JPH05258363A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH05258363A JPH05258363A JP8641192A JP8641192A JPH05258363A JP H05258363 A JPH05258363 A JP H05258363A JP 8641192 A JP8641192 A JP 8641192A JP 8641192 A JP8641192 A JP 8641192A JP H05258363 A JPH05258363 A JP H05258363A
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- JP
- Japan
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- film
- magneto
- recording medium
- optical recording
- thermal conductivity
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気記録媒体において、耐久性を改良す
る。 【構成】 透明基板と、該透明基板にPdとCoが交互
に積層されたPd−Co系人工格子膜またはPtとCo
が交互に積層されたPt−Co系人工格子膜と、該人工
格子膜に付着された誘電体膜を有する光磁気記録媒体に
おいて、該誘電体の熱伝導率を0.2W/cm・K以下
に設定し、該誘電体の上に熱伝導率が1.0W/cm・
K以上の膜を成膜する。
る。 【構成】 透明基板と、該透明基板にPdとCoが交互
に積層されたPd−Co系人工格子膜またはPtとCo
が交互に積層されたPt−Co系人工格子膜と、該人工
格子膜に付着された誘電体膜を有する光磁気記録媒体に
おいて、該誘電体の熱伝導率を0.2W/cm・K以下
に設定し、該誘電体の上に熱伝導率が1.0W/cm・
K以上の膜を成膜する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に関
し、特に、Pd−Co系人工格子膜またはPt−Co系
人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体に関する。
し、特に、Pd−Co系人工格子膜またはPt−Co系
人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】透明基板上にPdとCoとが交互に積層
されたPd−Co系人工格子膜またはPtとCoとが交
互に積層されたPt−Co系人工格子膜を記録層とする
光磁気記録媒体は、耐食性に優れたものとして知られて
いる(特開平2−29956)。この光磁気記録媒体に
は、記録層の上に例えばSiN、Si3 N4 、SiO、
AlNなどの透明誘電体干渉膜またはAlなどの金属膜
が成膜されたものがある。即ち、前記特開平2−299
56号の公報は酸化防止膜として誘電体膜または金属膜
を成膜した光磁気記録媒体を開示している。
されたPd−Co系人工格子膜またはPtとCoとが交
互に積層されたPt−Co系人工格子膜を記録層とする
光磁気記録媒体は、耐食性に優れたものとして知られて
いる(特開平2−29956)。この光磁気記録媒体に
は、記録層の上に例えばSiN、Si3 N4 、SiO、
AlNなどの透明誘電体干渉膜またはAlなどの金属膜
が成膜されたものがある。即ち、前記特開平2−299
56号の公報は酸化防止膜として誘電体膜または金属膜
を成膜した光磁気記録媒体を開示している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は、このような光磁気記録媒体に対してレーザビーム
を照射し、記録と消去を繰り返して行くと、記録媒体の
性能が劣化し、信号強度が次第に低下しノイズが大きく
なることを見出した。
者は、このような光磁気記録媒体に対してレーザビーム
を照射し、記録と消去を繰り返して行くと、記録媒体の
性能が劣化し、信号強度が次第に低下しノイズが大きく
なることを見出した。
【0004】そこで、本発明の目的は、さらに耐食性を
向上させたPd−Co系人工格子膜またはPt−Co系
人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。
向上させたPd−Co系人工格子膜またはPt−Co系
人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに、本発明は、透明基板と、該透明基板にPdとCo
が交互に積層されたPd−Co系人工格子膜またはPt
とCoが交互に積層されたPt−Co系人工格子膜と、
該人工格子膜に付着された誘電体膜を有する光磁気記録
媒体において、該誘電体の熱伝導率が0.2W/cm・
K以下であり、該誘電体の上に熱伝導率が1.0W/c
m・K以上の膜が成膜されていることを特徴とする光磁
気記録媒体を採用するものである。
めに、本発明は、透明基板と、該透明基板にPdとCo
が交互に積層されたPd−Co系人工格子膜またはPt
とCoが交互に積層されたPt−Co系人工格子膜と、
該人工格子膜に付着された誘電体膜を有する光磁気記録
媒体において、該誘電体の熱伝導率が0.2W/cm・
K以下であり、該誘電体の上に熱伝導率が1.0W/c
m・K以上の膜が成膜されていることを特徴とする光磁
気記録媒体を採用するものである。
【0006】
【作用】本発明において、Pd−Co系人工格子膜また
はPt−Co系人工格子膜である記録層の透明基板とは
反対側に成膜される熱伝導率が0.2W/cm・K以下
の誘電体膜としては、スパッタリング法、CVD法等に
よるSiN、Si3 N4、SiO、Ta2 O5 等が使用
できる。
はPt−Co系人工格子膜である記録層の透明基板とは
反対側に成膜される熱伝導率が0.2W/cm・K以下
の誘電体膜としては、スパッタリング法、CVD法等に
よるSiN、Si3 N4、SiO、Ta2 O5 等が使用
できる。
【0007】この誘電体膜は、光学的エンハンス作用を
するものであり、150〜600オングストローム程度
の膜厚とするのが好ましい。膜厚が150オングストロ
ームより薄い場合には、信号の記録に必要なレーザビー
ムのパワーが増大するので好ましくない。また600オ
ングストロームより厚く成膜するのは、時間がかかるの
で好ましくない。
するものであり、150〜600オングストローム程度
の膜厚とするのが好ましい。膜厚が150オングストロ
ームより薄い場合には、信号の記録に必要なレーザビー
ムのパワーが増大するので好ましくない。また600オ
ングストロームより厚く成膜するのは、時間がかかるの
で好ましくない。
【0008】また、上記誘電体膜の上に成膜される熱伝
導率が1.0W/cm・K以上の膜としては、スパッタ
リング法、CVD法等によるAl、Au、Ag、Pt、
Pd、Cu等の金属、AlCr、AlTi等のAl合
金、AuAg、AuPt、AuCu等の貴金属から成る
合金膜が使用できる。
導率が1.0W/cm・K以上の膜としては、スパッタ
リング法、CVD法等によるAl、Au、Ag、Pt、
Pd、Cu等の金属、AlCr、AlTi等のAl合
金、AuAg、AuPt、AuCu等の貴金属から成る
合金膜が使用できる。
【0009】この膜は、熱放散の作用をするものであ
り、300〜1000オングストローム程度の膜厚とす
るのが好ましい。膜厚が300オングストロームより薄
い場合は、熱伝導率が減少し、記録に必要なレーザパワ
ーが増加するので好ましくない。また、1000オング
ストロームより厚く成膜するのは、時間がかかるので好
ましくない。
り、300〜1000オングストローム程度の膜厚とす
るのが好ましい。膜厚が300オングストロームより薄
い場合は、熱伝導率が減少し、記録に必要なレーザパワ
ーが増加するので好ましくない。また、1000オング
ストロームより厚く成膜するのは、時間がかかるので好
ましくない。
【0010】記録層の透明基板上側では、この記録層が
透明基板上に直接成膜されてもよく、また誘電体干渉膜
を介して成膜されていてもよい。
透明基板上に直接成膜されてもよく、また誘電体干渉膜
を介して成膜されていてもよい。
【0011】上記のような膜構造を持つ光磁気記録媒体
に、通常使用する6mW程度のパワーを持つレーザビー
ムを照射すると、熱伝導率が1.0W/cm・K以上の
膜が付いていることにより、熱が逃げやすくなり、記録
層のPd−Co系またはPt−Co系の人工格子膜が合
金化する温度までは膜の温度が上昇せずにすむ。この層
の熱伝導率が1.0W/cm・K未満であると、記録層
の温度は合金化する温度まで達してしまい、何回かの記
録と消去の繰り返しにより信号特性は劣化してしまう。
に、通常使用する6mW程度のパワーを持つレーザビー
ムを照射すると、熱伝導率が1.0W/cm・K以上の
膜が付いていることにより、熱が逃げやすくなり、記録
層のPd−Co系またはPt−Co系の人工格子膜が合
金化する温度までは膜の温度が上昇せずにすむ。この層
の熱伝導率が1.0W/cm・K未満であると、記録層
の温度は合金化する温度まで達してしまい、何回かの記
録と消去の繰り返しにより信号特性は劣化してしまう。
【0012】さらに、上記の膜構造の光磁気記録媒体
は、記録層と前述の膜との間に熱伝導率が0.2W/c
m・K以下の誘電体膜を設けて、熱を少しだけ逃げにく
くしているので、記録層が到達する温度を記録と消去に
必要な温度より高くすることができる。もちろん、記録
層の温度は誘電体膜の上に熱伝導率が1.0W/cm・
K以上の膜が付いているため、記録層が合金化する温度
までは到達しない。もしこの誘電体膜の熱伝導率が0.
2W/cm・Kを越えると、熱が逃げやすいので膜の温
度は上昇しにくく、膜が記録と消去に必要な温度に達す
るためには、レーザパワーを増加させねばならない。
は、記録層と前述の膜との間に熱伝導率が0.2W/c
m・K以下の誘電体膜を設けて、熱を少しだけ逃げにく
くしているので、記録層が到達する温度を記録と消去に
必要な温度より高くすることができる。もちろん、記録
層の温度は誘電体膜の上に熱伝導率が1.0W/cm・
K以上の膜が付いているため、記録層が合金化する温度
までは到達しない。もしこの誘電体膜の熱伝導率が0.
2W/cm・Kを越えると、熱が逃げやすいので膜の温
度は上昇しにくく、膜が記録と消去に必要な温度に達す
るためには、レーザパワーを増加させねばならない。
【0013】このように、0.2W/cm・K以下の誘
電体膜と1.0W/cm・K以上の膜の両方を成膜する
ことにより、レーザビームの照射時に、記録層の温度を
高めることにより少量のパワーで記録と消去を行うこと
ができるようにすると共に、記録層から熱を効率よく逃
がすことができ、何回もの信号の書き込みと消去が可能
となる。
電体膜と1.0W/cm・K以上の膜の両方を成膜する
ことにより、レーザビームの照射時に、記録層の温度を
高めることにより少量のパワーで記録と消去を行うこと
ができるようにすると共に、記録層から熱を効率よく逃
がすことができ、何回もの信号の書き込みと消去が可能
となる。
【0014】
【実施例】以下に、本発明の好ましい実施例と、実施例
と比較するための比較例及び従来例を説明する。 (実施例1、2)スパッタリング法により、ガラス基板
上に、SiN透明誘電体干渉膜(膜厚900オングスト
ローム)、PdとCoが交互に積層したPd−Co系人
工格子膜(全膜厚:300オングストローム、Pd:1
2オングストローム、Co:8オングストローム)、S
iN透明誘電体干渉膜(膜厚500オングストローム)
を順次成膜した。SiN透明誘電体干渉膜(膜厚500
オングストローム)上に成膜する熱放散膜としてAl膜
(実施例1)、AlTi膜A(Ti:0.79atm
%)(実施例2)の2種類を用いた(いずれも膜厚50
0オングストローム)。なお、SiN透明誘電体干渉膜
(膜厚500オングストローム)の熱伝導率は0.15
W/cm・Kである。また、Al膜とAlTi膜Aの熱
伝導率は、それぞれ、1.68W/cm・K、1.1W
/cm・Kである。
と比較するための比較例及び従来例を説明する。 (実施例1、2)スパッタリング法により、ガラス基板
上に、SiN透明誘電体干渉膜(膜厚900オングスト
ローム)、PdとCoが交互に積層したPd−Co系人
工格子膜(全膜厚:300オングストローム、Pd:1
2オングストローム、Co:8オングストローム)、S
iN透明誘電体干渉膜(膜厚500オングストローム)
を順次成膜した。SiN透明誘電体干渉膜(膜厚500
オングストローム)上に成膜する熱放散膜としてAl膜
(実施例1)、AlTi膜A(Ti:0.79atm
%)(実施例2)の2種類を用いた(いずれも膜厚50
0オングストローム)。なお、SiN透明誘電体干渉膜
(膜厚500オングストローム)の熱伝導率は0.15
W/cm・Kである。また、Al膜とAlTi膜Aの熱
伝導率は、それぞれ、1.68W/cm・K、1.1W
/cm・Kである。
【0015】得られた光磁気記録媒体の膜は、すべて6
mWのレーザパワーでCNR値が飽和したので、記録時
には6mWのレーザビームを用い、消去時には10mw
のレーザビームを用いて記録と消去を繰り返し行い、そ
の前後のCNR値を測定した。その結果、いずれの光磁
気記録媒体膜でも、レーザビームを1回当てた後も10
5 回繰り返して当てた後も38dBのままでほとんど変
化がなかった。
mWのレーザパワーでCNR値が飽和したので、記録時
には6mWのレーザビームを用い、消去時には10mw
のレーザビームを用いて記録と消去を繰り返し行い、そ
の前後のCNR値を測定した。その結果、いずれの光磁
気記録媒体膜でも、レーザビームを1回当てた後も10
5 回繰り返して当てた後も38dBのままでほとんど変
化がなかった。
【0016】(比較例1〜3)熱放散膜を除いて、実施
例1、2と同一の条件で光磁気記録媒体膜を成膜した。
熱放散膜としては、AlTi膜B(Ti:1.1atm
%)(比較例1)、AlTi膜C(Ti:1.5atm
%)(比較例2)、AlCr膜(Cr:1.9atm
%)(比較例3)の3種類を用いた(いずれも膜厚50
0オングストローム)。なお、これらの膜の熱伝導率
は、それぞれ、0.9W/cm・K、0.81W/cm
・K、0.36W/cm・Kである。
例1、2と同一の条件で光磁気記録媒体膜を成膜した。
熱放散膜としては、AlTi膜B(Ti:1.1atm
%)(比較例1)、AlTi膜C(Ti:1.5atm
%)(比較例2)、AlCr膜(Cr:1.9atm
%)(比較例3)の3種類を用いた(いずれも膜厚50
0オングストローム)。なお、これらの膜の熱伝導率
は、それぞれ、0.9W/cm・K、0.81W/cm
・K、0.36W/cm・Kである。
【0017】得られた光磁気記録媒体の膜は、すべて6
mWのレーザパワーでCNR値が飽和したので、記録時
には6mWのレーザビームを用い、消去時には10mw
のレーザビームを用いて記録と消去を繰り返し行い、そ
の前後のCNR値を測定した。その結果、これらの光磁
気記録媒体膜では、レーザビームを1回当てた後は、い
ずれの膜も38dBであったのに対して、105 回繰り
返して当てた後は、それぞれ、35dB、33dB、2
0dBに下がった。
mWのレーザパワーでCNR値が飽和したので、記録時
には6mWのレーザビームを用い、消去時には10mw
のレーザビームを用いて記録と消去を繰り返し行い、そ
の前後のCNR値を測定した。その結果、これらの光磁
気記録媒体膜では、レーザビームを1回当てた後は、い
ずれの膜も38dBであったのに対して、105 回繰り
返して当てた後は、それぞれ、35dB、33dB、2
0dBに下がった。
【0018】(実施例3、4)スパッタリング法によ
り、ガラス基板上に、SiN透明誘電体干渉膜(膜厚9
00オングストローム)、PtとCoが交互に積層した
Pt−Co系人工格子膜(全膜厚:300オングストロ
ーム、Pt:12オングストローム、Co:8オングス
トローム)、SiN透明誘電体干渉膜(膜厚500オン
グストローム)を順次成膜した。SiN透明誘電体干渉
膜(膜厚500オングストローム)上に成膜する熱放散
膜としてAl膜(実施例3)、AlTi膜A(Ti:
0.79atm%)(実施例4)の2種類を用いた(い
ずれも膜厚500オングストローム)。なお、SiN透
明誘電体干渉膜(膜厚500オングストローム)の熱伝
導率は0.15W/cm・Kである。また、Al膜とA
lTi膜Aの熱伝導率は、それぞれ、1.68W/cm
・K、1.1W/cm・Kである。
り、ガラス基板上に、SiN透明誘電体干渉膜(膜厚9
00オングストローム)、PtとCoが交互に積層した
Pt−Co系人工格子膜(全膜厚:300オングストロ
ーム、Pt:12オングストローム、Co:8オングス
トローム)、SiN透明誘電体干渉膜(膜厚500オン
グストローム)を順次成膜した。SiN透明誘電体干渉
膜(膜厚500オングストローム)上に成膜する熱放散
膜としてAl膜(実施例3)、AlTi膜A(Ti:
0.79atm%)(実施例4)の2種類を用いた(い
ずれも膜厚500オングストローム)。なお、SiN透
明誘電体干渉膜(膜厚500オングストローム)の熱伝
導率は0.15W/cm・Kである。また、Al膜とA
lTi膜Aの熱伝導率は、それぞれ、1.68W/cm
・K、1.1W/cm・Kである。
【0019】得られた光磁気記録媒体の膜は、すべて6
mWのレーザパワーでCNR値が飽和したので、記録時
には6mWのレーザビームを用い、消去時には10mw
のレーザビームを用いて記録と消去を繰り返し行い、そ
の前後のCNR値を測定した。その結果、いずれの光磁
気記録媒体膜でも、レーザビームを1回当てた後も10
5 回繰り返して当てた後も40dBのままでほとんど変
化がなかった。
mWのレーザパワーでCNR値が飽和したので、記録時
には6mWのレーザビームを用い、消去時には10mw
のレーザビームを用いて記録と消去を繰り返し行い、そ
の前後のCNR値を測定した。その結果、いずれの光磁
気記録媒体膜でも、レーザビームを1回当てた後も10
5 回繰り返して当てた後も40dBのままでほとんど変
化がなかった。
【0020】(比較例4〜6)熱放散膜を除いて、実施
例3、4と同一の条件で光磁気記録媒体膜を成膜した。
熱放散膜としては、AlTi膜B(Ti:1.1atm
%)(比較例4)、AlTi膜C(Ti:1.5atm
%)(比較例5)、AlCr膜(Cr:1.9atm
%)(比較例6)の3種類を用いた。なお、これらの膜
の熱伝導率は、それぞれ、0.9W/cm・K、0.8
1W/cm・K、0.36W/cm・Kである。
例3、4と同一の条件で光磁気記録媒体膜を成膜した。
熱放散膜としては、AlTi膜B(Ti:1.1atm
%)(比較例4)、AlTi膜C(Ti:1.5atm
%)(比較例5)、AlCr膜(Cr:1.9atm
%)(比較例6)の3種類を用いた。なお、これらの膜
の熱伝導率は、それぞれ、0.9W/cm・K、0.8
1W/cm・K、0.36W/cm・Kである。
【0021】得られた光磁気記録媒体の膜は、すべて6
mWのレーザパワーでCNR値が飽和したので、記録時
には6mWのレーザビームを用い、消去時には10mw
のレーザビームを用いて記録と消去を繰り返し行い、そ
の前後のCNR値を測定した。その結果、これらの光磁
気記録媒体膜では、レーザビームを1回当てた後は、い
ずれの膜も40dBであったのに対して、105 回繰り
返して当てた後は、それぞれ、36dB、32dB、1
7dBに下がった。
mWのレーザパワーでCNR値が飽和したので、記録時
には6mWのレーザビームを用い、消去時には10mw
のレーザビームを用いて記録と消去を繰り返し行い、そ
の前後のCNR値を測定した。その結果、これらの光磁
気記録媒体膜では、レーザビームを1回当てた後は、い
ずれの膜も40dBであったのに対して、105 回繰り
返して当てた後は、それぞれ、36dB、32dB、1
7dBに下がった。
【0022】(比較例7)スパッタリング法により、ガ
ラス基板上に、SiN透明誘電体干渉膜(膜厚900オ
ングストローム、熱伝導率0.15W/cm・K)、P
dとCoが交互に積層したPd−Co系人工格子膜(全
膜厚:300オングストローム、Pd:12オングスト
ローム、Co:8オングストローム)、結晶性の良いA
lN透明誘電体干渉膜(膜厚500オングストロー
ム)、Al熱放散膜(膜厚500オングストローム、熱
伝導率1.68W/cm・K)を順次成膜した。このA
lN透明誘電体干渉膜の熱伝導率は0.25W/cm・
Kである。
ラス基板上に、SiN透明誘電体干渉膜(膜厚900オ
ングストローム、熱伝導率0.15W/cm・K)、P
dとCoが交互に積層したPd−Co系人工格子膜(全
膜厚:300オングストローム、Pd:12オングスト
ローム、Co:8オングストローム)、結晶性の良いA
lN透明誘電体干渉膜(膜厚500オングストロー
ム)、Al熱放散膜(膜厚500オングストローム、熱
伝導率1.68W/cm・K)を順次成膜した。このA
lN透明誘電体干渉膜の熱伝導率は0.25W/cm・
Kである。
【0023】得られた光磁気記録媒体膜に実施例1と同
様に6mWのレーザパワーで信号の記録を行おうとした
ところ、記録することができなかった。そこで、信号を
記録する際のレーザパワーを増加させてCNR値を測定
したところ、記録に必要な最低のレーザパワーは7.0
mWであった。さらにパワーを増加させると、9.0m
WでCNR値は36dBに飽和した。
様に6mWのレーザパワーで信号の記録を行おうとした
ところ、記録することができなかった。そこで、信号を
記録する際のレーザパワーを増加させてCNR値を測定
したところ、記録に必要な最低のレーザパワーは7.0
mWであった。さらにパワーを増加させると、9.0m
WでCNR値は36dBに飽和した。
【0024】(比較例8)スパッタリング法により、ガ
ラス基板上に、SiN透明誘電体干渉膜(膜厚900オ
ングストローム、熱伝導率0.15W/cm・K)、P
tとCoが交互に積層したPt−Co系人工格子膜(全
膜厚:300オングストローム、Pt:12オングスト
ローム、Co:8オングストローム)、結晶性の良いA
lN透明誘電体干渉膜(膜厚500オングストロー
ム)、Al熱放散膜(膜厚500オングストローム、熱
伝導率1.68W/cm・K)を順次成膜した。このA
lN透明誘電体干渉膜の熱伝導率は0.25W/cm・
Kである。
ラス基板上に、SiN透明誘電体干渉膜(膜厚900オ
ングストローム、熱伝導率0.15W/cm・K)、P
tとCoが交互に積層したPt−Co系人工格子膜(全
膜厚:300オングストローム、Pt:12オングスト
ローム、Co:8オングストローム)、結晶性の良いA
lN透明誘電体干渉膜(膜厚500オングストロー
ム)、Al熱放散膜(膜厚500オングストローム、熱
伝導率1.68W/cm・K)を順次成膜した。このA
lN透明誘電体干渉膜の熱伝導率は0.25W/cm・
Kである。
【0025】得られた光磁気記録媒体膜に実施例3と同
様に6mWのレーザパワーで信号の記録を行おうとした
ところ、記録することができなかった。そこで、信号を
記録する際のレーザパワーを増加させてCNR値を測定
したところ、記録に必要な最低のレーザパワーは7.5
mWであった。さらにパワーを増加させると、9.5m
WでCNR値は37dBに飽和した。
様に6mWのレーザパワーで信号の記録を行おうとした
ところ、記録することができなかった。そこで、信号を
記録する際のレーザパワーを増加させてCNR値を測定
したところ、記録に必要な最低のレーザパワーは7.5
mWであった。さらにパワーを増加させると、9.5m
WでCNR値は37dBに飽和した。
【0026】(従来例1)Alなどの熱放散膜を成膜し
なかった以外は、実施例1と同一条件で作製した光磁気
記録媒体膜に対して、実施例1と同様にCNR値を測定
した。その結果、レーザビームを1回当てた後は38d
Bであったのに対して、10回繰り返した後は32dB
に下がった。
なかった以外は、実施例1と同一条件で作製した光磁気
記録媒体膜に対して、実施例1と同様にCNR値を測定
した。その結果、レーザビームを1回当てた後は38d
Bであったのに対して、10回繰り返した後は32dB
に下がった。
【0027】また、従来例1の光磁気記録媒体膜を真空
中50〜600°Cの下におき、記録層の構造変化をX
線回折装置で調査した。得られた回折チャートを図1に
示す。図1から、350°C以上でサテライトピークが
消失しており、周期構造が崩れ合金化していることがわ
かる。
中50〜600°Cの下におき、記録層の構造変化をX
線回折装置で調査した。得られた回折チャートを図1に
示す。図1から、350°C以上でサテライトピークが
消失しており、周期構造が崩れ合金化していることがわ
かる。
【0028】(従来例2)Alなどの熱放散膜を成膜し
なかった以外は、実施例3と同一条件で作製した光磁気
記録媒体膜に対して、実施例3と同様にCNR値を測定
した。その結果、レーザビームを1回当てた後は40d
Bであったのに対して、10回繰り返した後は35dB
に下がった。
なかった以外は、実施例3と同一条件で作製した光磁気
記録媒体膜に対して、実施例3と同様にCNR値を測定
した。その結果、レーザビームを1回当てた後は40d
Bであったのに対して、10回繰り返した後は35dB
に下がった。
【0029】(従来例3)スパッタリング法により、ガ
ラス基板上に、SiN透明誘電体干渉膜(膜厚900オ
ングストローム)、PdとCoが交互に積層したPd−
Co系人工格子膜(全膜厚:300オングストローム、
Pd:12オングストローム、Co:8オングストロー
ム)、Al膜(膜厚500オングストローム、熱伝導率
1.68W/cm・K)を順次成膜した。
ラス基板上に、SiN透明誘電体干渉膜(膜厚900オ
ングストローム)、PdとCoが交互に積層したPd−
Co系人工格子膜(全膜厚:300オングストローム、
Pd:12オングストローム、Co:8オングストロー
ム)、Al膜(膜厚500オングストローム、熱伝導率
1.68W/cm・K)を順次成膜した。
【0030】得られた光磁気記録媒体膜に実施例1と同
様に6mWのレーザパワーで信号の記録を行おうとした
ところ、記録することができなかった。そこで、信号を
記録する際のレーザパワーを増加させてCNR値を測定
したところ、記録に必要な最低のレーザパワーは7.5
mWであった。さらにパワーを増加させると、9.5m
WでCNRの値は32dBに飽和した。
様に6mWのレーザパワーで信号の記録を行おうとした
ところ、記録することができなかった。そこで、信号を
記録する際のレーザパワーを増加させてCNR値を測定
したところ、記録に必要な最低のレーザパワーは7.5
mWであった。さらにパワーを増加させると、9.5m
WでCNRの値は32dBに飽和した。
【0031】(従来例4)スパッタリング法により、ガ
ラス基板上に、SiN透明誘電体干渉膜(膜厚900オ
ングストローム)、PtとCoが交互に積層したPt−
Co系人工格子膜(全膜厚:300オングストローム、
Pt:12オングストローム、Co:8オングストロー
ム)、Al膜(膜厚500オングストローム、熱伝導率
1.68W/cm・K)を順次成膜した。
ラス基板上に、SiN透明誘電体干渉膜(膜厚900オ
ングストローム)、PtとCoが交互に積層したPt−
Co系人工格子膜(全膜厚:300オングストローム、
Pt:12オングストローム、Co:8オングストロー
ム)、Al膜(膜厚500オングストローム、熱伝導率
1.68W/cm・K)を順次成膜した。
【0032】得られた光磁気記録媒体膜に実施例3と同
様に6mWのレーザパワーで信号の記録を行おうとした
ところ、記録することができなかった。そこで、信号を
記録する際のレーザパワーを増加させてCNR値を測定
したところ、記録に必要な最低のレーザパワーは8.0
mWであった。さらにパワーを増加させると、10.0
mWでCNRの値は35dBに飽和した。
様に6mWのレーザパワーで信号の記録を行おうとした
ところ、記録することができなかった。そこで、信号を
記録する際のレーザパワーを増加させてCNR値を測定
したところ、記録に必要な最低のレーザパワーは8.0
mWであった。さらにパワーを増加させると、10.0
mWでCNRの値は35dBに飽和した。
【0033】前述の実施例、比較例、従来例の実験結果
から以下のように推論される。
から以下のように推論される。
【0034】比較例1〜6、従来例1、2の光磁気記録
媒体で、10回または105 の記録、消去の繰り返しに
よってCNR値が下がった理由は、レーザビーム照射に
より、記録層の温度が周期構造が崩れて合金化するまで
上昇し、その垂直磁気異方性が悪化したことによると考
えられる。
媒体で、10回または105 の記録、消去の繰り返しに
よってCNR値が下がった理由は、レーザビーム照射に
より、記録層の温度が周期構造が崩れて合金化するまで
上昇し、その垂直磁気異方性が悪化したことによると考
えられる。
【0035】一方、実施例1〜4の光磁気記録媒体膜
で、CNR値が105 回の記録、消去の後でも下がらな
かった理由は、熱伝導率のよいAl膜またはAlTi膜
が付いているために、記録層から熱が逃げやすく、記録
層の温度が積層構造が崩れて合金化するまでは上昇しな
かったためと考えられる。
で、CNR値が105 回の記録、消去の後でも下がらな
かった理由は、熱伝導率のよいAl膜またはAlTi膜
が付いているために、記録層から熱が逃げやすく、記録
層の温度が積層構造が崩れて合金化するまでは上昇しな
かったためと考えられる。
【0036】従来例3、4の光磁気記録媒体で、通常の
6mWのレーザパワーで記録ができなかった理由は、A
l膜だけを記録層の上に付けたため、非常に熱が逃げや
すく、レーザビーム照射時に記録するために上昇しなけ
ればならない200°C以上まで温度が上昇しなかった
ためと考えられる。
6mWのレーザパワーで記録ができなかった理由は、A
l膜だけを記録層の上に付けたため、非常に熱が逃げや
すく、レーザビーム照射時に記録するために上昇しなけ
ればならない200°C以上まで温度が上昇しなかった
ためと考えられる。
【0037】比較例7、8の光磁気記録媒体膜で、通常
の6mWのレーザパワーで記録ができなかった理由は、
記録層とAl膜の間に付けたAlN誘電体膜の熱伝導率
が0.25W/cm・Kと比較的高く、熱が逃げやす
く、レーザビーム照射時に記録するために上昇しなけれ
ばならない200°C以上まで温度が上昇しなかったた
めと考えられる。
の6mWのレーザパワーで記録ができなかった理由は、
記録層とAl膜の間に付けたAlN誘電体膜の熱伝導率
が0.25W/cm・Kと比較的高く、熱が逃げやす
く、レーザビーム照射時に記録するために上昇しなけれ
ばならない200°C以上まで温度が上昇しなかったた
めと考えられる。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
耐久性が極めて優れた、Pd−Co系人工格子膜または
Pt−Co系人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体
が得られる。
耐久性が極めて優れた、Pd−Co系人工格子膜または
Pt−Co系人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体
が得られる。
【図1】図1は従来例の光磁気記録媒体の種々の温度に
おけるX線回折チャートである。
おけるX線回折チャートである。
Claims (7)
- 【請求項1】 透明基板と、該透明基板にPdとCoが
交互に積層されたPd−Co系人工格子膜またはPtと
Coが交互に積層されたPt−Co系人工格子膜と、該
人工格子膜に付着された誘電体膜を有する光磁気記録媒
体において、該誘電体の熱伝導率が0.2W/cm・K
以下であり、該誘電体の上に熱伝導率が1.0W/cm
・K以上の膜が成膜されていることを特徴とする光磁気
記録媒体。 - 【請求項2】 請求項1記載の光磁気記録媒体におい
て、前記誘電体膜がSiN、Si3 N4 、SiOまたは
Ta2 O5 膜から成ることを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項3】 請求項2記載の光磁気記録媒体におい
て、前記誘電体膜の膜厚が150〜600オングストロ
ームであることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項4】 請求項1記載の光磁気記録媒体におい
て、前記熱伝導率が1.0W/cm・K以上の膜がA
l、Au、Ag、Pt、PdまたはCuの金属、AlC
rまたはAlTiのAl合金、またはAuAg、AuP
tまたはAuCuの貴金属から成る合金であることを特
徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項5】 請求項4記載の光磁気記録媒体におい
て、前記熱伝導率が1.0W/cm・K以上の膜の膜厚
が300〜1000オングストロームであることを特徴
とする光磁気記録媒体。 - 【請求項6】 請求項1乃至5のいずれか1つに記載の
光磁気記録媒体において、前記Pd−Co系人工格子膜
またはPt−Co系人工格子膜、前記誘電体、前記熱伝
導率が1.0W/cm・K以上の膜がスパッタリング法
またはCVD法で成膜されることを特徴とする光磁気記
録媒体。 - 【請求項7】 請求項1乃至6のいずれか1つに記載の
光磁気記録媒体において、前記Pd−Co系人工格子膜
またはPt−Co系人工格子膜が前記透明基板に対して
直接または誘電体膜を介して成膜されることを特徴とす
る光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8641192A JPH05258363A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8641192A JPH05258363A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05258363A true JPH05258363A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13886131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8641192A Pending JPH05258363A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05258363A (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6802073B1 (en) * | 1999-06-11 | 2004-10-05 | Tosoh Corporation | Magneto-optical recording medium |
US7476431B2 (en) | 2005-04-14 | 2009-01-13 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
US7507458B2 (en) | 2004-06-29 | 2009-03-24 | Kobe Steel, Ltd. | Semi-reflective film and reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target |
US7517575B2 (en) | 2005-07-22 | 2009-04-14 | Kobe Steel, Ltd. | Optical information recording media and silver alloy reflective films for the same |
US7695792B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-04-13 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
US7713608B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-05-11 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
US7790263B2 (en) | 2005-12-21 | 2010-09-07 | Sony Corporation | Ag alloy reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium and Ag alloy sputtering target for forming Ag alloy reflective film for optical information recording medium |
US7843796B2 (en) | 2006-05-16 | 2010-11-30 | Sony Corporation | Optical information recording medium and method of marking BCA (burst cutting area) into the same |
US7871686B2 (en) | 2002-08-08 | 2011-01-18 | Kobe Steel, Ltd. | Ag base alloy thin film and sputtering target for forming Ag base alloy thin film |
US8092889B2 (en) | 2006-08-28 | 2012-01-10 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective film for optical information storage media, optical information storage medium, and sputtering target for the deposition of silver alloy reflective film for optical information storage media |
US8152976B2 (en) | 2007-08-29 | 2012-04-10 | Kobelco Research Institute, Inc. | AG-based alloy sputtering target |
US8309195B2 (en) | 2007-09-19 | 2012-11-13 | Kobe Steel, Ltd. | Read-only optical information recording medium |
US8431931B2 (en) | 2008-11-10 | 2013-04-30 | Kobe Steel, Ltd. | Reflective anode and wiring film for organic EL display device |
US8470426B2 (en) | 2008-09-11 | 2013-06-25 | Kobe Steel, Ltd. | Read-only optical information recording medium and sputtering target for depositing reflective film for the optical information recording medium |
US8530023B2 (en) | 2009-04-14 | 2013-09-10 | Kobe Steel, Ltd. | Optical information recording medium and sputtering target for forming reflective film for optical information recording medium |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP8641192A patent/JPH05258363A/ja active Pending
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7695792B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-04-13 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
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