JPH05258897A - セプタム電磁石 - Google Patents
セプタム電磁石Info
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- JPH05258897A JPH05258897A JP5776692A JP5776692A JPH05258897A JP H05258897 A JPH05258897 A JP H05258897A JP 5776692 A JP5776692 A JP 5776692A JP 5776692 A JP5776692 A JP 5776692A JP H05258897 A JPH05258897 A JP H05258897A
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- Japan
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- septum
- electromagnet
- opening
- charged particle
- coil
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Abstract
(57)【要約】
【構成】セプタム厚を小さくするために、セプタムを構
成するセプタムコイル3の厚みを電磁石開口部2のビー
ム出口付近5で局所的に薄くする。また、セプタム近傍
の磁場分布の一様性を改善するため、電磁石開口部の磁
極面6に切欠き7を設け、その部分に開口部の高さ9と
同じ幅のセプタムコイルを設置する。さらに、セプタム
近傍の非一様な磁場分布によるビームの発散を低減する
ため、入射ビーム軌道10を水平面内で電磁石開口部の
中心線11に対して斜めに設計する。 【効果】従来のセプタム電磁石を用いた入射装置に比較
し、入射効率を2〜3倍に高めることができる。
成するセプタムコイル3の厚みを電磁石開口部2のビー
ム出口付近5で局所的に薄くする。また、セプタム近傍
の磁場分布の一様性を改善するため、電磁石開口部の磁
極面6に切欠き7を設け、その部分に開口部の高さ9と
同じ幅のセプタムコイルを設置する。さらに、セプタム
近傍の非一様な磁場分布によるビームの発散を低減する
ため、入射ビーム軌道10を水平面内で電磁石開口部の
中心線11に対して斜めに設計する。 【効果】従来のセプタム電磁石を用いた入射装置に比較
し、入射効率を2〜3倍に高めることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はセプタム電磁石に係り、
特に、円形加速器における荷電粒子ビームの入射用及び
出射用のセプタム電磁石に関する。
特に、円形加速器における荷電粒子ビームの入射用及び
出射用のセプタム電磁石に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のセプタム電磁石として、文献「分
子科学研究所、UVSORストレージリングの設計、U
VSOR−9、1982」p.65記載の入射用セプタム
電磁石(インフレクタ)、及び、文献「分子科学研究
所、入射用シンクロトロンの設計、UVSOR−7、1
981」p.86記載の出射用セプタム電磁石(デフレク
タ)が挙げられる。
子科学研究所、UVSORストレージリングの設計、U
VSOR−9、1982」p.65記載の入射用セプタム
電磁石(インフレクタ)、及び、文献「分子科学研究
所、入射用シンクロトロンの設計、UVSOR−7、1
981」p.86記載の出射用セプタム電磁石(デフレク
タ)が挙げられる。
【0003】従来のセプタム電磁石(図2)では、励磁
用コイル3の厚みは電磁石開口部2でビーム軌道方向に
沿って一定である。また、電磁石開口部の両磁極面6は
全面平滑であり、励磁用コイルと両磁極面との間には、
少なくともコイル絶縁層8の厚みだけ間隙がある。さら
に、ビーム軌道10は水平面内で電磁石開口部の中心線
に沿うように設計されている。
用コイル3の厚みは電磁石開口部2でビーム軌道方向に
沿って一定である。また、電磁石開口部の両磁極面6は
全面平滑であり、励磁用コイルと両磁極面との間には、
少なくともコイル絶縁層8の厚みだけ間隙がある。さら
に、ビーム軌道10は水平面内で電磁石開口部の中心線
に沿うように設計されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】産業用・医療用の高輝
度X線源として、電子蓄積リングが有望である。その種
の加速器システム(図5)は、蓄積リング32とそれに
電子ビームを供給する前段加速器22から成る。工場や
病院に設置するためには、システムを小型化する必要が
ある。蓄積リングに入射する電子ビームのエネルギが低
くできれば、前段加速器を小型化できシステム全体の小
型化が実現できる。しかし、30MeV程度以下の低エ
ネルギ入射では多数回入射が不可能であり、1回の入射
で必要な電流を入射蓄積する必要がある。そのため、入
射効率の高い入射装置が要求される。
度X線源として、電子蓄積リングが有望である。その種
の加速器システム(図5)は、蓄積リング32とそれに
電子ビームを供給する前段加速器22から成る。工場や
病院に設置するためには、システムを小型化する必要が
ある。蓄積リングに入射する電子ビームのエネルギが低
くできれば、前段加速器を小型化できシステム全体の小
型化が実現できる。しかし、30MeV程度以下の低エ
ネルギ入射では多数回入射が不可能であり、1回の入射
で必要な電流を入射蓄積する必要がある。そのため、入
射効率の高い入射装置が要求される。
【0005】セプタム電磁石を入射装置に採用する場
合、入射効率を高めるためには、入射軌道側と蓄積リン
グ側を隔てる隔壁(以下、セプタムという)の厚みを低
減し、入射ビームをその隔壁にできるだけ近付けてリン
グ中心軌道にほぼ平行に入射しなければならない(図
4)。しかし、従来のセプタム電磁石では、励磁用コイ
ル3を十分薄くできずセプタムの厚み20(以下、セプ
タム厚という)が大きくなる。また、従来のセプタム電
磁石では、励磁用コイルと開口部両磁極面との間の間隙
の存在により、セプタム近傍の磁場分布の一様性が失わ
れる。そのため、非一様な磁場分布によるビームの発散
を避けるため、入射ビームをセプタムに近付けることが
できず、ビーム軌道は水平面内で電磁石開口部の中心線
に沿うように設計されている。
合、入射効率を高めるためには、入射軌道側と蓄積リン
グ側を隔てる隔壁(以下、セプタムという)の厚みを低
減し、入射ビームをその隔壁にできるだけ近付けてリン
グ中心軌道にほぼ平行に入射しなければならない(図
4)。しかし、従来のセプタム電磁石では、励磁用コイ
ル3を十分薄くできずセプタムの厚み20(以下、セプ
タム厚という)が大きくなる。また、従来のセプタム電
磁石では、励磁用コイルと開口部両磁極面との間の間隙
の存在により、セプタム近傍の磁場分布の一様性が失わ
れる。そのため、非一様な磁場分布によるビームの発散
を避けるため、入射ビームをセプタムに近付けることが
できず、ビーム軌道は水平面内で電磁石開口部の中心線
に沿うように設計されている。
【0006】本発明の目的は、セプタム厚が小さく、ま
たセプタム近傍の磁場分布の一様性が良好なセプタム電
磁石を提供し、入射効率の高い入射装置を実現すること
にある。
たセプタム近傍の磁場分布の一様性が良好なセプタム電
磁石を提供し、入射効率の高い入射装置を実現すること
にある。
【0007】
【課題を解決するための手段】セプタム厚を小さくする
ために、セプタムを構成する励磁用コイル(以下、セプ
タムコイルという)の厚みを電磁石開口部のビーム出口
付近5で局所的に薄くした(図1)。
ために、セプタムを構成する励磁用コイル(以下、セプ
タムコイルという)の厚みを電磁石開口部のビーム出口
付近5で局所的に薄くした(図1)。
【0008】また、セプタム近傍の磁場分布の一様性を
改善するため、電磁石開口部の磁極面に切欠き7を設
け、その部分に開口部の高さ9と同じ幅のセプタムコイ
ル3を設置した(図1)。
改善するため、電磁石開口部の磁極面に切欠き7を設
け、その部分に開口部の高さ9と同じ幅のセプタムコイ
ル3を設置した(図1)。
【0009】さらに、入射ビーム10が水平面内で電磁
石開口部の中心線11に対して斜めに通過するように、
セプタム電磁石を設置した(図1)。
石開口部の中心線11に対して斜めに通過するように、
セプタム電磁石を設置した(図1)。
【0010】
【作用】セプタム20は真空隔壁18,磁気シールド2
1,セプタムコイル3,コイル絶縁層8から成る(図
4)。セプタムコイルを薄くすることでセプタム厚を小
さくできるが、電流密度増大による発熱や電磁力に対す
る強度が問題となる。そこで、セプタムコイルを電磁石
開口部のビーム出口付近でのみ薄くすることで上記問題
を回避できる。
1,セプタムコイル3,コイル絶縁層8から成る(図
4)。セプタムコイルを薄くすることでセプタム厚を小
さくできるが、電流密度増大による発熱や電磁力に対す
る強度が問題となる。そこで、セプタムコイルを電磁石
開口部のビーム出口付近でのみ薄くすることで上記問題
を回避できる。
【0011】電磁石開口部の高さ9とセプタムコイルの
幅34が異なる(図2)と、セプタムコイル近傍の磁場
分布の一様性が失われる。そこで、電磁石開口部の磁極
面に切欠きを設けてコイル絶縁層の厚みを吸収すること
で、開口部の高さと同じ幅のセプタムコイルが設置でき
る。
幅34が異なる(図2)と、セプタムコイル近傍の磁場
分布の一様性が失われる。そこで、電磁石開口部の磁極
面に切欠きを設けてコイル絶縁層の厚みを吸収すること
で、開口部の高さと同じ幅のセプタムコイルが設置でき
る。
【0012】入射ビーム軌道を水平面内で電磁石開口部
の中心線に対して斜めに設計することで、入射ビームが
セプタム近傍を通過する距離を短くし、セプタム近傍の
非一様な磁場分布によるビームの発散を低減できる。
の中心線に対して斜めに設計することで、入射ビームが
セプタム近傍を通過する距離を短くし、セプタム近傍の
非一様な磁場分布によるビームの発散を低減できる。
【0013】
【実施例】図1は、本発明によるセプタム電磁石の一実
施例を示す断面図である。セプタム電磁石は、磁性体の
C型鉄心部1とその開口部2に設置された励磁用コイル
3,4から成る。なお、図1は励磁用コイルが1ターン
の場合を示す。励磁用コイルを流れる電流により、電磁
石開口部に一様磁場が発生する。電磁石開口部を通過す
る荷電粒子ビームは、その一様磁場により偏向を受け
る。
施例を示す断面図である。セプタム電磁石は、磁性体の
C型鉄心部1とその開口部2に設置された励磁用コイル
3,4から成る。なお、図1は励磁用コイルが1ターン
の場合を示す。励磁用コイルを流れる電流により、電磁
石開口部に一様磁場が発生する。電磁石開口部を通過す
る荷電粒子ビームは、その一様磁場により偏向を受け
る。
【0014】励磁用コイルは、曲率半径外側のセプタム
コイル3と曲率半径内側のリターンコイル4より成る。
ビームの入射効率向上のため、セプタムコイルをビーム
出口付近5で局所的に薄くしている。本実施例では、セ
プタムコイルの外周側を直線的に削り込み、テーパ状に
薄くしている。これにより、セプタムコイルの電流密度
増加による発熱や電磁力による変形を抑えつつ0.5mm
程度まで薄くできる。また、電磁石開口部の両磁極面6
に切欠き7を設けてコイル絶縁層8の厚みを吸収し、開
口部の高さ9と同じ幅のセプタムコイルを設置してい
る。これにより、セプタムコイル近傍の磁場変化を0.
1% 程度に低減でき、ビームをセプタムコイルに近付
けてリングに入射できる。本実施例では、切欠きをセプ
タムコイルの位置のみに設けたが、リターンコイル近傍
の磁場変化を低減する必要があるときは、リターンコイ
ルの位置にも切欠きを設ける。
コイル3と曲率半径内側のリターンコイル4より成る。
ビームの入射効率向上のため、セプタムコイルをビーム
出口付近5で局所的に薄くしている。本実施例では、セ
プタムコイルの外周側を直線的に削り込み、テーパ状に
薄くしている。これにより、セプタムコイルの電流密度
増加による発熱や電磁力による変形を抑えつつ0.5mm
程度まで薄くできる。また、電磁石開口部の両磁極面6
に切欠き7を設けてコイル絶縁層8の厚みを吸収し、開
口部の高さ9と同じ幅のセプタムコイルを設置してい
る。これにより、セプタムコイル近傍の磁場変化を0.
1% 程度に低減でき、ビームをセプタムコイルに近付
けてリングに入射できる。本実施例では、切欠きをセプ
タムコイルの位置のみに設けたが、リターンコイル近傍
の磁場変化を低減する必要があるときは、リターンコイ
ルの位置にも切欠きを設ける。
【0015】さらに、入射ビーム軌道10を水平面内で
電磁石開口部の中心線11に対して斜めに設計してい
る。すなわち、電磁石開口部の中心線よりリターンコイ
ル側の位置12からビームを入射し、セプタムコイルに
近接した位置13から出射している。本実施例では、電
磁石開口部の中心線の曲率半径を入射ビーム軌道の曲率
半径より大きくし、それを実現している。これにより、
入射ビームがセプタム近傍を通過する距離を短くし、セ
プタム近傍の非一様な磁場分布によるビームの発散を低
減できる。
電磁石開口部の中心線11に対して斜めに設計してい
る。すなわち、電磁石開口部の中心線よりリターンコイ
ル側の位置12からビームを入射し、セプタムコイルに
近接した位置13から出射している。本実施例では、電
磁石開口部の中心線の曲率半径を入射ビーム軌道の曲率
半径より大きくし、それを実現している。これにより、
入射ビームがセプタム近傍を通過する距離を短くし、セ
プタム近傍の非一様な磁場分布によるビームの発散を低
減できる。
【0016】図3は、本発明によるセプタム電磁石を用
いた荷電粒子ビーム入射装置の一実施例を示す平面図で
ある。荷電粒子ビーム入射装置は、セプタム電磁石14
と、そのセプタム電磁石を内部に設置した真空容器15
よりなる。真空容器は、蓄積リング側ビームダクト16
とセプタム電磁石を設置した真空室17から成り、両者
は真空隔壁18で遮られている。入射ビームは、セプタ
ム電磁石で偏向され、真空隔壁に設けられた入射窓19
からリングに入射される。セプタム電磁石は、入射ビー
ムが水平面内でその開口部中心線に対して斜めに通過す
るように真空容器に設置されている。またセプタム電磁
石は、セプタム厚を小さくするためビーム出口付近で真
空隔壁に密着している。
いた荷電粒子ビーム入射装置の一実施例を示す平面図で
ある。荷電粒子ビーム入射装置は、セプタム電磁石14
と、そのセプタム電磁石を内部に設置した真空容器15
よりなる。真空容器は、蓄積リング側ビームダクト16
とセプタム電磁石を設置した真空室17から成り、両者
は真空隔壁18で遮られている。入射ビームは、セプタ
ム電磁石で偏向され、真空隔壁に設けられた入射窓19
からリングに入射される。セプタム電磁石は、入射ビー
ムが水平面内でその開口部中心線に対して斜めに通過す
るように真空容器に設置されている。またセプタム電磁
石は、セプタム厚を小さくするためビーム出口付近で真
空隔壁に密着している。
【0017】図4は、入射点近傍の詳細図である。セプ
タム20は、真空隔壁18,磁気シールド21,セプタ
ムコイル3,コイル絶縁層8から成る。真空隔壁はその
強度維持のため0.5mm 程度までは薄くできる。磁気シ
ールドは、セプタム電磁石からリング側への漏れ磁場を
低減する。高透磁率の磁性体(例えばパーマロイ)の使
用により、0.5mm 程度までは薄くできる。セプタムコ
イルは、前述のように、0.5mm 程度まで薄くできるの
で、セプタム厚20はコイル絶縁層を含めても2mm以下
にできる。
タム20は、真空隔壁18,磁気シールド21,セプタ
ムコイル3,コイル絶縁層8から成る。真空隔壁はその
強度維持のため0.5mm 程度までは薄くできる。磁気シ
ールドは、セプタム電磁石からリング側への漏れ磁場を
低減する。高透磁率の磁性体(例えばパーマロイ)の使
用により、0.5mm 程度までは薄くできる。セプタムコ
イルは、前述のように、0.5mm 程度まで薄くできるの
で、セプタム厚20はコイル絶縁層を含めても2mm以下
にできる。
【0018】図5は、セプタム電磁石を荷電粒子ビーム
の入射装置とした円形加速器の説明図である。前段加速
器22からの荷電粒子ビームは、ビーム輸送系23を通
り、入射装置24で磁場偏向されリングに入射される。
リングに配置されたバンプ電磁石25は、入射時にリン
グ側の平衡軌道を制御し、入射ビームをリングに蓄積す
る。なお、前段加速器には、例えば、線形加速器,マイ
クロトロン,シンクロトロンが使用される。また、リン
グにはビームを偏向及び収束するための二極電磁石26
及び四極電磁石27,ビームにエネルギを供給するため
の高周波加速空洞28がそれぞれ配置されている。
の入射装置とした円形加速器の説明図である。前段加速
器22からの荷電粒子ビームは、ビーム輸送系23を通
り、入射装置24で磁場偏向されリングに入射される。
リングに配置されたバンプ電磁石25は、入射時にリン
グ側の平衡軌道を制御し、入射ビームをリングに蓄積す
る。なお、前段加速器には、例えば、線形加速器,マイ
クロトロン,シンクロトロンが使用される。また、リン
グにはビームを偏向及び収束するための二極電磁石26
及び四極電磁石27,ビームにエネルギを供給するため
の高周波加速空洞28がそれぞれ配置されている。
【0019】以上、本発明によるセプタム電磁石を入射
装置に用いた場合について述べてきたが、出射装置に用
いた場合についても同様である。
装置に用いた場合について述べてきたが、出射装置に用
いた場合についても同様である。
【0020】図6は、セプタム電磁石を荷電粒子ビーム
の出射装置とした円形加速器の説明図である。リング内
で高周波加速空洞28により所定のエネルギまで加速さ
れた荷電粒子ビームは、出射装置29で磁場偏向されビ
ーム輸送系30へと取り出される。リングに配置された
キッカー電磁石31は、出射時にリングの平衡軌道を制
御し、蓄積ビームをセプタム電磁石の開口部内へと蹴り
込む。ビーム輸送系30は、例えば、図5の円形加速器
32に接続し、本円形加速器33は図5の前段加速器2
2(シンクロトロン)になっている。
の出射装置とした円形加速器の説明図である。リング内
で高周波加速空洞28により所定のエネルギまで加速さ
れた荷電粒子ビームは、出射装置29で磁場偏向されビ
ーム輸送系30へと取り出される。リングに配置された
キッカー電磁石31は、出射時にリングの平衡軌道を制
御し、蓄積ビームをセプタム電磁石の開口部内へと蹴り
込む。ビーム輸送系30は、例えば、図5の円形加速器
32に接続し、本円形加速器33は図5の前段加速器2
2(シンクロトロン)になっている。
【0021】
【発明の効果】本発明によれば、セプタムコイルをその
発熱や変形を抑えつつ0.5mm 程度まで薄くでき、真空
隔壁と磁気シールドとコイル絶縁層の厚みを加えても2
mm以下にセプタム厚を低減できる。
発熱や変形を抑えつつ0.5mm 程度まで薄くでき、真空
隔壁と磁気シールドとコイル絶縁層の厚みを加えても2
mm以下にセプタム厚を低減できる。
【0022】また、セプタム近傍の磁場変化を0.1%
程度に低減でき、ビームをセプタムに近付けてリングに
入射できる。
程度に低減でき、ビームをセプタムに近付けてリングに
入射できる。
【0023】さらに、入射ビームがセプタム近傍を通過
する距離を短くでき、セプタム近傍の非一様な磁場分布
によるビームの発散を低減できる。例えば、セプタムコ
イルの設置誤差で磁場変化が1%程度存在する場合で
も、ビームの発散を入射効率に影響しない程度にまで容
易に低減できる。
する距離を短くでき、セプタム近傍の非一様な磁場分布
によるビームの発散を低減できる。例えば、セプタムコ
イルの設置誤差で磁場変化が1%程度存在する場合で
も、ビームの発散を入射効率に影響しない程度にまで容
易に低減できる。
【0024】従来のセプタム電磁石では、セプタム厚が
4mm程度になり、またセプタム近傍2mmには磁場変化が
数%程度存在する。したがって、実効的なセプタム厚は
6mm程度になる。入射ビームとして電子蓄積リング前段
加速器用の通常の線形加速器からのビームを考えると、
本発明によるセプタム電磁石により、入射効率を従来の
2〜3倍に高めることができる。
4mm程度になり、またセプタム近傍2mmには磁場変化が
数%程度存在する。したがって、実効的なセプタム厚は
6mm程度になる。入射ビームとして電子蓄積リング前段
加速器用の通常の線形加速器からのビームを考えると、
本発明によるセプタム電磁石により、入射効率を従来の
2〜3倍に高めることができる。
【0025】本発明により、電子蓄積リングの低エネル
ギ入射方式に要求される高効率入射装置として、セプタ
ム電磁石が採用できる。従来、円形加速器への低エネル
ギ電子ビームの入射装置としては、セプタム厚を薄くし
やすい静電偏向型が採用されてきた。しかし、静電偏向
型の入射装置は磁場偏向型に比較して大型化し、蓄積リ
ングの小型化のためには磁場偏向型の方が有利である。
ビームエネルギを15MeV、蓄積リングへの入射角度
を45度とした場合、静電偏向型の装置長1.5mに対し
て、セプタム電磁石を用いた磁場偏向型では装置長が
0.5m に納まる。
ギ入射方式に要求される高効率入射装置として、セプタ
ム電磁石が採用できる。従来、円形加速器への低エネル
ギ電子ビームの入射装置としては、セプタム厚を薄くし
やすい静電偏向型が採用されてきた。しかし、静電偏向
型の入射装置は磁場偏向型に比較して大型化し、蓄積リ
ングの小型化のためには磁場偏向型の方が有利である。
ビームエネルギを15MeV、蓄積リングへの入射角度
を45度とした場合、静電偏向型の装置長1.5mに対し
て、セプタム電磁石を用いた磁場偏向型では装置長が
0.5m に納まる。
【0026】以上、本発明によるセプタム電磁石を入射
装置に用いた場合、特に電子蓄積リングにおいてその効
果を述べたが、他の荷電粒子円形加速器でも同様な効果
がある。さらに、出射装置に用いた場合にも、ビームの
出射効率の向上とキッカー電磁石の負担軽減の効果があ
る。
装置に用いた場合、特に電子蓄積リングにおいてその効
果を述べたが、他の荷電粒子円形加速器でも同様な効果
がある。さらに、出射装置に用いた場合にも、ビームの
出射効率の向上とキッカー電磁石の負担軽減の効果があ
る。
【図1】本発明によるセプタム電磁石の一実施例の構造
を示す断面図。
を示す断面図。
【図2】従来のセプタム電磁石の構造を示す断面図。
【図3】本発明によるセプタム電磁石を用いた荷電粒子
ビーム入射/出射装置の一実施例を示す平面図。
ビーム入射/出射装置の一実施例を示す平面図。
【図4】入射点/出射点近傍の説明図。
【図5】セプタム電磁石を荷電粒子ビームの入射装置と
した円形加速器の説明図。
した円形加速器の説明図。
【図6】セプタム電磁石を荷電粒子ビームの出射装置と
した円形加速器の説明図。
した円形加速器の説明図。
3…セプタムコイル、5…ビーム出口/入口付近のセプ
タムコイル、10…入射/出射ビーム軌道、11…電磁
石開口部の中心線、14…セプタム電磁石。
タムコイル、10…入射/出射ビーム軌道、11…電磁
石開口部の中心線、14…セプタム電磁石。
Claims (4)
- 【請求項1】磁性体の鉄心部と、その開口部に少なくと
も1ターンの励磁用コイルとを有し、前記開口部を通過
する荷電粒子ビームを磁場で偏向するセプタム電磁石に
おいて、前記励磁用コイルの厚みを前記開口部の出入口
付近で、少なくとも1箇所局所的に薄くしたことを特徴
とするセプタム電磁石。 - 【請求項2】磁性体の鉄心部と、その開口部に少なくと
も1ターンの励磁用コイルとを有し、前記開口部を通過
する荷電粒子ビームを磁場で偏向するセプタム電磁石に
おいて、前記開口部の内部にその高さと同じ幅の励磁用
コイルを設置するために、前記開口部の磁極面に切欠き
を設けたことを特徴とするセプタム電磁石。 - 【請求項3】磁性体鉄心部の開口部を通過する荷電粒子
ビームを、磁場で偏向するセプタム電磁石と、そのセプ
タム電磁石を内部に設置した真空容器より成る荷電粒子
ビーム偏向装置において、前記荷電粒子ビームが水平面
内で前記開口部の中心線に対して斜めに通過するよう
に、前記セプタム電磁石を前記真空容器に設置したこと
を特徴とする荷電粒子ビーム偏向装置。 - 【請求項4】請求項1,2または3に記載の前記セプタ
ム電磁石を用いた前記荷電粒子ビームの偏向装置を、前
記荷電粒子ビームの入射装置あるいは出射装置とした円
形加速器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5776692A JPH05258897A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | セプタム電磁石 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5776692A JPH05258897A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | セプタム電磁石 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05258897A true JPH05258897A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13065001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5776692A Pending JPH05258897A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | セプタム電磁石 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05258897A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2004077457A1 (ja) * | 2003-02-27 | 2006-06-08 | 株式会社Neomax | 粒子線加速器用永久磁石および磁界発生装置 |
JP5112571B1 (ja) * | 2012-02-13 | 2013-01-09 | 三菱電機株式会社 | セプタム電磁石および粒子線治療装置 |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP5776692A patent/JPH05258897A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2004077457A1 (ja) * | 2003-02-27 | 2006-06-08 | 株式会社Neomax | 粒子線加速器用永久磁石および磁界発生装置 |
JP4697961B2 (ja) * | 2003-02-27 | 2011-06-08 | 日立金属株式会社 | 粒子線加速器用永久磁石および磁界発生装置 |
JP5112571B1 (ja) * | 2012-02-13 | 2013-01-09 | 三菱電機株式会社 | セプタム電磁石および粒子線治療装置 |
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