JPH05266977A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
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- JPH05266977A JPH05266977A JP22153192A JP22153192A JPH05266977A JP H05266977 A JPH05266977 A JP H05266977A JP 22153192 A JP22153192 A JP 22153192A JP 22153192 A JP22153192 A JP 22153192A JP H05266977 A JPH05266977 A JP H05266977A
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- JP
- Japan
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- heated
- heating chamber
- turntable
- heating
- irradiation port
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2206/00—Aspects relating to heating by electric, magnetic, or electromagnetic fields covered by group H05B6/00
- H05B2206/04—Heating using microwaves
- H05B2206/044—Microwave heating devices provided with two or more magnetrons or microwave sources of other kind
Landscapes
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
- Electric Ovens (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 容器に収容される液体の被加熱物に対する加
熱、例えば酒のかん、牛乳の暖めなどにおいて、被加熱
物への加熱を均一化する。 【構成】 マグネトロン21から発生するマイクロ波を
加熱室15の底面27に設けた照射口31から照射し、
照射口31上に設置したとっくり32内の液体に対して
加熱を行う。
熱、例えば酒のかん、牛乳の暖めなどにおいて、被加熱
物への加熱を均一化する。 【構成】 マグネトロン21から発生するマイクロ波を
加熱室15の底面27に設けた照射口31から照射し、
照射口31上に設置したとっくり32内の液体に対して
加熱を行う。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、加熱室内に収容され
た被加熱物に対し、マイクロ波を照射して誘電加熱を行
う高周波加熱装置に関する。
た被加熱物に対し、マイクロ波を照射して誘電加熱を行
う高周波加熱装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来この種の高周波加熱装置において、
被加熱物を均一に加熱する手段として、加熱室内の定在
波と被加熱物との位置関係を絶えず変化させて電界分布
を均一にする方式が行なわれている。具体的な方式とし
て、天井に設けた金属ファンを回転させて、マイクロ波
を攪乱するスタラファン方式、被加熱物を回転させなが
ら加熱するターンテーブル方式、電波の放射体であるア
ンテナを回転する回転アンテナ方式等がある。
被加熱物を均一に加熱する手段として、加熱室内の定在
波と被加熱物との位置関係を絶えず変化させて電界分布
を均一にする方式が行なわれている。具体的な方式とし
て、天井に設けた金属ファンを回転させて、マイクロ波
を攪乱するスタラファン方式、被加熱物を回転させなが
ら加熱するターンテーブル方式、電波の放射体であるア
ンテナを回転する回転アンテナ方式等がある。
【0003】図27はターンテーブル方式を例とした高
周波加熱装置を示す。この高周波加熱装置は、加熱室1
の側壁3にマイクロ波発生用のマグネトロン5が設けら
れ、マグネトロン5から発生したマイクロ波は導波管7
を通って側壁3上部の照射口9から加熱室1内に照射さ
れる。照射されたマイクロ波は回転するターンテーブル
11に載置された被加熱物13に達して被加熱物13を
加熱する。
周波加熱装置を示す。この高周波加熱装置は、加熱室1
の側壁3にマイクロ波発生用のマグネトロン5が設けら
れ、マグネトロン5から発生したマイクロ波は導波管7
を通って側壁3上部の照射口9から加熱室1内に照射さ
れる。照射されたマイクロ波は回転するターンテーブル
11に載置された被加熱物13に達して被加熱物13を
加熱する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
従来の高周波加熱装置は、被加熱物13をターンテーブ
ル11とともに回転させることで、上方から放射される
マイクロ波を被加熱物13に対して、均一に照射して加
熱状態を均一化しようとするものであり、固体,半固体
の被加熱物13に対してはほぼ満足する均一性能が得ら
れる。しかし、被加熱物13が容器内に満たされた液体
の場合には、熱対流が加味されて上部と底部とで温度差
が大きくなり、加熱むらが発生する。このため、例えば
図28に示すようなとっくりによる酒のかんや牛乳のあ
たため等ではその差が特に顕著になる。これは、ターン
テーブル方式に限らず、スタラファン方式、回転アンテ
ナ方式でもマイクロ波照射口が上部にあるため、同様で
ある。
従来の高周波加熱装置は、被加熱物13をターンテーブ
ル11とともに回転させることで、上方から放射される
マイクロ波を被加熱物13に対して、均一に照射して加
熱状態を均一化しようとするものであり、固体,半固体
の被加熱物13に対してはほぼ満足する均一性能が得ら
れる。しかし、被加熱物13が容器内に満たされた液体
の場合には、熱対流が加味されて上部と底部とで温度差
が大きくなり、加熱むらが発生する。このため、例えば
図28に示すようなとっくりによる酒のかんや牛乳のあ
たため等ではその差が特に顕著になる。これは、ターン
テーブル方式に限らず、スタラファン方式、回転アンテ
ナ方式でもマイクロ波照射口が上部にあるため、同様で
ある。
【0005】図29は、とっくり内に水を入れ、図28
に示すような〜に示す4点の温度測定点を設けて誘
電加熱中の温度上昇を示した図である。これによれば、
液体上部の昇温速度が底部に比べて速く、その温度差が
大きくなっている。例えば、40℃が酒のかんの適温と
して評価すると、全体が40℃を越えた時点での温度差
が15℃強となっており、この時点でとっくり内の酒を
小わけにした場合、一部は適温だが一部は熱いという結
果になる。
に示すような〜に示す4点の温度測定点を設けて誘
電加熱中の温度上昇を示した図である。これによれば、
液体上部の昇温速度が底部に比べて速く、その温度差が
大きくなっている。例えば、40℃が酒のかんの適温と
して評価すると、全体が40℃を越えた時点での温度差
が15℃強となっており、この時点でとっくり内の酒を
小わけにした場合、一部は適温だが一部は熱いという結
果になる。
【0006】このように、従来の高周波加熱装置による
液体加熱では、液体負荷に顕著な温度差が発生するとい
う問題が生じていた。
液体加熱では、液体負荷に顕著な温度差が発生するとい
う問題が生じていた。
【0007】そこで、この発明は液体負荷でも均一に加
熱できる高周波加熱装置を提供することを目的とする。
熱できる高周波加熱装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
にこの発明は、加熱室内にマイクロ波を照射して加熱室
内に収容された被加熱物を加熱する高周波加熱装置にお
いて、前記マイクロ波を加熱室に照射するための加熱室
に開口する照射口を加熱室の底部付近に設けてなるもの
である。
にこの発明は、加熱室内にマイクロ波を照射して加熱室
内に収容された被加熱物を加熱する高周波加熱装置にお
いて、前記マイクロ波を加熱室に照射するための加熱室
に開口する照射口を加熱室の底部付近に設けてなるもの
である。
【0009】また、この発明は、前記マイクロ波を加熱
室に照射するための加熱室に開口する照射口を加熱室の
底部付近と、加熱室上部とにそれぞれ設け、これらの各
照射口に導波管の一端をそれぞれ接続し、この各導波管
の他端は相互に合流してマグネトロンに接続し、前記各
導波管相互の合流部にマグネトロンから発生するマイク
ロ波を前記2つの照射口いずれか一方に伝播させる切換
手段を設けた構成としてもよい。
室に照射するための加熱室に開口する照射口を加熱室の
底部付近と、加熱室上部とにそれぞれ設け、これらの各
照射口に導波管の一端をそれぞれ接続し、この各導波管
の他端は相互に合流してマグネトロンに接続し、前記各
導波管相互の合流部にマグネトロンから発生するマイク
ロ波を前記2つの照射口いずれか一方に伝播させる切換
手段を設けた構成としてもよい。
【0010】さらに、この発明は、マイクロ波を加熱室
内に照射するための加熱室の底部に設けた照射口と、こ
の照射口上に設けられ前記マイクロ波を透過可能なター
ンテーブルと、このターンテーブル上に載置した被加熱
物を検出する被加熱物検出手段と、この被加熱物検出手
段の検出信号に基づき、前記ターンテーブルを回転させ
て被加熱物を前記照射口上に移動させる制御手段とを有
する構成としてもよい。
内に照射するための加熱室の底部に設けた照射口と、こ
の照射口上に設けられ前記マイクロ波を透過可能なター
ンテーブルと、このターンテーブル上に載置した被加熱
物を検出する被加熱物検出手段と、この被加熱物検出手
段の検出信号に基づき、前記ターンテーブルを回転させ
て被加熱物を前記照射口上に移動させる制御手段とを有
する構成としてもよい。
【0011】
【作用】上記構成によれば、加熱室内の照射口付近の底
部に被加熱物を載置し、この状態でマイクロ波が照射口
から照射されると、被加熱物はその底部付近から加熱さ
れる。このとき、被加熱物が容器に満たされた液体の場
合は、内部の液体に熱対流が発生し、被加熱液体が全体
的に均一加熱される。
部に被加熱物を載置し、この状態でマイクロ波が照射口
から照射されると、被加熱物はその底部付近から加熱さ
れる。このとき、被加熱物が容器に満たされた液体の場
合は、内部の液体に熱対流が発生し、被加熱液体が全体
的に均一加熱される。
【0012】また、マグネトロンから発生するマイクロ
波は、切換手段により加熱室底部の照射口と上部の照射
口とのいずれか一方に伝播し、加熱室内に照射される。
前記切換手段は被加熱物に応じて適宜伝播方向を切換え
る。例えば加熱室底部からのマイクロ波は液体加熱に使
用する。
波は、切換手段により加熱室底部の照射口と上部の照射
口とのいずれか一方に伝播し、加熱室内に照射される。
前記切換手段は被加熱物に応じて適宜伝播方向を切換え
る。例えば加熱室底部からのマイクロ波は液体加熱に使
用する。
【0013】さらに、ターンテーブル上の被加熱物に対
する被加熱物検出手段の検出動作に基づき、被加熱物が
照射口上に位置するようターンテーブルが回転して停止
し、この停止状態でターンテーブルの下部に設けた照射
口からマイクロ波が照射される。このとき、被加熱物が
容器に満たされた液体の場合は、内部の液体に熱対流が
発生し、被加熱液体が全体的に均一加熱される。
する被加熱物検出手段の検出動作に基づき、被加熱物が
照射口上に位置するようターンテーブルが回転して停止
し、この停止状態でターンテーブルの下部に設けた照射
口からマイクロ波が照射される。このとき、被加熱物が
容器に満たされた液体の場合は、内部の液体に熱対流が
発生し、被加熱液体が全体的に均一加熱される。
【0014】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づき説明
する。
する。
【0015】図1は、この発明の第1の実施例を示し、
高周波加熱装置としての電子レンジの図示しないターン
テーブルを取り外した状態の内部構造図である。
高周波加熱装置としての電子レンジの図示しないターン
テーブルを取り外した状態の内部構造図である。
【0016】この電子レンジは加熱室15の側壁17外
部に、マイクロ波を発生する2つのマグネトロン19,
21が設けられている。上部のマグネトロン19には、
側壁17に沿って導波管23が接続され、導波管23の
上端に形成されたマイクロ波の照射口25が側壁17の
上部に位置して加熱室15に開口している。この照射口
25から加熱室15に照射されたマイクロ波は、セット
したターンテーブル上に載置した固体や半固体の被加熱
物を加熱するために用いられる。一方、下部のマグネト
ロン21には、加熱室15の底面27に沿って導波管2
9が接続され、導波管29の先端に形成された照射口3
1が底面27のほぼ中央付近に位置して加熱室15に開
口している。この照射口31から加熱室15に放射され
たマイクロ波は照射口31上に設けたとっくり32など
の液体容器内の被加熱物を加熱するために用いられる。
部に、マイクロ波を発生する2つのマグネトロン19,
21が設けられている。上部のマグネトロン19には、
側壁17に沿って導波管23が接続され、導波管23の
上端に形成されたマイクロ波の照射口25が側壁17の
上部に位置して加熱室15に開口している。この照射口
25から加熱室15に照射されたマイクロ波は、セット
したターンテーブル上に載置した固体や半固体の被加熱
物を加熱するために用いられる。一方、下部のマグネト
ロン21には、加熱室15の底面27に沿って導波管2
9が接続され、導波管29の先端に形成された照射口3
1が底面27のほぼ中央付近に位置して加熱室15に開
口している。この照射口31から加熱室15に放射され
たマイクロ波は照射口31上に設けたとっくり32など
の液体容器内の被加熱物を加熱するために用いられる。
【0017】図2は前記液体加熱専用の照射口31近傍
の拡大された断面図である。固体や半固体を加熱するた
めには、RTモータ33の軸35に図示しないターンテ
ーブルを取付ける。液体の被加熱物を加熱する際には、
ターンテーブルを取り外し図2に示すように照射口31
上にマイクロ波を透過する耐水性の絶縁板37を設置
し、絶縁板37の上に被加熱物である酒を収容したとっ
くり32を載置する。
の拡大された断面図である。固体や半固体を加熱するた
めには、RTモータ33の軸35に図示しないターンテ
ーブルを取付ける。液体の被加熱物を加熱する際には、
ターンテーブルを取り外し図2に示すように照射口31
上にマイクロ波を透過する耐水性の絶縁板37を設置
し、絶縁板37の上に被加熱物である酒を収容したとっ
くり32を載置する。
【0018】液体加熱を行う場合、図2の状態で図示し
ない表示パネル上の液体負荷加熱キーを押す。この時、
マグネトロン19からの、マイクロ波発振は行われず、
マグネトロン21のみからマイクロ波が発振される。こ
れにより、とっくり32の底部でのマイクロ波の吸収が
促進され、とっくり32の内部では底部からの熱対流が
発生し液体負荷全体が均一に加熱される。図3は、第1
の実施例において図28に示すとっくり内の〜の各
測定点における温度変化を示したものである。各部とも
同等な速度で昇温し且つ、均一に加熱されていることが
確認できる。
ない表示パネル上の液体負荷加熱キーを押す。この時、
マグネトロン19からの、マイクロ波発振は行われず、
マグネトロン21のみからマイクロ波が発振される。こ
れにより、とっくり32の底部でのマイクロ波の吸収が
促進され、とっくり32の内部では底部からの熱対流が
発生し液体負荷全体が均一に加熱される。図3は、第1
の実施例において図28に示すとっくり内の〜の各
測定点における温度変化を示したものである。各部とも
同等な速度で昇温し且つ、均一に加熱されていることが
確認できる。
【0019】図4はこの発明の第2の実施例を示す。こ
の実施例は、液体加熱専用のマグネトロン21の導波管
41の照射口43が加熱室15の側壁17の下方に設け
られている。この場合は、液体の被加熱物が収納された
とっくり32をその底部付近の照射口43に密着させた
状態で加熱室15内に設置し、マグネトロン21から発
生したマイクロ波により加熱する。これにより第1の実
施例と同様にとっくり32内部の底部付近からの熱対流
が発生し、均一加熱が可能となる。
の実施例は、液体加熱専用のマグネトロン21の導波管
41の照射口43が加熱室15の側壁17の下方に設け
られている。この場合は、液体の被加熱物が収納された
とっくり32をその底部付近の照射口43に密着させた
状態で加熱室15内に設置し、マグネトロン21から発
生したマイクロ波により加熱する。これにより第1の実
施例と同様にとっくり32内部の底部付近からの熱対流
が発生し、均一加熱が可能となる。
【0020】図5はこの発明の第3の実施例を示す。こ
の実施例は、固体及び半固体用のマグネトロンと液体用
のマグネトロンとを一つのマグネトロン45で、兼用す
るようにしたものである。マグネトロン45に接続され
る導波管47の先端には、マグネトロン45の伝播方向
を、上方に向けて接続される導波管49側と、下方に向
けて接続される導波管51側とに切り換える切換手段と
しての切り換え装置53が設けられている。
の実施例は、固体及び半固体用のマグネトロンと液体用
のマグネトロンとを一つのマグネトロン45で、兼用す
るようにしたものである。マグネトロン45に接続され
る導波管47の先端には、マグネトロン45の伝播方向
を、上方に向けて接続される導波管49側と、下方に向
けて接続される導波管51側とに切り換える切換手段と
しての切り換え装置53が設けられている。
【0021】上方の導波管49の先端には固体・半固体
を加熱するためのマイクロ波が照射される照射口55が
形成され、この照射口55は側壁17の上部に位置して
加熱室15に開口している。下方の導波管51は加熱室
15の下部の導波管57に接続され、この導波管57の
先端に形成された照射口59は加熱室15の底面27の
ほぼ中央に位置して加熱室15に開口している。
を加熱するためのマイクロ波が照射される照射口55が
形成され、この照射口55は側壁17の上部に位置して
加熱室15に開口している。下方の導波管51は加熱室
15の下部の導波管57に接続され、この導波管57の
先端に形成された照射口59は加熱室15の底面27の
ほぼ中央に位置して加熱室15に開口している。
【0022】以上のような構成の高周波加熱装置におい
て、液体加熱を行う場合は、図示しない表示パネル上の
液体負荷加熱キーを押すことによって、マイクロ波発振
が下方の導波管51に伝播するように切り換わり、これ
により、マグネトロン45から発振したマイクロ波は導
波管47から切り換え装置53を経て導波管51,57
に伝播し照射口59から加熱室15内に照射される。こ
のとき、照射口59上に設置したとっくり32は底部か
らマイクロ波の照射を受け、とっくり32の内部では底
部からの熱対流が発生し液体負荷全体が均一に加熱され
る。
て、液体加熱を行う場合は、図示しない表示パネル上の
液体負荷加熱キーを押すことによって、マイクロ波発振
が下方の導波管51に伝播するように切り換わり、これ
により、マグネトロン45から発振したマイクロ波は導
波管47から切り換え装置53を経て導波管51,57
に伝播し照射口59から加熱室15内に照射される。こ
のとき、照射口59上に設置したとっくり32は底部か
らマイクロ波の照射を受け、とっくり32の内部では底
部からの熱対流が発生し液体負荷全体が均一に加熱され
る。
【0023】一方、被加熱物が固体や半固体の場合に
は、切り換え装置53が上方の導波管49に伝播するよ
うに切り換わり、発生したマイクロ波は上方の導波管4
9を経て照射口55から加熱室15に照射され、図示し
ないターンテーブル上の被加熱物を加熱する。
は、切り換え装置53が上方の導波管49に伝播するよ
うに切り換わり、発生したマイクロ波は上方の導波管4
9を経て照射口55から加熱室15に照射され、図示し
ないターンテーブル上の被加熱物を加熱する。
【0024】このように、液体負荷、非液体負荷のいず
れを加熱する場合にも、一つのマグネトロン45で対応
できるので、図示しないマグネトロン駆動電源、マグネ
トロン冷却装置等を収容する機械室の省容積化が可能と
なり、第1の実施例のものに比べ小型・軽量化が図れ
る。
れを加熱する場合にも、一つのマグネトロン45で対応
できるので、図示しないマグネトロン駆動電源、マグネ
トロン冷却装置等を収容する機械室の省容積化が可能と
なり、第1の実施例のものに比べ小型・軽量化が図れ
る。
【0025】図6および図7はこの発明の第4の実施例
を示す。この実施例は、ターンテーブル11を取り外す
ことなく、ターンテーブル11上にとっくり32を設置
した状態で、とっくり32内の液体に対し、均一加熱を
可能にしたものである。
を示す。この実施例は、ターンテーブル11を取り外す
ことなく、ターンテーブル11上にとっくり32を設置
した状態で、とっくり32内の液体に対し、均一加熱を
可能にしたものである。
【0026】この実施例は、ターンテーブル11を上下
に移動させる機構を設け、液体加熱の際にターンテーブ
ル11を下降させることによって、照射口31と被加熱
物との距離を短くし、効率よく液体加熱を行うようにし
ている。尚、この実施例ではマグネトロン19,21,
導波管23,29,照射口25,31などは、前記図1
の第1の実施例と同様である。
に移動させる機構を設け、液体加熱の際にターンテーブ
ル11を下降させることによって、照射口31と被加熱
物との距離を短くし、効率よく液体加熱を行うようにし
ている。尚、この実施例ではマグネトロン19,21,
導波管23,29,照射口25,31などは、前記図1
の第1の実施例と同様である。
【0027】ここで、とっくり32底部でのマイクロ波
吸収を促進するためには、液体加熱専用の照射口31か
らとっくり32底部までの距離が問題となる。
吸収を促進するためには、液体加熱専用の照射口31か
らとっくり32底部までの距離が問題となる。
【0028】図10〜図13に、とっくり32底部と液
体加熱専用の照射口31との垂直方向距離を9mm,1
8mm,24mm,30mmと順次大きくしたときのと
っくり32内の温度分布を示す。図10,図11が示す
ように、とっくり32底部と液体加熱専用照射口31の
垂直方向距離が18mmで、周波数2.45GHzのマ
イクロ波の波長の場合、約1/8波長の距離までは、液
体加熱専用照射口31に直接設置した場合と略同等の効
果が得られる。しかし、図12,図13が示すように、
距離を24mm以上にすると、1/8波長の距離でも顕
著な温度差が発生し、加熱むらが生じる。
体加熱専用の照射口31との垂直方向距離を9mm,1
8mm,24mm,30mmと順次大きくしたときのと
っくり32内の温度分布を示す。図10,図11が示す
ように、とっくり32底部と液体加熱専用照射口31の
垂直方向距離が18mmで、周波数2.45GHzのマ
イクロ波の波長の場合、約1/8波長の距離までは、液
体加熱専用照射口31に直接設置した場合と略同等の効
果が得られる。しかし、図12,図13が示すように、
距離を24mm以上にすると、1/8波長の距離でも顕
著な温度差が発生し、加熱むらが生じる。
【0029】このため、前記ターンテーブル11を上下
に移動させるための機構は、図7に示すようなものとし
て、とっくり32底部と照射口31との距離を18mm
以下となるようにしている。この機構は、ターンテーブ
ル11をターンテーブル支え61とともに回転させるR
Tモータ33の下部に設けられ、RTモータ33をター
ンテーブル11とともに昇降させるカム63と、カム6
3を回転させるモータ65とにより構成される。RTモ
ータ33の軸35の周囲には、周方向等間隔に3つの突
起67が設けられ、この3つの突起67に対応してター
ンテーブル支え61には図8に示すように、3つの開口
部69が形成されている。また、図9に示すように、軸
35の上端には切欠71が形成され、この切欠71がタ
ーンテーブル11に係合して取付けられた状態で、3つ
の突起67と3つの開口69中心との相対的な位置関係
が常に同じになるようになっている。
に移動させるための機構は、図7に示すようなものとし
て、とっくり32底部と照射口31との距離を18mm
以下となるようにしている。この機構は、ターンテーブ
ル11をターンテーブル支え61とともに回転させるR
Tモータ33の下部に設けられ、RTモータ33をター
ンテーブル11とともに昇降させるカム63と、カム6
3を回転させるモータ65とにより構成される。RTモ
ータ33の軸35の周囲には、周方向等間隔に3つの突
起67が設けられ、この3つの突起67に対応してター
ンテーブル支え61には図8に示すように、3つの開口
部69が形成されている。また、図9に示すように、軸
35の上端には切欠71が形成され、この切欠71がタ
ーンテーブル11に係合して取付けられた状態で、3つ
の突起67と3つの開口69中心との相対的な位置関係
が常に同じになるようになっている。
【0030】軸35の側方には突起67を検出するセン
サ73が設置され、センサ73がいずれかの突起67を
検出したとき、いずれかの開口部69が照射口31に整
合するようになっている。センサ73の検出信号はモー
タの制御回路75に入力され、センサ73が突起67を
検出したときモータの制御回路75はRTモータ33の
回転を停止させる。
サ73が設置され、センサ73がいずれかの突起67を
検出したとき、いずれかの開口部69が照射口31に整
合するようになっている。センサ73の検出信号はモー
タの制御回路75に入力され、センサ73が突起67を
検出したときモータの制御回路75はRTモータ33の
回転を停止させる。
【0031】ターンテーブル11を回転させた状態で行
う加熱では、加熱終了直前にセンサ73がいずれかの突
起67を検出しその時点でターンテーブル11の回転を
止め、照射口31といずれかの開口部69とを整合させ
て、液体加熱に備える。液体加熱を行う際に、被加熱物
を所定の位置に載置しやすいように加熱室15の天井部
分には照射口31に向けてスポット状の光を照射する投
光器77が設けられている。
う加熱では、加熱終了直前にセンサ73がいずれかの突
起67を検出しその時点でターンテーブル11の回転を
止め、照射口31といずれかの開口部69とを整合させ
て、液体加熱に備える。液体加熱を行う際に、被加熱物
を所定の位置に載置しやすいように加熱室15の天井部
分には照射口31に向けてスポット状の光を照射する投
光器77が設けられている。
【0032】以上のような構成のもとで、液体負荷に対
する加熱を説明する。
する加熱を説明する。
【0033】投光器77から照射されたスポット光によ
り指示された負荷設置領域に図示しないとっくりを設置
した後、図示しない表示パネル上の液体負荷専用の加熱
キーを押す。この液体加熱専用照射口31からとっくり
32の底部までの距離が、前述した18mm以内で、照
射マイクロ波の波長で1/8波長以内になるようにカム
63を回転させ、ターンテーブル11を下げる。その
後、液体加熱専用照射口31のみから照射されたマイク
ロ波は、照射口31と整合しているターンテーブル支え
61の開口部69からターンテーブル11を透過してと
っくり32の底部に吸収される。このとき、液体加熱専
用照射口31上に常にターンテーブル支え61の開口部
69があるため、マイクロ波がターンテーブル支え61
によって反射されることはない。
り指示された負荷設置領域に図示しないとっくりを設置
した後、図示しない表示パネル上の液体負荷専用の加熱
キーを押す。この液体加熱専用照射口31からとっくり
32の底部までの距離が、前述した18mm以内で、照
射マイクロ波の波長で1/8波長以内になるようにカム
63を回転させ、ターンテーブル11を下げる。その
後、液体加熱専用照射口31のみから照射されたマイク
ロ波は、照射口31と整合しているターンテーブル支え
61の開口部69からターンテーブル11を透過してと
っくり32の底部に吸収される。このとき、液体加熱専
用照射口31上に常にターンテーブル支え61の開口部
69があるため、マイクロ波がターンテーブル支え61
によって反射されることはない。
【0034】図14〜図16はこの発明の第5の実施例
を示す。この実施例は、前記第4の実施例に対し、ター
ンテーブル11を下げる操作なしに、液体加熱専用照射
口31からのマイクロ波を効率的にとっくり32底部に
照射させるようにしたものである。この実施例は図15
に示すように、ターンテーブル支え61の1つの開口部
69の下部に円筒形状の金属79を取り付け、この円筒
金属79を設けた開口部69に対応してRTモータ軸3
5の周囲に1つの突起67を形成してある。また、導波
管29の照射口31上には金属79と同径の円筒管81
を形成してある。突起67を検出するセンサ73の検出
信号は、モータの制御回路75に入力され、モータの制
御回路75はセンサ73が突起67を検出した時点で、
液体加熱専用照射口31上に常にターンテーブル支え6
1中の円筒状金属79が位置するようにRTモータ33
の回転を制御する。
を示す。この実施例は、前記第4の実施例に対し、ター
ンテーブル11を下げる操作なしに、液体加熱専用照射
口31からのマイクロ波を効率的にとっくり32底部に
照射させるようにしたものである。この実施例は図15
に示すように、ターンテーブル支え61の1つの開口部
69の下部に円筒形状の金属79を取り付け、この円筒
金属79を設けた開口部69に対応してRTモータ軸3
5の周囲に1つの突起67を形成してある。また、導波
管29の照射口31上には金属79と同径の円筒管81
を形成してある。突起67を検出するセンサ73の検出
信号は、モータの制御回路75に入力され、モータの制
御回路75はセンサ73が突起67を検出した時点で、
液体加熱専用照射口31上に常にターンテーブル支え6
1中の円筒状金属79が位置するようにRTモータ33
の回転を制御する。
【0035】このような構成の高周波加熱装置によれ
ば、投光器77から照射されたスポット光により指示さ
れた負荷設置領域に図示しないとっくりを設置した後、
図示しない表示パネル上の液体負荷専用加熱キーを押す
と、導波管29を経て液体加熱専用照射口31から円筒
状をした金属79内をマイクロ波が伝播して図示しない
とっくりの底部に吸収されるマイクロ波の吸収が促進さ
れる。この場合、金属79内をマイクロ波が閉じ込めら
れるので、とっくり底部でのマイクロ波の吸収が効率的
になされる。また、ターンテーブル11を上下させる機
構がないので第4の実施例に比べて機構が簡素化され
る。
ば、投光器77から照射されたスポット光により指示さ
れた負荷設置領域に図示しないとっくりを設置した後、
図示しない表示パネル上の液体負荷専用加熱キーを押す
と、導波管29を経て液体加熱専用照射口31から円筒
状をした金属79内をマイクロ波が伝播して図示しない
とっくりの底部に吸収されるマイクロ波の吸収が促進さ
れる。この場合、金属79内をマイクロ波が閉じ込めら
れるので、とっくり底部でのマイクロ波の吸収が効率的
になされる。また、ターンテーブル11を上下させる機
構がないので第4の実施例に比べて機構が簡素化され
る。
【0036】図17〜図25はこの発明の第6の実施例
を示す。この実施例は、前記図6に示した第4の実施例
と同様に、ターンテーブル11を取り外すことなく、と
っくり32内の液体に対して均一加熱が可能で、しかも
とっくり32をターンテーブル11上における照射口3
1上にあえて載置しなくても、とっくり32を検出して
照射口31まで移動させるべくターンテーブル11を回
転させるようにしたものである。ここでのターンテーブ
ル11およびターンテーブル支え61は、マイクロ波を
透過可能な材料で構成してある。
を示す。この実施例は、前記図6に示した第4の実施例
と同様に、ターンテーブル11を取り外すことなく、と
っくり32内の液体に対して均一加熱が可能で、しかも
とっくり32をターンテーブル11上における照射口3
1上にあえて載置しなくても、とっくり32を検出して
照射口31まで移動させるべくターンテーブル11を回
転させるようにしたものである。ここでのターンテーブ
ル11およびターンテーブル支え61は、マイクロ波を
透過可能な材料で構成してある。
【0037】この場合の下部のマグネトロン21は、側
壁17における電子レンジ本体の前面近傍に配置され、
これとともに下部側の導波管29も前面側に沿って設け
られ、その照射口31はターンテーブル11の回転中心
となる軸35近傍からターンテーブル11の外周縁部付
近まで半径方向に沿って延長される長方形状を呈してい
る。
壁17における電子レンジ本体の前面近傍に配置され、
これとともに下部側の導波管29も前面側に沿って設け
られ、その照射口31はターンテーブル11の回転中心
となる軸35近傍からターンテーブル11の外周縁部付
近まで半径方向に沿って延長される長方形状を呈してい
る。
【0038】図18は、図17の照射口31近傍におけ
るA−A線に沿う拡大された断面及び制御回路構成を示
す説明図である。ターンテーブル11がターンテーブル
支え61とともに取付けられる軸35は、RTモータ3
3によって回転駆動され、RTモータ33は制御手段と
してのモータ制御回路81によって回転制御される。モ
ータ制御回路81は、図示しない表示パネル上の固体あ
るいは半固体の被加熱物用の加熱キーが押されること
で、上部側の照射口25からのマイクロ波照射による加
熱中にRTモータ33を回転させる制御を行うほか、
「酒のかん」や「牛乳のあたため」などの液体負荷加熱
キーが押されることで、ターンテーブル11上に載置さ
れた液体負荷となるとっくり32の載置位置を検出する
被加熱物検出手段としての光学センサ85の検出信号の
入力を受けて、とっくり32を照射口31上まで移動さ
せるべくRTモータ33を回転させる制御を行う。照射
口31からの加熱室15内へのマイクロ波の照射は、と
っくり32が照射口31上まで移動し停止した状態で行
われる。
るA−A線に沿う拡大された断面及び制御回路構成を示
す説明図である。ターンテーブル11がターンテーブル
支え61とともに取付けられる軸35は、RTモータ3
3によって回転駆動され、RTモータ33は制御手段と
してのモータ制御回路81によって回転制御される。モ
ータ制御回路81は、図示しない表示パネル上の固体あ
るいは半固体の被加熱物用の加熱キーが押されること
で、上部側の照射口25からのマイクロ波照射による加
熱中にRTモータ33を回転させる制御を行うほか、
「酒のかん」や「牛乳のあたため」などの液体負荷加熱
キーが押されることで、ターンテーブル11上に載置さ
れた液体負荷となるとっくり32の載置位置を検出する
被加熱物検出手段としての光学センサ85の検出信号の
入力を受けて、とっくり32を照射口31上まで移動さ
せるべくRTモータ33を回転させる制御を行う。照射
口31からの加熱室15内へのマイクロ波の照射は、と
っくり32が照射口31上まで移動し停止した状態で行
われる。
【0039】図19は、光学センサ85の配置例を示す
平面図で、光学センサ85を透過型としたものである。
この透過型の光学センサ85は、近赤外線領域に放射強
度のピークを有するLED87と、可視光線領域から近
赤外線領域に波長感度のピークを有するフォトトランジ
スタ89とから構成され、これらは照射口31の長手方
向に対して光軸がほぼ直角となるよう加熱室15の左右
両側壁90の外部に相互に対向するよう配置されてい
る。左右両側壁90には、LED87からの光が通過す
る孔90aが形成されている。
平面図で、光学センサ85を透過型としたものである。
この透過型の光学センサ85は、近赤外線領域に放射強
度のピークを有するLED87と、可視光線領域から近
赤外線領域に波長感度のピークを有するフォトトランジ
スタ89とから構成され、これらは照射口31の長手方
向に対して光軸がほぼ直角となるよう加熱室15の左右
両側壁90の外部に相互に対向するよう配置されてい
る。左右両側壁90には、LED87からの光が通過す
る孔90aが形成されている。
【0040】透過型光学センサ85の回路図を図20に
示す。同図(a)は発光側で、駆動電流が供給されるト
ランジスタ91および抵抗92を有する。同図(b)は
受光側で、フォトトランジスタ89により発生する電流
による信号を反転して出力するノット回路93および抵
抗95,97,コンデンサ99を有する。この場合、L
ED87から発せられた光がフォトトランジスタ89に
到達する前に、被加熱物により遮られた場合と、遮られ
ない場合とで、増幅器99からの出力が異なることを利
用して、LED87とフォトトランジスタ89とを結ぶ
光軸上に被加熱物が有るか無いかを検出できる。LED
87に対しては、数10〜数100μsec の期間(ここ
では150μsec )だけ電流を流し発光させ、発光する
周期は数100Hz以下の遅い周期で用いるのがよい。
LED87に流す電流量は、加熱室15の大きさによる
が、数100mAが適当である。
示す。同図(a)は発光側で、駆動電流が供給されるト
ランジスタ91および抵抗92を有する。同図(b)は
受光側で、フォトトランジスタ89により発生する電流
による信号を反転して出力するノット回路93および抵
抗95,97,コンデンサ99を有する。この場合、L
ED87から発せられた光がフォトトランジスタ89に
到達する前に、被加熱物により遮られた場合と、遮られ
ない場合とで、増幅器99からの出力が異なることを利
用して、LED87とフォトトランジスタ89とを結ぶ
光軸上に被加熱物が有るか無いかを検出できる。LED
87に対しては、数10〜数100μsec の期間(ここ
では150μsec )だけ電流を流し発光させ、発光する
周期は数100Hz以下の遅い周期で用いるのがよい。
LED87に流す電流量は、加熱室15の大きさによる
が、数100mAが適当である。
【0041】図21は、LED87とフォトトランジス
タ89とを結ぶ光軸が、照射口31の長手方向に対して
傾斜するように設けた例である。
タ89とを結ぶ光軸が、照射口31の長手方向に対して
傾斜するように設けた例である。
【0042】図22は、光学センサ85を反射型とした
場合の光学センサ85の配置例を示す平面図である。こ
の反射型の光学センサ85は、透過型のものと同様に、
近赤外線領域に放射強度のピークを有するLED101
と、可視光線領域から近赤外線領域に波長感度のピーク
を有するフォトトランジスタ103とから構成され、こ
れらは発光面と受光面とが同じ向きとなるよう同一の樹
脂ケース105に相互に並列配置され収納された状態
で、加熱室15の後面側の壁107の外部に設置されて
いる。
場合の光学センサ85の配置例を示す平面図である。こ
の反射型の光学センサ85は、透過型のものと同様に、
近赤外線領域に放射強度のピークを有するLED101
と、可視光線領域から近赤外線領域に波長感度のピーク
を有するフォトトランジスタ103とから構成され、こ
れらは発光面と受光面とが同じ向きとなるよう同一の樹
脂ケース105に相互に並列配置され収納された状態
で、加熱室15の後面側の壁107の外部に設置されて
いる。
【0043】図23は、反射型光学センサ85の設置例
の詳細を示している。樹脂ケース105に収納されたL
ED101およびフォトトランジスタ103は、回路基
板109に実装されており、加熱室15の壁107に設
けた孔107aとLED101の光軸とが整合し、かつ
加熱室15の壁107に設けた孔107bとフォトトラ
ンジスタ103の光軸とが整合するよう設置されてい
る。
の詳細を示している。樹脂ケース105に収納されたL
ED101およびフォトトランジスタ103は、回路基
板109に実装されており、加熱室15の壁107に設
けた孔107aとLED101の光軸とが整合し、かつ
加熱室15の壁107に設けた孔107bとフォトトラ
ンジスタ103の光軸とが整合するよう設置されてい
る。
【0044】反射型光学センサ85の回路図を図24に
示す。同図(a)は発光側で、電流が供給されるトラン
ジスタ111および抵抗113を有する。同図(b)は
受光側で、抵抗115,117およびコンデンサ11
9,121を有する。この場合、LED101から発せ
られた光が、被加熱物の表面で反射してフォトトランジ
スタ103に到達した場合と、到達しなかった場合とで
図24(b)の回路の出力が異なることを利用して、L
ED101の光軸とフォトトランジスタ103の光軸と
に挟まれた領域の近傍に被加熱物が有るか無いかを検出
できる。LED101に流す電流の期間(ここでは30
0μsec ),電流量及び発光周期は、透過型とほぼ同様
である。
示す。同図(a)は発光側で、電流が供給されるトラン
ジスタ111および抵抗113を有する。同図(b)は
受光側で、抵抗115,117およびコンデンサ11
9,121を有する。この場合、LED101から発せ
られた光が、被加熱物の表面で反射してフォトトランジ
スタ103に到達した場合と、到達しなかった場合とで
図24(b)の回路の出力が異なることを利用して、L
ED101の光軸とフォトトランジスタ103の光軸と
に挟まれた領域の近傍に被加熱物が有るか無いかを検出
できる。LED101に流す電流の期間(ここでは30
0μsec ),電流量及び発光周期は、透過型とほぼ同様
である。
【0045】以上のような構成の高周波加熱装置におい
て、とっくり32を、例えば図25(a)のように、照
射口31に対しターンテーブル11の回転方向(矢印B
方向)後方側に45度ずれた位置に載置し、液体加熱を
行う場合には、載置後、図示しない表示パネル上の液体
負荷加熱キーを押す。このキー操作により光学センサ8
5が作動するとともに、モータ制御回路83はこの光学
センサ85の検出出力に基づいてRTモータ33を動作
させ、ターンテーブル11を矢印B方向に回転させる。
ターンテーブル11の回転により、とっくり32が図2
5(b)のように照射口31上に位置すると、光学セン
サ85の出力が増大する。更に、回転を続行し、とっく
り32が図25(c)のように光学センサ85に対して
最も近い位置になると、光学センサ85の出力が最も大
きくなる。このようにターンテーブル11を1周回すこ
とにより、図25(d)に示す光学センサ85の出力パ
ターンが得られる。したがって、2個の極大値と回転角
との関係が分かるので、引き続きターンテーブル11を
回転させ、光学センサ85で小さい分の極大値付近の出
力が得られる位置に制御回路83はRTモータ33を停
止させる。この状態でマグネトロン21からマイクロ波
が発振される。このとき、上部側のマグネトロン19か
らはマイクロ波の発振は行われない。
て、とっくり32を、例えば図25(a)のように、照
射口31に対しターンテーブル11の回転方向(矢印B
方向)後方側に45度ずれた位置に載置し、液体加熱を
行う場合には、載置後、図示しない表示パネル上の液体
負荷加熱キーを押す。このキー操作により光学センサ8
5が作動するとともに、モータ制御回路83はこの光学
センサ85の検出出力に基づいてRTモータ33を動作
させ、ターンテーブル11を矢印B方向に回転させる。
ターンテーブル11の回転により、とっくり32が図2
5(b)のように照射口31上に位置すると、光学セン
サ85の出力が増大する。更に、回転を続行し、とっく
り32が図25(c)のように光学センサ85に対して
最も近い位置になると、光学センサ85の出力が最も大
きくなる。このようにターンテーブル11を1周回すこ
とにより、図25(d)に示す光学センサ85の出力パ
ターンが得られる。したがって、2個の極大値と回転角
との関係が分かるので、引き続きターンテーブル11を
回転させ、光学センサ85で小さい分の極大値付近の出
力が得られる位置に制御回路83はRTモータ33を停
止させる。この状態でマグネトロン21からマイクロ波
が発振される。このとき、上部側のマグネトロン19か
らはマイクロ波の発振は行われない。
【0046】マグネトロン21から発振されたマイクロ
波は、導波管29を経て照射口31から、とっくり32
の底部に向けて照射される。これにより、とっくり32
底部でのマイクロ波の吸収が促進され、とっくり32の
内部では底部からの熱対流が発生し、液体負荷全体が均
一に加熱される。この結果、図28に示すとっくりの各
測定点での温度分布は、前記図11と同様の結果が得ら
れ、ほぼ均一化する。とっくり32を載置する位置は、
ターンテーブル11の回転軌跡上に照射口31が存在す
る位置であればどこであっても、光学センサ85の検出
出力によってとっくり32を照射口31上に移動させる
ことができる。これにより、使用者はとっくり32をタ
ーンテーブル11上の特定位置に載置する必要がなく、
操作性が向上する。
波は、導波管29を経て照射口31から、とっくり32
の底部に向けて照射される。これにより、とっくり32
底部でのマイクロ波の吸収が促進され、とっくり32の
内部では底部からの熱対流が発生し、液体負荷全体が均
一に加熱される。この結果、図28に示すとっくりの各
測定点での温度分布は、前記図11と同様の結果が得ら
れ、ほぼ均一化する。とっくり32を載置する位置は、
ターンテーブル11の回転軌跡上に照射口31が存在す
る位置であればどこであっても、光学センサ85の検出
出力によってとっくり32を照射口31上に移動させる
ことができる。これにより、使用者はとっくり32をタ
ーンテーブル11上の特定位置に載置する必要がなく、
操作性が向上する。
【0047】図26は、この発明の第7の実施例を示し
ている。この実施例は、図17の第6の実施例に対し、
図5の第3の実施例のように、固体及び半固体用のマグ
ネトロンと液体用のマグネトロンとを一つのマグネトロ
ン45で兼用する構成を付加したものである。
ている。この実施例は、図17の第6の実施例に対し、
図5の第3の実施例のように、固体及び半固体用のマグ
ネトロンと液体用のマグネトロンとを一つのマグネトロ
ン45で兼用する構成を付加したものである。
【0048】尚、この実施例及び前記図5の第3の実施
例に示したマグネトロンを一つにする技術は、前記図
4,図6及び図14に示した第2,第4及び第5の各実
施例にも適用可能である。
例に示したマグネトロンを一つにする技術は、前記図
4,図6及び図14に示した第2,第4及び第5の各実
施例にも適用可能である。
【0049】
【発明の効果】以上説明してきたようにこの発明によれ
ば、加熱室の底部付近に設けた照射口からマイクロ波を
加熱室に設けて照射するようにしたため、照射口付近の
加熱室内に収容した液体の被加熱物は、底部付近からの
熱対流によって均一に加熱することができる。
ば、加熱室の底部付近に設けた照射口からマイクロ波を
加熱室に設けて照射するようにしたため、照射口付近の
加熱室内に収容した液体の被加熱物は、底部付近からの
熱対流によって均一に加熱することができる。
【0050】また、マイクロ波の伝播方向を切換える切
換手段を設けることで、液体負荷、非液体負荷のいずれ
を加熱する場合にも、一つのマグネトロンで対応できる
ので、液体、非液体についてそれぞれマグネトロンを設
ける場合に比べてマグネトロン駆動電源、マグネトロン
冷却装置等を収容する機械室の省容積化が可能となり、
小型・軽量化が図れる。
換手段を設けることで、液体負荷、非液体負荷のいずれ
を加熱する場合にも、一つのマグネトロンで対応できる
ので、液体、非液体についてそれぞれマグネトロンを設
ける場合に比べてマグネトロン駆動電源、マグネトロン
冷却装置等を収容する機械室の省容積化が可能となり、
小型・軽量化が図れる。
【0051】さらに、ターンテーブル上に載置した被加
熱物を検出する被加熱物検出手段の検出信号に基づき、
ターンテーブルを回転させて被加熱物を照射口上に移動
させるようにしたため、液体の被加熱物をターンテーブ
ル上の特定位置に載置することなく、加熱室底部の照射
口からのマイクロ波により、底部付近からの熱対流によ
って均一に加熱することができる。
熱物を検出する被加熱物検出手段の検出信号に基づき、
ターンテーブルを回転させて被加熱物を照射口上に移動
させるようにしたため、液体の被加熱物をターンテーブ
ル上の特定位置に載置することなく、加熱室底部の照射
口からのマイクロ波により、底部付近からの熱対流によ
って均一に加熱することができる。
【図1】この発明の第1の実施例を示す高周波加熱装置
の内部構造図である。
の内部構造図である。
【図2】図1の要部の拡大された断面図である。
【図3】図1の高周波加熱装置によるとっくり内各部の
温度特性図である。
温度特性図である。
【図4】この発明の第2の実施例を示す高周波加熱装置
の内部構造図である。
の内部構造図である。
【図5】この発明の第3の実施例を示す高周波加熱装置
の内部構造図である。
の内部構造図である。
【図6】この発明の第4の実施例を示す高周波加熱装置
の内部構造図である。
の内部構造図である。
【図7】図6の要部の拡大された断面図である。
【図8】図6の装置に使用されるターンテーブル支えの
斜視図である。
斜視図である。
【図9】図7の装置に使用されるモータの上面図であ
る。
る。
【図10】マイクロ波照射口とターンテーブルとの距離
が9mmとした場合の被加熱物の各部の温度特性図であ
る。
が9mmとした場合の被加熱物の各部の温度特性図であ
る。
【図11】マイクロ波照射口とターンテーブルとの距離
が18mmとした場合の被加熱物の各部の温度特性図で
ある。
が18mmとした場合の被加熱物の各部の温度特性図で
ある。
【図12】マイクロ波照射口とターンテーブルとの距離
が24mmとした場合の被加熱物の各部の温度特性図で
ある。
が24mmとした場合の被加熱物の各部の温度特性図で
ある。
【図13】マイクロ波照射口とターンテーブルとの距離
が30mmとした場合の被加熱物の各部の温度特性図で
ある。
が30mmとした場合の被加熱物の各部の温度特性図で
ある。
【図14】この発明の第5の実施例を示す高周波加熱装
置の内部構造図である。
置の内部構造図である。
【図15】図14の要部の拡大された断面図である。
【図16】図14の装置に使用されるターンテーブル支
えの斜視図である。
えの斜視図である。
【図17】この発明の第6の実施例を示す高周波加熱装
置の内部構造図である。
置の内部構造図である。
【図18】図17の要部の拡大された断面図である。
【図19】図17の高周波加熱装置における透過型光学
センサの設置例を示す平面図である。
センサの設置例を示す平面図である。
【図20】図17の高周波加熱装置における透過型光学
センサの回路図である。
センサの回路図である。
【図21】図17の高周波加熱装置における光学センサ
の他の設置例を示す平面図である。
の他の設置例を示す平面図である。
【図22】図17の高周波加熱装置における反射型光学
センサの設置例を示す平面図である。
センサの設置例を示す平面図である。
【図23】反射型光学センサの設置例を示す詳細図であ
る。
る。
【図24】図17の高周波加熱装置における反射型光学
センサの回路図である。
センサの回路図である。
【図25】図17の高周波加熱装置における動作説明図
である。
である。
【図26】この発明の第7の実施例を示す高周波加熱装
置の内部構造図である。
置の内部構造図である。
【図27】従来の高周波加熱装置を示す内部構造図であ
る。
る。
【図28】とっくり内液体の温度測定部を示す説明図で
ある。
ある。
【図29】従来の高周波加熱装置によるとっくり内各部
の温度特性図である。
の温度特性図である。
11 ターンテーブル 15 加熱室 31,43,59 照射口 32 とっくり(被加熱物) 45 マグネトロン 49,51 導波管 53 切り換え装置(切換手段) 83 モータ制御回路(制御手段) 85 光学センサ(被加熱物検出手段)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中川 達也 東京都港区新橋3丁目3番9号 東芝エ ー・ブイ・イー株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】 加熱室内にマイクロ波を照射して加熱室
内に収容された被加熱物を加熱する高周波加熱装置にお
いて、前記マイクロ波を加熱室に照射するための加熱室
に開口する照射口を加熱室の底部付近に設けたことを特
徴とする高周波加熱装置。 - 【請求項2】 加熱室内にマイクロ波を照射して加熱室
内に収容された被加熱物を加熱する高周波加熱装置にお
いて、前記マイクロ波を加熱室に照射するための加熱室
に開口する照射口を加熱室の底部付近と、加熱室上部と
にそれぞれ設け、これらの各照射口に導波管の一端をそ
れぞれ接続し、この各導波管の他端は相互に合流してマ
グネトロンに接続し、前記各導波管相互の合流部にマグ
ネトロンから発生するマイクロ波を前記2つの照射口い
ずれか一方に伝播させる切換手段を設けたことを特徴と
する高周波加熱装置。 - 【請求項3】 マイクロ波を加熱室内に照射するための
加熱室の底部に設けた照射口と、この照射口上に設けら
れ前記マイクロ波を透過可能なターンテーブルと、この
ターンテーブル上に載置した被加熱物を検出する被加熱
物検出手段と、この被加熱物検出手段の検出信号に基づ
き、前記ターンテーブルを回転させて被加熱物を前記照
射口上に移動させる制御手段とを有することを特徴とす
る高周波加熱装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/006,310 US5451751A (en) | 1992-01-23 | 1993-01-22 | High-frequency heating apparatus with wave guide switching means and selective power switching means for magnetron |
FR9300663A FR2686684B1 (fr) | 1992-01-23 | 1993-01-22 | Appareil de chauffage a hautes frequences. |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP993592 | 1992-01-23 | ||
JP4-9935 | 1992-01-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05266977A true JPH05266977A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=11733890
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22153192A Pending JPH05266977A (ja) | 1992-01-23 | 1992-08-20 | 高周波加熱装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05266977A (ja) |
KR (1) | KR100234815B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1096218C (zh) * | 1993-11-15 | 2002-12-11 | 株式会社东芝 | 高频加热装置 |
-
1992
- 1992-08-20 JP JP22153192A patent/JPH05266977A/ja active Pending
-
1993
- 1993-01-25 KR KR1019930000957A patent/KR100234815B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1096218C (zh) * | 1993-11-15 | 2002-12-11 | 株式会社东芝 | 高频加热装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100234815B1 (ko) | 1999-12-15 |
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