JPH05279859A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH05279859A JPH05279859A JP4079803A JP7980392A JPH05279859A JP H05279859 A JPH05279859 A JP H05279859A JP 4079803 A JP4079803 A JP 4079803A JP 7980392 A JP7980392 A JP 7980392A JP H05279859 A JPH05279859 A JP H05279859A
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- insulating material
- plasma processing
- processing apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 減圧可能な真空容器と、該真空容器内に配さ
れ該真空容器とは絶縁された電極と、前記電極と前記真
空容器との間に放電が生じないよう前記電極の近傍に配
されたアースシールドと、を有し、前記電極と前記アー
スシールドとの間に絶縁材料を配したことを特徴とする
プラズマ処理装置。 【効果】 電極（カソード）とアースシールド間での高
周波電力の損失を減少することができる。ショート発生
を防止でき信頼性を向上することができる。
れ該真空容器とは絶縁された電極と、前記電極と前記真
空容器との間に放電が生じないよう前記電極の近傍に配
されたアースシールドと、を有し、前記電極と前記アー
スシールドとの間に絶縁材料を配したことを特徴とする
プラズマ処理装置。 【効果】 電極（カソード）とアースシールド間での高
周波電力の損失を減少することができる。ショート発生
を防止でき信頼性を向上することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体デバイ
ス、電子写真用感光体デバイス、画像入力用ラインセン
サー、撮像デバイス、あるいは光起電力デバイス等の製
造に用いられるスパッタ、プラズマＣＶＤ、ドライエッ
チング等、プラズマを用いて処理を行うプラズマ処理装
置に関するものである。
ス、電子写真用感光体デバイス、画像入力用ラインセン
サー、撮像デバイス、あるいは光起電力デバイス等の製
造に用いられるスパッタ、プラズマＣＶＤ、ドライエッ
チング等、プラズマを用いて処理を行うプラズマ処理装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイス等の製造プロセス
においては、ＣＶＤ装置、スパッタ装置、ＲＩＥ装置等
プラズマを用いた処理装置が工業的に実用化されてい
る。特に１３．５６ＭＨｚの高周波を用いたプラズマ処
理装置は基板材料、堆積膜材料等が導電体、絶縁体に関
わらず処理できるので広く用いられている。
においては、ＣＶＤ装置、スパッタ装置、ＲＩＥ装置等
プラズマを用いた処理装置が工業的に実用化されてい
る。特に１３．５６ＭＨｚの高周波を用いたプラズマ処
理装置は基板材料、堆積膜材料等が導電体、絶縁体に関
わらず処理できるので広く用いられている。
【０００３】従来のプラズマ処理装置、例えばアモルフ
ァスシリコン膜、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜などの成膜に
用いられているプラズマＣＶＤ装置について図４を参照
しながら説明する。図４の装置では、真空容器１に絶縁
性の電極（カソード）支持台２を介して電極（カソー
ド）３が配置されている。カソード３の回りには、カソ
ード３の側部と真空容器１との間で放電が発生しないよ
うにアースシールド４が配置されている。カソード３と
アースシールド４との間隔は、カソード３とアースシー
ルド間に放電が発生しないようにするためにプラズマの
暗部（ダークスペース）の厚さよりも小さくする必要が
ある。プラズマの暗部の厚さは放電条件によって変化す
るが、カソード３とアースシールド４との間隔は１ｍｍ
〜３ｍｍ程度とするのが一般的である。
ァスシリコン膜、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜などの成膜に
用いられているプラズマＣＶＤ装置について図４を参照
しながら説明する。図４の装置では、真空容器１に絶縁
性の電極（カソード）支持台２を介して電極（カソー
ド）３が配置されている。カソード３の回りには、カソ
ード３の側部と真空容器１との間で放電が発生しないよ
うにアースシールド４が配置されている。カソード３と
アースシールド４との間隔は、カソード３とアースシー
ルド間に放電が発生しないようにするためにプラズマの
暗部（ダークスペース）の厚さよりも小さくする必要が
ある。プラズマの暗部の厚さは放電条件によって変化す
るが、カソード３とアースシールド４との間隔は１ｍｍ
〜３ｍｍ程度とするのが一般的である。
【０００４】カソード３には整合回路９を介して発振周
波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電源１０が接続されて
いる。
波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電源１０が接続されて
いる。
【０００５】基体ホルダ５には被膜を形成するための基
体６が配され、基体６は、基体温度制御手段（図示せ
ず）により所定の温度に保たれる。この装置を使用した
場合の成膜は以下のように行われる。真空容器１を真空
排気手段７によって高真空まで排気した後、ガス供給手
段８によってシランなどの原料ガスを真空容器１内に導
入し、数十ミリトールから数トールの圧力に維持する。
高周波電源１０より高周波電力をカソード３に供給して
カソード３と基体ホルダ５との間にプラズマを発生させ
る。こうすることにより、原料ガスが分解され基体６上
に薄膜が形成される。
体６が配され、基体６は、基体温度制御手段（図示せ
ず）により所定の温度に保たれる。この装置を使用した
場合の成膜は以下のように行われる。真空容器１を真空
排気手段７によって高真空まで排気した後、ガス供給手
段８によってシランなどの原料ガスを真空容器１内に導
入し、数十ミリトールから数トールの圧力に維持する。
高周波電源１０より高周波電力をカソード３に供給して
カソード３と基体ホルダ５との間にプラズマを発生させ
る。こうすることにより、原料ガスが分解され基体６上
に薄膜が形成される。
【０００６】上記した従来例では、高周波電源の発振周
波数は１３．５６ＭＨｚであるが、近年、１３．５６Ｍ
Ｈｚ以上の高周波電源を用いたプラズマＣＶＤ法の報告
（Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄ Ｐｌａｓ
ｍａ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ， Ｖｏｌ ７， Ｎｏ
３， ｐ２６７（１９８７））やバイアススパッタ法の
報告（Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｖｏｌ ６６
ｐｐ４７５６（１９８９））があり、注目されている。
波数は１３．５６ＭＨｚであるが、近年、１３．５６Ｍ
Ｈｚ以上の高周波電源を用いたプラズマＣＶＤ法の報告
（Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄ Ｐｌａｓ
ｍａ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ， Ｖｏｌ ７， Ｎｏ
３， ｐ２６７（１９８７））やバイアススパッタ法の
報告（Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｖｏｌ ６６
ｐｐ４７５６（１９８９））があり、注目されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の装置構成では、以下の問題が存在する。
従来の装置構成では、以下の問題が存在する。
【０００８】上述したように電極（カソード）３とアー
スシールド４との間隔は、カソード３とアースシールド
４間の放電を防止する必要性から３ｍｍ程度以下と非常
に小さい。そのためにカソード３とアースシールド４間
の静電容量は大きくなり、インピーダンスは静電容量に
反比例するのでこれらのインピーダンスは小さくなる。
そうすると、カソード３とアースシールド４間には大き
い高周波電流が流れ、高周波電力の損失が生じ、生産性
が悪化するという問題がある。また放電周波数を大きく
すると、プラズマの暗部の厚さは小さくなるのでカソー
ド３とアースシールド４の間隔をさらに小さくする必要
がある。またインピーダンスは放電周波数に反比例する
ので、カソード３とアースシールド４間のインピーダン
スはさらに小さくなる。その結果、高周波電力の損失が
大きくなるので、生産性を損なわずに放電周波数を大き
くすることは困難である。
スシールド４との間隔は、カソード３とアースシールド
４間の放電を防止する必要性から３ｍｍ程度以下と非常
に小さい。そのためにカソード３とアースシールド４間
の静電容量は大きくなり、インピーダンスは静電容量に
反比例するのでこれらのインピーダンスは小さくなる。
そうすると、カソード３とアースシールド４間には大き
い高周波電流が流れ、高周波電力の損失が生じ、生産性
が悪化するという問題がある。また放電周波数を大きく
すると、プラズマの暗部の厚さは小さくなるのでカソー
ド３とアースシールド４の間隔をさらに小さくする必要
がある。またインピーダンスは放電周波数に反比例する
ので、カソード３とアースシールド４間のインピーダン
スはさらに小さくなる。その結果、高周波電力の損失が
大きくなるので、生産性を損なわずに放電周波数を大き
くすることは困難である。
【０００９】またカソードとアースシールドの間隔は非
常に狭いので、剥離した膜等の異物の侵入等によりカソ
ード３とアースシールド４はショートし易く信頼性に欠
けるという問題がある。
常に狭いので、剥離した膜等の異物の侵入等によりカソ
ード３とアースシールド４はショートし易く信頼性に欠
けるという問題がある。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、上述
した問題点を解決すべく本発明者らが鋭意を研究を重ね
て完成に至ったものである。
した問題点を解決すべく本発明者らが鋭意を研究を重ね
て完成に至ったものである。
【００１１】本発明の好ましい態様は次のとおりのもの
である。
である。
【００１２】即ち、減圧可能な真空容器と、該真空容器
内に配され該真空容器とは絶縁された電極と、該電極に
対向して配された被処理基体を支持する支持台と、前記
電極と前記真空容器との間に放電が生じないよう前記電
極の近傍に配されたアースシールドと、前記真空容器内
にプラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段と、を
有し、前記電極に電力を供給して該電極と前記支持台と
の間にプラズマを発生させ、該プラズマにより前記被処
理基体にプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置におい
て、前記電極と前記アースシールドとの間に絶縁材料を
配したことを特徴とするものである。
内に配され該真空容器とは絶縁された電極と、該電極に
対向して配された被処理基体を支持する支持台と、前記
電極と前記真空容器との間に放電が生じないよう前記電
極の近傍に配されたアースシールドと、前記真空容器内
にプラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段と、を
有し、前記電極に電力を供給して該電極と前記支持台と
の間にプラズマを発生させ、該プラズマにより前記被処
理基体にプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置におい
て、前記電極と前記アースシールドとの間に絶縁材料を
配したことを特徴とするものである。
【００１３】本発明によれば、電極（カソード）とアー
スシールド間の放電発生を防止しつつ電極（カソード）
とアースシールド間の間隔を大きくすることができるの
で、電極（カソード）とアースシールド間での高周波電
力の損失を減少することができる。その結果、生産性を
改善することができ、また生産性を損なわずに放電周波
数を大きくすることができる。また電極（カソード）と
アースシールド間の間隔は大きくでき且つ絶縁材料が配
置されているのでショートの原因となる異物は侵入しに
くくなるのでショート発生を防止でき信頼性を向上する
ことができる。
スシールド間の放電発生を防止しつつ電極（カソード）
とアースシールド間の間隔を大きくすることができるの
で、電極（カソード）とアースシールド間での高周波電
力の損失を減少することができる。その結果、生産性を
改善することができ、また生産性を損なわずに放電周波
数を大きくすることができる。また電極（カソード）と
アースシールド間の間隔は大きくでき且つ絶縁材料が配
置されているのでショートの原因となる異物は侵入しに
くくなるのでショート発生を防止でき信頼性を向上する
ことができる。
【００１４】
【実施例】図１は本発明のプラズマ処理装置をプラズマ
ＣＶＤ装置に適用した１例を示す模式図である。同図に
おいては、従来の装置を示した図４と同一の符号は図４
の装置と同じ構成を示すので説明を省略するが、本例で
は、従来の装置と異なって、電極（カソード）３とアー
スシールド４との間に固体の絶縁材料１１が配置されて
いる。
ＣＶＤ装置に適用した１例を示す模式図である。同図に
おいては、従来の装置を示した図４と同一の符号は図４
の装置と同じ構成を示すので説明を省略するが、本例で
は、従来の装置と異なって、電極（カソード）３とアー
スシールド４との間に固体の絶縁材料１１が配置されて
いる。
【００１５】本例では、従来の装置と同様に、電極（カ
ソード）３と基板ホルダ５との間にプラズマを発生さ
せ、原料ガスを分解して基板６に薄膜を堆積するが、高
周波電力が供給される電極（カソード）３とアースシー
ルド４との間隔は、絶縁材料１１が配置されているの
で、電極（カソード）３とアースシールド４間での放電
発生を防止しつつ従来よりも大きな距離とすることがで
きる。
ソード）３と基板ホルダ５との間にプラズマを発生さ
せ、原料ガスを分解して基板６に薄膜を堆積するが、高
周波電力が供給される電極（カソード）３とアースシー
ルド４との間隔は、絶縁材料１１が配置されているの
で、電極（カソード）３とアースシールド４間での放電
発生を防止しつつ従来よりも大きな距離とすることがで
きる。
【００１６】即ち電極（カソード）とアースシールド４
との間にほぼ隙間なく絶縁材料１１を配置すれば放電空
間がなくなるので、電極（カソード）３とアースシール
ド４との間隔がプラズマの暗部の厚さよりも大きくて
も、即ち間隔が従来よりも大きくても放電発生を防止す
ることができる。そして絶縁材料１１の誘電率も考慮し
て絶縁材料１１の厚さを選べば、電極（カソード）３と
アースシールド４間の静電容量は従来よりも小さくする
ことが可能であり、高周波電力の損失を減少できる。そ
して当然のことながら、電極（カソード）３とアースシ
ールド４間へのショート発生の原因となる異物の侵入も
ほぼ完全に防止できる。
との間にほぼ隙間なく絶縁材料１１を配置すれば放電空
間がなくなるので、電極（カソード）３とアースシール
ド４との間隔がプラズマの暗部の厚さよりも大きくて
も、即ち間隔が従来よりも大きくても放電発生を防止す
ることができる。そして絶縁材料１１の誘電率も考慮し
て絶縁材料１１の厚さを選べば、電極（カソード）３と
アースシールド４間の静電容量は従来よりも小さくする
ことが可能であり、高周波電力の損失を減少できる。そ
して当然のことながら、電極（カソード）３とアースシ
ールド４間へのショート発生の原因となる異物の侵入も
ほぼ完全に防止できる。
【００１７】また絶縁材料１１と電極（カソード）３及
びアースシールド４との間に隙間があっても本発明にお
いて支障はない。但し電極（カソード）３とアースシー
ルド４間の放電発生防止のためには、絶縁材料１１と電
極（カソード）３とアースシールド４との間隔は、プラ
ズマの暗部の厚さ以下、即ち３ｍｍ程度以下である必要
がある。絶縁材料１１と電極（カソード）３及びアース
シールド４との間隔を従来の電極（カソード）３とアー
スシールドとの間隔にすれば容易に電極（カソード）３
とアースシールド４との間隔を従来の倍以上にでき、静
電容量を半分以下に減少できる。また３ｍｍ程度以下の
隙間を設けることにより、隙間なく絶縁材料を配置する
場合よりも静電容量を小さくできる。また異物が隙間に
侵入しても電極（カソード）３とアースシールド４は絶
縁材料１１で絶縁されているのでショート発生の心配は
ない。
びアースシールド４との間に隙間があっても本発明にお
いて支障はない。但し電極（カソード）３とアースシー
ルド４間の放電発生防止のためには、絶縁材料１１と電
極（カソード）３とアースシールド４との間隔は、プラ
ズマの暗部の厚さ以下、即ち３ｍｍ程度以下である必要
がある。絶縁材料１１と電極（カソード）３及びアース
シールド４との間隔を従来の電極（カソード）３とアー
スシールドとの間隔にすれば容易に電極（カソード）３
とアースシールド４との間隔を従来の倍以上にでき、静
電容量を半分以下に減少できる。また３ｍｍ程度以下の
隙間を設けることにより、隙間なく絶縁材料を配置する
場合よりも静電容量を小さくできる。また異物が隙間に
侵入しても電極（カソード）３とアースシールド４は絶
縁材料１１で絶縁されているのでショート発生の心配は
ない。
【００１８】絶縁材料は図２に示すように複数個配置し
ても良い。但しこの場合も放電発生防止のために、電極
（カソード）と絶縁材料、アースシールドと絶縁材料、
及び絶縁材料間の間隔は３ｍｍ程度以下にする必要があ
る。薄い絶縁材料を２〜３ｍｍの間隔で複数個配置する
ことによって、隙間なく絶縁材料を配置する場合よりも
誘電率の影響を大幅に減少することができ静電容量も効
率よく小さくできる。
ても良い。但しこの場合も放電発生防止のために、電極
（カソード）と絶縁材料、アースシールドと絶縁材料、
及び絶縁材料間の間隔は３ｍｍ程度以下にする必要があ
る。薄い絶縁材料を２〜３ｍｍの間隔で複数個配置する
ことによって、隙間なく絶縁材料を配置する場合よりも
誘電率の影響を大幅に減少することができ静電容量も効
率よく小さくできる。
【００１９】絶縁材料は誘電損の小さい材料が好まし
く、誘電正接の小さい物がよい。アースシールドの材質
はステンレス鋼が一般的であり、ステンレス鋼の平板コ
ンデンサの誘電正接は０．０３程度であるので、絶縁材
料の誘電正接は０．０１以下であれば誘電損の影響はそ
れほど大きくないが、より好ましくは０．０１以下がよ
い。高分子絶縁材料ではポリ四フッ化エチレン、ポリ三
フッ化塩化エチレン、ポリフッ化エチレンプロピレン、
ポリイミドが好ましく、ガラス材料では石英、石英ガラ
ス、ホウケイ酸ガラスが好ましく、磁器材料では窒化ホ
ウ素、窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニ
ウム・酸化マグネシウム・酸化珪素の元素酸化物の中の
単数または複数の元素酸化物を主成分とする磁器が好ま
しい。
く、誘電正接の小さい物がよい。アースシールドの材質
はステンレス鋼が一般的であり、ステンレス鋼の平板コ
ンデンサの誘電正接は０．０３程度であるので、絶縁材
料の誘電正接は０．０１以下であれば誘電損の影響はそ
れほど大きくないが、より好ましくは０．０１以下がよ
い。高分子絶縁材料ではポリ四フッ化エチレン、ポリ三
フッ化塩化エチレン、ポリフッ化エチレンプロピレン、
ポリイミドが好ましく、ガラス材料では石英、石英ガラ
ス、ホウケイ酸ガラスが好ましく、磁器材料では窒化ホ
ウ素、窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニ
ウム・酸化マグネシウム・酸化珪素の元素酸化物の中の
単数または複数の元素酸化物を主成分とする磁器が好ま
しい。
【００２０】図３は、図１の装置において絶縁材料１１
にポリ四フッ化エチレンを用いてカソード３とアースシ
ールド４間の静電容量を、絶縁材料１１を配置しない従
来の装置の静電容量の１０％程度に減少させ、高周波電
源１０の発振周波数を１３．５６ＭＨｚから２８０ＭＨ
ｚまで変化させてプラズマを生成させた場合のカソード
３と基板ホルダ５間のプラズマ密度を示すグラフであ
る。該プラズマ密度は一般的なプラズマ計測手段である
プローブ法で測定した。比較のために、絶縁材料１１を
配置しない従来の装置で放電周波数を変化させた場合の
測定結果もプロットしてある。従来の装置では放電周波
数を１３．５６ＭＨｚから大きくしていくと、４０ＭＨ
ｚ程度まではプラズマ密度に変化はないが、４０ＭＨｚ
以上になると放電周波数の増加と共にプラズマ密度は減
少する傾向があった。ところが本発明の装置では、従来
の装置に比べて全体的にプラズマ密度は大きく、本発明
により高周波電力の損失が減少していることがわかる。
また１３．５６ＭＨｚ以上に放電周波数を上げても２５
０ＭＨｚまではプラズマ密度の減少傾向はなく、２５０
ＭＨｚ以上で減少傾向があった。プラズマ密度とプラズ
マ処理速度は密接な関係にあることはよく知られてお
り、本発明により生産性を損なわずに放電周波数を１
３．５６ＭＨｚ以上に上げることが可能となった。特
に、４０ＭＨｚ〜２５０ＭＨｚの放電周波数の領域で
は、従来の装置の場合のような減少傾向はなく本発明の
効果が顕著であった。
にポリ四フッ化エチレンを用いてカソード３とアースシ
ールド４間の静電容量を、絶縁材料１１を配置しない従
来の装置の静電容量の１０％程度に減少させ、高周波電
源１０の発振周波数を１３．５６ＭＨｚから２８０ＭＨ
ｚまで変化させてプラズマを生成させた場合のカソード
３と基板ホルダ５間のプラズマ密度を示すグラフであ
る。該プラズマ密度は一般的なプラズマ計測手段である
プローブ法で測定した。比較のために、絶縁材料１１を
配置しない従来の装置で放電周波数を変化させた場合の
測定結果もプロットしてある。従来の装置では放電周波
数を１３．５６ＭＨｚから大きくしていくと、４０ＭＨ
ｚ程度まではプラズマ密度に変化はないが、４０ＭＨｚ
以上になると放電周波数の増加と共にプラズマ密度は減
少する傾向があった。ところが本発明の装置では、従来
の装置に比べて全体的にプラズマ密度は大きく、本発明
により高周波電力の損失が減少していることがわかる。
また１３．５６ＭＨｚ以上に放電周波数を上げても２５
０ＭＨｚまではプラズマ密度の減少傾向はなく、２５０
ＭＨｚ以上で減少傾向があった。プラズマ密度とプラズ
マ処理速度は密接な関係にあることはよく知られてお
り、本発明により生産性を損なわずに放電周波数を１
３．５６ＭＨｚ以上に上げることが可能となった。特
に、４０ＭＨｚ〜２５０ＭＨｚの放電周波数の領域で
は、従来の装置の場合のような減少傾向はなく本発明の
効果が顕著であった。
【００２１】ここで説明した例はプラズマＣＶＤ装置で
あったが、本発明はカソードとアースシールドを用いる
スパッタ装置やエッチング装置等のプラズマ処理装置に
も利用できることは言うまでもない。
あったが、本発明はカソードとアースシールドを用いる
スパッタ装置やエッチング装置等のプラズマ処理装置に
も利用できることは言うまでもない。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば電極（カソード）とアー
スシールド間の放電発生を防止しつつ電極（カソード）
とアースシールド間の間隔を大きくすることができるの
で、電極（カソード）とアースシールド間での高周波電
力の損失を減少することができる。その結果、生産性を
改善することができ、また生産性を損なわずに放電周波
数を大きくすることができる。また電極（カソード）と
アースシールド間の間隔は大きくでき且つ絶縁材料が配
置されているのでショートの原因となる異物は侵入しに
くくなるのでショート発生を防止でき信頼性を向上する
ことができる。
スシールド間の放電発生を防止しつつ電極（カソード）
とアースシールド間の間隔を大きくすることができるの
で、電極（カソード）とアースシールド間での高周波電
力の損失を減少することができる。その結果、生産性を
改善することができ、また生産性を損なわずに放電周波
数を大きくすることができる。また電極（カソード）と
アースシールド間の間隔は大きくでき且つ絶縁材料が配
置されているのでショートの原因となる異物は侵入しに
くくなるのでショート発生を防止でき信頼性を向上する
ことができる。
【図１】本発明のプラズマ処理装置をプラズマＣＶＤ装
置に適用した１例を示す模式図である。
置に適用した１例を示す模式図である。
【図２】本発明の装置における電極（カソード）部の１
例を示す模式図である。
例を示す模式図である。
【図３】プラズマ密度の放電周波数特性を示すグラフで
ある。
ある。
【図４】従来のプラズマ処理装置の１例を示す模式図で
ある。
ある。
１ 真空容器 ２ 電極（カソード）支持台 ３ 電極（カソード） ４ アースシールド ５ 基体ホルダ ６ 基体 ７ 真空排気手段 ８ ガス供給手段 ９ 整合回路 １０ 高周波電源 １１ 絶縁材料
Claims (7)
- 【請求項１】 減圧可能な真空容器と、該真空容器内に
配され該真空容器とは絶縁された電極と、該電極に対向
して配された被処理基体を支持する支持台と、前記電極
と前記真空容器との間に放電が生じないよう前記電極の
近傍に配されたアースシールドと、前記真空容器内にプ
ラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段と、を有
し、前記電極に電力を供給して該電極と前記支持台との
間にプラズマを発生させ、該プラズマにより前記被処理
基体にプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置におい
て、前記電極と前記アースシールドとの間に絶縁材料を
配したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記電極と前記絶縁材料及び前記アース
シールドと前記絶縁材料との間隔が３ｍｍ以下である請
求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 前記絶縁材料を複数個配置し、１つの絶
縁材料とその隣に配された絶縁材料との間隔が３ｍｍ以
下である請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 前記絶縁材料の誘電正接が０．０１以下
である請求項１乃至３記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 前記絶縁材料が、ポリ四フッ化エチレ
ン、ポリ三フッ化塩化エチレン、ポリフッ化エチレンプ
ロピレン、ポリイミド、石英、石英ガラス、ホウケイ酸
ガラス、窒化ホウ素、窒化シリコン、窒化アルミニウ
ム、酸化アルミニウム・酸化マグネシウム・酸化珪素の
元素酸化物の中の単数または複数の元素酸化物を主成分
とする磁器の中から選ばれたものである請求項４記載の
プラズマ処理装置。 - 【請求項６】 前記高周波電源の発信周波数が１３．５
６ＭＨｚ以上である請求項１乃至５記載のプラズマ処理
装置。 - 【請求項７】 前記高周波電源の発信周波数が４０ＭＨ
ｚ〜２５０ＭＨｚである請求項６記載のプラズマ処理装
置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP07980392A JP3253122B2 (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07980392A JP3253122B2 (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3253122B2 JP3253122B2 (ja) | 2002-02-04 |
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ID=13700383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07980392A Expired - Fee Related JP3253122B2 (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3253122B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0665575A1 (en) * | 1994-01-28 | 1995-08-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing systems |
| JP2012507126A (ja) * | 2008-10-29 | 2012-03-22 | ライボルト オプティクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Ｖｈｆ装置 |
-
1992
- 1992-04-01 JP JP07980392A patent/JP3253122B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0665575A1 (en) * | 1994-01-28 | 1995-08-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing systems |
| US5573596A (en) * | 1994-01-28 | 1996-11-12 | Applied Materials, Inc. | Arc suppression in a plasma processing system |
| JP2012507126A (ja) * | 2008-10-29 | 2012-03-22 | ライボルト オプティクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Ｖｈｆ装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3253122B2 (ja) | 2002-02-04 |
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