JPH05251391A - Plasma processing device for semiconductor wafer - Google Patents
Plasma processing device for semiconductor waferInfo
- Publication number
- JPH05251391A JPH05251391A JP8139292A JP8139292A JPH05251391A JP H05251391 A JPH05251391 A JP H05251391A JP 8139292 A JP8139292 A JP 8139292A JP 8139292 A JP8139292 A JP 8139292A JP H05251391 A JPH05251391 A JP H05251391A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- plasma generation
- processing
- process gas
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハーのプラ
ズマ処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer plasma processing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に半導体デバイスの製造において
は、半導体ウエハーの表面に対して、成膜処理、エッチ
ング処理、アッシング処理などの種々の処理を施すこと
が必要であるが、デバイスの高密度化、高集積化に伴っ
て、上記のような処理のためにプロセスガスのプラズマ
を利用することが行われてきている。このプラズマに
は、プロセスガスのイオン、ラジカル、電子が混在して
おり、これらが半導体ウエハーの表面と種々の反応を生
じて、目的とする処理がなされる。そして、このような
半導体ウエハーのプラズマ処理は、その効率の点から、
複数の半導体ウエハーを同時に処理し得ることが望まし
い。2. Description of the Related Art Generally, in the manufacture of semiconductor devices, it is necessary to perform various processes such as film forming process, etching process, and ashing process on the surface of a semiconductor wafer. With high integration, use of plasma of process gas has been performed for the above-mentioned processing. Ions, radicals, and electrons of the process gas are mixed in this plasma, and these cause various reactions with the surface of the semiconductor wafer to carry out the intended treatment. And, from the point of efficiency, the plasma treatment of such a semiconductor wafer is
It is desirable to be able to process multiple semiconductor wafers simultaneously.
【０００３】従来、複数の半導体ウエハーをバッチ的に
プラズマ処理する装置としては、例えば特開昭６１−２
６６５８４号公報、特開昭６２−１４９８９１号公報に
プラズマを利用するエッチング装置が提案されている。
これらの装置においては、処理容器内に処理すべき半導
体ウエハーを上下に積重した状態で保持し、放電管など
によってプラズマを発生させたプロセスガスをガス導入
管を介して処理容器内に導入すると共に、処理容器にお
いてガス導入管と対向する位置に設けた排気管により排
気することにより、半導体ウエハーのプラズマ処理がな
される。Conventionally, as an apparatus for plasma-processing a plurality of semiconductor wafers in a batch, for example, JP-A-61-2 is used.
Japanese Patent Laid-Open No. 66584 and Japanese Patent Laid-Open No. 62-149891 propose etching apparatuses using plasma.
In these apparatuses, semiconductor wafers to be processed are held in a stacked state in a processing container, and a process gas in which plasma is generated by a discharge tube is introduced into the processing container through a gas introduction tube. At the same time, the semiconductor wafer is plasma-processed by exhausting the gas through the exhaust pipe provided at a position facing the gas introduction pipe in the processing container.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
従来のプラズマ処理装置においては、プラズマを発生さ
せたプロセスガスがガス導入管を介して処理容器に導入
されるため、処理容器内においてプロセスガスが上下に
拡散し、このため、上下に積重された半導体ウエハーの
上下方向の位置によってプロセスガスの流れの状態が異
なり、結局、複数の半導体ウエハーをバッチ的に処理す
るものでありながら各半導体ウエハーを均一に処理する
ことができない、という問題点がある。However, in these conventional plasma processing apparatuses, the process gas in which plasma is generated is introduced into the processing container through the gas introduction pipe, so that the process gas is vertically moved in the processing container. Therefore, the state of the flow of the process gas varies depending on the vertical position of the semiconductor wafers stacked vertically, and eventually each semiconductor wafer is processed while batch processing a plurality of semiconductor wafers. There is a problem that it cannot be processed uniformly.
【０００５】本発明は、以上の問題を解決し、上下に積
重した状態で保持された複数の半導体ウエハーに対し
て、プラズマを発生させたプロセスガスを上下方向にお
いて均等に流過させることができ、その結果、複数の半
導体ウエハーの各々に均一なプラズマ処理を施すことが
できる半導体ウエハーのプラズマ処理装置を提供するこ
とを目的とする。The present invention solves the above problems and makes it possible to evenly flow the process gas, in which plasma is generated, in the vertical direction over a plurality of semiconductor wafers held in a vertically stacked state. As a result, it is an object of the present invention to provide a semiconductor wafer plasma processing apparatus capable of performing uniform plasma processing on each of a plurality of semiconductor wafers.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウエハー
のプラズマ処理装置は、複数の半導体ウエハーが、各々
水平方向に沿った状態で互いに上下方向に離間して重な
るよう保持されるウエハー保持領域を含む処理空間を区
画する処理容器と、この処理容器に、前記処理空間と隔
壁を介して一体的に設けられたプラズマ発生空間を区画
するプラズマ発生容器と、前記隔壁において、前記ウエ
ハー保持領域の上下方向の全域に対向する領域に上下方
向に均等に形成されたラジカル導入口と、前記ウエハー
保持領域を介してこのラジカル導入口と対向する位置に
設けられた、前記ウエハー保持領域の上下方向の全域に
対向する領域に上下方向に均等に形成されたガス排出口
を有するガス排出機構と、前記プラズマ発生容器内にお
いて、前記ラジカル導入口が位置された領域の全域と対
向するよう設けられた、上下方向に均等に形成されたプ
ロセスガス供給口を有するプロセスガス供給機構と、こ
のプロセスガス供給機構と前記隔壁との間で前記プラズ
マ発生容器の外側に設けられた、平行平板型のプラズマ
発生用電極とを有してなることを特徴とする。A plasma processing apparatus for semiconductor wafers according to the present invention has a wafer holding region in which a plurality of semiconductor wafers are held so as to be vertically spaced apart from each other in a state of being along a horizontal direction. A processing container that defines a processing space that includes the plasma generation space that defines a plasma generation space that is provided integrally with the processing space through a partition in the processing container, and above and below the wafer holding region in the partition. A radical introduction port uniformly formed in the up-down direction in a region facing the entire region in the vertical direction, and a whole region in the up-down direction of the wafer holding region provided at a position facing the radical introduction port through the wafer holding region. A gas discharge mechanism having a gas discharge port formed uniformly in the up-down direction in a region opposed to the A process gas supply mechanism having a process gas supply port formed uniformly in the vertical direction, which is provided so as to face the entire area where the introduction port is located, and the process gas supply mechanism and the partition wall. It is characterized by having a parallel plate type plasma generating electrode provided outside the plasma generating container.
【０００７】[0007]
【作用】本発明のプラズマ処理装置によれば、プラズマ
発生容器内において、プロセスガス供給機構からのプロ
セスガスにより、プラズマ発生用電極の作用によってプ
ラズマが発生し、このプロセスガスが隔壁のラジカル導
入口を介して処理容器内に導入され、ウエハー保持領域
を流過した後ガス排出口から排出されるが、隔壁のラジ
カル導入口およびガス排出口のみでなく、プラズマ発生
容器におけるプロセスガス供給口が、ウエハー保持領域
の上下方向の全域に対向する領域において上下方向に均
等に形成されているため、処理容器内においては、ウエ
ハー保持領域を流過するプロセスガスの流れが、上下方
向において十分に均等なものとなり、その結果、各半導
体ウエハーに対して十分に均一なプラズマ処理を行うこ
とができる。According to the plasma processing apparatus of the present invention, in the plasma generation container, the process gas from the process gas supply mechanism generates plasma by the action of the plasma generation electrode, and the process gas is the radical introduction port of the partition wall. Is introduced into the processing container through the wafer, and is discharged from the gas outlet after passing through the wafer holding region, but not only the radical inlet and the gas outlet of the partition wall, but also the process gas supply port in the plasma generation container, Since it is formed uniformly in the vertical direction in a region facing the entire area in the vertical direction of the wafer holding region, the flow of the process gas flowing through the wafer holding region in the processing container is sufficiently uniform in the vertical direction. As a result, sufficiently uniform plasma processing can be performed on each semiconductor wafer.
【０００８】[0008]
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１およ
び図２は、本発明の一実施例に係る半導体ウエハーのプ
ラズマ処理装置の説明用縦断面図および説明用横断平面
図であって、１０は例えば石英よりなる円筒状の処理容
器である。この処理容器１０は上端が閉塞されていると
共に下端は開放されており、この下端開口には開閉自在
なステンレス鋼などより成るキャップ板１１が気密に設
けられている。この処理容器１０は、ウエハー保持領域
を含む処理空間Ｓを区画する容器であって、処理空間Ｓ
内には、ウエハー保持領域において、処理すべき半導体
ウエハーＷの多数が各々水平方向に沿った状態で互いに
上下方向に離間して重なるよう、保持される。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. 1 and 2 are a longitudinal sectional view and a transverse plan view for explanation of a plasma processing apparatus for a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention, and 10 is a cylindrical processing container made of, for example, quartz. .. The processing container 10 has an upper end closed and a lower end opened, and a cap plate 11 made of stainless steel or the like which can be opened and closed is airtightly provided at the lower end opening. The processing container 10 is a container for partitioning a processing space S including a wafer holding area, and the processing space S
In the wafer holding area, a large number of semiconductor wafers W to be processed are held so as to be vertically spaced apart from each other and overlap each other in a state of being along the horizontal direction.
【０００９】具体的には、処理容器１０のキャップ板１
１を例えば磁気シールによって気密に貫通する回転軸１
５の内端にターンテーブル１６が設けられており、この
ターンテーブル１６上に石英より成る保温筒１７が設置
され、この保温筒１７上には例えば石英製のウエハーボ
ート１９が搭載され、このウエハーボート１９の支持ロ
ッド２０に形成された支持溝により、例えば２５枚ある
いは５０枚の半導体ウエハーＷが適宜の間隔で支持され
る。このウエハーボート１９における半導体ウエハーＷ
のピッチは特に限定されるものではないが、例を挙げる
と、例えば８インチの半導体ウエハーでは例えば１２．
７ｍｍとされる。Specifically, the cap plate 1 of the processing container 10
A rotary shaft 1 that hermetically penetrates 1 through a magnetic seal, for example.
5, a turntable 16 is provided at the inner end of the turntable 16, and a heat retaining cylinder 17 made of quartz is installed on the turntable 16. A wafer boat 19 made of, for example, quartz is mounted on the heat retaining cylinder 17, and The support grooves formed on the support rods 20 of the boat 19 support, for example, 25 or 50 semiconductor wafers W at appropriate intervals. Semiconductor wafer W in this wafer boat 19
The pitch is not particularly limited, but for example, for an 8-inch semiconductor wafer, the pitch is, for example, 12.
It is set to 7 mm.
【００１０】前記処理容器１０の外周の一側には、その
周壁の一部を隔壁２２として、この隔壁２２とによりプ
ラズマ発生空間Ｐを区画する例えば石英より成るプラズ
マ発生容器２５が一体的に設けられている。このプラズ
マ発生容器２５は、前記ウエハー保持領域、すなわちウ
エハーボート１９が占有する空間領域の上下方向の全域
に対向する範囲にわたって上下方向に延びるよう形成さ
れている。そして、処理空間Ｓとプラズマ発生空間Ｐと
の間の隔壁２２には、ウエハー保持領域の上下方向の全
域に対向する領域に、ラジカル導入口２３が上下方向に
均等に形成されている。On one side of the outer periphery of the processing container 10, a plasma generating container 25 made of, for example, quartz is integrally provided to partition a plasma generating space P with the partition wall 22 as a part of the peripheral wall. Has been. The plasma generation container 25 is formed so as to extend in the up-down direction over a range facing the entire region in the up-down direction of the wafer holding region, that is, the space region occupied by the wafer boat 19. In the partition wall 22 between the processing space S and the plasma generation space P, radical introduction ports 23 are evenly formed in the vertical direction in a region facing the entire vertical region of the wafer holding region.
【００１１】このラジカル導入口２３は、具体的には、
隔壁２２のウエハー保持領域の上下方向の全域に対向す
る領域に、同一の径を有する多数の円形の貫通孔が上下
方向に均一なピッチで並んで形成されることにより、設
けられている。ここに、当該貫通孔の径は例えば１〜３
ｍｍ程度であり、ピッチは例えば１２．７ｍｍである。The radical introducing port 23 is specifically,
A large number of circular through-holes having the same diameter are provided in a region facing the entire wafer holding region of the partition wall 22 in the up-down direction so as to be aligned in the up-down direction at a uniform pitch. Here, the diameter of the through hole is, for example, 1 to 3.
The pitch is, for example, 12.7 mm.
【００１２】前記プラズマ発生容器２５内には、隔壁２
２のラジカル導入口２３が形成されている領域と対向し
て上下に伸びるよう、プロセスガス供給機構を構成する
プロセスガス供給管３０が配設されており、プロセスガ
ス供給管３０には、ラジカル導入口２３と対向する側面
に、プロセスガス供給口３１が上下方向に均等に形成さ
れている。A partition wall 2 is provided in the plasma generating container 25.
A process gas supply pipe 30 constituting a process gas supply mechanism is arranged so as to extend vertically in opposition to a region in which the second radical introduction port 23 is formed. Process gas supply ports 31 are evenly formed in the vertical direction on the side surface facing the port 23.
【００１３】このプロセスガス供給口３１は、具体的に
は、プロセスガス供給管３０における前記ラジカル導入
口２３と対向する周壁部に、同一の径を有する多数の円
形の貫通孔が上下方向に均一なピッチで並んで形成され
ることにより、設けられている。ここに、当該貫通孔の
径は例えば０．５ｍｍ程度であり、ピッチは例えば２５
ｍｍである。Specifically, the process gas supply port 31 has a large number of circular through-holes having the same diameter in the vertical direction on the peripheral wall portion of the process gas supply pipe 30 facing the radical introduction port 23. It is provided by being formed side by side at various pitches. Here, the diameter of the through hole is, for example, about 0.5 mm, and the pitch is, for example, 25 mm.
mm.
【００１４】更に、プロセスガス供給管３０と隔壁２２
との間には、プラズマ発生空間Ｐを区画するプラズマ発
生容器２５の外側に位置するよう、平行平板型のプラズ
マ発生用電極３３が設けられており、その一方には高周
波電源３５が接続されると共に、他方がアースされてい
る。ここに、高周波電源３５としては例えば１３．５６
ＭＨｚの周波数を出力する例えば１ＫＷ程度のものが用
いられる。Further, the process gas supply pipe 30 and the partition wall 22
And a parallel plate type plasma generation electrode 33 are provided outside the plasma generation container 25 that divides the plasma generation space P, and a high frequency power source 35 is connected to one of them. And the other is grounded. Here, as the high frequency power source 35, for example, 13.56
For example, the one that outputs a frequency of MHz is about 1 kW.
【００１５】前記処理容器１０の外周におけるプラズマ
発生容器２５と反対側には、その周壁の一部を隔壁４０
として、この隔壁４０とにより排気路を区画する排気ポ
ート４１が一体的に設けられている。この排気ポート４
１における処理空間Ｓとの間の隔壁４０には、前記ラジ
カル導入口２３と同様に、前記ウエハー保持領域の上下
方向の全域に対向する範囲にわたって、ガス排出口４２
が上下方向に均等に形成されている。そして、排気ポー
ト４１には、図示しない真空排気ポンプに接続された排
気管４４が設けられている。On the side of the outer periphery of the processing container 10 opposite to the plasma generating container 25, a part of the peripheral wall is formed as a partition wall 40.
An exhaust port 41 that divides the exhaust path with the partition wall 40 is integrally provided. This exhaust port 4
In the partition wall 40 between the processing space S and the processing space S in FIG. 1, the gas discharge port 42 extends over the entire area in the vertical direction of the wafer holding region, as in the radical introduction port 23.
Are evenly formed in the vertical direction. The exhaust port 41 is provided with an exhaust pipe 44 connected to a vacuum exhaust pump (not shown).
【００１６】ガス排出口４２は、具体的には、隔壁４０
のウエハー保持領域の上下方向の全域に対向する領域
に、同一の径を有する多数の円形の貫通孔が上下方向に
均一なピッチで並んで形成されることにより、設けられ
ている。ここに、当該貫通孔の径は、ラジカル導入口２
３と同等あるいはそれ以上とされ、ピッチは例えば１
２．７ｍｍである。The gas discharge port 42 is specifically, the partition wall 40.
A plurality of circular through-holes having the same diameter are provided in a region facing the entire area of the wafer holding region in the up-down direction and arranged in the up-down direction at a uniform pitch. Here, the diameter of the through hole is the radical introduction port 2
It is equal to or more than 3 and the pitch is, for example, 1
It is 2.7 mm.
【００１７】そして、前記隔壁２２のラジカル導入口２
３に係る貫通孔の各々と、隔壁４０のガス排出口４２に
係る貫通孔の各々とは、いずれも半導体ウエハーＷと同
一のピッチとされていると共に、更に上下に隣接する２
枚の半導体ウエハーＷ間の間隙の中央のレベルにおい
て、互いに対応するものが水平方向において対向するよ
う配置されている。The radical introduction port 2 of the partition wall 22
Each of the through holes of No. 3 and each of the through holes of the gas discharge ports 42 of the partition wall 40 have the same pitch as the semiconductor wafer W, and are further vertically adjacent to each other.
At the level of the center of the gap between the semiconductor wafers W, those corresponding to each other are arranged so as to face each other in the horizontal direction.
【００１８】以上のような構成による半導体ウエハーの
プラズマ処理装置の作動は次のとおりである。すなわ
ち、処理すべき半導体ウエハーＷが以上のように処理容
器１０内のウエハー保持領域に保持された状態におい
て、排気管４４により排気ポート４１を介して処理空間
Ｓ内を減圧状態とし、プロセスガス供給管３０によりプ
ロセスガスを供給すると共に、プラズマ発生用電極３３
に高周波電圧を加えることにより、プラズマ発生空間Ｐ
にプロセスガスによるプラズマが発生する。このプラズ
マが発生したプロセスガスは、圧力差により、隔壁２２
のラジカル導入口２３を介して処理空間Ｓ内に導入さ
れ、半導体ウエハーＷの表面に沿ってウエハー保持領域
を流過し、隔壁４０のガス排出口４２から排気ポート４
１に排出され、排気管４４によって排気される。The operation of the semiconductor wafer plasma processing apparatus having the above-described structure is as follows. That is, in the state where the semiconductor wafer W to be processed is held in the wafer holding area in the processing container 10 as described above, the exhaust pipe 44 reduces the pressure in the processing space S through the exhaust port 41 to supply the process gas. A process gas is supplied through a tube 30, and a plasma generation electrode 33 is provided.
By applying a high frequency voltage to the plasma generation space P
Plasma is generated by the process gas. Due to the pressure difference, the process gas generated by the plasma is separated by the partition wall 22.
Is introduced into the processing space S via the radical introducing port 23 of the partition wall 40, flows through the wafer holding region along the surface of the semiconductor wafer W, and is exhausted from the gas exhaust port 42 of the partition wall 40 to the exhaust port 4.
1 and is exhausted by the exhaust pipe 44.
【００１９】そして、ラジカル導入口２３から、プラズ
マで生成したプロセスガスのラジカルが処理空間Ｓ内に
導入され、このラジカルによる作用によって半導体ウエ
ハーＷの表面について目的とする処理が達成される。こ
の処理の間、ターンテーブル１６は、回転軸１５を介し
て例えば２〜３ｒｐｍ程度の速度で回転される。Then, radicals of the process gas generated by the plasma are introduced into the processing space S from the radical introduction port 23, and the desired treatment of the surface of the semiconductor wafer W is achieved by the action of the radicals. During this process, the turntable 16 is rotated via the rotary shaft 15 at a speed of, for example, about 2 to 3 rpm.
【００２０】ターンテーブル１６が回転することによ
り、ウエハーボート１９内に載置された半導体ウエハー
Ｗも回転することとなり、ラジカルが半導体ウエハーＷ
の表面に平行に流れるので、半導体ウエハーＷの面内の
均一な処理を行うことができる。As the turntable 16 rotates, the semiconductor wafer W placed in the wafer boat 19 also rotates, and radicals generate the semiconductor wafer W.
Since it flows parallel to the surface of the semiconductor wafer W, it is possible to perform uniform processing within the surface of the semiconductor wafer W.
【００２１】プロセスガスとしては、半導体ウエハーＷ
の処理の目的に応じた組成のガスが用いられる。代表的
なプロセスガスの例としては、例えばエッチング処理の
ためには、四フッ化炭素ガスと酸素ガスとの混合ガス、
レジスト膜のアッシング処理のためには、酸素ガスと窒
素ガスとの混合ガスが用いられるが、更に水素ガス、水
蒸気、その他のガスが混合され、あるいは単独で用いら
れることがある。A semiconductor wafer W is used as the process gas.
A gas having a composition suitable for the purpose of the treatment is used. As an example of a typical process gas, for example, for etching treatment, a mixed gas of carbon tetrafluoride gas and oxygen gas,
A mixed gas of oxygen gas and nitrogen gas is used for the ashing treatment of the resist film, but hydrogen gas, water vapor, and other gases may be mixed or used alone.
【００２２】プラズマ処理の間、処理容器１０内は、排
気管４４に接続された真空ポンプににより例えば０．２
Ｔｏｒｒの減圧状態に維持され、またプラズマ発生容器
２５内は、例えば０．５Ｔｏｒｒの減圧状態に維持され
る。このように、処理空間Ｓをプラズマ発生空間Ｐより
も低い圧力状態に維持することによって、プラズマ発生
空間Ｐにおいて発生したプラズマにより生成したプロセ
スガスのラジカルが、プロセスガスの流れによって円滑
に処理空間Ｓ内に導入される。During the plasma processing, the inside of the processing container 10 is, for example, 0.2 by a vacuum pump connected to the exhaust pipe 44.
The pressure is maintained at a reduced pressure of Torr, and the inside of the plasma generation container 25 is maintained at a reduced pressure of, for example, 0.5 Torr. In this way, by maintaining the processing space S at a pressure lower than that of the plasma generation space P, the radicals of the process gas generated by the plasma generated in the plasma generation space P are smoothly processed by the flow of the process gas S. Will be introduced in.
【００２３】而して、上記の構成においては、隔壁２２
におけるラジカル導入口２３および隔壁４０におけるガ
ス排出口４２の両者が、ウエハー保持領域の上下方向の
全域に対向する領域において上下方向に均等に形成され
ている上、各半導体ウエハーＷが水平方向に沿って配置
されていることによる整流作用も加わるので、処理空間
Ｓ内において、ラジカル導入口２３からのラジカルは、
基本的に上下方向に拡散することなく、水平方向に流れ
るようになる。Thus, in the above structure, the partition wall 22
Of the radical introduction port 23 and the gas discharge port 42 of the partition wall 40 are evenly formed in the vertical direction in a region facing the entire vertical region of the wafer holding region, and each semiconductor wafer W extends in the horizontal direction. Since the rectifying action due to the arrangement of the radicals is added, the radicals from the radical introducing port 23 in the processing space S are
Basically, it does not diffuse vertically but flows horizontally.
【００２４】以上に加え、更にプラズマ発生容器２５に
おいては、隔壁２２のラジカル導入口２３の位置されて
いる領域に対し、プロセスガス供給管３０のプロセスガ
ス供給口３１が対向した状態でしかも上下方向に均等に
形成されているため、プラズマ発生空間Ｐ内においてラ
ジカル導入口２３に向かうプロセスガスも上下方向に拡
散せずに本質的に水平方向に流れることとなる。In addition to the above, in the plasma generation container 25, the process gas supply port 31 of the process gas supply pipe 30 faces the region where the radical introduction port 23 of the partition wall 22 is located, and also in the vertical direction. Since it is formed evenly in the plasma generation space P, the process gas toward the radical introduction port 23 also flows essentially horizontally without being vertically diffused.
【００２５】以上の結果、隔壁２２のラジカル導入口２
３を介して処理空間Ｓ内に導入されたラジカルは、上下
方向に拡散することがなく、ウエハー保持領域の上下方
向の全域において、上下の位置による差異のない状態で
ラジカルが均等な流れでウエハー保持領域に供給される
こととなる。そして、既述のように、処理空間Ｓ内にお
いてもラジカルはウエハー保持領域を水平方向に流過す
るので、結局、ウエハー保持領域に保持された複数の半
導体ウエハーＷの各々について、上下方向の異なる位置
の半導体ウエハーＷに対してもすべて同等の状態でラジ
カルが供給されて流過するようになり、その結果、半導
体ウエハーＷの各々に対して均等なプラズマ処理を達成
することができ、結局、多数の半導体ウエハーに対して
バッチ的にしかも均等のプラズマ処理を施すことができ
る。As a result of the above, the radical introduction port 2 of the partition wall 22
The radicals introduced into the processing space S via the wafer 3 do not diffuse in the vertical direction, and the radicals are evenly flowed in the entire wafer holding region in the vertical direction without any difference in the vertical position. It will be supplied to the holding area. Further, as described above, the radicals also flow horizontally in the wafer holding region even in the processing space S, so that the plurality of semiconductor wafers W held in the wafer holding region are different in the vertical direction in the end. Radicals are supplied to and flow through the semiconductor wafers W at the same position, and as a result, uniform plasma processing can be achieved for each of the semiconductor wafers W. A large number of semiconductor wafers can be subjected to uniform plasma processing in a batch manner.
【００２６】また、プラズマ発生容器２５の外側におけ
るプラズマ発生用電極３３は、平行平板型のものである
ため大型化が容易であり、ウエハー保持領域の上下方向
の全域に対応するプラズマ発生空間Ｐを確実にまた低コ
ストで実現することができる。Further, since the plasma generating electrode 33 on the outside of the plasma generating container 25 is of a parallel plate type, it is easy to increase the size, and the plasma generating space P corresponding to the entire vertical area of the wafer holding area is formed. It can be realized reliably and at low cost.
【００２７】プラズマ発生容器２５は処理容器１０に一
体的に設けられているが、プラズマ発生空間Ｐは隔壁２
２を介して処理空間Ｓに隣接しており、このため、プラ
ズマ発生空間Ｐで生成したラジカルが高い効率で処理空
間Ｓに導入される。しかし、実際にプラズマが発生する
空間はプラズマ発生用電極３３間の空間領域に限られる
上、隔壁２２が存在するために、イオンが処理空間Ｓ内
に進入して直接的に半導体ウエハーＷに作用することが
なく、従って、イオンが直接的に半導体ウエハーに作用
されたときに見られる、イオンの作用あるいはプラズマ
電界の作用による半導体ウエハーの欠陥が生ずることが
ない。The plasma generation container 25 is provided integrally with the processing container 10, but the plasma generation space P is formed by the partition wall 2.
It is adjacent to the processing space S via 2 and therefore radicals generated in the plasma generation space P are introduced into the processing space S with high efficiency. However, the space in which plasma is actually generated is limited to the space region between the plasma generation electrodes 33, and since the partition walls 22 are present, ions enter the processing space S and directly act on the semiconductor wafer W. Therefore, the defects of the semiconductor wafer due to the action of the ions or the action of the plasma electric field, which are observed when the ions are directly applied to the semiconductor wafer, do not occur.
【００２８】また、処理容器１０内には必要なウエハー
保持領域を含む処理空間Ｓが確保されればそれで十分で
あるので、処理容器１０を小型のものとすることがで
き、特に半導体ウエハーＷに対するプラズマの悪影響を
防止するための金属製の部材を処理容器１０内に設ける
ことが不要であるため、半導体ウエハーＷの金属による
汚染が生ずるおそれがない。Further, since it is sufficient if the processing space S including the necessary wafer holding area is secured in the processing container 10, the processing container 10 can be made small in size, and especially for the semiconductor wafer W. Since it is not necessary to provide a metal member for preventing the adverse effect of plasma in the processing container 10, there is no possibility that the semiconductor wafer W will be contaminated with metal.
【００２９】更に、以上のように、処理容器１０は、容
器の内部あるいは外部に金属のシールド板などを設けな
い単なる容器でよいから、それ自体の熱容量が小さくな
り、従ってプラズマ処理を加熱下において実行する場合
に、適宜の加熱源による半導体ウエハーＷの昇温および
降温を迅速に行うことができる。特に、処理容器１０は
通常光を通過させる石英によって形成されることから、
加熱源としては、当該処理容器１０の周囲に複数の赤外
線放射ランプを配置してなるものを好適に使用すること
ができ、この場合には、きわめて急速な半導体ウエハー
Ｗの昇温，降温および高温の維持を達成することができ
る。このことにより、半導体ウエハーＷの正確な温度管
理を精度よく容易に達成することができる。半導体ウエ
ハーＷの加熱温度は、目的とする処理によって異なる
が、例えばアッシング処理の場合には１４０〜２００℃
程度の範囲の温度とすることができ、低温処理において
は半導体ウエハーに重金属汚染が生ずるおそれがない。Further, as described above, since the processing container 10 may be a simple container having no metal shield plate inside or outside the container, the heat capacity of the container itself becomes small, so that the plasma processing is performed under heating. When it is performed, the temperature of the semiconductor wafer W can be raised and lowered with an appropriate heating source. In particular, since the processing container 10 is usually made of quartz that allows light to pass through,
As the heating source, a heating source in which a plurality of infrared radiation lamps are arranged around the processing container 10 can be preferably used. In this case, the temperature of the semiconductor wafer W can be extremely rapidly increased, decreased, and the temperature can be increased. The maintenance of can be achieved. As a result, accurate temperature control of the semiconductor wafer W can be achieved accurately and easily. The heating temperature of the semiconductor wafer W varies depending on the intended processing, but in the case of ashing processing, for example, 140 to 200 ° C.
The temperature can be in the range of a certain degree, and there is no possibility that heavy metal contamination will occur on the semiconductor wafer in the low temperature treatment.
【００３０】以上、本発明の一実施例について説明した
が、本発明においては、種々の変更を加えることが可能
である。例えば、上記の実施例では、処理容器１０の外
周にプラズマ発生容器２５がいわば外付け型として設け
られて処理容器１０の周壁の一部がプラズマ発生空間Ｐ
に対する隔壁２２とされているが、処理容器１０の内部
にプラズマ発生空間Ｐを区画するプラズマ発生容器を内
付け型として設けることも可能である。Although one embodiment of the present invention has been described above, various modifications can be added to the present invention. For example, in the above-described embodiment, the plasma generation container 25 is provided as an external type on the outer periphery of the processing container 10 so that a part of the peripheral wall of the processing container 10 is in the plasma generation space P.
However, it is also possible to provide a plasma generating container for partitioning the plasma generating space P inside the processing container 10 as an internal mold.
【００３１】また、上記の実施例では、排気ポート４１
もいわば外付け型として設けられているが、このような
排気ポート４１の代わりに、図３に示すように、ガス排
出管５０を設けることもできる。このガス排出管５０
も、ウエハー保持領域の上下方向の全域に対向する領域
に、円形の貫通孔より成るガス排出口５２を上下方向に
均等に有することが必要である。このようなガス排出管
５０によれば、装置の構成が簡単となる利点がある。Further, in the above embodiment, the exhaust port 41
Although it is provided as an external type, so to speak, a gas exhaust pipe 50 may be provided as shown in FIG. 3 instead of such an exhaust port 41. This gas exhaust pipe 50
However, it is necessary to uniformly have the gas discharge ports 52 formed of circular through holes in the vertical direction in the region facing the entire vertical region of the wafer holding region. According to such a gas discharge pipe 50, there is an advantage that the structure of the device is simplified.
【００３２】更に、上述の作用が確実に達成されること
から、図示の例におけるように、隔壁２２のラジカル導
入口２３、並びに隔壁４０のガス排出口４２若しくはガ
ス排出管５０のガス排出口５２は、それらの配列ピッチ
が半導体ウエハーＷの配置ピッチと一致していること、
かつ上下に隣接する２枚の半導体ウエハーＷ間の間隙を
介して互いに対向する状態に設けられることが好まし
い。この場合に、当該ピッチの大きさは、適宜選定する
ことができ、例えば６インチの半導体ウエハーを処理す
る場合には例えば９．５ｍｍのピッチとすることができ
る。但し、この態様は、本発明に本質的に必須の事項で
はない。Further, since the above-described operation is surely achieved, as in the illustrated example, the radical introduction port 23 of the partition wall 22 and the gas discharge port 42 of the partition wall 40 or the gas discharge port 52 of the gas discharge pipe 50. Means that their arrangement pitch matches the arrangement pitch of the semiconductor wafer W,
In addition, it is preferable that the semiconductor wafers W are vertically provided so as to face each other with a gap between the two semiconductor wafers W. In this case, the size of the pitch can be appropriately selected, and for example, when processing a 6-inch semiconductor wafer, the pitch can be set to 9.5 mm, for example. However, this aspect is not an essential item for the present invention.
【００３３】また、図示の例では、ラジカル導入口２
３、ガス排出口４２若しくは５２およびプロセスガス供
給口３１はいずれも円形の貫通孔より成るものとされて
いるが、これらは円形以外の貫通孔であってもよく、更
に単一のまたは複数のスリットであっても同等の作用効
果を得ることができる。しかし、作製の容易性などの観
点からは、円形の貫通孔であることが好ましい。In the illustrated example, the radical introduction port 2
3, the gas discharge port 42 or 52 and the process gas supply port 31 are all formed of circular through holes, but they may be through holes other than circular, and a single hole or a plurality of holes may be used. Even with slits, the same effect can be obtained. However, from the viewpoint of ease of production and the like, circular through holes are preferable.
【００３４】ラジカル導入口２３およびガス排出口４２
の口径は、処理空間Ｓおよびプラズマ発生空間Ｐに必要
な減圧状態を実現することのできるものであればよい
が、ラジカル導入口２３の口径が過大であると、処理空
間Ｓとプラズマ発生空間Ｐとの間に所期の圧力差が得ら
れなくなり、その結果、良好なプラズマを発生させるこ
とができず、若しくはプラズマで発生したラジカルを円
滑に処理空間Ｓに導入することができない。また、ガス
排出口４２の口径は、排気管４４による減圧作用を有効
に処理空間Ｓに作用させる観点から、ラジカル導入口２
３と同等またはそれ以上とされるのが好ましい。Radical inlet 23 and gas outlet 42
The diameter of the radicals may be any as long as it can realize the reduced pressure state required in the processing space S and the plasma generation space P. However, if the radical introduction port 23 has an excessively large diameter, the processing space S and the plasma generation space P are As a result, a desired pressure difference cannot be obtained, and as a result, good plasma cannot be generated, or radicals generated by plasma cannot be smoothly introduced into the processing space S. In addition, the diameter of the gas discharge port 42 is set such that the radical introduction port 2 is effective in reducing the pressure reduction effect of the exhaust pipe 44 in the processing space S.
It is preferably equal to or more than 3.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、プラズ
マ発生空間および処理空間におけるプロセスガスの流れ
が、ウエハー保持領域の上下方向の全域において、上下
方向に拡散することがなく、上下の位置による差異のな
い状態で均等な流れとなり、その結果、ウエハー保持領
域に保持された複数の半導体ウエハーの各々に対して、
上下方向の位置によらずにすべて均等の状態でラジカル
が流過するようになり、従って半導体ウエハーの各々に
対して均等なプラズマ処理を達成することができ、多数
の半導体ウエハーに対してバッチ的にしかも均等のプラ
ズマ処理を施すことができる。As described above, according to the present invention, the flow of the process gas in the plasma generation space and the processing space does not diffuse vertically in the entire area of the wafer holding region in the vertical direction. There is no difference due to the position, the flow is uniform, and as a result, for each of the plurality of semiconductor wafers held in the wafer holding area,
Radicals flow through in a uniform state irrespective of the vertical position, and therefore uniform plasma processing can be achieved for each of the semiconductor wafers, and batch processing can be performed on a large number of semiconductor wafers. Moreover, uniform plasma processing can be performed.
【図１】本発明の一実施例に係る半導体ウエハーのプラ
ズマ処理装置の構成を示す説明用縦断正面図である。FIG. 1 is an explanatory vertical sectional front view showing a configuration of a semiconductor wafer plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例に係る半導体ウエハーのプラ
ズマ処理装置の説明用横断平面図である。FIG. 2 is a cross-sectional plan view for explaining a semiconductor wafer plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の他の実施例に係る半導体ウエハーのプ
ラズマ処理装置の構成を示す説明用縦断正面図である。FIG. 3 is an explanatory vertical sectional front view showing the configuration of a plasma processing apparatus for a semiconductor wafer according to another embodiment of the present invention.
１０ 処理容器 １１ キャップ
板 Ｓ 処理空間 Ｗ 半導体ウエ
ハー １５ 回転軸 １６ ターンテ
ーブル １７ 保温筒 １９ ウエハー
ボート ２０ 支持ロッド ２２ 隔壁 Ｐ プラズマ発生空間 ２５ プラズマ
発生容器 ２３ ラジカル導入口 ３０ プロセス
ガス供給管 ３１ プロセスガス供給口 ３３ プラズマ
発生用電極 ３５ 高周波電源 ４０ 隔壁 ４１ 排気ポート ４２ ガス排出
口 ４４ 排気管 ５０ ガス排出
管 ５２ ガス排出口10 Processing Container 11 Cap Plate S Processing Space W Semiconductor Wafer 15 Rotating Shaft 16 Turntable 17 Heat Keeping Tube 19 Wafer Boat 20 Support Rod 22 Partition Wall P Plasma Generation Space 25 Plasma Generation Container 23 Radical Inlet Port 30 Process Gas Supply Pipe 31 Process Gas Supply Port 33 Plasma generation electrode 35 High frequency power supply 40 Partition wall 41 Exhaust port 42 Gas exhaust port 44 Exhaust pipe 50 Gas exhaust pipe 52 Gas exhaust port
Claims (1)
に沿った状態で互いに上下方向に離間して重なるよう保
持されるウエハー保持領域を含む処理空間を区画する処
理容器と、この処理容器に、前記処理空間と隔壁を介し
て一体的に設けられたプラズマ発生空間を区画するプラ
ズマ発生容器と、前記隔壁において、前記ウエハー保持
領域の上下方向の全域に対向する領域に上下方向に均等
に形成されたラジカル導入口と、前記ウエハー保持領域
を介してこのラジカル導入口と対向する位置に設けられ
た、前記ウエハー保持領域の上下方向の全域に対向する
領域に上下方向に均等に形成されたガス排出口を有する
ガス排出機構と、前記プラズマ発生容器内において、前
記ラジカル導入口が位置された領域の全域と対向するよ
う設けられた、上下方向に均等に形成されたプロセスガ
ス供給口を有するプロセスガス供給機構と、このプロセ
スガス供給機構と前記隔壁との間で前記プラズマ発生容
器の外側に設けられた、平行平板型のプラズマ発生用電
極とを有してなることを特徴とする半導体ウエハーのプ
ラズマ処理装置。1. A processing container for partitioning a processing space including a wafer holding region in which a plurality of semiconductor wafers are held so as to be vertically spaced apart from each other and overlap each other in a state along a horizontal direction, and the processing container, A plasma generation container that divides the plasma generation space integrally provided with the processing space via a partition wall, and in the partition wall, the plasma generation container is evenly formed in a vertical direction in a region facing the entire vertical direction of the wafer holding region. The radical introduction port and the gas exhaust formed evenly in the up-down direction in a region facing the whole region in the up-down direction of the wafer holding region, which is provided at a position facing the radical introduction port through the wafer holding region. A gas discharge mechanism having an outlet, and a top and bottom provided to face the entire region where the radical introduction port is located in the plasma generation container, Process gas supply mechanism having process gas supply ports formed evenly in the direction, and a parallel plate type plasma generation electrode provided outside the plasma generation container between the process gas supply mechanism and the partition wall. A plasma processing apparatus for a semiconductor wafer, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8139292A JPH05251391A (en) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | Plasma processing device for semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8139292A JPH05251391A (en) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | Plasma processing device for semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251391A true JPH05251391A (en) | 1993-09-28 |
Family
ID=13745036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8139292A Withdrawn JPH05251391A (en) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | Plasma processing device for semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251391A (en) |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444262B1 (en) | 1999-04-14 | 2002-09-03 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing unit and thermal processing method |
| WO2004102650A1 (en) * | 2003-05-19 | 2004-11-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device |
| WO2006027972A1 (en) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US7229917B2 (en) | 2003-10-07 | 2007-06-12 | Tokyo Electron Limited | Film formation method and apparatus for semiconductor process |
| JP2007194668A (en) * | 2007-04-12 | 2007-08-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing device |
| JP2007258580A (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment equipment and plasma treatment method |
| JP2007266297A (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method |
| JP2008028409A (en) * | 2007-08-21 | 2008-02-07 | Tokyo Electron Ltd | Heat treatment method |
| JP2009515366A (en) * | 2005-11-08 | 2009-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | Batch photoresist dry stripping and ashing system and method |
| JP2009094384A (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Tokyo Electron Ltd | Gas supply system and thin-film forming device |
| JP2010103544A (en) * | 2001-01-11 | 2010-05-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Film forming apparatus and method |
| US7861668B2 (en) | 2002-01-10 | 2011-01-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Batch-type remote plasma processing apparatus |
| US7900580B2 (en) | 2002-04-05 | 2011-03-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and reaction container |
| JP2012099864A (en) * | 2006-12-12 | 2012-05-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and reaction tube |
| KR101160788B1 (en) * | 2006-03-24 | 2012-06-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Vertical plasma processing apparatus for semiconductor process |
| US8251012B2 (en) | 2005-03-01 | 2012-08-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method |
| JP2012248779A (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Spp Technologies Co Ltd | Etching device, etching method and etching program of silicon oxide |
| KR101390785B1 (en) * | 2008-07-30 | 2014-04-30 | (주)소슬 | Apparatus for processing substrate and method for processing substrate |
| JP2014090212A (en) * | 2014-02-01 | 2014-05-15 | Tokyo Electron Ltd | Processing container structure and processing apparatus |
| JP2014524658A (en) * | 2011-08-02 | 2014-09-22 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | Semiconductor manufacturing equipment for epitaxial processes |
| JP2014212331A (en) * | 2014-06-13 | 2014-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Vertical heat treatment device |
| CN104540978A (en) * | 2012-09-18 | 2015-04-22 | 琳得科株式会社 | Ion implantation device |
| JP2015082533A (en) * | 2013-10-21 | 2015-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing device |
| CN105144338A (en) * | 2012-12-13 | 2015-12-09 | 欧瑞康表面解决方案股份公司，特吕巴赫 | Plasma source |
| JP2016106415A (en) * | 2016-01-28 | 2016-06-16 | 株式会社日立国際電気 | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
| CN106062247A (en) * | 2014-03-07 | 2016-10-26 | 梅耶博格（德国）股份有限公司 | Device for processing plasma with a circulation of process gas in multiple plasmas |
| CN106128930A (en) * | 2016-07-22 | 2016-11-16 | 无锡宏纳科技有限公司 | Plasma etching stove |
| JP2019057494A (en) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | Batch type plasma substrate processing apparatus |
| CN113862643A (en) * | 2021-09-18 | 2021-12-31 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | Atomic layer deposition device and flow uniformizing mechanism thereof |
-
1992
- 1992-03-04 JP JP8139292A patent/JPH05251391A/en not_active Withdrawn
Cited By (53)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444262B1 (en) | 1999-04-14 | 2002-09-03 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing unit and thermal processing method |
| JP2010103544A (en) * | 2001-01-11 | 2010-05-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Film forming apparatus and method |
| JP2013065872A (en) * | 2001-01-11 | 2013-04-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Manufacturing method of semiconductor device and substrate processing apparatus |
| US8020514B2 (en) | 2002-01-10 | 2011-09-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Batch-type remote plasma processing apparatus |
| US7861668B2 (en) | 2002-01-10 | 2011-01-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Batch-type remote plasma processing apparatus |
| US8544411B2 (en) | 2002-01-10 | 2013-10-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Batch-type remote plasma processing apparatus |
| US9373499B2 (en) | 2002-01-10 | 2016-06-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Batch-type remote plasma processing apparatus |
| US9039912B2 (en) | 2002-01-10 | 2015-05-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Batch-type remote plasma processing apparatus |
| US8028652B2 (en) | 2002-01-10 | 2011-10-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Batch-type remote plasma processing apparatus |
| US8261692B2 (en) | 2002-04-05 | 2012-09-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and reaction container |
| US7900580B2 (en) | 2002-04-05 | 2011-03-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and reaction container |
| US8047158B2 (en) | 2002-04-05 | 2011-11-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and reaction container |
| EP1638139A4 (en) * | 2003-05-19 | 2008-09-17 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing device |
| KR100856654B1 (en) * | 2003-05-19 | 2008-09-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Plasma processing device |
| EP1638139A1 (en) * | 2003-05-19 | 2006-03-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device |
| WO2004102650A1 (en) * | 2003-05-19 | 2004-11-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device |
| US7229917B2 (en) | 2003-10-07 | 2007-06-12 | Tokyo Electron Limited | Film formation method and apparatus for semiconductor process |
| TWI402911B (en) * | 2004-09-06 | 2013-07-21 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing device |
| US8267041B2 (en) | 2004-09-06 | 2012-09-18 | Tokyo Electron Limited | Plasma treating apparatus |
| WO2006027972A1 (en) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US8251012B2 (en) | 2005-03-01 | 2012-08-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method |
| JP2009515366A (en) * | 2005-11-08 | 2009-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | Batch photoresist dry stripping and ashing system and method |
| KR101160788B1 (en) * | 2006-03-24 | 2012-06-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Vertical plasma processing apparatus for semiconductor process |
| TWI452609B (en) * | 2006-03-24 | 2014-09-11 | Tokyo Electron Ltd | Vertical plasma processing apparatus for semiconductor process and vertical plasma film formation apparatus for semiconductor process |
| US8394200B2 (en) | 2006-03-24 | 2013-03-12 | Tokyo Electron Limited | Vertical plasma processing apparatus for semiconductor process |
| JP2007258580A (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment equipment and plasma treatment method |
| JP2007266297A (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method |
| JP2012099864A (en) * | 2006-12-12 | 2012-05-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and reaction tube |
| JP4746581B2 (en) * | 2007-04-12 | 2011-08-10 | 株式会社日立国際電気 | Substrate processing equipment |
| JP2007194668A (en) * | 2007-04-12 | 2007-08-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing device |
| JP4561793B2 (en) * | 2007-08-21 | 2010-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Heat treatment method |
| JP2008028409A (en) * | 2007-08-21 | 2008-02-07 | Tokyo Electron Ltd | Heat treatment method |
| JP2009094384A (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Tokyo Electron Ltd | Gas supply system and thin-film forming device |
| KR101133402B1 (en) * | 2007-10-11 | 2012-04-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Film formation apparatus for semiconductor process |
| US20090114156A1 (en) * | 2007-10-11 | 2009-05-07 | Nobutake Nodera | Film formation apparatus for semiconductor process |
| KR101390785B1 (en) * | 2008-07-30 | 2014-04-30 | (주)소슬 | Apparatus for processing substrate and method for processing substrate |
| JP2012248779A (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Spp Technologies Co Ltd | Etching device, etching method and etching program of silicon oxide |
| JP2014524658A (en) * | 2011-08-02 | 2014-09-22 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | Semiconductor manufacturing equipment for epitaxial processes |
| US9336991B2 (en) | 2012-09-18 | 2016-05-10 | Lintec Corporation | Ion implantation device |
| CN104540978A (en) * | 2012-09-18 | 2015-04-22 | 琳得科株式会社 | Ion implantation device |
| KR20150058148A (en) * | 2012-09-18 | 2015-05-28 | 린텍 가부시키가이샤 | Ion implantation device |
| CN105144338A (en) * | 2012-12-13 | 2015-12-09 | 欧瑞康表面解决方案股份公司，特吕巴赫 | Plasma source |
| JP2015082533A (en) * | 2013-10-21 | 2015-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing device |
| US9970110B2 (en) | 2013-10-21 | 2018-05-15 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JP2014090212A (en) * | 2014-02-01 | 2014-05-15 | Tokyo Electron Ltd | Processing container structure and processing apparatus |
| CN106062247A (en) * | 2014-03-07 | 2016-10-26 | 梅耶博格（德国）股份有限公司 | Device for processing plasma with a circulation of process gas in multiple plasmas |
| JP2017510716A (en) * | 2014-03-07 | 2017-04-13 | マイヤー・ブルガー・（ジャーマニー）・アクチエンゲゼルシャフト | Apparatus for performing plasma treatment by circulating process gas in multiple plasmas |
| JP2014212331A (en) * | 2014-06-13 | 2014-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Vertical heat treatment device |
| JP2016106415A (en) * | 2016-01-28 | 2016-06-16 | 株式会社日立国際電気 | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
| CN106128930A (en) * | 2016-07-22 | 2016-11-16 | 无锡宏纳科技有限公司 | Plasma etching stove |
| JP2019057494A (en) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | Batch type plasma substrate processing apparatus |
| US10961626B2 (en) | 2017-09-20 | 2021-03-30 | Eugene Technology Co., Ltd. | Plasma processing apparatus having injection ports at both sides of the ground electrode for batch processing of substrates |
| CN113862643A (en) * | 2021-09-18 | 2021-12-31 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | Atomic layer deposition device and flow uniformizing mechanism thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05251391A (en) | Plasma processing device for semiconductor wafer | |
| JP3115015B2 (en) | Vertical batch processing equipment | |
| KR0155151B1 (en) | Apparatus for reaction treatment | |
| US5015330A (en) | Film forming method and film forming device | |
| US9970110B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP4470970B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| KR20030013303A (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR20000071699A (en) | Thermal processing unit and thermal processing method | |
| JPH076956A (en) | Heat treating device | |
| US6867147B2 (en) | Method of surface treatment of semiconductor | |
| KR102003585B1 (en) | Substrate holder and substrate processing apparatus | |
| JP2006279058A (en) | Heat treatment apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
| JPH0955372A (en) | Plasma treatment apparatus | |
| JP3915314B2 (en) | Single wafer processing equipment | |
| KR102586680B1 (en) | A substrate processing apparatus | |
| JP3056241B2 (en) | Heat treatment equipment | |
| JP2000082698A (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP2740789B2 (en) | Processing method | |
| JP2669168B2 (en) | Microwave plasma processing equipment | |
| JP2006303516A (en) | Processing tube | |
| JPH09129611A (en) | Etching | |
| TWI821722B (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP2001085417A (en) | Device and method for plasma treatment | |
| JPH04312797A (en) | Plasma generating device | |
| JPH0570956A (en) | Microwave absorption plasma treating device having magnetic field |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |