JPH05259571A - ひずみ超格子を有する半導体デバイス - Google Patents
ひずみ超格子を有する半導体デバイスInfo
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- JPH05259571A JPH05259571A JP4087465A JP8746592A JPH05259571A JP H05259571 A JPH05259571 A JP H05259571A JP 4087465 A JP4087465 A JP 4087465A JP 8746592 A JP8746592 A JP 8746592A JP H05259571 A JPH05259571 A JP H05259571A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/15—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
- H01L29/151—Compositional structures
- H01L29/152—Compositional structures with quantum effects only in vertical direction, i.e. layered structures with quantum effects solely resulting from vertical potential variation
- H01L29/155—Comprising only semiconductor materials
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ひずみ超格子にかかる全体の応力を低減したひ
ずみ超格子を有する半導体デバイスを提供する。 【構成】第一の半導体と、この第一の半導体より例えば
0.5%以上小さな格子定数を持つ第二の半導体を、第
一の半導体の格子定数と第二の半導体の格子定数のほぼ
中間の格子定数を持つクラッド層上に積層してひずみ超
格子を構成している。積層された第一の半導体と第二の
半導体との間にクラッド層の格子定数とほぼ等しい格子
定数を有する第三の半導体を挿入することができる。
ずみ超格子を有する半導体デバイスを提供する。 【構成】第一の半導体と、この第一の半導体より例えば
0.5%以上小さな格子定数を持つ第二の半導体を、第
一の半導体の格子定数と第二の半導体の格子定数のほぼ
中間の格子定数を持つクラッド層上に積層してひずみ超
格子を構成している。積層された第一の半導体と第二の
半導体との間にクラッド層の格子定数とほぼ等しい格子
定数を有する第三の半導体を挿入することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ひずみ超格子を利用し
た半導体光デバイス、半導体電子デバイス等の半導体デ
バイスに関するものである。
た半導体光デバイス、半導体電子デバイス等の半導体デ
バイスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年の薄膜成長技術の進歩により、格子
定数の異なる材料(半導体)間でも、それぞれの膜厚が
十分薄い場合には、結晶欠陥を生ずることなく交互に積
層成長させることが可能となっている。この構造はひず
み超格子またはひずみ量子井戸と呼ばれている。活性層
にひずみ超格子を持った半導体デバイスは、材料の選択
の自由度が大きく広がり、格子整合系では得ることにで
きないバンドギャップエネルギー、光学特性、電気特性
等の特性を有する材料を一般的なクラッド層上にエピタ
キシャル成長することを可能にする。従来のひずみ超格
子を有する半導体デバイスでは、そのひずみ超格子であ
る活性層部分において、交互に積層される井戸層と障壁
層の内の一つがクラッド層の格子定数より大きな格子定
数を持つ半導体により構成されるか、クラッド層とほぼ
同じ格子定数を持つ半導体により構成されるか、又はク
ラッド層の格子定数より小さな格子定数を持つ半導体に
より構成されている。
定数の異なる材料(半導体)間でも、それぞれの膜厚が
十分薄い場合には、結晶欠陥を生ずることなく交互に積
層成長させることが可能となっている。この構造はひず
み超格子またはひずみ量子井戸と呼ばれている。活性層
にひずみ超格子を持った半導体デバイスは、材料の選択
の自由度が大きく広がり、格子整合系では得ることにで
きないバンドギャップエネルギー、光学特性、電気特性
等の特性を有する材料を一般的なクラッド層上にエピタ
キシャル成長することを可能にする。従来のひずみ超格
子を有する半導体デバイスでは、そのひずみ超格子であ
る活性層部分において、交互に積層される井戸層と障壁
層の内の一つがクラッド層の格子定数より大きな格子定
数を持つ半導体により構成されるか、クラッド層とほぼ
同じ格子定数を持つ半導体により構成されるか、又はク
ラッド層の格子定数より小さな格子定数を持つ半導体に
より構成されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】異なった格子定数を有
する十分に薄い材料間でエピタキシャル成長してひずみ
超格子を作製すると、格子定数の大きい材料は面方向に
圧縮応力がかかり、格子定数の小さい材料は面方向に引
っ張り応力を受ける。その結果、ひずみ超格子の面方向
の格子定数は、両格子定数の間のある値に定まる。これ
を自由空間、すなわちクラッド層から分離し空間に浮い
ているという仮想の状態での面方向の格子定数aCLとす
る。図13(a),(b)は、その様子を示すもので、
積層による格子定数の変化の先後を示している。図13
(a)は、格子定数aA を有する半導体Aと格子定数a
B を有する半導体Bを示している。図13(b)は、自
由空間での格子定数がaSLとなった積層された半導体
A、Bと格子定数aCLを有するクラッド層Cを示してい
る。図13(b)に示すように、自由空間で格子定数が
異なった半導体を積層すると層界面ではひずみ応力を受
けているがひずみ超格子全体の応力は釣りあっているた
め、転移等の欠陥が生じることなく両材料を繰り返し成
長させることが可能である。ところが、実際には自由空
間ではなく、ひずみ超格子はそれを構成する材料の膜厚
よりはるかに厚いクラッド層上に成長するため、ひずみ
超格子の面方向の格子定数は、クラッド層の格子定数に
一致することになり、自由空間での格子定数aSLとは異
なる。その結果、ひずみ超格子全体はクラッド層より応
力を受けることとなる。従って、従来のひずみ超格子を
有する半導体デバイスは、ひずみ超格子の積層数がふえ
るに従い、ひずみ超格子にかかる全体の応力は増加し、
ついには臨界膜厚に達し、欠陥の発生がおき、層数の多
いひずみ超格子の成長が困難なるという欠点がある。
する十分に薄い材料間でエピタキシャル成長してひずみ
超格子を作製すると、格子定数の大きい材料は面方向に
圧縮応力がかかり、格子定数の小さい材料は面方向に引
っ張り応力を受ける。その結果、ひずみ超格子の面方向
の格子定数は、両格子定数の間のある値に定まる。これ
を自由空間、すなわちクラッド層から分離し空間に浮い
ているという仮想の状態での面方向の格子定数aCLとす
る。図13(a),(b)は、その様子を示すもので、
積層による格子定数の変化の先後を示している。図13
(a)は、格子定数aA を有する半導体Aと格子定数a
B を有する半導体Bを示している。図13(b)は、自
由空間での格子定数がaSLとなった積層された半導体
A、Bと格子定数aCLを有するクラッド層Cを示してい
る。図13(b)に示すように、自由空間で格子定数が
異なった半導体を積層すると層界面ではひずみ応力を受
けているがひずみ超格子全体の応力は釣りあっているた
め、転移等の欠陥が生じることなく両材料を繰り返し成
長させることが可能である。ところが、実際には自由空
間ではなく、ひずみ超格子はそれを構成する材料の膜厚
よりはるかに厚いクラッド層上に成長するため、ひずみ
超格子の面方向の格子定数は、クラッド層の格子定数に
一致することになり、自由空間での格子定数aSLとは異
なる。その結果、ひずみ超格子全体はクラッド層より応
力を受けることとなる。従って、従来のひずみ超格子を
有する半導体デバイスは、ひずみ超格子の積層数がふえ
るに従い、ひずみ超格子にかかる全体の応力は増加し、
ついには臨界膜厚に達し、欠陥の発生がおき、層数の多
いひずみ超格子の成長が困難なるという欠点がある。
【0004】本発明は、このようなひずみ超格子にかか
る全体の応力を低減したひずみ超格子を有する半導体デ
バイスを提供することを目的とする。
る全体の応力を低減したひずみ超格子を有する半導体デ
バイスを提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明による第1の半導体デバイスは、第一の半導
体と、該第一の半導体より小さな格子定数を持つ第二の
半導体を、該第一の半導体の格子定数と該第二の半導体
の格子定数のほぼ中間の格子定数を持つクラッド層上に
積層してひずみ超格子を構成している。また、本発明に
よる第2の半導体デバイスは、第一の半導体と、該第一
の半導体より0.5%以上小さな格子定数を持つ第二の
半導体を、該第一の半導体の格子定数と該第二の半導体
の格子定数のほぼ中間の格子定数を持つクラッド層上
に、積層してひずみ超格子を構成している。さらに、本
発明による第3の半導体デバイスは、第1の半導体デバ
イスにおいて、積層された前記第一の半導体と前記第二
の半導体との間に前記クラッド層の格子定数とほぼ等し
い格子定数を有する第三の半導体を挿入したことを特徴
としている。
に、本発明による第1の半導体デバイスは、第一の半導
体と、該第一の半導体より小さな格子定数を持つ第二の
半導体を、該第一の半導体の格子定数と該第二の半導体
の格子定数のほぼ中間の格子定数を持つクラッド層上に
積層してひずみ超格子を構成している。また、本発明に
よる第2の半導体デバイスは、第一の半導体と、該第一
の半導体より0.5%以上小さな格子定数を持つ第二の
半導体を、該第一の半導体の格子定数と該第二の半導体
の格子定数のほぼ中間の格子定数を持つクラッド層上
に、積層してひずみ超格子を構成している。さらに、本
発明による第3の半導体デバイスは、第1の半導体デバ
イスにおいて、積層された前記第一の半導体と前記第二
の半導体との間に前記クラッド層の格子定数とほぼ等し
い格子定数を有する第三の半導体を挿入したことを特徴
としている。
【0006】
【作用】本発明は、自由空間のひずみ超格子の面方向の
格子定数aSLがクラッド層の格子定数aCLとほぼ等しく
なるように、クラッド層の格子定数より大きな格子定数
を持つ材料とクラッド層の格子定数より小さい格子定数
を持つ材料により井戸層と障壁層を作り、ひずみ超格子
を構成することを特徴とするものである。その結果、ク
ラッド層よりひずみ超格子全体にかかる応力は、ひずみ
超格子の層数にかかわらずほぼゼロとすることができ
る。したがって、層数の多いひずみ超格子の成長が可能
となる。
格子定数aSLがクラッド層の格子定数aCLとほぼ等しく
なるように、クラッド層の格子定数より大きな格子定数
を持つ材料とクラッド層の格子定数より小さい格子定数
を持つ材料により井戸層と障壁層を作り、ひずみ超格子
を構成することを特徴とするものである。その結果、ク
ラッド層よりひずみ超格子全体にかかる応力は、ひずみ
超格子の層数にかかわらずほぼゼロとすることができ
る。したがって、層数の多いひずみ超格子の成長が可能
となる。
【0007】
【実施例1】図1は、InGaAsP/InP系ひずみ
超格子を用いた本発明による発光素子の実施例を示す。
同図において、n型InP基板1上にn型のクラッド層
であるn型InP層2、InGaAs井戸層11、In
GaAsP障壁層12、p型クラッド層であるp型In
P層3、及び電極接触用のp型InGaAsPキャップ
層4が積層され、横モード制御と電流狭搾のための半絶
縁性InP層5による埋め込みストライプ構造となって
いる。基板1とキャップ層4にそれぞれ接して、電極1
02と電極101が設けられている。井戸層11は、格
子定数が5.90Åであり、バンドギャップエネルギー
が0.66eVである。障壁層12は、格子定数が5.
84Åであり、バンドギャップエネルギーが0.95e
Vである。クラッド層2,3は、格子定数が5.87Å
であり、バンドギャップエネルギーが1.35eVであ
る。基板1は、クラッド層2,3と同等な格子定数とバ
ンドギャップエネルギーである。従って障壁層12は、
井戸層11より1.0%程度小さな格子定数を有してお
り、クラッド層2,3は、障壁層12の格子定数と井戸
層11の格子定数とのほぼ中間の格子定数を有してい
る。この障壁層12と井戸層11は、各層厚が70Åで
交互に15層が積層されかつ一番上と一番下の層には障
壁層12が位置するように形成され、ひずみ超格子(ひ
ずみ量子井戸)を形成している。このひずみ超格子の自
由空間での格子定数aSLは、この井戸層11と障壁層1
2の選択の効果により、クラッド層2,3の格子定数と
一致している。図2は、その活性層付近の層構造の伝導
帯バンドダイヤグラム及び自由空間での格子定数ダイヤ
グラムを示す。図3は、ひずみ超格子を構成する材料の
バンドギャップエネルギーと格子定数の関係を示したも
のである。なお同図は、以降で説明する実施例2,3,
4,5,6において、使用する材料も示している。本実
施例では、井戸層11と障壁層12の積層は、15層で
あるが、使用目的によりこの積層数を選択すると良い。
なお本発明の効果が顕著に現れるのは、層数が10以上
の時である。また、本実施例では、井戸層11に障壁層
12より大きな格子定数の有するものを使用したが、逆
に、井戸層11に障壁層12より小さな格子定数を有す
るものを選択しても良い。もちろんこの場合でも、クラ
ッド層2,3の格子定数は、井戸層11と障壁層12の
ほぼ中間の値でなければならない。井戸層11に障壁層
12よりより大きな格子定数の有するものを使用した場
合は、井戸層11に面内圧縮応力がかかるので、その圧
縮応力によって、より安定なTE発振動作が得られる。
また井戸層11に障壁層12より小さな格子定数を有す
るものを使用した場合には、井戸層11に面内引っ張り
応力がかかるので、その引っ張り応力によって、より安
定なTM発振動作が得られる本実施例においては、従来
例より層数の多いひずみ超格子を形成することができる
ので、最大出力、微分利得が増大し、優れた高速動作を
得ることができる。
超格子を用いた本発明による発光素子の実施例を示す。
同図において、n型InP基板1上にn型のクラッド層
であるn型InP層2、InGaAs井戸層11、In
GaAsP障壁層12、p型クラッド層であるp型In
P層3、及び電極接触用のp型InGaAsPキャップ
層4が積層され、横モード制御と電流狭搾のための半絶
縁性InP層5による埋め込みストライプ構造となって
いる。基板1とキャップ層4にそれぞれ接して、電極1
02と電極101が設けられている。井戸層11は、格
子定数が5.90Åであり、バンドギャップエネルギー
が0.66eVである。障壁層12は、格子定数が5.
84Åであり、バンドギャップエネルギーが0.95e
Vである。クラッド層2,3は、格子定数が5.87Å
であり、バンドギャップエネルギーが1.35eVであ
る。基板1は、クラッド層2,3と同等な格子定数とバ
ンドギャップエネルギーである。従って障壁層12は、
井戸層11より1.0%程度小さな格子定数を有してお
り、クラッド層2,3は、障壁層12の格子定数と井戸
層11の格子定数とのほぼ中間の格子定数を有してい
る。この障壁層12と井戸層11は、各層厚が70Åで
交互に15層が積層されかつ一番上と一番下の層には障
壁層12が位置するように形成され、ひずみ超格子(ひ
ずみ量子井戸)を形成している。このひずみ超格子の自
由空間での格子定数aSLは、この井戸層11と障壁層1
2の選択の効果により、クラッド層2,3の格子定数と
一致している。図2は、その活性層付近の層構造の伝導
帯バンドダイヤグラム及び自由空間での格子定数ダイヤ
グラムを示す。図3は、ひずみ超格子を構成する材料の
バンドギャップエネルギーと格子定数の関係を示したも
のである。なお同図は、以降で説明する実施例2,3,
4,5,6において、使用する材料も示している。本実
施例では、井戸層11と障壁層12の積層は、15層で
あるが、使用目的によりこの積層数を選択すると良い。
なお本発明の効果が顕著に現れるのは、層数が10以上
の時である。また、本実施例では、井戸層11に障壁層
12より大きな格子定数の有するものを使用したが、逆
に、井戸層11に障壁層12より小さな格子定数を有す
るものを選択しても良い。もちろんこの場合でも、クラ
ッド層2,3の格子定数は、井戸層11と障壁層12の
ほぼ中間の値でなければならない。井戸層11に障壁層
12よりより大きな格子定数の有するものを使用した場
合は、井戸層11に面内圧縮応力がかかるので、その圧
縮応力によって、より安定なTE発振動作が得られる。
また井戸層11に障壁層12より小さな格子定数を有す
るものを使用した場合には、井戸層11に面内引っ張り
応力がかかるので、その引っ張り応力によって、より安
定なTM発振動作が得られる本実施例においては、従来
例より層数の多いひずみ超格子を形成することができる
ので、最大出力、微分利得が増大し、優れた高速動作を
得ることができる。
【0008】
【実施例2】図4は、第2の実施例であり、実施例1と
同じひずみ超格子の構成を光スイッチ素子に用いた例を
示す。本実施例は、導波路層に本発明によるひずみ超格
子が用いられているほかは、一般のX導波型光スイッチ
と同構造である。n型InPクラッド層21上にn型の
クラッド層であるn型InP層22、導波路層を構成す
るInGaAsP井戸層23、InGaAsP障壁層2
4が積層され、その上にp型クラッド層であるp型In
P層25、及び電極接触用のp型InGaAsPキャッ
プ層26がX字状にリッジ加工されリッジ導波路を形成
している。基板21とキャップ層26にそれぞれ接し
て、電極102と電極101が設けられている。井戸層
23は、格子定数が5.90Åであり、バンドギャップ
エネルギーが0.66eVである。障壁層24は、格子
定数が5.84Åであり、バンドギャップエネルギーが
0.95eVである。クラッド層22,25は、格子定
数が5.87Åであり、バンドギャップエネルギーが
1.35eVである。InP基板21は、クラッド層2
2,25と同等な格子定数とバンドギャップエネルギー
である。従って障壁層24は、井戸層23より1.0%
程度小さな格子定数を有しており、クラッド層22,2
5は、障壁層24の格子定数と井戸層23の格子定数と
のほぼ中間の格子定数を有している。この障壁層24と
井戸層23は、各層厚が50Åで交互に51層が積層さ
れかつ一番上と一番下の層には障壁層24が位置するよ
うに形成され、ひずみ超格子(ひずみ量子井戸)を形成
している。本実施例の光スイッチとしての動作を説明す
る。リッジ交差部の片側半分の領域に接触している電極
101からキャリアが導波路層に注入されると、導波路
層の屈折率がプラズマ効果により減少し、導波してきた
入力光103はリッジ交差部でその屈折率差によって全
反射し、出力光104となる。一方キャリアが注入され
ない場合、入力光103はそのまま導波し出力光105
となるため、本光スイッチ素子は光の進路を電流のON
/OFFにより制御する光スイッチである。このタイプ
の光スイッチにとって、電流注入によって大きく屈折率
が変化する導波路層を作ることが極めて重要である。導
波路構造及び材料は実施例1と同じであるが、この場合
にはひずみ超格子の層数を51層とした。容易に層数を
増加できる理由は実施例1と同様である。その結果、圧
縮応力により各井戸層11の屈折率変化が向上するだけ
でなく、層数の増加により光閉じ込め係数が増大するた
め、屈折率変化の絶対値はその相乗効果により極めて増
大する。これにより、動作電流の飛躍的な低減や、交差
角の大きな光スイッチが可能となる。また、本実施例で
は、井戸層23に障壁層24よりより大きな格子定数の
有するものを使用したが、逆に、井戸層23に障壁層2
4より小さな格子定数を有するものを選択しても良い。
もちろんこの場合でも、クラッド層22,25の格子定
数は、井戸層23と障壁層24のほぼ中間の値でなけれ
ばならない。
同じひずみ超格子の構成を光スイッチ素子に用いた例を
示す。本実施例は、導波路層に本発明によるひずみ超格
子が用いられているほかは、一般のX導波型光スイッチ
と同構造である。n型InPクラッド層21上にn型の
クラッド層であるn型InP層22、導波路層を構成す
るInGaAsP井戸層23、InGaAsP障壁層2
4が積層され、その上にp型クラッド層であるp型In
P層25、及び電極接触用のp型InGaAsPキャッ
プ層26がX字状にリッジ加工されリッジ導波路を形成
している。基板21とキャップ層26にそれぞれ接し
て、電極102と電極101が設けられている。井戸層
23は、格子定数が5.90Åであり、バンドギャップ
エネルギーが0.66eVである。障壁層24は、格子
定数が5.84Åであり、バンドギャップエネルギーが
0.95eVである。クラッド層22,25は、格子定
数が5.87Åであり、バンドギャップエネルギーが
1.35eVである。InP基板21は、クラッド層2
2,25と同等な格子定数とバンドギャップエネルギー
である。従って障壁層24は、井戸層23より1.0%
程度小さな格子定数を有しており、クラッド層22,2
5は、障壁層24の格子定数と井戸層23の格子定数と
のほぼ中間の格子定数を有している。この障壁層24と
井戸層23は、各層厚が50Åで交互に51層が積層さ
れかつ一番上と一番下の層には障壁層24が位置するよ
うに形成され、ひずみ超格子(ひずみ量子井戸)を形成
している。本実施例の光スイッチとしての動作を説明す
る。リッジ交差部の片側半分の領域に接触している電極
101からキャリアが導波路層に注入されると、導波路
層の屈折率がプラズマ効果により減少し、導波してきた
入力光103はリッジ交差部でその屈折率差によって全
反射し、出力光104となる。一方キャリアが注入され
ない場合、入力光103はそのまま導波し出力光105
となるため、本光スイッチ素子は光の進路を電流のON
/OFFにより制御する光スイッチである。このタイプ
の光スイッチにとって、電流注入によって大きく屈折率
が変化する導波路層を作ることが極めて重要である。導
波路構造及び材料は実施例1と同じであるが、この場合
にはひずみ超格子の層数を51層とした。容易に層数を
増加できる理由は実施例1と同様である。その結果、圧
縮応力により各井戸層11の屈折率変化が向上するだけ
でなく、層数の増加により光閉じ込め係数が増大するた
め、屈折率変化の絶対値はその相乗効果により極めて増
大する。これにより、動作電流の飛躍的な低減や、交差
角の大きな光スイッチが可能となる。また、本実施例で
は、井戸層23に障壁層24よりより大きな格子定数の
有するものを使用したが、逆に、井戸層23に障壁層2
4より小さな格子定数を有するものを選択しても良い。
もちろんこの場合でも、クラッド層22,25の格子定
数は、井戸層23と障壁層24のほぼ中間の値でなけれ
ばならない。
【0009】
【実施例3】図5は、第3の実施例で、実施例1、2と
は異なる半導体系のひずみ超格子を用いた発光素子の実
施例を示す。同図において、n型GaAs基板6上に格
子定数を層に垂直方向に徐々に小さくしたn型グレーデ
ッドGaAsP層7、n型InAlPクラッド層8、I
nGaAlP井戸層14、InGaAlP障壁層15、
p型InAlPクラッド層9、及び電極接触用のp型I
nGaPキャップ層10が積層され、電流狭搾のための
SiO2 膜106によるストライプ構造となっている。
基板6とキャップ層10にそれぞれ接して、電極102
と電極101が設けられている。井戸層14は、格子定
数が5.61Åであり、バンドギャップエネルギーが
2.0eVである。障壁層15は、格子定数が5.55
Åであり、バンドギャップエネルギーが2.3eVであ
る。基板6は、格子定数が5.65Åであり、バンドギ
ャップエネルギーが1.43eVである。グレーデッド
層7は、格子定数が5.65Åから5.58Åに徐々に
変化した層である。クラッド層8,9は、格子定数が
5.58Åであり、バンドギャップエネルギーが2.4
eVである。従って障壁層15は、井戸層14より1.
1%程度小さな格子定数を有しており、クラッド層8,
9は、障壁層15の格子定数と井戸層14の格子定数と
のほぼ中間の格子定数を有している。この障壁層15と
井戸層14は、各層厚が70Åで交互に15層が積層さ
れかつ一番上と一番下の層には障壁層15が位置するよ
うに形成され、ひずみ超格子(ひずみ量子井戸)を形成
している。このひずみ超格子の自由空間での格子定数a
SLは、この井戸層14と障壁層15の選択の効果によ
り、クラッド層8,9の格子定数と一致している。図6
は、その活性層付近の層構造の伝導帯バンドダイヤグラ
ム及び自由空間での格子定数ダイヤグラムを示す。グレ
ーデッド層7は、基板6とクラッド層8の間に成長さ
れ、基板6に接している面の格子定数は基板6の格子定
数とほぼ同じに、クラッド層8に接している面の格子定
数はクラッド層8の格子定数とほぼ同じになるように、
その格子定数を徐々に変化させたのが特徴である。この
グレーデット層7により、基板6とクラッド層8,9の
格子定数が違うことが許され材料の選択の幅が広がり、
バンドギャップエネルギーの大きな材料の成長が可能と
なり、より短波長の発光を得ることができる。また、本
実施例では、井戸層14に障壁層15より大きな格子定
数の有するものを使用したが、逆に、井戸層14に障壁
層15より小さな格子定数を有するものを選択しても良
い。もちろんこの場合でも、クラッド層22,25の格
子定数は、井戸層14と障壁層15のほぼ中間の値でな
ければならない。井戸層14に障壁層15よりより大き
な格子定数の有するものを使用した場合は、井戸層14
に面内圧縮応力がかかるので、その圧縮応力によって、
より安定なTE発振動作が得られる。また井戸層14に
障壁層15より小さな格子定数を有するものを使用した
場合は、井戸層14に面内引っ張り応力がかかるので、
その引っ張り応力によって、より安定なTM発振動作が
得られる。
は異なる半導体系のひずみ超格子を用いた発光素子の実
施例を示す。同図において、n型GaAs基板6上に格
子定数を層に垂直方向に徐々に小さくしたn型グレーデ
ッドGaAsP層7、n型InAlPクラッド層8、I
nGaAlP井戸層14、InGaAlP障壁層15、
p型InAlPクラッド層9、及び電極接触用のp型I
nGaPキャップ層10が積層され、電流狭搾のための
SiO2 膜106によるストライプ構造となっている。
基板6とキャップ層10にそれぞれ接して、電極102
と電極101が設けられている。井戸層14は、格子定
数が5.61Åであり、バンドギャップエネルギーが
2.0eVである。障壁層15は、格子定数が5.55
Åであり、バンドギャップエネルギーが2.3eVであ
る。基板6は、格子定数が5.65Åであり、バンドギ
ャップエネルギーが1.43eVである。グレーデッド
層7は、格子定数が5.65Åから5.58Åに徐々に
変化した層である。クラッド層8,9は、格子定数が
5.58Åであり、バンドギャップエネルギーが2.4
eVである。従って障壁層15は、井戸層14より1.
1%程度小さな格子定数を有しており、クラッド層8,
9は、障壁層15の格子定数と井戸層14の格子定数と
のほぼ中間の格子定数を有している。この障壁層15と
井戸層14は、各層厚が70Åで交互に15層が積層さ
れかつ一番上と一番下の層には障壁層15が位置するよ
うに形成され、ひずみ超格子(ひずみ量子井戸)を形成
している。このひずみ超格子の自由空間での格子定数a
SLは、この井戸層14と障壁層15の選択の効果によ
り、クラッド層8,9の格子定数と一致している。図6
は、その活性層付近の層構造の伝導帯バンドダイヤグラ
ム及び自由空間での格子定数ダイヤグラムを示す。グレ
ーデッド層7は、基板6とクラッド層8の間に成長さ
れ、基板6に接している面の格子定数は基板6の格子定
数とほぼ同じに、クラッド層8に接している面の格子定
数はクラッド層8の格子定数とほぼ同じになるように、
その格子定数を徐々に変化させたのが特徴である。この
グレーデット層7により、基板6とクラッド層8,9の
格子定数が違うことが許され材料の選択の幅が広がり、
バンドギャップエネルギーの大きな材料の成長が可能と
なり、より短波長の発光を得ることができる。また、本
実施例では、井戸層14に障壁層15より大きな格子定
数の有するものを使用したが、逆に、井戸層14に障壁
層15より小さな格子定数を有するものを選択しても良
い。もちろんこの場合でも、クラッド層22,25の格
子定数は、井戸層14と障壁層15のほぼ中間の値でな
ければならない。井戸層14に障壁層15よりより大き
な格子定数の有するものを使用した場合は、井戸層14
に面内圧縮応力がかかるので、その圧縮応力によって、
より安定なTE発振動作が得られる。また井戸層14に
障壁層15より小さな格子定数を有するものを使用した
場合は、井戸層14に面内引っ張り応力がかかるので、
その引っ張り応力によって、より安定なTM発振動作が
得られる。
【0010】
【実施例4】実施例1,2,3におけるひずみ超格子
は、井戸層と障壁層の2種類の層で構成されているが、
この場合、その格子定数差をあまり大きくできず、この
2つの層に対する材料選択の自由度が小さいという問題
がある。さらに、材料(例えば、AlAs/InAs/
InP、GaAsP/InGaAs/GaAs等)によ
っては、井戸層と障壁層との直接の結晶成長が難しい場
合もある。この欠点を解決するため本発明は、ひずみ超
格子を構成する井戸層と障壁層の間に、クラッド層の格
子定数に近い格子定数を持つ別の材料を中間層として挿
入する。この「クラッド層の格子定数に近い格子定数」
とは、格子定数差で0.2%以内という範囲である。こ
の中間層を設けることにより、自由空間のひずみ超格子
の面方向の格子定数aSLをクラッド層の格子定数aCLと
ほぼ等しくする材料選択の幅および層数等の構造の自由
度が広がる。図7は、この場合の第4の実施例で、井戸
層と障壁層の間に中間層を設けたInGaAsP/In
P系ひずみ超格子を用いた発光素子の実施例を示す。同
図において、n型InP基板31上に、n型InPクラ
ッド層32、InGaAsP井戸層33、InGaAs
P障壁層34、InGaAsP中間層35、p型InP
クラッド層36、及び電極接触用のp型InGaAsP
キャップ層37が積層され、横モード制御と電流狭搾の
ための半絶縁性InP層38による埋め込みストライプ
構造となっている。基板31とキャップ層37にそれぞ
れ接して、電極102と電極101が設けられている。
井戸層33は、格子定数が5.93Åであり、バンドギ
ャップエネルギーが0.66eVである。障壁層34
は、格子定数が5.81Åであり、バンドギャップエネ
ルギーが0.95eVである。中間層35は、格子定数
が5.87Åであり、バンドギャップエネルギーが0.
95eVである。クラッド層32,36は、格子定数が
5.87Åであり、バンドギャップエネルギーが1.3
5eVである。基板31は、クラッド層32,36と同
等な格子定数とバンドギャップエネルギーである。従っ
て障壁層34は、井戸層33より2.0%程度小さな格
子定数を有しており、クラッド層32,36は、障壁層
34の格子定数と井戸層33の格子定数とのほぼ中間の
格子定数を有している。障壁層34と井戸層33が交互
に15層が積層されしかも一番上と一番下の層には障壁
層34が位置するように形成され、かつその各層の間に
中間層35が挿入されて、計29層の積層によってひず
み超格子(ひずみ量子井戸)を形成している。このひず
み超格子の自由空間での格子定数aSLは、この井戸層3
3と障壁層34と中間層35の選択の効果により、クラ
ッド層32,36の格子定数と一致している。なお、本
実施例では、井戸層33には面内圧縮応力がかかるの
で、その圧縮応力によって、より安定なTE発振動作が
得られる。図8は、その活性層付近の層構造の伝導帯バ
ンドダイヤグラム及び自由空間での格子定数ダイヤグラ
ムを示す。本実施例では、井戸層33に障壁層34より
大きな格子定数の有するものを使用したが、逆に、井戸
層33に障壁層34より小さな格子定数を有するものを
選択しても良い。もちろんこの場合でも、クラッド層3
2,35の格子定数は、井戸層33と障壁層34のほぼ
中間の値でなければならない。井戸層33に障壁層34
よりより大きな格子定数の有するものを使用した場合
は、井戸層33に面内圧縮応力がかかるので、その圧縮
応力によって、より安定なTE発振動作が得られる。ま
た井戸層33に障壁層34より小さな格子定数を有する
ものを使用した場合は、井戸層33に面内引っ張り応力
がかかるので、その引っ張り応力によって、より安定な
TM発振動作が得られる。
は、井戸層と障壁層の2種類の層で構成されているが、
この場合、その格子定数差をあまり大きくできず、この
2つの層に対する材料選択の自由度が小さいという問題
がある。さらに、材料(例えば、AlAs/InAs/
InP、GaAsP/InGaAs/GaAs等)によ
っては、井戸層と障壁層との直接の結晶成長が難しい場
合もある。この欠点を解決するため本発明は、ひずみ超
格子を構成する井戸層と障壁層の間に、クラッド層の格
子定数に近い格子定数を持つ別の材料を中間層として挿
入する。この「クラッド層の格子定数に近い格子定数」
とは、格子定数差で0.2%以内という範囲である。こ
の中間層を設けることにより、自由空間のひずみ超格子
の面方向の格子定数aSLをクラッド層の格子定数aCLと
ほぼ等しくする材料選択の幅および層数等の構造の自由
度が広がる。図7は、この場合の第4の実施例で、井戸
層と障壁層の間に中間層を設けたInGaAsP/In
P系ひずみ超格子を用いた発光素子の実施例を示す。同
図において、n型InP基板31上に、n型InPクラ
ッド層32、InGaAsP井戸層33、InGaAs
P障壁層34、InGaAsP中間層35、p型InP
クラッド層36、及び電極接触用のp型InGaAsP
キャップ層37が積層され、横モード制御と電流狭搾の
ための半絶縁性InP層38による埋め込みストライプ
構造となっている。基板31とキャップ層37にそれぞ
れ接して、電極102と電極101が設けられている。
井戸層33は、格子定数が5.93Åであり、バンドギ
ャップエネルギーが0.66eVである。障壁層34
は、格子定数が5.81Åであり、バンドギャップエネ
ルギーが0.95eVである。中間層35は、格子定数
が5.87Åであり、バンドギャップエネルギーが0.
95eVである。クラッド層32,36は、格子定数が
5.87Åであり、バンドギャップエネルギーが1.3
5eVである。基板31は、クラッド層32,36と同
等な格子定数とバンドギャップエネルギーである。従っ
て障壁層34は、井戸層33より2.0%程度小さな格
子定数を有しており、クラッド層32,36は、障壁層
34の格子定数と井戸層33の格子定数とのほぼ中間の
格子定数を有している。障壁層34と井戸層33が交互
に15層が積層されしかも一番上と一番下の層には障壁
層34が位置するように形成され、かつその各層の間に
中間層35が挿入されて、計29層の積層によってひず
み超格子(ひずみ量子井戸)を形成している。このひず
み超格子の自由空間での格子定数aSLは、この井戸層3
3と障壁層34と中間層35の選択の効果により、クラ
ッド層32,36の格子定数と一致している。なお、本
実施例では、井戸層33には面内圧縮応力がかかるの
で、その圧縮応力によって、より安定なTE発振動作が
得られる。図8は、その活性層付近の層構造の伝導帯バ
ンドダイヤグラム及び自由空間での格子定数ダイヤグラ
ムを示す。本実施例では、井戸層33に障壁層34より
大きな格子定数の有するものを使用したが、逆に、井戸
層33に障壁層34より小さな格子定数を有するものを
選択しても良い。もちろんこの場合でも、クラッド層3
2,35の格子定数は、井戸層33と障壁層34のほぼ
中間の値でなければならない。井戸層33に障壁層34
よりより大きな格子定数の有するものを使用した場合
は、井戸層33に面内圧縮応力がかかるので、その圧縮
応力によって、より安定なTE発振動作が得られる。ま
た井戸層33に障壁層34より小さな格子定数を有する
ものを使用した場合は、井戸層33に面内引っ張り応力
がかかるので、その引っ張り応力によって、より安定な
TM発振動作が得られる。
【0011】
【実施例5】図9は、第5の実施例であり、実施例4と
同じひずみ超格子の構成を光スイッチ素子に用いた例を
示す。導波路層に本発明によるひずみ超格子が使われて
いるほかは、一般のX導波型光スイッチと同構造であ
る。n型InP基板41上に、n型InPクラッド層4
2、導波路層を構成するInGaAsP井戸層43、I
nGaAsP障壁層44、InGaAsP中間層45が
積層され、その上にp型InPクラッド層46、及び電
極接触用のp型InGaAsPキャップ層47がX字状
にリッジ加工されリッジ導波路を形成している。基板4
1とキャップ層47にそれぞれ接して、電極102と電
極101が設けられている。 井戸層43は、格子定数
が5.93Åであり、バンドギャップエネルギーが0.
66eVである。障壁層44は、格子定数が5.81Å
であり、バンドギャップエネルギーが0.95eVであ
る。中間層45は、格子定数が5.87Åであり、バン
ドギャップエネルギーが0.95eVである。クラッド
層42,46は、格子定数が5.87Åであり、バンド
ギャップエネルギーが1.35eVである。基板41
は、クラッド層42,46と同等な格子定数とバンドギ
ャップエネルギーである。従って障壁層43は、井戸層
43より2.0%程度小さな格子定数を有しており、ク
ラッド層42,46は、障壁層44の格子定数と井戸層
43の格子定数とのほぼ中間の格子定数を有している。
この障壁層44と井戸層43は、交互に51層が積層さ
れしかも一番上と一番下の層は障壁層44が位置するよ
うに形成され、かつその各層の間に中間層45が挿入さ
れて、計101層の積層によってひずみ超格子(ひずみ
量子井戸)を形成している。この3つの層の厚さは、5
0Åである。また、本実施例では、井戸層43に障壁層
44よりより大きな格子定数の有するものを使用した
が、逆に、井戸層43に障壁層44より小さな格子定数
を有するものを選択しても良い。もちろんこの場合で
も、クラッド層42,46の格子定数は、井戸層43と
障壁層44のほぼ中間の値でなければならない。
同じひずみ超格子の構成を光スイッチ素子に用いた例を
示す。導波路層に本発明によるひずみ超格子が使われて
いるほかは、一般のX導波型光スイッチと同構造であ
る。n型InP基板41上に、n型InPクラッド層4
2、導波路層を構成するInGaAsP井戸層43、I
nGaAsP障壁層44、InGaAsP中間層45が
積層され、その上にp型InPクラッド層46、及び電
極接触用のp型InGaAsPキャップ層47がX字状
にリッジ加工されリッジ導波路を形成している。基板4
1とキャップ層47にそれぞれ接して、電極102と電
極101が設けられている。 井戸層43は、格子定数
が5.93Åであり、バンドギャップエネルギーが0.
66eVである。障壁層44は、格子定数が5.81Å
であり、バンドギャップエネルギーが0.95eVであ
る。中間層45は、格子定数が5.87Åであり、バン
ドギャップエネルギーが0.95eVである。クラッド
層42,46は、格子定数が5.87Åであり、バンド
ギャップエネルギーが1.35eVである。基板41
は、クラッド層42,46と同等な格子定数とバンドギ
ャップエネルギーである。従って障壁層43は、井戸層
43より2.0%程度小さな格子定数を有しており、ク
ラッド層42,46は、障壁層44の格子定数と井戸層
43の格子定数とのほぼ中間の格子定数を有している。
この障壁層44と井戸層43は、交互に51層が積層さ
れしかも一番上と一番下の層は障壁層44が位置するよ
うに形成され、かつその各層の間に中間層45が挿入さ
れて、計101層の積層によってひずみ超格子(ひずみ
量子井戸)を形成している。この3つの層の厚さは、5
0Åである。また、本実施例では、井戸層43に障壁層
44よりより大きな格子定数の有するものを使用した
が、逆に、井戸層43に障壁層44より小さな格子定数
を有するものを選択しても良い。もちろんこの場合で
も、クラッド層42,46の格子定数は、井戸層43と
障壁層44のほぼ中間の値でなければならない。
【0012】
【実施例6】図10は、第6の実施例で、実施例4,5
とは異なる半導体系のひずみ超格子を用いた発光素子の
実施例を示す。同図において、n型GaAs基板51上
に格子定数を層に垂直方向に徐々に小さくしたn型グレ
ーデッドGaAsP層52、n型InAlPクラッド層
53、InGaAlP井戸層54、InGaA lP障
壁層55、InGaAlP中間層56、p型InAlP
クラッド層57、及び電極接触用のp型InGaPキャ
ップ層58が積層され、電流狭搾のためのSiO2 膜1
06によるストライプ構造となっている。基板51とキ
ャップ層58にそれぞれ接して、電極102と電極10
1が設けられている。井戸層54は、格子定数が5.6
4Åであり、バンドギャップエネルギーが2.0eVで
ある。障壁層55は、格子定数が5.52Åであり、バ
ンドギャップエネルギーが2.3eVである。中間層5
6は、格子定数が5.58Åであり、バンドギャップエ
ネルギーが2.3eVである。基板51は、格子定数が
5.65Åであり、バンドギャップエネルギーが1.4
3eVである。グレーデッド層52は、格子定数が5.
65Åから5.58Åに徐々に変化した層である。クラ
ッド層53,57は、格子定数が5.58Åであり、バ
ンドギャップエネルギーが2.4eVである。従って障
壁層55は、井戸層54より2.3%程度小さな格子定
数を有しており、クラッド基板53,57は、障壁層5
5の格子定数と井戸層54の格子定数とのほぼ中間の格
子定数を有している。この障壁層55と井戸層54と中
間層56は、各層厚が70Åで、障壁層55と井戸層5
4が交互に15層が積層されしかも一番上と一番下の層
は障壁層15が位置するように形成され、かつその各層
の間に中間層56が挿入されて、計19層の積層によっ
てひずみ超格子(ひずみ量子井戸)を形成している。こ
のひずみ超格子の自由空間での格子定数aSLは、この井
戸層54と障壁層55と中間層56の選択の効果によ
り、クラッド層53,57の格子定数aCLと一致してい
る。図11は、その活性層付近の層構造の伝導帯バンド
ダイヤグラム及び自由空間での格子定数ダイヤグラムを
示す。グレーデッド層52は、基板51とクラッド層5
3の間に成長され、基板51に接している面の格子定数
は基板51の格子定数とほぼ同じに、クラッド層53に
接している面の格子定数はクラッド層53の格子定数と
ほぼ同じになるように、その格子定数を徐々に変化させ
たのが特徴である。このグレーデット層52により、基
板51とクラッド層53,57の格子定数が違うことが
許され、材料の選択の幅が広がり、バンドギャップエネ
ルギーの大きな材料の成長が可能となり、より短波長の
発光を得ることができる。また、本実施例では、井戸層
54に障壁層55より大きな格子定数の有するものを使
用したが、逆に、井戸層54に障壁層55より小さな格
子定数を有するものを選択しても良い。もちろんこの場
合でも、クラッド層53,57の格子定数は、井戸層5
4と障壁層55のほぼ中間の値でなければならない。井
戸層54に障壁層55よりより大きな格子定数の有する
ものを使用した場合は、井戸層54に面内圧縮応力がか
かるので、その圧縮応力によって、より安定なTE発振
動作が得られる。また井戸層54に障壁層55より小さ
な格子定数を有するものを使用した場合は、井戸層54
に面内引っ張り応力がかかるので、その引っ張り応力に
よって、より安定なTM発振動作が得られる。
とは異なる半導体系のひずみ超格子を用いた発光素子の
実施例を示す。同図において、n型GaAs基板51上
に格子定数を層に垂直方向に徐々に小さくしたn型グレ
ーデッドGaAsP層52、n型InAlPクラッド層
53、InGaAlP井戸層54、InGaA lP障
壁層55、InGaAlP中間層56、p型InAlP
クラッド層57、及び電極接触用のp型InGaPキャ
ップ層58が積層され、電流狭搾のためのSiO2 膜1
06によるストライプ構造となっている。基板51とキ
ャップ層58にそれぞれ接して、電極102と電極10
1が設けられている。井戸層54は、格子定数が5.6
4Åであり、バンドギャップエネルギーが2.0eVで
ある。障壁層55は、格子定数が5.52Åであり、バ
ンドギャップエネルギーが2.3eVである。中間層5
6は、格子定数が5.58Åであり、バンドギャップエ
ネルギーが2.3eVである。基板51は、格子定数が
5.65Åであり、バンドギャップエネルギーが1.4
3eVである。グレーデッド層52は、格子定数が5.
65Åから5.58Åに徐々に変化した層である。クラ
ッド層53,57は、格子定数が5.58Åであり、バ
ンドギャップエネルギーが2.4eVである。従って障
壁層55は、井戸層54より2.3%程度小さな格子定
数を有しており、クラッド基板53,57は、障壁層5
5の格子定数と井戸層54の格子定数とのほぼ中間の格
子定数を有している。この障壁層55と井戸層54と中
間層56は、各層厚が70Åで、障壁層55と井戸層5
4が交互に15層が積層されしかも一番上と一番下の層
は障壁層15が位置するように形成され、かつその各層
の間に中間層56が挿入されて、計19層の積層によっ
てひずみ超格子(ひずみ量子井戸)を形成している。こ
のひずみ超格子の自由空間での格子定数aSLは、この井
戸層54と障壁層55と中間層56の選択の効果によ
り、クラッド層53,57の格子定数aCLと一致してい
る。図11は、その活性層付近の層構造の伝導帯バンド
ダイヤグラム及び自由空間での格子定数ダイヤグラムを
示す。グレーデッド層52は、基板51とクラッド層5
3の間に成長され、基板51に接している面の格子定数
は基板51の格子定数とほぼ同じに、クラッド層53に
接している面の格子定数はクラッド層53の格子定数と
ほぼ同じになるように、その格子定数を徐々に変化させ
たのが特徴である。このグレーデット層52により、基
板51とクラッド層53,57の格子定数が違うことが
許され、材料の選択の幅が広がり、バンドギャップエネ
ルギーの大きな材料の成長が可能となり、より短波長の
発光を得ることができる。また、本実施例では、井戸層
54に障壁層55より大きな格子定数の有するものを使
用したが、逆に、井戸層54に障壁層55より小さな格
子定数を有するものを選択しても良い。もちろんこの場
合でも、クラッド層53,57の格子定数は、井戸層5
4と障壁層55のほぼ中間の値でなければならない。井
戸層54に障壁層55よりより大きな格子定数の有する
ものを使用した場合は、井戸層54に面内圧縮応力がか
かるので、その圧縮応力によって、より安定なTE発振
動作が得られる。また井戸層54に障壁層55より小さ
な格子定数を有するものを使用した場合は、井戸層54
に面内引っ張り応力がかかるので、その引っ張り応力に
よって、より安定なTM発振動作が得られる。
【0013】以上の6つの実施例では、InP、GaA
sなどの半導体基板を用いた例を説明したが、他の材料
にも容易に適用できる。実施例として半導体レーザや光
スイッチについて述べたが、本発明は、発光ダイオー
ド、受光素子、さらに、高速トランジスタ等の電子デバ
イスにも容易に応用できる。井戸層と障壁層と中間層の
層厚が同じである例を示したが、目的に応じてそれぞれ
の層厚を任意に変えてもよい。
sなどの半導体基板を用いた例を説明したが、他の材料
にも容易に適用できる。実施例として半導体レーザや光
スイッチについて述べたが、本発明は、発光ダイオー
ド、受光素子、さらに、高速トランジスタ等の電子デバ
イスにも容易に応用できる。井戸層と障壁層と中間層の
層厚が同じである例を示したが、目的に応じてそれぞれ
の層厚を任意に変えてもよい。
【0014】本発明において、クラッド層の格子定数を
井戸層と障壁層の格子定数のほぼ中間の値にするという
のは、(|aSL−aCL|/aCL)<0.2%という条件
が得られる程度である。aSLはひずみ超格子の自由空間
での面方向の格子定数、aCLはクラッド層の格子定数で
ある。
井戸層と障壁層の格子定数のほぼ中間の値にするという
のは、(|aSL−aCL|/aCL)<0.2%という条件
が得られる程度である。aSLはひずみ超格子の自由空間
での面方向の格子定数、aCLはクラッド層の格子定数で
ある。
【0015】また、本発明において、井戸層と障壁層の
格子定数の差は、ひずみ超格子の効果を得る意図におい
て、0.5%以上が選択される。現在の技術では、最大
7.2%程度の格子定数の差を持ったひずみ超格子が形
成可能である。
格子定数の差は、ひずみ超格子の効果を得る意図におい
て、0.5%以上が選択される。現在の技術では、最大
7.2%程度の格子定数の差を持ったひずみ超格子が形
成可能である。
【0016】
【発明の効果】従来技術によるひずみ超格子は、井戸層
厚と井戸層数の積が臨界膜厚、すなわち無欠陥で成長可
能な最大の膜厚に達すると欠陥が発生する。一方、本発
明によるひずみ超格子は、原理的には、無限の井戸数を
無欠陥で成長することが出来る。図12に井戸層幅が1
00Åとした時の従来技術並びに本発明によるひずみ超
格子における格子定数差△a/aと臨界膜厚を意味する
臨界井戸数の関係を示す。同図から読み取れるように、
本発明によれば、格子定数差3%程度までは、無限大の
臨界井戸数を有することを読みとることが出来る。ま
た、同図では示されていないが、井戸層幅を小さくすれ
ば、より大きな格子定数差△a/aでも成長可能とな
る。逆に井戸層幅を大きくすれば、より小さな△a/a
までしか成長できなくなる。また同図から分かるよう
に、△a/aが0.5%以下の格子定数の差において
は、従来技術によるひずみ超格子でも10層以上の井戸
層を無欠陥で成長できることまた、成長条件のばらつき
等によって、0.2〜0.3%の△a/aが容易に生じ
ることから、本発明の効果が顕著となる格子定数の差の
量は|△a/a|>0.5%の領域である。自由空間で
のひずみ超格子の面方向の格子定数aSLとクラッド層の
格子定数aCLを一致させるようにひずみ超格子を作製す
ることによって、ひずみ超格子にかかる全体の応力はひ
ずみ超格子の層数にかかわらずゼロまたは非常に低減す
ることができ、層数の多いひずみ超格子の成長が容易に
可能となる。さらに、ひずみ超格子を構成する2種類の
材料の間に、クラッド層の格子定数に近い格子定数を持
