JPH0529707A - Manufacture of internal current constriction type semiconductor laser element - Google Patents
Manufacture of internal current constriction type semiconductor laser elementInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は内部電流狭窄型半導体レ
ーザ素子の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an internal current confinement type semiconductor laser device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】内部電流狭窄型半導体レーザ素子は、図
２に示す構造を有するものが知られており、通常の外部
電流狭窄型半導体レーザ素子では得られない優れた特徴
を持っている。図２は内部電流狭窄型半導体レーザ素子
の正面から見た模式断面図であり、図２のようにこの素
子はＧａＡｓ基板１の上に第１クラッド層２，活性層
３，第２クラッド層４，エッチングストップ層５，第３
クラッド層６，コンタクト層７がこの順に形成されてお
り、第３クラッド層６とコンタクト層７に形成されたス
トライプ状メサ部のレーザ光進行方向と平行な両側面を
電流狭窄層８で埋め込んである。この電流狭窄層８は光
の吸収層の役割を持っており、エッチングストップ層５
上の第３クラッド層６の正面から見た幅を適切に選ぶこ
とにより、素子の安定な横モード発振を可能とし、さら
に外部電流狭窄型素子に比べて、電流狭窄層８が活性層
３の発光領域に近いため、電流が活性層３の一部に集中
して流れ、発振しきい値電流を低減させることができる
ものである。2. Description of the Related Art An internal current constriction type semiconductor laser device having a structure shown in FIG. 2 is known, and has excellent characteristics which cannot be obtained by a usual external current confinement type semiconductor laser device. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the internal current confinement type semiconductor laser device seen from the front. As shown in FIG. 2, this device has a first cladding layer 2, an active layer 3, a second cladding layer 4 on a GaAs substrate 1. , Etching stop layer 5, third
The clad layer 6 and the contact layer 7 are formed in this order, and both side surfaces of the stripe-shaped mesa formed in the third clad layer 6 and the contact layer 7 parallel to the laser light traveling direction are filled with the current confinement layer 8. is there. The current confinement layer 8 has a role of a light absorption layer, and the etching stop layer 5
By appropriately selecting the width of the third cladding layer 6 viewed from the front, stable transverse mode oscillation of the device is possible, and further, the current confinement layer 8 has a smaller active layer 3 than the external current confinement type device. Since it is close to the light emitting region, current concentrates in a part of the active layer 3 and the oscillation threshold current can be reduced.
【０００３】このように、内部電流狭窄型半導体レーザ
素子は、高出力化に適した構造を持っており、通常次の
ようにして製造される。図３（ａ）〜（ｄ）はその主な
工程順を示したものであり、図１と共通部分を同一符号
で表わしてある。まず基板１（ｎ−ＧａＡｓ，厚さ３０
０μｍ，キャリア濃度３×１０18／cm3 ）上に、減圧Ｍ
ＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）を用いて第１クラッ
ド層２（ｎ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ，厚さ１．５μｍ，キ
ャリア濃度５×１０17／cm3 ），活性層３（ｐ−Ａｌx
Ｇａ1-x Ａｓ，厚さ０．１μｍ，キャリア濃度３×１０
17／cm3 ），第２クラッド層４（ｐ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａ
ｓ，厚さ１．５μｍ，キャリア濃度５×１０17／c
m3 ），エッチングストップ層５（ｐ−Ａｌy Ｇａ1-y
Ａｓ，厚さ０．１μｍ，キャリア濃度５×１０17／c
m3 ），第３クラッド層６（ｐ−Ａｌx Ｇａ 1-x Ａｓ，
厚さ１．２μｍ，キャリア濃度１×１０18／cm3 ），第
一のコンタクト層７ａ（ｐ−ＧａＡｓ，厚さ０．５μ
ｍ，キャリア濃度１×１０18／cm3 ）を順次成長させ
る。ただし、活性層３，第２クラッド層４，エッチング
ストップ層５，第３クラッド層６のＡｌ組成ｚ，ｘ，ｙ
はｚ＜ｙ＜ｘの関係となるように設定する。［図３
（ａ）］。Thus, the internal current confinement type semiconductor laser
The device has a structure suitable for high output, and is usually
Manufactured in this way. 3 (a) to 3 (d) are the main
It shows the order of steps, and the same parts as those in FIG.
It is represented by. First, the substrate 1 (n-GaAs, thickness 30)
0 μm, carrier concentration 3 × 1018/cm3) On the reduced pressure M
Using the OCVD method (metalorganic vapor phase epitaxy),
Layer 2 (n-AlxGa1-xAs, thickness 1.5 μm, key
Carrier concentration 5 × 1017/cm3), Active layer 3 (p-Alx
Ga1-xAs, thickness 0.1 μm, carrier concentration 3 × 10
17/cm3), The second cladding layer 4 (p-AlxGa1-xA
s, thickness 1.5 μm, carrier concentration 5 × 1017/ C
m3), Etching stop layer 5 (p-AlyGa1-y
As, thickness 0.1 μm, carrier concentration 5 × 1017/ C
m3), The third cladding layer 6 (p-AlxGa 1-xAs,
Thickness 1.2 μm, carrier concentration 1 × 1018/cm3), No.
One contact layer 7a (p-GaAs, thickness 0.5 μ
m, carrier concentration 1 × 1018/cm3) Grows sequentially
It However, active layer 3, second cladding layer 4, etching
Al composition z, x, y of the stop layer 5 and the third cladding layer 6
Is set so that z <y <x. [Figure 3
(A)].
【０００４】次にこの積層体の上面全面にＳｉＯ2 膜９
をスパッタにより付着させ、フォトレジストを塗布して
パターニングし、幅５μｍのＳｉＯ2 膜９をストライプ
状に形成してレジストを除去した後、ＳｉＯ2膜９をマ
スクとして、はじめに硫酸系エッチング液（硫酸：過酸
化水素水：水＝１０：１：１），次に沃素系エッチング
液（沃素：過酸化水素水：水＝１００：１：１）を用い
て第３クラッド層６、第一のコンタクト層７ａのエッチ
ングを行ない、第３クラッド層６の途中までエッチング
して、ストライプ状メサ部を形成する［図３（ｂ）］。
このとき、沃素系エッチング液のＡｌ組成に対するエッ
チング速度の違いを利用して、エッチングストップ層５
の位置で第３クラッド層６のエッチングを停止させるこ
とができる。例えば、第３クラッド層６のＡｌ組成ｘを
０．４５，エッチングストップ層５のＡｌ組成ｙを０．
２とした場合、エッチング速度の比は５：１であり、こ
のエッチング速度の差を利用して、第３クラッド層６の
エッチングを停止させるのである。Next, the SiO 2 film 9 is formed on the entire upper surface of this laminated body.
Are deposited by sputtering, a photoresist is applied and patterned, a SiO 2 film 9 having a width of 5 μm is formed in a stripe shape, and the resist is removed. Then, the SiO 2 film 9 is used as a mask to first remove a sulfuric acid-based etching solution (sulfuric acid). : Hydrogen peroxide water: water = 10: 1: 1), and then an iodine-based etching solution (iodine: hydrogen peroxide water: water = 100: 1: 1) is used to form the third clad layer 6 and the first contact. The layer 7a is etched, and the third cladding layer 6 is partially etched to form a stripe-shaped mesa portion [FIG. 3 (b)].
At this time, the etching stop layer 5 is utilized by utilizing the difference in etching rate with respect to the Al composition of the iodine-based etching solution.
At this position, the etching of the third cladding layer 6 can be stopped. For example, the Al composition x of the third cladding layer 6 is 0.45, and the Al composition y of the etching stop layer 5 is 0.
When it is set to 2, the etching rate ratio is 5: 1, and the etching of the third cladding layer 6 is stopped by utilizing this difference in etching rate.
【０００５】次いでＳｉＯ2 膜９を付着させたまま再度
減圧ＭＯＣＶＤ法を用いて電流狭窄層８（ｎ−ＧａＡ
ｓ，厚さ１．７μｍ，キャリア濃度５×１０19／cm3 ）
をメサ部の両側に選択成長させる［図３（ｃ）］。Next, the current confinement layer 8 (n-GaA) is again formed by using the low pressure MOCVD method with the SiO 2 film 9 attached.
s, thickness 1.7 μm, carrier concentration 5 × 10 19 / cm 3 )
Are selectively grown on both sides of the mesa portion [FIG. 3 (c)].
【０００６】そして、ＳｉＯ2 膜９を除去し、さらにＭ
ＯＣＶＤ法を用いてｐ−ＧａＡｓの第二のコンタクト層
７ｂを３μｍ再成長させ、始めに形成された第一のコン
タクト層７ａと一体となるようにコンタクト層７を形成
する。これは素子をレーザ発振させるときの放熱効果を
高めるように、素子の活性層３側の面をヒートシンクに
マウントする際、半田材料が発光領域を塞がないように
するためである。［図３（ｄ）］。Then, the SiO 2 film 9 is removed, and M
The second contact layer 7b of p-GaAs is regrown by 3 μm by using the OCVD method, and the contact layer 7 is formed so as to be integrated with the first contact layer 7a formed first. This is to prevent the solder material from blocking the light emitting region when the surface of the element on the active layer 3 side is mounted on the heat sink so as to enhance the heat radiation effect when the element oscillates. [FIG.3 (d)].
【０００７】以上のような積層構造は、基板１となる半
導体ウエハ上に形成される多数個の素子について行なわ
れるものであり、このウェハの上下両面にそれぞれｐ側
オーミック電極１０としてＡｕＺｎ，ｎ側オーミック電
極１１としてＡｕＧｅを形成し、その後バー状に劈開
し、さらにチップ化を行なって、図２に示す内部電流狭
窄型半導体レーザ素子を得ることができる。The laminated structure as described above is performed for a large number of elements formed on a semiconductor wafer which becomes the substrate 1. The AuZn, n side is formed as the p-side ohmic electrodes 10 on the upper and lower surfaces of the wafer, respectively. By forming AuGe as the ohmic electrode 11 and then cleaving it into a bar shape and further chipping, the internal current confinement type semiconductor laser device shown in FIG. 2 can be obtained.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかし、以上の方法に
より内部電流狭窄型半導体レーザ素子を製造するとき、
次のような問題がある。それは、得られた半導体レーザ
素子のチップを、組み立てて製品とする前に、多数のチ
ップの電気的な特性を個別に測定して、これらの中から
良品を選別するのにかなりの時間を要することである。
それぞれのチップの大きさは、縦横寸法が０．３ｍｍ角
程度の極めて小さなものであるから、この選別を手作業
で行なうとすれば、非常に時間がかかり、また自動測定
を行なう場合も、このように小さなチップを精度よくレ
ーザ光出射方向に揃えるのが非常に難しい。チップとす
る前のウエハを劈開したバーの状態では、その大きさは
０．３ｍｍ角で長さが２０ｍｍ程度あるから、この状態
で特性測定を行なえば、取扱いやすくなり、所要時間も
短くて済ませられるが、そのバー上に形成されているそ
れぞれのチップの特性を分離するのが難しく、良品と不
良品との区別に誤判断を起こすことがある。即ち、バー
状のウエハには複数個の素子が含まれており、互いに分
離されていないから電流が重畳して流れると、所期の光
出力を得るためには見掛け上電流が大き過ぎ、個々の素
子について、良品を不良品として扱ってしまうことであ
る。However, when the internal current confinement type semiconductor laser device is manufactured by the above method,
There are the following problems. It takes a considerable time to individually measure the electrical characteristics of a large number of chips before assembling the obtained semiconductor laser device chips into products and to select good products from these. That is.
The size of each chip is extremely small, with vertical and horizontal dimensions of about 0.3 mm square, so if this sorting is done manually, it will take a very long time, and even if automatic measurement is performed, this It is very difficult to accurately align such small chips in the laser beam emission direction. In the state of the bar cleaved from the wafer before being made into chips, the size is 0.3 mm square and the length is about 20 mm, so if the characteristics are measured in this state, it will be easy to handle and the time required will be short. However, it is difficult to separate the characteristics of each chip formed on the bar, and an erroneous determination may be made in distinguishing a good product from a defective product. That is, since the bar-shaped wafer contains a plurality of elements and they are not separated from each other, if currents flow in superposition, the apparent currents are too large to obtain the desired optical output, and the individual With regard to the element, the non-defective product is treated as a defective product.
【０００９】本発明は上述の点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、内部電流狭窄型半導体レーザ素子を
製造するに当たり、ウエハ劈開後のバー状態で素子の良
否を判定する特性測定を、測定作業の効率よくしかも測
定上の判断ミスなく行なうことができる製造方法を提供
することにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and an object thereof is to perform a characteristic measurement for determining the quality of an element in a bar state after wafer cleavage in manufacturing an internal current confinement type semiconductor laser element. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a manufacturing method capable of efficiently performing a measurement operation and making a measurement error.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明は内部電流狭窄型半導体レーザ素子を製造
する過程において、電流狭窄層を形成した後、その表面
上に素子を分離するＳｉＯ2 膜をレーザ光進行方向と平
行にパターニングした後、第二のコンタクト層を選択的
に成長させるものであり、第二のコンタクト層表面に電
極を蒸着するとき、蒸着源に対して基板を素子のレーザ
光進行方向と傾けて配置し、隣合って対向する第二のコ
ンタクト層の両側面の一方にのみレーザ光進行方向と平
行な方向に電極を形成する。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention forms a current confinement layer in the process of manufacturing an internal current confinement type semiconductor laser device and then separates the device on the surface thereof. The second contact layer is selectively grown after the SiO 2 film is patterned in parallel with the laser beam traveling direction. When the electrode is vapor-deposited on the surface of the second contact layer, the substrate is placed against the vapor deposition source. The element is arranged so as to be inclined with respect to the laser light traveling direction, and an electrode is formed in a direction parallel to the laser light traveling direction only on one of both side surfaces of the second contact layer which are adjacent and opposed to each other.
【００１１】[0011]
【作用】本発明は以上の方法を用いることにより、エピ
タキシャル成長の段階で素子を分離しているので、ウエ
ハ劈開後のバー状態で特性の測定を行なうとき、短時間
にしかも個々の素子について特性の良否を誤って判断す
ることがなくなり、測定時の歩留りも向上する。According to the present invention, since the elements are separated at the stage of epitaxial growth by using the above method, when the characteristics are measured in the bar state after the cleavage of the wafer, the characteristics of individual elements can be measured in a short time. There is no erroneous determination of pass / fail, and the yield at the time of measurement is improved.
【００１２】[0012]
【実施例】以下本発明を実施例に基づき説明する。本発
明の方法は、図３（ｃ）の電流狭窄層８をメサ部の両側
に選択成長させる過程までは、従来と同じであるからそ
の説明を省略し、その後の工程を図１（ａ）〜（ｃ）を
参照して述べるが、ここでは、素子の分離個所を図示す
るために、説明の便宜上、二つの素子構造を有する領域
で示してある。図１（ａ）〜（ｃ）における図３（ａ）
〜（ｄ）と共通する部分を同一符号で表わす。EXAMPLES The present invention will be described below based on examples. The method of the present invention is the same as the conventional method up to the step of selectively growing the current confinement layer 8 of FIG. 3C on both sides of the mesa portion, and therefore the description thereof is omitted and the subsequent steps are illustrated in FIG. Although the description will be made with reference to (c) to (c), in order to illustrate the isolation portion of the element, it is shown as a region having two element structures for convenience of description. FIG. 3A in FIGS. 1A to 1C
Parts common to (d) are represented by the same reference numerals.
【００１３】本発明では、まず図３（ｃ）に相当するＳ
ｉＯ2 膜９を除去した後、再びウエハ全面にＳｉＯ2 膜
９ａを付着させて、素子を分離する個所にのみＳｉＯ2
膜９ａを残し、それ以外の個所に付着しているＳｉＯ2
膜９ａは除去する［図１（ａ）］。In the present invention, first, S corresponding to FIG.
iO 2 After the film 9 is removed, by adhering SiO 2 film 9a on the entire wafer surface again, SiO only point to separate the element 2
SiO 2 adhered to other parts except the film 9a
The film 9a is removed [FIG. 1 (a)].
【００１４】次に、再度ＭＯＣＶＤ法を用いて、第二の
コンタクト層７ｂを３μｍ再成長させる。このとき、電
流狭窄層８を成長させたときと同様に、第二のコンタク
ト層７ｂの選択成長が行なわれ、第一のコンタクト層７
ａと一体に形成されるコンタクト層７は、素子毎に完全
に分離される［図１（ｂ）］。Next, the second contact layer 7b is regrown to 3 μm by MOCVD again. At this time, as in the case of growing the current confinement layer 8, the selective growth of the second contact layer 7b is performed, and the first contact layer 7 is formed.
The contact layer 7 formed integrally with a is completely separated for each element [FIG. 1 (b)].
【００１５】かくして形成された複数個のコンタクト層
７は、第２クラッド層４の表面上でＳｉＯ2 膜９ａを挟
んで隣り合う側面同士が、傾斜して対向するようになる
ので、コンタクト層７上にｐ側電極１０を形成すると
き、斜め蒸着の手法を用いて、このウエハを蒸着源に対
し、傾けてセットする。そして電極材料の蒸着を行なう
と、傾斜して対向する第二のコンタクト層７ｂの側面の
一方は、他方の第二のコンタクト層７ｂによって蒸着が
遮られ、その面には蒸着が行なわれず、素子間の電極１
０も分離させることができる［図１（ｃ）］。A plurality of contact layers thus formed
In the case of forming the p-side electrode 10 on the contact layer 7 , the side surfaces of the second cladding layer 4 which are adjacent to each other with the SiO 2 film 9a sandwiched therebetween face each other with an inclination. Using a vapor deposition technique, this wafer is set at an angle to the vapor deposition source. When the electrode material is vapor-deposited, one of the side surfaces of the second contact layer 7b, which is inclined and faces the other side, is blocked from vapor deposition by the other second contact layer 7b, and vapor deposition is not performed on that surface. Electrode 1 between
0 can also be separated [Fig. 1 (c)].
【００１６】次いで、ｎ側電極（図示せず）を形成した
後、バー状に劈開し、チップ化を行ない、本発明の方法
を用いた内部電流狭窄型半導体レーザ素子が得られる。
このようにして得られる内部電流狭窄型半導体レーザ素
子を、劈開終了後のバーの状態で、そのバーに属する素
子の特性測定を行ない、同時に従来の方法により作製し
たバー状のものも測定し、良品と不良品との分別作業に
おける測定時の誤判断の割合を比較した。その結果、本
発明の方法により作製した素子は、良否の判断ミスは２
％であったのに対し、従来の方法により作製した素子は
３８％であり、本発明の方法を用いることにより、３６
％も判断ミスを減少させることができた。これは、測定
したバーに形成されている多数個の素子が、互いによく
分離され電気的に相互の影響を及ぼすことがないからで
ある。Next, after forming an n-side electrode (not shown), it is cleaved into a bar shape and chipped to obtain an internal current confinement type semiconductor laser device using the method of the present invention.
The internal current confinement type semiconductor laser device obtained in this manner is measured for the characteristics of the devices belonging to the bar in the state of the bar after the end of cleavage, and at the same time, the bar-shaped one manufactured by the conventional method is also measured. The rate of misjudgment at the time of measurement in the separation work of good products and defective products was compared. As a result, in the element manufactured by the method of the present invention, the number of erroneous judgments of quality is 2
%, Whereas the element produced by the conventional method is 38%, and by using the method of the present invention,
% Could also reduce judgment errors. This is because the large number of elements formed on the measured bar are well separated from each other and do not electrically affect each other.
【００１７】なお、本発明の方法において、コンタクト
層７上にｐ側電極１０を形成するのを、斜め蒸着の手法
を用いる代わりに、図１（ｂ）の状態からコンタクト層
７の表面、即ち第二のコンタクト層７ｂの表面全面に、
ｐ側電極１０を付着させた後、これをパターニングして
素子を分離しても、前述と同様の構造を持つ素子を得る
ことができる。このようにして作製したバーについての
素子特性測定時の良否判別の誤りは１％に過ぎず、この
場合も素子間の分離がよく行なわれていることを示して
いる。In the method of the present invention, the p-side electrode 10 is formed on the contact layer 7 from the state of FIG. 1 (b) instead of using the oblique deposition method.
7 surface, that is, the entire surface of the second contact layer 7b,
Even if the p-side electrode 10 is attached and then patterned to separate the elements, an element having the same structure as described above can be obtained. The error in the pass / fail judgment at the time of measuring the element characteristics of the bar thus manufactured is only 1%, and in this case as well, it is shown that the elements are often separated.
【００１８】[0018]
【発明の効果】本発明は内部電流狭窄型半導体レーザ素
子を製造するに当たり、電流狭窄層を形成した後、その
表面上に素子を分離するＳｉＯ2 膜をレーザ光進行方向
と平行にパターニングした後、第二のコンタクト層を選
択的に成長させ、第二のコンタクト層表面に電極を蒸着
することにより、エピタキシャル成長の段階で素子を分
離したために、ウエハ劈開後のバー状態で特性の測定を
行なうとき、効率よくしかも個々の素子について特性の
良否を誤って判断することがないので、測定時の歩留り
も向上し、素子の生産性を高めることができる。According to the present invention, in manufacturing an internal current confinement type semiconductor laser device, a current confinement layer is formed, and then a SiO 2 film for isolating the device is patterned on the surface thereof in parallel with the laser light traveling direction. , When the characteristics are measured in the bar state after the wafer is cleaved because the elements were separated at the stage of epitaxial growth by selectively growing the second contact layer and depositing the electrode on the surface of the second contact layer. Since the quality of the characteristics of each element is not erroneously judged efficiently, the yield at the time of measurement can be improved, and the productivity of the element can be improved.
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明による内部電流狭窄型
半導体レーザ素子の製造工程図1A to 1C are manufacturing process diagrams of an internal current confinement type semiconductor laser device according to the present invention.
【図２】内部電流狭窄型半導体レーザ素子の模式断面図FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an internal current confinement type semiconductor laser device.
【図３】（ａ）〜（ｄ）は内部電流狭窄型半導体レーザ
素子の製造工程図3A to 3D are manufacturing process diagrams of an internal current confinement type semiconductor laser device.
１ 基板 ２ 第１クラッド層 ３ 活性層 ４ 第２クラッド層 ５ エッチングストップ層 ６ 第３クラッド層７ コンタクト層 ７ａ 第一のコンタクト層 ７ｂ 第二のコンタクト層 ８ 電流狭窄層 ９ ＳｉＯ2 膜 ９ａ ＳｉＯ2 膜 １０ ｐ側電極 １１ ｎ側電極1 substrate 2 first clad layer 3 active layer 4 second clad layer 5 etching stop layer 6 third clad layer 7 contact layer 7a first contact layer 7b second contact layer 8 current confinement layer 9 SiO 2 film 9a SiO 2 Membrane 10 p-side electrode 11 n-side electrode
Claims (2)
ラッド層，活性層，第２クラッド層，第３クラッド層，
および第一のコンタクト層を順次形成し、前記第一のコ
ンタクト層が前記第３クラッド層に形成されるメサ部上
面と接触する領域のレーザ光進行方向と平行な両側面
に、前記第２クラッド層とは逆導電型の電流狭窄層を埋
め込み、この電流狭窄層は前記第２クラッド層の前記活
性層と反対側の面で第二のコンタクト層と接触し、前記
第一のコンタクト層と前記第二のコンタクト層が一体と
なる素子構造を前記基板上に多数形成する内部電流狭窄
型半導体レーザ素子の製造方法であって、前記電流狭窄
層を形成した後、その表面上に素子を分離するＳｉＯ2
膜をレーザ光進行方向と平行にパターニングする工程
と、前記第二のコンタクト層を選択的に成長させる工程
とを有することを特徴とする内部電流狭窄型半導体レー
ザ素子の製造方法。1. A semiconductor substrate having at least a first cladding layer, an active layer, a second cladding layer, and a third cladding layer on a main surface thereof.
And a first contact layer are sequentially formed, and the second clad is formed on both side surfaces parallel to the laser light traveling direction in a region where the first contact layer contacts the upper surface of the mesa formed in the third clad layer. A current confinement layer having a conductivity type opposite to that of the layer is buried, and the current confinement layer is in contact with the second contact layer on the surface of the second cladding layer opposite to the active layer, and the first contact layer and the first contact layer. A method of manufacturing an internal current confinement type semiconductor laser device, comprising forming a plurality of device structures having a second contact layer integrated on the substrate, wherein the device is separated on the surface after forming the current confinement layer. SiO 2
A method of manufacturing an internal current constriction type semiconductor laser device, comprising: a step of patterning a film parallel to a laser light traveling direction; and a step of selectively growing the second contact layer.
クト層表面に蒸着法を用いて電極を形成するに当たり、
蒸着源に対して基板を素子のレーザ光進行方向と傾けて
配置し、隣合って対向する前記第二のコンタクト層の両
側面の一方にのみ前記レーザ光進行方向と平行な方向に
電極を形成することを特徴とする内部電流狭窄型半導体
レーザ素子の製造方法。2. When forming an electrode on the surface of the selectively grown second contact layer according to claim 1 by an evaporation method,
The substrate is arranged so as to be inclined with respect to the vapor deposition source with respect to the laser beam traveling direction of the device, and electrodes are formed on one of both side surfaces of the second contact layer which are adjacent and opposed to each other in a direction parallel to the laser beam traveling direction. A method of manufacturing an internal current constriction type semiconductor laser device, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18272891A JPH0529707A (en) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | Manufacture of internal current constriction type semiconductor laser element |
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|---|---|---|---|
| JP18272891A JPH0529707A (en) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | Manufacture of internal current constriction type semiconductor laser element |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529707A true JPH0529707A (en) | 1993-02-05 |
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ID=16123409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18272891A Pending JPH0529707A (en) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | Manufacture of internal current constriction type semiconductor laser element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529707A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11177184A (en) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Ricoh Co Ltd | Semiconductor laser device and its manufacture |
-
1991
- 1991-07-24 JP JP18272891A patent/JPH0529707A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11177184A (en) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Ricoh Co Ltd | Semiconductor laser device and its manufacture |
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