JPH05273690A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH05273690A JPH05273690A JP4098657A JP9865792A JPH05273690A JP H05273690 A JPH05273690 A JP H05273690A JP 4098657 A JP4098657 A JP 4098657A JP 9865792 A JP9865792 A JP 9865792A JP H05273690 A JPH05273690 A JP H05273690A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- matrix
- hydroxyquinone
- phb
- recording medium
- deriv
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＳｉＯ2 マトリックス中に１，４−ジヒドロ
キシアントラキノンなどのヒドロキシキノン誘導体を分
散させた第一の層と、ＴｉＯ2 １〜１００モル％および
ＳｉＯ2 ９９〜０モル％からなるマトリックス中に前記
と同じヒドロキシキノン誘導体を分散させた第二の層と
を積層してなる光化学ホールバーニング記録媒体。 【効果】 積層することにより多重度が高められ、記録
密度が倍増する。
キシアントラキノンなどのヒドロキシキノン誘導体を分
散させた第一の層と、ＴｉＯ2 １〜１００モル％および
ＳｉＯ2 ９９〜０モル％からなるマトリックス中に前記
と同じヒドロキシキノン誘導体を分散させた第二の層と
を積層してなる光化学ホールバーニング記録媒体。 【効果】 積層することにより多重度が高められ、記録
密度が倍増する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光化学ホールバーニン
グ（以下、ＰＨＢという）現象を利用する光記録媒体に
関し、特に高密度記録が可能な波長多重ＰＨＢ記録媒体
に関する。
グ（以下、ＰＨＢという）現象を利用する光記録媒体に
関し、特に高密度記録が可能な波長多重ＰＨＢ記録媒体
に関する。
【０００２】
【従来の技術】現代における情報処理速度の高速化およ
び処理される情報の大容量化に伴い、近年、高密度記録
方式としてのＰＨＢメモリが提案されている。このＰＨ
Ｂメモリにおける記録原理は、例えば特公昭５８−５１
３５５号公報にも記載されている通りである。透明媒体
中に分散された感光物質が液体ヘリウム温度などの極低
温において示す広い不均一な吸収帯に、充分狭い波長幅
をもつレーザー光を照射すると、その波長位置に吸収ス
ペクトルを持つ分子のみが光励起され、他のエネルギー
状態に移る結果、波長選択的な鋭い吸光度の減少（ホー
ル）が現われるが、ＰＨＢメモリはこの現象を利用して
記録を行うものである。即ち、記録媒体の吸収スペクト
ル中の特定の波長域での吸光度を減少させ、吸収スペク
トル中に吸光度の減少によるホールを作り、このホール
の有無を１、０のバイナリーコードに対応させた記録と
するものである。
び処理される情報の大容量化に伴い、近年、高密度記録
方式としてのＰＨＢメモリが提案されている。このＰＨ
Ｂメモリにおける記録原理は、例えば特公昭５８−５１
３５５号公報にも記載されている通りである。透明媒体
中に分散された感光物質が液体ヘリウム温度などの極低
温において示す広い不均一な吸収帯に、充分狭い波長幅
をもつレーザー光を照射すると、その波長位置に吸収ス
ペクトルを持つ分子のみが光励起され、他のエネルギー
状態に移る結果、波長選択的な鋭い吸光度の減少（ホー
ル）が現われるが、ＰＨＢメモリはこの現象を利用して
記録を行うものである。即ち、記録媒体の吸収スペクト
ル中の特定の波長域での吸光度を減少させ、吸収スペク
トル中に吸光度の減少によるホールを作り、このホール
の有無を１、０のバイナリーコードに対応させた記録と
するものである。
【０００３】このようなＰＨＢメモリによれば波長選択
的に記録が行われるので、その選択数倍だけ記録密度が
高められるわけであり、理論的にはその多重記録の程度
（多重度）は１０3 〜１０4 と考えられている。現行の
光メモリの容量の上限値が１０8 ビット／ｃｍ2 といわ
れているが、ＰＨＢメモリではその１０3 〜１０4 倍の
１０11〜１０12ビット／ｃｍ2 という超高密度記録が可
能となる。
的に記録が行われるので、その選択数倍だけ記録密度が
高められるわけであり、理論的にはその多重記録の程度
（多重度）は１０3 〜１０4 と考えられている。現行の
光メモリの容量の上限値が１０8 ビット／ｃｍ2 といわ
れているが、ＰＨＢメモリではその１０3 〜１０4 倍の
１０11〜１０12ビット／ｃｍ2 という超高密度記録が可
能となる。
【０００４】しかしながら、多重度の理論上の上限値は
前記の如くであっても、実際にそれだけのホールが独立
に且つ同時に生成されるかについての確証が未だ得られ
ていないのが現状であり、しかも一方では高密度化の要
求には際限がなく、多重度を更に高めることが求められ
ている。
前記の如くであっても、実際にそれだけのホールが独立
に且つ同時に生成されるかについての確証が未だ得られ
ていないのが現状であり、しかも一方では高密度化の要
求には際限がなく、多重度を更に高めることが求められ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、ＰＨＢメモリにおける記録密度を更に高めたＰＨＢ
記録媒体を提供することにある。
は、ＰＨＢメモリにおける記録密度を更に高めたＰＨＢ
記録媒体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するために種々検討の結果、二種のマトリックス
中に特定構造を有する有機色素をそれぞれ分散させ、こ
れらを積層した二層構造の記録媒体とすれば、多重化出
来ることを見出し、本発明を完成した。即ち、本発明
は、ＳｉＯ2 マトリックス中にヒドロキシキノン誘導体
を分散させた第一の層と、ＴｉＯ2 １〜１００モル％お
よびＳｉＯ2 ９９〜０モル％からなるマトリックス中に
ヒドロキシキノン誘導体を分散させた第二の層とを積層
してなるＰＨＢ記録媒体に関するものである。
を達成するために種々検討の結果、二種のマトリックス
中に特定構造を有する有機色素をそれぞれ分散させ、こ
れらを積層した二層構造の記録媒体とすれば、多重化出
来ることを見出し、本発明を完成した。即ち、本発明
は、ＳｉＯ2 マトリックス中にヒドロキシキノン誘導体
を分散させた第一の層と、ＴｉＯ2 １〜１００モル％お
よびＳｉＯ2 ９９〜０モル％からなるマトリックス中に
ヒドロキシキノン誘導体を分散させた第二の層とを積層
してなるＰＨＢ記録媒体に関するものである。
【０００７】ところで、図１は、ＳｉＯ2 マトリックス
中に、本発明で用いられるヒドロキシキノン誘導体の一
種である１，４−ジヒドロキシアントラキノン（以下、
ＤＡＱという）を微量分散させた材料についての吸収ス
ペクトルであり、図中の矢印はＰＨＢ現象を示す波長域
（５１５〜５２５nm）を示す。図２は、ＴｉＯ2 マトリ
ックス中にＤＡＱを微量分散させた材料についての吸収
スペクトルであり、図中の矢印は上記と同様ＰＨＢ現象
が起こる波長域（５９０〜６２０nm）を示す。この図１
および図２を比較するとＰＨＢ現象が発現する波長域の
差が約８０nmあり、オーバーラップしないことが判る。
しかも、本発明者らが調べたところによれば、図２に示
した材料のＴｉＯ2 マトリックスの一部をＳｉＯ2 で置
き換えた場合でも、その混合モル％の比（ＳｉＯ2 ：Ｔ
ｉＯ2 ）が０：１００〜９９：１の範囲内ではＰＨＢ現
象の発現する波長域がＴｉＯ2 マトリックスの場合と同
一であることが判った。
中に、本発明で用いられるヒドロキシキノン誘導体の一
種である１，４−ジヒドロキシアントラキノン（以下、
ＤＡＱという）を微量分散させた材料についての吸収ス
ペクトルであり、図中の矢印はＰＨＢ現象を示す波長域
（５１５〜５２５nm）を示す。図２は、ＴｉＯ2 マトリ
ックス中にＤＡＱを微量分散させた材料についての吸収
スペクトルであり、図中の矢印は上記と同様ＰＨＢ現象
が起こる波長域（５９０〜６２０nm）を示す。この図１
および図２を比較するとＰＨＢ現象が発現する波長域の
差が約８０nmあり、オーバーラップしないことが判る。
しかも、本発明者らが調べたところによれば、図２に示
した材料のＴｉＯ2 マトリックスの一部をＳｉＯ2 で置
き換えた場合でも、その混合モル％の比（ＳｉＯ2 ：Ｔ
ｉＯ2 ）が０：１００〜９９：１の範囲内ではＰＨＢ現
象の発現する波長域がＴｉＯ2 マトリックスの場合と同
一であることが判った。
【０００８】本発明は上記知見に基づいてなされたもの
であり、ＳｉＯ2 マトリックス中にヒドロキシキノン誘
導体を分散させた第一の層と、ＴｉＯ2 １〜１００モル
％およびＳｉＯ2 ９９〜０モル％からなるマトリックス
中にヒドロキシキノン誘導体を分散させた第二の層とを
積層することによって多重度を高め、記録密度を倍増さ
せたものである。
であり、ＳｉＯ2 マトリックス中にヒドロキシキノン誘
導体を分散させた第一の層と、ＴｉＯ2 １〜１００モル
％およびＳｉＯ2 ９９〜０モル％からなるマトリックス
中にヒドロキシキノン誘導体を分散させた第二の層とを
積層することによって多重度を高め、記録密度を倍増さ
せたものである。
【０００９】本発明における上記効果、即ち積層による
多重化の効果は、ＰＨＢ現象が観察される他の色素、例
えばテトラフェニルポルフィンなどのポルフィン類を用
いた場合には得られない。ヒドロキシキノン誘導体を用
いた場合に積層による多重化の効果が得られる理由は不
明であるが、キノン骨格の有するヒドロキシル基が関与
しているのではないかと考えられる。
多重化の効果は、ＰＨＢ現象が観察される他の色素、例
えばテトラフェニルポルフィンなどのポルフィン類を用
いた場合には得られない。ヒドロキシキノン誘導体を用
いた場合に積層による多重化の効果が得られる理由は不
明であるが、キノン骨格の有するヒドロキシル基が関与
しているのではないかと考えられる。
【００１０】本発明で用いられるヒドロキシキノン誘導
体としては、ナフタザリン、５，６，８−トリヒドロキ
シ−１，４−ナフトキノンなどのヒドロキシナフトキノ
ンおよびこれらの誘導体；ＤＡＱ、１，２，４−トリヒ
ドロキシアントラキノン、１，２，５，８−テトラヒド
ロキシアントラキノンなどのヒドロキシアントラキノ
ン；および２，６−ジ（ｐ−ブチル）フェノキシ−１，
４−ジヒドロキシアントラキノン、１−アミノ−４−ヒ
ドロキシアントラキノン、１−ステアロイルアミノ−４
−ヒドロキシアントラキノンなどのヒドロキシアントラ
キノンの誘導体などが挙げられ、中でもＤＡＱなどが好
ましく用いられる。
体としては、ナフタザリン、５，６，８−トリヒドロキ
シ−１，４−ナフトキノンなどのヒドロキシナフトキノ
ンおよびこれらの誘導体；ＤＡＱ、１，２，４−トリヒ
ドロキシアントラキノン、１，２，５，８−テトラヒド
ロキシアントラキノンなどのヒドロキシアントラキノ
ン；および２，６−ジ（ｐ−ブチル）フェノキシ−１，
４−ジヒドロキシアントラキノン、１−アミノ−４−ヒ
ドロキシアントラキノン、１−ステアロイルアミノ−４
−ヒドロキシアントラキノンなどのヒドロキシアントラ
キノンの誘導体などが挙げられ、中でもＤＡＱなどが好
ましく用いられる。
【００１１】本発明の光記録媒体を製造するには、例え
ばゾル−ゲル法によってヒドロキシキノン誘導体をそれ
ぞれ均一に分散させた第一および第二の層を作り、両者
をシリコンアルコキシド溶液を用いて接着するなどの方
法によって積層すればよい。マトリックス中に分散させ
るヒドロキシキノン誘導体の濃度は、マトリックス中に
おけるヒドロキシキノン誘導体分子間の相互作用が無視
できるような割合にすればよく、通常は１０-6〜１０-2
（ヒドロキシキノン誘導体／アルコキシドモル比）、好
ましくは１０-5〜１０-3（ヒドロキシキノン誘導体／ア
ルコキシドモル比）程度である。
ばゾル−ゲル法によってヒドロキシキノン誘導体をそれ
ぞれ均一に分散させた第一および第二の層を作り、両者
をシリコンアルコキシド溶液を用いて接着するなどの方
法によって積層すればよい。マトリックス中に分散させ
るヒドロキシキノン誘導体の濃度は、マトリックス中に
おけるヒドロキシキノン誘導体分子間の相互作用が無視
できるような割合にすればよく、通常は１０-6〜１０-2
（ヒドロキシキノン誘導体／アルコキシドモル比）、好
ましくは１０-5〜１０-3（ヒドロキシキノン誘導体／ア
ルコキシドモル比）程度である。
【００１２】このようにして得られた本発明の光記録媒
体は従来のものに比べて記録密度が二倍程度高くなって
いる。また積層した各層のマトリックスの組成変化も小
さくできるので界面の整合性がよく、界面での光散乱損
失を低減できるという利点を有する。
体は従来のものに比べて記録密度が二倍程度高くなって
いる。また積層した各層のマトリックスの組成変化も小
さくできるので界面の整合性がよく、界面での光散乱損
失を低減できるという利点を有する。
【００１３】
【実施例】次に、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明がこれら実施例に限定されるものでない
ことは言うまでもない。 実施例１ Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5)4 ２０ｍｌ、エタノール２３．６ｍｌ
およびＤＡＱ２．２ｍｇを混合し、約１時間攪拌後、エ
タノール２３．６ｍｌ、Ｈ2Ｏ６．４７ｍｌおよびＨＣ
ｌ（０．０１４Ｎ）溶液をビュレットで滴下した。更に
１時間攪拌後、一部を容器に移し取り、室温で乾燥ゲル
化させて第一の層とした。Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ)4（式
中、ｉ−Ｐｒはイソプロピルを表わす）１４．９ｍｌ、
エタノール１１．７ｍｌおよびＤＡＱ１．２ｍｇを混合
し、約１時間攪拌後、氷水で冷却したＨ2 Ｏ０．９８ｍ
ｌ、エタノール１１．７ｍｌおよびＨＣｌ（４Ｎ）溶液
をビュレットで滴下した。更に約１時間攪拌後、室温で
保存し、ゲル化させて第二の層とした。
するが、本発明がこれら実施例に限定されるものでない
ことは言うまでもない。 実施例１ Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5)4 ２０ｍｌ、エタノール２３．６ｍｌ
およびＤＡＱ２．２ｍｇを混合し、約１時間攪拌後、エ
タノール２３．６ｍｌ、Ｈ2Ｏ６．４７ｍｌおよびＨＣ
ｌ（０．０１４Ｎ）溶液をビュレットで滴下した。更に
１時間攪拌後、一部を容器に移し取り、室温で乾燥ゲル
化させて第一の層とした。Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ)4（式
中、ｉ−Ｐｒはイソプロピルを表わす）１４．９ｍｌ、
エタノール１１．７ｍｌおよびＤＡＱ１．２ｍｇを混合
し、約１時間攪拌後、氷水で冷却したＨ2 Ｏ０．９８ｍ
ｌ、エタノール１１．７ｍｌおよびＨＣｌ（４Ｎ）溶液
をビュレットで滴下した。更に約１時間攪拌後、室温で
保存し、ゲル化させて第二の層とした。
【００１４】前記の如くして得られた第一および第二の
層をＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5)4 、エタノールおよびＨ2 Ｏ溶液
を間にコーティングすることにより積層し、クライオス
タット（４．２Ｋ）内で吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、図３に示されるような吸収スペクトル曲線が得られ
た。色素レーザを用いてこの媒体に５２０nmと６００nm
の波長を照射したところ、それぞれ独立したＰＨＢ現象
が認められた。
層をＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5)4 、エタノールおよびＨ2 Ｏ溶液
を間にコーティングすることにより積層し、クライオス
タット（４．２Ｋ）内で吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、図３に示されるような吸収スペクトル曲線が得られ
た。色素レーザを用いてこの媒体に５２０nmと６００nm
の波長を照射したところ、それぞれ独立したＰＨＢ現象
が認められた。
【００１５】実施例２ 実施例１における第二の層の代わりに、下記のようにし
て形成した第二の層を用いた以外は実施例１と同様にし
て媒体を得た。 （第二の層の形成法）Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ)4２．７ｍ
ｌ、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5)4 １８ｍｌ、エタノール１１．７
ｍｌおよびＤＡＱ２．２ｍｇを混合し、約１時間攪拌
後、Ｈ2 Ｏ０．９８ｍｌ、エタノール１１，７ｍｌおよ
びＨＣｌ（４Ｎ）溶液をビュレットで滴下した。更に１
時間攪拌後、容器に移し取り、室温で乾燥ゲル化させて
第二の層とした。
て形成した第二の層を用いた以外は実施例１と同様にし
て媒体を得た。 （第二の層の形成法）Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ)4２．７ｍ
ｌ、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5)4 １８ｍｌ、エタノール１１．７
ｍｌおよびＤＡＱ２．２ｍｇを混合し、約１時間攪拌
後、Ｈ2 Ｏ０．９８ｍｌ、エタノール１１，７ｍｌおよ
びＨＣｌ（４Ｎ）溶液をビュレットで滴下した。更に１
時間攪拌後、容器に移し取り、室温で乾燥ゲル化させて
第二の層とした。
【００１６】得られた媒体につき、実施例１と同様にし
て色素レーザを照射したところ、５２０nmと６００nmの
波長域にそれぞれ独立したＰＨＢ現象が認められた。
て色素レーザを照射したところ、５２０nmと６００nmの
波長域にそれぞれ独立したＰＨＢ現象が認められた。
【００１７】実施例３ 実施例１におけるＤＡＱの代わりに、１，２，４−トリ
ヒドロキシアントラキノンを用いた以外は実施例１と同
様にして媒体を得た。得られた媒体につき、実施例１と
同様にして色素レーザを照射したところ、５２０nmと６
００nmの波長域にそれぞれ独立したＰＨＢ現象が認めら
れた。
ヒドロキシアントラキノンを用いた以外は実施例１と同
様にして媒体を得た。得られた媒体につき、実施例１と
同様にして色素レーザを照射したところ、５２０nmと６
００nmの波長域にそれぞれ独立したＰＨＢ現象が認めら
れた。
【００１８】比較例 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5)4 ２０ｍｌ、エタノール２３．６ｍ
ｌ、クロロフォルム５ｍｌおよびテトラフェニルポルフ
ィン５．５ｍｇを混合し、約１時間攪拌後、エタノール
２３．６ｍｌ、Ｈ2 Ｏ６．４７ｍｌおよびＨＣｌ（０．
０１４Ｎ）溶液をビュレットで滴下した。更に１時間攪
拌後室温で乾燥ゲル化させた。このようにして得られた
サンプルについて、ＰＨＢ現象が起こる長波長側の吸収
スペクトル位置を調べたところ、６５０nmであった。
ｌ、クロロフォルム５ｍｌおよびテトラフェニルポルフ
ィン５．５ｍｇを混合し、約１時間攪拌後、エタノール
２３．６ｍｌ、Ｈ2 Ｏ６．４７ｍｌおよびＨＣｌ（０．
０１４Ｎ）溶液をビュレットで滴下した。更に１時間攪
拌後室温で乾燥ゲル化させた。このようにして得られた
サンプルについて、ＰＨＢ現象が起こる長波長側の吸収
スペクトル位置を調べたところ、６５０nmであった。
【００１９】次いで、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ)4１４．９ｍ
ｌ、エタノール１１．７ｍｌおよびクロロフォルム５ｍ
ｌおよびテトラフェニルポルフィン５．５ｍｇを混合
し、約１時間攪拌後、氷水で冷却したＨ2 Ｏ０．９８ｍ
ｌ、エタノール１１．７ｍｌおよびＨＣｌ（４Ｎ）溶液
をビュレットで滴下した。更に約１時間攪拌後、室温で
保存し、ゲル化させた。このようにして得られたサンプ
ルの吸収スペクトルは、ＳｉＯ2 マトリックスのものと
同一であり、これらを積層しても多重化できないことが
判った。
ｌ、エタノール１１．７ｍｌおよびクロロフォルム５ｍ
ｌおよびテトラフェニルポルフィン５．５ｍｇを混合
し、約１時間攪拌後、氷水で冷却したＨ2 Ｏ０．９８ｍ
ｌ、エタノール１１．７ｍｌおよびＨＣｌ（４Ｎ）溶液
をビュレットで滴下した。更に約１時間攪拌後、室温で
保存し、ゲル化させた。このようにして得られたサンプ
ルの吸収スペクトルは、ＳｉＯ2 マトリックスのものと
同一であり、これらを積層しても多重化できないことが
判った。
【００２０】
【発明の効果】以上述べた通り、本発明によればＰＨＢ
記録媒体における多重度を高めることができるので、従
来のものに比べて記録密度が倍増する。
記録媒体における多重度を高めることができるので、従
来のものに比べて記録密度が倍増する。
【図１】 ＳｉＯ2 マトリックス中にＤＡＱを分散させ
た材料についての吸収スペクトルを示す図である。
た材料についての吸収スペクトルを示す図である。
【図２】 ＴｉＯ2 マトリックス中にＤＡＱを分散させ
た材料についての吸収スペクトルを示す図である。
た材料についての吸収スペクトルを示す図である。
【図３】 本発明の一実施例における媒体の吸収スペク
トルを示す図である。
トルを示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 ＳｉＯ2 マトリックス中にヒドロキシキ
ノン誘導体を分散させた第一の層と、ＴｉＯ2 １〜１０
０モル％およびＳｉＯ2 ９９〜０モル％からなるマトリ
ックス中に前記ヒドロキシキノン誘導体を分散させた第
二の層とを積層してなる光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4098657A JPH05273690A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4098657A JPH05273690A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05273690A true JPH05273690A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=14225589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4098657A Pending JPH05273690A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05273690A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004036569A1 (ja) * | 2002-10-16 | 2004-04-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体およびその製造方法、並びに光学情報記録再生装置 |
-
1992
- 1992-03-24 JP JP4098657A patent/JPH05273690A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004036569A1 (ja) * | 2002-10-16 | 2004-04-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体およびその製造方法、並びに光学情報記録再生装置 |
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