JPH05251777A - 超電導電界効果型素子およびその作製方法 - Google Patents
超電導電界効果型素子およびその作製方法Info
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- JPH05251777A JPH05251777A JP4352660A JP35266092A JPH05251777A JP H05251777 A JPH05251777 A JP H05251777A JP 4352660 A JP4352660 A JP 4352660A JP 35266092 A JP35266092 A JP 35266092A JP H05251777 A JPH05251777 A JP H05251777A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
- H10N60/0688—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/20—Permanent superconducting devices
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/728—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 MgＯ基板５上のPr1Ba2Cu3Ｏ7-y 層20上に形
成されたＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜による超電導
チャネル10と、超電導チャネル10上にゲート絶縁層７を
介して配置されたSiを含む材料で構成されたゲート電極
４と、ゲート電極４と等しい高さに形成された超電導ソ
ース領域２および超電導ドレイン領域３とを具備する超
電導電界効果型素子。ゲート電極４と、超電導ソース領
域２および超電導ドレイン領域３とは、ゲート電極４か
ら拡散したSiで形成された絶縁領域50により絶縁されて
いる。 【効果】 Pr1Ba2Cu3Ｏ7-y 層20により超電導チャネル1
0を構成するＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜の結晶状
態が改善され、且つ超電導ソース領域２および超電導ド
レイン領域３から超電導電流が効果的に流れ込むので、
超電導チャネルの寸法を拡大せずに電流容量を大きくで
きる。素子の上面が平坦なので多層構造に適し、集積度
を向上できる。
成されたＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜による超電導
チャネル10と、超電導チャネル10上にゲート絶縁層７を
介して配置されたSiを含む材料で構成されたゲート電極
４と、ゲート電極４と等しい高さに形成された超電導ソ
ース領域２および超電導ドレイン領域３とを具備する超
電導電界効果型素子。ゲート電極４と、超電導ソース領
域２および超電導ドレイン領域３とは、ゲート電極４か
ら拡散したSiで形成された絶縁領域50により絶縁されて
いる。 【効果】 Pr1Ba2Cu3Ｏ7-y 層20により超電導チャネル1
0を構成するＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜の結晶状
態が改善され、且つ超電導ソース領域２および超電導ド
レイン領域３から超電導電流が効果的に流れ込むので、
超電導チャネルの寸法を拡大せずに電流容量を大きくで
きる。素子の上面が平坦なので多層構造に適し、集積度
を向上できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超電導電界効果型素
子、その作製方法および酸化物超電導薄膜の加工方法に
関する。より詳細には、超電導チャネルが基板の影響を
受けず、超電導チャネル、ゲート絶縁層およびゲート電
極がセルフアラインされた超電導電界効果型素子および
その作製方法と、各種特性を劣化させないで、酸化物超
電導薄膜をエッチングする酸化物超電導薄膜の加工方法
とに関する。
子、その作製方法および酸化物超電導薄膜の加工方法に
関する。より詳細には、超電導チャネルが基板の影響を
受けず、超電導チャネル、ゲート絶縁層およびゲート電
極がセルフアラインされた超電導電界効果型素子および
その作製方法と、各種特性を劣化させないで、酸化物超
電導薄膜をエッチングする酸化物超電導薄膜の加工方法
とに関する。
【０００２】
【従来の技術】超電導現象を利用した素子は、従来の半
導体素子に比較して高速であり、消費電力も小さく、飛
躍的に高性能化することができると考えられている。特
に近年研究が進んでいる酸化物超電導体を使用すること
により、比較的高い温度で動作する超電導素子を作製す
ることが可能である。超電導素子としては、ジョセフソ
ン素子がよく知られているが、ジョセフソン素子は２端
子の素子であるので論理回路を構成しようとすると、回
路が複雑になる。そのため、３端子の超電導素子が実用
上有利である。
導体素子に比較して高速であり、消費電力も小さく、飛
躍的に高性能化することができると考えられている。特
に近年研究が進んでいる酸化物超電導体を使用すること
により、比較的高い温度で動作する超電導素子を作製す
ることが可能である。超電導素子としては、ジョセフソ
ン素子がよく知られているが、ジョセフソン素子は２端
子の素子であるので論理回路を構成しようとすると、回
路が複雑になる。そのため、３端子の超電導素子が実用
上有利である。
【０００３】３端子の超電導素子には、近接させて配置
した超電導電極間の半導体に超電導電流を流す超電導近
接効果を利用したものと、超電導チャネルに流れる超電
導電流をゲート電極で制御するものとが代表的である。
どちらの素子も入出力の分離が可能であり、電圧制御型
の素子であって、信号の増幅作用があるという点では共
通している。しかしながら、超電導近接効果を得るため
には、超電導体電極をその超電導体のコヒーレンス長の
数倍（酸化物超電導体の場合数nm）以内の距離に配置し
なければならない。従って、非常に精密な加工が要求さ
れる。それに対し、チャネルが超電導チャネルになって
いる超電導素子は、電流密度が大きく、製造上も超電導
電極を近接させて配置するという微細加工を必要としな
い。
した超電導電極間の半導体に超電導電流を流す超電導近
接効果を利用したものと、超電導チャネルに流れる超電
導電流をゲート電極で制御するものとが代表的である。
どちらの素子も入出力の分離が可能であり、電圧制御型
の素子であって、信号の増幅作用があるという点では共
通している。しかしながら、超電導近接効果を得るため
には、超電導体電極をその超電導体のコヒーレンス長の
数倍（酸化物超電導体の場合数nm）以内の距離に配置し
なければならない。従って、非常に精密な加工が要求さ
れる。それに対し、チャネルが超電導チャネルになって
いる超電導素子は、電流密度が大きく、製造上も超電導
電極を近接させて配置するという微細加工を必要としな
い。
【０００４】図３に、超電導チャネルを有する超電導電
界効果型素子の一例の概略図を示す。図３の超電導電界
効果型素子は、基板５上に配置された酸化物超電導体に
よる超電導チャネル10と、超電導チャネル10の両端付近
にそれぞれ配置された超電導ソース領域２および超電導
ドレイン領域３と、超電導チャネル10上にゲート絶縁層
７を介して配置されたゲート電極４とを具備する。ま
た、超電導ソース領域２および超電導ドレイン領域３上
にはそれぞれソース電極12およびドレイン電極13が形成
されている。この超電導電界効果型素子は、ソース電極
12およびドレイン電極13から供給され、超電導ソース領
域２および超電導ドレイン電極３間の超電導チャネル10
を流れる超電導電流をゲート電極４に印加する電圧で制
御する。
界効果型素子の一例の概略図を示す。図３の超電導電界
効果型素子は、基板５上に配置された酸化物超電導体に
よる超電導チャネル10と、超電導チャネル10の両端付近
にそれぞれ配置された超電導ソース領域２および超電導
ドレイン領域３と、超電導チャネル10上にゲート絶縁層
７を介して配置されたゲート電極４とを具備する。ま
た、超電導ソース領域２および超電導ドレイン領域３上
にはそれぞれソース電極12およびドレイン電極13が形成
されている。この超電導電界効果型素子は、ソース電極
12およびドレイン電極13から供給され、超電導ソース領
域２および超電導ドレイン電極３間の超電導チャネル10
を流れる超電導電流をゲート電極４に印加する電圧で制
御する。
【０００５】上記の超電導電界効果型素子を作製する場
合には、基板上に酸化物超電導薄膜を成膜して加工す
る。この加工には、リソグラフィー技術が使用されてい
る。図４に基板５上に成膜された酸化物超電導薄膜１を
従来の方法で加工する場合の概念図を示す。図４に示し
たように、従来は酸化物超電導薄膜１上に直接フォトレ
ジスト膜34でマスクを形成し、マスクの窓36の部分から
酸化物超電導薄膜１をエッチングする。エッチング手段
としては、薄いＨ3ＰＯ4によるウェットエッチング、反
応性イオンエッチング、Arイオンミリング等が使用され
る。
合には、基板上に酸化物超電導薄膜を成膜して加工す
る。この加工には、リソグラフィー技術が使用されてい
る。図４に基板５上に成膜された酸化物超電導薄膜１を
従来の方法で加工する場合の概念図を示す。図４に示し
たように、従来は酸化物超電導薄膜１上に直接フォトレ
ジスト膜34でマスクを形成し、マスクの窓36の部分から
酸化物超電導薄膜１をエッチングする。エッチング手段
としては、薄いＨ3ＰＯ4によるウェットエッチング、反
応性イオンエッチング、Arイオンミリング等が使用され
る。
【０００６】上記従来の加工方法は、半導体薄膜の加工
方法のエッチング手段だけを酸化物超電導体に合わせて
改良した方法である。酸化物超電導体は、半導体に比べ
て反応性が高く、特に水と反応して特性が大幅に劣化す
る。そのため、半導体の加工で使用されていたエッチン
グ法は、そのままでは、酸化物超電導薄膜の加工には使
用できない。従って、酸化物超電導薄膜のエッチングに
は、水洗がほとんど不要な上記のエッチング手段が使用
されていた。
方法のエッチング手段だけを酸化物超電導体に合わせて
改良した方法である。酸化物超電導体は、半導体に比べ
て反応性が高く、特に水と反応して特性が大幅に劣化す
る。そのため、半導体の加工で使用されていたエッチン
グ法は、そのままでは、酸化物超電導薄膜の加工には使
用できない。従って、酸化物超電導薄膜のエッチングに
は、水洗がほとんど不要な上記のエッチング手段が使用
されていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記の超電導電界効果
型素子では、超電導チャネル10を流れる電流をゲート電
極４に印加する電圧で制御する。そのため、超電導チャ
ネル10のゲート部分の厚さは５nm程度にしなければなら
ず、また、ゲート絶縁層７の厚さも10〜20nmにしなけれ
ばならない。一方、この極薄の超電導チャネルは、結晶
性がよく、特性が優れた酸化物超電導薄膜で構成されて
いなければならない。
型素子では、超電導チャネル10を流れる電流をゲート電
極４に印加する電圧で制御する。そのため、超電導チャ
ネル10のゲート部分の厚さは５nm程度にしなければなら
ず、また、ゲート絶縁層７の厚さも10〜20nmにしなけれ
ばならない。一方、この極薄の超電導チャネルは、結晶
性がよく、特性が優れた酸化物超電導薄膜で構成されて
いなければならない。
【０００８】また、素子の性能を高めるためには、ゲー
ト長を短くすることが好ましく、超電導ソース領域およ
び超電導ドレイン領域から、超電導チャネルへ流出入す
る超電導電流が効率良く流れなければならない。しかし
ながら、超電導ソース領域および超電導ドレイン領域が
比較的大きい断面積を有するのに対し、超電導チャネル
の断面積は極めて小さい。従って、広い断面を流れてき
た超電導電流を、極めて小さい断面の超電導チャネルに
絞り込むという困難がある。この超電導電流の絞り込み
のため、超電導ソース領域および超電導ドレイン領域の
形状、歪が超電導電界効果型素子の特性を大きく左右す
る。
ト長を短くすることが好ましく、超電導ソース領域およ
び超電導ドレイン領域から、超電導チャネルへ流出入す
る超電導電流が効率良く流れなければならない。しかし
ながら、超電導ソース領域および超電導ドレイン領域が
比較的大きい断面積を有するのに対し、超電導チャネル
の断面積は極めて小さい。従って、広い断面を流れてき
た超電導電流を、極めて小さい断面の超電導チャネルに
絞り込むという困難がある。この超電導電流の絞り込み
のため、超電導ソース領域および超電導ドレイン領域の
形状、歪が超電導電界効果型素子の特性を大きく左右す
る。
【０００９】一方、上記従来の方法で酸化物超電導薄膜
を加工すると、酸化物超電導体がフォトレジストの剥離
液と反応する。そのため、酸化物超電導薄膜表面に直接
形成したフォトレジストを剥離した後、酸化物超電導薄
膜表面が浸食されて平滑でなくなり、その上に他の薄膜
を積層して、多層構造の素子、集積回路等を作製するこ
とが困難になる。
を加工すると、酸化物超電導体がフォトレジストの剥離
液と反応する。そのため、酸化物超電導薄膜表面に直接
形成したフォトレジストを剥離した後、酸化物超電導薄
膜表面が浸食されて平滑でなくなり、その上に他の薄膜
を積層して、多層構造の素子、集積回路等を作製するこ
とが困難になる。
【００１０】そこで本発明の目的は、上記従来技術の問
題点を解決した超電導電界効果型素子およびその作製方
法と、酸化物超電導薄膜の加工方法とを提供することに
ある。
題点を解決した超電導電界効果型素子およびその作製方
法と、酸化物超電導薄膜の加工方法とを提供することに
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に従うと、基板
と、該基板上に形成された酸化物超電導体で構成された
超電導ソース領域および超電導ドレイン領域と、前記基
板上で該超電導ソース領域および超電導ドレイン領域間
に配置され、酸化物超電導体で構成された超電導チャネ
ルと、該超電導チャネル上にゲート絶縁層を介して配置
され、該超電導チャネルを流れる電流を制御するための
ゲート電圧が印加される常電導体で構成されたゲート電
極とを備える超電導電界効果型素子において、前記基板
と前記超電導チャネルとの間に前記酸化物超電導体と類
似の結晶構造を有する非超電導酸化物層を具備し、前記
ゲート電極がSiを含む材料で構成され、該ゲート電極の
上面、前記超電導ソース領域の上面および超電導ドレイ
ン領域の上面が等しい高さに形成され、該ゲート電極
と、前記超電導ソース領域および超電導ドレイン領域と
が、該ゲート電極から前記超電導ソース領域および超電
導ドレイン領域に拡散したSiにより形成された絶縁領域
により絶縁されていることを特徴とする超電導電界効果
型素子が提供される。
と、該基板上に形成された酸化物超電導体で構成された
超電導ソース領域および超電導ドレイン領域と、前記基
板上で該超電導ソース領域および超電導ドレイン領域間
に配置され、酸化物超電導体で構成された超電導チャネ
ルと、該超電導チャネル上にゲート絶縁層を介して配置
され、該超電導チャネルを流れる電流を制御するための
ゲート電圧が印加される常電導体で構成されたゲート電
極とを備える超電導電界効果型素子において、前記基板
と前記超電導チャネルとの間に前記酸化物超電導体と類
似の結晶構造を有する非超電導酸化物層を具備し、前記
ゲート電極がSiを含む材料で構成され、該ゲート電極の
上面、前記超電導ソース領域の上面および超電導ドレイ
ン領域の上面が等しい高さに形成され、該ゲート電極
と、前記超電導ソース領域および超電導ドレイン領域と
が、該ゲート電極から前記超電導ソース領域および超電
導ドレイン領域に拡散したSiにより形成された絶縁領域
により絶縁されていることを特徴とする超電導電界効果
型素子が提供される。
【００１２】また、本発明においては、上記本発明の超
電導電界効果型素子を作製する方法として、前記基板上
に前記超電導電界効果型素子の全長にわたる前記酸化物
超電導体と類似の結晶構造を有する非超電導酸化物層を
形成し、該非超電導酸化物層上に極薄の酸化物超電導薄
膜を成膜し、該酸化物超電導薄膜上にゲート絶縁層およ
びSiを含む材料でゲート電極を形成した後、超電導ソー
ス領域および超電導ドレイン領域となる酸化物超電導薄
膜を形成する工程を含むことを特徴とする方法が提供さ
れる。本発明のこの方法では、ゲート絶縁層をＨＦを含
む溶液でエッチングして形成することが好ましい。
電導電界効果型素子を作製する方法として、前記基板上
に前記超電導電界効果型素子の全長にわたる前記酸化物
超電導体と類似の結晶構造を有する非超電導酸化物層を
形成し、該非超電導酸化物層上に極薄の酸化物超電導薄
膜を成膜し、該酸化物超電導薄膜上にゲート絶縁層およ
びSiを含む材料でゲート電極を形成した後、超電導ソー
ス領域および超電導ドレイン領域となる酸化物超電導薄
膜を形成する工程を含むことを特徴とする方法が提供さ
れる。本発明のこの方法では、ゲート絶縁層をＨＦを含
む溶液でエッチングして形成することが好ましい。
【００１３】さらに、本発明においては、基板上に成膜
された酸化物超電導薄膜をエッチングして所定の形状に
加工する方法において、前記酸化物超電導薄膜表面にSi
Ｏ2のマスクを形成してエッチングすることを特徴とす
る酸化物超電導薄膜の加工方法が提供される。本発明の
この方法においては、SiＯ2 のマスクをＨＦを含む溶液
を使用して除去することが好ましい。
された酸化物超電導薄膜をエッチングして所定の形状に
加工する方法において、前記酸化物超電導薄膜表面にSi
Ｏ2のマスクを形成してエッチングすることを特徴とす
る酸化物超電導薄膜の加工方法が提供される。本発明の
この方法においては、SiＯ2 のマスクをＨＦを含む溶液
を使用して除去することが好ましい。
【００１４】
【作用】本発明の超電導電界効果型素子は、基板と超電
導チャネルとの間に形成された超電導チャネルを構成す
る酸化物超電導体と類似の結晶構造を有する非超電導酸
化物層を具備し、ゲート電極がSiを含む材料で構成さ
れ、ゲート電極の上面、超電導ソース領域の上面および
超電導ドレイン領域の上面が等しい高さに形成され、ゲ
ート電極と、超電導ソース領域および超電導ドレイン領
域とが、ゲート電極から超電導ソース領域および超電導
ドレイン領域に拡散したSiにより形成された絶縁領域に
より絶縁されているところにその主要な特徴がある。
導チャネルとの間に形成された超電導チャネルを構成す
る酸化物超電導体と類似の結晶構造を有する非超電導酸
化物層を具備し、ゲート電極がSiを含む材料で構成さ
れ、ゲート電極の上面、超電導ソース領域の上面および
超電導ドレイン領域の上面が等しい高さに形成され、ゲ
ート電極と、超電導ソース領域および超電導ドレイン領
域とが、ゲート電極から超電導ソース領域および超電導
ドレイン領域に拡散したSiにより形成された絶縁領域に
より絶縁されているところにその主要な特徴がある。
【００１５】本発明の超電導電界効果型素子において、
上記の非超電導酸化物層上に形成された超電導チャネル
は、超電導チャネルを構成する酸化物超電導薄膜の結晶
状態が改善され、酸化物超電導薄膜の最下部の結晶単位
胞も超電導状態になる。これは、上記の非超電導酸化物
結晶が、酸化物超電導体結晶との格子整合性が良好で、
また、酸化物超電導薄膜下部の酸化物超電導体結晶の不
完全な部分を補うからと考えられている。また、基板と
の熱膨張率の差による歪みも上記の非超電導酸化物層で
吸収され、基板からの原子の拡散も上記の非超電導酸化
物層内だけで止まる。
上記の非超電導酸化物層上に形成された超電導チャネル
は、超電導チャネルを構成する酸化物超電導薄膜の結晶
状態が改善され、酸化物超電導薄膜の最下部の結晶単位
胞も超電導状態になる。これは、上記の非超電導酸化物
結晶が、酸化物超電導体結晶との格子整合性が良好で、
また、酸化物超電導薄膜下部の酸化物超電導体結晶の不
完全な部分を補うからと考えられている。また、基板と
の熱膨張率の差による歪みも上記の非超電導酸化物層で
吸収され、基板からの原子の拡散も上記の非超電導酸化
物層内だけで止まる。
【００１６】本発明の超電導電界効果型素子では、上記
の非超電導酸化物層に例えばPr1Ba2Cu3Ｏ7-yを使用する
ことが好ましい。これは、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-y が、酸化物
超電導体とほぼ等しい結晶構造を有する非超電導酸化物
であり、酸化物超電導体結晶と格子整合性に特に優れ、
酸化物超電導体との間における相互拡散がほとんど問題
にならない程度に少ないからである。
の非超電導酸化物層に例えばPr1Ba2Cu3Ｏ7-yを使用する
ことが好ましい。これは、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-y が、酸化物
超電導体とほぼ等しい結晶構造を有する非超電導酸化物
であり、酸化物超電導体結晶と格子整合性に特に優れ、
酸化物超電導体との間における相互拡散がほとんど問題
にならない程度に少ないからである。
【００１７】一方、本発明の超電導電界効果型素子で
は、ゲート絶縁層にSi3Ｎ4またはSrTiＯ3、ゲート電極
に単結晶または多結晶Si、金属シリサイド等を使用す
る。このゲート電極から拡散したSiにより、超電導ソー
ス領域および超電導ドレイン領域を構成する酸化物超電
導体の一部が超電導性を失って絶縁領域となる。従っ
て、本発明の超電導電界効果型素子では、ゲート電極が
超電導ソース領域および超電導ドレイン領域に接してい
ても、ゲート電極と、超電導ソース領域および超電導ド
レイン領域とは電気的に絶縁されている。
は、ゲート絶縁層にSi3Ｎ4またはSrTiＯ3、ゲート電極
に単結晶または多結晶Si、金属シリサイド等を使用す
る。このゲート電極から拡散したSiにより、超電導ソー
ス領域および超電導ドレイン領域を構成する酸化物超電
導体の一部が超電導性を失って絶縁領域となる。従っ
て、本発明の超電導電界効果型素子では、ゲート電極が
超電導ソース領域および超電導ドレイン領域に接してい
ても、ゲート電極と、超電導ソース領域および超電導ド
レイン領域とは電気的に絶縁されている。
【００１８】本発明の方法で、本発明の超電導電界効果
型素子を作製する場合には、超電導チャネル上に上記の
ゲート絶縁層、ゲート電極を形成してから、これらを埋
め込むように基板上に素子の全長にわたる酸化物超電導
薄膜を形成する。この酸化物超電導薄膜は、超電導ソー
ス領域および超電導ドレイン領域となるもので、厚さは
200 〜300 nmが好ましい。この酸化物超電導薄膜のゲー
ト電極の付近は、成膜中にSiが拡散して超電導性を失
い、絶縁領域となる。酸化物超電導薄膜の残りの部分
は、超電導ソース領域および超電導ドレイン領域とな
る。このように形成された超電導ソース領域および超電
導ドレイン領域は、元来は単一の酸化物超電導薄膜であ
ったので、特性が揃ったものとなる。
型素子を作製する場合には、超電導チャネル上に上記の
ゲート絶縁層、ゲート電極を形成してから、これらを埋
め込むように基板上に素子の全長にわたる酸化物超電導
薄膜を形成する。この酸化物超電導薄膜は、超電導ソー
ス領域および超電導ドレイン領域となるもので、厚さは
200 〜300 nmが好ましい。この酸化物超電導薄膜のゲー
ト電極の付近は、成膜中にSiが拡散して超電導性を失
い、絶縁領域となる。酸化物超電導薄膜の残りの部分
は、超電導ソース領域および超電導ドレイン領域とな
る。このように形成された超電導ソース領域および超電
導ドレイン領域は、元来は単一の酸化物超電導薄膜であ
ったので、特性が揃ったものとなる。
【００１９】上記本発明の方法では、Si3Ｎ4またはSrTi
Ｏ3 のゲート絶縁層を形成する場合に、Si3Ｎ4層または
SrTiＯ3 層をＨＦでエッチングして加工することが好ま
しい。ゲート絶縁層の下側には、酸化物超電導体の超電
導チャネルが配置されているため、ゲート絶縁層は、超
電導チャネルを構成する酸化物超電導体を劣化させない
方法で形成する必要がある。本発明の方法では、比較的
薄いＨＦ溶液を使用してSi3Ｎ4層をエッチング加工して
ゲート絶縁層とする。本発明の方法で使用するＨＦ溶液
の濃度は５〜15％が好ましい。また、ＨＦを元に作った
緩衝ＨＦ、ＨＦ混合液等も使用できる。
Ｏ3 のゲート絶縁層を形成する場合に、Si3Ｎ4層または
SrTiＯ3 層をＨＦでエッチングして加工することが好ま
しい。ゲート絶縁層の下側には、酸化物超電導体の超電
導チャネルが配置されているため、ゲート絶縁層は、超
電導チャネルを構成する酸化物超電導体を劣化させない
方法で形成する必要がある。本発明の方法では、比較的
薄いＨＦ溶液を使用してSi3Ｎ4層をエッチング加工して
ゲート絶縁層とする。本発明の方法で使用するＨＦ溶液
の濃度は５〜15％が好ましい。また、ＨＦを元に作った
緩衝ＨＦ、ＨＦ混合液等も使用できる。
【００２０】本発明の超電導素子においては、Pr1Ba2Cu
3Ｏ7-y層の結晶状態は良好でなければならない。結晶状
態が良好で且つ極薄のPr1Ba2Cu3Ｏ7-y層を形成するため
に、本発明の一態様ではＭＢＥ法を使用することが好ま
しい。特に、ＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回折）によ
り、モニターしながらＭＢＥ法によりPr1Ba2Cu3Ｏ7-y層
を成長させると、正確に単分子層単位で膜厚が制御でき
るので好ましい。また、超電導チャネルを構成する酸化
物超電導薄膜もＭＢＥ法で成膜する場合には、Pr1Ba2Cu
3Ｏ7-y層を成膜後、蒸発源を切り替えることにより連続
して酸化物超電導薄膜を成膜することが可能である。
3Ｏ7-y層の結晶状態は良好でなければならない。結晶状
態が良好で且つ極薄のPr1Ba2Cu3Ｏ7-y層を形成するため
に、本発明の一態様ではＭＢＥ法を使用することが好ま
しい。特に、ＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回折）によ
り、モニターしながらＭＢＥ法によりPr1Ba2Cu3Ｏ7-y層
を成長させると、正確に単分子層単位で膜厚が制御でき
るので好ましい。また、超電導チャネルを構成する酸化
物超電導薄膜もＭＢＥ法で成膜する場合には、Pr1Ba2Cu
3Ｏ7-y層を成膜後、蒸発源を切り替えることにより連続
して酸化物超電導薄膜を成膜することが可能である。
【００２１】本発明の超電導電界効果型素子には、任意
の酸化物超電導体が使用できるが、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X系酸
化物超電導体は安定的に高品質の結晶性のよい薄膜が得
られるので好ましい。また、Bi2Sr2Ca2Cu3Ｏx 系酸化物
超電導体は、特にその超電導臨界温度Ｔc が高いので好
ましい。
の酸化物超電導体が使用できるが、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X系酸
化物超電導体は安定的に高品質の結晶性のよい薄膜が得
られるので好ましい。また、Bi2Sr2Ca2Cu3Ｏx 系酸化物
超電導体は、特にその超電導臨界温度Ｔc が高いので好
ましい。
【００２２】一方、本発明の方法では、酸化物超電導薄
膜の表面に形成されたSiＯ2のマスクを使用してエッチ
ングを行う。このSiＯ2のマスクは、酸化物電導薄膜上
に形成したSiＯ2膜をフォトレジストを使用してエッチ
ング加工することにより作製する。換言すれば、本発明
の方法では、SiＯ2膜上にフォトレジスト膜を作製する
ことで、SiＯ2膜によりフォトレジスト剥離液から酸化
物超電導薄膜表面を保護している。
膜の表面に形成されたSiＯ2のマスクを使用してエッチ
ングを行う。このSiＯ2のマスクは、酸化物電導薄膜上
に形成したSiＯ2膜をフォトレジストを使用してエッチ
ング加工することにより作製する。換言すれば、本発明
の方法では、SiＯ2膜上にフォトレジスト膜を作製する
ことで、SiＯ2膜によりフォトレジスト剥離液から酸化
物超電導薄膜表面を保護している。
【００２３】本発明の方法では、上記のSiＯ2膜を酸化
物超電導薄膜に悪影響を与えない方法で除去しなければ
ならない。そのために、本発明の方法では、上述のゲー
ト絶縁層の加工と同様、比較的薄いＨＦ溶液を使用して
SiＯ2膜を除去する。本発明の方法で使用するＨＦ溶液
の濃度は５〜15％が好ましい。また、ＨＦを元に作った
緩衝ＨＦ、ＨＦ混合液等も使用できる。
物超電導薄膜に悪影響を与えない方法で除去しなければ
ならない。そのために、本発明の方法では、上述のゲー
ト絶縁層の加工と同様、比較的薄いＨＦ溶液を使用して
SiＯ2膜を除去する。本発明の方法で使用するＨＦ溶液
の濃度は５〜15％が好ましい。また、ＨＦを元に作った
緩衝ＨＦ、ＨＦ混合液等も使用できる。
【００２４】以下、本発明を実施例によりさらに詳しく
説明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。
説明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。
【００２５】
【実施例】実施例１ 本発明の方法により、本発明の超電導電界効果型素子を
作製した。図１を参照して、その工程を説明する。ま
ず、図１(a)に示すようなMgＯ基板またはSrTiＯ3基板５
上に図１(b)に示すよう、ＲＨＥＥＤでモニターしなが
らＭＢＥ法により、厚さ約50nmのPr1Ba2Cu3Ｏ7-y層20を
形成する。このとき、基板温度は750 ℃にする。Pr蒸発
源をＹ蒸発源に切り替え、基板温度を700 ℃に下げ、図
１(c)に示すようPr1Ba2Cu3Ｏ7-y層20上に連続してＹ1Ba
2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１を形成する。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ
7-X酸化物超電導薄膜１の厚さは、約５nmにすることが
好ましい。
作製した。図１を参照して、その工程を説明する。ま
ず、図１(a)に示すようなMgＯ基板またはSrTiＯ3基板５
上に図１(b)に示すよう、ＲＨＥＥＤでモニターしなが
らＭＢＥ法により、厚さ約50nmのPr1Ba2Cu3Ｏ7-y層20を
形成する。このとき、基板温度は750 ℃にする。Pr蒸発
源をＹ蒸発源に切り替え、基板温度を700 ℃に下げ、図
１(c)に示すようPr1Ba2Cu3Ｏ7-y層20上に連続してＹ1Ba
2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１を形成する。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ
7-X酸化物超電導薄膜１の厚さは、約５nmにすることが
好ましい。
【００２６】Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１に連続
して、図１(d) に示すよう、厚さ10〜20nmのSrTiＯ3の
絶縁膜17をスパッタリング法でＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X 酸化物
超電導薄膜１上に形成する。次に、図１(e)に示すよう
絶縁膜17上にＣＶＤ法により多結晶Si層14を形成する。
多結晶Si層14は、厚さ約200nmに形成し、最終的にはゲ
ート電極を構成する。
して、図１(d) に示すよう、厚さ10〜20nmのSrTiＯ3の
絶縁膜17をスパッタリング法でＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X 酸化物
超電導薄膜１上に形成する。次に、図１(e)に示すよう
絶縁膜17上にＣＶＤ法により多結晶Si層14を形成する。
多結晶Si層14は、厚さ約200nmに形成し、最終的にはゲ
ート電極を構成する。
【００２７】反応性イオンエッチングで、多結晶Si層14
を図１(f)に示すようゲート電極に加工する。次いで、
ゲート電極４の表面を50〜100nm酸化して、図１(g)に示
すよう、酸化層40を形成する。ＨＦと、ＮＨ4ＯＨとの
混合液により、SrTiＯ3の絶縁膜17をエッチングして、
図１(h)に示すよう、ゲート絶縁層７を形成する。ＨＦ
と、ＮＨ4ＯＨとの混合液は、SrTiＯ3 を選択的にエッ
チングし、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１は侵され
ない。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X 酸化物超電導薄膜１のゲート絶
縁層７の下側の部分は超電導チャネル10になる。
を図１(f)に示すようゲート電極に加工する。次いで、
ゲート電極４の表面を50〜100nm酸化して、図１(g)に示
すよう、酸化層40を形成する。ＨＦと、ＮＨ4ＯＨとの
混合液により、SrTiＯ3の絶縁膜17をエッチングして、
図１(h)に示すよう、ゲート絶縁層７を形成する。ＨＦ
と、ＮＨ4ＯＨとの混合液は、SrTiＯ3 を選択的にエッ
チングし、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１は侵され
ない。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X 酸化物超電導薄膜１のゲート絶
縁層７の下側の部分は超電導チャネル10になる。
【００２８】必要に応じて、１×10-9Torr以下の圧力の
超高真空中で350〜400℃に加熱して露出したＹ1Ba2Cu3
Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１の表面を清浄にし、図１(i)
に示すよう、ゲート電極４を埋め込むよう約500nm の厚
さのＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜11を成膜する。成
膜方法としては、オフアクシススパッタリング法が好ま
しい。主な成膜条件を以下に示す。 基板温度 640℃ スパッタリングガス Ar 90％ Ｏ2 10％ 圧力 10Pa 成膜中にＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜11のゲート電
極４の周囲には、ゲート電極４からSiが拡散して、絶縁
領域50が形成される。絶縁領域50は、不純物としてSiを
含むために超電導性を失ったＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電
導体で構成されている。最後にＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超
電導薄膜11上に犠牲層（不図示）を形成し、エッチバッ
クして、図１(j)に示すよう、超電導ソース領域２およ
び超電導ドレイン領域３を形成して本発明の超電導電界
効果型素子が完成する。
超高真空中で350〜400℃に加熱して露出したＹ1Ba2Cu3
Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１の表面を清浄にし、図１(i)
に示すよう、ゲート電極４を埋め込むよう約500nm の厚
さのＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜11を成膜する。成
膜方法としては、オフアクシススパッタリング法が好ま
しい。主な成膜条件を以下に示す。 基板温度 640℃ スパッタリングガス Ar 90％ Ｏ2 10％ 圧力 10Pa 成膜中にＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜11のゲート電
極４の周囲には、ゲート電極４からSiが拡散して、絶縁
領域50が形成される。絶縁領域50は、不純物としてSiを
含むために超電導性を失ったＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電
導体で構成されている。最後にＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超
電導薄膜11上に犠牲層（不図示）を形成し、エッチバッ
クして、図１(j)に示すよう、超電導ソース領域２およ
び超電導ドレイン領域３を形成して本発明の超電導電界
効果型素子が完成する。
【００２９】以上のように、本発明の方法で作製された
本発明の超電導電界効果型素子は、酸化物超電導体で構
成された超電導チャネルが、酸化物超電導体と類似の結
晶構造を有する非超電導酸化物層上に形成されているの
で、超電導チャネルの下部が基板の影響を受けていな
い。従って、超電導チャネルの下部も良好な超電導特性
を示し、超電導チャネルの実質的な断面積が大きくなる
ので、素子の電流容量が大きくなる。また、Siが拡散し
て形成された絶縁領域に沿って電流が流れ、超電導ソー
ス領域および超電導ドレイン領域の超電導電流が効果的
に超電導チャネルに絞り込まれ、良好な電流−電圧特性
を示す。さらに、素子上面が平坦なので、多層配線構造
に適し、集積度を向上させることができる。
本発明の超電導電界効果型素子は、酸化物超電導体で構
成された超電導チャネルが、酸化物超電導体と類似の結
晶構造を有する非超電導酸化物層上に形成されているの
で、超電導チャネルの下部が基板の影響を受けていな
い。従って、超電導チャネルの下部も良好な超電導特性
を示し、超電導チャネルの実質的な断面積が大きくなる
ので、素子の電流容量が大きくなる。また、Siが拡散し
て形成された絶縁領域に沿って電流が流れ、超電導ソー
ス領域および超電導ドレイン領域の超電導電流が効果的
に超電導チャネルに絞り込まれ、良好な電流−電圧特性
を示す。さらに、素子上面が平坦なので、多層配線構造
に適し、集積度を向上させることができる。
【００３０】一方、本発明の方法では、上記の非超電導
酸化物層、超電導チャネル、ゲート絶縁層およびゲート
電極がセルフアラインされ、ゲート電極と超電導ソース
領域２および超電導ドレイン領域３を絶縁する絶縁領域
50の位置決めも不要である。また、酸化物超電導薄膜上
のSrTiＯ3膜を、選択的にSrTiＯ3をエッチングするＨＦ
と、ＮＨ4ＯＨとの混合液を使用して除去するので、Ｙ1
Ba2Cu3Ｏ7-X 酸化物超電導薄膜が劣化しない。
酸化物層、超電導チャネル、ゲート絶縁層およびゲート
電極がセルフアラインされ、ゲート電極と超電導ソース
領域２および超電導ドレイン領域３を絶縁する絶縁領域
50の位置決めも不要である。また、酸化物超電導薄膜上
のSrTiＯ3膜を、選択的にSrTiＯ3をエッチングするＨＦ
と、ＮＨ4ＯＨとの混合液を使用して除去するので、Ｙ1
Ba2Cu3Ｏ7-X 酸化物超電導薄膜が劣化しない。
【００３１】実施例２ 本発明の方法により、酸化物超電導薄膜の加工を行っ
た。図２を参照して、その工程を説明する。まず、図２
(a)に示すように、MgＯ（１００）基板５上に形成され
たＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１上に、図２(b)に
示すよう、SiＯ2膜32を形成する。SiＯ2膜32は、基板温
度350℃以下にしてＣＶＤ法で厚さ約200nm に成長させ
る。
た。図２を参照して、その工程を説明する。まず、図２
(a)に示すように、MgＯ（１００）基板５上に形成され
たＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１上に、図２(b)に
示すよう、SiＯ2膜32を形成する。SiＯ2膜32は、基板温
度350℃以下にしてＣＶＤ法で厚さ約200nm に成長させ
る。
【００３２】次に、図２(c)に示すよう、SiＯ2膜32上に
フォトレジスト膜34により、マスクを形成する。この状
態でエッチングを行うと、フォトレジストによるマスク
の開口部36の下側の部分のSiＯ2膜32が、エッチングさ
れる。このエッチングには、反応性イオンエッチング、
Arイオンミリング等の方法によるドライエッチングまた
は10％濃度のＨＦによるウェットエッチングが使用でき
る。
フォトレジスト膜34により、マスクを形成する。この状
態でエッチングを行うと、フォトレジストによるマスク
の開口部36の下側の部分のSiＯ2膜32が、エッチングさ
れる。このエッチングには、反応性イオンエッチング、
Arイオンミリング等の方法によるドライエッチングまた
は10％濃度のＨＦによるウェットエッチングが使用でき
る。
【００３３】次いで、レジスト剥離液でフォトレジスト
膜34を除去し、図２(d)に示すようSiＯ2膜32でマスクを
形成する。SiＯ2膜のマスクには、フォトレジストのマ
スクの開口部36の下側の部分に開口部37が形成されてい
る。
膜34を除去し、図２(d)に示すようSiＯ2膜32でマスクを
形成する。SiＯ2膜のマスクには、フォトレジストのマ
スクの開口部36の下側の部分に開口部37が形成されてい
る。
【００３４】上記のように、SiＯ2膜のマスクが形成さ
れたら、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１を、0.1％
濃度のＨ3ＰＯ4 を使用してウェットエッチングする
か、反応性イオンエッチング、Arイオンミリング等の方
法でドライエッチングする。図２(e)に示すよう、SiＯ2
膜のマスクの開口部37の下側部分38は、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X
酸化物超電導薄膜１がエッチング除去されて基板５が露
出する。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１のレジスト
の剥離液で侵された部分はこの処理で消失する。
れたら、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１を、0.1％
濃度のＨ3ＰＯ4 を使用してウェットエッチングする
か、反応性イオンエッチング、Arイオンミリング等の方
法でドライエッチングする。図２(e)に示すよう、SiＯ2
膜のマスクの開口部37の下側部分38は、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X
酸化物超電導薄膜１がエッチング除去されて基板５が露
出する。Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜１のレジスト
の剥離液で侵された部分はこの処理で消失する。
【００３５】最後に、図２(f)に示すよう、10％濃度の
ＨＦを使用して、SiＯ2膜32を除去する。10％濃度のＨ
Ｆには、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜は侵されず、
SiＯ2膜32のみが選択的にエッチングされる。SiＯ2膜32
を除去したあとのＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜の表
面は、成膜直後と同様に平滑であり、また、酸化物超電
導薄膜の超電導特性も劣化していなかった。
ＨＦを使用して、SiＯ2膜32を除去する。10％濃度のＨ
Ｆには、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜は侵されず、
SiＯ2膜32のみが選択的にエッチングされる。SiＯ2膜32
を除去したあとのＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜の表
面は、成膜直後と同様に平滑であり、また、酸化物超電
導薄膜の超電導特性も劣化していなかった。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本件出願の第１の
発明に従えば、新規な構成の超電導電界効果型素子およ
びその作製方法が提供される。本発明の方法で作製され
た本発明の超電導電界効果型素子は、酸化物超電導薄膜
で構成された超電導チャネルが基板の影響を受けて劣化
することがなく、且つ超電導ソース領域および超電導ド
レイン領域の超電導電流が効率よく超電導チャネルに流
れ込むので、従来と超電導チャネルの厚さを変えずに電
流容量を大きくすることが可能である。
発明に従えば、新規な構成の超電導電界効果型素子およ
びその作製方法が提供される。本発明の方法で作製され
た本発明の超電導電界効果型素子は、酸化物超電導薄膜
で構成された超電導チャネルが基板の影響を受けて劣化
することがなく、且つ超電導ソース領域および超電導ド
レイン領域の超電導電流が効率よく超電導チャネルに流
れ込むので、従来と超電導チャネルの厚さを変えずに電
流容量を大きくすることが可能である。
【００３７】また、本件出願の第２の発明では、酸化物
超電導薄膜の新規な加工方法が提供される。本発明の方
法では、酸化物超電導薄膜の特性を損なわずに酸化物超
電導薄膜をエッチングして任意の形状に加工することが
できる。また、本発明の方法による加工では、酸化物超
電導薄膜の表面を荒らすことがないので、加工後の酸化
物超電導薄膜上に他の薄膜を積層して多層構造とするこ
とができる。
超電導薄膜の新規な加工方法が提供される。本発明の方
法では、酸化物超電導薄膜の特性を損なわずに酸化物超
電導薄膜をエッチングして任意の形状に加工することが
できる。また、本発明の方法による加工では、酸化物超
電導薄膜の表面を荒らすことがないので、加工後の酸化
物超電導薄膜上に他の薄膜を積層して多層構造とするこ
とができる。
【図１】本発明の方法で本発明の超電導電界効果型素子
を作製する工程を説明する図である。
を作製する工程を説明する図である。
【図２】本発明の方法により、酸化物超電導薄膜を加工
する工程を説明する図である。
する工程を説明する図である。
【図３】超電導電界効果型素子の構成を説明する図であ
る。
る。
【図４】従来の方法で、酸化物超電導薄膜を加工する工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
【符号の説明】 １ 酸化物超電導薄膜 ２ 超電導ソース領域 ３ 超電導ドレイン領域 ４ ゲート電極 ５ 基板 ７ ゲート絶縁層 10 超電導チャネル 14 多結晶Si層 20 Pr1Ba2Cu3Ｏ7-y層 32 SiＯ2膜 34 フォトレジスト膜 40 酸化層 50 絶縁領域
Claims (5)
- 【請求項１】 基板と、該基板上に形成された酸化物超
電導体で構成された超電導ソース領域および超電導ドレ
イン領域と、前記基板上で該超電導ソース領域および超
電導ドレイン領域間に配置され、酸化物超電導体で構成
された超電導チャネルと、該超電導チャネル上にゲート
絶縁層を介して配置され、該超電導チャネルを流れる電
流を制御するためのゲート電圧が印加される常電導体で
構成されたゲート電極とを備える超電導電界効果型素子
において、前記基板と前記超電導チャネルとの間に前記
酸化物超電導体と類似の結晶構造を有する非超電導酸化
物層を具備し、前記ゲート電極がSiを含む材料で構成さ
れ、該ゲート電極の上面、前記超電導ソース領域の上面
および超電導ドレイン領域の上面が等しい高さに形成さ
れ、該ゲート電極と、前記超電導ソース領域および超電
導ドレイン領域とが、該ゲート電極から前記超電導ソー
ス領域および超電導ドレイン領域に拡散したSiにより形
成された絶縁領域により絶縁されていることを特徴とす
る超電導電界効果型素子。 - 【請求項２】 請求項１に記載の超電導電界効果型素子
を作製する方法において、前記基板上に前記超電導電界
効果型素子の全長にわたる前記酸化物超電導体と類似の
結晶構造を有する非超電導酸化物層を形成し、該非超電
導酸化物層上に極薄の酸化物超電導薄膜を成膜し、該酸
化物超電導薄膜上にゲート絶縁層およびSiを含む材料で
ゲート電極を形成した後、超電導ソース領域および超電
導ドレイン領域となる酸化物超電導薄膜を形成する工程
を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項３】 前記ゲート絶縁層をＨＦを含む溶液でエ
ッチングして形成することを特徴とする請求項２に記載
の方法。 - 【請求項４】 基板上に成膜された酸化物超電導薄膜を
エッチングして所定の形状に加工する方法において、前
記酸化物超電導薄膜表面にSiＯ2のマスクを形成してエ
ッチングすることを特徴とする酸化物超電導薄膜の加工
方法。 - 【請求項５】 前記SiＯ2 のマスクをＨＦを含む溶液を
使用して除去することを特徴とする請求項４に記載の酸
化物超電導薄膜の加工方法。
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