JPH05297617A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JPH05297617A
JPH05297617A JP9781492A JP9781492A JPH05297617A JP H05297617 A JPH05297617 A JP H05297617A JP 9781492 A JP9781492 A JP 9781492A JP 9781492 A JP9781492 A JP 9781492A JP H05297617 A JPH05297617 A JP H05297617A
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JP
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phthalocyanine
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phthalocyanine composition
composition
examples
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JP9781492A
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English (en)
Inventor
Shigeru Hayashida
茂 林田
Mikio Itagaki
幹男 板垣
Hiroko Ishikawa
裕子 石川
Megumi Matsui
恵 松井
Takayuki Akimoto
孝幸 秋元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 帯電性の良好な高い感度を有する電子写真感
光体を提供する。 【構成】 導電性基材上に有機光導電性物質を含有する
光導電層を有する電子写真感光体において、該有機光導
電性物質がスピン濃度が7.0×1018スピンズ/g以
下のフタロシアニン組成物である電子写真感光体。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真感光体に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来の電子写真感光体としては、アルミ
ニウム等の導電性基板の上に50μm程度のセレン(S
e)膜を真空蒸着法により形成したものがある。しか
し、このSe感光体は、波長500nm付近までしか感
度を有していない等の問題がある。また、導電性基板の
上に50μm程度のSe層を形成し、この上に更に数μ
mのセレン−テルル(Se−Te)合金層を形成した感
光体があるが、この感光体は上記Se−Te合金のTe
の含有率が高い程、分光感度が長波長にまで伸びる反
面、Teの添加量が増加するにつれて表面電荷の保持特
性が不良となり、事実上、感光体として使用できなくな
るという重大な問題がある。
【0003】また、アルミニウム基板の上に1μm程度
のクロロシアンブルー又はスクウアリリウム酸誘導体を
コーティングして電荷発生層を形成し、この上に絶縁抵
抗の高いポリビニルカルバゾール又はピラゾリン誘導体
とポリカーボネート樹脂との混合物を10〜20μmコ
ーティングして電荷輸送層を形成した所謂複合二層型の
感光体もあるが、この感光体は700nm以上の光に対
して感度を有していないのが実状である。
【0004】近年、この複合二層型の感光体において、
上記欠点を改善した、即ち、半導体レーザ発振領域80
0nm前後に感度を有する感光体も多く報告されている
が、これらのうち多くのものが電荷発生材料としてフタ
ロシアニン顔料を用い、その膜厚0.5〜1μm程度の
電荷発生層上にポリビニルカルバゾール、ピラゾリン誘
導体又はヒドラゾン誘導体とポリカーボネート樹脂又は
ポリエステル樹脂との絶縁抵抗の高い混合物を10〜2
0μmコーティングして電荷輸送層を形成し複合二層型
の感光体を形成している。
【0005】フタロシアニン類は、中心金属の種類によ
り吸収スペクトルや、光導電性が異なるだけでなく、結
晶型によってもこれらの物性には差があり、同じ中心金
属のフタロシアニンでも、特定の結晶型が電子写真用感
光体用に選択されている例がいくつか報告されている。
【0006】例えば、チタニルフタロシアニンには種々
の結晶形が存在し、その結晶形の違いによって帯電性、
暗減衰、感度等に大きな差があることが報告されてい
る。
【0007】特開昭59−49544号公報には、チタ
ニルフタロシアニンの結晶形としては、ブラッグ角(2
θ±0.2度)が9.2度、13.1度、20.7度、
26.2度、27.1度に強い回折ピークを与えるもの
が好適であると記されており、X線回折スペクトル図が
示されている。
【0008】また特開昭59−166959号公報に
は、チタニルフタロシアニンの蒸着膜をテトラヒドロフ
ランの飽和蒸気中に1〜24時間放置し、結晶形を変化
させて、電荷発生層としている。X線回折スペクトル
は、ピークの数が少なく、かつ幅が広く、ブラッグ角
(2θ)が7.5度、12.6度、13.0度、25.
4度、26.2度および28.6度に強い回折ピークを
与えることが示されている。
【0009】更に特開昭64−17066号公報ではチ
タニルフタロシアニンの結晶形としてはブラッグ角(2
θ±0.2度)の主要ピークが少なくとも9.5度、
9.7度、11.7度、15.0度、23.5度、2
4.1度および27.3度に有するものが好適であると
記されている。
【0010】特開平2−131243号公報および特開
平2−214867号公報では、チタニルフタロシアニ
ンの結晶形としては、ブラッグ角が27.3度に主たる
回折ピークを有するものが好適であると記されている。
【0011】このようにチタニルフタロシアニンは結晶
形によって非常に感度が高く、優れた電子写真特性を示
している。しかし、レーザプリンタ等の用途において
は、高画質、高精細化が進んでおり、更に高感度な特性
を有する電子写真感光体が求められている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、帯電性の良
好な高い感度を有する電子写真感光体を提供するもので
ある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、導電性基材上
に有機光導電性物質を含有する光導電層を有する電子写
真感光体において、該有機光導電性物質がスピン濃度が
7.0×1018スピンズ/g以下のフタロシアニン組成
物である電子写真感光体に関する。
【0014】以下、本発明について詳述する。本発明で
用いられる導電性基材は、導電性を有するものであれば
特に制限はないが、例えば、導電処理した紙又はプラス
チックフィルム、アルミニウム等の金属箔を積層したプ
ラスチックフィルム、金属板などが挙げられる。導電性
基材の形状は、特に制限はないが、例えば、シート状、
ベルト状、円筒状等の形状が挙げられる。
【0015】本発明における有機光導電性物質は、スピ
ン濃度が、7.0×1018スピンズ/g以下のフタロシ
アニン組成物であることが必要である。スピン濃度の下
限は、通常1.0×1014スピンズ/gである。スピン
濃度は5.0×1014〜7.0×1018スピンズ/gで
あることが好ましく、1.0×1015〜1.0×1017
スピンズ/gであることがより好ましく、5.0×10
15〜1.0×1016スピンズ/gであることが特に好ま
しい。スピン濃度が7.0×1018スピンズ/gを越え
る場合や小さすぎる場合は帯電性、暗減衰、感度等が劣
る。スピン濃度は、試料のESRスペクトルを測定する
ことによって知ることができる。例えば、電子スピン共
鳴分光計(日本電子社製JES−RE2X型)を用いて
ESRスペクトルを測定し、自動解析システム(日本電
子社製ES−PRIT330)等により算出することが
できる。所望のスピン濃度のフタロシアニン組成物を得
ることは、ESRスペクトルを測定しながらフタロシア
ニン組成物の調整条件(原料、アモルファス化、洗浄、
溶剤処理等)を変化させることにより容易に行うことが
できる。
【0016】前記、スピン濃度が、7.0×1018スピ
ンズ/g以下であるフタロシアニン組成物は、入手容易
性、帯電性、暗減衰、感度等の点から、チタニルフタロ
シアニンおよび中心金属が3価のハロゲン化金属フタロ
シアニンを含む組成物であることが好ましい。
【0017】前記、スピン濃度が、7.0×1018スピ
ンズ/g以下であるフタロシアニン組成物は、入手容易
性、帯電性、暗減衰、感度等の点から、CuKαのX線
回折スペクトルにおいてブラツグ角(2θ±0.2度)
が、7.5度、22.5度、24.3度、25.3度お
よび28.6度に主な回折ピークを有するフタロシアニ
ン組成物であることが好ましい。
【0018】本発明で用いられるチタニルフタロシアニ
ンは、例えば、特開平3−71144号公報等の記載に
準じて得ることができ、次のようにして製造することが
できる。フタロニトリル18.4g(0.144モル)
をα−クロロナフタレン120ml中に加え、次に窒素
雰囲気下で四塩化チタン4ml(0.0364モル)を
滴下する。滴下後、昇温し撹拌しながら200〜220
℃で3時間反応させた後、100〜130℃で熱時ろ過
して、α−クロロナフタレン、メタノールで洗浄する。
140mlのイオン交換水で加水分解(90℃、1時
間)を行い、溶液が中性になるまでこの操作を繰り返し
た後、メタノールで洗浄する。次に、200mlのN−
メチル−2−ピロリドンで熱懸洗処理(100℃、1時
間)を3回行い、メタノールで洗浄する。このようにし
て得られた化合物を60℃で真空加熱乾燥してチタニル
フタロシアニンが得られる(収率46%)。
【0019】本発明で用いられる中心金属が3価のハロ
ゲン化金属フタロシアニン化合物において、中心金属と
しての3価の金属は、In、Ga、Al等が挙げられ、
ハロゲンとしては、Cl、Br等が挙げられ、またフタ
ロシアニン環にハロゲン等の置換基を有していてもよ
い。該化合物は公知の化合物であるが、これらのうち、
例えば、モノハロゲン化金属フタロシアニンおよびモノ
ハロゲン化金属ハロゲンフタロシアニンの合成法は、イ
ンオーガニック ケミストリー〔Inorganic
Chemistry,19,3131(1980)〕、
特開昭59−44054号公報等に記載されている。
【0020】モノハロゲン金属フタロシアニンは、例え
ば、次のようにして製造することができる。フタロニト
リル78.2ミリモルおよび三ハロゲン化金属15.8
ミリモルを二回蒸留し脱酸素したキノリン100ml中
に入れ、0.5〜3時間加熱還流した後徐冷、続いて0
℃まで冷した後ろ過し、結晶をメタノール、トルエン、
次いでアセトンで洗浄した後、110℃で乾燥する。
【0021】また、モノハロゲン金属ハロゲンフタロシ
アニンは、次のようにして製造することができる。フタ
ロニトリル156ミリモルおよび三ハロゲン化金属3
7.5ミリモルを混合して300℃で、溶融してから
0.5〜3時間加熱してモノハロゲン金属ハロゲンフタ
ロシアニンの組成物を得、これをソックスレー抽出器を
用いてα−クロロナフタレンで洗浄する。
【0022】本発明において、フタロシアニン組成物が
チタニルフタロシアニンおよび中心金属が3価のハロゲ
ン化金属フタロシアニンを含む場合、両者の組成比率
は、帯電性、暗減衰、感度等の電子写真特性の点からチ
タニルフタロシアニンの含有率が、20〜95重量%の
範囲であることが好ましく、50〜90重量%の範囲で
あることがより好ましく、65〜90重量%の範囲が特
に好ましく、75〜90重量%の範囲であることが最も
好ましい。
【0023】チタニルフタロシアニンおよび中心金属が
3価のハロゲン化金属フタロシアニンからなるフタロシ
アニン混合物はアシッドペースト法によりアモルファス
状態とすることができる。例えば、フタロシアニン混合
物1gを濃硫酸50mlに溶解し、これを氷水で冷却し
たイオン交換水1リツトルに滴下し再沈させる。ろ過後
沈殿を純水ついでメタノール/純水混合液で充分に洗浄
した後110℃で乾燥したフタロシアニン組成物の粉末
を得る。このようにして得られるフタロシアニン組成物
のX線回折スペクトルは、明確な鋭いピークがなくなり
幅の広いアモルファス状態を表わすスペクトルとなる。
アモルファス状態とする方法としては、上記濃硫酸を用
いるアシッドペースト法以外に乾式のミリングによる方
法もある。
【0024】このようにして得られたフタロシアニン組
成物を有機溶剤で処理することによって結晶変換し、本
発明の特定のスピン濃度を有するフタロシアニン組成物
を得ることができる。例えば、上記方法で得られたフタ
ロシアニン組成物の粉末1gを有機溶剤としてのN−メ
チル−2−ピロリドン、トルエンまたはキシレン10m
lに入れ加熱撹拌する(上記粉末/溶剤(重量比)は、
1/1〜1/100である)。加熱温度は50℃〜20
0℃、好ましくは80℃〜150℃であり、加熱時間は
1時間〜10時間、好ましくは1時間〜6時間である。
加熱撹拌終了後ろ過しメタノールで洗浄し60℃で真空
加熱乾燥し本発明のフタロシアニン組成物の結晶700
mgを得ることができる。本処理に用いられる有機溶剤
としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロ
パノール、ブタノール等のアルコール類、n−ヘキサ
ン、オクタン、シクロヘキサン等の脂環族炭化水素、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチ
レングリコールジメチルエーテル、エチレングリコール
ジエチルエーテル等のエーテル類、アセテートセロソル
ブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、イソホロン等のケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル
等のエステル類、ジメチルスルホキシド、ジメチルホル
ムアミド、フェノール、クレゾール、アニソール、ニト
ロベンゼン、アセトフェノン、ベンジルアルコール、ピ
リジン、N−メチル−2−ピロリドン、キノリン、ピコ
リン等の非塩素系有機溶剤、ジクロロメタン、ジクロロ
エタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、四塩
化炭素、クロロホルム、クロロメチルオキシラン、クロ
ロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの塩素系有機溶剤な
どが挙げられる。これらのうちケトン類及び非塩素系有
機溶剤が好ましく、そのうちでもN−メチル−2−ピロ
リドン、ピリジン、メチルエチルケトン及びジエチルケ
トンが好ましい。
【0025】本発明に係る電子写真感光体は、導電性支
持体の上に光導電層を設けたものである。本発明におい
て、光導電層は、有機光導電性物質を含む層であり、有
機光導電性物質の被膜、有機光導電性物質と結合剤を含
む被膜、電荷発生層及び電荷輸送層からなる複合型被膜
等がある。
【0026】上記有機光導電性物質としては、上記フタ
ロシアニン組成物が必須成分として用いられ、さらに公
知のものを併用することができる。帯電性、感度等の点
から有機光導電性物質としては上記フタロシアニン組成
物に電荷を発生する有機顔料及び/又は電荷輸送性物質
を併用することが好ましい。なお、上記電荷発生層には
該フタロシアニン組成物及び/又は電荷を発生する有機
顔料が含まれ、電荷輸送層には電荷輸送性物質が含まれ
る。
【0027】上記電荷を発生する有機顔料としては、ア
ゾキシベンゼン系、ジスアゾ系、トリスアゾ系、ベンズ
イミダゾール系、多環キノン系、インジゴイド系、キナ
クリドン系、ペリレン系、メチン系、α型、β型、γ
型、δ型、ε型、χ型等の各種結晶構造を有する無金属
タイプ又は金属タイプのフタロシアニン系などの電荷を
発生することが知られている顔料が使用できる。これら
の顔料は、例えば、特開昭47−37543号公報、特
開昭47−37544号公報、特開昭47−18543
号公報、特開昭47−18544号公報、特開昭48−
43942号公報、特開昭48−70538号公報、特
開昭49−1231号公報、特開昭49−105536
号公報、特開昭50−75214号公報、特開昭53−
44028号公報、特開昭54−17732号公報等に
開示されている。また、特開昭58−182640号公
報及びヨーロッパ特許公開第92,255号公報などに
開示されているτ、τ′、η及びη′型無金属フタロシ
アニンも使用可能である。このようなもののほか、光照
射により電荷担体を発生する有機顔料はいずれも使用可
能である。
【0028】上記電荷輸送性物質としては、高分子化合
物では、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリ
ビニルインドロキノキサリン、ポリビニルベンゾチオフ
エン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジ
ン、ポリビニルピラゾリン等が挙げられ、低分子化合物
のものではフルオレノン、フルオレン、2,7−ジニト
ロ−9−フルオレノン、4H−インデノ(1,2,6)
チオフエン−4−オン、3,7−ジニトロ−ジベンゾチ
オフエン−5−オキサイド、1−ブロムピレン、2−フ
ェニルピレン、カルバゾール、N−エチルカルバゾー
ル、3−フェニルカルバゾール、3−(N−メチル−N
−フェニルヒドラゾン)メチル−9−エチルカルバゾー
ル、2−フェニルインドール、2−フェニルナフタレ
ン、オキサジアゾール、2,5−ビス(4−ジエチルア
ミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、1−
フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリル)−5−
(4−ジエチルアミノスチリル)−5−(4−ジエチル
アミノフェニル)ピラゾリン、1−フェニル−3−(p
−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、p−(ジメチ
ルアミノ)−スチルベン、2−(4−ジプロピルアミノ
フェニル)−4−(4−ジメチルアミノフェニル)−5
−(2−クロロフェニル)−1,3−オキサゾール、2
−(4−ジメチルアミノフェニル)−4−(4−ジメチ
ルアミノフェニル)−5−(2−フルオロフェニル)−
1,3−オキサゾール、2−(4−ジエチルアミノフェ
ニル)−4−(4−ジメチルアミノフェニル)−5−
(2−フルオロフェニル)−1,3−オキサゾール、2
−(4−ジプロピルアミノフェニル)−4−(4−ジメ
チルアミノフェニル)−5−(2−フルオロフェニル)
−1,3−オキサゾール、イミダゾール、クリセン、テ
トラフェン、アクリデン、トリフェニルアミン、ベンジ
ジン、これらの誘導体等がある。電荷輸送性物質として
は、特に、次の一般式[I]で表されるベンジジン誘導
体が好ましい。
【化1】 (R1およびR2は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、フル
オロアルキル基又はフルオロアルコキシ基を表し、2個
のR3は、それぞれ独立して水素原子又はアルキル基を
表し、Ar1およびAr2は、それぞれ独立してアリール
基を表し、k、l、mおよびnは、それぞれ独立して0
〜5の整数を表す)
【0029】一般式[I]において、アルキル基として
は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プ
ロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基等が挙げ
られる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基等が挙げ
られる。アリール基としては、フェニル基、トリル基、
ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基等が挙げら
れる。フルオロアルキル基としては、トリフルオロメチ
ル基、トリフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル
基等が挙げられる。フルオロオルコキシ基としては、ト
リフルオロメトキシ基、2,3−ジフルオロエトキシ
基、2,2,2−トリフルオロエトキシ基、1H、1H
−ペンタフルオロプロポキシ基、ヘキサフルオロ−is
o−プロポキシ基、1H、1H−ペンタフルオロブトキ
シ基、2,2,3,4,4,4−ヘキサフルオロブトキ
シ基、4,4,4−トリフルオロブトキシ基等のフルオ
ロアルコキシ基が挙げられる。一般式[I]で表される
ベンジジン誘導体の具体例として、次にNo.1〜N
o.6の化合物を示す。
【0030】
【化2】
【0031】上記フタロシアニン組成物及び必要に応じ
て用いる電荷を発生する有機顔料(両方で前者とする)
と電荷輸送性物質(後者とする)とを混合して使用する
場合(単層型の光導電層を形成する場合)は、後者/前
者が重量比で10/1〜2/1の割合で配合するのが好
ましい。このとき、結合剤をこれらの化合物全量(前者
+後者)に対して0〜500重量%、特に30〜500
重量%の範囲で使用するのが好ましい。これらの結合剤
を使用する場合、さらに、可塑剤、流動性付与剤、ピン
ホール抑制剤等の添加剤を必要に応じて添加することが
できる。
【0032】電荷発生層及び電荷輸送層からなる複合型
の光導電層を形成する場合、電荷発生層中には、上記フ
タロシアニン組成物及び必要に応じて電荷を発生する有
機顔料が含有され、結合剤をフタロシアニン組成物と該
有機顔料の総量に対して500重量%以下の量で含有さ
せてもよく、また、上記した添加剤を該フタロシアニン
組成物と有機顔料の総量に対して5重量%以下で添加し
てもよい。また、電荷輸送層には、上記した電荷輸送性
物質が含有され、さらに、結合剤を該電荷輸送性物質に
対して500重量%以下で含有させてもよい。電荷輸送
性物質が低分子量化合物の場合は、結合剤を該化合物に
対して50重量%以上含有させることが好ましい。
【0033】上記した場合すべてに使用し得る結合剤と
しては、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタ
ン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリ
スチレン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、ポリメ
タクリル酸メチル樹脂、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢
酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポ
リビニルピラゾリン、ポリビニルピレン等が挙げられ
る。また、熱及び/又は光によって架橋される熱硬化型
樹脂や光硬化型樹脂も使用できる。
【0034】いずれにしても絶縁性で通常の状態で被膜
を形成しうる樹脂並びに熱及び/又は光によつて硬化し
被膜を形成する樹脂であれば特に制限はない。
【0035】上記添加剤としての可塑剤としては、ハロ
ゲン化パラフィン、ジメチルナフタリン、ジブチルフタ
レート等が挙げられ、流動性付与剤としては、モダフロ
ー(モンサントケミカル社製)、アクロナール4F(バ
スフ社製)等が挙げられ、ピンホール抑制剤としては、
ベンゾイン、ジメチルフタレート等が挙げられる。これ
らは適宜選択して使用され、その量も適宜決定されれば
よい。
【0036】本発明の電子写真感光体は、導電性基材の
上に光導電層を形成したものである。光導電層の厚さは
5〜50μが好ましい。光導電層として電荷発生層及び
電荷輸送層の複合型を使用する場合、電荷発生層は好ま
しくは0.001〜10μm、特に好ましくは0.2〜
5μmの厚さにする。0.001μm未満では、電荷発
生層を均一に形成するのが困難になり、10μmを越え
ると、電子写真特性が低下する傾向がある。電荷輸送層
の厚さは好ましくは5〜50μm、特に好ましくは8〜
25μmである。5μm未満の厚さでは、初期電位が低
くなり、50μmを越えると、感度が低下する傾向があ
る。
【0037】導電性基材上に、光導電性基材を形成する
には、有機光導電性物質を導電性基材に蒸着する方法、
有機光導電性物質及び必要に応じその他の成分をトルエ
ン、キシレン等の芳香族系溶剤、塩化メチレン、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素系溶剤、メタノール、エタ
ノール、プロパノール等のアルコール系溶剤に均一に溶
解又は分散させて導電性基材上に塗布し、乾燥する方法
などがある。塗布法としては、スピンコート法、浸漬法
等を採用できる。電荷発生層及び電荷輸送層を形成する
場合も同様に行うことができるが、この場合、電荷発生
層と電荷輸送層は、どちらを上層としてもよく、電荷発
生層を二層の電荷輸送層ではさむようにしてもよい。
【0038】本発明のフタロシアニン組成物をスピンコ
ート法により塗布する場合、フタロシアニン組成物をク
ロロホルム等又はトルエン等のハロゲン化溶剤又は非極
性溶剤に溶かして得た塗布液を用いて回転数500〜4
000rpmでスピンコーティングすることが好まし
く、また、浸漬法によって塗布する場合には、フタロシ
アニン組成物をメタノール、ジメチルホルムアミド、ク
ロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン等
のハロゲン溶剤にボールミル、超音波等を用いて分散さ
せた塗液に導電性基板を浸漬することが好ましい。
【0039】本発明に係る電子写真感光体は、更に、導
電性基材のすぐ上に薄い接着層又はバリア層を有してい
てもよく、表面に保護層を有していてもよい。
【0040】
【実施例】以下、実施例よって、本発明を詳細に説明す
る。
【0041】製造例1 チタニルフタロシアニン0.75gと塩化インジウムフ
タロシアニン0.25gからなるフタロシアニン混合物
1gを硫酸50mlに溶解し室温で30分撹拌した後、
これを氷水で冷却したイオン交換水1リットルに、約4
0分で滴下し再沈させた。さらに冷却下で1時間撹拌
後、一昼夜放置した。デカンテ−ションにより上澄み液
を除去後、遠心分離により沈殿物を得た。この沈殿物を
イオン交換水で、6回洗浄した。6回洗浄後の洗浄水の
pH及び伝導率を測定した。pHの測定には、横河電機
社製、モデルPH51を使用した。また、伝導率の測定
は、柴田科学器械工業社製モデルSC−17Aを使用し
た。洗浄水のpHは3.3、伝導率は、65.1μS/
cmであった。その後、メタノ−ルで3回洗浄した後6
0℃で4時間真空加熱乾燥した。つぎにこの生成物1g
をN−メチル−2−ピロリドン10mlに入れ加熱撹拌
(150℃,1時間)し、ろ過後、メタノールで洗浄し
て60℃で4時間真空加熱乾燥し、本発明のフタロシア
ニン組成物の結晶を得た。この結晶のX線回折スペクト
ルを図1として示した。
【0042】評価 製造例1で製造したフタロシアニン組成物0.6mgを
石英製ESR測定管に入れ電子スピン共鳴分光計(日本
電子社製JES−RE2X型)を用いてESRスペクト
ルを測定した。マイクロ波の周波数は9.21GHzで
強度は4mW,磁場は3281±50Gであった。磁場
校正はMn(II)の標準サンプルで行った。スピン濃度は
標準試料としてテンポ−ル(1×10-6M)を用い、日
本電子社製自動解析システム(ES−PRIT330)
にて求めた。結果を表1に示した。
【0043】製造例2,3 N−メチル−2−ピロリドン中での加熱時間を3時間、
6時間とそれぞれ変える以外は、製造例1とまったく同
様にして、フタロシアニン組成物を製造した。フタロシ
アニン組成物のスピン濃度は、評価で記載した同様の方
法で求め結果を表1に示した。
【0044】比較製造例1〜3 N−メチル−2−ピロリドン中での加熱時間を12時
間、18時間、24時間とそれぞれ変える以外は、製造
例1とまったく同様にして、フタロシアニン組成物を製
造した。フタロシアニン組成物のスピン濃度は、評価で
記載した同様の方法で求め結果を表1に示した。24時
間N−メチル−2−ピロリドン中で加熱した後、得られ
た結晶のX線回折スペクトルを図2として示した。
【0045】
【表1】
【0046】製造例4〜6 製造例1〜3において塩化インジウムフタロシアニンの
代わりに臭化インジウムフタロシアニンを及びN−メチ
ル−2−ピロリドンの代わりにトルエン(110℃、1
時間、3時間、6時間)を用いた以外は製造例1〜3に
準じてフタロシアニン組成物の結晶を得た。フタロシア
ニン組成物のスピン濃度は、評価で記載した同様の方法
で求め結果を表2に示した。
【0047】比較製造例4〜6 比較製造例1〜3において塩化インジウムフタロシアニ
ンの代わりに臭化インジウムフタロシアニンを及びN−
メチル−2−ピロリドンの代わりにトルエン(110
℃、12時間、18時間、24時間)を用いた以外は比
較製造例1〜3に準じてフタロシアニン組成物の結晶を
得た。フタロシアニン組成物のスピン濃度は、評価で記
載した同様の方法で求め結果を表2に示した。
【0048】
【表2】
【0049】製造例7〜9 製造例1〜3において塩化インジウムフタロシアニンの
代わりに塩化ガリウムフタロシアニンを及びN−メチル
−2−ピロリドンの代わりにキシレン(120℃、1時
間、3時間、6時間)を用いた以外は製造例1〜3に準
じてフタロシアニン組成物の結晶を得た。フタロシアニ
ン組成物のスピン濃度は、評価で記載した同様の方法で
求め結果を表3に示した。
【0050】比較製造例7〜9 比較製造例1〜3において塩化インジウムフタロシアニ
ンの代わりに塩化ガリウムフタロシアニンを及びN−メ
チル−2−ピロリドンの代わりにキシレン(120℃、
12時間、18時間、24時間)を用いた以外は比較製
造例1〜3に準じてフタロシアニン組成物の結晶を得
た。フタロシアニン組成物のスピン濃度は、評価で記載
した同様の方法で求め結果を表3に示した。
【0051】
【表3】
【0052】製造例10〜12 製造例1〜3において塩化インジウムフタロシアニンの
代わりに塩化アルミニウムフタロシアニンを及びN−メ
チル−2−ピロリドンの代わりにテトラリン(150
℃、1時間、3時間、6時間)を用いた以外は製造例1
〜3に準じてフタロシアニン組成物の結晶を得た。フタ
ロシアニン組成物のスピン濃度は、評価で記載した同様
の方法で求め結果を表4に示した。
【0053】比較製造例10〜12 比較製造例1〜3において塩化インジウムフタロシアニ
ンの代わりに塩化アルミニウムフタロシアニンを及びN
−メチル−2−ピロリドンの代わりにテトラリン(15
0℃、12時間、18時間、24時間)を用いた以外は
比較製造例1〜3に準じてフタロシアニン組成物の結晶
を得た。フタロシアニン組成物のスピン濃度は、評価で
記載した同様の方法で求め結果を表4に示した。
【0054】
【表4】
【0055】実施例1 製造例1で製造したフタロシアニン組成物1.5g、シ
リコン樹脂KR−255(信越化学工業社製)1g及び
1,2−ジクロロエタン98gを配合し、ボールミルで
分散した。得られた分散液を浸漬法によりアルミニウム
板(導電性基材100mm×100mm×0.1mm)
上に塗工し、140℃で1時間乾燥して厚さ0.5μm
の電荷発生層を形成した。上記のNo.4の電荷輸送性
物質1.5g、ポリカーボネート樹脂ユーピロンS−3
000(三菱瓦斯化学社製)1.5g及び塩化メチレン
15.5gを配合して得られた塗布液を上記基板上に浸
漬法により塗工し、120℃で1時間乾燥して厚さ20
μmの電荷輸送層を形成した。この電子写真感光体の電
子写真特性を静電複写紙試験装置(川口電気社製、モデ
ルSP−428)により測定した。暗時で−5kVのコ
ロナ放電により帯電させて10秒後の初期帯電Vo(−
V)、30秒後の暗減衰DDR(%)、照度2luxの
白色光で露光した時の感度E1/2(lux・sec)
を求めた。その結果V0=640(−V)、DDR=6
8.5(%)、E1/2=0.7(lux・sec)で
あった。
【0056】実施例2,3 実施例1において製造例2及び3で得られたチタニルフ
タロシアニン組成物を用いた以外は実施例1に準じて電
子写真感光体を製造し評価した。その結果を表1に示し
た。
【0057】比較例1〜3 実施例1において比較製造例1〜3で得られたチタニル
フタロシアニン組成物を用いた以外は、実施例1に準じ
て電子写真感光体を製造し評価した。その結果を表1に
示した。
【0058】実施例4〜6 実施例1において製造例4〜6で得られたチタニルフタ
ロシアニン組成物を用い、かつ、電荷輸送材料としてN
o.4の化合物の代わりにNo.2を用いた以外は実施
例1〜3に準じて電子写真感光体を製造し評価した。そ
の結果を表2に示した。
【0059】比較例4〜6 実施例1において比較製造例4〜6で得られたチタニル
フタロシアニン組成物を用い、かつ、電荷輸送材料とし
てNo.4の化合物の代わりにNo.2を用いた以外
は、実施例1に準じて電子写真感光体を製造し評価し
た。その結果を表2に示した。
【0060】実施例7〜9 実施例1において製造例7〜9で得られたチタニルフタ
ロシアニン組成物を用い、かつ、電荷輸送材料としてN
o.4の化合物の代わりにNo.1を用いた以外は実施
例1〜3に準じて電子写真感光体を製造し評価した。そ
の結果を表3に示した。
【0061】比較例7〜9 実施例1において比較製造例7〜9で得られたチタニル
フタロシアニン組成物を用い、かつ、電荷輸送材料とし
てNo.4の化合物の代わりにNo.1を用いた以外
は、実施例1に準じて電子写真感光体を製造し評価し
た。その結果を表3に示した。
【0062】実施例10〜12 実施例1において製造例10〜12で得られたチタニル
フタロシアニン組成物を用い、かつ、電荷輸送材料とし
てNo.4の化合物の代わりにNo.5を用いた以外は
実施例1〜3に準じて電子写真感光体を製造し評価し
た。その結果を表4に示した。
【0063】比較例10〜12 実施例1において比較製造例10〜12で得られたチタ
ニルフタロシアニン組成物を用い、かつ、電荷輸送材料
としてNo.4の化合物の代わりにNo.5を用いた以
外は、実施例1に準じて電子写真感光体を製造し評価し
た。その結果を表4に示した。
【0064】
【発明の効果】本発明に係る電子写真感光体は、帯電
性、暗減衰、感度等の電子写真特性が優れており、従来
よりも更に高密度、高画質が要求される電子写真プロセ
スに好適に応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】N−メチル−2−ピロリドンで1時間処理した
フタロシアニン組成物のX線回折スペクトル。
【図2】N−メチル−2−ピロリドンで24時間処理し
たフタロシアニン組成物のX線回折スペクトル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松井 恵 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 秋元 孝幸 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導電性基材上に有機光導電性物質を含有
    する光導電層を有する電子写真感光体において、該有機
    光導電性物質がスピン濃度が7.0×1018スピンズ/
    g以下のフタロシアニン組成物である電子写真感光体。
  2. 【請求項2】 前記フタロシアニン組成物が、チタニル
    フタロシアニンと中心金属が3価のハロゲン化金属フタ
    ロシアニンを含む組成物である請求項1記載の電子写真
    感光体。
  3. 【請求項3】 前記フタロシアニン組成物がCuKαの
    X線回折スペクトルにおいてブラッグ角(2θ±0.2
    度)が7.5度、22.5度、24.3度、25.3度
    および28.6度に主な回折ピークを有するフタロシア
    ニン組成物である請求項1記載の電子写真感光体。
JP9781492A 1992-04-17 1992-04-17 電子写真感光体 Pending JPH05297617A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7358016B2 (en) 2002-07-23 2008-04-15 Osaka Gas Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptor and electrophoto-graphic apparatus equipped with the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7358016B2 (en) 2002-07-23 2008-04-15 Osaka Gas Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptor and electrophoto-graphic apparatus equipped with the same

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