つ第3の材料の中間層を挿入することにより、それぞれ
の層にかかる応力が緩和されるため、材料間の相対的な
格子定数差を大きくすることができ、材料選択範囲が広
がる。さらに、同じ理由から、同じ材料を用いた場合そ
れぞれの臨界膜厚が増大する。さらに、直接の結晶成長
が難しい材料系でも、中間層を介して容易に成長ができ
るようになるなど、種々の効果がある。このような層数
の多いひずみ超格子は発光素子、受光素子、電子デバイ
ス等に応用することにより特性の大幅な向上が期待で
き、その効果は大きい。
厚と井戸層数の積が臨界膜厚、すなわち無欠陥で成長可
能な最大の膜厚に達すると欠陥が発生する。一方、本発
明によるひずみ超格子は、原理的には、無限の井戸数を
無欠陥で成長することが出来る。図12に井戸層幅が1
00Åとした時の従来技術並びに本発明によるひずみ超
格子における格子定数差△a/aと臨界膜厚を意味する
臨界井戸数の関係を示す。同図から読み取れるように、
本発明によれば、格子定数差3%程度までは、無限大の
臨界井戸数を有することを読みとることが出来る。ま
た、同図では示されていないが、井戸層幅を小さくすれ
ば、より大きな格子定数差△a/aでも成長可能とな
る。逆に井戸層幅を大きくすれば、より小さな△a/a
までしか成長できなくなる。また同図から分かるよう
に、△a/aが0.5%以下の格子定数の差において
は、従来技術によるひずみ超格子でも10層以上の井戸
層を無欠陥で成長できることまた、成長条件のばらつき
等によって、0.2〜0.3%の△a/aが容易に生じ
ることから、本発明の効果が顕著となる格子定数の差の
量は|△a/a|>0.5%の領域である。自由空間で
のひずみ超格子の面方向の格子定数aSLとクラッド層の
格子定数aCLを一致させるようにひずみ超格子を作製す
ることによって、ひずみ超格子にかかる全体の応力はひ
ずみ超格子の層数にかかわらずゼロまたは非常に低減す
ることができ、層数の多いひずみ超格子の成長が容易に
可能となる。さらに、ひずみ超格子を構成する2種類の
材料の間に、クラッド層の格子定数に近い格子定数を持
つ第3の材料の中間層を挿入することにより、それぞれ
の層にかかる応力が緩和されるため、材料間の相対的な
格子定数差を大きくすることができ、材料選択範囲が広
がる。さらに、同じ理由から、同じ材料を用いた場合そ
れぞれの臨界膜厚が増大する。さらに、直接の結晶成長
が難しい材料系でも、中間層を介して容易に成長ができ
るようになるなど、種々の効果がある。このような層数
の多いひずみ超格子は発光素子、受光素子、電子デバイ
ス等に応用することにより特性の大幅な向上が期待で
き、その効果は大きい。
【図1】本発明の第1の実施例を示す一部拡大図を含む
斜視図である。
斜視図である。
【図2】図1の実施例における活性層付近の層構造の伝
導体バンドダイヤグラムと自由空間での格子定数ダイヤ
グラムである。
導体バンドダイヤグラムと自由空間での格子定数ダイヤ
グラムである。
【図3】本発明におけるひずみ超格子を構成する材料の
バンドギャップエネルギーと格子定数の関係を示す特性
図である。
バンドギャップエネルギーと格子定数の関係を示す特性
図である。
【図4】本発明の第2の実施例を示す斜視図である。
【図5】本発明の第3の実施例を示す斜視図である。
【図6】図5の実施例における活性層付近の層構造の伝
導体バンドダイヤグラムと自由空間での格子定数ダイヤ
グラムである。
導体バンドダイヤグラムと自由空間での格子定数ダイヤ
グラムである。
【図7】本発明の第4の実施例を示す一部拡大図を含む
斜視図である。
斜視図である。
【図8】図7の実施例における活性層付近の層構造の伝
導体バンドダイヤグラムと自由空間での格子定数ダイヤ
グラムである。
導体バンドダイヤグラムと自由空間での格子定数ダイヤ
グラムである。
【図9】本発明の第5の実施例を示す斜視図である。
【図10】本発明の第6の実施例を示す一部拡大図を含
む斜視図である。
む斜視図である。
【図11】図10の実施例における活性層付近の層構造
の伝導体バンドダイヤグラムと自由空間での格子定数ダ
イヤグラムである。
の伝導体バンドダイヤグラムと自由空間での格子定数ダ
イヤグラムである。
【図12】従来技術と本発明とについて格子定数差と臨
界井戸数の関を対比して示す特性図である。
界井戸数の関を対比して示す特性図である。
【図13】ひずみ超格子の面方向の格子定数の積層前後
における変化を説明するための図である。
における変化を説明するための図である。
1 n−InP基板 2 n−InPクラッド層 3 p−InPクラッド層 4 p−InGaAsPキャップ層 5 InP半絶縁層 6 n−GaAs基板 7 クレーデッドn−GaAsP層 8 n−InAlPクラッド層 9 p−InAlPクラッド層 10 p−InGaPキャップ層 11 InGaAs井戸層 12 InGaAsP障壁層 14 InGaAlP井戸層 15 InGaAlP障壁層 21 n−InP基板 22 n−InPクラッド層 23 InGaAs井戸層 24 InGaAsP障壁層 25 p−InPクラッド層 26 p−InGaAsPキャップ層 31 n−InP基板 32 n−InPクラッド層 33 InGaAsP井戸層 34 InGaAsP障壁層 35 InGaAsP中間層 36 p−InPクラッド層 37 p−InGaAsPキャップ層 38 InP半絶縁層 41 n−InP基板 42 n−InPクラッド層 43 InGaAsP井戸層 44 InGaAsP障壁層 45 InGaAsP中間層 46 p−InPクラッド層 47 p−InGaAsPキャップ層 51 n−GaAs基板 52 グレーデッドn−GaAsP層 53 n−InAlPクラッド層 54 InGaAlP井戸層 55 InGaAlP障壁層 56 InGaAlP中間層 57 p−InAlP層 58 p−InGaPキャップ層 59 SiO2 膜 101,102 電極 103 入力光 104,105 出力光 106 SiO2 膜
Claims (3)
- 【請求項1】 第一の半導体と、該第一の半導体より小
さな格子定数を持つ第二の半導体を、該第一の半導体の
格子定数と該第二の半導体の格子定数のほぼ中間の格子
定数を持つクラッド層上に、積層してひずみ超格子が形
成され、自由空間の該ひずみ超格子の面方向の格子定数
が前記クラッド層の格子定数とほぼ等しくなるように構
成されたひずみ超格子を有する半導体デバイス。 - 【請求項2】 第一の半導体と、該第一の半導体より
0.5%以上小さな格子定数を持つ第二の半導体を、該
第一の半導体の格子定数と該第二の半導体の格子定数の
ほぼ中間の格子定数を持つクラッド層上に、積層してひ
ずみ超格子が形成され、自由空間の該ひずみ超格子の面
方向の格子定数が前記クラッド層の格子定数とほぼ等し
くなるように構成されたひずみ超格子を有する半導体デ
バイス。 - 【請求項3】 積層された前記第一の半導体と前記第二
の半導体との間に前記クラッド層の格子定数とほぼ等し
い格子定数を有する第三の半導体が挿入されていること
を特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4087465A JP2707183B2 (ja) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | ひずみ超格子を有する半導体デバイス |
US08/027,192 US5306924A (en) | 1992-03-12 | 1993-03-05 | Semiconductor device with strained-layer superlattice |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4087465A JP2707183B2 (ja) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | ひずみ超格子を有する半導体デバイス |
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Publication Number | Publication Date |
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ID=13915646
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1012962A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
WO1999014833A1 (fr) * | 1997-09-17 | 1999-03-25 | Nippon Sanso Corporation | Laser a semi-conducteurs |
JP2001094219A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光デバイス |
JP2004296845A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Ricoh Co Ltd | 量子井戸構造および半導体発光素子および光送信モジュールおよび光伝送システム |
JP2005266632A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Yokogawa Electric Corp | 光スイッチ |
US7714338B2 (en) | 2002-11-21 | 2010-05-11 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light emitter |
JP2010165870A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ素子 |
JP2011054905A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
JP2012156397A (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
US8446927B2 (en) | 2011-01-27 | 2013-05-21 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
US8599895B2 (en) | 2011-01-27 | 2013-12-03 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
JP2018085450A (ja) * | 2016-11-24 | 2018-05-31 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0720506A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光スイッチ及びその製造方法 |
JP3293996B2 (ja) * | 1994-03-15 | 2002-06-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JPH0878786A (ja) * | 1994-09-02 | 1996-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 歪量子井戸の構造 |
JPH09106946A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置,及び半導体レーザ,並びに高電子移動度トランジスタ装置 |
JP2002204032A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-07-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP3960815B2 (ja) * | 2002-02-12 | 2007-08-15 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2006066456A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像素子 |
JP5604147B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-10-08 | パナソニック株式会社 | トランジスタ及びその製造方法 |
US9831382B2 (en) | 2011-12-03 | 2017-11-28 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Epitaxy technique for growing semiconductor compounds |
US10158044B2 (en) | 2011-12-03 | 2018-12-18 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Epitaxy technique for growing semiconductor compounds |
US10490697B2 (en) | 2011-12-03 | 2019-11-26 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Epitaxy technique for growing semiconductor compounds |
WO2013116622A1 (en) | 2012-02-01 | 2013-08-08 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Epitaxy technique for reducing threading dislocations in stressed semiconductor compounds |
EP2839520B1 (en) | 2012-04-16 | 2018-04-11 | Sensor Electronic Technology Inc. | Non-uniform multiple quantum well structure |
US9960315B2 (en) | 2013-01-09 | 2018-05-01 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Light emitting heterostructure with partially relaxed semiconductor layer |
US9312428B2 (en) | 2013-01-09 | 2016-04-12 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Light emitting heterostructure with partially relaxed semiconductor layer |
JP7295371B2 (ja) * | 2018-08-31 | 2023-06-21 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ素子 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6399589A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
JPH0423418A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-27 | Elna Co Ltd | エネルギー貯蔵装置 |
JPH0422185A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63284869A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | ヘテロ接合電界効果半導体装置 |
JP2898643B2 (ja) * | 1988-11-11 | 1999-06-02 | 古河電気工業株式会社 | 量子井戸半導体レーザ素子 |
US5075743A (en) * | 1989-06-06 | 1991-12-24 | Cornell Research Foundation, Inc. | Quantum well optical device on silicon |
US5048036A (en) * | 1989-09-18 | 1991-09-10 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Heterostructure laser with lattice mismatch |
JPH0432220A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体バッファ層構造 |
US5061970A (en) * | 1990-06-04 | 1991-10-29 | Motorola, Inc. | Energy band leveling modulation doped quantum well |
US5090790A (en) * | 1990-06-29 | 1992-02-25 | At&T Bell Laboratories | Polarization-independent semiconductor waveguide |
US5060030A (en) * | 1990-07-18 | 1991-10-22 | Raytheon Company | Pseudomorphic HEMT having strained compensation layer |
JPH04298050A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-21 | Hitachi Ltd | 歪付キャリア供給層を有するヘテロ構造素子 |
-
1992
- 1992-03-12 JP JP4087465A patent/JP2707183B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-03-05 US US08/027,192 patent/US5306924A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6399589A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
JPH0422185A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子 |
JPH0423418A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-27 | Elna Co Ltd | エネルギー貯蔵装置 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1012962A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
WO1999014833A1 (fr) * | 1997-09-17 | 1999-03-25 | Nippon Sanso Corporation | Laser a semi-conducteurs |
JP2001094219A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光デバイス |
US7714338B2 (en) | 2002-11-21 | 2010-05-11 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light emitter |
US7872270B2 (en) | 2002-11-21 | 2011-01-18 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light emitter |
JP2004296845A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Ricoh Co Ltd | 量子井戸構造および半導体発光素子および光送信モジュールおよび光伝送システム |
JP2005266632A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Yokogawa Electric Corp | 光スイッチ |
JP2010165870A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ素子 |
JP2011054905A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
TWI555230B (zh) * | 2009-09-04 | 2016-10-21 | Shinetsu Handotai Kk | Light emitting element |
JP2012156397A (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
US8446927B2 (en) | 2011-01-27 | 2013-05-21 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
US8599895B2 (en) | 2011-01-27 | 2013-12-03 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
US8611386B2 (en) | 2011-01-27 | 2013-12-17 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
US8923355B2 (en) | 2011-01-27 | 2014-12-30 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
US9197035B2 (en) | 2011-01-27 | 2015-11-24 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
US9564738B2 (en) | 2011-01-27 | 2017-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
JP2018085450A (ja) * | 2016-11-24 | 2018-05-31 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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