JPH05275738A - 発光ダイオードアレイチップの製造方法 - Google Patents
発光ダイオードアレイチップの製造方法Info
- Publication number
- JPH05275738A JPH05275738A JP10165392A JP10165392A JPH05275738A JP H05275738 A JPH05275738 A JP H05275738A JP 10165392 A JP10165392 A JP 10165392A JP 10165392 A JP10165392 A JP 10165392A JP H05275738 A JPH05275738 A JP H05275738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- chip
- light
- emitting diode
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 最端発光部における発光出力低下を生じない
発光ダイオードアレイを得る。 【構成】 基板10上にエピタキシャル層11を形成し
た後、絶縁膜12を設ける。絶縁膜12には、最端発光
部近傍でチップ外周に向かった張出し部28,29が形
成されている。この絶縁膜12を介してp型半導体領域
からなる複数の発光部を形成する。 【効果】 最端発光部近傍のチップ端部26,27が絶
縁膜12の張出し部28,29で覆われているため、チ
ップ外周部に形成されるp型半導体領域と最端発光部と
の間の距離を確保することができる。そのため、最端発
光部に注入された電流がチップ端部から基板に短絡する
ことがなくなり、発光出力特性の低下が防止される。
発光ダイオードアレイを得る。 【構成】 基板10上にエピタキシャル層11を形成し
た後、絶縁膜12を設ける。絶縁膜12には、最端発光
部近傍でチップ外周に向かった張出し部28,29が形
成されている。この絶縁膜12を介してp型半導体領域
からなる複数の発光部を形成する。 【効果】 最端発光部近傍のチップ端部26,27が絶
縁膜12の張出し部28,29で覆われているため、チ
ップ外周部に形成されるp型半導体領域と最端発光部と
の間の距離を確保することができる。そのため、最端発
光部に注入された電流がチップ端部から基板に短絡する
ことがなくなり、発光出力特性の低下が防止される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、LEDプロッター等に
使用される発光ダイオードアレイチップを製造する方法
に関する。
使用される発光ダイオードアレイチップを製造する方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】電子写真式のプロッターは、一定のピッ
チで複数の発光素子を基板上に形成した発光ダイオード
アレイを光源として使用している。従来の発光ダイオー
ドアレイチップは、たとえば図1に示すように、基板1
0の表面に形成したn型GaAsPのエピタキシャル層
11の上に、絶縁膜12を選択拡散マスクとして使用し
熱拡散法によってp型半導体領域を形成して発光部13
としている。個々の発光部13に電極部14が設けられ
た後、基板10がダイシングによって各チップに切断さ
れる。
チで複数の発光素子を基板上に形成した発光ダイオード
アレイを光源として使用している。従来の発光ダイオー
ドアレイチップは、たとえば図1に示すように、基板1
0の表面に形成したn型GaAsPのエピタキシャル層
11の上に、絶縁膜12を選択拡散マスクとして使用し
熱拡散法によってp型半導体領域を形成して発光部13
としている。個々の発光部13に電極部14が設けられ
た後、基板10がダイシングによって各チップに切断さ
れる。
【0003】通常の発光ダイオードアレイは、解像度2
00〜400ドット/インチの発光ダイオード64〜2
56個を一つのチップ内に集積している。最近では、印
画品質を向上させるため、更に高解像度をもった発光ダ
イオードアレイが要求されている。この点から、特に4
00ドット/インチ以上の高解像度をもった発光ダイオ
ードを高い歩留りで製造できる技術が必要とされてい
る。
00〜400ドット/インチの発光ダイオード64〜2
56個を一つのチップ内に集積している。最近では、印
画品質を向上させるため、更に高解像度をもった発光ダ
イオードアレイが要求されている。この点から、特に4
00ドット/インチ以上の高解像度をもった発光ダイオ
ードを高い歩留りで製造できる技術が必要とされてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法によって製
造した400ドット/インチ以上の高解像度をもつ発光
ダイオードでは、図2(a)に示すようにアレイ最端発
光部に著しい発光出力の低下がみられる。この点、個々
の発光部の隣接間距離が比較的大きな400ドット/イ
ンチ未満の解像度が低い発光ダイオードでは、図2
(b)に示すように、個々の発光部は、アレイ最端で低
下することがなく、何れの発光部も等しい発光出力をも
つ。
造した400ドット/インチ以上の高解像度をもつ発光
ダイオードでは、図2(a)に示すようにアレイ最端発
光部に著しい発光出力の低下がみられる。この点、個々
の発光部の隣接間距離が比較的大きな400ドット/イ
ンチ未満の解像度が低い発光ダイオードでは、図2
(b)に示すように、個々の発光部は、アレイ最端で低
下することがなく、何れの発光部も等しい発光出力をも
つ。
【0005】アレイ最端発光部の発光出力が図2(a)
に示すように低下した発光ダイオードアレイチップをプ
リンター等に使用すると、印字品質を劣化させる原因と
なる。しかし、解像度を向上させるため小さなピッチで
多数の発光部を配列させるほど、アレイ最端発光部にお
ける発光出力低下が顕著に現れる。そのため、不良品発
生率が高く、発光ダイオードアレイチップの生産コスト
を上昇させる原因となっている。
に示すように低下した発光ダイオードアレイチップをプ
リンター等に使用すると、印字品質を劣化させる原因と
なる。しかし、解像度を向上させるため小さなピッチで
多数の発光部を配列させるほど、アレイ最端発光部にお
ける発光出力低下が顕著に現れる。そのため、不良品発
生率が高く、発光ダイオードアレイチップの生産コスト
を上昇させる原因となっている。
【0006】本発明は、このような問題を解消すべく案
出されたものであり、発光ダイオードアレイ端部に位置
する発光部の発光出力低下が生じない発光ダイオードア
レイチップを高い歩留りで製造することを目的とする。
出されたものであり、発光ダイオードアレイ端部に位置
する発光部の発光出力低下が生じない発光ダイオードア
レイチップを高い歩留りで製造することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の発光ダイオード
アレイチップ製造方法は、その目的を達成するため、チ
ップ端部方向の最端発光部近傍でチップ外側に向かった
張出し部をもつ絶縁膜を化合物半導体からなるn型基板
上に形成し、次いでp型半導体領域からなる複数の発光
部を形成することを特徴とする。
アレイチップ製造方法は、その目的を達成するため、チ
ップ端部方向の最端発光部近傍でチップ外側に向かった
張出し部をもつ絶縁膜を化合物半導体からなるn型基板
上に形成し、次いでp型半導体領域からなる複数の発光
部を形成することを特徴とする。
【0008】
【作 用】従来の発光ダイオードアレイにおいて、アレ
イ端部に位置する発光部の発光出力が低下する理由は、
次のように考えられる。通常、熱拡散法,イオン注入法
等によってp型半導体領域を形成する際、図3に示すよ
うに発光部14だけでなく、チップ外周部15にもp型
半導体領域17が形成される。また、発光部13のp型
半導体領域は、深さxj に対して1〜1.5倍の距離y
j だけ横方向にも広がり、絶縁膜12の下へも侵入す
る。
イ端部に位置する発光部の発光出力が低下する理由は、
次のように考えられる。通常、熱拡散法,イオン注入法
等によってp型半導体領域を形成する際、図3に示すよ
うに発光部14だけでなく、チップ外周部15にもp型
半導体領域17が形成される。また、発光部13のp型
半導体領域は、深さxj に対して1〜1.5倍の距離y
j だけ横方向にも広がり、絶縁膜12の下へも侵入す
る。
【0009】他方、ダイシングによる発光ダイオードア
レイチップの切出しは、図4に示すように高速回転して
いるダイシングブレード18をウエハーに接触させてチ
ップ外周部15を研削することによって行われる。その
ため、ウエハーの切断面19には、結晶欠陥層20が形
成される。したがって、切り出された後のウエハーにお
いて、チップ外周部15にあるp型半導体領域17は、
結晶欠陥層20を介して基板10と電気的に短絡した状
態になる。
レイチップの切出しは、図4に示すように高速回転して
いるダイシングブレード18をウエハーに接触させてチ
ップ外周部15を研削することによって行われる。その
ため、ウエハーの切断面19には、結晶欠陥層20が形
成される。したがって、切り出された後のウエハーにお
いて、チップ外周部15にあるp型半導体領域17は、
結晶欠陥層20を介して基板10と電気的に短絡した状
態になる。
【0010】また、発光ダイオードアレイチップの短辺
方向の端部となる切断面19は、プリンター等に実装し
た状態では、図5に示すように隣接する発光ダイオード
アレイチップ21,22の継ぎ目部分23に相当する。
この継ぎ目部分23においても最端発光部24,25が
所定のピッチで配列される必要があることから、チップ
端部26,27は最端発光部24,25のごく近傍に位
置する。
方向の端部となる切断面19は、プリンター等に実装し
た状態では、図5に示すように隣接する発光ダイオード
アレイチップ21,22の継ぎ目部分23に相当する。
この継ぎ目部分23においても最端発光部24,25が
所定のピッチで配列される必要があることから、チップ
端部26,27は最端発光部24,25のごく近傍に位
置する。
【0011】最端発行部24からチップ端部26までの
距離L(図6参照)は、発光ダイオードアレイの解像
度、すなわち線密度が高くなるほど短くなる。特に40
0ドット/インチ以上の解像度をもつ発光ダイオードア
レイでは、距離Lが極めて短いため、チップ外周部15
に形成されているp型半導体領域19に最端発光部24
が接触してしまう。
距離L(図6参照)は、発光ダイオードアレイの解像
度、すなわち線密度が高くなるほど短くなる。特に40
0ドット/インチ以上の解像度をもつ発光ダイオードア
レイでは、距離Lが極めて短いため、チップ外周部15
に形成されているp型半導体領域19に最端発光部24
が接触してしまう。
【0012】このような最端発光部24,25において
は、駆動のために注入された電流が発光に寄与すること
なく、チップ外周部15に形成されているp型半導体領
域19及び結晶欠陥層20を介して基板10に至る。そ
の結果、最端発光部に限って、図2(a)に示した発光
出力の低下がみられる。
は、駆動のために注入された電流が発光に寄与すること
なく、チップ外周部15に形成されているp型半導体領
域19及び結晶欠陥層20を介して基板10に至る。そ
の結果、最端発光部に限って、図2(a)に示した発光
出力の低下がみられる。
【0013】本発明においては、図7(b)及び(c)
に示すようにチップ端部26,27に位置する最端発光
部24,25の近傍を覆う絶縁膜12に、図7(b)及
び(c)に示すようにチップ外側に向かった張出し部2
8,29を形成することにより、最端発光部24,25
近傍のチップ外周部15における前述したp型半導体領
域17の成長を抑えたものである。
に示すようにチップ端部26,27に位置する最端発光
部24,25の近傍を覆う絶縁膜12に、図7(b)及
び(c)に示すようにチップ外側に向かった張出し部2
8,29を形成することにより、最端発光部24,25
近傍のチップ外周部15における前述したp型半導体領
域17の成長を抑えたものである。
【0014】従来の絶縁膜12は、図7(a)に示すよ
うに直線状の端面を形成したものであり、前述した欠陥
を発生させる原因となる。これに対し、張出し部28,
29を設けた絶縁膜12を使用するとき、図8に示すよ
うにチップ外周部におけるp型半導体領域19が小さく
なると共に、最端発光部24,25からp型半導体領域
19までの距離Lが大きくなる。大きな距離Lにより、
ダイシングによって導入される結晶欠陥層を介して基板
10と短絡状態にあるp型半導体領域19が最端発光部
24,25に導通することが防止される。そのため、最
端発光部24,25は、他の発光部と同等なp型半導体
領域をもち、図9に示すようにアレイ端部における発光
出力の低下が生じない。
うに直線状の端面を形成したものであり、前述した欠陥
を発生させる原因となる。これに対し、張出し部28,
29を設けた絶縁膜12を使用するとき、図8に示すよ
うにチップ外周部におけるp型半導体領域19が小さく
なると共に、最端発光部24,25からp型半導体領域
19までの距離Lが大きくなる。大きな距離Lにより、
ダイシングによって導入される結晶欠陥層を介して基板
10と短絡状態にあるp型半導体領域19が最端発光部
24,25に導通することが防止される。そのため、最
端発光部24,25は、他の発光部と同等なp型半導体
領域をもち、図9に示すようにアレイ端部における発光
出力の低下が生じない。
【0015】絶縁膜12に設けられる張出し部は、図7
(b)に示した矩形状の張出し部28又は図7(c)に
示した半円状の張出し部29の何れであっても良い。或
いは、図10(a)に示すようにチップ中央に発光部を
配列しないタイプの発光ダイオードアレイに対しては、
図10(b)に示すように発光部に配列に対応させて張
出し部30を片側に偏らせた絶縁膜を使用することもで
きる。何れの場合においても、最端発光部24,25か
らチップ端部26,27までの距離Lに応じ、本発明の
効果が奏せられる。
(b)に示した矩形状の張出し部28又は図7(c)に
示した半円状の張出し部29の何れであっても良い。或
いは、図10(a)に示すようにチップ中央に発光部を
配列しないタイプの発光ダイオードアレイに対しては、
図10(b)に示すように発光部に配列に対応させて張
出し部30を片側に偏らせた絶縁膜を使用することもで
きる。何れの場合においても、最端発光部24,25か
らチップ端部26,27までの距離Lに応じ、本発明の
効果が奏せられる。
【0016】張出し部28〜30が形成された絶縁膜1
2は、従来法によって発光ダイオードアレイチップを製
造する工程を一切変更することなく、最端発光部24,
25の発光出力低下を防止する。そのため、簡便な方法
によって、高解像度の発光ダイオードアレイチップを高
い歩留りで製造することが可能となる。
2は、従来法によって発光ダイオードアレイチップを製
造する工程を一切変更することなく、最端発光部24,
25の発光出力低下を防止する。そのため、簡便な方法
によって、高解像度の発光ダイオードアレイチップを高
い歩留りで製造することが可能となる。
【0017】
【実施例】基板10にエピタキシャル層11を形成した
ウエハーに、プラズマCVDによって絶縁膜12となる
SiHN膜を形成した後、常法に従って発光部13及び
チップ外周部15を形成した。解像度400ドット/イ
ンチの発光ダイオードアレイを製造するため、一つの発
光部13を1辺約30μmのほぼ正方形とし、隣接する
発光部13間のピッチを63.5μmに設定した。ま
た、チップとしては、外径約8mm×0.5mmの矩形
片を使用した。絶縁膜12を形成する際、チップ外側に
延びる張出し部を最端発光部24,25近傍の絶縁膜1
2に設けた。
ウエハーに、プラズマCVDによって絶縁膜12となる
SiHN膜を形成した後、常法に従って発光部13及び
チップ外周部15を形成した。解像度400ドット/イ
ンチの発光ダイオードアレイを製造するため、一つの発
光部13を1辺約30μmのほぼ正方形とし、隣接する
発光部13間のピッチを63.5μmに設定した。ま
た、チップとしては、外径約8mm×0.5mmの矩形
片を使用した。絶縁膜12を形成する際、チップ外側に
延びる張出し部を最端発光部24,25近傍の絶縁膜1
2に設けた。
【0018】最端発光部24,25を含め個々の発光部
13に電極部14を形成した後、ダイシングによってウ
エハーを各チップに切り出した。得られたチップの発光
出力特性を調査した。調査は、400ドット/インチの
発光ダイオードアレイチップを1000個作製したと
き、最端発光部24,25の発光出力が規格値に達しな
いものを不良として判定し、不良品の個数、すなわち不
良品発生率で本発明の効果を評価した。
13に電極部14を形成した後、ダイシングによってウ
エハーを各チップに切り出した。得られたチップの発光
出力特性を調査した。調査は、400ドット/インチの
発光ダイオードアレイチップを1000個作製したと
き、最端発光部24,25の発光出力が規格値に達しな
いものを不良として判定し、不良品の個数、すなわち不
良品発生率で本発明の効果を評価した。
【0019】調査結果を、表1に示す。なお、表1にお
いては、張出し部を設けない絶縁膜を使用した場合の不
良品発生率を比較例とし、張出し部の距離La(図7
(b)参照)を1μm,3μm及び5μmに変化させた
場合の不良品発生率と対比させた。
いては、張出し部を設けない絶縁膜を使用した場合の不
良品発生率を比較例とし、張出し部の距離La(図7
(b)参照)を1μm,3μm及び5μmに変化させた
場合の不良品発生率と対比させた。
【0020】
【表1】
【0021】表1から明らかなように、張出し部を設け
ない比較例にあっては、約20%以上の割合で不良品が
発生している。La=1μmの張出し部を設けた絶縁膜
を使用すると、不良品発生率は大幅に低減している。そ
して、La=3μm及びLa=5μmと比較的大きな張
出し部を設けたときには、張出し部の効果が顕著に現
れ、何れの実験番号RUN1〜4においても不良品発生
が皆無であった。そして、得られた発光ダイオードアレ
イチップは、全て所期の特性を備えていた。
ない比較例にあっては、約20%以上の割合で不良品が
発生している。La=1μmの張出し部を設けた絶縁膜
を使用すると、不良品発生率は大幅に低減している。そ
して、La=3μm及びLa=5μmと比較的大きな張
出し部を設けたときには、張出し部の効果が顕著に現
れ、何れの実験番号RUN1〜4においても不良品発生
が皆無であった。そして、得られた発光ダイオードアレ
イチップは、全て所期の特性を備えていた。
【0022】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、チップ端部の最端発光部近傍の絶縁膜にチップ外側
に向かった張出し部を設けることにより、最端発光部か
らチップ外周部に形成されるp型半導体領域までの距離
を大きくなり、ダイシングによってチップ端面に導入さ
れる結晶欠陥層を介して基板と短絡状態になるp型半導
体領域に最端発光部が導通することが防止される。その
ため、最端発光部は、他の発光部と全く同等なp型半導
体領域を有し、アレイ端部における発光出力の低下を生
じない発光ダイオードアレイチップを高い歩留りで製造
することが可能となる。
は、チップ端部の最端発光部近傍の絶縁膜にチップ外側
に向かった張出し部を設けることにより、最端発光部か
らチップ外周部に形成されるp型半導体領域までの距離
を大きくなり、ダイシングによってチップ端面に導入さ
れる結晶欠陥層を介して基板と短絡状態になるp型半導
体領域に最端発光部が導通することが防止される。その
ため、最端発光部は、他の発光部と全く同等なp型半導
体領域を有し、アレイ端部における発光出力の低下を生
じない発光ダイオードアレイチップを高い歩留りで製造
することが可能となる。
【図1】 従来の発光ダイオードの平面図(a)及び断
面図(b)
面図(b)
【図2】 従来の発光ダイオードアレイの発光出力特性
【図3】 従来の発光ダイオードアレイチップの横断面
図
図
【図4】 ウエハー状のチップ配列状態
【図5】 発光ダイオードアレイチップの実装状態
【図6】 高解像度発光ダイオードアレイチップの横断
面図
面図
【図7】 本発明実施例で使用した絶縁膜の各種形状
【図8】 本発明実施例で製造された発光ダイオードア
レイチップの横断面図
レイチップの横断面図
【図9】 本発明実施例で製造された発光ダイオードア
レイチップの発光出力特性
レイチップの発光出力特性
【図10】 他の形状の絶縁膜を使用した例
10 基板 11 エピタキシャル層
12 絶縁膜 13 発光部 15 チップ外周部 17 チップ外周部に形成されるp型半導体領域 20 結晶欠陥層 21,22 発光ダイオー
ドアレイチップ 24,25 最端発光部 26,27 チップ端部 28〜30 張出し部
12 絶縁膜 13 発光部 15 チップ外周部 17 チップ外周部に形成されるp型半導体領域 20 結晶欠陥層 21,22 発光ダイオー
ドアレイチップ 24,25 最端発光部 26,27 チップ端部 28〜30 張出し部
Claims (1)
- 【請求項1】 チップ端面方向の最端発光部近傍でチッ
プ外側に向かった張出し部をもつ絶縁膜を化合物半導体
からなるn型基板上に形成し、次いでp型半導体領域か
らなる複数の発光部を形成することを特徴とする発光ダ
イオードアレイチップの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10165392A JPH05275738A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 発光ダイオードアレイチップの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10165392A JPH05275738A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 発光ダイオードアレイチップの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05275738A true JPH05275738A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=14306348
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10165392A Withdrawn JPH05275738A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 発光ダイオードアレイチップの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05275738A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7511311B2 (en) | 2002-08-01 | 2009-03-31 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP10165392A patent/JPH05275738A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7511311B2 (en) | 2002-08-01 | 2009-03-31 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same |
US8035118B2 (en) | 2002-08-01 | 2011-10-11 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same |
US8330179B2 (en) | 2002-08-01 | 2012-12-11 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same |
US8742438B2 (en) | 2002-08-01 | 2014-06-03 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100921457B1 (ko) | 수직 구조의 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
KR100854986B1 (ko) | 화합물 반도체 소자 웨이퍼의 제조방법 | |
KR100579028B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP3604550B2 (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 | |
JPH114020A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法、並びに半導体発光装置 | |
EP1935037B1 (en) | Group iii nitride semiconductor light-emitting device manufacturing method | |
WO1998044569A1 (en) | Light emitting device and method for manufacturing the same | |
KR20150004246A (ko) | 차폐된 실리콘 기판을 갖는 발광 디바이스 | |
JP2004228290A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
US7754512B2 (en) | Method of fabricating semiconductor light-emitting devices with isolation trenches | |
JP5646545B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JPH10335699A (ja) | 化合物半導体発光素子とその製造方法 | |
JPH05275738A (ja) | 発光ダイオードアレイチップの製造方法 | |
JP3303914B2 (ja) | 発光素子およびその製造方法 | |
JPH0685318A (ja) | 発光ダイオードアレイチップの製造方法 | |
US5866439A (en) | Method of fabricating an end face light emitting type light-emitting diode and a light-emitting diode array device | |
JPH06314817A (ja) | 発光ダイオードアレイチップの製造方法 | |
JP2002111049A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
US6133588A (en) | Light-emitting element array and fabrication method with separate light-emitting and current-conducting diffusion areas | |
JPH0685319A (ja) | 発光ダイオードアレイチップの製造方法 | |
KR100303790B1 (ko) | 고밀도 엘이디 어레이 제조 방법 | |
JP3891833B2 (ja) | 半導体装置及びledアレイ | |
US6407410B1 (en) | Semiconductor optical device | |
JPH10335698A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5951732B2 (ja) | 半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |