JPH05291593A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05291593A JPH05291593A JP11988592A JP11988592A JPH05291593A JP H05291593 A JPH05291593 A JP H05291593A JP 11988592 A JP11988592 A JP 11988592A JP 11988592 A JP11988592 A JP 11988592A JP H05291593 A JPH05291593 A JP H05291593A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 整流機能を有する半導体装置において、整流
機能の有無を外部から制御できるようにする。 【構成】 ｐ型半導体１１の両側には金属電極１２、１
３がそれぞれ設けられ、ｐ型半導体１１の右半分に対応
する部分の上面には絶縁膜１４を介して制御用金属電極
１５が設けられている。そして、制御用金属電極１５に
制御電圧が印加されていない場合、一対の金属電極１
２、１３間にｐ型半導体１１が存在するだけであるの
で、整流機能を発揮することができない。一方、制御用
金属電極１５にプラスの制御電圧ＶONが印加された場合
には、ｐ型半導体１１の制御用金属電極１５と対向する
部分に電子が誘起され、ｐ型半導体１１の右半分にｎ型
領域１６が形成されることにより、ｐｎ接合が形成さ
れ、このため整流機能を発揮することができる。ｐ型半
導体１１の代わりに、ｎ型半導体あるいは真性半導体を
用いたものにも適用することができる。
機能の有無を外部から制御できるようにする。 【構成】 ｐ型半導体１１の両側には金属電極１２、１
３がそれぞれ設けられ、ｐ型半導体１１の右半分に対応
する部分の上面には絶縁膜１４を介して制御用金属電極
１５が設けられている。そして、制御用金属電極１５に
制御電圧が印加されていない場合、一対の金属電極１
２、１３間にｐ型半導体１１が存在するだけであるの
で、整流機能を発揮することができない。一方、制御用
金属電極１５にプラスの制御電圧ＶONが印加された場合
には、ｐ型半導体１１の制御用金属電極１５と対向する
部分に電子が誘起され、ｐ型半導体１１の右半分にｎ型
領域１６が形成されることにより、ｐｎ接合が形成さ
れ、このため整流機能を発揮することができる。ｐ型半
導体１１の代わりに、ｎ型半導体あるいは真性半導体を
用いたものにも適用することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は整流機能を有する半導
体装置に関する。
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】整流機能を有する半導体装置としては、
図４（Ａ）に示すようなｐｎ接合ダイオードが知られて
いる。この半導体装置は、ボロン等のアクセプタが導入
されたｐ型半導体１とリン等のドナーが導入されたｎ型
半導体２とがｐｎ接合され、これらの両側にアルミニウ
ムやクロム等からなるアノード・カソード金属電極３、
４がそれぞれ設けられた構造となっている。
図４（Ａ）に示すようなｐｎ接合ダイオードが知られて
いる。この半導体装置は、ボロン等のアクセプタが導入
されたｐ型半導体１とリン等のドナーが導入されたｎ型
半導体２とがｐｎ接合され、これらの両側にアルミニウ
ムやクロム等からなるアノード・カソード金属電極３、
４がそれぞれ設けられた構造となっている。
【０００３】そして、通常の状態では、ｐｎ接合面５近
傍においてｐ型半導体１の正孔６とｎ型半導体２の電子
７が互いに相手側に拡散し、ｐｎ接合面５近傍に電位障
壁となる空乏層８が形成され、ｐｎ接合面５を通過する
電流は生じない。一方、アノード金属電極３にプラス、
カソード金属電極４にマイナスの順方向電圧が印加され
た場合には、空乏層８が減少し、ｐ型半導体１の正孔６
とｎ型半導体２の電子７が互いに相手側に持続的に拡散
し、ｐ型半導体１側からｎ型半導体２側に向かって電流
が流れる。これとは逆に、アノード金属電極３にマイナ
ス、カソード金属電極４にプラスの逆方向電圧が印加さ
れた場合には、空乏層８が成長し、ｐｎ接合面５を通過
する電流は生じない。
傍においてｐ型半導体１の正孔６とｎ型半導体２の電子
７が互いに相手側に拡散し、ｐｎ接合面５近傍に電位障
壁となる空乏層８が形成され、ｐｎ接合面５を通過する
電流は生じない。一方、アノード金属電極３にプラス、
カソード金属電極４にマイナスの順方向電圧が印加され
た場合には、空乏層８が減少し、ｐ型半導体１の正孔６
とｎ型半導体２の電子７が互いに相手側に持続的に拡散
し、ｐ型半導体１側からｎ型半導体２側に向かって電流
が流れる。これとは逆に、アノード金属電極３にマイナ
ス、カソード金属電極４にプラスの逆方向電圧が印加さ
れた場合には、空乏層８が成長し、ｐｎ接合面５を通過
する電流は生じない。
【０００４】このように、この半導体装置では、その電
圧Ｖ−電流Ｉ特性を順方向をプラスとして示した図４
（Ｂ）からも明らかなように、同じ電圧値｜Ｖ｜が印加
された場合、順方向電流≫逆方向電流となる整流機能を
有している。
圧Ｖ−電流Ｉ特性を順方向をプラスとして示した図４
（Ｂ）からも明らかなように、同じ電圧値｜Ｖ｜が印加
された場合、順方向電流≫逆方向電流となる整流機能を
有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような半導体装置では、整流機能を有しているだけ
であるので、用途が限定されてしまうという問題があっ
た。また、ｐｎ接合を作成するには、半導体の半分にボ
ロン等のアクセプタをドーピングし、半導体の残りの半
分にリン等のドナーをドーピングしなければならず、し
たがって素子作成が煩雑であるという問題があった。こ
の発明の目的は、外部からの制御で整流機能を有したり
有しなかったりすることができ、また素子作成を簡単と
することのできる半導体装置を提供することにある。
このような半導体装置では、整流機能を有しているだけ
であるので、用途が限定されてしまうという問題があっ
た。また、ｐｎ接合を作成するには、半導体の半分にボ
ロン等のアクセプタをドーピングし、半導体の残りの半
分にリン等のドナーをドーピングしなければならず、し
たがって素子作成が煩雑であるという問題があった。こ
の発明の目的は、外部からの制御で整流機能を有したり
有しなかったりすることができ、また素子作成を簡単と
することのできる半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
一対の金属電極間にｐ型またはｎ型半導体を設け、この
半導体の少なくとも一側面側に、絶縁膜を介して該半導
体の一部領域に対応する制御用金属電極を設けたもので
ある。請求項２記載の発明は、一対の金属電極間に真性
半導体を設け、この半導体の少なくとも一側面側に、絶
縁膜を介して一対の制御用金属電極を設けたものであ
る。
一対の金属電極間にｐ型またはｎ型半導体を設け、この
半導体の少なくとも一側面側に、絶縁膜を介して該半導
体の一部領域に対応する制御用金属電極を設けたもので
ある。請求項２記載の発明は、一対の金属電極間に真性
半導体を設け、この半導体の少なくとも一側面側に、絶
縁膜を介して一対の制御用金属電極を設けたものであ
る。
【０００７】
【作用】請求項１記載の発明によれば、制御用金属電極
に制御電圧を印加しない状態では、一対の金属電極間に
ｐ型またはｎ型半導体が存在するだけであるので、整流
機能を発揮することができず、一方、制御用金属電極に
プラスまたはマイナスの制御電圧を印加すると、ｐ型ま
たはｎ型半導体の制御用金属電極と対向する部分に電子
または正孔が誘起され、ｐ型またはｎ型半導体の一部に
ｎ型またはｐ型領域が形成されることにより、ｐｎ接合
が形成され、このため整流機能を発揮することができ、
したがって外部からの制御で整流機能を有したり有しな
かったりすることができる。また、ｐ型またはｎ型半導
体のみを形成すればよいので、ｐ型およびｎ型半導体を
形成する従来の素子と比較して、素子作成を簡単とする
ことができる。請求項２記載の発明によれば、２つの制
御用金属電極に制御電圧を印加しない状態では、一対の
金属電極間に真性半導体が存在するだけであるので、整
流機能を発揮することができず、一方、２つの制御用金
属電極にマイナスおよびプラスの各制御電圧をそれぞれ
印加すると、真性半導体の２つの制御用金属電極とそれ
ぞれ対向する部分に正孔および電子が誘起され、真性半
導体の各一部にそれぞれｐ型領域およびｎ型領域が形成
されることにより、ｐｎ接合が形成され、このため整流
機能を発揮することができ、したがって外部からの制御
で整流機能を有したり有しなかったりすることができ
る。また、真性半導体のみを形成すればよいので、ｐ型
およびｎ型半導体を形成する従来の素子と比較して、素
子作成を簡単とすることができる。
に制御電圧を印加しない状態では、一対の金属電極間に
ｐ型またはｎ型半導体が存在するだけであるので、整流
機能を発揮することができず、一方、制御用金属電極に
プラスまたはマイナスの制御電圧を印加すると、ｐ型ま
たはｎ型半導体の制御用金属電極と対向する部分に電子
または正孔が誘起され、ｐ型またはｎ型半導体の一部に
ｎ型またはｐ型領域が形成されることにより、ｐｎ接合
が形成され、このため整流機能を発揮することができ、
したがって外部からの制御で整流機能を有したり有しな
かったりすることができる。また、ｐ型またはｎ型半導
体のみを形成すればよいので、ｐ型およびｎ型半導体を
形成する従来の素子と比較して、素子作成を簡単とする
ことができる。請求項２記載の発明によれば、２つの制
御用金属電極に制御電圧を印加しない状態では、一対の
金属電極間に真性半導体が存在するだけであるので、整
流機能を発揮することができず、一方、２つの制御用金
属電極にマイナスおよびプラスの各制御電圧をそれぞれ
印加すると、真性半導体の２つの制御用金属電極とそれ
ぞれ対向する部分に正孔および電子が誘起され、真性半
導体の各一部にそれぞれｐ型領域およびｎ型領域が形成
されることにより、ｐｎ接合が形成され、このため整流
機能を発揮することができ、したがって外部からの制御
で整流機能を有したり有しなかったりすることができ
る。また、真性半導体のみを形成すればよいので、ｐ型
およびｎ型半導体を形成する従来の素子と比較して、素
子作成を簡単とすることができる。
【０００８】
【実施例】図１（Ａ）はこの発明の第１実施例における
半導体装置の概略構成を示したものである。この半導体
装置は、単結晶シリコンやゲルマニウム等の半導体基板
の上面側にボロン等のアクセプタを導入してなるｐ型半
導体１１を備えている。ｐ型半導体１１の両側（半導体
基板の上面）にはアルミニウムやクロム等からなるアノ
ード・カソード金属電極１２、１３がそれぞれ設けられ
ている。ｐ型半導体１１の上面（アノード・カソード金
属電極１２、１３間における一面）およびアノード・カ
ソード金属電極１２、１３の上面には酸化シリコン、窒
化シリコンもしくはこれらの積層膜等からなる絶縁膜１
４が設けられている。ｐ型半導体１１の右半分（カソー
ド金属電極１３側）に対応する部分の絶縁膜１４の上面
にはアルミニウムやクロム等からなる制御用金属電極１
５が設けられている。
半導体装置の概略構成を示したものである。この半導体
装置は、単結晶シリコンやゲルマニウム等の半導体基板
の上面側にボロン等のアクセプタを導入してなるｐ型半
導体１１を備えている。ｐ型半導体１１の両側（半導体
基板の上面）にはアルミニウムやクロム等からなるアノ
ード・カソード金属電極１２、１３がそれぞれ設けられ
ている。ｐ型半導体１１の上面（アノード・カソード金
属電極１２、１３間における一面）およびアノード・カ
ソード金属電極１２、１３の上面には酸化シリコン、窒
化シリコンもしくはこれらの積層膜等からなる絶縁膜１
４が設けられている。ｐ型半導体１１の右半分（カソー
ド金属電極１３側）に対応する部分の絶縁膜１４の上面
にはアルミニウムやクロム等からなる制御用金属電極１
５が設けられている。
【０００９】この半導体装置では、制御用金属電極１５
に制御電圧が印加されていない場合、一対のアノード・
カソード金属電極１２、１３間にｐ型半導体１１が存在
するだけである。この状態において、アノード金属電極
１２にプラス、カソード金属電極１３にマイナスの電圧
ＶINが印加された場合には、アノード金属電極１２側か
らカソード金属電極１３側に向かって電流が流れる。こ
れとは逆に、アノード金属電極１２にマイナス、カソー
ド金属電極１３にプラスの電圧が印加された場合には、
カソード金属電極１３からアノード金属電極１２側に向
かって電流が流れる。したがって、制御用金属電極１５
に制御電圧が印加されていない場合、整流機能を発揮す
ることができない。
に制御電圧が印加されていない場合、一対のアノード・
カソード金属電極１２、１３間にｐ型半導体１１が存在
するだけである。この状態において、アノード金属電極
１２にプラス、カソード金属電極１３にマイナスの電圧
ＶINが印加された場合には、アノード金属電極１２側か
らカソード金属電極１３側に向かって電流が流れる。こ
れとは逆に、アノード金属電極１２にマイナス、カソー
ド金属電極１３にプラスの電圧が印加された場合には、
カソード金属電極１３からアノード金属電極１２側に向
かって電流が流れる。したがって、制御用金属電極１５
に制御電圧が印加されていない場合、整流機能を発揮す
ることができない。
【００１０】一方、図１（Ｂ）に示すように、制御用金
属電極１５にプラスの制御電圧ＶONが印加された場合に
は、ｐ型半導体１１の制御用金属電極１５と対向する部
分に電子が誘起され、ｐ型半導体１１の右半分にｎ型領
域１６が形成されることにより、ｐｎ接合が形成され
る。このため、従来の場合と同様に、アノード金属電極
１２にプラス、カソード金属電極１３にマイナスの順方
向電圧ＶINが印加された場合には、ｐｎ接合面１７近傍
の空乏層が減少し、ｐ型半導体１１の左半分の正孔とｎ
型領域１６の電子が互いに相手側に持続的に拡散し、ア
ノード金属電極１２側からカソード金属電極１３側に向
かって電流が流れる。これとは逆に、アノード金属電極
１２にマイナス、カソード金属電極１３にプラスの逆方
向電圧が印加された場合には、ｐｎ接合面１７近傍の空
乏層が成長し、ｐｎ接合面１７を通過する電流は生じな
い。したがって、制御用金属電極１５にプラスの制御電
圧ＶONが印加されている場合、整流機能を発揮すること
ができる。
属電極１５にプラスの制御電圧ＶONが印加された場合に
は、ｐ型半導体１１の制御用金属電極１５と対向する部
分に電子が誘起され、ｐ型半導体１１の右半分にｎ型領
域１６が形成されることにより、ｐｎ接合が形成され
る。このため、従来の場合と同様に、アノード金属電極
１２にプラス、カソード金属電極１３にマイナスの順方
向電圧ＶINが印加された場合には、ｐｎ接合面１７近傍
の空乏層が減少し、ｐ型半導体１１の左半分の正孔とｎ
型領域１６の電子が互いに相手側に持続的に拡散し、ア
ノード金属電極１２側からカソード金属電極１３側に向
かって電流が流れる。これとは逆に、アノード金属電極
１２にマイナス、カソード金属電極１３にプラスの逆方
向電圧が印加された場合には、ｐｎ接合面１７近傍の空
乏層が成長し、ｐｎ接合面１７を通過する電流は生じな
い。したがって、制御用金属電極１５にプラスの制御電
圧ＶONが印加されている場合、整流機能を発揮すること
ができる。
【００１１】このように、この半導体装置では、制御用
金属電極１５に制御電圧が印加されていない場合、整流
機能を発揮することができず、制御用金属電極１５にプ
ラスの制御電圧ＶONが印加されている場合、整流機能を
発揮することができ、したがって制御用金属電極１５に
プラスの制御電圧ＶONを印加するか否かにより、整流機
能の有無を外部から制御することができる。また、制御
用金属電極１５に印加するプラスの制御電圧ＶONが大き
いほど整流機能が顕著となるので、整流機能の度合いを
制御用金属電極１５に印加するプラスの制御電圧ＶONの
大きさによって制御することもできる。さらに、ｐ型半
導体１１のみを形成すればよいので、ｐ型およびｎ型半
導体を形成する従来の素子と比較して、素子作成を簡単
とすることができる。
金属電極１５に制御電圧が印加されていない場合、整流
機能を発揮することができず、制御用金属電極１５にプ
ラスの制御電圧ＶONが印加されている場合、整流機能を
発揮することができ、したがって制御用金属電極１５に
プラスの制御電圧ＶONを印加するか否かにより、整流機
能の有無を外部から制御することができる。また、制御
用金属電極１５に印加するプラスの制御電圧ＶONが大き
いほど整流機能が顕著となるので、整流機能の度合いを
制御用金属電極１５に印加するプラスの制御電圧ＶONの
大きさによって制御することもできる。さらに、ｐ型半
導体１１のみを形成すればよいので、ｐ型およびｎ型半
導体を形成する従来の素子と比較して、素子作成を簡単
とすることができる。
【００１２】次に、図２（Ａ）はこの発明の第２実施例
における半導体装置の概略構成を示したものである。こ
の半導体装置は、単結晶シリコンやゲルマニウム等の半
導体基板の上面側にリン等のドナーを導入してなるｎ型
半導体２１を備えている。ｎ型半導体２１の両側（半導
体基板の上面）にはアルミニウムやクロム等からなるア
ノード・カソード金属電極２２、２３がそれぞれ設けら
れている。ｎ型半導体２１の上面（アノード・カソード
金属電極２２、２３間における一面）およびアノード・
カソード金属電極２２、２３の上面には酸化シリコン、
窒化シリコンもしくはこれらの積層膜等からなる絶縁膜
２４が設けられている。ｎ型半導体２１の左半分（アノ
ード金属電極２２側）に対応する部分の絶縁膜２４の上
面にはアルミニウムやクロム等からなる制御用金属電極
２５が設けられている。
における半導体装置の概略構成を示したものである。こ
の半導体装置は、単結晶シリコンやゲルマニウム等の半
導体基板の上面側にリン等のドナーを導入してなるｎ型
半導体２１を備えている。ｎ型半導体２１の両側（半導
体基板の上面）にはアルミニウムやクロム等からなるア
ノード・カソード金属電極２２、２３がそれぞれ設けら
れている。ｎ型半導体２１の上面（アノード・カソード
金属電極２２、２３間における一面）およびアノード・
カソード金属電極２２、２３の上面には酸化シリコン、
窒化シリコンもしくはこれらの積層膜等からなる絶縁膜
２４が設けられている。ｎ型半導体２１の左半分（アノ
ード金属電極２２側）に対応する部分の絶縁膜２４の上
面にはアルミニウムやクロム等からなる制御用金属電極
２５が設けられている。
【００１３】この半導体装置では、制御用金属電極２５
に制御電圧が印加されていない場合、一対のアノード・
カソード金属電極２２、２３間にｎ型半導体２１が存在
するだけであるので、第１実施例の場合と同様に、整流
機能を発揮することができない。一方、図２（Ｂ）に示
すように、制御用金属電極２５にマイナスの制御電圧Ｖ
ONが印加された場合には、ｎ型半導体２１の制御用金属
電極２５と対向する部分に正孔が誘起され、ｎ型半導体
２１の左半分にｐ型領域２６が形成されることにより、
ｐｎ接合が形成される。このため、第１実施例の場合と
同様に、制御用金属電極２５にプラスの制御電圧ＶONが
印加されている場合、整流機能を発揮することができる
上、整流機能の度合いを制御することもできる。また、
ｎ型半導体２１のみを形成すればよいので、素子作成を
簡単とすることができる。
に制御電圧が印加されていない場合、一対のアノード・
カソード金属電極２２、２３間にｎ型半導体２１が存在
するだけであるので、第１実施例の場合と同様に、整流
機能を発揮することができない。一方、図２（Ｂ）に示
すように、制御用金属電極２５にマイナスの制御電圧Ｖ
ONが印加された場合には、ｎ型半導体２１の制御用金属
電極２５と対向する部分に正孔が誘起され、ｎ型半導体
２１の左半分にｐ型領域２６が形成されることにより、
ｐｎ接合が形成される。このため、第１実施例の場合と
同様に、制御用金属電極２５にプラスの制御電圧ＶONが
印加されている場合、整流機能を発揮することができる
上、整流機能の度合いを制御することもできる。また、
ｎ型半導体２１のみを形成すればよいので、素子作成を
簡単とすることができる。
【００１４】次に、図３（Ａ）はこの発明の第３実施例
における半導体装置の概略構成を示したものである。こ
の半導体装置は、シリコンやゲルマニウム等の真性半導
体基板からなる真性半導体３１を備えている。真性半導
体３１の両側（真性半導体基板の上面）にはアルミニウ
ムやクロム等からなる金属電極３２、３３がそれぞれ設
けられている。真性半導体３１の上面（金属電極３２、
３３間における一面）および金属電極３２、３３の上面
には酸化シリコン、窒化シリコンもしくはこれらの積層
膜等からなる絶縁膜３４が設けられている。真性半導体
３１の左半分（左側の金属電極３２側）および右半分
（右側の金属電極３３側）にそれぞれ対応する部分の絶
縁膜３４の上面にはアルミニウムやクロム等からなる制
御用金属電極３５、３６がそれぞれ設けられている。
における半導体装置の概略構成を示したものである。こ
の半導体装置は、シリコンやゲルマニウム等の真性半導
体基板からなる真性半導体３１を備えている。真性半導
体３１の両側（真性半導体基板の上面）にはアルミニウ
ムやクロム等からなる金属電極３２、３３がそれぞれ設
けられている。真性半導体３１の上面（金属電極３２、
３３間における一面）および金属電極３２、３３の上面
には酸化シリコン、窒化シリコンもしくはこれらの積層
膜等からなる絶縁膜３４が設けられている。真性半導体
３１の左半分（左側の金属電極３２側）および右半分
（右側の金属電極３３側）にそれぞれ対応する部分の絶
縁膜３４の上面にはアルミニウムやクロム等からなる制
御用金属電極３５、３６がそれぞれ設けられている。
【００１５】この半導体装置では、制御用金属電極３
５、３６に制御電圧が印加されていない場合、一対の金
属電極３２、３３間に真性半導体３１が存在するだけで
あるので、第１実施例の場合と同様に、整流機能を発揮
することができない。一方、図３（Ｂ）に示すように、
左側の制御用金属電極３５にマイナス（なお、素子が左
右対称形状であるので、またはプラス、以下同様）の制
御電圧ＶONが印加され、かつ右側の制御用金属電極３６
にプラス（またはマイナス）の制御電圧ＶONが印加され
た場合には、真性半導体３１の左側の制御用金属電極３
５と対向する部分に正孔（または電子）が誘起され、真
性半導体３１の左半分にｐ型領域（またはｎ型領域）３
７が形成され、また真性半導体３１の右側の制御用金属
電極３６と対向する部分に電子（または正孔）が誘起さ
れ、真性半導体３１の右半分にｎ型領域（またはｐ型領
域）３８が形成され、これによりｐｎ接合が形成され
る。このため、第１実施例の場合と同様に、左側の制御
用金属電極３５にマイナス（またはプラス）の制御電圧
ＶONが印加され、かつ右側の制御用金属電極３６にプラ
ス（またはマイナス）の制御電圧ＶONが印加されている
場合、整流機能を発揮することができる上、整流機能の
度合いを制御することもできる。また、真性半導体３１
のみを形成すればよいので、素子作成を簡単とすること
ができる。
５、３６に制御電圧が印加されていない場合、一対の金
属電極３２、３３間に真性半導体３１が存在するだけで
あるので、第１実施例の場合と同様に、整流機能を発揮
することができない。一方、図３（Ｂ）に示すように、
左側の制御用金属電極３５にマイナス（なお、素子が左
右対称形状であるので、またはプラス、以下同様）の制
御電圧ＶONが印加され、かつ右側の制御用金属電極３６
にプラス（またはマイナス）の制御電圧ＶONが印加され
た場合には、真性半導体３１の左側の制御用金属電極３
５と対向する部分に正孔（または電子）が誘起され、真
性半導体３１の左半分にｐ型領域（またはｎ型領域）３
７が形成され、また真性半導体３１の右側の制御用金属
電極３６と対向する部分に電子（または正孔）が誘起さ
れ、真性半導体３１の右半分にｎ型領域（またはｐ型領
域）３８が形成され、これによりｐｎ接合が形成され
る。このため、第１実施例の場合と同様に、左側の制御
用金属電極３５にマイナス（またはプラス）の制御電圧
ＶONが印加され、かつ右側の制御用金属電極３６にプラ
ス（またはマイナス）の制御電圧ＶONが印加されている
場合、整流機能を発揮することができる上、整流機能の
度合いを制御することもできる。また、真性半導体３１
のみを形成すればよいので、素子作成を簡単とすること
ができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、制御用金属に制御電圧を印加することにより、ｐ型
またはｎ型半導体の一部にｎ型またはｐ型領域を形成
し、または真性半導体の各一部にそれぞれｐ型領域およ
びｎ型領域を形成しているので、外部からの制御で整流
機能を有したり有しなかったりすることができ、ひいて
は用途の拡大を図ることができ、またｐ型、ｎ型または
真性半導体のみを形成すればよいので、ｐ型およびｎ型
半導体を形成する従来の素子と比較して、素子作成を簡
単とすることができる。
ば、制御用金属に制御電圧を印加することにより、ｐ型
またはｎ型半導体の一部にｎ型またはｐ型領域を形成
し、または真性半導体の各一部にそれぞれｐ型領域およ
びｎ型領域を形成しているので、外部からの制御で整流
機能を有したり有しなかったりすることができ、ひいて
は用途の拡大を図ることができ、またｐ型、ｎ型または
真性半導体のみを形成すればよいので、ｐ型およびｎ型
半導体を形成する従来の素子と比較して、素子作成を簡
単とすることができる。
【図１】（Ａ）はこの発明の第１実施例における半導体
装置の概略構成図、（Ｂ）はその動作を説明するために
示す図。
装置の概略構成図、（Ｂ）はその動作を説明するために
示す図。
【図２】（Ａ）はこの発明の第２実施例における半導体
装置の概略構成図、（Ｂ）はその動作を説明するために
示す図。
装置の概略構成図、（Ｂ）はその動作を説明するために
示す図。
【図３】（Ａ）はこの発明の第３実施例における半導体
装置の概略構成図、（Ｂ）はその動作を説明するために
示す図。
装置の概略構成図、（Ｂ）はその動作を説明するために
示す図。
【図４】（Ａ）は従来の半導体装置の概略構成図、
（Ｂ）はその電圧Ｖ−電流Ｉ特性を順方向をプラスとし
て示す図。
（Ｂ）はその電圧Ｖ−電流Ｉ特性を順方向をプラスとし
て示す図。
１１ ｐ型半導体 １２、１３ 金属電極 １４ 絶縁膜 １５ 制御用金属電極 ２１ ｎ型半導体 ２２、２３ 金属電極 ２４ 絶縁膜 ２５ 制御用金属電極 ３１ 真性半導体 ３２、３３ 金属電極 ３４ 絶縁膜 ３５、３６ 制御用金属電極
Claims (2)
- 【請求項１】 一対の金属電極間にｐ型またはｎ型半導
体を設け、この半導体の少なくとも一側面側に、絶縁膜
を介して該半導体の一部領域に対応する制御用金属電極
を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 一対の金属電極間に真性半導体を設け、
この半導体の少なくとも一側面側に、絶縁膜を介して一
対の制御用金属電極を設けたことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11988592A JPH05291593A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11988592A JPH05291593A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291593A true JPH05291593A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14772647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11988592A Pending JPH05291593A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291593A (ja) |
-
1992
- 1992-04-15 JP JP11988592A patent/JPH05291593A/ja active Pending
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