JPH0526834A - Hot-wire type semiconductor gas sensor - Google Patents
Hot-wire type semiconductor gas sensorInfo
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- JPH0526834A JPH0526834A JP20561291A JP20561291A JPH0526834A JP H0526834 A JPH0526834 A JP H0526834A JP 20561291 A JP20561291 A JP 20561291A JP 20561291 A JP20561291 A JP 20561291A JP H0526834 A JPH0526834 A JP H0526834A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、熱線型半導体式ガスセ
ンサに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hot wire type semiconductor gas sensor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】金属酸化物半導体ガスセンサは、ガス吸
着による金属酸化物半導体の導電率の変化を測定するこ
とによってガス濃度を検出する。ガスの吸脱着速度を増
すためには、金属酸化物半導体を一定の高温に保持する
必要がある。金属酸化物半導体ガスセンサには、熱線型
半導体式ガスセンサ、焼結体素子半導体ガスセンサ等が
従来から知られている。これらのガスセンサは、加熱方
法、及び金属酸化物半導体（センサ素子）の抵抗値の測
定方法が相違している。2. Description of the Related Art A metal oxide semiconductor gas sensor detects a gas concentration by measuring a change in conductivity of a metal oxide semiconductor due to gas adsorption. In order to increase the gas adsorption / desorption rate, it is necessary to keep the metal oxide semiconductor at a constant high temperature. As the metal oxide semiconductor gas sensor, a hot-wire semiconductor type gas sensor, a sintered body element semiconductor gas sensor, etc. have been conventionally known. These gas sensors differ in the heating method and the measuring method of the resistance value of the metal oxide semiconductor (sensor element).
【０００３】熱線型半導体式ガスセンサは、例えばセン
サ素子２０であるＳｎＯ2 セラミックの中心に、低抵抗
の加熱ヒータである貴金属線コイル２２を埋設した構造
を有する。センサ素子２０は貴金属線コイル２２によっ
て加熱され、ガス吸着によるセンサ素子２０の抵抗値の
変化を検出することによりガス濃度を測定する。このよ
うな熱線型半導体式ガスセンサの電気回路を図５に示
す。センサ素子２０と貴金属線コイル２２は並列に接続
されている。The hot wire semiconductor type gas sensor has a structure in which a noble metal wire coil 22 as a low resistance heater is embedded in the center of SnO 2 ceramic as a sensor element 20, for example. The sensor element 20 is heated by the noble metal wire coil 22, and the gas concentration is measured by detecting a change in the resistance value of the sensor element 20 due to gas adsorption. An electric circuit of such a hot wire type semiconductor gas sensor is shown in FIG. The sensor element 20 and the noble metal wire coil 22 are connected in parallel.
【０００４】焼結体素子半導体ガスセンサは、図６の
（Ａ）に一例を示すように、平行に設けた２本の貴金属
線電極２４，２４’にセンサ素子２０である金属酸化物
半導体ペーストを塗布し焼結したものである。貴金属線
電極の一方２４は加熱ヒータとしての機能も果たす。図
６の（Ｂ）にその電気回路を示す。In the sintered body element semiconductor gas sensor, as shown in FIG. 6A, a metal oxide semiconductor paste which is the sensor element 20 is attached to two parallel noble metal wire electrodes 24 and 24 '. It is applied and sintered. One of the noble metal wire electrodes 24 also functions as a heater. The electric circuit is shown in FIG.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】熱線型半導体式ガスセ
ンサは、小型化でき、加熱ヒータの消費電力が約１５０
ｍＷと少ない長所を有しているが、低抵抗の加熱ヒータ
とガス濃度を測定するセンサ素子とが並列に接続されて
いるために、焼結体素子半導体ガスセンサと比較したと
き、ほぼ加熱ヒータの抵抗分ガス濃度測定感度が低下す
るという欠点を有する。The hot wire semiconductor type gas sensor can be downsized, and the power consumption of the heater is about 150.
Although it has a merit of less than mW, since a low-resistance heater and a sensor element for measuring gas concentration are connected in parallel, when compared with a sintered body element semiconductor gas sensor, it is almost the same as that of a heater. It has a drawback that the resistance component gas concentration measurement sensitivity is lowered.
【０００６】焼結体素子半導体ガスセンサは、ガスがセ
ンサ素子の表面に吸着することによるセンサ素子の電気
抵抗値の変化をそのまま測定することができるので高感
度であるが、小型化することが困難であり、しかも加熱
ヒータに常時電流を流す必要があるため消費電力が約１
０００ｍＷ〜３０００ｍＷと大きくバッテリー駆動をす
ることが困難であるという問題を有する。The sintered body element semiconductor gas sensor has high sensitivity because it can measure the change in the electrical resistance value of the sensor element due to the adsorption of gas on the surface of the sensor element as it is, but it is difficult to miniaturize it. In addition, since it is necessary to constantly supply current to the heater, the power consumption is about 1
There is a problem that it is difficult to drive the battery as large as 000 mW to 3000 mW.
【０００７】従って、本発明の目的は、小型化でき、消
費電力が少なく、しかもガス濃度測定の感度が優れた熱
線型半導体式ガスセンサを提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a hot wire semiconductor gas sensor which can be miniaturized, consumes less power, and has excellent gas concentration measurement sensitivity.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の目的は、本発明に
より、図１に一部破断斜視図にて示すような、２端子半
導体デバイス１０と、該デバイスの表面に付着させた金
属酸化物半導体１２とから成ることを特徴とする熱線型
半導体式ガスセンサ１によって達成される。According to the present invention, the above object is to provide a two-terminal semiconductor device 10 and a metal oxide deposited on the surface of the device, as shown in the partially broken perspective view of FIG. It is achieved by the hot-wire semiconductor gas sensor 1 characterized by comprising a semiconductor 12.
【０００９】２端子半導体デバイス１０としては、ＰＮ
接合ダイオード、ＰＩＮダイオード、ツェナダイオー
ド、発光ダイオード、バリスタ、又はサージ吸収素子を
例示することができる。しかしながら、これらに限定さ
れるものではなく、整流作用を有する２端子半導体デバ
イスであれば如何なるものをも使用することができる。
尚、サージ吸収素子とはサージを吸収する素子を意味
し、例えば、特開昭５５−１２８２８３号公報、特開昭
５６−１６８３７９号公報、実開昭５５−１４６６９２
号公報、実開昭５５−１６１３８２号公報、実開昭５５
−１６１３８３号公報に記載されている。The two-terminal semiconductor device 10 is a PN
A junction diode, a PIN diode, a Zener diode, a light emitting diode, a varistor, or a surge absorbing element can be exemplified. However, the present invention is not limited to these, and any two-terminal semiconductor device having a rectifying function can be used.
The surge absorbing element means an element that absorbs a surge, and is disclosed in, for example, JP-A-55-128283, JP-A-56-168379, and JP-A-55-146692.
Publication No. 55-163182, Japanese Utility Model Publication No. 55-161382
No. 161383.
【００１０】用いるべき金属酸化物半導体１２は、検出
すべきガスの種類に応じて適宜選択すればよい。金属酸
化物半導体１２として、例えば、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、α
−Ｆｅ2Ｏ3、γ−Ｆｅ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、又はＷＯ3 を用
いることができる。金属酸化物半導体には、増感剤とし
て、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ等を含有させてもよい。The metal oxide semiconductor 12 to be used may be appropriately selected according to the type of gas to be detected. Examples of the metal oxide semiconductor 12 include SnO 2 , ZnO, α
-Fe 2 O 3, γ-Fe 2 O 3, In 2 O 3, or WO 3 may be used. The metal oxide semiconductor may contain Pd, Pt, Au, Ag or the like as a sensitizer.
【００１１】２端子半導体デバイス１０の表面への金属
酸化物半導体１２の付着は、２端子半導体デバイス表面
上にて金属酸化物半導体を所定形状に成形した後金属酸
化物半導体を焼結、焼成することにより、あるいは２端
子半導体デバイス表面に金属酸化物半導体をスパッタ、
蒸着することにより、更には、２端子半導体デバイス表
面に金属酸化物半導体を印刷、塗布することにより行う
ことができる。To attach the metal oxide semiconductor 12 to the surface of the two-terminal semiconductor device 10, the metal oxide semiconductor is molded into a predetermined shape on the surface of the two-terminal semiconductor device, and then the metal oxide semiconductor is sintered and fired. By sputtering a metal oxide semiconductor on the surface of a two-terminal semiconductor device,
This can be performed by vapor deposition, and further by printing and applying a metal oxide semiconductor on the surface of the two-terminal semiconductor device.
【００１２】[0012]
【作用】本発明の熱線型半導体式ガスセンサ１において
は、図２に示すように、２端子半導体デバイス１０と金
属酸化物半導体１２は並列に接続されている。通常、本
発明の熱線型半導体式ガスセンサ１は３００゜Ｃ以上の
高温にて使用される。従来技術においては、ガスセンサ
を加熱するために加熱ヒータを使用する。しかるに、本
発明においては、２端子半導体デバイスのスイッチング
作用を応用して、２端子半導体デバイスを加熱ヒータと
して機能させる。例えば、２端子半導体デバイスとして
接合型ダイオードを使用した場合を例に取り、本発明の
熱線型半導体式ガスセンサ１の動作を以下説明する。In the hot-wire semiconductor gas sensor 1 of the present invention, as shown in FIG. 2, the two-terminal semiconductor device 10 and the metal oxide semiconductor 12 are connected in parallel. Usually, the hot wire semiconductor gas sensor 1 of the present invention is used at a high temperature of 300 ° C. or higher. In the prior art, a heater is used to heat the gas sensor. However, in the present invention, the switching action of the two-terminal semiconductor device is applied to cause the two-terminal semiconductor device to function as a heater. For example, the operation of the hot-wire semiconductor gas sensor 1 of the present invention will be described below, taking the case of using a junction diode as a two-terminal semiconductor device as an example.
【００１３】一般に接合型ダイオードは、図３に示すよ
うなダイオード特性を有している。２端子半導体デバイ
スに順方向に順方向電圧ＶF を印加する。順方向印加電
圧ＶF が順方向電流が流れ始める電圧ＶTH以上のとき、
２端子半導体デバイスは導通状態となり電流ＩF が流
れ、２端子半導体デバイスは発熱する（以下、この状態
を加熱モードという）。尚、２端子半導体デバイスにＶ
TH’以下の逆方向電圧を印加した場合にも加熱モードと
なる。この２端子半導体デバイスの発熱によって、金属
酸化物半導体を一定温度に加熱することができる。一
方、２端子半導体デバイスにＶTH’以上ＶTH以下の電圧
を印加した場合、２端子半導体デバイスには電流が流れ
ず、不導通状態となる。即ち、金属酸化物半導体（セン
サ素子）と並列に接続された加熱ヒータとして作用した
２端子半導体デバイスは、金属酸化物半導体と電気的に
切り離された状態となる。この状態でガスセンサの電気
抵抗値を測定すると、実質的には金属酸化物半導体の電
気抵抗値を測定する（以下、この状態を測定モードとい
う）ことになり、ガス濃度を高精度で測定することがで
きる。従って、従来の熱線型半導体式ガスセンサよりも
ガス濃度測定を高精度で行うことができる。Generally, the junction type diode has diode characteristics as shown in FIG. A forward voltage V F is applied to the two-terminal semiconductor device in the forward direction. When the forward applied voltage V F is equal to or higher than the voltage V TH at which the forward current starts flowing,
The two-terminal semiconductor device becomes conductive and a current I F flows, and the two-terminal semiconductor device generates heat (hereinafter, this state is referred to as a heating mode). In addition, V
The heating mode is also activated when a reverse voltage less than TH 'is applied. The heat generated by the two-terminal semiconductor device can heat the metal oxide semiconductor to a constant temperature. On the other hand, when a voltage of V TH ′ or more and V TH or less is applied to the two-terminal semiconductor device, no current flows in the two-terminal semiconductor device and the semiconductor device becomes non-conductive. That is, the two-terminal semiconductor device, which is connected in parallel with the metal oxide semiconductor (sensor element) and acts as a heater, is electrically separated from the metal oxide semiconductor. When the electric resistance value of the gas sensor is measured in this state, the electric resistance value of the metal oxide semiconductor is substantially measured (hereinafter, this state is referred to as a measurement mode), and the gas concentration should be measured with high accuracy. You can Therefore, the gas concentration can be measured with higher accuracy than the conventional hot-wire semiconductor gas sensor.
【００１４】以上まとめると、２端子半導体デバイスを
用いて加熱モードと測定モードを切り替えるためには、
加熱モードにおいてはダイオードに一定電圧以上の順方
向電圧を印加するかあるいは一定電圧以下の逆方向電圧
を印加して２端子半導体デバイスを導通状態とし、測定
モードにおいては一定電圧以下の順方向電圧を印加する
かあるいは一定電圧以上の逆方向電圧を印加して２端子
半導体デバイスを不導通状態とすればよい。In summary, in order to switch the heating mode and the measurement mode using the two-terminal semiconductor device,
In the heating mode, a forward voltage of a certain voltage or more is applied to the diode or a reverse voltage of a certain voltage or less is applied to make the two-terminal semiconductor device conductive. In the measurement mode, a forward voltage of a certain voltage or less is applied. The two-terminal semiconductor device may be brought into a non-conducting state by applying a reverse voltage of a certain voltage or more.
【００１５】加熱モードと測定モードとを交互に切り替
えることが好ましい。加熱モードから次の加熱モードま
での時間は１０μ秒乃至１００ｍ秒であることが好まし
い。加熱モードの時間と測定モードの時間の割合は、
６：９４乃至９４：４であることが好ましい。It is preferable to alternately switch between the heating mode and the measurement mode. The time from one heating mode to the next heating mode is preferably 10 μsec to 100 msec. The ratio of time in heating mode to time in measurement mode is
It is preferably 6:94 to 94: 4.
【００１６】加熱モードと測定モードとを短い時間にて
切り替えることによって、ガスセンサの消費電力を焼結
体素子半導体ガスセンサと比較して少なくすることがで
きる。例えば、熱線型半導体式ガスセンサに順方向電圧
１．２Ｖを印加すると、順方向に約１．５Ａの順方向電
流ＩF が流れる。このとき、ガスセンサの消費電力は約
１８００ｍＷである。加熱モードと測定モードの時間を
例えば１：１とすれば平均消費電力は約９００ｍＷとな
り、消費電力を低減させることができる。更に、ガスセ
ンサの大きさは２端子半導体デバイスの大きさと概ね同
じあるいは若干大きい程度でありであり、焼結体素子半
導体ガスセンサよりも小型化することができる。By switching the heating mode and the measurement mode in a short time, the power consumption of the gas sensor can be reduced as compared with the sintered body element semiconductor gas sensor. For example, when a forward voltage of 1.2 V is applied to the hot wire semiconductor gas sensor, a forward current I F of about 1.5 A flows in the forward direction. At this time, the power consumption of the gas sensor is about 1800 mW. If the time between the heating mode and the measurement mode is set to, for example, 1: 1, the average power consumption becomes about 900 mW, and the power consumption can be reduced. Furthermore, the size of the gas sensor is approximately the same as or slightly larger than the size of the two-terminal semiconductor device, and can be made smaller than the sintered body element semiconductor gas sensor.
【００１７】[0017]
【実施例】図１に一部破断斜視図にて示した熱線型半導
体式ガスセンサ１を作製した。２端子半導体デバイス１
０としてはツェナーダイオードを使用した。金属酸化物
半導体１２として、Ｐｔを１重量％添加したＳｎＯ2 を
使用した。熱線型半導体式ガスセンサ１は、２端子半導
体デバイス１０の両端にリードワイヤ１４を接合し、次
に２端子半導体デバイス１０の表面を覆い更にリードワ
イヤ１４の一部分をも覆うように金属酸化物半導体１２
を所定形状に成形したのち、金属酸化物半導体１２を焼
成することによって作製した。EXAMPLE A hot-wire semiconductor gas sensor 1 shown in a partially cutaway perspective view in FIG. 1 was produced. 2-terminal semiconductor device 1
A Zener diode was used as 0. As the metal oxide semiconductor 12, SnO 2 containing 1% by weight of Pt was used. In the hot-wire semiconductor gas sensor 1, lead wires 14 are bonded to both ends of the two-terminal semiconductor device 10, and then the metal oxide semiconductor 12 is formed so as to cover the surface of the two-terminal semiconductor device 10 and also a part of the lead wire 14.
Was molded into a predetermined shape, and then the metal oxide semiconductor 12 was fired to manufacture.
【００１８】約３００°Ｃに加熱された定常状態のと
き、金属酸化物半導体１２の端子間抵抗値ＲS は、ガス
吸着がない場合には約５．５ｋΩである。そして、１０
０ｐｐｍのエタノールガスを熱線型半導体式ガスセンサ
１に吸着させたとき、金属酸化物半導体１２の端子間抵
抗値は約１．８ｋΩに減少した。抵抗値の減少はガス濃
度に比例するのでガス濃度の測定が可能となる。導通状
態、即ち加熱モードにおける２端子半導体デバイス１０
の端子間抵抗値は数十Ωであり、非導通状態、即ち測定
モードにおける端子間抵抗値ＲDRは数百ｋΩ以上にな
る。２端子半導体デバイス１０と金属酸化物半導体１２
は、図２に示すように並列に接続されている。従って、
２端子半導体デバイス１０が非導通状態（測定モード）
の場合には、
ＲDR 》 ＲS
であり、熱線型半導体式ガスセンサ１の抵抗値Ｒは、金
属酸化物半導体１２の抵抗値にほぼ等しくなる。即ち、
測定モードにおいては、２端子半導体デバイス１０は、
金属酸化物半導体１２から電気的に切り離された状態に
あると見なすことができる。なお、加熱モードの時間を
２０μ秒、測定モードの時間を６５μ秒とした。また、
加熱モードにおいてガスセンサ１に印加する電圧を７．
５Ｖとした。このとき、ガスセンサ１を流れる電流は
０．１５Ａであった。また、測定モードにおいてガスセ
ンサ１に印加する電圧を３Ｖとした。このとき、ガスセ
ンサ１を流れる電流は１５０μＡであった。本発明の熱
線型半導体式ガスセンサは小型であり、しかも加熱モー
ドと測定モードを極めて短時間で切り替えるために、測
定モードのときでも、ガスセンサの温度低下が生じるこ
とがない。従って、高い精度でガス濃度の測定を行うこ
とができる。In the steady state of being heated to about 300 ° C., the resistance value RS between the terminals of the metal oxide semiconductor 12 is about 5.5 kΩ when there is no gas adsorption. And 10
When 0 ppm of ethanol gas was adsorbed on the hot-wire semiconductor gas sensor 1, the resistance value between the terminals of the metal oxide semiconductor 12 was reduced to about 1.8 kΩ. Since the decrease in resistance value is proportional to the gas concentration, the gas concentration can be measured. Two-terminal semiconductor device 10 in conductive state, that is, in heating mode
The resistance value between terminals is several tens Ω, and the resistance value RDR between terminals in the non-conducting state, that is, the measurement mode is several hundreds kΩ or more. Two-terminal semiconductor device 10 and metal oxide semiconductor 12
Are connected in parallel as shown in FIG. Therefore,
2-terminal semiconductor device 10 is in non-conduction state (measurement mode)
In this case, R DR >> R S , and the resistance value R of the hot-wire semiconductor gas sensor 1 becomes substantially equal to the resistance value of the metal oxide semiconductor 12. That is,
In the measurement mode, the two-terminal semiconductor device 10
It can be considered that the metal oxide semiconductor 12 is electrically separated from the metal oxide semiconductor 12. The heating mode time was 20 μsec and the measurement mode time was 65 μsec. Also,
The voltage applied to the gas sensor 1 in the heating mode is set to 7.
It was set to 5V. At this time, the current flowing through the gas sensor 1 was 0.15A. Further, the voltage applied to the gas sensor 1 in the measurement mode was 3V. At this time, the current flowing through the gas sensor 1 was 150 μA. The hot-wire semiconductor gas sensor of the present invention is small, and since the heating mode and the measurement mode are switched in an extremely short time, the temperature of the gas sensor does not drop even in the measurement mode. Therefore, the gas concentration can be measured with high accuracy.
【００１９】図４に、本発明の熱線型半導体式ガスセン
サ１の駆動回路を示した。２端子半導体デバイス１０と
してツェナーダイオードを使用している。尚、熱線型半
導体式ガスセンサのセンサ素子としての金属酸化物半導
体１２の抵抗値測定には直流電源だけでなく交流電源を
使用することもできる。FIG. 4 shows a drive circuit for the hot-wire semiconductor gas sensor 1 of the present invention. A Zener diode is used as the two-terminal semiconductor device 10. Incidentally, not only a DC power supply but also an AC power supply can be used for measuring the resistance value of the metal oxide semiconductor 12 as the sensor element of the hot-wire semiconductor gas sensor.
【００２０】図１においては、熱線型半導体式ガスセン
サ１にリードワイヤ１４を設けたが、熱線型半導体式ガ
スセンサ１をリードレスにすることも可能である。In FIG. 1, the lead wire 14 is provided on the hot-wire semiconductor gas sensor 1, but the hot-wire semiconductor gas sensor 1 may be leadless.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明の熱線型半導体式ガスセンサは、
２端子半導体デバイスを使用することにより小型化を図
れる。しかも、２端子半導体デバイスは加熱モードにお
いては加熱ヒータとして機能し、測定モードにおいては
センサ素子である金属酸化物半導体と電気的に切り離さ
れるので、ガスセンサの消費電力を少なくすることがで
き、電源としてバッテリーの使用が可能であり、携帯可
能なガス濃度測定装置を作製することができる。また、
従来の熱線型半導体式ガスセンサと比較してガス濃度の
測定を高精度で行うことができる。The hot wire semiconductor type gas sensor of the present invention is
Miniaturization can be achieved by using a two-terminal semiconductor device. Moreover, since the two-terminal semiconductor device functions as a heater in the heating mode and is electrically separated from the metal oxide semiconductor that is the sensor element in the measurement mode, the power consumption of the gas sensor can be reduced and the power source of the gas sensor can be reduced. A battery can be used, and a portable gas concentration measuring device can be manufactured. Also,
The gas concentration can be measured with high accuracy as compared with the conventional hot-wire semiconductor gas sensor.
【図１】本発明の熱線型半導体式ガスセンサの一部を破
断した斜視図である。FIG. 1 is a partially cutaway perspective view of a hot-wire semiconductor gas sensor according to the present invention.
【図２】図１に示す本発明のガスセンサの電気回路図で
ある。FIG. 2 is an electric circuit diagram of the gas sensor of the present invention shown in FIG.
【図３】２端子半導体デバイスのダイオード特性の一例
を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of diode characteristics of a two-terminal semiconductor device.
【図４】本発明のガスセンサの駆動回路を例示する回路
図である。FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a drive circuit of the gas sensor of the present invention.
【図５】従来の熱線型半導体式ガスセンサの電気回路図
である。FIG. 5 is an electric circuit diagram of a conventional hot-wire semiconductor gas sensor.
【図６】（Ａ）は従来の焼結体素子半導体ガスセンサを
示す斜視図であり、（Ｂ）はその電気回路図である。FIG. 6A is a perspective view showing a conventional sintered body element semiconductor gas sensor, and FIG. 6B is an electric circuit diagram thereof.
１ 熱線型半導体式ガスセンサ １０ ２端子半導体デバイス １２ 金属酸化物半導体 １４ リードワイヤ ２０ センサ素子 ２２ 貴金属線コイル ２４，２４’ 貴金属線電極 1 Hot wire semiconductor gas sensor 10 2-terminal semiconductor device 12 Metal oxide semiconductors 14 Lead wire 20 sensor elements 22 Noble metal wire coil 24, 24 'precious metal wire electrode
Claims (2)
面に付着させた金属酸化物半導体とから成ることを特徴
とする熱線型半導体式ガスセンサ。1. A hot-wire semiconductor gas sensor, comprising a two-terminal semiconductor device and a metal oxide semiconductor attached to the surface of the device.
ード、ＰＩＮダイオード、ツェナダイオード、発光ダイ
オード、バリスタ、又はサージ吸収素子から成ることを
特徴とする請求項１に記載の熱線型半導体式ガスセン
サ。2. The hot-wire semiconductor gas sensor according to claim 1, wherein the two-terminal semiconductor device comprises a PN junction diode, a PIN diode, a Zener diode, a light emitting diode, a varistor, or a surge absorbing element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20561291A JPH0526834A (en) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | Hot-wire type semiconductor gas sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20561291A JPH0526834A (en) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | Hot-wire type semiconductor gas sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0526834A true JPH0526834A (en) | 1993-02-02 |
Family
ID=16509761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20561291A Pending JPH0526834A (en) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | Hot-wire type semiconductor gas sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0526834A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010223893A (en) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Fuji Electric Systems Co Ltd | Thin-film gas sensor |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP20561291A patent/JPH0526834A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010223893A (en) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Fuji Electric Systems Co Ltd | Thin-film gas sensor |
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