JPH05264383A - 電気容量型シリコン圧力センサ - Google Patents
電気容量型シリコン圧力センサInfo
- Publication number
- JPH05264383A JPH05264383A JP9006792A JP9006792A JPH05264383A JP H05264383 A JPH05264383 A JP H05264383A JP 9006792 A JP9006792 A JP 9006792A JP 9006792 A JP9006792 A JP 9006792A JP H05264383 A JPH05264383 A JP H05264383A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- electrode
- silicon
- pressure sensor
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低コストで製造可能な新規な電気容量型シリ
コン圧力センサの構造を提供する。 【構成】 シリコン基板の一方の面に酸化シリコン膜
を、その上に第一の電極を設け、この電極上に第一の絶
縁性多結晶シリコン薄膜を、又更にその上に周縁部で接
しかつ中央部で離間して平板状の空間を形成するように
第二の絶縁性多結晶シリコン薄膜を設け、該第二の薄膜
上に第二の電極を形成した構造。
コン圧力センサの構造を提供する。 【構成】 シリコン基板の一方の面に酸化シリコン膜
を、その上に第一の電極を設け、この電極上に第一の絶
縁性多結晶シリコン薄膜を、又更にその上に周縁部で接
しかつ中央部で離間して平板状の空間を形成するように
第二の絶縁性多結晶シリコン薄膜を設け、該第二の薄膜
上に第二の電極を形成した構造。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気容量型シリコン圧力
センサの構造の改善に関するものである。
センサの構造の改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコンを用いた圧力センサには、ピエ
ゾ抵抗効果によるものと、電気容量変化を利用した方式
の２通りあるが、前者は使用温度により出力が変化する
ため、そのような欠点のない後者の電気容量型が注目さ
れている。
ゾ抵抗効果によるものと、電気容量変化を利用した方式
の２通りあるが、前者は使用温度により出力が変化する
ため、そのような欠点のない後者の電気容量型が注目さ
れている。
【０００３】電気容量型圧力センサとは、２枚の電極を
ダイアフラムを介して配置し、圧力がダイアフラムに加
わると電極間隔が縮少し、この極間距離の変化を電気容
量の変化として検知するものである。その代表的な構造
はガラス基板とシリコン製ダイアフラムとを貼り合せた
もので、ガラス基板側に窪みを設けてその底部に電極を
形成し、一方、ダイアフラムの凹部内側に電極を設け、
これらの電極がある距離をおいて対向するようにされて
いる。
ダイアフラムを介して配置し、圧力がダイアフラムに加
わると電極間隔が縮少し、この極間距離の変化を電気容
量の変化として検知するものである。その代表的な構造
はガラス基板とシリコン製ダイアフラムとを貼り合せた
もので、ガラス基板側に窪みを設けてその底部に電極を
形成し、一方、ダイアフラムの凹部内側に電極を設け、
これらの電極がある距離をおいて対向するようにされて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構造は製作に大変手間がかかり、コスト高が避けら
れない。本発明の目的は低コストで製造可能な新規な電
気容量型シリコン圧力センサの構造を提供することにあ
る。
うな構造は製作に大変手間がかかり、コスト高が避けら
れない。本発明の目的は低コストで製造可能な新規な電
気容量型シリコン圧力センサの構造を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の圧力センサは、シリコン基板の一方の面に設け
た酸化シリコン膜上に第一の電極を有し、該第一の電極
上に第一の絶縁性多結晶シリコン薄膜を設け、該第一の
薄膜上に該膜と周縁部で接しかつ中央部で離間して平板
状の空間を形成するように第二の絶縁性多結晶シリコン
薄膜を設け、該第二の薄膜上に第二の電極を形成した点
に特徴がある。
本発明の圧力センサは、シリコン基板の一方の面に設け
た酸化シリコン膜上に第一の電極を有し、該第一の電極
上に第一の絶縁性多結晶シリコン薄膜を設け、該第一の
薄膜上に該膜と周縁部で接しかつ中央部で離間して平板
状の空間を形成するように第二の絶縁性多結晶シリコン
薄膜を設け、該第二の薄膜上に第二の電極を形成した点
に特徴がある。
【０００６】
【作用】本発明において基板にシリコンを用いるので、
表面を酸化すれば容易に絶縁性の酸化シリコン膜が得ら
れる。この酸化膜上に先ず第一の電極が設けられる。こ
の電極はＡｌ，Ｎｉ，Ａｕ等の金属が一般に使用できる
が、不純物を導入して導電性とした多結晶シリコン薄膜
であっても良い。
表面を酸化すれば容易に絶縁性の酸化シリコン膜が得ら
れる。この酸化膜上に先ず第一の電極が設けられる。こ
の電極はＡｌ，Ｎｉ，Ａｕ等の金属が一般に使用できる
が、不純物を導入して導電性とした多結晶シリコン薄膜
であっても良い。
【０００７】この第一の電極上に第一の絶縁性の多結晶
シリコン薄膜を設け、更にその上に、周縁部が接しかつ
中央部で離間して平板上の空間を形成するように第二の
絶縁性の多結晶シリコン薄膜を設ける。この空間部の形
成は、酸化シリコン膜の犠牲層エッチングを応用すれば
容易にできる。
シリコン薄膜を設け、更にその上に、周縁部が接しかつ
中央部で離間して平板上の空間を形成するように第二の
絶縁性の多結晶シリコン薄膜を設ける。この空間部の形
成は、酸化シリコン膜の犠牲層エッチングを応用すれば
容易にできる。
【０００８】第二の多結晶シリコン薄膜上には第一の電
極と同様に第二の電極を設け、第一の電極と第二の電極
とからリード線をとって電気容量測定回路に接続すれ
ば、圧力変化は極間距離の変化となり、即ち電気容量変
化として検知されるので、圧力センサとして作動するこ
とになる。
極と同様に第二の電極を設け、第一の電極と第二の電極
とからリード線をとって電気容量測定回路に接続すれ
ば、圧力変化は極間距離の変化となり、即ち電気容量変
化として検知されるので、圧力センサとして作動するこ
とになる。
【０００９】上記構造は基本的には半導体集積回路製造
技術に属し、量産性、品質の点で全く問題なく製造し得
る。又、本発明においてシリコンを基板として用いてい
るので、この基板上に電気容量測定回路を設け、リード
線も設けることができ、外付部品を全く必要としないで
単一品からなる極めて小型の圧力センサとすることもで
きる。
技術に属し、量産性、品質の点で全く問題なく製造し得
る。又、本発明においてシリコンを基板として用いてい
るので、この基板上に電気容量測定回路を設け、リード
線も設けることができ、外付部品を全く必要としないで
単一品からなる極めて小型の圧力センサとすることもで
きる。
【００１０】
【発明の効果】本発明の圧力センサ構造によれば製造が
容易で低コスト化が図り易い。これにより比較的高温の
領域においても測定誤差の小さい圧力センサを量産化で
きる手段が得られた。
容易で低コスト化が図り易い。これにより比較的高温の
領域においても測定誤差の小さい圧力センサを量産化で
きる手段が得られた。
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコン基板の一方の面に設けた酸化シ
リコン膜上に第一の電極を有し、該第一の電極上に第一
の絶縁性多結晶シリコン薄膜を設け、該第一の薄膜上に
該膜と周縁部で接しかつ中央部で離間して平板状の空間
を形成するように第二の絶縁性多結晶シリコン薄膜を設
け、該第二の薄膜上に第二の電極を形成してなる、電気
容量型シリコン圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9006792A JPH05264383A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 電気容量型シリコン圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9006792A JPH05264383A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 電気容量型シリコン圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05264383A true JPH05264383A (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=13988201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9006792A Pending JPH05264383A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 電気容量型シリコン圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05264383A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH085486A (ja) * | 1994-06-15 | 1996-01-12 | Sensor Gijutsu Kenkyusho:Kk | ガス供給圧力測定方法 |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP9006792A patent/JPH05264383A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH085486A (ja) * | 1994-06-15 | 1996-01-12 | Sensor Gijutsu Kenkyusho:Kk | ガス供給圧力測定方法 |
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