almost the desired ECL level. When a LOW level signal is applied to the input terminal 10, the transistor 1 becomes non-conductive, and the output of the logic operation portion becomes HIGH. At this time, the bias current is caused to flow through the diode 4 which is the constant voltage means and the transistors 2 and 7 which are the loads by the constant current means composed of the diode 6 and the transistor 7, and there is a constant voltage drop. Here, the bias current value is set so as to obtain a voltage drop of 0.75 V in the diode 4 and 0.3 V in the transistor 2, which is a total of 0.95 V. The output of the logic operation part is input to the gate electrode of the transistor 3 and is -0.1V.
-0.85V at output terminal 11
Output HIGH level (V OH ) is obtained, which coincides with the ECL level.
【００３３】以上述べたように、本実施例によれば、Ｅ
ＣＬレベルに合致した出力レベルを出すことができる。
さらに、出力用のトランジスタ３のソース電極が直接出
力端子１１となるので、レベルシフトダイオードによる
出力インピーダンスの上昇がなく、そのため、出力立ち
上がり特性の悪化がないＥＣＬレベル出力回路を得るこ
とができる。本実施例は図１の実施例と比べて、少ない
素子数で実現できることができる半面、論理動作部分の
出力に定電流手段を接続するために、動作速度が損なわ
れるという欠点がある。As described above, according to this embodiment, E
An output level that matches the CL level can be output.
Further, since the source electrode of the output transistor 3 directly serves as the output terminal 11, the output impedance does not increase due to the level shift diode, and therefore, the ECL level output circuit without deterioration of the output rising characteristic can be obtained. Compared with the embodiment of FIG. 1, this embodiment can be realized with a smaller number of elements, but has the drawback that the operating speed is impaired because the constant current means is connected to the output of the logic operation part.
【００３４】次に、この発明にかかる第３の発明のＥＣ
Ｌレベル出力回路の実施例を図３について説明する。図
３においては、図２の定電圧手段のダイオード４が省略
され、出力用のトランジスタがエンハンスメント型電界
効果トランジスタ９に変更されている点が異なってい
る。本実施例の動作は入力端子１０にＨＩＧＨレベルの
信号が印加されたときは、図１の実施例とほぼ同じ動作
をするが、出力用のトランジスタ９がエンハンスメント
型なので、出力電圧ＶOLは−１．９Ｖになり、ほぼ所望
のＥＣＬレベルになる。入力端子１０にＬＯＷレベルの
信号が印加されると、トランジスタ１は非導通状態にな
り論理動作部分の出力はＨＩＧＨとなる。このとき、ダ
イオード６，トランジスタ７で構成される定電流手段に
より、負荷用のトランジスタ２にバイアス電流が流され
一定電圧の電圧降下が生ずる。ここでは、トランジスタ
２だけで０．２５Ｖの電圧降下が得られるようにバイア
ス電流値を設定している。論理動作部分の出力は、トラ
ンジスタ９のゲート電極に入力され０．６Ｖのレベルシ
フトを受け、出力端子１１には−０．８５Ｖの出力ＨＩ
ＧＨレベル（ＶOH）が得られ、ＥＣＬレベルと一致す
る。Next, the EC of the third invention according to the present invention
An embodiment of the L level output circuit will be described with reference to FIG. In FIG. 3, the diode 4 of the constant voltage means of FIG. 2 is omitted, and the output transistor is changed to an enhancement-type field effect transistor 9. The operation of this embodiment is almost the same as that of the embodiment of FIG. 1 when a HIGH level signal is applied to the input terminal 10, but since the output transistor 9 is the enhancement type, the output voltage V OL is − It becomes 1.9V, which is almost the desired ECL level. When a LOW level signal is applied to the input terminal 10, the transistor 1 becomes non-conductive, and the output of the logic operation portion becomes HIGH. At this time, the constant current means composed of the diode 6 and the transistor 7 causes a bias current to flow through the load transistor 2, causing a constant voltage drop. Here, the bias current value is set so that the voltage drop of 0.25 V can be obtained only by the transistor 2. The output of the logic operation portion is input to the gate electrode of the transistor 9 and level-shifted by 0.6V, and the output terminal 11 outputs the output HI of -0.85V.
The GH level (V OH ) is obtained and is consistent with the ECL level.
【００３５】以上述べたように、本実施例によれば、Ｅ
ＣＬレベルに合致した出力レベルを出すことができる。
さらに、出力用のトランジスタ９のソース電極が直接出
力端子１１となるので、レベルシフトダイオードによる
出力インピーダンスの上昇がなく、そのため、出力立ち
上がり特性の悪化がないＥＣＬレベル出力回路を得るこ
とができる。本実施例は図１の実施例と比べて、少ない
素子数で実現できることができる半面、論理動作部分の
出力に定電流手段を接続するために、動作速度が損なわ
れるという欠点がある。また、図２の実施例と比べて
も、少ない素子数で実現することができる半面、出力用
のトランジスタとしてエンハンスメント型電界効果トラ
ンジスタ９を用いているので、デプレッション型の同じ
駆動力を得ようとするとトランジスタサイズが大きくな
るという欠点がある。As described above, according to this embodiment, E
An output level that matches the CL level can be output.
Furthermore, since the source electrode of the output transistor 9 directly serves as the output terminal 11, the output impedance does not increase due to the level shift diode, and therefore, the ECL level output circuit without deterioration of the output rising characteristic can be obtained. Compared with the embodiment of FIG. 1, this embodiment can be realized with a smaller number of elements, but has the drawback that the operating speed is impaired because the constant current means is connected to the output of the logic operation part. Also, compared with the embodiment of FIG. 2, the enhancement type field effect transistor 9 is used as an output transistor, while it can be realized with a smaller number of elements, so that the same depletion type driving force can be obtained. Then, there is a drawback that the transistor size becomes large.
【００３６】なお、各実施例において説明した定電圧手
段，定電流手段については他の構成でも可能である。例
えば定電流手段について言えば、抵抗素子で構成する，
トランジスタのみで構成する，抵抗素子とトランジスタ
の組み合わせで構成する。さらに、トランジスタのゲー
ト電極に定電流コントロール信号を印加するなどの方法
が可能である。また、各実施例の説明において、ＧａＡ
ｓＭＥＳＦＥＴのｎ−ｃｈ型トランジスタの例を示した
が、ｐ型トランジスタによる構成、Ｓｉ，ＩｎＰ等、他
の材料を用いた構成、さらに、ＨＥＭＴ，ＭＩＳＦＥ
Ｔ，ＲＨＥＴ等、他の構造の素子を用いても実現可能で
ある。The constant voltage means and the constant current means described in each embodiment may have other configurations. For example, as for the constant current means, it is composed of a resistance element,
It is composed only of transistors, and is composed of a combination of resistance elements and transistors. Further, a method such as applying a constant current control signal to the gate electrode of the transistor is possible. In the description of each embodiment, GaA
An example of the n-ch type transistor of the sMESFET is shown, but a configuration using a p-type transistor, a configuration using another material such as Si, InP, HEMT, MISFE
It can also be realized by using an element having another structure such as T or RHET.
【００３７】次に、この発明にかかる第４の発明のＥＣ
Ｌ／ＤＣＦＬレベル変換入力回路の実施例を図４につい
て説明する。図４においては、エンハンスメント型電界
効果トランジスタ（以下、単にＦＥＴという）２１とデ
プレッション型電界効果トランジスタ（以下、単にＦＥ
Ｔという）２２で論理動作部分を構成し、デプレッショ
ン型電界効果トランジスタ（以下、単にＦＥＴという）
２３，２４で出力ソースフォロワ部分を構成し、ダイオ
ード２５，２６および抵抗素子２７，２８およびコンデ
ンサ２９で定電圧手段を構成する。なお、３０は入力端
子、３１は出力端子を示す。Next, the EC of the fourth invention according to the present invention
An embodiment of the L / DCFL level conversion input circuit will be described with reference to FIG. In FIG. 4, an enhancement type field effect transistor (hereinafter simply referred to as FET) 21 and a depletion type field effect transistor (hereinafter simply referred to as FE).
22) which constitutes a logic operation part, and is a depletion type field effect transistor (hereinafter, simply referred to as FET).
The output source follower portion is constituted by 23 and 24, and the constant voltage means is constituted by the diodes 25 and 26, the resistance elements 27 and 28 and the capacitor 29. In addition, 30 shows an input terminal and 31 shows an output terminal.
【００３８】次に、本実施例の動作について説明する。
入力端子３０に印加する電位にしたがって、論理動作部
分が動作し、この動作を受けて出力ソースフォロワ部分
から出力ＨＩＧＨの時約−１．３Ｖ、出力ＬＯＷの時約
−１．９５ＶのＤＣＦＬレベルに適合した出力レベルが
得られる。論理動作部分は、反転動作を行うので、ＦＥ
Ｔ２１のゲート，ソース間に０．２Ｖ程度の電位がかか
ったとき入力はＬＯＷレベルと認識し、出力はＨＩＧＨ
レベルとなり、０．７Ｖ程度の電位がかかったとき入力
はＨＩＧＨレベルと認識し、出力はＬＯＷレベルとな
り、この反転動作のしきい値は約０．４Ｖである（高電
位側電源１２をＧＮＤ，低電位側電源１３をＶＯとして
いることに注意）。ここで通常のＥＣＬレベルはＨＩＧ
Ｈが−０．９Ｖ，ＬＯＷが−１．７Ｖなので、何らかの
対策が必要である。すなわち、論理動作部分のスイッチ
ングトランジスタであるＦＥＴ２１のソース電極を直接
低電位側電源１３の電圧ＶSSに接続すると反転動作のし
きい値電圧は−１．６Ｖとなり、ＥＣＬレベルの反転動
作のしきい値−１．３Ｖと異なりＥＣＬレベルの論理信
号を入力することはできない。Next, the operation of this embodiment will be described.
The logic operation part operates according to the potential applied to the input terminal 30, and in response to this operation, the output source follower part changes to a DCFL level of about -1.3 V when the output is HIGH and about -1.95 V when the output is LOW. A suitable output level is obtained. Since the logic operation part performs the inversion operation, FE
When a potential of about 0.2 V is applied between the gate and source of T21, the input is recognized as LOW level and the output is HIGH.
When it reaches a level and a potential of about 0.7V is applied, the input is recognized as a HIGH level, the output becomes a LOW level, and the threshold value of this inverting operation is about 0.4V (the high potential side power source 12 is set to GND, Note that the low potential power supply 13 is VO). Here, the normal ECL level is HIG
Since H is -0.9V and LOW is -1.7V, some measure is necessary. That is, when the source electrode of the FET 21, which is a switching transistor in the logic operation part, is directly connected to the voltage V SS of the low-potential-side power supply 13, the threshold voltage of the inversion operation becomes −1.6 V, and the threshold for the inversion operation of the ECL level. Unlike the value -1.3V, an ECL level logic signal cannot be input.
【００３９】そこで、本発明のＥＣＬ／ＤＣＦＬレベル
変換入力回路においては、定電圧手段を設け、当該回路
により発生した定電圧にＦＥＴ２１のソース電極を接続
することにより、ＥＣＬ入力インタフェースを実現す
る。定電圧として約０．３Ｖを発生させることにより、
当該入力回路のしきい値電圧として−１．３Ｖが得ら
れ、ＥＣＬインタフェースを実現することができる。Therefore, in the ECL / DCFL level conversion input circuit of the present invention, the ECL input interface is realized by providing the constant voltage means and connecting the source electrode of the FET 21 to the constant voltage generated by the circuit. By generating about 0.3V as a constant voltage,
The threshold voltage of the input circuit is -1.3 V, and the ECL interface can be realized.
【００４０】本実施例において、定電圧手段は高電位側
電源１２の電位ＧＮＤからダイオード２５，２６を２段
直列接続したものに、低電位側電源１３の電圧ＶSSに対
し、抵抗素子２７，２８を２個直列した構成となってお
り、定電圧は直列接続した抵抗素子２７，２８の接続点
より取り出す。このような構成にしたのは、ＦＥＴ２１
の利得を下げないためである。ＦＥＴ２１の利得が低下
すると、論理”１”（ＨＩＧＨに対応）から論理”０”
（ＬＯＷに対応）に遷移する入力レベルの電圧幅が大き
くなり、ノイズマージンの低下を引き起す。In the present embodiment, the constant voltage means is composed of two stages of diodes 25, 26 connected in series from the potential GND of the high potential side power source 12 to the resistance element 27, for the voltage V SS of the low potential side power source 13. Two 28 are connected in series, and the constant voltage is taken out from the connection point of the resistance elements 27 and 28 connected in series. The FET 21 having such a configuration is
This is because the gain of is not reduced. When the gain of the FET 21 decreases, the logic "1" (corresponding to HIGH) changes to the logic "0".
The voltage width of the input level transitioning to (corresponding to LOW) becomes large, which causes a decrease in noise margin.
【００４１】ＦＥＴ２１の利得低下を引き起す要因は、
入力信号と同位相で、ソース電位が変動することであ
る。このソース電位の変動を最小限に抑えるために本回
路では、ダイオード２５，２６を２段直列接続すること
により分圧抵抗にかかる電圧を最小限にしている。例え
ば、この例ではＶSS＝−２．０Ｖとするとダイオード２
段の電圧降下＝１．５Ｖとなり抵抗素子２７，２８間に
は０．５Ｖだけかかることになる。The factors that cause the decrease in the gain of the FET 21 are
That is, the source potential varies in phase with the input signal. In order to minimize the fluctuation of the source potential, the voltage applied to the voltage dividing resistor is minimized in this circuit by connecting the diodes 25 and 26 in two stages in series. For example, in this example, if V SS = −2.0V, the diode 2
The voltage drop of the stage is 1.5V, and only 0.5V is applied between the resistance elements 27 and 28.
【００４２】逆にダイオード２５，２６が無い場合に
は、分圧用の抵抗素子２７，２８には電源電圧がそのま
ま印加され、本実施例の４倍である２．０Ｖが加わり、
定電圧動作は著しく阻害される。On the contrary, when the diodes 25 and 26 are not provided, the power supply voltage is directly applied to the voltage dividing resistance elements 27 and 28, and 2.0V, which is four times that of the present embodiment, is applied.
The constant voltage operation is significantly hindered.
【００４３】さらに、本実施例において特徴的なこと
は、発生する定電圧の温度依存性がＧＮＤ電位に対しト
ラッキングが良好であるという点である。ダイオードの
順方向電圧は温度の上昇とともに減少するが、本実施例
においてはＧＮＤ側に２段のダイオード２５，２６が接
続されているので、温度上昇に伴って発生する定電圧を
ＧＮＤ電位に対して上昇させることができる。Further, a characteristic of this embodiment is that the temperature dependence of the generated constant voltage has good tracking with respect to the GND potential. Although the forward voltage of the diode decreases as the temperature rises, in this embodiment, since the two-stage diodes 25 and 26 are connected to the GND side, the constant voltage generated with the temperature rise is compared with the GND potential. Can be raised.
【００４４】次に、本発明にかかる第５の発明のＥＣＬ
／ＤＣＦＬレベル変換入力回路の実施例を図５について
説明する。図５において、定電圧手段は直列接続された
抵抗素子３２，２７，２８と、抵抗素子２７，２８を電
源電圧ＶSSに対してクランブするように取り付けられた
ダイオード３３とで構成される。本発明のような構成に
することにより、電源電圧ＶSSに対して良好な温度依存
性を持たせることができる理由は、上述に準ずるので説
明はここでは省略する。Next, the ECL of the fifth invention according to the present invention
An embodiment of the / DCFL level conversion input circuit will be described with reference to FIG. In FIG. 5, the constant voltage means comprises resistance elements 32, 27 and 28 connected in series, and a diode 33 mounted so as to clamp the resistance elements 27 and 28 with respect to the power supply voltage V SS . The reason why the power supply voltage V SS can have good temperature dependence by the configuration as in the present invention is based on the above description, and therefore the description thereof is omitted here.
【００４５】次に、本発明にかかる第６の発明のＥＣＬ
／ＤＣＦＬレベル変換入力回路の実施例を図６について
説明する。図６の実施例の目的は、図４，図５の実施例
よりさらに発生する定電圧を安定化させ、入力スイッチ
ングトランジスタの利得の低下をより減少させることで
ある。この目的のため、図６の実施例の定電圧手段は、
図４の実施例の定電圧手段にデプレッション型電界効果
トランジスタ（以下、単にＦＥＴという）３８を付加し
て定電圧手段の出力インピーダンスを低下させている。Next, the ECL of the sixth invention according to the present invention
An embodiment of the / DCFL level conversion input circuit will be described with reference to FIG. The purpose of the embodiment of FIG. 6 is to stabilize the constant voltage generated more than that of the embodiments of FIGS. 4 and 5 and further reduce the decrease in the gain of the input switching transistor. To this end, the constant voltage means of the embodiment of FIG.
A depletion type field effect transistor (hereinafter simply referred to as FET) 38 is added to the constant voltage means of the embodiment of FIG. 4 to reduce the output impedance of the constant voltage means.
【００４６】さらに、ＦＥＴ３８のサイズとしきい値Ｖ
thの値を適当に選ぶことにより（０＞ＶGSとすることに
より）、抵抗素子３６と抵抗素子３７の接続点の電圧を
より高目に設定することができるようになり、ダイオー
ド３４，３５、抵抗素子３６，３７で構成される基準電
圧発生回路自体の安定性を向上させることができ、本発
明の定電圧の安定性はより向上する。Further, the size of the FET 38 and the threshold value V
By appropriately selecting the value of th (by setting 0> V GS ), the voltage at the connection point between the resistance element 36 and the resistance element 37 can be set higher, and the diodes 34 and 35 can be set. The stability of the reference voltage generating circuit itself including the resistance elements 36 and 37 can be improved, and the stability of the constant voltage of the present invention is further improved.
【００４７】なお、図６の実施例においては、図４の実
施例の定電圧手段にＦＥＴ３８を付加する構成を採った
が、図５の実施例において述べている定電圧手段に、Ｆ
ＥＴ３８に対応するトランジスタを付加した構成とし
も、本発明で述べた効果は同様である。Although the FET 38 is added to the constant voltage means of the embodiment of FIG. 4 in the embodiment of FIG. 6, the constant voltage means of the embodiment of FIG.
Even if a transistor corresponding to the ET38 is added, the effects described in the present invention are the same.
【００４８】次に、本発明にかかる第７の発明のＥＣＬ
／ＤＣＦＬレベル変換入力回路の実施例を図７について
説明する。図７において、ＥＣＬ／ＤＣＦＬレベル変換
入力回路は入力を抵抗分割することによりＥＣＬレベル
をＤＣＦＬレベルに変換し、その後は通常のソースフォ
ロワ付ＤＣＦＬゲートを付けている。前述した図４〜図
６の各実施例は、入力スイッチングトランジスタである
ＦＥＴ２１のソース電位を持ち上げてレベル変換してい
たのに対し、図７の実施例はＦＥＴ２１に入る前にレベ
ル変換を施している。図７で、３９はデプレッション型
電界効果トランジスタ、４０はエンハンスメント型電界
効果トランジスタ、４１，４２は抵抗素子を示す。Next, the ECL of the seventh invention according to the present invention
An embodiment of the / DCFL level conversion input circuit will be described with reference to FIG. In FIG. 7, the ECL / DCFL level conversion input circuit converts the ECL level to the DCFL level by dividing the input by resistors, and thereafter, a normal DCFL gate with a source follower is attached. In each of the above-described embodiments of FIGS. 4 to 6, the source potential of the FET 21 which is the input switching transistor is raised to perform the level conversion, whereas the embodiment of FIG. 7 performs the level conversion before entering the FET 21. There is. In FIG. 7, 39 is a depletion type field effect transistor, 40 is an enhancement type field effect transistor, and 41 and 42 are resistance elements.
【００４９】通常、超高速で動作する集積回路の入力部
分には５０Ωの終端抵抗が内蔵されているので、レベル
分割のために新たに抵抗を付加する必要がない。抵抗分
割でレベル変換するので、回路自体の利得が低下するの
で、上述した図４〜図６に示す実施例に対してノイズマ
ージンの点で劣るものの回路構成が簡単であるという利
点がある。Usually, since a 50Ω terminating resistor is built in the input portion of an integrated circuit which operates at a very high speed, it is not necessary to add a new resistor for level division. Since the level conversion is performed by resistance division, the gain of the circuit itself is reduced, so that there is an advantage that the circuit configuration is simple although the noise margin is inferior to the above-described embodiments shown in FIGS.
【００５０】次に、本発明にかかる第８の発明の半導体
集積回路装置の一実施例を図８について説明する。図４
〜図７に示す各実施例において、定電圧手段は、全ての
入力回路内に持っていたが、本発明においては、集積回
路内に独立の定電圧手段（仮想グランド発生回路１３
０）を設け、本回路によって発生される仮想グランドに
他の集積回路の要素が接続されている。本実施例では、
通常のＤＣＦＬ回路構成の入力バッファ回路１００，さ
まざまな信号処理を行う内部ゲート回路１１０，出力バ
ッファ回路１２０が仮想グランドレベルに接続されてい
る。このような構成にする利点は次の通りである。Next, an embodiment of the semiconductor integrated circuit device of the eighth invention according to the present invention will be described with reference to FIG. Figure 4
In each of the embodiments shown in FIG. 7, the constant voltage means is provided in all the input circuits, but in the present invention, the constant voltage means is independent in the integrated circuit (the virtual ground generating circuit 13).
0) is provided and the elements of other integrated circuits are connected to the virtual ground generated by this circuit. In this example,
An input buffer circuit 100 having a normal DCFL circuit configuration, an internal gate circuit 110 for performing various signal processes, and an output buffer circuit 120 are connected to a virtual ground level. The advantages of such a configuration are as follows.
【００５１】すなわち、定電圧手段自体の出力電圧安定
性は図６に示す実施例において、適当なレベルにするこ
とができるが、さらに集積回路全体に拡張することによ
り、仮想グランドレベルに大きな浮遊容量が付くことな
く、さらに、定電圧レベルの安定性が増すことが期待で
きる。That is, the output voltage stability of the constant voltage means itself can be set to an appropriate level in the embodiment shown in FIG. 6, but by further expanding the entire integrated circuit, a large stray capacitance at the virtual ground level is achieved. It is expected that the stability of the constant voltage level will be further increased without the occurrence of the mark.
【００５２】コンデンサ２９は図４〜図６の実施例中に
も見られるが、本実施例においては上述の理由で相当大
きな値（〜数十ｐＦ）になる。本発明は上述の利点の他
に次のような利点も併せ持つ。The capacitor 29 can be seen in the embodiments of FIGS. 4 to 6, but in this embodiment, it has a considerably large value (up to several tens of pF) for the reason described above. The present invention has the following advantages in addition to the advantages described above.
【００５３】１つは、仮想グランド発生回路１３０を集
積回路内に複数個持たせ、それらの仮想グランド発生回
路１３０の出力を相互にとることにより、個々の構成素
子の特性変動の影響を受けにくくすることができ、プロ
セス変動に強く、かつまた、複数個入力バッファがある
場合にはそれらの間の特性変動を最小限にすることがで
きる。First, by providing a plurality of virtual ground generation circuits 130 in an integrated circuit and mutually taking outputs of these virtual ground generation circuits 130, it is difficult to be influenced by the characteristic fluctuation of each constituent element. Therefore, it is resistant to process variations, and when there are a plurality of input buffers, characteristic variations among them can be minimized.
【００５４】他の利点は内部ゲート回路１１０内に特
に、大きな付加駆動能力を要する部分がある場合に、そ
の駆動ゲートのソースホロワをＶssに接地することによ
り格段に駆動能力を向上させることができ、高速動作に
寄与する。なお、本発明において仮想グランド発生回路
１３０を図６の実施例と同じ回路構成としたが、図４，
図５の実施例や他の回路構成を用いてもここで述べた発
明の効果はそこなわれるものではない。Another advantage is that when the internal gate circuit 110 has a portion requiring a large additional drive capability, the source follower of the drive gate can be grounded to V ss to significantly improve the drive capability. Contribute to high speed operation. In the present invention, the virtual ground generation circuit 130 has the same circuit configuration as that of the embodiment of FIG.
Even if the embodiment of FIG. 5 or another circuit configuration is used, the effects of the invention described here are not impaired.
【００５５】[0055]
【発明の効果】以上述べたように、本発明にかかる第１
の発明は、ソース電極が低電位側電源に接続され、ゲー
ト電極が入力端子に接続されたエンハンスメント型電界
効果トランジスタと、ソース電極とゲート電極とが前記
エンハンスメント型電界効果トランジスタのドレイン電
極に共通接続されたデプレッション型電界効果トランジ
スタと、前記デプレッション型電界効果トランジスタの
ドレイン電極と高電位側電源の間に接続された定電圧手
段と、前記デプレッション型電界効果トランジスタのド
レイン電極と前記低電位側電源との間に接続され、前記
定電圧手段にバイアス電流を流す定電流手段と、ゲート
電極が前記エンハンスメント型電界効果トランジスタの
ドレイン電極に接続され、ドレイン電極が前記高電位側
電源に接続され、ソース電極が出力端子に接続されたデ
プレッション型電界効果トランジスタとからなるもので
ある。As described above, the first aspect of the present invention
Of the invention, an enhancement type field effect transistor having a source electrode connected to a low potential side power source and a gate electrode connected to an input terminal, and a source electrode and a gate electrode commonly connected to a drain electrode of the enhancement type field effect transistor. Depletion type field effect transistor, constant voltage means connected between the drain electrode of the depletion type field effect transistor and the high potential side power source, the drain electrode of the depletion type field effect transistor and the low potential side power source, Constant current means for connecting a bias current to the constant voltage means, a gate electrode connected to the drain electrode of the enhancement type field effect transistor, a drain electrode connected to the high potential side power source, and a source electrode Is a depletion type It is made of the effect transistor.
【００５６】また、第２の発明は、ソース電極が低電位
側電源に接続され、ゲート電極が入力端子に接続された
エンハンスメント型電界効果トランジスタと、ソース電
極とゲート電極とが前記エンハンスメント型電界効果ト
ランジスタのドレイン電極に共通接続されたデプレッシ
ョン型電界効果トランジスタと、前記デプレッション型
電界効果トランジスタのドレイン電極と高電位側電源の
間に接続された定電圧手段と、前記エンハンスメント型
電界効果トランジスタのドレイン電極と前記低電位側電
源との間に接続された定電圧手段にバイアス電流を流す
定電流手段と、ゲート電極が前記エンハンスメント型電
界効果トランジスタのドレイン電極に接続され、ドレイ
ン電極が前記高電位側電源に接続され、ソース電極が出
力端子に接続されたデプレッション型電界効果トランジ
スタとからなるものである。A second aspect of the invention is an enhancement type field effect transistor having a source electrode connected to a low potential side power source and a gate electrode connected to an input terminal, and the enhancement type field effect transistor having a source electrode and a gate electrode. A depletion type field effect transistor commonly connected to a drain electrode of the transistor, a constant voltage means connected between the drain electrode of the depletion type field effect transistor and a high potential side power source, and a drain electrode of the enhancement type field effect transistor. Constant-current means for supplying a bias current to the constant-voltage means connected between the low-potential-side power supply and the constant-voltage means, the gate electrode is connected to the drain electrode of the enhancement-type field effect transistor, and the drain electrode is the high-potential-side power supply. The source electrode is connected to the output terminal It is made of a depletion type field effect transistor.
【００５７】さらに、第３の発明は、ソース電極が低電
位側電源に接続され、ゲート電極が入力端子に接続され
たエンハンスメント型電界効果トランジスタと、ソース
電極とゲート電極とが前記エンハンスメント型電界効果
トランジスタのドレイン電極に共通接続され、ドレイン
電極が高電位側電源に接続されたデプレッション型電界
効果トランジスタと、前記エンハンスメント型電界効果
トランジスタのドレイン電極と前記低電位側電源との間
に接続されデプレッション型電界効果トランジスタにバ
イアス電流を流す定電流手段と、ゲート電極が前記エン
ハンスメント型電界効果トランジスタのドレイン電極に
接続され、ドレイン電極が前記高電位側電源に接続さ
れ、ソース電極が出力端子に接続されたエンハンスメン
ト型電界効果型トランジスタとからなるものである。Further, a third aspect of the invention is an enhancement type field effect transistor having a source electrode connected to a low potential side power source and a gate electrode connected to an input terminal, and the enhancement type field effect transistor having a source electrode and a gate electrode. A depletion type field effect transistor commonly connected to the drain electrode of the transistor and having a drain electrode connected to a high potential side power source, and a depletion type field effect transistor connected between the drain electrode of the enhancement type field effect transistor and the low potential side power source. A constant current means for supplying a bias current to the field effect transistor, a gate electrode connected to the drain electrode of the enhancement type field effect transistor, a drain electrode connected to the high potential side power source, and a source electrode connected to an output terminal. Enhancement type field effect tiger It is made of the register.
【００５８】したがって、第１〜第３の発明はいずれも
所要の電界降下を生じさせ、これを利用して出力電圧を
制御するようにしたので、ＥＣＬレベルに合致した出力
レベルを出すことができる。さらに出力トランジスタの
ソースが直接出力端子となるので、レベルシフトダイオ
ードによる出力インピーダンスの上昇がなく、そのた
め、出力立ち上がり特性の劣化がない出力回路を得るこ
とができる。Therefore, in each of the first to third inventions, the required electric field drop is generated, and the output voltage is controlled by utilizing this, so that the output level that matches the ECL level can be output. .. Further, since the source of the output transistor directly serves as the output terminal, the output impedance does not increase due to the level shift diode, and therefore the output circuit without deterioration of the output rising characteristic can be obtained.
【００５９】さらに、第４の発明は、定電圧手段にＦＥ
Ｔのソース電極を接続する形に構成したので、ノイズマ
ージンを大きく保ったままＥＣＬ／ＤＣＦＬレベル変換
入力回路を実現することができ、さらに高電位側電源に
対して良好な温度特性を得ることができる。Further, in the fourth invention, the constant voltage means is FE.
Since the source electrode of T is connected, it is possible to realize an ECL / DCFL level conversion input circuit while maintaining a large noise margin, and it is possible to obtain good temperature characteristics for a high-potential-side power supply. it can.
【００６０】また、第５の発明は、定電圧手段に抵抗素
子で分割された電圧がダイオードでクランプされる形に
構成したので、ノイズマージンを大きくとることがで
き、さらに、低電位側電源に対して良好な温度特性を得
ることができる。さらに、第６の発明は、第５の発明の
定電圧手段にデプレッション型ＦＥＴを付した形に構成
したので、さらに大きなノイズマージンを取ることがで
きる。Further, in the fifth aspect of the invention, since the voltage divided by the resistance element is clamped by the diode in the constant voltage means, a large noise margin can be secured, and further, the low potential side power source can be provided. On the other hand, good temperature characteristics can be obtained. Further, in the sixth aspect of the present invention, the constant voltage means of the fifth aspect is provided with the depletion type FET, so that a larger noise margin can be taken.
【００６１】また、第７の発明は、スイッチングトラン
ジスタのＦＥＴの入力の前に抵抗素子によりレベル変換
する形に構成したので、簡単な回路構成でレベル変換入
力回路を実現することができる。Further, since the seventh invention is constructed such that the level conversion is performed by the resistance element before the input of the FET of the switching transistor, the level conversion input circuit can be realized with a simple circuit configuration.
【００６２】さらに、第８の発明は、仮想グランド発生
回路を設けて共通に他の集積回路の要素を接続するよう
にしたので、安定した回路動作が可能である。Further, in the eighth aspect of the invention, since the virtual ground generating circuit is provided and the elements of other integrated circuits are commonly connected, stable circuit operation is possible.
【図１】本発明にかかる第１の発明のＥＣＬレベル出力
回路の実施例を説明するための回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram for explaining an embodiment of an ECL level output circuit of a first invention according to the present invention.
【図２】本発明にかかる第２の発明のＥＣＬレベル出力
回路の実施例を説明するための回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram for explaining an embodiment of an ECL level output circuit of the second invention according to the present invention.
【図３】本発明にかかる第３の発明のＥＣＬレベル出力
回路の実施例を説明するための回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram for explaining an embodiment of an ECL level output circuit of the third invention according to the present invention.
【図４】本発明にかかる第４の発明のＥＣＬ／ＤＣＦＬ
レベル変換入力回路の実施例の構成を示す回路図であ
る。FIG. 4 is an ECL / DCFL of a fourth invention according to the invention.
It is a circuit diagram which shows the structure of the Example of a level conversion input circuit.
【図５】本発明にかかる第５の発明のＥＣＬ／ＤＣＦＬ
レベル変換入力回路の実施例の構成を示す回路図であ
る。FIG. 5: ECL / DCFL of the fifth invention according to the present invention
It is a circuit diagram which shows the structure of the Example of a level conversion input circuit.
【図６】本発明にかかる第６の発明のＥＣＬ／ＤＣＦＬ
レベル変換入力回路の実施例の構成を示す回路図であ
る。FIG. 6 is an ECL / DCFL of a sixth invention according to the present invention.
It is a circuit diagram which shows the structure of the Example of a level conversion input circuit.
【図７】本発明にかかる第７の発明のＥＣＬ／ＤＣＦＬ
レベル変換入力回路の実施例の構成を示す回路図であ
る。FIG. 7 is an ECL / DCFL of a seventh invention according to the present invention.
It is a circuit diagram which shows the structure of the Example of a level conversion input circuit.
【図８】本発明にかかる第８の発明の半導体集積回路装
置の実施例の構成を示す回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of an embodiment of a semiconductor integrated circuit device of an eighth invention according to the present invention.
【図９】従来のＥＣＬレベル出力回路を説明するための
回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram for explaining a conventional ECL level output circuit.
【図１０】従来のＥＣＬ／ＤＣＦＬレベル変換入力回路
を説明するための回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram for explaining a conventional ECL / DCFL level conversion input circuit.
１ エンハンスメント型電界効果トランジスタ ２ デプレッション型電界効果トランジスタ ３ デプレッション型電界効果トランジスタ ４ ダイオード ５ 抵抗素子 ６ ダイオード ７ デプレッション型電界効果トランジスタ ８ ダイオード ９ エンハンスメント型電界効果トランジスタ １０ 入力端子 １１ 出力端子 １２ 高電位側電源 １３ 低電位側電源 ２１ エンハンスメント型電界効果トランジスタ ２２ デプレッション型電界効果トランジスタ ２３ デプレッション型電界効果トランジスタ ２４ デプレッション型電界効果トランジスタ ２５ ダイオード ２６ ダイオード ２７ 抵抗素子 ２８ 抵抗素子 ２９ コンデンサ ３０ 入力端子 ３１ 出力端子 ３２ 抵抗素子 ３３ ダイオード ３４ ダイオード ３５ ダイオード ３６ 抵抗素子 ３７ 抵抗素子 ３８ デプレッション型電界効果トランジスタ ３９ デプレッション型電界効果トランジスタ ４０ エンハンスメント型電界効果トランジスタ ４１ 抵抗素子 ４２ 抵抗素子 1 enhancement type field effect transistor 2 depletion type field effect transistor 3 depletion type field effect transistor 4 diode 5 resistance element 6 diode 7 depletion type field effect transistor 8 diode 9 enhancement type field effect transistor 10 input terminal 11 output terminal 12 high potential side power supply 13 Low-potential-side power supply 21 Enhancement type field effect transistor 22 Depletion type field effect transistor 23 Depletion type field effect transistor 24 Depletion type field effect transistor 25 Diode 26 Diode 27 Resistance element 28 Resistance element 29 Capacitor 30 Input terminal 31 Output terminal 32 Resistance element 33 diode 34 diode 35 diode 36 resistance element 37 resistance element 8 depletion type field effect transistor 39 a depletion type field effect transistor 40 enhancement type field effect transistor 41 resistor element 42 the resistance element
Claims (8)
ゲート電極が入力端子に接続されたエンハンスメント型
電界効果トランジスタと、ソース電極とゲート電極とが
前記エンハンスメント型電界効果トランジスタのドレイ
ン電極に共通接続されたデプレッション型電界効果トラ
ンジスタと、前記デプレッション型電界効果トランジス
タのドレイン電極と高電位側電源の間に接続された定電
圧手段と、前記デプレッション型電界効果トランジスタ
のドレイン電極と前記低電位側電源との間に接続され、
前記定電圧手段にバイアス電流を流す定電流手段と、ゲ
ート電極が前記エンハンスメント型電界効果トランジス
タのドレイン電極に接続され、ドレイン電極が前記高電
位側電源に接続され、ソース電極が出力端子に接続され
たデプレッション型電界効果トランジスタとからなるこ
とを特徴とするＥＣＬレベル出力回路。1. The source electrode is connected to a low potential side power source,
An enhancement type field effect transistor having a gate electrode connected to an input terminal, a depletion type field effect transistor having a source electrode and a gate electrode commonly connected to a drain electrode of the enhancement type field effect transistor, and the depletion type field effect transistor. Constant voltage means connected between the drain electrode and the high-potential-side power supply, and connected between the drain electrode of the depletion-type field effect transistor and the low-potential-side power supply,
A constant current means for supplying a bias current to the constant voltage means, a gate electrode connected to the drain electrode of the enhancement type field effect transistor, a drain electrode connected to the high potential side power source, and a source electrode connected to an output terminal. And a depletion type field effect transistor.
ゲート電極が入力端子に接続されたエンハンスメント型
電界効果トランジスタと、ソース電極とゲート電極とが
前記エンハンスメント型電界効果トランジスタのドレイ
ン電極に共通接続されたデプレッション型電界効果トラ
ンジスタと、前記デプレッション型電界効果トランジス
タのドレイン電極と高電位側電源の間に接続された定電
圧手段と、前記エンハンスメント型電界効果トランジス
タのドレイン電極と前記低電位側電源との間に接続され
た前記定電圧手段にバイアス電流を流す定電流手段と、
ゲート電極が前記エンハンスメント型電界効果トランジ
スタのドレイン電極に接続され、ドレイン電極が前記高
電位側電源に接続され、ソース電極が出力端子に接続さ
れたデプレッション型電界効果トランジスタとからなる
ことを特徴とするＥＣＲレベル出力回路。2. The source electrode is connected to a low potential side power source,
An enhancement type field effect transistor having a gate electrode connected to an input terminal, a depletion type field effect transistor having a source electrode and a gate electrode commonly connected to a drain electrode of the enhancement type field effect transistor, and the depletion type field effect transistor. Bias current is supplied to the constant voltage means connected between the drain electrode and the high potential side power source and the constant voltage means connected between the drain electrode of the enhancement type field effect transistor and the low potential side power source. Constant current means,
A depletion type field effect transistor having a gate electrode connected to a drain electrode of the enhancement type field effect transistor, a drain electrode connected to the high potential side power source, and a source electrode connected to an output terminal. ECR level output circuit.
ゲート電極が入力端子に接続されたエンハンスメント型
電界効果トランジスタと、ソース電極とゲート電極とが
前記エンハンスメント型電界効果トランジスタのドレイ
ン電極に共通接続され、ドレイン電極が高電位側電源に
接続されたデプレッション型電界効果トランジスタと、
前記エンハンスメント型電界効果トランジスタのドレイ
ン電極と前記低電位側電源との間に接続され前記デプレ
ッション型電界効果トランジスタにバイアス電流を流す
定電流手段と、ゲート電極が前記エンハンスメント型電
界効果トランジスタのドレイン電極に接続され、ドレイ
ン電極が前記高電位側電源に接続され、ソース電極が出
力端子に接続されたエンハンスメント型電界効果型トラ
ンジスタとからなることを特徴とするＥＣＬレベル出力
回路。3. The source electrode is connected to a low potential side power source,
An enhancement type field effect transistor in which a gate electrode is connected to an input terminal, and a depletion type in which a source electrode and a gate electrode are commonly connected to a drain electrode of the enhancement type field effect transistor, and a drain electrode is connected to a high potential side power source. A field effect transistor,
A constant current means connected between the drain electrode of the enhancement-type field effect transistor and the low-potential-side power source for supplying a bias current to the depletion-type field-effect transistor, and a gate electrode serving as a drain electrode of the enhancement-type field-effect transistor. An ECL level output circuit comprising: an enhancement-type field effect transistor connected to the high-potential-side power source, the drain electrode being connected to the high-potential-side power source, and the source electrode being connected to the output terminal.
ソース電極とゲート電極とを共通接続したデプレッショ
ン型電界効果型トランジスタと、ドレイン電極を前記デ
プレッション型電界効果型トランジスタのソース電極に
接続し、ゲート電極を入力端子に接続したエンハンスメ
ント型電界効果型トランジスタと、一端を前記エンハン
スメント型電界効果トランジスタのソース電極に接続
し、他端を低電位側電源に接続した抵抗素子と、アノー
ドを前記高電位側電源に接続したダイオードと、このダ
イオードのカソードにアノードを接続したダイオード
と、このダイオードのカソードに一端を接続し、他端を
前記エンハンスメント型電界効果型トランジスタのソー
ス電極に接続した抵抗素子と、ゲート電極を前記エンハ
ンスメント型電界効果型トランジスタのドレイン電極に
接続し、ドレイン電極を前記高電位側電源に接続し、ソ
ース電極を出力端子としたデプレッション型電界効果型
トランジスタと、ドレイン電極を前記出力端子に接続
し、ソース電極とゲート電極とを前記低電位側電源に共
通接続したデプレッション型電界効果型トランジスタと
からなることを特徴とするＥＣＬ／ＤＣＦＬレベル変換
入力回路。4. The drain electrode is connected to a high potential side power source,
A depletion type field effect transistor having a source electrode and a gate electrode commonly connected; and an enhancement type field effect transistor having a drain electrode connected to the source electrode of the depletion type field effect transistor and a gate electrode connected to an input terminal. , A resistor element having one end connected to the source electrode of the enhancement-type field effect transistor and the other end connected to a low potential side power source, a diode having an anode connected to the high potential side power source, and an anode connected to the cathode of the diode. Connected diode, a resistor element having one end connected to the cathode of the diode and the other end connected to the source electrode of the enhancement type field effect transistor, and a gate electrode connected to the drain electrode of the enhancement type field effect transistor. And drain electrode A depletion type field effect transistor connected to the high potential side power source and having a source electrode as an output terminal, a drain electrode connected to the output terminal, and a source electrode and a gate electrode commonly connected to the low potential side power source. An ECL / DCFL level conversion input circuit comprising a depletion type field effect transistor.
ソース電極とゲート電極とを共通接続したデプレッショ
ン型電界効果型トランジスタと、ドレイン電極を前記デ
プレッション型電界効果型トランジスタのソース電極に
接続し、ゲート電極を入力端子に接続したエンハンスメ
ント型電界効果型トランジスタと、一端を前記エンハン
スメント型電界効果型トランジスタのソース電極に接続
し、他端を低電位側電源に接続した抵抗素子と、一端を
前記高電位側電源に接続した抵抗素子と、この抵抗素子
の他端にアノードを接続し、カソードを前記低電位側電
源端子に接続したダイオードと、前記抵抗素子の他端に
一端を接続し、他端を前記エンハンスメント型電界効果
型トランジスタのソース電極に接続した抵抗素子と、ゲ
ート電極を前記エンハンスメント型電界効果型トランジ
スタのドレイン電極に接続し、ドレイン電極を前記高電
位側電源に接続し、ソース電極を出力端子としたデプレ
ッション型電界効果型トランジスタと、ドレイン電極を
前記出力端子に接続し、ソース電極とゲート電極とを前
記低電位側電源に共通接続したデプレッション型電界効
果型トランジスタとからなることを特徴とするＥＣＬ／
ＤＣＦＬレベル変換入力回路。5. The drain electrode is connected to a high potential side power source,
A depletion type field effect transistor having a source electrode and a gate electrode commonly connected; and an enhancement type field effect transistor having a drain electrode connected to the source electrode of the depletion type field effect transistor and a gate electrode connected to an input terminal. , A resistance element having one end connected to the source electrode of the enhancement type field effect transistor and the other end connected to a low potential side power source, a resistance element having one end connected to the high potential side power source, and another resistance element A diode in which an anode is connected to an end and a cathode is connected to the low potential side power supply terminal, and one end is connected to the other end of the resistance element, and the other end is connected to a source electrode of the enhancement type field effect transistor. The device and the gate electrode are connected to the drain electrode of the enhancement type field effect transistor. The drain electrode is connected to the high-potential side power supply, the source electrode is an output terminal, and the depletion-type field effect transistor is connected to the output terminal. ECL / characterized in that it comprises a depletion type field effect transistor commonly connected to a potential side power source.
DCFL level conversion input circuit.
ソース電極とゲート電極とを共通接続したデプレッショ
ン型電界効果型トランジスタと、ドレイン電極を前記デ
プレッション型電界効果型トランジスタのソース電極に
接続し、ゲート電極を入力端子に接続したエンハンスメ
ント型電界効果型トランジスタと、一端を前記エンハン
スメント型電界効果型トランジスタのソース電極に接続
し、他端を低電位側電源に接続した抵抗素子と、アノー
ドを前記高電位側電源に接続したダイオードと、このダ
イオードのカソードにアノードを接続したダイオード
と、このダイオードのカソードに一端を接続した抵抗素
子と、ゲート電極を前記抵抗素子の他端に接続し、ドレ
イン電極を前記高電位側電源に接続し、ソース電極を前
記エンハンスメント型電界効果型トランジスタのソース
電極に接続したデプレッション型電界効果型トランジス
タと、一端をこのデプレッション型電界効果型トランジ
スタのゲート電極に接続し、他端を前記低電位側電源に
接続した抵抗素子と、ゲート電極を前記エンハンスメン
ト型電界効果型トランジスタのドレイン電極に接続し、
ドレイン電極を前記高電位側電源に接続し、ソース電極
を出力端子としたデプレッション型電界効果型トランジ
スタと、ドレイン電極を前記出力端子に接続し、ソース
電極とゲート電極とを前記低電位側電源に共通接続した
デプレッション型電界効果型トランジスタとからなるこ
とを特徴とするＥＣＬ／ＤＣＦＬレベル変換入力回路。6. The drain electrode is connected to a high potential side power source,
A depletion type field effect transistor having a source electrode and a gate electrode commonly connected; and an enhancement type field effect transistor having a drain electrode connected to the source electrode of the depletion type field effect transistor and a gate electrode connected to an input terminal. , A resistor element having one end connected to the source electrode of the enhancement-type field effect transistor and the other end connected to a low potential side power source, a diode whose anode is connected to the high potential side power source, and an anode connected to the cathode of the diode. , A resistance element having one end connected to the cathode of the diode, a gate electrode connected to the other end of the resistance element, a drain electrode connected to the high potential side power supply, and a source electrode connected to the enhancement type. Depth connected to source electrode of field effect transistor Of the enhancement-type field-effect transistor, a resistance element having one end connected to the gate electrode of the depletion-type field-effect transistor and the other end connected to the low-potential-side power supply, and the gate electrode of the enhancement-type field-effect transistor. Connect to the drain electrode,
A drain electrode is connected to the high potential side power source, a depletion type field effect transistor having a source electrode as an output terminal and a drain electrode is connected to the output terminal, and a source electrode and a gate electrode are connected to the low potential side power source. An ECL / DCFL level conversion input circuit comprising a commonly connected depletion type field effect transistor.
一端をこの抵抗素子の他端に接続し、他端を低電位側電
源に接続した抵抗素子と、ドレイン電極を高電位側電源
に接続し、ソース電極とゲート電極とを共通接続したデ
プレッション型電界効果型トランジスタと、ドレイン電
極を前記デプレッション型電界効果型トランジスタのソ
ース電極に接続し、ゲート電極を上記直列した抵抗素子
の接続部に接続し、ソース電極を前記低電位側電源に接
続したエンハンスメント型電界効果トランジスタと、ゲ
ート電極を前記エンハンスメント型電界効果型トランジ
スタのドレイン電極に接続し、ドレイン電極を前記高電
位側電源に接続し、ソース電極を出力端子としたデプレ
ッション型電界効果型トランジスタと、ドレイン電極を
前記出力端子に接続し、ソース電極とゲート電極とを前
記低電位側電源に共通接続したデプレッション型電界効
果型トランジスタとからなることを特徴とするＥＣＬ／
ＤＣＦＬレベル変換入力回路。7. A resistance element having one end connected to an input terminal,
A depletion type electric field in which one end is connected to the other end of this resistance element, the other end is connected to the low potential side power source, and the drain electrode is connected to the high potential side power source and the source electrode and the gate electrode are commonly connected. An enhancement type in which an effect transistor and a drain electrode are connected to the source electrode of the depletion type field effect transistor, a gate electrode is connected to the connection portion of the series resistance element, and a source electrode is connected to the low potential side power source. A field effect transistor, a gate electrode connected to the drain electrode of the enhancement type field effect transistor, a drain electrode connected to the high potential side power source, and a depletion type field effect transistor having a source electrode as an output terminal and a drain. An electrode is connected to the output terminal, and the source electrode and the gate electrode are connected to the low potential side power source. ECL, characterized in that it consists of a depletion type field effect transistor through connection /
DCFL level conversion input circuit.
ソース電極を仮想グランドに接続したデプレッション型
電界効果型トランジスタと、一端を前記デプレッション
型電界効果型トランジスタのソース電極に接続し、他端
を低電位側電源に接続した抵抗素子と、アノードを前記
高電位側電源に接続したダイオードと、このダイオード
のカソードにアノードを接続したダイオードと、このダ
イオードのカソードに一端を接続し、他端を上記デプレ
ッション型電界効果型トランジスタのゲート電極に接続
した抵抗素子と、一端を上記デプレッション型電界効果
型トランジスタのゲート電極に接続し、他端を前記低電
位側電源に接続した抵抗素子とで仮想グランド発生回路
を構成し、前記仮想グランドと電源の間に、入力バッフ
ァ回路，内部ゲート回路，出力バッファ回路を接続して
構成したことを特徴とする半導体集積回路装置。8. The drain electrode is connected to a high potential side power source,
A depletion type field effect transistor having a source electrode connected to a virtual ground, a resistance element having one end connected to the source electrode of the depletion type field effect transistor and the other end connected to a low potential side power source, and the anode A diode connected to the power supply on the potential side, a diode having an anode connected to the cathode of this diode, and a resistance element having one end connected to the cathode of this diode and the other end connected to the gate electrode of the depletion type field effect transistor. , A resistor element having one end connected to the gate electrode of the depletion-type field effect transistor and the other end connected to the low-potential-side power supply constitutes a virtual ground generation circuit, and an input between the virtual ground and the power supply. It is characterized by connecting a buffer circuit, internal gate circuit, and output buffer circuit. The semiconductor integrated circuit device according to.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-30618 | 1992-02-18 | ||
| JP3061892 | 1992-02-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05300000A true JPH05300000A (en) | 1993-11-12 |
| JP2743729B2 JP2743729B2 (en) | 1998-04-22 |
Family
ID=12308857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4223900A Expired - Lifetime JP2743729B2 (en) | 1992-02-18 | 1992-08-24 | ECL level output circuit, ECL / DCFL level conversion input circuit, and semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2743729B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002051009A1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Asahi Kasei Microsystems Co.,Ltd. | High-speed current switch circuit |
| JP2011030006A (en) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | Bias circuit for power amplifier |
-
1992
- 1992-08-24 JP JP4223900A patent/JP2743729B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002051009A1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Asahi Kasei Microsystems Co.,Ltd. | High-speed current switch circuit |
| US6958631B2 (en) | 2000-12-21 | 2005-10-25 | Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. | High-speed current switch circuit |
| US7332944B2 (en) | 2000-12-21 | 2008-02-19 | Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. | Frequency-controllable oscillator |
| JP2011030006A (en) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | Bias circuit for power amplifier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2743729B2 (en) | 1998-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2616142B2 (en) | Output circuit | |
| JP3079515B2 (en) | Gate array device, input circuit, output circuit, and step-down circuit | |
| JPH07118642B2 (en) | Level conversion circuit | |
| JP2532550Y2 (en) | Logic circuit | |
| US5012137A (en) | ECL-CMOS converter | |
| US6008667A (en) | Emitter-coupled logic to CMOS logic converter and method of operation | |
| JPH07123224B2 (en) | Level shifter circuit | |
| JPH0993055A (en) | Operational amplifier | |
| US4267501A (en) | NMOS Voltage reference generator | |
| US4383223A (en) | CMOS Operational amplifier employing push-pull output stage | |
| US4387309A (en) | Input stage for N-channel junction field effect transistor operational amplifier | |
| JP4176152B2 (en) | Voltage divider circuit | |
| JP2743729B2 (en) | ECL level output circuit, ECL / DCFL level conversion input circuit, and semiconductor integrated circuit device | |
| US20040036535A1 (en) | Operational amplifying circuit and push-pull circuit | |
| JP3386661B2 (en) | Output buffer | |
| JPH0795045A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JPH0774619A (en) | Logical gate circuit | |
| JPH04150316A (en) | Field effect transistor circuit | |
| JPH0216063B2 (en) | ||
| JP2500791B2 (en) | Operational amplifier circuit | |
| JP3077664B2 (en) | Input circuit | |
| US20050068077A1 (en) | Local bias generator for adaptive forward body bias | |
| JP3457392B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JP2861717B2 (en) | BiCMOS circuit | |
| JPH0522113A (en) | Output buffer circuit |