JPH05283915A - 導波管−マイクロストリップ線路変換器 - Google Patents
導波管−マイクロストリップ線路変換器Info
- Publication number
- JPH05283915A JPH05283915A JP7479492A JP7479492A JPH05283915A JP H05283915 A JPH05283915 A JP H05283915A JP 7479492 A JP7479492 A JP 7479492A JP 7479492 A JP7479492 A JP 7479492A JP H05283915 A JPH05283915 A JP H05283915A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ridge
- microstrip line
- width
- dielectric
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 リッジの幅とマイクロストリップ線路の幅と
が不連続な接続になることを防止し、ＶＳＷＲや広帯域
化を改善した導波管−マイクロストリップ線路変換器を
提供する。 【構成】 リッジ導波管１１のリッジ先端部と誘電体基
板上に形成されるマイクロストリップ線路導体４とを接
続する導波管ーマイクロストリップ線路変換器におい
て、前記リッジ先端部に近いマイクロストリップ線路導
体４の下方に、前記リッジ先端部から離れた部分のマイ
クロストリップ線路導体４の下方にある誘電体と誘電率
の異なる誘電体の層または空気層３を設ける。
が不連続な接続になることを防止し、ＶＳＷＲや広帯域
化を改善した導波管−マイクロストリップ線路変換器を
提供する。 【構成】 リッジ導波管１１のリッジ先端部と誘電体基
板上に形成されるマイクロストリップ線路導体４とを接
続する導波管ーマイクロストリップ線路変換器におい
て、前記リッジ先端部に近いマイクロストリップ線路導
体４の下方に、前記リッジ先端部から離れた部分のマイ
クロストリップ線路導体４の下方にある誘電体と誘電率
の異なる誘電体の層または空気層３を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導波管とマイクロスト
リップ線路との相互間の伝送モード変換を行う導波管ー
マイクロストリップ線路変換器に関する。
リップ線路との相互間の伝送モード変換を行う導波管ー
マイクロストリップ線路変換器に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波機器に使用されるマイクロ波
部のユニットは、小形化や高周波化という目的から、マ
イクロストリップ線路を誘電体基板上に形成したマイク
ロ波集積回路を使用することが多い。このようなマイク
ロ波集積回路を伝送した信号は、最終的には、指向性が
よく、損失の少ない導波管アンテナによって自由空間中
に放射され無線通信としての機能が成立する。
部のユニットは、小形化や高周波化という目的から、マ
イクロストリップ線路を誘電体基板上に形成したマイク
ロ波集積回路を使用することが多い。このようなマイク
ロ波集積回路を伝送した信号は、最終的には、指向性が
よく、損失の少ない導波管アンテナによって自由空間中
に放射され無線通信としての機能が成立する。
【０００３】このような無線通信においては、そこを伝
送する信号は、マイクロストリップ線路から導波管へ
と、途中で伝送路が変わる。
送する信号は、マイクロストリップ線路から導波管へ
と、途中で伝送路が変わる。
【０００４】この場合、マイクロストリップ線路と導波
管とは、伝送モードが異なるのでマイクロストリップ線
路と導波管との接続部で、マイクロストリップ線路モー
ドから導波管モードへと、モードの変換が必要となる。
管とは、伝送モードが異なるのでマイクロストリップ線
路と導波管との接続部で、マイクロストリップ線路モー
ドから導波管モードへと、モードの変換が必要となる。
【０００５】このようなモード変換の一つの例として、
同軸モードを介して行うことがある。
同軸モードを介して行うことがある。
【０００６】しかし同軸モードを介して行うと、その分
損失が増大し、また電圧定在波比（以下ＶＳＷＲとい
う。）も悪化する。このＶＳＷＲの悪化は、特にミリ波
帯以上の高い周波数になると著しくなる。
損失が増大し、また電圧定在波比（以下ＶＳＷＲとい
う。）も悪化する。このＶＳＷＲの悪化は、特にミリ波
帯以上の高い周波数になると著しくなる。
【０００７】したがってマイクロストリップ線路モード
から導波管モードへの変換は、同軸モードを介さずに直
接変換することが望ましい。
から導波管モードへの変換は、同軸モードを介さずに直
接変換することが望ましい。
【０００８】なお導波管からマイクロストリップ線路に
直接モード変換する方法としては、（１）フインライン
形、（２）電界（Ｅ面）プローブ形、（３）リッジ導波
管形、などが提案されている。
直接モード変換する方法としては、（１）フインライン
形、（２）電界（Ｅ面）プローブ形、（３）リッジ導波
管形、などが提案されている。
【０００９】これらの方法を、システム構成の上から見
るとそれぞれ一長一短がある。
るとそれぞれ一長一短がある。
【００１０】しかし直線的なレイアウトができること、
特性の調整作業の容易さなどを考えると、リッジ導波管
形が有利である。
特性の調整作業の容易さなどを考えると、リッジ導波管
形が有利である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図３は、従来のリッジ
導波管形の導波管−マイクロストリップ線路変換器の一
例を示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は導波管の中心
軸における断面図である。 １１はリッジ導波管で、そ
の中央に階段状にリッジ２１、２２、２３が伸びてい
る。リッジ導波管１１の特性インピーダンスは、リッジ
の長さｄと幅ｓが関係する。なおリッジ導波管１１をマ
イクロストリップ線路に接続する場合、両線路間でイン
ピーダンス整合を取る必要があり、通常、導波管１１の
インピーダンスをマイクロストリップ線路４の一般的な
特性インピーダンス、５０オームに合わせている。
導波管形の導波管−マイクロストリップ線路変換器の一
例を示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は導波管の中心
軸における断面図である。 １１はリッジ導波管で、そ
の中央に階段状にリッジ２１、２２、２３が伸びてい
る。リッジ導波管１１の特性インピーダンスは、リッジ
の長さｄと幅ｓが関係する。なおリッジ導波管１１をマ
イクロストリップ線路に接続する場合、両線路間でイン
ピーダンス整合を取る必要があり、通常、導波管１１の
インピーダンスをマイクロストリップ線路４の一般的な
特性インピーダンス、５０オームに合わせている。
【００１２】文献によれば、導波管のリッジ部分、例え
ばリッジ２１部分の特性インピーダンスを５０オームに
する場合、その特性インピーダンスは長さｄと幅ｓから
計算で求められる。
ばリッジ２１部分の特性インピーダンスを５０オームに
する場合、その特性インピーダンスは長さｄと幅ｓから
計算で求められる。
【００１３】例えばリッジ２１の長さｄが決まると、標
準導波管の高さＨが既に決まっており、またリッジ２１
とマイクロストリップ線路の線路導体４とを接続すると
いう構造上の面から、マイクロストリップ線路４側の誘
電体３の厚さｔが決まる。誘電体３の厚さｔが決まる
と、誘電体３の比誘電率εｒは既知であるから、特性イ
ンピーダンスが５０オームとなる線路幅Ｗは、非常に精
度の良い近似式で求められる。
準導波管の高さＨが既に決まっており、またリッジ２１
とマイクロストリップ線路の線路導体４とを接続すると
いう構造上の面から、マイクロストリップ線路４側の誘
電体３の厚さｔが決まる。誘電体３の厚さｔが決まる
と、誘電体３の比誘電率εｒは既知であるから、特性イ
ンピーダンスが５０オームとなる線路幅Ｗは、非常に精
度の良い近似式で求められる。
【００１４】なおリッジ２１の端面とマイクロストリッ
プ線路４の端は金属箔５で接続される。
プ線路４の端は金属箔５で接続される。
【００１５】上記の方法でマイクロストリップ線路４の
幅Ｗを求めると、この幅Ｗはリッジの幅ｓと一致せず、
一般にｓ＞Ｗとなる。
幅Ｗを求めると、この幅Ｗはリッジの幅ｓと一致せず、
一般にｓ＞Ｗとなる。
【００１６】これはリッジ２１と導波管１１の底面１２
との間の空気を誘電体とし、線路幅がｄのマイクロスト
リップ線路４の特性インピーダンスがほぼ５０オームと
なるためで、その部分の媒体が、空気であるか誘電体で
あるかの差によるものである。
との間の空気を誘電体とし、線路幅がｄのマイクロスト
リップ線路４の特性インピーダンスがほぼ５０オームと
なるためで、その部分の媒体が、空気であるか誘電体で
あるかの差によるものである。
【００１７】したがってリッジ２１（幅ｓ）とマイクロ
ストリップ線路（幅Ｗ）の接続部において幅の不連続部
が生じる。これはマイクロ波回路的にサセプタンスが付
加されたことを意味する。
ストリップ線路（幅Ｗ）の接続部において幅の不連続部
が生じる。これはマイクロ波回路的にサセプタンスが付
加されたことを意味する。
【００１８】サセプタンスが付加されると、導波管−マ
イクロストリップ線路変換器としてのＶＳＷＲ特性が劣
化し、また動作周波数帯域が狭くなる。
イクロストリップ線路変換器としてのＶＳＷＲ特性が劣
化し、また動作周波数帯域が狭くなる。
【００１９】このような設計上の問題に対して、図４に
示されるようにいくつかの対策が考えられている。なお
図４においては図３と同一部分には同一番号を付して詳
細な説明は省略する。
示されるようにいくつかの対策が考えられている。なお
図４においては図３と同一部分には同一番号を付して詳
細な説明は省略する。
【００２０】一つの対策が図４（ａ）に示された構成で
ある。
ある。
【００２１】リッジ２１の角２１ａ、２１ｂを一部削除
して、削除後のリッジの幅ｓ´がマイクロストリップ線
路４の幅Ｗと等しくなるようにして、付加サセプタンス
を軽減する例である。しかし角を削除したことによって
リッジ２１端部の特性インピーダンスの上昇は免れず、
特性インピーダンスの一部上昇による影響のため、モー
ドの変換特性はそれ程改善されない。
して、削除後のリッジの幅ｓ´がマイクロストリップ線
路４の幅Ｗと等しくなるようにして、付加サセプタンス
を軽減する例である。しかし角を削除したことによって
リッジ２１端部の特性インピーダンスの上昇は免れず、
特性インピーダンスの一部上昇による影響のため、モー
ドの変換特性はそれ程改善されない。
【００２２】もう一つの対策が図４（ｂ）に示された構
成である。
成である。
【００２３】付加サセプタンスを逆付加サセプタンス成
分６で打ち消そうとしたものである。この構成では、逆
付加サセプタンス成分６が周波数特性を持つため帯域性
が失われるという欠点がある。
分６で打ち消そうとしたものである。この構成では、逆
付加サセプタンス成分６が周波数特性を持つため帯域性
が失われるという欠点がある。
【００２４】本発明は、上記した欠点を解決し、リッジ
の幅とマイクロストリップ線路の幅の設計上の問題から
起因するＶＳＷＲ特性や帯域特性の悪化を防止し得る導
波管−マイクロストリップ線路変換器を提供することを
目的とする。
の幅とマイクロストリップ線路の幅の設計上の問題から
起因するＶＳＷＲ特性や帯域特性の悪化を防止し得る導
波管−マイクロストリップ線路変換器を提供することを
目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明は、リッジ導波管
のリッジ先端部と誘電体基板上に形成されるマイクロス
トリップ線路導体とを接続する導波管ーマイクロストリ
ップ線路変換器において、前記リッジ先端部に近いマイ
クロストリップ線路導体の下方に、前記リッジ先端部か
ら離れた部分のマイクロストリップ線路導体の下方にあ
る誘電体と誘電率の異なる誘電体の層または空気層を設
けている。
のリッジ先端部と誘電体基板上に形成されるマイクロス
トリップ線路導体とを接続する導波管ーマイクロストリ
ップ線路変換器において、前記リッジ先端部に近いマイ
クロストリップ線路導体の下方に、前記リッジ先端部か
ら離れた部分のマイクロストリップ線路導体の下方にあ
る誘電体と誘電率の異なる誘電体の層または空気層を設
けている。
【００２６】
【作用】リッジ導波管のリッジ先端部と誘電体基板上に
形成されるマイクロストリップ線路導体とを接続する場
合に、リッジ先端部に近いマイクロストリップ線路導体
の下方に、前記リッジ先端部から離れた部分のマイクロ
ストリップ線路導体の下方にある誘電体と誘電率の異な
る誘電体の層または空気層を設けているので、リッジの
幅とマイクロストリップ線路の幅との不連続な接続を防
止できる。
形成されるマイクロストリップ線路導体とを接続する場
合に、リッジ先端部に近いマイクロストリップ線路導体
の下方に、前記リッジ先端部から離れた部分のマイクロ
ストリップ線路導体の下方にある誘電体と誘電率の異な
る誘電体の層または空気層を設けているので、リッジの
幅とマイクロストリップ線路の幅との不連続な接続を防
止できる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１を参照して説
明する。
明する。
【００２８】図１（ａ）は本発明の導波管−マイクロス
トリップ線路変換器の一実施例を示す平面図、図１
（ｂ）はその断面図である。なお図１では図３および図
４と同一部分には同一番号を付し詳細な説明は省略す
る。
トリップ線路変換器の一実施例を示す平面図、図１
（ｂ）はその断面図である。なお図１では図３および図
４と同一部分には同一番号を付し詳細な説明は省略す
る。
【００２９】導波管のリッジ部２１、２２、２３は従来
例と同じ構造であるが、マイクロストリップ線路との境
界の構造が異なっている。
例と同じ構造であるが、マイクロストリップ線路との境
界の構造が異なっている。
【００３０】図１（ａ）、（ｂ）に示すようにマイクロ
ストリップ線路４とリッジ２１との接続部分で誘電体３
の下側の一部を、例えば斜めに切り欠き、図１（ｂ）に
示すように、誘電体３の切り欠き部８を形成し、切り欠
いた部分を空気層７にしている。
ストリップ線路４とリッジ２１との接続部分で誘電体３
の下側の一部を、例えば斜めに切り欠き、図１（ｂ）に
示すように、誘電体３の切り欠き部８を形成し、切り欠
いた部分を空気層７にしている。
【００３１】またマイクロストリップ線路４の幅Ｗは、
リッジ２１に向かって切り欠き部８の部分で徐々に広く
し、リッジ２１との接続部でリッジ２１の幅ｓと同じに
なるようにしている。
リッジ２１に向かって切り欠き部８の部分で徐々に広く
し、リッジ２１との接続部でリッジ２１の幅ｓと同じに
なるようにしている。
【００３２】なお切り欠き部８の部分のマイクロストリ
ップ線路４の線路幅Ｗ´は、その部分における誘電体３
の厚さｔ´を考慮し、特性インピーダンスが５０オーム
になるように選ばれる。この関係は、切り欠き部８の全
域について同じになっている。
ップ線路４の線路幅Ｗ´は、その部分における誘電体３
の厚さｔ´を考慮し、特性インピーダンスが５０オーム
になるように選ばれる。この関係は、切り欠き部８の全
域について同じになっている。
【００３３】即ち、特性インピーダンスが５０オームと
いう条件から、切り欠き部８における誘電体３の厚さｔ
´が決まれば、その部分のマイクロストリップ線路の幅
Ｗ´が決まる。
いう条件から、切り欠き部８における誘電体３の厚さｔ
´が決まれば、その部分のマイクロストリップ線路の幅
Ｗ´が決まる。
【００３４】上記の構成によれば、リッジ２１部から境
界部１０を経て、マイクロストリップ線路４の端まで、
線路幅が急激に変わる不連続な部分がなく、また特性イ
ンピーダンスも連続的に５０オームを保つことができ
る。
界部１０を経て、マイクロストリップ線路４の端まで、
線路幅が急激に変わる不連続な部分がなく、また特性イ
ンピーダンスも連続的に５０オームを保つことができ
る。
【００３５】なお切り欠き部８の斜めに切り欠かれた部
分の誘電体の表面７は導体膜などは施されていない。
分の誘電体の表面７は導体膜などは施されていない。
【００３６】したがって切り欠き８部における等価比誘
電率εｒ´は、空気の比誘電率をεａとすると、 εｒ´＝εｒ・εａ／（εｒ＋εａ） となる。この等価比誘電率εｒ´によって、切り欠き部
８のマイクロストリップ線路幅の幅Ｗ´が計算される。
電率εｒ´は、空気の比誘電率をεａとすると、 εｒ´＝εｒ・εａ／（εｒ＋εａ） となる。この等価比誘電率εｒ´によって、切り欠き部
８のマイクロストリップ線路幅の幅Ｗ´が計算される。
【００３７】上記した導波管−マイクロストリップ線路
変換器によれば、リッジ２１とマイクロストリップ線路
４との境界部の誘電体を一部切り欠くことによって、リ
ッジの幅とマイクロストリップ線路の幅とを滑らかに連
続的に変化でき、しかも特性インピーダンスを変えるこ
となく、導波管からマイクロストリップ線路に変換でき
る。
変換器によれば、リッジ２１とマイクロストリップ線路
４との境界部の誘電体を一部切り欠くことによって、リ
ッジの幅とマイクロストリップ線路の幅とを滑らかに連
続的に変化でき、しかも特性インピーダンスを変えるこ
となく、導波管からマイクロストリップ線路に変換でき
る。
【００３８】図２（ａ），（ｂ）は本発明の他の実施例
を示すもので、図１と同一部分には同一番号を付し詳細
な説明は省略する。
を示すもので、図１と同一部分には同一番号を付し詳細
な説明は省略する。
【００３９】図２（ａ）はリッジ９１の形状を曲線にし
た例で、図２（ｂ）はリッジ９２の形状をテーパにした
例である。この場合も同様な効果がある。
た例で、図２（ｂ）はリッジ９２の形状をテーパにした
例である。この場合も同様な効果がある。
【００４０】また切り欠き部８の形状も直線に限らず曲
線でもよい。
線でもよい。
【００４１】本実施例では、リッジとマイクロストリッ
プ線路導体との接続部分の誘電体を切り欠い部分に、低
誘電率の空気を残している。しかし切り欠いた部分に、
リッジ先端部から離れた部分の誘電体より低い誘電率の
他の誘電体を充填しても同等の効果を得ることができ
る。
プ線路導体との接続部分の誘電体を切り欠い部分に、低
誘電率の空気を残している。しかし切り欠いた部分に、
リッジ先端部から離れた部分の誘電体より低い誘電率の
他の誘電体を充填しても同等の効果を得ることができ
る。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、リッジの幅とマイクロ
ストリップ線路の幅とが不連続に接続することを防止で
き、ＶＳＷＲや広帯域化を改善した導波管−マイクロス
トリップ線路変換器が実現できる。
ストリップ線路の幅とが不連続に接続することを防止で
き、ＶＳＷＲや広帯域化を改善した導波管−マイクロス
トリップ線路変換器が実現できる。
【図１】本発明の一実施例を示す平面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図３】従来の例を説明する図である。
【図４】他の従来の例を説明する図である。
３…誘電体 ４…マイクロストリップ線路 ５…金属箔 ７…空気層または低誘電率の誘電体 ８…切り欠き部 １０…境界部 １１…リッジ導波管 １２…導波管１１の底面 ２１、２２、２３…リッジ
Claims (1)
- 【請求項１】 リッジ導波管のリッジ先端部と誘電体基
板上に形成されるマイクロストリップ線路導体とを接続
する導波管ーマイクロストリップ線路変換器において、
前記リッジ先端部に近いマイクロストリップ線路導体の
下方に、前記リッジ先端部から離れた部分のマイクロス
トリップ線路導体の下方にある誘電体と誘電率の異なる
誘電体の層または空気層を設けた導波管ーマイクロスト
リップ線路変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7479492A JPH05283915A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7479492A JPH05283915A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283915A true JPH05283915A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13557569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7479492A Pending JPH05283915A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283915A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6335664B1 (en) | 1998-04-28 | 2002-01-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Branch circuit and its designing method, waveguide-microstrip transition, and application to HF circuit, antenna and communication system |
| WO2004030142A1 (de) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Eads Deutschland Gmbh | Übergang zwischen einer mikrostreifenleitung und einem hohlleiter |
| CN110233320A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-09-13 | 零八一电子集团有限公司 | 侧馈式悬置带线波导转换结构 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP7479492A patent/JPH05283915A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6335664B1 (en) | 1998-04-28 | 2002-01-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Branch circuit and its designing method, waveguide-microstrip transition, and application to HF circuit, antenna and communication system |
| US6592021B2 (en) | 1998-04-28 | 2003-07-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Circuit board bonding method, branch circuit and its designing method, waveguide-microstrip transition, and application to HF circuit, antenna and communication system |
| WO2004030142A1 (de) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Eads Deutschland Gmbh | Übergang zwischen einer mikrostreifenleitung und einem hohlleiter |
| US7336141B2 (en) | 2002-09-20 | 2008-02-26 | Eads Deutschland Gmbh | Junction with stepped structures between a microstrip line and a waveguide |
| CN100391045C (zh) * | 2002-09-20 | 2008-05-28 | 伊兹德国有限公司 | 微波传输带与波导管间的过渡装置 |
| AU2003257396B2 (en) * | 2002-09-20 | 2008-09-25 | Eads Deutschland Gmbh | Junction between a microstrip line and a waveguide |
| KR100958790B1 (ko) * | 2002-09-20 | 2010-05-18 | 이에이디에스 도이치란트 게엠베하 | 마이크로스트립라인과 도파관 사이의 접합부를 위한 장치 |
| CN110233320A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-09-13 | 零八一电子集团有限公司 | 侧馈式悬置带线波导转换结构 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1321998B1 (en) | Waveguide-microstrip transition for millimeter waves and Microwaves | |
| USH956H (en) | Waveguide fed spiral antenna | |
| US2825876A (en) | Radio frequency transducers | |
| US4679249A (en) | Waveguide-to-microstrip line coupling arrangement and a frequency converter having the coupling arrangement | |
| US6362706B1 (en) | Cavity resonator for reducing phase noise of voltage controlled oscillator | |
| US6396363B1 (en) | Planar transmission line to waveguide transition for a microwave signal | |
| JPH11284430A (ja) | マイクロストリップ技術により作製される短絡型アンテナおよび該アンテナを含む装置 | |
| US10559885B2 (en) | Double-ridged waveguide horn antenna | |
| US4673897A (en) | Waveguide/microstrip mode transducer | |
| US5119048A (en) | Pseudo tapered lines using modified ground planes | |
| JPH05218711A (ja) | 広帯域マイクロストリップからストリップラインへの転移部 | |
| US6570464B1 (en) | High frequency apparatus | |
| JP3169972B2 (ja) | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 | |
| JPH05283915A (ja) | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 | |
| JP2003174305A (ja) | 伝送線路および送受信装置 | |
| JPS6313564B2 (ja) | ||
| Krishnan et al. | A review on substrate integrated waveguide transitions | |
| JPH11239006A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JP3606517B2 (ja) | ハイブリッド回路 | |
| JPH05335816A (ja) | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 | |
| JPH05235613A (ja) | 同軸−マイクロストリップ変換コネクター構造 | |
| JPS5943003B2 (ja) | リツジ導波管マイクロストリツプライン変換器 | |
| JP3501929B2 (ja) | 導波管−マイクロストリップライン変換器 | |
| JPS6118623Y2 (ja) | ||
| JPS6117601Y2 (ja) |