JPH0528852A - 微細パターンの形成方法 - Google Patents
微細パターンの形成方法Info
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- JPH0528852A JPH0528852A JP18240991A JP18240991A JPH0528852A JP H0528852 A JPH0528852 A JP H0528852A JP 18240991 A JP18240991 A JP 18240991A JP 18240991 A JP18240991 A JP 18240991A JP H0528852 A JPH0528852 A JP H0528852A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ink
- ultraviolet
- ultraviolet rays
- pattern
- photosensitive layer
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 線幅が微細であるとともに、膜厚も適度な微
細パターンを高い精度で効率よく形成することのできる
微細パターンの形成方法を提供する。 【構成】 透明基板１の凹部３に紫外線硬化型透明イン
キ４を充填し、透明基板の裏側から紫外線を照射して凹
部内の紫外線硬化型透明インキが存在する領域に照射さ
れた紫外線のみを感光性層５に照射し、その他の領域に
照射された紫外線を紫外線非透過膜により遮光し、これ
により、所定のパターンを有する紫外線硬化型透明イン
キ上の感光性層にのみ粘着性を発現させ、この粘着性が
発現された感光性層を介して凹部内の紫外線硬化型透明
インキを被加工物に転写させる。
細パターンを高い精度で効率よく形成することのできる
微細パターンの形成方法を提供する。 【構成】 透明基板１の凹部３に紫外線硬化型透明イン
キ４を充填し、透明基板の裏側から紫外線を照射して凹
部内の紫外線硬化型透明インキが存在する領域に照射さ
れた紫外線のみを感光性層５に照射し、その他の領域に
照射された紫外線を紫外線非透過膜により遮光し、これ
により、所定のパターンを有する紫外線硬化型透明イン
キ上の感光性層にのみ粘着性を発現させ、この粘着性が
発現された感光性層を介して凹部内の紫外線硬化型透明
インキを被加工物に転写させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細パターンの形成方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜トランジスタ、薄膜ダイオー
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子等の加工工
程においては、被加工物に微細パターンを形成し、その
後、被加工物をエッチング処理して加工することが行わ
れていた。
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子等の加工工
程においては、被加工物に微細パターンを形成し、その
後、被加工物をエッチング処理して加工することが行わ
れていた。
【０００３】例えば、カラー液晶ディスプレー（ＬＣ
Ｄ）に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、通
常、レジスト塗布、露光、現像、エッチングの各処理か
らなるフォトリソグラフィー工程を４〜６回程度繰り返
すことにより製造されている。
Ｄ）に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、通
常、レジスト塗布、露光、現像、エッチングの各処理か
らなるフォトリソグラフィー工程を４〜６回程度繰り返
すことにより製造されている。
【０００４】また、プリント配線、回路パターンの形
成、あるいは金属板のエッチング用レジストパターンの
形成に際しては、上述のフォトリソグラフィー法とは異
なり、被加工物にレジストパターンを印刷により形成
し、エッチング処理を繰り返す印刷法も広く採用されて
いる。この印刷法によるパターン形成はスクリーン印刷
法やオフセット印刷法等が用いられている。
成、あるいは金属板のエッチング用レジストパターンの
形成に際しては、上述のフォトリソグラフィー法とは異
なり、被加工物にレジストパターンを印刷により形成
し、エッチング処理を繰り返す印刷法も広く採用されて
いる。この印刷法によるパターン形成はスクリーン印刷
法やオフセット印刷法等が用いられている。
【０００５】また、基板上に所定パターンで形成した凹
部にインキを充填し、このインキを一旦ゴムブランケッ
トに転写し、その後、被加工物に転写してレジストパタ
ーンを形成しエッチング処理を行う方法がある。
部にインキを充填し、このインキを一旦ゴムブランケッ
トに転写し、その後、被加工物に転写してレジストパタ
ーンを形成しエッチング処理を行う方法がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
４０インチあるいは８０インチといった大型のＬＣＤを
フォトリソグラフィー法により製造する場合、フォトリ
ソグラフィー工程で使用する大型露光装置を含む専用装
置が必要となり、装置に要する費用が莫大なものとな
る。
４０インチあるいは８０インチといった大型のＬＣＤを
フォトリソグラフィー法により製造する場合、フォトリ
ソグラフィー工程で使用する大型露光装置を含む専用装
置が必要となり、装置に要する費用が莫大なものとな
る。
【０００７】一方、上述の印刷法は、印刷によるレジス
トパターン形成とエッチング処理を繰り返すことによ
り、上記のような大型のＬＣＤ製造にも比較的容易に対
応することができる。しかし、印刷法はインキの流動
性、版の圧力等の影響やインキの一部が被加工物に転移
しないで版上に残留してしまうこと等に起因して、印刷
パターンが変形し易く、寸法精度および再現性に劣り、
画線が１００μｍ未満の微細パターンの形成には適して
いないという問題があった。
トパターン形成とエッチング処理を繰り返すことによ
り、上記のような大型のＬＣＤ製造にも比較的容易に対
応することができる。しかし、印刷法はインキの流動
性、版の圧力等の影響やインキの一部が被加工物に転移
しないで版上に残留してしまうこと等に起因して、印刷
パターンが変形し易く、寸法精度および再現性に劣り、
画線が１００μｍ未満の微細パターンの形成には適して
いないという問題があった。
【０００８】さらに、インキ層の流れ等によりパターン
に太りが生じて数ミクロンオーダーの微細パターンを形
成できないという問題点があった。また、凹部内のイン
キを被加工物に転写してレジストパターン形成を行う微
細パターン転写方法では、基板の凹部内からゴムブラン
ケットへのインキ転写と、ゴムブランケットから被加工
物へのインキ転写の２回の転写操作が行われるため、被
加工物上に形成されたインキパターンのエッジ形状が悪
く、ピンホール、断線、ピッチずれ、線幅の太り等が生
じて、数ミクロンオーダーの微細パターンを形成できな
いという問題があった。
に太りが生じて数ミクロンオーダーの微細パターンを形
成できないという問題点があった。また、凹部内のイン
キを被加工物に転写してレジストパターン形成を行う微
細パターン転写方法では、基板の凹部内からゴムブラン
ケットへのインキ転写と、ゴムブランケットから被加工
物へのインキ転写の２回の転写操作が行われるため、被
加工物上に形成されたインキパターンのエッジ形状が悪
く、ピンホール、断線、ピッチずれ、線幅の太り等が生
じて、数ミクロンオーダーの微細パターンを形成できな
いという問題があった。
【０００９】本発明は、上述のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、線幅が微細であるとともに、膜厚も適
度な微細パターンを高い精度で効率よく形成することの
できる微細パターンの形成方法を提供することを目的と
する。
れたものであり、線幅が微細であるとともに、膜厚も適
度な微細パターンを高い精度で効率よく形成することの
できる微細パターンの形成方法を提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は透明基板の一方の面に紫外線非透過
膜を形成し、該紫外線非透過膜側から前記透明基板に所
定パターンで凹部を形成し、該凹部に紫外線硬化型透明
インキを充填するとともに、露光により粘着性を発現す
る感光性物質を前記紫外線非透過膜および前記凹部内の
紫外線硬化型透明インキを覆うように塗布して感光性層
を形成し、次に、前記透明基板の裏側から紫外線を照射
して前記感光性層のうち前記凹部内の紫外線硬化型透明
インキ上の感光性層にのみ粘着性を発現させ、その後、
粘着性が発現された前記感光性層を介して前記凹部内の
紫外線硬化型透明インキを被加工物に転写させるような
構成とした。
るために、本発明は透明基板の一方の面に紫外線非透過
膜を形成し、該紫外線非透過膜側から前記透明基板に所
定パターンで凹部を形成し、該凹部に紫外線硬化型透明
インキを充填するとともに、露光により粘着性を発現す
る感光性物質を前記紫外線非透過膜および前記凹部内の
紫外線硬化型透明インキを覆うように塗布して感光性層
を形成し、次に、前記透明基板の裏側から紫外線を照射
して前記感光性層のうち前記凹部内の紫外線硬化型透明
インキ上の感光性層にのみ粘着性を発現させ、その後、
粘着性が発現された前記感光性層を介して前記凹部内の
紫外線硬化型透明インキを被加工物に転写させるような
構成とした。
【００１１】
【作用】透明基板の凹部には紫外線硬化型透明インキが
充填され、透明基板の裏側から照射された紫外線のうち
凹部内の紫外線硬化型透明インキが存在する領域に照射
された紫外線のみが透過して感光性層に照射され、その
他の領域に照射された紫外線は紫外線非透過膜により遮
光される。これにより、所定のパターンを有する紫外線
硬化型透明インキ上の感光性層にのみ粘着性が発現さ
れ、この粘着性が発現された感光性層を介して凹部内の
紫外線硬化型透明インキを確実に被加工物に転写させる
ことができ、被加工物に転写された微細パターンは、膜
厚が均一で線幅も一定な寸法精度の高いものである。
充填され、透明基板の裏側から照射された紫外線のうち
凹部内の紫外線硬化型透明インキが存在する領域に照射
された紫外線のみが透過して感光性層に照射され、その
他の領域に照射された紫外線は紫外線非透過膜により遮
光される。これにより、所定のパターンを有する紫外線
硬化型透明インキ上の感光性層にのみ粘着性が発現さ
れ、この粘着性が発現された感光性層を介して凹部内の
紫外線硬化型透明インキを確実に被加工物に転写させる
ことができ、被加工物に転写された微細パターンは、膜
厚が均一で線幅も一定な寸法精度の高いものである。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は微細パターンの形成方法を説明する
ための図である。図１において、まず、透明基板１の一
方の面に紫外線非透過膜２を形成する（図１（ａ））。
次に、この紫外線非透過膜２を通常のフォトエッチング
方法によりエッチングして所定の微細パターンを形成
し、その後、この微細パターンに対応するように透明基
板１に凹部３を形成する（図１（ｂ））。そして、この
凹部３にドクター機構等の通常のコーティング方法によ
り紫外線硬化型透明インキ４を充填する（図１
（ｃ））。次に、紫外線非透過膜２上および紫外線硬化
型透明インキ４上に露光により粘着性を発現する感光性
物質を塗布して感光性層５を形成し（図１（ｄ））、そ
の後、透明基板１の裏側から紫外線を照射する。この紫
外線照射により、凹部３内の紫外線硬化型透明インキ４
が存在する領域に照射された紫外線のみが紫外線硬化型
透明インキを硬化させると共に感光性層５に到達し、感
光性層５の紫外線が照射された領域５ａには粘着性が発
現される。すなわち、感光性層５のうち紫外線硬化型透
明インキ４上の領域５ａにのみ粘着性が発現される（図
１（ｅ））。そして、被加工物６を感光性層５に圧着す
ることにより、感光性層５のうち紫外線が照射された領
域５ａのみが被加工物６に接着し（図１（ｆ））、その
後、被加工物６と透明基板１とを分離することにより、
凹部３内の紫外線硬化型透明インキ４を被加工物６に転
写させて微細パターンを形成する（図１（ｇ））。
て説明する。図１は微細パターンの形成方法を説明する
ための図である。図１において、まず、透明基板１の一
方の面に紫外線非透過膜２を形成する（図１（ａ））。
次に、この紫外線非透過膜２を通常のフォトエッチング
方法によりエッチングして所定の微細パターンを形成
し、その後、この微細パターンに対応するように透明基
板１に凹部３を形成する（図１（ｂ））。そして、この
凹部３にドクター機構等の通常のコーティング方法によ
り紫外線硬化型透明インキ４を充填する（図１
（ｃ））。次に、紫外線非透過膜２上および紫外線硬化
型透明インキ４上に露光により粘着性を発現する感光性
物質を塗布して感光性層５を形成し（図１（ｄ））、そ
の後、透明基板１の裏側から紫外線を照射する。この紫
外線照射により、凹部３内の紫外線硬化型透明インキ４
が存在する領域に照射された紫外線のみが紫外線硬化型
透明インキを硬化させると共に感光性層５に到達し、感
光性層５の紫外線が照射された領域５ａには粘着性が発
現される。すなわち、感光性層５のうち紫外線硬化型透
明インキ４上の領域５ａにのみ粘着性が発現される（図
１（ｅ））。そして、被加工物６を感光性層５に圧着す
ることにより、感光性層５のうち紫外線が照射された領
域５ａのみが被加工物６に接着し（図１（ｆ））、その
後、被加工物６と透明基板１とを分離することにより、
凹部３内の紫外線硬化型透明インキ４を被加工物６に転
写させて微細パターンを形成する（図１（ｇ））。
【００１３】このように、本発明では感光性層５のうち
凹部３内の紫外線硬化型透明インキ４上に存在する領域
以外の領域には紫外線非透過膜２により紫外線が遮光さ
れて到達しないため、紫外線硬化型透明インキ４上の領
域５ａにのみ粘着性を発現させることができ、被加工物
６への紫外線硬化型透明インキ４の転写が容易かつ確実
であるとともに、ブランケットを介さずに直接被加工物
６へ紫外線硬化型透明インキ４を転写できるので、イン
キパターンのピンホール、断線、ピッチずれ、線幅の太
り等を防止でき、数ミクロンオーダーの微細パターン形
成が可能である。
凹部３内の紫外線硬化型透明インキ４上に存在する領域
以外の領域には紫外線非透過膜２により紫外線が遮光さ
れて到達しないため、紫外線硬化型透明インキ４上の領
域５ａにのみ粘着性を発現させることができ、被加工物
６への紫外線硬化型透明インキ４の転写が容易かつ確実
であるとともに、ブランケットを介さずに直接被加工物
６へ紫外線硬化型透明インキ４を転写できるので、イン
キパターンのピンホール、断線、ピッチずれ、線幅の太
り等を防止でき、数ミクロンオーダーの微細パターン形
成が可能である。
【００１４】そして、図２に示されるように紫外線硬化
型透明インキ４を硬化させて微細パターンが形成された
被加工物６（図２（ａ））は、この紫外線硬化型透明イ
ンキ４をレジストとしてエッチング処理がなされ（図２
（ｂ））、その後、紫外線硬化型透明インキ４が被加工
物６から剥離される（図２（ｃ））。
型透明インキ４を硬化させて微細パターンが形成された
被加工物６（図２（ａ））は、この紫外線硬化型透明イ
ンキ４をレジストとしてエッチング処理がなされ（図２
（ｂ））、その後、紫外線硬化型透明インキ４が被加工
物６から剥離される（図２（ｃ））。
【００１５】また、図３に示されるように、被加工物６
として表面にフォトレジスト７を塗布したものを用いる
ことができる。この場合、例えばポジ型では図１のよう
にして被加工物６のフォトレジスト７上に紫外線硬化型
透明インキ４を硬化させて微細パターンを形成し（図３
（ａ））、紫外線硬化型透明インキ４を版としてフォト
レジスト７の露光・現像を行う（図３（ｂ））。その
後、紫外線硬化型透明インキ４がフォトレジスト７から
剥離され（図３（ｃ））、フォトレジスト７を介して被
加工物６のエッチング処理がなされ（図３（ｄ））、そ
の後、フォトレジスト７が被加工物６から剥離される
（図３（ｅ））。また、ネガ型の例では、露光した後に
フォトレジスト７を剥離して現像が行なわれる。
として表面にフォトレジスト７を塗布したものを用いる
ことができる。この場合、例えばポジ型では図１のよう
にして被加工物６のフォトレジスト７上に紫外線硬化型
透明インキ４を硬化させて微細パターンを形成し（図３
（ａ））、紫外線硬化型透明インキ４を版としてフォト
レジスト７の露光・現像を行う（図３（ｂ））。その
後、紫外線硬化型透明インキ４がフォトレジスト７から
剥離され（図３（ｃ））、フォトレジスト７を介して被
加工物６のエッチング処理がなされ（図３（ｄ））、そ
の後、フォトレジスト７が被加工物６から剥離される
（図３（ｅ））。また、ネガ型の例では、露光した後に
フォトレジスト７を剥離して現像が行なわれる。
【００１６】透明基板１としては、ガラス板、樹脂基
板、セラミックス等透明基板を使用することができる。
このような透明基板の厚さは１．０〜２．５ｍｍ程度が
好ましい。
板、セラミックス等透明基板を使用することができる。
このような透明基板の厚さは１．０〜２．５ｍｍ程度が
好ましい。
【００１７】紫外線非透過膜２としては、酸化クロム等
の金属膜、シリカ（ＳｉＯ2 ）薄膜、チッ化シリコン
（ＳｉＮx ）薄膜、９６％アルミナ薄膜、ベリリヤ薄
膜、フォルステライト薄膜等が好ましい。このような紫
外線非透過膜は、例えばイオンプレーティング法、真空
蒸着法、スパッタリング法等の各種の薄膜形成法により
形成することができ、その厚さは、１０００〜３０００
Å程度が好ましい。
の金属膜、シリカ（ＳｉＯ2 ）薄膜、チッ化シリコン
（ＳｉＮx ）薄膜、９６％アルミナ薄膜、ベリリヤ薄
膜、フォルステライト薄膜等が好ましい。このような紫
外線非透過膜は、例えばイオンプレーティング法、真空
蒸着法、スパッタリング法等の各種の薄膜形成法により
形成することができ、その厚さは、１０００〜３０００
Å程度が好ましい。
【００１８】凹部３は通常のフォトエッチング方法等に
より形成することができ、深さは５〜１０μｍ程度が好
ましい。紫外線硬化型透明インキ４としては、光重合性
プレポリマーであるエポキシアクリレート、ウレタンア
クリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエステル
アクリレート、シリコンアクリレート等のアクリレート
プレポリマーが有効に用いられる。
より形成することができ、深さは５〜１０μｍ程度が好
ましい。紫外線硬化型透明インキ４としては、光重合性
プレポリマーであるエポキシアクリレート、ウレタンア
クリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエステル
アクリレート、シリコンアクリレート等のアクリレート
プレポリマーが有効に用いられる。
【００１９】また、必要により希釈モノマーとして、２
−エチルヘキシルアクリレート、エトキシジエチレング
リコールアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレ
ート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、１，６−
ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコ
ールジアクリレート等が用いられる。
−エチルヘキシルアクリレート、エトキシジエチレング
リコールアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレ
ート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、１，６−
ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコ
ールジアクリレート等が用いられる。
【００２０】増感剤（重合開始剤）としては、ベンゾイ
ンエーテル誘導体、アセトフェノン誘導体、オキシムケ
トン、アシルホスフィンオキシドベンジル等が用いられ
る。このように紫外線硬化型透明インキ４が紫外線硬化
性を有することにより、透明基板１から被加工物６に転
写される際に紫外線硬化型透明インキ４は既に硬化され
ており、インキの流れによるインキパターンの太りをよ
り有効に防止できる。
ンエーテル誘導体、アセトフェノン誘導体、オキシムケ
トン、アシルホスフィンオキシドベンジル等が用いられ
る。このように紫外線硬化型透明インキ４が紫外線硬化
性を有することにより、透明基板１から被加工物６に転
写される際に紫外線硬化型透明インキ４は既に硬化され
ており、インキの流れによるインキパターンの太りをよ
り有効に防止できる。
【００２１】露光により粘着性を発現する感光性物質と
しては、下記に示されるような１，４−ジヒドロピリジ
ン化合物を用いることができる。１，４−ジヒドロピリ
ジン化合物 ： ２，６−ジメチル−４−（２′−ニト
ロフェニル）−１，４−ジヒドロピリジン−３，５−ジ
カルボン酸ジメチルエステル； ２，６−ジメチル−４
−（２′−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリジ
ン−３，５−ジカルボン酸ジエチルエステル； ２，６
−ジメチル−４−（２′−ニトロ−４′，５′−ジメト
キシフェニル）−１，４−ジヒドロピリジン−３，５−
ジカルボン酸ジエチルエステル； ２，６−ジメチル−
４−（２′−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリ
ジン−３，５−ジカルボン酸ジイソプロピルエステル；
２，６−ジメチル−４−（２′−ニトロフェニル）−
１，４−ジヒドロピリジン−３，５−ジカルボン酸ジ
（β−エトキシエチル）エステル； ２，６−ジメチル
−４−（２′−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピ
リジン−３，５−ジカルボン酸３−メチル−５−エチル
エステル； ２，６−ジメチル−４−（２′−ニトロフ
ェニル）−１，４−ジヒドロピリジン−３，５−ジカル
ボン酸３−イソプロピル−５−メチルエステル； ２，
６−ジメチル−４−（２′−ニトロフェニル）−３−ア
セト−１，４−ジヒドロピリジン−５−カルボン酸エチ
ルエステル； ２，６−ジメチル−４−（２′−ニトロ
フェニル）−３，５−ジアセト−１，４−ジヒドロピリ
ジンおよび２，６−ジメチル−４−（２′−ニトロフェ
ニル）−３，５−ジシアノ−１，４−ジヒドロピリジ
ン。
しては、下記に示されるような１，４−ジヒドロピリジ
ン化合物を用いることができる。１，４−ジヒドロピリ
ジン化合物 ： ２，６−ジメチル−４−（２′−ニト
ロフェニル）−１，４−ジヒドロピリジン−３，５−ジ
カルボン酸ジメチルエステル； ２，６−ジメチル−４
−（２′−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリジ
ン−３，５−ジカルボン酸ジエチルエステル； ２，６
−ジメチル−４−（２′−ニトロ−４′，５′−ジメト
キシフェニル）−１，４−ジヒドロピリジン−３，５−
ジカルボン酸ジエチルエステル； ２，６−ジメチル−
４−（２′−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリ
ジン−３，５−ジカルボン酸ジイソプロピルエステル；
２，６−ジメチル−４−（２′−ニトロフェニル）−
１，４−ジヒドロピリジン−３，５−ジカルボン酸ジ
（β−エトキシエチル）エステル； ２，６−ジメチル
−４−（２′−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピ
リジン−３，５−ジカルボン酸３−メチル−５−エチル
エステル； ２，６−ジメチル−４−（２′−ニトロフ
ェニル）−１，４−ジヒドロピリジン−３，５−ジカル
ボン酸３−イソプロピル−５−メチルエステル； ２，
６−ジメチル−４−（２′−ニトロフェニル）−３−ア
セト−１，４−ジヒドロピリジン−５−カルボン酸エチ
ルエステル； ２，６−ジメチル−４−（２′−ニトロ
フェニル）−３，５−ジアセト−１，４−ジヒドロピリ
ジンおよび２，６−ジメチル−４−（２′−ニトロフェ
ニル）−３，５−ジシアノ−１，４−ジヒドロピリジ
ン。
【００２２】このような１，４−ジヒドロピリジン化合
物は、例えば１モルの脂肪族または芳香族アルデヒド、
１モルのアンモニアおよび２モルのβ−ケトカルボン酸
エステル、β−ケトカルボン酸ニトリルあるいはβ−ジ
ケトンとから、Hantzsch合成の方法に従って製造するこ
とができる。
物は、例えば１モルの脂肪族または芳香族アルデヒド、
１モルのアンモニアおよび２モルのβ−ケトカルボン酸
エステル、β−ケトカルボン酸ニトリルあるいはβ−ジ
ケトンとから、Hantzsch合成の方法に従って製造するこ
とができる。
【００２３】また、感光性物質としては、上記に示され
るような１，４−ジヒドロピリジン化合物の他に、例え
ば下記の化学式で示されるようなＤＤＭＡ等の各種の感
光性ジアゾニウム塩を使用することができる。
るような１，４−ジヒドロピリジン化合物の他に、例え
ば下記の化学式で示されるようなＤＤＭＡ等の各種の感
光性ジアゾニウム塩を使用することができる。
【００２４】
【化１】
上述の感光性物質は、単独で用いて感光性層５を形成し
てもよく、あるいはバインダーと混合して使用してもよ
い。バインダーとの混合割合は、バインダー１重量部に
対して０．２〜９重量部程度が好ましい。使用するバイ
ンダーとしては、ポリアクリル酸エステルおよび／また
はポリメタクリル酸エステル、アクリル酸および／また
はメタクリル酸もしくは他のアクリルモノマーおよび／
またはビニルモノマー類の共重合体； マレイン酸無水
物、マレイン酸および／またはそのスチレン、もしくは
他のビニルモノマーのジ−もしくはセミエステル類の共
重合体； ポリ塩化ビニル、その塩素化処理生成物、ポ
リ塩化ビニリデン、塩素化ポリエチレン等の塩素含有ビ
ニルポリマー、または共重合体； ポリスチレンおよび
マレイン酸等とのスチレン共重合体、ポリエチレンおよ
びマレイン酸等とのエチレン共重合体； ブタジエン、
クロロプレン等に基づく合成ゴムおよびそれらのスチレ
ン、アクリロニトリル等との共重合体； 高分子量のポ
リエチレンオキサイドまたはポリエピクロルヒドリンの
ようなポリエーテルが挙げられる。
てもよく、あるいはバインダーと混合して使用してもよ
い。バインダーとの混合割合は、バインダー１重量部に
対して０．２〜９重量部程度が好ましい。使用するバイ
ンダーとしては、ポリアクリル酸エステルおよび／また
はポリメタクリル酸エステル、アクリル酸および／また
はメタクリル酸もしくは他のアクリルモノマーおよび／
またはビニルモノマー類の共重合体； マレイン酸無水
物、マレイン酸および／またはそのスチレン、もしくは
他のビニルモノマーのジ−もしくはセミエステル類の共
重合体； ポリ塩化ビニル、その塩素化処理生成物、ポ
リ塩化ビニリデン、塩素化ポリエチレン等の塩素含有ビ
ニルポリマー、または共重合体； ポリスチレンおよび
マレイン酸等とのスチレン共重合体、ポリエチレンおよ
びマレイン酸等とのエチレン共重合体； ブタジエン、
クロロプレン等に基づく合成ゴムおよびそれらのスチレ
ン、アクリロニトリル等との共重合体； 高分子量のポ
リエチレンオキサイドまたはポリエピクロルヒドリンの
ようなポリエーテルが挙げられる。
【００２５】また、感光性物質には増感剤、安定化剤等
を含有することができる。上述のような感光性物質を透
明基板１上に塗布するには、スピンコート法等の公知の
方法を用いることができる。
を含有することができる。上述のような感光性物質を透
明基板１上に塗布するには、スピンコート法等の公知の
方法を用いることができる。
【００２６】このような感光性物質により形成される感
光性層５の厚さは約１〜１０μｍ程度が好ましい。紫外
線の照射源としては、低圧水銀ランプ、高圧水銀ラン
プ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、パルス
キセノンランプ、無電極放電ランプ等の紫外線照射装置
を用いることができ、照射量は０．２〜１．０Ｊ程度が
好ましい。また、コールドミラーを用いて赤外光を取り
除き、被照射物の昇温を防止するようにしてもよい。
光性層５の厚さは約１〜１０μｍ程度が好ましい。紫外
線の照射源としては、低圧水銀ランプ、高圧水銀ラン
プ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、パルス
キセノンランプ、無電極放電ランプ等の紫外線照射装置
を用いることができ、照射量は０．２〜１．０Ｊ程度が
好ましい。また、コールドミラーを用いて赤外光を取り
除き、被照射物の昇温を防止するようにしてもよい。
【００２７】次に、実験例を示して本発明を更に詳細に
説明する。 （実験例）ガラス基板（厚さ２．３ｍｍ）の表面に、ス
パッタリング法により膜厚１０００Åの酸化クロム薄膜
を形成した。
説明する。 （実験例）ガラス基板（厚さ２．３ｍｍ）の表面に、ス
パッタリング法により膜厚１０００Åの酸化クロム薄膜
を形成した。
【００２８】次に、この酸化クロム薄膜を公知のフォト
エッチング方法に従ってエッチングして線幅１５μｍの
微細パターンを形成した（図１（ａ）参照）。そして、
次に、ウェットエッチング方法に従ってガラス基板をエ
ッチングして深さ約７μｍの凹部を形成した（図１
（ｂ）参照）。
エッチング方法に従ってエッチングして線幅１５μｍの
微細パターンを形成した（図１（ａ）参照）。そして、
次に、ウェットエッチング方法に従ってガラス基板をエ
ッチングして深さ約７μｍの凹部を形成した（図１
（ｂ）参照）。
【００２９】その後、下記組成の紫外線硬化型透明イン
キを凹部に供給し、余分なインキをドクターで除去した
（図１（ｃ）参照）。 （紫外線硬化型透明インキの組成） ・アロニックス Ｍ−１２００（東亜合成化学工業製） …８０重量部 ・ライトエステル ＨＯＡ（共栄社油脂製） …２０重量部 ・イルガキュアー６５１（東亜合成化学工業製） … ３重量部 次に、酸化クロム薄膜上および紫外線硬化型透明インキ
上に下記組成の感光性物質を塗布して感光性層を形成し
た（図１（ｄ）参照）。
キを凹部に供給し、余分なインキをドクターで除去した
（図１（ｃ）参照）。 （紫外線硬化型透明インキの組成） ・アロニックス Ｍ−１２００（東亜合成化学工業製） …８０重量部 ・ライトエステル ＨＯＡ（共栄社油脂製） …２０重量部 ・イルガキュアー６５１（東亜合成化学工業製） … ３重量部 次に、酸化クロム薄膜上および紫外線硬化型透明インキ
上に下記組成の感光性物質を塗布して感光性層を形成し
た（図１（ｄ）参照）。
【００３０】
（感光性物質の組成）
・２，６−ジメチル−４−（２′−ニトロフェニル）−１，４−
ジヒドロピリジン−３，５−ジカルボン酸ジメチルエステル …７重量部
・ポリメタクリル酸メチル …３重量部
その後、ガラス基板の裏側から紫外線を２００ｍＪの強
度で照射した。これにより凹部内の紫外線硬化型透明イ
ンキは紫外線を透過し、透過した紫外線は感光性層に照
射されて照射部分に粘着性を生じた。しかし、凹部形成
部分以外では酸化クロム薄膜により紫外線が遮断されて
感光性層には紫外線が照射されず、粘着性は発現されな
かった。
度で照射した。これにより凹部内の紫外線硬化型透明イ
ンキは紫外線を透過し、透過した紫外線は感光性層に照
射されて照射部分に粘着性を生じた。しかし、凹部形成
部分以外では酸化クロム薄膜により紫外線が遮断されて
感光性層には紫外線が照射されず、粘着性は発現されな
かった。
【００３１】その後、被加工物を感光性層を介して基板
に圧着して感光性層の粘着性発現領域と被加工物とを接
着させ（図１（ｄ）参照）、基板と被加工物とを離して
凹部内のインキを感光性層を介して被加工物に転写し硬
化させて微細パターンを形成した（図１（ｅ））。この
ように転写して形成された微細パターンの解像度は１５
μｍであった。 （比較例）上記の実験例と同様にして凹部に紫外線硬化
型透明インキを充填した後、感光性層を形成せずにブラ
ンケットを基板に圧着して凹部内のインキをブランケッ
トに一旦転写し、このブランケットを被加工物に圧着す
ることによりインキを被加工物に転写し硬化させて微細
パターンを形成した。
に圧着して感光性層の粘着性発現領域と被加工物とを接
着させ（図１（ｄ）参照）、基板と被加工物とを離して
凹部内のインキを感光性層を介して被加工物に転写し硬
化させて微細パターンを形成した（図１（ｅ））。この
ように転写して形成された微細パターンの解像度は１５
μｍであった。 （比較例）上記の実験例と同様にして凹部に紫外線硬化
型透明インキを充填した後、感光性層を形成せずにブラ
ンケットを基板に圧着して凹部内のインキをブランケッ
トに一旦転写し、このブランケットを被加工物に圧着す
ることによりインキを被加工物に転写し硬化させて微細
パターンを形成した。
【００３２】この微細パターン形成においては、２回の
転写操作があるため微細パターンの転写ムラが生じ、エ
ッジ形状が悪く、線幅の太りが生じるという欠点がみら
れ、また解像度は４０μｍであった。
転写操作があるため微細パターンの転写ムラが生じ、エ
ッジ形状が悪く、線幅の太りが生じるという欠点がみら
れ、また解像度は４０μｍであった。
【００３３】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば透
明基板の凹部には紫外線硬化型透明インキが充填され、
透明基板の裏側から照射された紫外線のうち凹部内の紫
外線硬化型透明インキが存在する領域に照射された紫外
線のみが透過して感光性層に照射され、その他の領域に
照射された紫外線は紫外線非透過膜により遮断されるの
で、所定のパターンを有する紫外線硬化型透明インキ上
の感光性層にのみ粘着性が発現され、この粘着性が発現
された感光性層を介して凹部内の紫外線硬化型透明イン
キを確実に被加工物に転写させることができ、被加工物
に転写された微細パターンは、膜厚が均一で線幅も一定
な寸法精度の高いものとなる。
明基板の凹部には紫外線硬化型透明インキが充填され、
透明基板の裏側から照射された紫外線のうち凹部内の紫
外線硬化型透明インキが存在する領域に照射された紫外
線のみが透過して感光性層に照射され、その他の領域に
照射された紫外線は紫外線非透過膜により遮断されるの
で、所定のパターンを有する紫外線硬化型透明インキ上
の感光性層にのみ粘着性が発現され、この粘着性が発現
された感光性層を介して凹部内の紫外線硬化型透明イン
キを確実に被加工物に転写させることができ、被加工物
に転写された微細パターンは、膜厚が均一で線幅も一定
な寸法精度の高いものとなる。
【図１】本発明の微細パターンの形成方法を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図２】微細パターンが形成された被加工物のエッチン
グ処理を説明するための図である。
グ処理を説明するための図である。
【図３】微細パターンが形成された被加工物のエッチン
グ処理を説明するための図である。
グ処理を説明するための図である。
１…透明基板
２…紫外線非透過膜
３…凹部
４…紫外線硬化型透明インキ
５…感光性層
６…被加工物
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板の一方の面に紫外線非透過膜を
形成し、該紫外線非透過膜側から前記透明基板に所定パ
ターンで凹部を形成し、該凹部に紫外線硬化型透明イン
キを充填するとともに、露光により粘着性を発現する感
光性物質を前記紫外線非透過膜および前記凹部内の紫外
線硬化型透明インキを覆うように塗布して感光性層を形
成し、次に、前記透明基板の裏側から紫外線を照射して
前記感光性層のうち前記凹部内の紫外線硬化型透明イン
キ上の感光性層にのみ粘着性を発現させ、その後、粘着
性が発現された前記感光性層を介して前記凹部内の紫外
線硬化型透明インキを被加工物に転写させることを特徴
とする微細パターンの形成方法。 - 【請求項２】 前記感光性物質は１，４−ジヒドロピリ
ジン化合物であることを特徴とする請求項１記載の微細
パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18240991A JPH0528852A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 微細パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18240991A JPH0528852A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 微細パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528852A true JPH0528852A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16117795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18240991A Pending JPH0528852A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 微細パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528852A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5924622A (en) * | 1996-07-17 | 1999-07-20 | International Business Machines Corp. | Method and apparatus for soldering ball grid array modules to substrates |
| CN102518234A (zh) * | 2011-12-19 | 2012-06-27 | 沈阳远大铝业工程有限公司 | 防飓风单元幕墙 |
| US8608972B2 (en) | 2006-12-05 | 2013-12-17 | Nano Terra Inc. | Method for patterning a surface |
| CN112649905A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-13 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种自由曲面基底的复眼透镜的制备方法 |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP18240991A patent/JPH0528852A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5924622A (en) * | 1996-07-17 | 1999-07-20 | International Business Machines Corp. | Method and apparatus for soldering ball grid array modules to substrates |
| US8608972B2 (en) | 2006-12-05 | 2013-12-17 | Nano Terra Inc. | Method for patterning a surface |
| CN102518234A (zh) * | 2011-12-19 | 2012-06-27 | 沈阳远大铝业工程有限公司 | 防飓风单元幕墙 |
| CN112649905A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-13 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种自由曲面基底的复眼透镜的制备方法 |
| CN112649905B (zh) * | 2020-12-28 | 2022-02-11 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种自由曲面基底的复眼透镜的制备方法 |
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