JPH0529593A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPH0529593A JPH0529593A JP3208804A JP20880491A JPH0529593A JP H0529593 A JPH0529593 A JP H0529593A JP 3208804 A JP3208804 A JP 3208804A JP 20880491 A JP20880491 A JP 20880491A JP H0529593 A JPH0529593 A JP H0529593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- pixel
- conversion device
- shielding layer
- transparent electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 78
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- -1 Al-T. i Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910008332 Si-Ti Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910006749 Si—Ti Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 58
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical group C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- TUTOKIOKAWTABR-UHFFFAOYSA-N dimethylalumane Chemical compound C[AlH]C TUTOKIOKAWTABR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKTZODAHLMBGLG-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon;$l^{2}-alumanylidenesilylidenealuminum Chemical compound [Si]#[Al].[Si]#[Al].[Al]=[Si]=[Al] LKTZODAHLMBGLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQUNHXCJVILJQ-UHFFFAOYSA-N aluminum palladium Chemical compound [Al].[Pd] IEQUNHXCJVILJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- CWEHKOAQFGHCFQ-UHFFFAOYSA-N methylalumane Chemical compound [AlH2]C CWEHKOAQFGHCFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000010187 selection method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14681—Bipolar transistor imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
- H04N25/633—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current by using optical black pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 明画素と暗画素とが等しい一時蓄積容量を有
し、黒基準として安定した暗画素出力を得ることができ
るようにした光電変換装置を提供する。 【構成】 暗画素として作用する画素の受光面に入射す
る光を遮るために、導電性材料からなる遮光層を設けた
光電変換素子を有する光電変換装置において、明画素と
して作用する画素の受光面前方の位置に設けられた、前
記の遮光層と同じ形状又は実質的に同じ形状を有する透
明電極を有する。 【効果】 明画素および暗画素間でその一時蓄積容量等
の影響が実質的に同一となり、暗画素出力を安定した黒
基準として用いることができる。
し、黒基準として安定した暗画素出力を得ることができ
るようにした光電変換装置を提供する。 【構成】 暗画素として作用する画素の受光面に入射す
る光を遮るために、導電性材料からなる遮光層を設けた
光電変換素子を有する光電変換装置において、明画素と
して作用する画素の受光面前方の位置に設けられた、前
記の遮光層と同じ形状又は実質的に同じ形状を有する透
明電極を有する。 【効果】 明画素および暗画素間でその一時蓄積容量等
の影響が実質的に同一となり、暗画素出力を安定した黒
基準として用いることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光電変換装置に関し、更
に詳しくは、光電変換可能な制御電極に光キャリアを蓄
積可能な構成とされた複数の光電変換素子を有し、該光
電変換素子の少なくとも一部の素子を有する光電変換装
置に関する。
に詳しくは、光電変換可能な制御電極に光キャリアを蓄
積可能な構成とされた複数の光電変換素子を有し、該光
電変換素子の少なくとも一部の素子を有する光電変換装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光電変換装置として、半導体基板に形成
された複数の光電変換素子の上に、この素子の少なくと
も一部の素子を覆う遮光層を設け、この光電変換素子を
暗画素として作用させるようにすることが知られている
（たとえば米国特許第４，８９７，４７０号明細書）。
された複数の光電変換素子の上に、この素子の少なくと
も一部の素子を覆う遮光層を設け、この光電変換素子を
暗画素として作用させるようにすることが知られている
（たとえば米国特許第４，８９７，４７０号明細書）。
【０００３】以下、暗出力補償について簡単に説明す
る。図１２（Ａ）は、暗出力補償機能を有する従来の光
電変換装置の概略的構成図である。
る。図１２（Ａ）は、暗出力補償機能を有する従来の光
電変換装置の概略的構成図である。
【０００４】同図において、センサ部７０１は光電変換
を行う開口部のセル７S1〜７Snと暗基準出力を得るため
の遮光部のセル７Sdとから構成されている。
を行う開口部のセル７S1〜７Snと暗基準出力を得るため
の遮光部のセル７Sdとから構成されている。
【０００５】各セルの信号は走査部７０２によって順次
出力され、暗出力補償部７０３に入力する。暗出力補償
部７０３では、セル７S1〜７Snの各信号からセル７Sdの
暗基準信号分を差し引いて出力する。
出力され、暗出力補償部７０３に入力する。暗出力補償
部７０３では、セル７S1〜７Snの各信号からセル７Sdの
暗基準信号分を差し引いて出力する。
【０００６】遮光部のセンサセル７Sdの出力はセンサセ
ルの暗電流に相当するために、セル７S1〜７Snの各信号
からセル７Sdの暗基準信号分を差し引くことで、暗電流
による雑音成分が除去され、入射光に正確に対応した光
電変換信号を得ることができる。
ルの暗電流に相当するために、セル７S1〜７Snの各信号
からセル７Sdの暗基準信号分を差し引くことで、暗電流
による雑音成分が除去され、入射光に正確に対応した光
電変換信号を得ることができる。
【０００７】なお、暗出力補償部７０３としては、クラ
ンプ回路を用いてもよいし、セル７Sdの暗基準信号を保
持するサンプルホールド回路と、その暗基準信号とセル
７Sd〜７Snの信号との差をとる差分回路を用いることも
できる。
ンプ回路を用いてもよいし、セル７Sdの暗基準信号を保
持するサンプルホールド回路と、その暗基準信号とセル
７Sd〜７Snの信号との差をとる差分回路を用いることも
できる。
【０００８】次に半導体トランジスタの制御電極上に光
キャリアを蓄積するタイプの光電変換素子の１画素分を
模式的に示す図１２（Ｂ）を参照して説明する。各光電
変換素子は、半導体基板２７上に設けられた埋込層２６
上に構成され、エピタキシャル層２４、ベース層２５お
よび素子分離層２３からなる。また各光電変換素子の上
方には透明な絶縁層２２が設けられており、さらに暗画
素として作用する光電変換素子は、絶縁層２２もしくは
その上に設けた金属の遮光層２１で覆われる。尚、以
下、対応して設けられた遮光層を有する光電変換素子を
暗画素、光信号又は光情報が入射され得る光電変換素子
を明画素と称する場合がある。
キャリアを蓄積するタイプの光電変換素子の１画素分を
模式的に示す図１２（Ｂ）を参照して説明する。各光電
変換素子は、半導体基板２７上に設けられた埋込層２６
上に構成され、エピタキシャル層２４、ベース層２５お
よび素子分離層２３からなる。また各光電変換素子の上
方には透明な絶縁層２２が設けられており、さらに暗画
素として作用する光電変換素子は、絶縁層２２もしくは
その上に設けた金属の遮光層２１で覆われる。尚、以
下、対応して設けられた遮光層を有する光電変換素子を
暗画素、光信号又は光情報が入射され得る光電変換素子
を明画素と称する場合がある。
【０００９】
【発明が解決しようとしている課題】図１２（Ｂ）に示
したような従来の光電変換装置において、遮光層２１
は、ＶCC等の電源線としても使用されることが多い。こ
のため遮光層とベース領域との間に寄生容量が形成さ
れ、暗画素と明画素とでベース容量に差異が生じてい
た。この現象を、ＢＡＳＩＳを１次元的に配置したリニ
アセンサの等価回路（図１３）と、その動作時のタイミ
ングチャート（図１４）を用いて説明する。
したような従来の光電変換装置において、遮光層２１
は、ＶCC等の電源線としても使用されることが多い。こ
のため遮光層とベース領域との間に寄生容量が形成さ
れ、暗画素と明画素とでベース容量に差異が生じてい
た。この現象を、ＢＡＳＩＳを１次元的に配置したリニ
アセンサの等価回路（図１３）と、その動作時のタイミ
ングチャート（図１４）を用いて説明する。
【００１０】まず時刻ｔ１においてクロックφCRが立ち
上がると、トランジスタＭ41〜Ｍ4nが同時にＯＮし、一
時蓄積容量Ｃ１〜ＣｎがすべてＶCRにリセットされる。
時刻ｔ２においてクロックφＴが立ち上がると、トラン
ジスタＭ31〜Ｍ3nがＯＮし、センサー部のトランジスタ
Ｑ１〜ＱｎがＯＮし、ベース容量Ｃb1からＣbnに蓄積さ
れた光信号がＣ１〜Ｃｎにそれぞれ読み出される。その
後、時刻ｔ３において、クロックφBRが立下り、トラン
ジスタＭ11〜Ｍ1nがＯＮし、センサー部ベースがリセッ
ト（完全リセット）され、さらに時刻ｔ４においてクロ
ックφERが立上り、トランジスタＭ21〜Ｍ2nがＯＮし、
トランジスタＱ１〜ＱｎのエミッタがＶERにリセットさ
れるとともに、センサが過渡リセットされる。
上がると、トランジスタＭ41〜Ｍ4nが同時にＯＮし、一
時蓄積容量Ｃ１〜ＣｎがすべてＶCRにリセットされる。
時刻ｔ２においてクロックφＴが立ち上がると、トラン
ジスタＭ31〜Ｍ3nがＯＮし、センサー部のトランジスタ
Ｑ１〜ＱｎがＯＮし、ベース容量Ｃb1からＣbnに蓄積さ
れた光信号がＣ１〜Ｃｎにそれぞれ読み出される。その
後、時刻ｔ３において、クロックφBRが立下り、トラン
ジスタＭ11〜Ｍ1nがＯＮし、センサー部ベースがリセッ
ト（完全リセット）され、さらに時刻ｔ４においてクロ
ックφERが立上り、トランジスタＭ21〜Ｍ2nがＯＮし、
トランジスタＱ１〜ＱｎのエミッタがＶERにリセットさ
れるとともに、センサが過渡リセットされる。
【００１１】以上の一連の一時蓄積容量への読出し動作
およびセンサのリセット動作が完了すると、センサは蓄
積動作に入るとともに、一時蓄積容量から出力端子Ｖ
outへの読出し動作が行われる。すなわち時刻ｔ５にお
いて、クロックφHRが立上り、トランジスタＭ６がＯＮ
すると、出力線Ｌがリセットされ、つぎに時刻ｔ６につ
いてシフトレジスタＳＲからの出力ＳR1が立ち上がる
と、トランジスタＭ51がＯＮし、容量Ｃ１から出力線へ
信号が読出される。この読出し動作を画素数の回数だけ
繰り返すことにより読出し動作が完了する。
およびセンサのリセット動作が完了すると、センサは蓄
積動作に入るとともに、一時蓄積容量から出力端子Ｖ
outへの読出し動作が行われる。すなわち時刻ｔ５にお
いて、クロックφHRが立上り、トランジスタＭ６がＯＮ
すると、出力線Ｌがリセットされ、つぎに時刻ｔ６につ
いてシフトレジスタＳＲからの出力ＳR1が立ち上がる
と、トランジスタＭ51がＯＮし、容量Ｃ１から出力線へ
信号が読出される。この読出し動作を画素数の回数だけ
繰り返すことにより読出し動作が完了する。
【００１２】ところでセンサから一時蓄積容量への読出
し動作において、ｎ番目の画素について考えると、十分
な読出し時間が与えられていると仮定したときトランジ
スタＱｎのエミッタ端子での出力電圧ＶEは、 で表される。ここでＡは画素面積、ｉｐは光電流密度、
ｔｓは蓄積時間、Ｃbnはｎ番目の画素の一時蓄積容量で
ある。したがって前述のように、暗画素と明画素とでＣ
ｂが異なると、暗画素の出力と、明画素の暗状態での出
力とが異なることとなり、暗画素の出力を黒基準として
用いることができなくなるという問題点が発生する場合
があった。
し動作において、ｎ番目の画素について考えると、十分
な読出し時間が与えられていると仮定したときトランジ
スタＱｎのエミッタ端子での出力電圧ＶEは、 で表される。ここでＡは画素面積、ｉｐは光電流密度、
ｔｓは蓄積時間、Ｃbnはｎ番目の画素の一時蓄積容量で
ある。したがって前述のように、暗画素と明画素とでＣ
ｂが異なると、暗画素の出力と、明画素の暗状態での出
力とが異なることとなり、暗画素の出力を黒基準として
用いることができなくなるという問題点が発生する場合
があった。
【００１３】また図１５は、画素が２次元的に配置され
た光電変換装置を示し、１０１は垂直駆動線、１０３は
垂直信号線、１０４はスイッチ手段、１０５は水平線号
線、１０７はバッファ手段、１０８は水平信号線リセッ
ト手段、１１０は光シールド層である。このような構成
の光電変換装置においても、暗画素がＳ11〜Ｓ1nのよう
に配置されている場合、Ｓ11〜Ｓ1nの各ベース容量が大
きくなり、明画素のベース容量と異なってしまうので、
リニアセンサと同じ問題が生じる。
た光電変換装置を示し、１０１は垂直駆動線、１０３は
垂直信号線、１０４はスイッチ手段、１０５は水平線号
線、１０７はバッファ手段、１０８は水平信号線リセッ
ト手段、１１０は光シールド層である。このような構成
の光電変換装置においても、暗画素がＳ11〜Ｓ1nのよう
に配置されている場合、Ｓ11〜Ｓ1nの各ベース容量が大
きくなり、明画素のベース容量と異なってしまうので、
リニアセンサと同じ問題が生じる。
【００１４】本発明はこのような従来の光電変換装置に
おける課題を解決するためになされたもので、明画素と
暗画素とが等しい一時蓄積容量を有し、黒基準として安
定した暗画素出力を得ることができるようにした光電変
換装置を提供することを目的としている。
おける課題を解決するためになされたもので、明画素と
暗画素とが等しい一時蓄積容量を有し、黒基準として安
定した暗画素出力を得ることができるようにした光電変
換装置を提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、暗画素として
作用する画素の受光面に入射する光を遮るために導電性
材料からなる遮光層を設けた光電変換素子を有する光電
変換装置において、明画素として作用する画素の受光面
前方の位置に設けられた、前記の遮光層と同じ形状又は
実質的に同じ形状を有する透明電極を有する。これによ
って暗画素および明画素には、その出力電圧に影響を与
える前述のパラメータに関して実質的に同じ条件が与え
られることになり、安定した暗出力を得ることが可能と
なる。
作用する画素の受光面に入射する光を遮るために導電性
材料からなる遮光層を設けた光電変換素子を有する光電
変換装置において、明画素として作用する画素の受光面
前方の位置に設けられた、前記の遮光層と同じ形状又は
実質的に同じ形状を有する透明電極を有する。これによ
って暗画素および明画素には、その出力電圧に影響を与
える前述のパラメータに関して実質的に同じ条件が与え
られることになり、安定した暗出力を得ることが可能と
なる。
【００１６】
【実施例】以下に本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。図１は複数の画素を有する光電変換装置
の、暗画素Ｄとして作用させる１画素分と、明画素Ｌと
して作用させる１画素分とを示すもので、１は遮光層、
２は絶縁層、３はｎ+半導体領域の素子分離領域、４は
ｎ-半導体領域のエピタキシャル領域、５は制御電極で
あるベース領域、６はｎ+半導体領域の埋込み層、７は
半導体基板、１０は透明電極である。絶縁層２はそれ自
体透明もしくは実質的に透明なものであり、この画素が
暗画素とするために、絶縁層２を介して遮光層１が設け
られている。この遮光層１は、光電変換素子の受光面を
覆うのに十分な面積を有している。また透明電極１０
は、透明であるという点を除き、遮光層１と同一もしく
は実施的に同一の構造を有している。
して説明する。図１は複数の画素を有する光電変換装置
の、暗画素Ｄとして作用させる１画素分と、明画素Ｌと
して作用させる１画素分とを示すもので、１は遮光層、
２は絶縁層、３はｎ+半導体領域の素子分離領域、４は
ｎ-半導体領域のエピタキシャル領域、５は制御電極で
あるベース領域、６はｎ+半導体領域の埋込み層、７は
半導体基板、１０は透明電極である。絶縁層２はそれ自
体透明もしくは実質的に透明なものであり、この画素が
暗画素とするために、絶縁層２を介して遮光層１が設け
られている。この遮光層１は、光電変換素子の受光面を
覆うのに十分な面積を有している。また透明電極１０
は、透明であるという点を除き、遮光層１と同一もしく
は実施的に同一の構造を有している。
【００１７】透明電極１０としてはインジウム・スズ酸
化物（ＩＴＯ），インジウムオキサイド，スズ酸化物，
ジンクオキサイド，カドミウムオキサイド，カドミウム
スズオキサイド，チタンオキサイドあるいは金薄膜等か
ら少なくとも１つ選ばれる材料が好適に用いられる。
化物（ＩＴＯ），インジウムオキサイド，スズ酸化物，
ジンクオキサイド，カドミウムオキサイド，カドミウム
スズオキサイド，チタンオキサイドあるいは金薄膜等か
ら少なくとも１つ選ばれる材料が好適に用いられる。
【００１８】このように構成された光電変換装置におい
ては、図１２（Ｂ）に示した従来の光電変換装置と比較
すれば明かなように、ベース領域５の上方に絶縁層２を
挟んで導電性層が位置しているという点において、暗画
素Ｄの部分と明画素Ｌの部分とで電気的には実質的に同
一の構造を有している。したがって前記（１）式のパラ
メータは暗画素Ｄの部分と明画素Ｌの部分とで実質的に
等しく、暗画素の出力を正確な黒基準として使用するこ
とが可能となる。
ては、図１２（Ｂ）に示した従来の光電変換装置と比較
すれば明かなように、ベース領域５の上方に絶縁層２を
挟んで導電性層が位置しているという点において、暗画
素Ｄの部分と明画素Ｌの部分とで電気的には実質的に同
一の構造を有している。したがって前記（１）式のパラ
メータは暗画素Ｄの部分と明画素Ｌの部分とで実質的に
等しく、暗画素の出力を正確な黒基準として使用するこ
とが可能となる。
【００１９】図２は本発明の他の実施例を示す。この実
施例では、遮光層１は、画素の受光面を覆うのに十分な
面積を有する第１の部分１１と、この第１の部分１１の
縁部から下向きに延びる第２の部分１２とを有してい
る。第１の部分１１は、絶縁層２の表面に沿って延び、
また第２の部分１２は、絶縁層２を厚さ方向に貫通し
て、素子分離領域３の表面に達している。同様に透明電
極１０は、第１の部分１３と、この第１の部分１３の縁
部から下向きに延びる第２の部分１４とを有してる。こ
の実施例によれば、暗画素として作用させる画素の受光
面の上方領域は、上方において第１の部分１１によっ
て、また側方において第２の部分によってそれぞれ覆わ
れることになる。したがってセンサ面に対して垂直もし
くはこれに近い角度で入射した光は遮光層１の第１の部
分１１によってほぼ完全に遮光されるとともに、センサ
面に対して斜めに入射した光は、第１の部分１１の縁部
から素子分離領域３の表面に達する第２の部分１２によ
って遮られる。このような構成とすることで暗画素の光
電変換素子の受光面に光が不用意に入射することがなく
なり、より一層安定した暗画素として作用させることが
できる。
施例では、遮光層１は、画素の受光面を覆うのに十分な
面積を有する第１の部分１１と、この第１の部分１１の
縁部から下向きに延びる第２の部分１２とを有してい
る。第１の部分１１は、絶縁層２の表面に沿って延び、
また第２の部分１２は、絶縁層２を厚さ方向に貫通し
て、素子分離領域３の表面に達している。同様に透明電
極１０は、第１の部分１３と、この第１の部分１３の縁
部から下向きに延びる第２の部分１４とを有してる。こ
の実施例によれば、暗画素として作用させる画素の受光
面の上方領域は、上方において第１の部分１１によっ
て、また側方において第２の部分によってそれぞれ覆わ
れることになる。したがってセンサ面に対して垂直もし
くはこれに近い角度で入射した光は遮光層１の第１の部
分１１によってほぼ完全に遮光されるとともに、センサ
面に対して斜めに入射した光は、第１の部分１１の縁部
から素子分離領域３の表面に達する第２の部分１２によ
って遮られる。このような構成とすることで暗画素の光
電変換素子の受光面に光が不用意に入射することがなく
なり、より一層安定した暗画素として作用させることが
できる。
【００２０】図３は本発明の他の実施例を示す。この実
施例の光電変換装置は、図２に示した光電変換装置にお
いて、素子分離領域３内に位置する遮光層８をさらに設
けた構成を有する。この構成によれば、絶縁層２にその
側方から入射する光はもちろん、エピタキシャル層４の
側方から入射する光に対しても十分な遮光効果を示すの
で、暗画素としてさらに高い性能が得られる。
施例の光電変換装置は、図２に示した光電変換装置にお
いて、素子分離領域３内に位置する遮光層８をさらに設
けた構成を有する。この構成によれば、絶縁層２にその
側方から入射する光はもちろん、エピタキシャル層４の
側方から入射する光に対しても十分な遮光効果を示すの
で、暗画素としてさらに高い性能が得られる。
【００２１】図２に示した構造の暗画素を有する光電変
換装置を製造する工程の一例の概略を図４（ａ）〜
（ｆ）にしたがって説明する。まず、通常の方法にした
がって、ｐ型半導体基板７上に、ｎ+型の素子分離領域
３、ｎ-型のエピタキシャル領域４、ｐ型のベース領域
５およびｎ+型の埋込層６を備えた、図４（ａ）に示す
デバイス構造を形成する。ついでエピタキシャル層４上
にリンガラスまたはＳｉＯ2等からなる層間絶縁膜２を
ＣＶＤ法によって堆積させ、パターニングおよびエッチ
ングによって層間絶縁膜２に孔２ａをあける（図４
（ｂ））。つぎに通常の方法によって導電性膜を成膜
し、パターニングによって明画素に対応する領域に図４
（ｃ）に示すような透明電極１０を形成し、さらにその
上面にレジスト膜Ｒを塗布した後、所定のパターンにし
たがって孔Ｒａが形成されるようにパターニングを施
す。ついでこの孔Ｒａの部分で層間絶縁膜２をエッチン
グによって除去すると、図４（ｄ）に示すようなコンタ
クト孔２ａが形成される。つづいて透明電極１０が形成
されている部分を除いた所望領域の部分に遮光性の導電
性物質を蒸着して、図４（ｅ）に示す遮光層１を形成す
る。遮光層１は以下に述べるＡｌ−ＣＶＤ法を利用して
作製することができる。最後に遮光層１および透明電極
１０上にパッシバーション膜としての絶縁層２をＣＶＤ
法によって形成する（図４（ｆ））。
換装置を製造する工程の一例の概略を図４（ａ）〜
（ｆ）にしたがって説明する。まず、通常の方法にした
がって、ｐ型半導体基板７上に、ｎ+型の素子分離領域
３、ｎ-型のエピタキシャル領域４、ｐ型のベース領域
５およびｎ+型の埋込層６を備えた、図４（ａ）に示す
デバイス構造を形成する。ついでエピタキシャル層４上
にリンガラスまたはＳｉＯ2等からなる層間絶縁膜２を
ＣＶＤ法によって堆積させ、パターニングおよびエッチ
ングによって層間絶縁膜２に孔２ａをあける（図４
（ｂ））。つぎに通常の方法によって導電性膜を成膜
し、パターニングによって明画素に対応する領域に図４
（ｃ）に示すような透明電極１０を形成し、さらにその
上面にレジスト膜Ｒを塗布した後、所定のパターンにし
たがって孔Ｒａが形成されるようにパターニングを施
す。ついでこの孔Ｒａの部分で層間絶縁膜２をエッチン
グによって除去すると、図４（ｄ）に示すようなコンタ
クト孔２ａが形成される。つづいて透明電極１０が形成
されている部分を除いた所望領域の部分に遮光性の導電
性物質を蒸着して、図４（ｅ）に示す遮光層１を形成す
る。遮光層１は以下に述べるＡｌ−ＣＶＤ法を利用して
作製することができる。最後に遮光層１および透明電極
１０上にパッシバーション膜としての絶縁層２をＣＶＤ
法によって形成する（図４（ｆ））。
【００２２】次に本発明の実施例による光電変換装置の
製造に適用されるＡｌ−ＣＶＤ法について説明する。 （成膜方法）この方法は、例えばアスペクト比が１以上
の微細かつ深い開孔（コンタクトホール、スルーホール
凹部）内への金属材料の埋込に適した方法であり、また
選択性に優れた方法である。そしてこの方法により形成
された金属膜は、単結晶Ａｌが形成されるように、極め
て結晶性に優れ、炭素等の含有もほとんどない。
製造に適用されるＡｌ−ＣＶＤ法について説明する。 （成膜方法）この方法は、例えばアスペクト比が１以上
の微細かつ深い開孔（コンタクトホール、スルーホール
凹部）内への金属材料の埋込に適した方法であり、また
選択性に優れた方法である。そしてこの方法により形成
された金属膜は、単結晶Ａｌが形成されるように、極め
て結晶性に優れ、炭素等の含有もほとんどない。
【００２３】同様に、この金属は、０．７ないし３．４
μΩ・cmの低い抵抗率をもち、８５ないし９５％の高い
反射率を有し、１μｍ以上のヒロック密度が１ないし１
００cm-2程度の表面性の優れたものとなる。
μΩ・cmの低い抵抗率をもち、８５ないし９５％の高い
反射率を有し、１μｍ以上のヒロック密度が１ないし１
００cm-2程度の表面性の優れたものとなる。
【００２４】また、シリコンとの界面におけるアロイス
パイクの発生確率についても、０．１５μｍの半導体接
合の破壊確率を取ってみればほぼ０に等しくなる。
パイクの発生確率についても、０．１５μｍの半導体接
合の破壊確率を取ってみればほぼ０に等しくなる。
【００２５】このＡｌ−ＣＶＤ法とは、アルキルアルミ
ニウムハイドライドのガスと水素ガスとを用いて、電子
供与性の基体状に表面反応により堆積膜を形成するもの
である。特に、原料ガスとしてモノメチルアルミニウム
ハイドライド（ＭＭＡＨ）またはジメチルアルミニウム
ハイドライド（ＤＭＡＨ）を用い、反応ガスとしてＨ2
ガスを用い、これらの混合ガスの下で基体表面を加熱す
れば良質のＡｌ膜を堆積することができる。
ニウムハイドライドのガスと水素ガスとを用いて、電子
供与性の基体状に表面反応により堆積膜を形成するもの
である。特に、原料ガスとしてモノメチルアルミニウム
ハイドライド（ＭＭＡＨ）またはジメチルアルミニウム
ハイドライド（ＤＭＡＨ）を用い、反応ガスとしてＨ2
ガスを用い、これらの混合ガスの下で基体表面を加熱す
れば良質のＡｌ膜を堆積することができる。
【００２６】ここで、Ａｌ選択堆積の際には、直接加熱
または間接加熱により基体の表面温度をアルキルアルミ
ニウムハイドライドの分解温度以上、４５０℃未満に保
持することが好ましく、より好ましくは２６０℃以上４
４０℃以下とするのがよい。基体をなるべく上記温度範
囲に加熱する方法としては直接加熱と間接加熱とがある
が、特に直接加熱により基体を上記温度に保持すれば高
堆積速度で良質のＡｌ膜を形成することができる。例え
ば、Ａｌ膜形成時の基体表面温度をより好ましい温度範
囲である２６０℃〜４４０℃としたとき、３０００Å／
分という抵抗加熱の場合よりも高い堆積速度で良質な膜
が得られるのである。このような直接加熱（加熱手段か
らのエネルギーが直接基体に伝達されて基体自体を加熱
する）の方法としては、例えば、ハロゲンランプ、キセ
ノンランプ等によるランプ加熱が挙げられる。また、間
接加熱の方法としては抵抗加熱があり、堆積膜を形成す
べき基体を支持するためにこの堆積膜形成用の空間に配
設された基体支持部材に設けられた発熱体などを用いて
行うことができる。
または間接加熱により基体の表面温度をアルキルアルミ
ニウムハイドライドの分解温度以上、４５０℃未満に保
持することが好ましく、より好ましくは２６０℃以上４
４０℃以下とするのがよい。基体をなるべく上記温度範
囲に加熱する方法としては直接加熱と間接加熱とがある
が、特に直接加熱により基体を上記温度に保持すれば高
堆積速度で良質のＡｌ膜を形成することができる。例え
ば、Ａｌ膜形成時の基体表面温度をより好ましい温度範
囲である２６０℃〜４４０℃としたとき、３０００Å／
分という抵抗加熱の場合よりも高い堆積速度で良質な膜
が得られるのである。このような直接加熱（加熱手段か
らのエネルギーが直接基体に伝達されて基体自体を加熱
する）の方法としては、例えば、ハロゲンランプ、キセ
ノンランプ等によるランプ加熱が挙げられる。また、間
接加熱の方法としては抵抗加熱があり、堆積膜を形成す
べき基体を支持するためにこの堆積膜形成用の空間に配
設された基体支持部材に設けられた発熱体などを用いて
行うことができる。
【００２７】この方法により電子供与性の表面部分と非
電子供与性の表面部分とが共存する基体にＣＶＤ法を適
用すれば電子供与性の基体表面部分のみに良好な選択性
のもとにＡｌの単結晶が形成される。
電子供与性の表面部分とが共存する基体にＣＶＤ法を適
用すれば電子供与性の基体表面部分のみに良好な選択性
のもとにＡｌの単結晶が形成される。
【００２８】電子供与性の材料とは、基体中に自由電子
が存在しているか、もしくは自由電子を意図的に生成さ
せたもので、基体表面上に付着した原料ガス分子との電
子授受により化学反応が促進される表面を有する材料を
いう。例えば一般に金属や半導体がこれに相当する。ま
た、金属もしくは半導体表面に薄い酸化膜が存在してい
るものも基体と付着原料分子間で電子授受により化学反
応が生じ得るため、本発明の電子供与性材料に含まれ
る。
が存在しているか、もしくは自由電子を意図的に生成さ
せたもので、基体表面上に付着した原料ガス分子との電
子授受により化学反応が促進される表面を有する材料を
いう。例えば一般に金属や半導体がこれに相当する。ま
た、金属もしくは半導体表面に薄い酸化膜が存在してい
るものも基体と付着原料分子間で電子授受により化学反
応が生じ得るため、本発明の電子供与性材料に含まれ
る。
【００２９】電子供与性材料の具体例としては、例え
ば、III族元素としてのＧａ，Ｉｎ，Ａｌ等のＶ族元素
としてのＰ，Ａｓ，Ｎ等とを組み合わせてなる二元系も
しくは三元系もしくはそれ以上の多元系のIII−Ｖ族化
合物半導体、または単結晶シリコン、非晶質シリコンな
どの半導体材料、あるいは以下に示す金属、合金、シリ
サイド等であり、例えばタングステン、モリブデン、タ
ンタル、銅、チタン、アルミニウム、チタンアルミニウ
ム、チタンナイトライド、アルミニウムシリコン銅、ア
ルミニウムパラジウム、タングステンシリサイド、チタ
ンシリサイド、アルミニウムシリサイド、モリブデンシ
リサイド、タンタルシリサイド等が挙げられる。
ば、III族元素としてのＧａ，Ｉｎ，Ａｌ等のＶ族元素
としてのＰ，Ａｓ，Ｎ等とを組み合わせてなる二元系も
しくは三元系もしくはそれ以上の多元系のIII−Ｖ族化
合物半導体、または単結晶シリコン、非晶質シリコンな
どの半導体材料、あるいは以下に示す金属、合金、シリ
サイド等であり、例えばタングステン、モリブデン、タ
ンタル、銅、チタン、アルミニウム、チタンアルミニウ
ム、チタンナイトライド、アルミニウムシリコン銅、ア
ルミニウムパラジウム、タングステンシリサイド、チタ
ンシリサイド、アルミニウムシリサイド、モリブデンシ
リサイド、タンタルシリサイド等が挙げられる。
【００３０】これに対して、ＡｌあるはＡｌ−Ｓｉが選
択的に堆積しない表面を形成する材料、すなわち非電子
供与性材料としては、熱酸化、ＣＶＤ等により形成され
た酸化シリコン、ＢＳＧ、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ等のガラス
または酸化膜、熱窒化膜や、プラズマＣＶＤ法、減圧Ｃ
ＶＤ法，ＥＣＲ−ＣＶＤ法などにより形成されたシリコ
ン窒化膜が挙げられる。
択的に堆積しない表面を形成する材料、すなわち非電子
供与性材料としては、熱酸化、ＣＶＤ等により形成され
た酸化シリコン、ＢＳＧ、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ等のガラス
または酸化膜、熱窒化膜や、プラズマＣＶＤ法、減圧Ｃ
ＶＤ法，ＥＣＲ−ＣＶＤ法などにより形成されたシリコ
ン窒化膜が挙げられる。
【００３１】このＡｌ−ＣＶＤ法によれば、以下のよう
なＡｌを主成分とする金属膜をも選択的に堆積でき、そ
の膜質も優れた特性を示すのである。
なＡｌを主成分とする金属膜をも選択的に堆積でき、そ
の膜質も優れた特性を示すのである。
【００３２】たとえば、アルキルアルミニウムハイドラ
イドのガスと水素とに加えて、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓ
ｉ3Ｈ8、Ｓｉ（ＣＨ3）、ＳｉＣｌ4、ＳｉＯＨ2Ｃｌ2、
ＳｉＨＣｌ3等のＳｉ原子を含むガス、ＴｉＣｌ4、Ｔｉ
Ｂｒ4、Ｔｉ（ＣＨ3）4等のＴｉ原子を含むガス、ビス
アセチルアセトナート銅Ｃｕ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）、ビスジビ
バロイルナタナイト銅Ｃｕ（Ｃ1 1Ｈ19Ｏ2）2、ビスヘキ
サフルオロアセチルアセトナート銅Ｃｕ（Ｃ5Ｆ6Ｏ2）2
等のＣｕ原子を含むガス、を適宜組み合わせて導入して
混合ガス雰囲気として、例えばＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｔ
ｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ
等の導電材料を選択的に堆積させて電極を形成してもよ
い。
イドのガスと水素とに加えて、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓ
ｉ3Ｈ8、Ｓｉ（ＣＨ3）、ＳｉＣｌ4、ＳｉＯＨ2Ｃｌ2、
ＳｉＨＣｌ3等のＳｉ原子を含むガス、ＴｉＣｌ4、Ｔｉ
Ｂｒ4、Ｔｉ（ＣＨ3）4等のＴｉ原子を含むガス、ビス
アセチルアセトナート銅Ｃｕ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）、ビスジビ
バロイルナタナイト銅Ｃｕ（Ｃ1 1Ｈ19Ｏ2）2、ビスヘキ
サフルオロアセチルアセトナート銅Ｃｕ（Ｃ5Ｆ6Ｏ2）2
等のＣｕ原子を含むガス、を適宜組み合わせて導入して
混合ガス雰囲気として、例えばＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｔ
ｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ
等の導電材料を選択的に堆積させて電極を形成してもよ
い。
【００３３】また、上記Ａｌ−ＣＶＤ法は、選択法に優
れた成膜方法であり、かつ堆積した膜の表面性が良好で
あるために、次の堆積工程に非選択性の成膜方法を適用
して、上述の選択堆積したＡｌ膜および絶縁膜としての
ＳｉＯ2等の上にもＡｌまたはＡｌを主成分とする金属
膜を形成することにより、半導体装置の配線として汎用
性の高い好適な金属膜を得ることができる。
れた成膜方法であり、かつ堆積した膜の表面性が良好で
あるために、次の堆積工程に非選択性の成膜方法を適用
して、上述の選択堆積したＡｌ膜および絶縁膜としての
ＳｉＯ2等の上にもＡｌまたはＡｌを主成分とする金属
膜を形成することにより、半導体装置の配線として汎用
性の高い好適な金属膜を得ることができる。
【００３４】このような金属膜とは、具体的には以下の
とおりである。選択堆積したＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−
Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕと非選択的に堆積したＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｔ
ｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ
との組合せ等である。
とおりである。選択堆積したＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−
Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕと非選択的に堆積したＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｔ
ｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ
との組合せ等である。
【００３５】非選択堆積のための成膜方法としては、上
述したＡｌ−ＣＶＤ法以外のＣＶＤ法や、スパッタリン
グ法等がある。
述したＡｌ−ＣＶＤ法以外のＣＶＤ法や、スパッタリン
グ法等がある。
【００３６】またＣＶＤ法やスパッタリング法により導
電性の膜を形成し、パターニングして所望の配線形状を
有する下引層を形成したのち、Ａｌ−ＣＶＤ法を用いて
選択的にＡｌやＡｌを主成分とする金属膜を該下引層上
に堆積させて配線を形成してもよい。
電性の膜を形成し、パターニングして所望の配線形状を
有する下引層を形成したのち、Ａｌ−ＣＶＤ法を用いて
選択的にＡｌやＡｌを主成分とする金属膜を該下引層上
に堆積させて配線を形成してもよい。
【００３７】さらには、Ａｌ−ＣＶＤ法を利用して絶縁
膜上に形成することもできる。そのためには、絶縁膜に
表面改質工程を施して実質的に電子供与性の表面部分を
形成することである。このときに所望の配線形状にビー
ムによる描画を行えば、選択堆積により描画された配線
形状の電子供与性部分にのみ堆積するので、パターニン
グなしで自己整合的に配線を形成することが可能とな
る。
膜上に形成することもできる。そのためには、絶縁膜に
表面改質工程を施して実質的に電子供与性の表面部分を
形成することである。このときに所望の配線形状にビー
ムによる描画を行えば、選択堆積により描画された配線
形状の電子供与性部分にのみ堆積するので、パターニン
グなしで自己整合的に配線を形成することが可能とな
る。
【００３８】なお、図２の構造の光電変換装置の製造工
程を説明したが、図１および図３の構造の光電変換装置
は、この工程の一部を省略し、あるいは変更することに
よって容易に得ることができることが明かであろう。
程を説明したが、図１および図３の構造の光電変換装置
は、この工程の一部を省略し、あるいは変更することに
よって容易に得ることができることが明かであろう。
【００３９】本発明は、前述のＢＡＳＩＳセンサに限ら
ず、たとえば図５および図６に示すような、制御電極上
に光キャリアを蓄積するタイプの光電変換装置において
も同様に適用できる。図５において、５１はＭＯＳトラ
ンジスタ、５２はフォトダイオード、５３は蓄積容量を
示し、また図６において、６１はＳＩＴ、６２は制御電
極である。
ず、たとえば図５および図６に示すような、制御電極上
に光キャリアを蓄積するタイプの光電変換装置において
も同様に適用できる。図５において、５１はＭＯＳトラ
ンジスタ、５２はフォトダイオード、５３は蓄積容量を
示し、また図６において、６１はＳＩＴ、６２は制御電
極である。
【００４０】本発明の他の実施例について図面を用いて
説明する。
説明する。
【００４１】図７は本実施例を説明するための模式的断
面図である。本実施例と図１を用いて説明した光電変換
装置との違いは、図１においては遮光層１と透明電極１
０とが暗画素Ｄと明画素Ｌとの境界領域で接する構造と
なっているのに対して、本実施例では明画素Ｌ上に設け
た透明電極１０が暗画素Ｄの領域にまで延ばされている
点である。
面図である。本実施例と図１を用いて説明した光電変換
装置との違いは、図１においては遮光層１と透明電極１
０とが暗画素Ｄと明画素Ｌとの境界領域で接する構造と
なっているのに対して、本実施例では明画素Ｌ上に設け
た透明電極１０が暗画素Ｄの領域にまで延ばされている
点である。
【００４２】透明電極１０をこのように暗画素Ｄの領域
にオーバーラップした形状とすることで、透明電極１０
の作製する際に位置ズレが生じてしまい、必要な位置を
透明電極１０が設けられないことによる問題の発生を解
決することができる。
にオーバーラップした形状とすることで、透明電極１０
の作製する際に位置ズレが生じてしまい、必要な位置を
透明電極１０が設けられないことによる問題の発生を解
決することができる。
【００４３】図７においては、遮光層１と透明電極１０
とが一部重なった例を示してあるが、透明電極１０は複
数の暗画素Ｄの領域の遮光層１上にまで延在させても良
い。又、このオーバーラップは、図では遮光層１上に透
明電極１０が設けられてあるが、この積層順は透明電極
１０上に遮光層１が設けられているのであって良いのは
もちろんである。
とが一部重なった例を示してあるが、透明電極１０は複
数の暗画素Ｄの領域の遮光層１上にまで延在させても良
い。又、このオーバーラップは、図では遮光層１上に透
明電極１０が設けられてあるが、この積層順は透明電極
１０上に遮光層１が設けられているのであって良いのは
もちろんである。
【００４４】図８及び図９は夫々順に図２及び図３に対
応する光電変換装置の一部を示す模式的切断面図であ
る。
応する光電変換装置の一部を示す模式的切断面図であ
る。
【００４５】図８及び図９においても図７で説明したよ
うに、遮光層１と透明電極１０とがオーバーラップして
設けられている点が図２及び図３と夫々違っている。
うに、遮光層１と透明電極１０とがオーバーラップして
設けられている点が図２及び図３と夫々違っている。
【００４６】図８及び図９の場合も明画素と暗画素の境
界領域である分離領域３上に遮光層１２のみを形成して
ある点も図２及び図３と夫々異なっている点である。
界領域である分離領域３上に遮光層１２のみを形成して
ある点も図２及び図３と夫々異なっている点である。
【００４７】このような構成とすることで、境界領域上
が一つの材料で形成されるので構成が容易となるばかり
か、光電変換装置の作製も容易になる。又、境界領域の
巾も狭くすることが可能なためにスペース効率的にも説
計の容易さからも有効である。
が一つの材料で形成されるので構成が容易となるばかり
か、光電変換装置の作製も容易になる。又、境界領域の
巾も狭くすることが可能なためにスペース効率的にも説
計の容易さからも有効である。
【００４８】図１０及び図１１は夫々本発明の更に別の
実施例を説明するための模式的切断面図である。本実施
例においては、図８及び図９に夫々示される光電変換装
置に夫々対応した変形例である。
実施例を説明するための模式的切断面図である。本実施
例においては、図８及び図９に夫々示される光電変換装
置に夫々対応した変形例である。
【００４９】図１０及び図１１においては、夫々明画素
Ｌ間の画素の境界領域上にも遮光層１２′を設け、該明
画素間の該遮光層１２′上にオーバーラップして透明電
極１０が設けられている。
Ｌ間の画素の境界領域上にも遮光層１２′を設け、該明
画素間の該遮光層１２′上にオーバーラップして透明電
極１０が設けられている。
【００５０】このように、画素間にも遮光層１２′を形
成することによって、光電変換素子の受光面に対して光
信号や光情報が斜めに入射した場合にその光が余計な光
電変換素子の受光部に入射することを防ぐことができ
る。
成することによって、光電変換素子の受光面に対して光
信号や光情報が斜めに入射した場合にその光が余計な光
電変換素子の受光部に入射することを防ぐことができ
る。
【００５１】この結果、とくに明画素間でのクロストー
クを低減でき、暗画素と明画素との容量成分を一致させ
たことと相まってより一層正確な光電変換を達成するこ
とができる。
クを低減でき、暗画素と明画素との容量成分を一致させ
たことと相まってより一層正確な光電変換を達成するこ
とができる。
【００５２】図１６及び図１７は本発明の更なる別の実
施例を説明するための模式的切断面図である。
施例を説明するための模式的切断面図である。
【００５３】図１６及び図１７においては、暗画素とさ
れる光電変換素子上に設けられている遮光層１が透明電
極１０を介して設けられている点が上述の各実施例と異
なっている。
れる光電変換素子上に設けられている遮光層１が透明電
極１０を介して設けられている点が上述の各実施例と異
なっている。
【００５４】このように、透明電極１０上に遮光層１を
設けることによって、透明電極１０のパターンニングが
不要又は容易になるため歩留りの向上やコストの低減を
図ることが可能になる。
設けることによって、透明電極１０のパターンニングが
不要又は容易になるため歩留りの向上やコストの低減を
図ることが可能になる。
【００５５】又、暗画素の機能を充分に機能させる上で
明画素と暗画素との境界領域に図示したように遮光層を
設けることが有効である。もちろん、図１６及び図１７
図に示される遮光層８と遮光層１２′とを同時に有する
ことで、より一層暗画素となる光電変換素子への光の入
射を防ぐことが可能になる。
明画素と暗画素との境界領域に図示したように遮光層を
設けることが有効である。もちろん、図１６及び図１７
図に示される遮光層８と遮光層１２′とを同時に有する
ことで、より一層暗画素となる光電変換素子への光の入
射を防ぐことが可能になる。
【００５６】尚、本発明は上記した各実施例にとどまら
ず、本発明の主旨の範囲で各実施例を組合わせることが
でき、また数多くの変形例をもその範ちゅうに含むもの
である。
ず、本発明の主旨の範囲で各実施例を組合わせることが
でき、また数多くの変形例をもその範ちゅうに含むもの
である。
【００５７】
【発明の効果】以上に説明したように本発明の光電変換
装置は、明画素として作用する画素は、その前面におい
て、暗画素のための遮光層と同一構造の透明電極によっ
て覆われている。このため明画素および暗画素間でその
一時蓄積容量等の影響が実質的に同一となり、暗画素出
力を安定した黒基準として用いることが可能となる。
装置は、明画素として作用する画素は、その前面におい
て、暗画素のための遮光層と同一構造の透明電極によっ
て覆われている。このため明画素および暗画素間でその
一時蓄積容量等の影響が実質的に同一となり、暗画素出
力を安定した黒基準として用いることが可能となる。
【図１】本発明の一実施例による光電変換装置の暗画素
および明画素の各１画素分を示す縦断面図。
および明画素の各１画素分を示す縦断面図。
【図２】本発明の他の実施例による光電変換装置を示す
図１と同様の縦断面図。
図１と同様の縦断面図。
【図３】本発明の他の実施例による光電変換装置を示す
図１と同様の縦断面図。
図１と同様の縦断面図。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は図２の光電変換装置を製造す
る工程を示す説明図。
る工程を示す説明図。
【図５】本発明の他の実施例による光電変換装置の等価
回路図。
回路図。
【図６】本発明の他の実施例による光電変換装置の等価
回路図。
回路図。
【図７】本発明の他の実施例を説明するための模式的断
面図。
面図。
【図８】図２に対応する光電変換装置の一部を示す模式
的切断面図。
的切断面図。
【図９】図３に対応する光電変換装置の一部を示す模式
的切断面図。
的切断面図。
【図１０】本発明の更に別の実施例を説明するための模
式的切断面図。
式的切断面図。
【図１１】本発明の更に別の実施例を説明するための模
式的切断面図。
式的切断面図。
【図１２】（Ａ）は暗出力補償を説明するための光電変
換装置の模式的構成図。 （Ｂ）は従来の光電変換装置の暗画素および明画素の各
１画素分を示す縦断面図。
換装置の模式的構成図。 （Ｂ）は従来の光電変換装置の暗画素および明画素の各
１画素分を示す縦断面図。
【図１３】図１２（Ｂ）の光電変換装置を平面的に配置
したリニアセンサの等価回路図。
したリニアセンサの等価回路図。
【図１４】図１３の回路の動作タイミングチャート。
【図１５】画素を２次元的に配置したセンサの等価回路
図。
図。
【図１６】本発明の更に他の実施例による光電変換装置
の等価回路図。
の等価回路図。
【図１７】本発明の別の実施例による光電変換装置の等
価回路図。
価回路図。
１ 遮光層
２ 絶縁層
３ 素子分離領域
４ エピタキシャル層
５ ベース領域
６ 埋込み層
７ 半導体基板
１０ 透明電極
１１ 第１の部分
１２ 第２の部分
Claims (12)
- 【請求項１】 制御電極に光キャリアを蓄積可能に構成
された光電変換可能な複数の光電変換素子を有し、 該光電変換素子の少なくとも１つが導電性の遮光層で覆
われ、 少なくとも他の前記光電変換素子上に透明電極が設けら
れていることを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項２】 前記遮光層及び前記透明電極が前記制御
電極に対応して設けられる請求項１の光電変換装置。 - 【請求項３】 前記遮光層及び前記透明電極の形状が同
一又は実質的に同一である請求項１の光電変換装置。 - 【請求項４】 前記光電変換素子間に各素子を電気的に
分離する境界領域が形成されている請求項１の光電変換
装置。 - 【請求項５】 前記境界領域上に遮光層が形成されてい
る請求項４の光電変換装置。 - 【請求項６】 前記遮光層と前記透明電極とが積層され
る領域を有する請求項１の光電変換装置。 - 【請求項７】 前記制御電極と前記遮光層との間に絶縁
層が設けられている請求項１の光電変換装置。 - 【請求項８】 前記透明電極と前記制御電極との間に絶
縁層が設けられている請求項１の光電変換装置。 - 【請求項９】 前記透明電極はインジウムスズ酸化物，
インジウムオキサイド，スズ酸化物，ジンクオキサイ
ド，カドミウムオキサイド，カドミウムスズオキサイ
ド，チタンオキサイドあるいは金薄膜から少なくとも一
つ選択される材料で形成される請求項１の光電変換装
置。 - 【請求項１０】 前記遮光層はＡｌ及び又はＡｌ合金で
ある請求項１の光電変換装置。 - 【請求項１１】 前記Ａｌ合金はＡｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｔ
ｉ，Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ
から少なくとも一つ選択される合金である請求項１０の
光電変換装置。 - 【請求項１２】 前記制御電極はベース領域である請求
項１の光電変換装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3208804A JP3031756B2 (ja) | 1990-08-02 | 1991-07-26 | 光電変換装置 |
| DE69127731T DE69127731T2 (de) | 1990-08-02 | 1991-07-31 | Photovoltaischer Wandler |
| US07/738,564 US5214272A (en) | 1990-08-02 | 1991-07-31 | Photoelectric converting apparatus |
| EP91307005A EP0469878B1 (en) | 1990-08-02 | 1991-07-31 | Photoelectric converting apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20396790 | 1990-08-02 | ||
| JP2-203967 | 1990-08-02 | ||
| JP3208804A JP3031756B2 (ja) | 1990-08-02 | 1991-07-26 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529593A true JPH0529593A (ja) | 1993-02-05 |
| JP3031756B2 JP3031756B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=26514204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3208804A Expired - Fee Related JP3031756B2 (ja) | 1990-08-02 | 1991-07-26 | 光電変換装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5214272A (ja) |
| EP (1) | EP0469878B1 (ja) |
| JP (1) | JP3031756B2 (ja) |
| DE (1) | DE69127731T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100791346B1 (ko) * | 2006-12-05 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 제조 방법 및 이에 따라 제조된 이미지 센서 |
| JP2012093365A (ja) * | 1999-07-29 | 2012-05-17 | Toshiba Medical System Co Ltd | 放射線検出器および放射線診断装置 |
| JP2015135944A (ja) * | 2013-12-16 | 2015-07-27 | 株式会社リコー | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2690612B2 (ja) * | 1990-10-05 | 1997-12-10 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| CA2096551A1 (en) * | 1992-05-22 | 1993-11-23 | Masanori Nishiguchi | Semiconductor device |
| JPH05335549A (ja) * | 1992-06-01 | 1993-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
| US5608455A (en) * | 1992-07-30 | 1997-03-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd | Interline transfer CCD image sensor with reduced dark current |
| US5784178A (en) * | 1996-03-06 | 1998-07-21 | Dyna Image Corporation | High performance contact image sensor |
| DE59707575D1 (de) * | 1997-07-07 | 2002-07-25 | Stuttgart Mikroelektronik | Verfahren und schaltungsanordnung zur kompensation temperatur-, spannungs- sowie herstellungsbedingter schwankungen bei cmos-bildsensoren |
| US6005619A (en) * | 1997-10-06 | 1999-12-21 | Photobit Corporation | Quantum efficiency improvements in active pixel sensors |
| US6734906B1 (en) * | 1998-09-02 | 2004-05-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus with photoelectric conversion portions arranged two dimensionally |
| US6721005B1 (en) * | 1998-12-03 | 2004-04-13 | Sony Corporation | Solid state image sensor having different structures for effective pixel area and optical black area |
| DE19907972A1 (de) * | 1999-02-24 | 2000-08-31 | Bosch Gmbh Robert | Bildzelle |
| US6326601B1 (en) | 1999-07-19 | 2001-12-04 | Agilent Technologies, Inc. | Optical barrier |
| DE19945023C2 (de) | 1999-09-20 | 2003-04-24 | Siemens Ag | Flächenhafter Bilddetektor für elektromagnetische Strahlen, insbesondere Röntgenstrahlen |
| US6653617B2 (en) * | 2000-07-03 | 2003-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device |
| DE10064580C1 (de) * | 2000-12-18 | 2002-01-31 | Infineon Technologies Ag | Opto-elektronische Baugruppe zum Empfangen optischer Signale |
| US6806485B2 (en) * | 2000-12-28 | 2004-10-19 | Valeo Electrical Systems, Inc. | Ambient light detector for off-the-glass rain sensor |
| JP4076792B2 (ja) * | 2001-06-19 | 2008-04-16 | 独立行政法人科学技術振興機構 | カンチレバーアレイ、その製造方法及びその装置 |
| US7053458B2 (en) * | 2002-04-30 | 2006-05-30 | Ess Technology, Inc. | Suppressing radiation charges from reaching dark signal sensor |
| US7002231B2 (en) * | 2004-02-02 | 2006-02-21 | Micron Technology, Inc. | Barrier regions for image sensors |
| US7902624B2 (en) * | 2004-02-02 | 2011-03-08 | Aptina Imaging Corporation | Barrier regions for image sensors |
| US7920185B2 (en) * | 2004-06-30 | 2011-04-05 | Micron Technology, Inc. | Shielding black reference pixels in image sensors |
| JP4530747B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2010-08-25 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| US7154076B2 (en) * | 2004-11-05 | 2006-12-26 | C'est Image, Inc. | Image sensing device including image sensor with high dynamic range |
| US7830412B2 (en) * | 2005-08-22 | 2010-11-09 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for shielding correction pixels from spurious charges in an imager |
| US7452743B2 (en) | 2005-09-01 | 2008-11-18 | Aptina Imaging Corporation | Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units at the wafer level |
| GB2446821A (en) * | 2007-02-07 | 2008-08-27 | Sharp Kk | An ambient light sensing system |
| JP2012033583A (ja) | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法、並びに撮像装置 |
| JP2012124318A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、および電子機器 |
| CN103033262B (zh) * | 2012-12-14 | 2015-04-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光传感器件、显示装置及亮度检测方法 |
| CN111430390B (zh) * | 2013-03-29 | 2024-04-12 | 索尼公司 | 摄像元件和摄像装置 |
| CN105489625B (zh) * | 2015-11-26 | 2018-08-28 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种全局曝光像元的防漏光存储电容结构及其形成方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54130828A (en) * | 1978-03-31 | 1979-10-11 | Canon Inc | Photo sensor array device and image scanner using it |
| JPS6044867B2 (ja) * | 1980-04-17 | 1985-10-05 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| US4484223A (en) * | 1980-06-12 | 1984-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor |
| JPS5980964A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-10 | Toshiba Corp | 光電変換素子 |
| JPS6181087A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US4879470A (en) * | 1987-01-16 | 1989-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting apparatus having carrier eliminating means |
| JP2584774B2 (ja) * | 1987-06-12 | 1997-02-26 | キヤノン株式会社 | 密着型光電変換装置 |
| JP2690612B2 (ja) * | 1990-10-05 | 1997-12-10 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP3208804A patent/JP3031756B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-31 US US07/738,564 patent/US5214272A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-31 EP EP91307005A patent/EP0469878B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-31 DE DE69127731T patent/DE69127731T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012093365A (ja) * | 1999-07-29 | 2012-05-17 | Toshiba Medical System Co Ltd | 放射線検出器および放射線診断装置 |
| KR100791346B1 (ko) * | 2006-12-05 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 제조 방법 및 이에 따라 제조된 이미지 센서 |
| JP2015135944A (ja) * | 2013-12-16 | 2015-07-27 | 株式会社リコー | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5214272A (en) | 1993-05-25 |
| JP3031756B2 (ja) | 2000-04-10 |
| DE69127731D1 (de) | 1997-10-30 |
| DE69127731T2 (de) | 1998-02-12 |
| EP0469878A1 (en) | 1992-02-05 |
| EP0469878B1 (en) | 1997-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3031756B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| US6018187A (en) | Elevated pin diode active pixel sensor including a unique interconnection structure | |
| US5151385A (en) | Method of manufacturing a metallic silicide transparent electrode | |
| US4889983A (en) | Image sensor and production method thereof | |
| KR100935771B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| CN102257623A (zh) | 太阳能电池 | |
| US20060223214A1 (en) | Optoelectronic component for converting electromagnetic radiation into a intensity-dependent photocurrent | |
| US6194749B1 (en) | CCD type solid state image pickup device having double-structured charge transfer electrodes | |
| US7812350B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| US6649993B2 (en) | Simplified upper electrode contact structure for PIN diode active pixel sensor | |
| JPS63244879A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3402429B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPS62124769A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| KR20080101188A (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| JP2523873B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6292364A (ja) | 半導体デバイスおよびその製造方法 | |
| JP2525780B2 (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
| JPH0491472A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP3164602B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| US11641000B2 (en) | Image sensor and manufacturing method thereof | |
| JP3255116B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| KR970004494B1 (ko) | 밀착형 이미지센서의 제조방법 | |
| KR840002185B1 (ko) | 광전변환소자 | |
| JP3296352B2 (ja) | 光電変換装置、固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH0491473A (ja) | 光電変換装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |