JPH05250651A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPH05250651A JPH05250651A JP4544992A JP4544992A JPH05250651A JP H05250651 A JPH05250651 A JP H05250651A JP 4544992 A JP4544992 A JP 4544992A JP 4544992 A JP4544992 A JP 4544992A JP H05250651 A JPH05250651 A JP H05250651A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気記憶装置に用いられる垂直磁気
記録媒体に関し、垂直磁気ヘッドの主磁極に集中した浮
遊磁界による該主磁極と対応する軟磁性層の磁壁の不規
則な移動を抑制して、磁壁移動による垂直記録層の情報
磁化の減磁及び消磁の発生を防止することを目的とす
る。 【構成】 非磁性基板上に、高透磁率な軟磁性層12と垂
直異方性を有する垂直記録層３とを順に積層した二層膜
構造の垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性層12がα
-Fe16 Ｎ2 膜からなる構成とする。
記録媒体に関し、垂直磁気ヘッドの主磁極に集中した浮
遊磁界による該主磁極と対応する軟磁性層の磁壁の不規
則な移動を抑制して、磁壁移動による垂直記録層の情報
磁化の減磁及び消磁の発生を防止することを目的とす
る。 【構成】 非磁性基板上に、高透磁率な軟磁性層12と垂
直異方性を有する垂直記録層３とを順に積層した二層膜
構造の垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性層12がα
-Fe16 Ｎ2 膜からなる構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記憶装置に用いられ
る垂直磁気記録媒体に係り、特に装置内の漏洩する浮遊
磁界の影響を防止した垂直磁気記録媒体の構造に関する
ものである。
る垂直磁気記録媒体に係り、特に装置内の漏洩する浮遊
磁界の影響を防止した垂直磁気記録媒体の構造に関する
ものである。
【０００２】磁気ディスク装置の小型化、高密度記録化
に伴い、一般に広く用いられている水平磁気記録媒体に
比べて遙に高密度記録が可能な磁気記録媒体として、高
透磁率な軟磁性層上に膜厚方向に残留磁化を形成する垂
直磁気記録層を積層した二層膜構造の垂直磁気記録媒体
が提案され、かかる垂直磁気記録媒体と単磁極型の磁気
ヘッド等との組み合わせによる記録・再生が高密度記録
に最適であることが知られている。
に伴い、一般に広く用いられている水平磁気記録媒体に
比べて遙に高密度記録が可能な磁気記録媒体として、高
透磁率な軟磁性層上に膜厚方向に残留磁化を形成する垂
直磁気記録層を積層した二層膜構造の垂直磁気記録媒体
が提案され、かかる垂直磁気記録媒体と単磁極型の磁気
ヘッド等との組み合わせによる記録・再生が高密度記録
に最適であることが知られている。
【０００３】しかし、単磁極型の磁気ヘッドと組み合わ
せた二層膜構造の垂直磁気記録媒体は、高透磁率な軟磁
性層の存在により装置内に漏洩する浮遊磁界が該磁気ヘ
ッドの主磁極に集中し易く、この集中により強められた
磁界によって該主磁極と対向する記録媒体における垂直
磁気記録層の記録磁化を減磁、或いは消磁する傾向にあ
る。このため、そのような装置内の浮遊磁界の影響を防
止した信頼性の良い媒体構造が必要とされている。
せた二層膜構造の垂直磁気記録媒体は、高透磁率な軟磁
性層の存在により装置内に漏洩する浮遊磁界が該磁気ヘ
ッドの主磁極に集中し易く、この集中により強められた
磁界によって該主磁極と対向する記録媒体における垂直
磁気記録層の記録磁化を減磁、或いは消磁する傾向にあ
る。このため、そのような装置内の浮遊磁界の影響を防
止した信頼性の良い媒体構造が必要とされている。
【０００４】
【従来の技術】従来の二層膜構造の垂直磁気記録媒体は
図６の要部断面図に示すように、NiＰ表面処理等を施し
たアルミニウム円板等からなる非磁性基板１上に、一般
に広く用いられている Ni-Fe膜からなる高透磁率な軟磁
性層と比較して飽和磁束密度Bsが高く、かつその膜厚が
薄くても高い再生出力が得られる、例えばスパッタリン
グ法により成膜された 0.5μｍの膜厚のγ−Fe4 Ｎから
なる高透磁率な軟磁性層２と該軟磁性層２の膜厚方向に
垂直な磁化容易軸を有する 0.1μｍの膜厚の Co-Cr膜か
らなる磁気記録層、即ち、垂直記録層３とが順に積層さ
れた構成からなっている。
図６の要部断面図に示すように、NiＰ表面処理等を施し
たアルミニウム円板等からなる非磁性基板１上に、一般
に広く用いられている Ni-Fe膜からなる高透磁率な軟磁
性層と比較して飽和磁束密度Bsが高く、かつその膜厚が
薄くても高い再生出力が得られる、例えばスパッタリン
グ法により成膜された 0.5μｍの膜厚のγ−Fe4 Ｎから
なる高透磁率な軟磁性層２と該軟磁性層２の膜厚方向に
垂直な磁化容易軸を有する 0.1μｍの膜厚の Co-Cr膜か
らなる磁気記録層、即ち、垂直記録層３とが順に積層さ
れた構成からなっている。
【０００５】そしてこのような垂直磁気記録媒体に対し
て情報を記録・再生する単磁極型の垂直磁気ヘッドにお
ける主磁極からの記録磁界は、対向する前記垂直記録層
３を垂直に磁化して通過し、その直下の前記軟磁性層２
を水平方向に通って再び該垂直記録層３を垂直に通過し
て前記垂直磁気ヘッド側へ帰還する磁気回路により情報
記録が行われ、また既に記録された前記垂直記録層３か
らの記録磁界により垂直磁気ヘッドの主磁極が磁化さ
れ、その主磁極と鎖交するコイルに生じる電圧を再生信
号として取り出すことによって情報再生を行っている。
て情報を記録・再生する単磁極型の垂直磁気ヘッドにお
ける主磁極からの記録磁界は、対向する前記垂直記録層
３を垂直に磁化して通過し、その直下の前記軟磁性層２
を水平方向に通って再び該垂直記録層３を垂直に通過し
て前記垂直磁気ヘッド側へ帰還する磁気回路により情報
記録が行われ、また既に記録された前記垂直記録層３か
らの記録磁界により垂直磁気ヘッドの主磁極が磁化さ
れ、その主磁極と鎖交するコイルに生じる電圧を再生信
号として取り出すことによって情報再生を行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記垂直磁
気記録媒体は単磁極型の垂直磁気ヘッドとの組み合わせ
によって電磁変換特性が優れているとはいうものの、該
垂直磁気記録媒体での高透磁率な軟磁性層２の存在によ
りこの記録媒体に対向する垂直磁気ヘッドの主磁極に、
例えば磁気ディスク装置内のディスク駆動用モータ、ヘ
ッド位置決め用のボイスコイルモータなどから漏洩する
数Oe程度の浮遊磁界が集中し、これが強い磁界となって
対向する垂直記録層３を磁化して記録された情報磁化が
減磁、或いは消磁させてしまうといった問題があった。
気記録媒体は単磁極型の垂直磁気ヘッドとの組み合わせ
によって電磁変換特性が優れているとはいうものの、該
垂直磁気記録媒体での高透磁率な軟磁性層２の存在によ
りこの記録媒体に対向する垂直磁気ヘッドの主磁極に、
例えば磁気ディスク装置内のディスク駆動用モータ、ヘ
ッド位置決め用のボイスコイルモータなどから漏洩する
数Oe程度の浮遊磁界が集中し、これが強い磁界となって
対向する垂直記録層３を磁化して記録された情報磁化が
減磁、或いは消磁させてしまうといった問題があった。
【０００７】このような情報磁化の減磁、或いは消磁が
生じる現象は、前記垂直磁気ヘッドの主磁極に集中した
浮遊磁界が強い磁界となって対向する垂直記録層３を通
してその直下の軟磁性層２に流れた際に、該軟磁性層２
に構成する磁区の磁壁が不規則に移動し、その部分の透
磁率が一時的に異常に高くなり、その部分に多くの浮遊
磁界が流れ込むことに起因している。
生じる現象は、前記垂直磁気ヘッドの主磁極に集中した
浮遊磁界が強い磁界となって対向する垂直記録層３を通
してその直下の軟磁性層２に流れた際に、該軟磁性層２
に構成する磁区の磁壁が不規則に移動し、その部分の透
磁率が一時的に異常に高くなり、その部分に多くの浮遊
磁界が流れ込むことに起因している。
【０００８】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、垂
直磁気ヘッドの主磁極に集中した浮遊磁界による軟磁性
層の磁壁の不規則な移動を抑制して、垂直記録層の情報
磁化の減磁及び消磁の発生を防止するようにした新規な
垂直磁気記録媒体を提供することを目的とするものであ
る。
直磁気ヘッドの主磁極に集中した浮遊磁界による軟磁性
層の磁壁の不規則な移動を抑制して、垂直記録層の情報
磁化の減磁及び消磁の発生を防止するようにした新規な
垂直磁気記録媒体を提供することを目的とするものであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、非磁性基板上に、高透磁率な軟磁性層を
介して垂直異方性を有する磁気記録層を積層した二層膜
構造の垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性層をα-F
e16 Ｎ2 膜により構成する。
達成するため、非磁性基板上に、高透磁率な軟磁性層を
介して垂直異方性を有する磁気記録層を積層した二層膜
構造の垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性層をα-F
e16 Ｎ2 膜により構成する。
【００１０】また、非磁性基板上に、窒化鉄 (γ−Fe4
Ｎ）からなる高透磁率な軟磁性層と垂直異方性を有する
磁気記録層とを順に積層した二層膜構造の垂直磁気記録
媒体において、前記軟磁性層と磁気記録層との間にα-F
e16 Ｎ2 層を介在した構成とする。
Ｎ）からなる高透磁率な軟磁性層と垂直異方性を有する
磁気記録層とを順に積層した二層膜構造の垂直磁気記録
媒体において、前記軟磁性層と磁気記録層との間にα-F
e16 Ｎ2 層を介在した構成とする。
【００１１】
【作用】本発明では、軟磁性層と垂直異方性を有する磁
気記録層との二層膜構造における軟磁性層に、日本応用
磁気学会誌、Vol.14,No.2,P271〜274,(1990)「窒素イオ
ン注入によって作製したFe16Ｎ2 薄膜の構造と磁性」に
記載されている形成方法と略同様な方法により形成され
た高い飽和磁束密度Bsと、垂直磁気ヘッドの主磁極に集
中する浮遊磁界よりも高い数10〜数100 Oeの保磁力Hcを
有するα-Fe16 Ｎ 2 膜を用いた構成、或いは窒化鉄 (γ
−Fe4 Ｎ）からなる軟磁性層と磁気記録層との間に同様
に高飽和磁束密度と高保磁力を有するα-Fe16 Ｎ2 層を
介在した構成とすることによって、垂直磁気ヘッドの主
磁極に集中した浮遊磁界が前記磁気記録層を通してα-F
e16 Ｎ2 膜からなる軟磁性層、或いは磁気記録層を通し
て該磁気記録層と軟磁性層間に介在したα-Fe16 Ｎ2 層
に流れても、一般的な磁気ディスク装置においては前記
浮遊磁界の強度がα-Fe16 Ｎ2 膜からなる軟磁性層、或
いは前記介在したα-Fe16 Ｎ2 層の保磁力Hc以下である
ため、それらの層での磁区の部分的な磁壁の不規則な移
動が抑制される。
気記録層との二層膜構造における軟磁性層に、日本応用
磁気学会誌、Vol.14,No.2,P271〜274,(1990)「窒素イオ
ン注入によって作製したFe16Ｎ2 薄膜の構造と磁性」に
記載されている形成方法と略同様な方法により形成され
た高い飽和磁束密度Bsと、垂直磁気ヘッドの主磁極に集
中する浮遊磁界よりも高い数10〜数100 Oeの保磁力Hcを
有するα-Fe16 Ｎ 2 膜を用いた構成、或いは窒化鉄 (γ
−Fe4 Ｎ）からなる軟磁性層と磁気記録層との間に同様
に高飽和磁束密度と高保磁力を有するα-Fe16 Ｎ2 層を
介在した構成とすることによって、垂直磁気ヘッドの主
磁極に集中した浮遊磁界が前記磁気記録層を通してα-F
e16 Ｎ2 膜からなる軟磁性層、或いは磁気記録層を通し
て該磁気記録層と軟磁性層間に介在したα-Fe16 Ｎ2 層
に流れても、一般的な磁気ディスク装置においては前記
浮遊磁界の強度がα-Fe16 Ｎ2 膜からなる軟磁性層、或
いは前記介在したα-Fe16 Ｎ2 層の保磁力Hc以下である
ため、それらの層での磁区の部分的な磁壁の不規則な移
動が抑制される。
【００１２】その結果、前記α-Fe16 Ｎ2 膜からなる軟
磁性層、或いは前記介在されたα-Fe16 Ｎ2 層に部分的
に多くの浮遊磁界が流れ込むことが阻止され、前記磁気
記録層の情報磁化の減磁及び消磁を防止することができ
る。
磁性層、或いは前記介在されたα-Fe16 Ｎ2 層に部分的
に多くの浮遊磁界が流れ込むことが阻止され、前記磁気
記録層の情報磁化の減磁及び消磁を防止することができ
る。
【００１３】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図１は本発明に係る垂直磁気記録媒体の
一実施例を示す要部断面図であり、同図中において図５
に示す構成部分と対応する部分には同一符号を付してい
る。
細に説明する。図１は本発明に係る垂直磁気記録媒体の
一実施例を示す要部断面図であり、同図中において図５
に示す構成部分と対応する部分には同一符号を付してい
る。
【００１４】図示のようにNiＰ表面処理等を施したアル
ミニウム円板等からなる非磁性基板１上に、 Ni-Fe膜か
らなる高透磁率な軟磁性層と比較して飽和磁束密度Bsが
高く、垂直磁気ヘッドの主磁極に集中する外部から漏洩
する浮遊磁界よりも高い保磁力Hcを有する 0.5μｍの膜
厚のα-Fe16 Ｎ2 膜からなる高透磁率な軟磁性層12を介
して 0.1μｍの膜厚の Co-Cr膜からなる磁気記録層、即
ち、垂直記録層３が積層された構成としている。
ミニウム円板等からなる非磁性基板１上に、 Ni-Fe膜か
らなる高透磁率な軟磁性層と比較して飽和磁束密度Bsが
高く、垂直磁気ヘッドの主磁極に集中する外部から漏洩
する浮遊磁界よりも高い保磁力Hcを有する 0.5μｍの膜
厚のα-Fe16 Ｎ2 膜からなる高透磁率な軟磁性層12を介
して 0.1μｍの膜厚の Co-Cr膜からなる磁気記録層、即
ち、垂直記録層３が積層された構成としている。
【００１５】前記α-Fe16 Ｎ2 膜からなる高透磁率な軟
磁性層12は、日本応用磁気学会誌、Vol.14,No.2,P271〜
274,(1990)「窒素イオン注入によって作製したFe16Ｎ2
薄膜の構造と磁性」に記載している形成方法と略同様
に、例えば前記非磁性基板１上にスパッタリング法によ
り 0.5μｍの膜厚のα−Fe膜を成膜した後、該α−Fe膜
にイオン注入法によって窒素を、例えば窒素注入量が10
16〜1017cm-2、電流密度が１μＡ／cm2 の条件で注入エ
ネルギーを膜厚方向に30〜150keVに制御して注入するこ
とにより、数10〜数100 Oeの均一な保磁力Hcを有する所
望のα-Fe16 Ｎ2膜からなる高透磁率な軟磁性層12を形
成することができる。
磁性層12は、日本応用磁気学会誌、Vol.14,No.2,P271〜
274,(1990)「窒素イオン注入によって作製したFe16Ｎ2
薄膜の構造と磁性」に記載している形成方法と略同様
に、例えば前記非磁性基板１上にスパッタリング法によ
り 0.5μｍの膜厚のα−Fe膜を成膜した後、該α−Fe膜
にイオン注入法によって窒素を、例えば窒素注入量が10
16〜1017cm-2、電流密度が１μＡ／cm2 の条件で注入エ
ネルギーを膜厚方向に30〜150keVに制御して注入するこ
とにより、数10〜数100 Oeの均一な保磁力Hcを有する所
望のα-Fe16 Ｎ2膜からなる高透磁率な軟磁性層12を形
成することができる。
【００１６】このような本実施例のα-Fe16 Ｎ2 膜から
なる軟磁性層12と従来例のγ−Fe4Ｎ膜からなる軟磁性
層２の磁化特性を図３(a) 及び(b) のＭ (磁化) −Ｈ
(磁界) 曲線図により示している。
なる軟磁性層12と従来例のγ−Fe4Ｎ膜からなる軟磁性
層２の磁化特性を図３(a) 及び(b) のＭ (磁化) −Ｈ
(磁界) 曲線図により示している。
【００１７】即ち、図３(b) に示すように従来例のγ−
Fe4 Ｎ膜からなる軟磁性層２の保磁力Hcはせいぜい数Oe
程度であるが、これに対して本実施例のα-Fe16 Ｎ2 膜
からなる軟磁性層12の保磁力Hcは、図３(a) に示すよう
に10数Oeから数100 Oeとなり、垂直磁気ヘッドの主磁極
に集中する外部から漏洩する浮遊磁界よりも高い保磁力
Hcを有している。
Fe4 Ｎ膜からなる軟磁性層２の保磁力Hcはせいぜい数Oe
程度であるが、これに対して本実施例のα-Fe16 Ｎ2 膜
からなる軟磁性層12の保磁力Hcは、図３(a) に示すよう
に10数Oeから数100 Oeとなり、垂直磁気ヘッドの主磁極
に集中する外部から漏洩する浮遊磁界よりも高い保磁力
Hcを有している。
【００１８】従って、垂直磁気ヘッドの主磁極に集中し
た装置内の浮遊磁界が本実施例の垂直磁気記録媒体にお
ける前記垂直記録層３を通してα-Fe16 Ｎ2 膜からなる
軟磁性層12に流れても、前記浮遊磁界の強度が該軟磁性
層12の保磁力Hc以下であるため、その層での部分的な磁
壁の不規則な移動が抑制されて、透磁率が一時的に異常
に高くなったり、それに起因して部分的に多くの浮遊磁
界が流れ込むことが阻止されるので、前記垂直記録層に
記録された磁化情報の減磁及び消磁を防止することがで
きる。
た装置内の浮遊磁界が本実施例の垂直磁気記録媒体にお
ける前記垂直記録層３を通してα-Fe16 Ｎ2 膜からなる
軟磁性層12に流れても、前記浮遊磁界の強度が該軟磁性
層12の保磁力Hc以下であるため、その層での部分的な磁
壁の不規則な移動が抑制されて、透磁率が一時的に異常
に高くなったり、それに起因して部分的に多くの浮遊磁
界が流れ込むことが阻止されるので、前記垂直記録層に
記録された磁化情報の減磁及び消磁を防止することがで
きる。
【００１９】なお、前記本実施例のα-Fe16 Ｎ2 膜から
なる軟磁性層12を備えた垂直磁気記録媒体と従来例のγ
−Fe4 Ｎ膜からなる軟磁性層２を備えた垂直磁気記録媒
体とをそれぞれ単磁極型の垂直磁気ヘッドと組み合わ
せ、再生中のそれらの媒体面に対して外部磁界がない場
合と数 Gaussの外部磁界がある場合の再生出力波形を比
較すると、図５(a) に示すように前記従来例の垂直磁気
記録媒体に対して外部磁界がない場合には再生出力信号
の波形は一定のレベルであるが、数 Gaussの外部磁界を
印加すると図５(b) に示すように再生出力信号の波形の
一部の再生出力が低下する。これは前記外部磁界により
垂直記録層３に記録された磁化情報が部分的に減磁、或
いは消磁されたことによるものである。
なる軟磁性層12を備えた垂直磁気記録媒体と従来例のγ
−Fe4 Ｎ膜からなる軟磁性層２を備えた垂直磁気記録媒
体とをそれぞれ単磁極型の垂直磁気ヘッドと組み合わ
せ、再生中のそれらの媒体面に対して外部磁界がない場
合と数 Gaussの外部磁界がある場合の再生出力波形を比
較すると、図５(a) に示すように前記従来例の垂直磁気
記録媒体に対して外部磁界がない場合には再生出力信号
の波形は一定のレベルであるが、数 Gaussの外部磁界を
印加すると図５(b) に示すように再生出力信号の波形の
一部の再生出力が低下する。これは前記外部磁界により
垂直記録層３に記録された磁化情報が部分的に減磁、或
いは消磁されたことによるものである。
【００２０】このような従来例に対して、図４(a) に示
すように前記本実施例の垂直磁気記録媒体に外部磁界を
印加しない場合の再生出力信号の波形は一定のレベルで
あり、前記と同様な外部磁界を印加しても図４(b) に示
すように再生出力信号の波形には再生出力の低下は見ら
れず、外部磁界により垂直記録層３に記録された磁化情
報が部分的に減磁、或いは消磁されることはない。
すように前記本実施例の垂直磁気記録媒体に外部磁界を
印加しない場合の再生出力信号の波形は一定のレベルで
あり、前記と同様な外部磁界を印加しても図４(b) に示
すように再生出力信号の波形には再生出力の低下は見ら
れず、外部磁界により垂直記録層３に記録された磁化情
報が部分的に減磁、或いは消磁されることはない。
【００２１】更に、図２は本発明に係る垂直磁気記録媒
体の他の実施例を示す要部断面図であり、同図中におい
て図１に示す構成部分と対応する部分には同一符号を付
している。
体の他の実施例を示す要部断面図であり、同図中におい
て図１に示す構成部分と対応する部分には同一符号を付
している。
【００２２】この図で示す実施例が図１による実施例と
異なる点は、NiＰ表面処理等を施したアルミニウム円板
等からなる非磁性基板１上に配設した、例えば 0.4μｍ
の膜厚のγ−Fe4 Ｎ膜からなる軟磁性層22上に、 0.1μ
ｍの膜厚のα−Fe膜に前記実施例と同様なイオン注入法
により窒素をイオン注入して形成したα-Fe16 Ｎ2 膜23
を介して 0.1μｍの膜厚の Co-Cr膜からなる垂直記録層
３を積層した構成としたことである。
異なる点は、NiＰ表面処理等を施したアルミニウム円板
等からなる非磁性基板１上に配設した、例えば 0.4μｍ
の膜厚のγ−Fe4 Ｎ膜からなる軟磁性層22上に、 0.1μ
ｍの膜厚のα−Fe膜に前記実施例と同様なイオン注入法
により窒素をイオン注入して形成したα-Fe16 Ｎ2 膜23
を介して 0.1μｍの膜厚の Co-Cr膜からなる垂直記録層
３を積層した構成としたことである。
【００２３】このような実施例構成によっても、垂直磁
気ヘッドの主磁極に集中した浮遊磁界が当該垂直磁気記
録媒体における前記垂直記録層３を通してα-Fe16 Ｎ2
膜23に流れても、前記浮遊磁界の強度が該α-Fe16 Ｎ2
膜23の保磁力Hc (10数Oeから数100 Oe) 以下であるた
め、その層での部分的な磁壁の不規則な移動が抑制され
る。
気ヘッドの主磁極に集中した浮遊磁界が当該垂直磁気記
録媒体における前記垂直記録層３を通してα-Fe16 Ｎ2
膜23に流れても、前記浮遊磁界の強度が該α-Fe16 Ｎ2
膜23の保磁力Hc (10数Oeから数100 Oe) 以下であるた
め、その層での部分的な磁壁の不規則な移動が抑制され
る。
【００２４】従って、透磁率が一時的に異常に高くなっ
たり、それに起因して部分的に多くの浮遊磁界が流れ込
むことが阻止されると共に、その直下のγ−Fe4 Ｎ膜か
らなる軟磁性層22にも流れ込むことが阻止されるので、
前記垂直記録層３に記録された磁化情報の減磁及び消磁
を防止することができ、前記図１による実施例と同様な
目的と効果を達成することができる。
たり、それに起因して部分的に多くの浮遊磁界が流れ込
むことが阻止されると共に、その直下のγ−Fe4 Ｎ膜か
らなる軟磁性層22にも流れ込むことが阻止されるので、
前記垂直記録層３に記録された磁化情報の減磁及び消磁
を防止することができ、前記図１による実施例と同様な
目的と効果を達成することができる。
【００２５】なお、前記他の実施例ではγ−Fe4 Ｎ膜か
らなる軟磁性層22上のα-Fe16 Ｎ2膜23を、該軟磁性層2
2上に被着したα−Fe膜にイオン注入法により窒素をイ
オン注入してα-Fe16 Ｎ2 膜23を形成した場合の例につ
いて説明したが、この例とは別に、例えば窒素含有濃度
がα-Fe16 Ｎ2 膜よりも低い窒化鉄膜からなる軟磁性層
の表面から0.1 μｍの深さ部分のみに窒素をイオン注入
法によりその注入エネルギーを制御して注入することに
よっても、前記軟磁性層の表面部にα-Fe16 Ｎ 2 膜を形
成することができる。
らなる軟磁性層22上のα-Fe16 Ｎ2膜23を、該軟磁性層2
2上に被着したα−Fe膜にイオン注入法により窒素をイ
オン注入してα-Fe16 Ｎ2 膜23を形成した場合の例につ
いて説明したが、この例とは別に、例えば窒素含有濃度
がα-Fe16 Ｎ2 膜よりも低い窒化鉄膜からなる軟磁性層
の表面から0.1 μｍの深さ部分のみに窒素をイオン注入
法によりその注入エネルギーを制御して注入することに
よっても、前記軟磁性層の表面部にα-Fe16 Ｎ 2 膜を形
成することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る垂直磁気記録媒体によれば、垂直磁気ヘッドの主
磁極に集中した装置内の浮遊磁界の作用による垂直記録
層の磁化情報の減磁、或いは消磁を防止することがで
き、情報記録維持上の信頼性が著しく向上する等、実用
上優れた効果を奏する。
に係る垂直磁気記録媒体によれば、垂直磁気ヘッドの主
磁極に集中した装置内の浮遊磁界の作用による垂直記録
層の磁化情報の減磁、或いは消磁を防止することがで
き、情報記録維持上の信頼性が著しく向上する等、実用
上優れた効果を奏する。
【図１】 本発明の垂直磁気記録媒体の一実施例を示す
要部断面図である。
要部断面図である。
【図２】 本発明の垂直磁気記録媒体の他の実施例を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図３】 本発明のα-Fe16 Ｎ2 軟磁性層と従来のγ−
Fe4 Ｎ軟磁性層の磁化特性の一例を示すＭ−Ｈ曲線図で
ある。
Fe4 Ｎ軟磁性層の磁化特性の一例を示すＭ−Ｈ曲線図で
ある。
【図４】 本発明の垂直磁気記録媒体への外部磁界の印
加の有・無による再生出力信号の波形を示す図である。
加の有・無による再生出力信号の波形を示す図である。
【図５】 従来の垂直磁気記録媒体への外部磁界の印加
の有・無による再生出力信号の波形を示す図である。
の有・無による再生出力信号の波形を示す図である。
【図６】 従来の垂直磁気記録媒体を説明するための要
部断面図である。
部断面図である。
１ 非磁性基板 ３ 垂直記録層 １２，２２ 軟磁性層 ２３ α-Fe16 Ｎ2 膜
Claims (2)
- 【請求項１】 非磁性基板(1) 上に、高透磁率な軟磁性
層(12)と垂直異方性を有する磁気記録層(3) とを順に積
層した二層膜構造の垂直磁気記録媒体において、 前記軟磁性層(12)がα-Fe16 Ｎ2 膜からなることを特徴
とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 非磁性基板(1) 上に、窒化鉄 (Fe4 Ｎ）
からなる高透磁率な軟磁性層(22)と垂直異方性を有する
磁気記録層(3) とを順に積層した二層膜構造の垂直磁気
記録媒体において、 前記軟磁性層(22)と磁気記録層(3) との間にα-Fe16 Ｎ
2 層(23)を介在したことを特徴とする垂直磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4544992A JPH05250651A (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4544992A JPH05250651A (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05250651A true JPH05250651A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12719653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4544992A Withdrawn JPH05250651A (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05250651A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6204995B1 (en) | 1998-02-19 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Magnetic disc apparatus |
| US6270885B1 (en) | 1997-11-17 | 2001-08-07 | Nec Corporation | Perpendicular magnetic recording medium |
| US8231987B2 (en) | 2007-01-02 | 2012-07-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic domain data storage devices and methods of manufacturing the same |
| JP2020087497A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | キヤノン株式会社 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
-
1992
- 1992-03-03 JP JP4544992A patent/JPH05250651A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6270885B1 (en) | 1997-11-17 | 2001-08-07 | Nec Corporation | Perpendicular magnetic recording medium |
| US6204995B1 (en) | 1998-02-19 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Magnetic disc apparatus |
| US8231987B2 (en) | 2007-01-02 | 2012-07-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic domain data storage devices and methods of manufacturing the same |
| JP2020087497A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | キヤノン株式会社 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |