JPH05259702A - High frequency low pass filter - Google Patents

High frequency low pass filter

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JPH05259702A
JPH05259702A JP4091662A JP9166292A JPH05259702A JP H05259702 A JPH05259702 A JP H05259702A JP 4091662 A JP4091662 A JP 4091662A JP 9166292 A JP9166292 A JP 9166292A JP H05259702 A JPH05259702 A JP H05259702A
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electrode
dielectric layer
pass filter
frequency low
coil
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Ken Tonegawa
根 川 謙 利
Naotake Okamura
村 尚 武 岡
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To obtain the high frequency low pass filter having an excellent frequency characteristic in which no spurious radiation is caused. CONSTITUTION:A ground electrode 14 is formed on a 1st dielectric layer 12. A 2nd dielectric layer 18 is arranged on the ground electrode 14. Three capacitor electrodes 20, 22, 24 are formed on the 2nd dielectric layer 18. Static capacitors are formed between the capacitor electrodes 20, 22, 24 and the ground electrode 14. A 3rd dielectric layer 26 is arranged on the capacitor electrodes 20, 22, 24. Two coil electrodes 38, 30 are formed on the 3rd dielectric layer 26. A 4th dielectric layer 32 only is formed on the coil electrodes 28, 30. The coil electrode 28 is connected to the capacitor electrodes 20, 22 by an external electrode and the coil electrode 30 is connected to the capacitor electrodes 20, 24.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は高周波用ローパスフィ
ルタに関し、特にたとえば、電極パターンを形成した層
を積層することによって、インダクタとコンデンサとを
π型接続した回路を形成した、高周波用ローパスフィル
タに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency low-pass filter, and more particularly to, for example, a high-frequency low-pass filter in which a circuit in which an inductor and a capacitor are connected in a π type is formed by laminating layers having electrode patterns. ..

【0002】[0002]

【従来の技術】図7はこの発明の背景となる従来の高周
波用ローパスフィルタを示す分解斜視図である。高周波
用ローパスフィルタ1は、誘電体層2を含む。誘電体層
2上には、アース電極3が形成される。さらに、誘電体
層2を挟んで、アース電極2と対向するように、3つの
コンデンサ電極4a,4b,4cが形成される。これら
のコンデンサ電極4a〜4cとアース電極3との間に、
静電容量が形成される。また、誘電体層2を挟んで、コ
ンデンサ電極4a〜4cと間隔を隔てて、2つのコイル
電極5a,5bが形成される。これらのコイル電極5
a,5bは、蛇行するように形成される。これらのコイ
ル電極5a,5b上には、誘電体層2を挟んで、シール
ド電極6が形成される。そして、シールド電極6上に
は、誘電体層2が形成される。
2. Description of the Related Art FIG. 7 is an exploded perspective view showing a conventional high-frequency low-pass filter which is the background of the present invention. The high frequency low pass filter 1 includes a dielectric layer 2. A ground electrode 3 is formed on the dielectric layer 2. Further, three capacitor electrodes 4a, 4b, 4c are formed so as to face the ground electrode 2 with the dielectric layer 2 interposed therebetween. Between these capacitor electrodes 4a-4c and the ground electrode 3,
A capacitance is formed. Further, two coil electrodes 5a and 5b are formed with the dielectric layer 2 interposed therebetween and spaced from the capacitor electrodes 4a to 4c. These coil electrodes 5
The a and 5b are formed to meander. A shield electrode 6 is formed on these coil electrodes 5a and 5b with the dielectric layer 2 interposed therebetween. Then, the dielectric layer 2 is formed on the shield electrode 6.

【0003】この高周波用ローパスフィルタ1の側面に
は、複数の外部電極(図示せず)が形成される。これら
の外部電極によって、アース電極3の引出端子3aとシ
ールド電極6の引出端子6aとが接続される。また、一
方のコイル電極5aは、コンデンサ電極4aとコンデン
サ電極4bとに接続される。さらに、他方のコイル電極
5bは、コンデンサ電極4aとコンデンサ電極4cとに
接続される。この高周波用ローパスフィルタ1は、イン
ダクタとコンデンサとをπ型接続した回路を形成してい
る。
A plurality of external electrodes (not shown) are formed on the side surface of the high-frequency low-pass filter 1. These external electrodes connect the lead terminal 3a of the ground electrode 3 and the lead terminal 6a of the shield electrode 6. Further, one coil electrode 5a is connected to the capacitor electrode 4a and the capacitor electrode 4b. Further, the other coil electrode 5b is connected to the capacitor electrode 4a and the capacitor electrode 4c. This high-frequency low-pass filter 1 forms a circuit in which an inductor and a capacitor are connected in a π type.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
高周波用ローパスフィルタでは、コイル電極とシールド
電極との間に浮遊容量が発生したり、これらの電極間に
電磁波が飛び込んで、予期しない共振が発生する。その
ため、この共振において、不要な通過帯域が発生し、高
周波用ローパスフィルタの周波数特性にスプリアスが発
生する。
However, in such a high-frequency low-pass filter, stray capacitance is generated between the coil electrode and the shield electrode, or an electromagnetic wave jumps between these electrodes to cause unexpected resonance. Occur. Therefore, in this resonance, an unnecessary pass band is generated and spurious is generated in the frequency characteristic of the high frequency low pass filter.

【0005】それゆえに、この発明の主たる目的は、ス
プリアスの発生しない、良好な周波数特性を有する高周
波用ローパスフィルタを提供することである。
Therefore, a main object of the present invention is to provide a high-frequency low-pass filter which does not generate spurious and has good frequency characteristics.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この発明は、アース電極
と、誘電体層を挟んでアース電極に対向することによ
り、アース電極との間に静電容量を形成するコンデンサ
電極と、誘電体層を挟んでコンデンサ電極およびアース
電極と間隔を隔てて形成され、かつコンデンサ電極に接
続されるコイル電極とを含み、アース電極およびコンデ
ンサ電極が存在する側と反対側のコイル電極上に誘電体
層のみが形成された、高周波用ローパスフィルタであ
る。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention is directed to a ground electrode, a capacitor electrode that forms a capacitance between the ground electrode and the ground electrode by sandwiching the dielectric layer, and a dielectric layer. A coil electrode connected to the capacitor electrode and spaced apart from the capacitor electrode and the ground electrode by sandwiching the capacitor electrode between the ground electrode and the capacitor electrode, and only the dielectric layer on the coil electrode opposite to the side where the ground electrode and the capacitor electrode are present. Is a low-pass filter for high frequencies in which is formed.

【0007】[0007]

【作用】アース電極とコンデンサ電極との間に静電容量
が形成され、コイル電極によってインダクタが形成され
る。これらのインダクタと静電容量とで、高周波用ロー
パスフィルタが形成される。この高周波用ローパスフィ
ルタにおいて、コイル電極上には誘電体層のみが存在
し、この誘電体層によって外界からの影響が防がれる。
A capacitance is formed between the ground electrode and the capacitor electrode, and the coil electrode forms an inductor. A high-frequency low-pass filter is formed by the inductor and the capacitance. In this high-frequency low-pass filter, only the dielectric layer is present on the coil electrode, and this dielectric layer prevents the influence from the outside.

【0008】[0008]

【発明の効果】この発明によれば、コイル電極上に誘電
体層のみが形成され、従来のようなシールド電極がない
ため、このようなシールド電極とコイル電極との間に浮
遊容量が発生せず、また電磁波の影響も少なくなる。そ
のため、高周波域において、不要な共振が発生せず、そ
れによる不要な通過帯域も発生しない。したがって、こ
の高周波用ローパスフィルタの周波数特性のスプリアス
が少なく、安定した特性を得ることができる。
According to the present invention, since only the dielectric layer is formed on the coil electrode and there is no conventional shield electrode, stray capacitance is not generated between the shield electrode and the coil electrode. Moreover, the influence of electromagnetic waves is reduced. Therefore, in the high frequency region, unnecessary resonance does not occur and an unnecessary pass band due to it does not occur. Therefore, there are few spurious frequency characteristics of the high-frequency low-pass filter, and stable characteristics can be obtained.

【0009】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
The above-mentioned objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of embodiments with reference to the drawings.

【0010】[0010]

【実施例】図1はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
る。この高周波用ローパスフィルタ10は、積層体11
を含む。積層体11は、図2に示すように、第1の誘電
体層12を含む。第1の誘電体層12上には、その周辺
部を除く全面にアース電極14が形成される。アース電
極14から第1の誘電体層12の端部に向かって、4つ
の引出端子16a,16b,16cおよび16dが形成
される。2つの引出端子16a,16bは、第1の誘電
体層12の一端側に向かって形成され、互いに間隔を隔
てて形成される。別の2つの引出端子16c,16d
は、第1の誘電体層12の他端側に向かって形成され、
その中央付近で近接した位置に形成される。
1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention. This high-frequency low-pass filter 10 has a laminated body 11
including. The laminated body 11 includes a first dielectric layer 12 as shown in FIG. 2. The ground electrode 14 is formed on the entire surface of the first dielectric layer 12 except its peripheral portion. Four lead-out terminals 16a, 16b, 16c and 16d are formed from the ground electrode 14 toward the end of the first dielectric layer 12. The two lead terminals 16a and 16b are formed toward one end side of the first dielectric layer 12 and are formed at intervals. Another two lead terminals 16c, 16d
Is formed toward the other end side of the first dielectric layer 12,
It is formed at a position close to the center.

【0011】アース電極14上には、第2の誘電体層1
8が配置される。第2の誘電体層18上には、3つのコ
ンデンサ電極20,22および24が形成される。コン
デンサ電極20は、第2の誘電体層18の一端寄りにお
いて、ほぼ中央付近に形成される。また、コンデンサ電
極22,24は、第2の誘電体層18の他端寄りにおい
て、両側に間隔を隔てて形成される。コンデンサ電極2
0から第2の誘電体層18の一端に向かって、接続端子
20aおよび20bが形成される。これらの接続端子2
0a,20bは、第2の誘電体層18の一端側の中央部
付近で、互いに近接して形成される。また、コンデンサ
電極22,24から第2の誘電体層18の他端に向かっ
て、それぞれ接続端子22a,24aが形成される。こ
れらの接続端子22a,24aは、互いに間隔を隔てて
形成される。これらのコンデンサ電極20,22,24
は、図3に示すように、アース電極14に対向するよう
に形成される。
The second dielectric layer 1 is formed on the ground electrode 14.
8 are arranged. Three capacitor electrodes 20, 22 and 24 are formed on the second dielectric layer 18. The capacitor electrode 20 is formed in the vicinity of one end of the second dielectric layer 18 and near the center thereof. Further, the capacitor electrodes 22 and 24 are formed on both sides of the second dielectric layer 18 near the other end thereof with a space therebetween. Capacitor electrode 2
The connection terminals 20a and 20b are formed from 0 to one end of the second dielectric layer 18. These connection terminals 2
0a and 20b are formed close to each other in the vicinity of the central portion on one end side of the second dielectric layer 18. Further, connection terminals 22a and 24a are formed from the capacitor electrodes 22 and 24 toward the other end of the second dielectric layer 18, respectively. These connection terminals 22a and 24a are formed at intervals. These capacitor electrodes 20, 22, 24
Are formed so as to face the ground electrode 14, as shown in FIG.

【0012】コンデンサ電極20,22,24上には、
第3の誘電体層26が配置される。第3の誘電体層26
上には、2つのコイル電極28および30が形成され
る。これらのコイル電極28,30は、第3の誘電体層
26の一端から他端に向かって蛇行するミアンダライン
として形成される。コイル電極28の一端部28aはコ
ンデンサ電極20の接続端子20aに対応する位置に配
置され、他端部28bはコンデンサ電極22の接続端子
22aに対応する位置に配置される。また、コイル電極
30の一端部30aはコンデンサ電極20の接続端子2
0bに対応する位置に配置され、他端部30bはコンデ
ンサ電極24の接続端子24aに対応する位置に配置さ
れる。さらに、コイル電極28,30上には、第4の誘
電体層32が配置される。第4の誘電体層32は、たと
えば50μm以上の厚みとなるように形成される。
On the capacitor electrodes 20, 22, 24,
A third dielectric layer 26 is arranged. Third dielectric layer 26
Two coil electrodes 28 and 30 are formed on the top. These coil electrodes 28 and 30 are formed as meander lines meandering from one end to the other end of the third dielectric layer 26. One end 28a of the coil electrode 28 is arranged at a position corresponding to the connection terminal 20a of the capacitor electrode 20, and the other end 28b is arranged at a position corresponding to the connection terminal 22a of the capacitor electrode 22. Further, one end 30a of the coil electrode 30 is connected to the connection terminal 2 of the capacitor electrode 20.
0b, and the other end 30b is arranged at a position corresponding to the connection terminal 24a of the capacitor electrode 24. Further, a fourth dielectric layer 32 is arranged on the coil electrodes 28 and 30. The fourth dielectric layer 32 is formed to have a thickness of, for example, 50 μm or more.

【0013】各電極が形成された誘電体層が積層され
て、積層体11が形成される。この積層体11の側面に
は、8つの外部電極34a,34b,34c,34d,
34e,34f,34gおよび34hが形成される。こ
れらの外部電極34a〜34hのうち、4つの外部電極
34a〜34dは積層体11の一端側に形成され、他の
4つの外部電極34e〜34hは積層体11の他端側に
形成される。これらの外部電極34a〜34hは、積層
体11の上面から側面を経て、下面に達するように形成
される。
Dielectric layers having the respective electrodes formed thereon are laminated to form a laminated body 11. On the side surface of the laminated body 11, eight external electrodes 34a, 34b, 34c, 34d,
34e, 34f, 34g and 34h are formed. Of these external electrodes 34a to 34h, the four external electrodes 34a to 34d are formed on one end side of the laminated body 11, and the other four external electrodes 34e to 34h are formed on the other end side of the laminated body 11. These external electrodes 34a to 34h are formed so as to reach the lower surface through the side surface from the upper surface of the stacked body 11.

【0014】外部電極34a,34d,34fおよび3
4gは、それぞれアース電極14の引出端子16a,1
6b,16cおよび16dに接続される。また、外部電
極34bは、コイル電極28の一端部28aとコンデン
サ電極20の接続端子20aとに接続される。さらに、
外部電極34eは、コイル電極28の他端部28bとコ
ンデンサ電極22の接続端子22aとに接続される。ま
た、外部電極34cは、コイル電極30の一端部30a
とコンデンサ電極20の接続端子20bとに接続され
る。さらに、外部電極34hは、コイル電極30の他端
部30bとコンデンサ電極24の接続端子24aとに接
続される。
External electrodes 34a, 34d, 34f and 3
4g are the lead terminals 16a, 1a of the ground electrode 14, respectively.
6b, 16c and 16d. The external electrode 34b is connected to the one end 28a of the coil electrode 28 and the connection terminal 20a of the capacitor electrode 20. further,
The external electrode 34e is connected to the other end 28b of the coil electrode 28 and the connection terminal 22a of the capacitor electrode 22. The external electrode 34c is the one end 30a of the coil electrode 30.
And the connection terminal 20b of the capacitor electrode 20. Further, the external electrode 34h is connected to the other end 30b of the coil electrode 30 and the connection terminal 24a of the capacitor electrode 24.

【0015】この高周波用ローパスフィルタ10は、た
とえば誘電体セラミックグリーンシート上に各電極の形
状に電極ペーストを塗布し、積層して焼成することによ
り形成される。このとき、各誘電体層の厚みにしたがっ
て、積層するセラミックグリーンシートの枚数が調整さ
れる。なお、外部電極を形成するには、積層体を焼成す
る前に電極ペーストを塗布し、一体的に焼成してもよい
し、積層体を焼成した後に電極ペーストを塗布して焼き
付けてもよい。
The high-frequency low-pass filter 10 is formed, for example, by applying an electrode paste in the shape of each electrode on a dielectric ceramic green sheet, laminating and firing it. At this time, the number of laminated ceramic green sheets is adjusted according to the thickness of each dielectric layer. To form the external electrodes, the electrode paste may be applied and fired integrally before firing the laminate, or the electrode paste may be applied and fired after firing the laminate.

【0016】この高周波用ローパスフィルタ10は、図
4に示すように、インダクタンスL1 ,L2 と静電容量
1 ,C2 ,C3 とがπ型接続された等価回路を有す
る。この高周波用ローパスフィルタ10では、たとえば
1GHz以下に通過帯域を有するフィルタを得ることが
できる。この高周波用ローパスフィルタ10では、コン
デンサ電極20,22,24の配置およびアース電極1
4の引出端子16a,16b,16c,16dの位置を
図3に示すようにすることによって、アース電極14と
コンデンサ電極20,22,24との間の距離を小さく
し、図4に示す等価回路の静電容量とアースとの間に生
じるインダクタンスを小さくしている。また、アース電
極の引出端子の数を多くすることによって、これらの引
出端子に生じるインダクタンスを反比例的に小さくし、
さらにアースの強化を図っている。さらに、コイル電極
28,30をミアンダラインにすることによって、外界
からの影響を少なくしている。
As shown in FIG. 4, the high frequency low pass filter 10 has an equivalent circuit in which the inductances L 1 and L 2 and the electrostatic capacitances C 1 , C 2 and C 3 are connected in a π type. With this high-frequency low-pass filter 10, for example, a filter having a pass band at 1 GHz or less can be obtained. In this high-frequency low-pass filter 10, the arrangement of the capacitor electrodes 20, 22, 24 and the ground electrode 1
The positions of the lead-out terminals 16a, 16b, 16c, 16d of No. 4 are set as shown in FIG. 3 to reduce the distance between the ground electrode 14 and the capacitor electrodes 20, 22, 24, and the equivalent circuit shown in FIG. The inductance generated between the electrostatic capacity of and the ground is reduced. Also, by increasing the number of lead terminals of the ground electrode, the inductance generated in these lead terminals is reduced in inverse proportion,
We are also working to strengthen the earth. Further, by making the coil electrodes 28 and 30 meander lines, the influence from the outside world is reduced.

【0017】この高周波用ローパスフィルタ10では、
コイル電極28,30上に、従来の高周波用ローパスフ
ィルタのようなシールド電極が形成されていない。その
ため、コイル電極とこのシールド電極との間に浮遊容量
が発生せず、外界から飛び込んでくる電磁波の影響も少
ない。したがって、不要な共振が発生せず、それによる
不要な通過帯域も発生しない。したがって、高周波用ロ
ーパスフィルタ10の周波数特性にスプリアスが発生し
にくい。
In this high-frequency low-pass filter 10,
No shield electrode is formed on the coil electrodes 28 and 30 unlike the conventional high-frequency low-pass filter. Therefore, no stray capacitance is generated between the coil electrode and this shield electrode, and the influence of electromagnetic waves jumping in from the outside is small. Therefore, unnecessary resonance does not occur and an unnecessary pass band due to it does not occur. Therefore, spurious is unlikely to occur in the frequency characteristics of the high frequency low pass filter 10.

【0018】実験例として、コイル電極上にシールド電
極を形成したものと、この発明の高周波用ローパスフィ
ルタとを用いて、周波数特性を測定した。そして、その
結果を図5および図6に示した。図5はこの発明の高周
波用ローパスフィルタの特性であり、図6はシールド電
極を形成した高周波用ローパスフィルタの特性である。
図6では、3〜3.4GHz付近に減衰量の劣下した部
分、すなわち、通過帯域が存在する。しかしながら、図
5では、1GHzを超える部分で減衰量が大きくなり、
この範囲で減衰量の低下した部分がない。このように、
この発明の高周波用ローパスフィルタでは、通過帯域に
おける挿入損失が0.5dB以下で、1GHz〜7GH
zの間において30dB以上の減衰量を確保することが
できた。
As an experimental example, frequency characteristics were measured using a coil electrode having a shield electrode formed thereon and the high-frequency low-pass filter of the present invention. The results are shown in FIGS. 5 and 6. FIG. 5 shows the characteristics of the high-frequency low-pass filter of the present invention, and FIG. 6 shows the characteristics of the high-frequency low-pass filter in which the shield electrode is formed.
In FIG. 6, there is a portion where the attenuation is inferior, that is, a pass band near 3 to 3.4 GHz. However, in FIG. 5, the amount of attenuation increases in the portion exceeding 1 GHz,
In this range, there is no part with reduced attenuation. in this way,
With the high-frequency low-pass filter of the present invention, the insertion loss in the pass band is 0.5 dB or less, and 1 GHz to 7 GHz.
It was possible to secure an attenuation amount of 30 dB or more during z.

【0019】なお、コイル電極28,30上にシールド
電極が存在しないことによって、シールド効果が損なわ
れるように思われるが、コイル電極28,30上に50
0μm以上の誘電帯層を形成することによって、特性上
問題ないことが確認され、シールド効果も損なわれてい
ないことがわかった。
Although it seems that the shield effect is impaired by the absence of the shield electrode on the coil electrodes 28 and 30, the coil electrode 28 and 30 has a shield effect of 50.
It was confirmed that the formation of the dielectric band layer having a thickness of 0 μm or more did not cause any problems in characteristics, and it was found that the shield effect was not impaired.

【0020】このように、この発明によれば、5.7×
5.0×2.0mmという超小型で、スプリアスのない
良好な周波数特性を有する高周波用ローパスフィルタを
得ることができた。
As described above, according to the present invention, 5.7 ×
It was possible to obtain a high-frequency low-pass filter having a very small size of 5.0 × 2.0 mm and good frequency characteristics without spurious.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す高周波用ローパスフィルタの積層体
の分解斜視図である。
FIG. 2 is an exploded perspective view of a laminated body of the high-frequency low-pass filter shown in FIG.

【図3】図1に示す高周波用ローパスフィルタのアース
電極とコンデンサ電極との関係を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a relationship between a ground electrode and a capacitor electrode of the high frequency low pass filter shown in FIG.

【図4】図1に示す高周波用ローパスフィルタの等価回
路図である。
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the high-frequency low-pass filter shown in FIG.

【図5】図1に示す高周波用ローパスフィルタの周波数
特性を示すグラフである。
5 is a graph showing frequency characteristics of the high-frequency low-pass filter shown in FIG.

【図6】従来の高周波用ローパスフィルタの周波数特性
を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing frequency characteristics of a conventional high-frequency low-pass filter.

【図7】この発明の背景となる従来の高周波用ローパス
フィルタを示す分解斜視図である。
FIG. 7 is an exploded perspective view showing a conventional high-frequency low-pass filter which is the background of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 高周波用ローパスフィルタ 12 第1の誘電体層 14 アース電極 18 第2の誘電体層 20,22,24 コンデンサ電極 26 第3の誘電体層 28,30 コイル電極 32 第4の誘電体層 10 High Frequency Low Pass Filter 12 First Dielectric Layer 14 Ground Electrode 18 Second Dielectric Layer 20, 22, 24 Capacitor Electrode 26 Third Dielectric Layer 28, 30 Coil Electrode 32 Fourth Dielectric Layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01P 7/00 Z H03H 7/075 A 8321−5J ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI Technical indication H01P 7/00 Z H03H 7/075 A 8321-5J

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 アース電極、 誘電体層を挟んで前記アース電極に対向することによ
り、前記アース電極との間に静電容量を形成するコンデ
ンサ電極、および誘電体層を挟んで前記コンデンサ電極
および前記アース電極と間隔を隔てて形成され、かつ前
記コンデンサ電極に接続されるコイル電極を含み、 前記アース電極および前記コンデンサ電極が存在する側
と反対側の前記コイル電極上に誘電体層のみが形成され
た、高周波用ローパスフィルタ。
1. A ground electrode, a capacitor electrode that faces the ground electrode with a dielectric layer in between to form a capacitance between the ground electrode and the ground electrode, and a capacitor electrode with a dielectric layer in between. A coil electrode connected to the capacitor electrode and spaced apart from the ground electrode; and only a dielectric layer formed on the coil electrode opposite to the side where the ground electrode and the capacitor electrode are present. A low-pass filter for high frequencies.
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