JPH05249496A - Substrate for liquid crystal display and its production - Google Patents
Substrate for liquid crystal display and its productionInfo
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- JPH05249496A JPH05249496A JP8460992A JP8460992A JPH05249496A JP H05249496 A JPH05249496 A JP H05249496A JP 8460992 A JP8460992 A JP 8460992A JP 8460992 A JP8460992 A JP 8460992A JP H05249496 A JPH05249496 A JP H05249496A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス方
式の液晶表示ディスプレイに使用される液晶表示用基板
及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display substrate used in an active matrix type liquid crystal display and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】高度情報化時代の到来を控え、映像情報
表示ディスプレイには平坦化が強く望まれている。各種
方式のフラットディスプレイの中でも液晶表示ディスプ
レイは軽量低消費電力という優れた面も併せて持つの
で、その有力候補である。特に、アクティブマトリクス
方式の液晶表示ディスプレイは、ＣＲＴ（Cathodrd Ray
Tube)に匹敵する画質を有することから注目されてい
る。2. Description of the Related Art With the arrival of the advanced information age, flattening is strongly desired for video information display. Among the various types of flat displays, the liquid crystal display is also a promising candidate because it also has the excellent aspect of lightweight and low power consumption. In particular, the active matrix liquid crystal display is a CRT (Cathodrd Ray
It is attracting attention because it has an image quality comparable to that of Tube).
【０００３】図４は従来のアクティブマトリクス方式の
液晶表示ディスプレイの代表的な等価回路を示してい
る。図中60は走査信号配線電極、61はデータ信号配線電
極、63はＭＯＳトランジスタである。図中64は透明電極
端子65と対向電極端子66との間に封じ込んだ液晶であ
る。ＭＯＳトランジスタ63のゲートには走査信号駆動回
路68の出力電圧が走査信号配線電極60を通じて与えら
れ、これによりＭＯＳトランジスタ63の導通状態が制御
される。透明電極端子65にはデータ側駆動回路67の出力
電圧がデータ信号配線電極61、ＭＯＳトランジスタ63の
チャネルを通じて印加され、液晶64が分極配向して液晶
セルが駆動するようになっている。FIG. 4 shows a typical equivalent circuit of a conventional active matrix type liquid crystal display. In the figure, 60 is a scanning signal wiring electrode, 61 is a data signal wiring electrode, and 63 is a MOS transistor. Reference numeral 64 in the figure denotes a liquid crystal sealed between the transparent electrode terminal 65 and the counter electrode terminal 66. The output voltage of the scan signal drive circuit 68 is applied to the gate of the MOS transistor 63 through the scan signal wiring electrode 60, whereby the conduction state of the MOS transistor 63 is controlled. The output voltage of the data side drive circuit 67 is applied to the transparent electrode terminal 65 through the channel of the data signal wiring electrode 61 and the MOS transistor 63, and the liquid crystal 64 is polarized and oriented to drive the liquid crystal cell.
【０００４】アクティブマトリクス方式の中でも液晶セ
ルの一方の基板にガラス基板を、他方の基板に単結晶シ
リコンを用い、これにＭＯＳトランジスタアレイを形成
したＭＯＳトランジスタ型アクティブマトリクス方式の
ものは、従来のＬＳＩ製造技術をそのまま利用でき、高
性能な素子を簡単に作製できるというメリットがある。
更に、周辺駆動回路をＭＯＳトランジスタアレイの同一
基板上に集積一体化することが容易であり、駆動回路部
と表示部とのリード接続の簡易化、装置の小型化、高信
頼性というメリットもある。即ち、ＭＯＳトランジスタ
型アクティブマトリクス方式は、液晶表示ディスプレイ
の周辺回路部等の小型化、高信頼性、低価格化を図る上
で最適である。Among the active matrix systems, the MOS transistor type active matrix system in which a glass substrate is used for one substrate of the liquid crystal cell and single crystal silicon is used for the other substrate, and a MOS transistor array is formed on the substrate, a conventional LSI is used. There is an advantage that the manufacturing technology can be used as it is and a high-performance element can be easily manufactured.
Furthermore, it is easy to integrate and integrate the peripheral drive circuit on the same substrate of the MOS transistor array, and there are advantages that the lead connection between the drive circuit unit and the display unit is simplified, the device is downsized, and the reliability is high. .. That is, the MOS transistor type active matrix system is most suitable for downsizing, high reliability, and cost reduction of the peripheral circuit section of the liquid crystal display.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、単結晶
シリコンを用いる限り、これが可視光領域で不透明であ
るために、コントラストが良好なＴＮ方式等を用いるこ
とができず、液晶表示ディスプレイの画質が悪いという
本質的な欠点がある。また反射タイプの方式を用いざる
を得ない結果、暗所での使用が困難で、利用分野が制限
される欠点がある。特に、家庭用テレビジョン等への応
用には大きな問題となる。However, as long as single crystal silicon is used, since it is opaque in the visible light region, it is not possible to use a TN method or the like with good contrast, and the image quality of the liquid crystal display is poor. There is an inherent drawback. Further, as a result of having to use the reflection type method, there is a drawback that it is difficult to use in a dark place and the field of use is limited. In particular, it is a big problem for application to home televisions.
【０００６】本発明は上記した背景のもとに創作された
ものであって、単結晶シリコンを用いる構成でありなが
ら、コントラストが良好なＴＮ方式等を採用できる液晶
表示用基板及びその製造方法を提供することにある。The present invention was created in view of the above background, and provides a liquid crystal display substrate and a manufacturing method thereof which can adopt a TN method or the like with good contrast even though it has a structure using single crystal silicon. To provide.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示用基板
は、アクティブマトリクス方式の液晶表示ディスプレイ
に使用される液晶表示用基板であって、液晶セルの一方
の基板である透明基板と、透明基板の面上に形成され且
つ複数の透光穴を有する単結晶半導体薄膜と、少なくと
も液晶駆動回路の一構成部であり単結晶半導体薄膜上に
形成された複数の素子と、前記複数の素子を覆う光遮蔽
層とを具備することを特徴としている。A liquid crystal display substrate of the present invention is a liquid crystal display substrate used in an active matrix type liquid crystal display, and a transparent substrate which is one of the substrates of a liquid crystal cell and a transparent substrate. A single crystal semiconductor thin film formed on the surface of the substrate and having a plurality of light-transmitting holes; a plurality of elements which are at least one component of the liquid crystal drive circuit and are formed on the single crystal semiconductor thin film; And a light shielding layer for covering.
【０００８】[0008]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１はアクティブマトリクス方式の液晶表示用基
板の一部断面図、図２は液晶表示用基板の製造プロセス
を示す図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a partial sectional view of an active matrix type liquid crystal display substrate, and FIG. 2 is a diagram showing a manufacturing process of the liquid crystal display substrate.
【０００９】ここに例をあげて説明する液晶表示用基板
は、ＭＯＳトランジスタ型アクティブマトリクス方式の
液晶表示ディスプレイに使用されるものである。図１に
示す断面図は液晶表示ディスプレイの一画素に相当する
部分を示している。The liquid crystal display substrate described by way of example is used for a MOS transistor type active matrix liquid crystal display. The sectional view shown in FIG. 1 shows a portion corresponding to one pixel of a liquid crystal display.
【００１０】図中30は透明基板としてのプラスチック透
明板であり、液晶セルの一方の基板に相当する。なお、
液晶セルの他方のガラス基板は図示省略されている。Reference numeral 30 in the drawing denotes a plastic transparent plate as a transparent substrate, which corresponds to one substrate of the liquid crystal cell. In addition,
The other glass substrate of the liquid crystal cell is not shown.
【００１１】プラスチック透明板30の面上（図中では下
面）には単結晶半導体薄膜としての単結晶シリコン膜10
が形成されている。また単結晶シリコン膜10の面上（図
中では下面）には透光穴18を有している。この透光穴18
の部分には液晶セルの透明電極22が形成されている。な
お、液晶セルにおけるもう一方の透明電極及び液晶等は
図示省略されている。A single crystal silicon film 10 as a single crystal semiconductor thin film is provided on the surface of the plastic transparent plate 30 (the lower surface in the figure).
Are formed. A transparent hole 18 is provided on the surface (the lower surface in the figure) of the single crystal silicon film 10. This translucent hole 18
The transparent electrode 22 of the liquid crystal cell is formed in the portion. The other transparent electrode and liquid crystal in the liquid crystal cell are not shown.
【００１２】単結晶シリコン膜10にはＭＯＳトランジス
タαが形成されている。ＭＯＳトランジスタαは液晶駆
動回路の一構成部であって、液晶セルを駆動するように
なっており、ＳＩＯ2 膜11、15、17、配線電極12、13、
14等から構成されている。A MOS transistor α is formed on the single crystal silicon film 10. The MOS transistor α is one component of the liquid crystal drive circuit, and is adapted to drive the liquid crystal cell. The SIO 2 films 11, 15, 17 and the wiring electrodes 12, 13,
It is composed of 14 mag.
【００１３】単結晶シリコン膜10とプラスチック透明板
30との間には、絶縁膜42、金属膜50、接着層41がこの順
番で設けられている。金属膜50はＭＯＳトランジスタα
の図中上側面を覆っており、光遮蔽層としての役目を果
たす。即ち、プラスチック透明板30から入り込んだ光を
遮蔽してＭＯＳトランジスタαにあたることを防ぐよう
になっている。Single crystal silicon film 10 and plastic transparent plate
An insulating film 42, a metal film 50, and an adhesive layer 41 are provided in this order with respect to 30. The metal film 50 is a MOS transistor α
Covers the upper side in the figure and serves as a light shielding layer. That is, the light entering from the plastic transparent plate 30 is shielded to prevent it from hitting the MOS transistor α.
【００１４】但し、図１は一画素に相当する部分のみを
示している関係上、他の透光穴18、ＭＯＳトランジスタ
α、金属膜50は図示省略されているが、液晶表示ディス
プレイの画素数の個数だけ存在する。However, since FIG. 1 shows only a portion corresponding to one pixel, the other transparent holes 18, the MOS transistor α, and the metal film 50 are not shown, but the number of pixels of the liquid crystal display is not shown. There are as many as.
【００１５】次に、上記した構造を有する液晶表示用基
板の製造方法について図２を参照して説明する。Next, a method of manufacturing the liquid crystal display substrate having the above structure will be described with reference to FIG.
【００１６】まず、単結晶半導体ウエハとしてのＰ型の
単結晶シリコンウエハ１の表面に熱酸化によりＳＩＯ2
膜を作成する。そしてホトエッチング、反応性イオンエ
ッチング等の選択エッチング技術により、ＭＯＳトラン
ジスタαのドレイン、ソースとなる部分のＳＩＯ2 膜を
除去して、所定パターンのＳＩＯ2 膜11を形成する(図
２(a) ) 。First, the surface of a P-type single crystal silicon wafer 1 as a single crystal semiconductor wafer is thermally oxidized to SIO 2
Create a membrane. Then, the SIO 2 film in the drain and source portions of the MOS transistor α is removed by a selective etching technique such as photo etching or reactive ion etching to form the SIO 2 film 11 having a predetermined pattern (FIG. 2 (a)). ).
【００１７】その後、熱拡散方式又はイオン注入方式に
より、ドレイン、ソースとなる部分に、所定のｎ型拡散
層を形成する。そしてゲートとなる部分のＳＩＯ2 膜11
を選択エッチング技術により除去し、1000度程度の熱酸
化により、所定パターンのＳＩＯ2 膜17を作成する。引
き続き、基板表面にスパッタ又は電子ビーム蒸着等によ
りAL、MO等の金属膜を作成し、ホトエッチング技術、選
択エッチング技術により所定パターンの配線電極13（ゲ
ート線）を形成する。その後、ＣＶＤ又はプラズマＣＶ
Ｄ法等により所定パターンのＳＩＯ2 膜15を作成する(
図２(b) ) 。After that, a predetermined n-type diffusion layer is formed in the drain and source portions by a thermal diffusion method or an ion implantation method. Then, the SIO 2 film 11 that will become the gate
Is removed by a selective etching technique, and a SIO 2 film 17 having a predetermined pattern is formed by thermal oxidation at about 1000 degrees. Subsequently, a metal film of AL, MO or the like is formed on the surface of the substrate by sputtering or electron beam evaporation or the like, and the wiring electrode 13 (gate line) having a predetermined pattern is formed by the photo etching technique or the selective etching technique. After that, CVD or plasma CV
The SIO 2 film 15 having a predetermined pattern is formed by the D method or the like (
Figure 2 (b)).
【００１８】次に、ホトエッチング技術、選択エッチン
グ技術により、ドレイン部、ソース部の電極窓開けを行
った後、再びスパッタ又は電子ビーム蒸着等によりAL、
MO等の金属膜を作成し、ホトエッチング技術、選択エッ
チング技術により所定パターンの配線電極12、14（ソー
ス線、ドレイン線）を形成する。これでＭＯＳトランジ
スタαが作成される。更に、ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ
法により、SiN 等の絶縁膜42を作成する。引き続きスパ
ッタ又は電子ビーム蒸着等によりAL、MO等の金属膜を基
板面上に作成し、ホトエッチング技術、選択エッチング
技術により所定パターンの金属膜50を作成する（図２
(c))。Next, after opening the electrode windows of the drain portion and the source portion by the photo etching technique and the selective etching technique, the AL, again by the sputtering or the electron beam vapor deposition, etc.
A metal film such as MO is formed, and the wiring electrodes 12 and 14 (source line, drain line) having a predetermined pattern are formed by a photo etching technique and a selective etching technique. This produces the MOS transistor α. Furthermore, CVD method and plasma CVD
The insulating film 42 of SiN or the like is formed by the method. Subsequently, a metal film such as AL or MO is formed on the surface of the substrate by sputtering or electron beam evaporation, and a metal film 50 having a predetermined pattern is formed by the photo etching technique and the selective etching technique (Fig. 2).
(c)).
【００１９】その後、絶縁膜42等の面上にエポキシ等の
接着材( 接着層41) を塗布し、金属膜50を挟み込んでプ
ラスチック透明板30を貼り付けて接着する( 図２(d))。After that, an adhesive material (adhesive layer 41) such as epoxy is applied on the surface of the insulating film 42 and the like, the metal film 50 is sandwiched and the plastic transparent plate 30 is attached and adhered (FIG. 2 (d)). ..
【００２０】そして、単結晶シリコンウエハ１の裏面側
からグランディング、ラッピング、ポリッシング等によ
り単結晶シリコンウエハ１を平滑に薄くして所定の厚さ
にする。そして反応性エッチッグ等を利用した選択エッ
チングにより、単結晶シリコンウエハ１のうちでもＭＯ
Ｓトランジスタα等以外の不要な部分を除去する。これ
により透光穴18を有する単結晶シリコン膜10が形成され
る( 図２(e))。Then, the single crystal silicon wafer 1 is smoothed and thinned to a predetermined thickness from the back surface side of the single crystal silicon wafer 1 by grounding, lapping, polishing or the like. Then, even in the single crystal silicon wafer 1, MO
Unnecessary portions other than the S transistor α and the like are removed. As a result, the single crystal silicon film 10 having the light transmitting hole 18 is formed (FIG. 2 (e)).
【００２１】次に、選択エッチング技術によりＳＩＯ2
膜11、15を、又必要に応じ絶縁膜42、接着剤41を所定の
パターンに順次、切除後、スパッタ又は電子ビーム蒸着
等で、ITO(Indium Tin Oxide) 膜等を基板全面に形成
し、ホトエッチング技術、選択エッチング技術により所
定のパターンの透明電極22を作成し、透明電極22と配線
電極14とを接続すると、図１に示すような本発明の所望
の透過型のアクティブマトリックス型液晶表示用基板が
作成される( 図２(e))。Next, SIO 2 is formed by the selective etching technique.
The films 11 and 15, and if necessary, the insulating film 42 and the adhesive 41 are sequentially cut into a predetermined pattern, after being cut off, an ITO (Indium Tin Oxide) film or the like is formed on the entire surface of the substrate by sputtering or electron beam evaporation. When the transparent electrode 22 having a predetermined pattern is formed by the photo-etching technique and the selective etching technique and the transparent electrode 22 and the wiring electrode 14 are connected, the desired transmissive active matrix type liquid crystal display of the present invention as shown in FIG. 1 is obtained. A substrate is created (Fig. 2 (e)).
【００２２】第１の実施例による場合には、後述するメ
リットの他に、透明基板として安価で軽いプラスチック
透明板を用いたので、液晶表示ディスプレイの低コスト
化及び軽量化の点でメリットがある。In the case of the first embodiment, in addition to the merits described later, since an inexpensive and light plastic transparent plate is used as the transparent substrate, there is an advantage in reducing the cost and weight of the liquid crystal display. ..
【００２３】次に、第２の実施例について説明する。図
３は液晶表示用基板の製造プロセスの一部を示す図であ
る。図３(d) は第１の実施例の説明で用いた図１に相当
するので、この図をもとに液晶表示用基板の構造につい
て説明する。但し、第１の実施例と同じ構成部について
は同一の番号を付すことにする。Next, the second embodiment will be described. FIG. 3 is a diagram showing a part of the manufacturing process of the liquid crystal display substrate. Since FIG. 3D corresponds to FIG. 1 used in the description of the first embodiment, the structure of the liquid crystal display substrate will be described with reference to this drawing. However, the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals.
【００２４】図中30' は透明基板としてのガラス基板で
ある。ガラス基板30' の面上には透光穴18を有する単結
晶シリコン膜10が形成されている。図中43はSiN 等の絶
縁膜であり、この面上でも透光穴18の部分及び後述する
配線電極14の上方部には、透明電極22が形成されてい
る。なお、液晶セルにおけるもう一方の透明電極及び液
晶等は図示省略されている。In the figure, 30 'is a glass substrate as a transparent substrate. A single crystal silicon film 10 having a light transmitting hole 18 is formed on the surface of the glass substrate 30 '. In the figure, 43 is an insulating film such as SiN, and a transparent electrode 22 is formed on the surface of the transparent hole 18 and above the wiring electrode 14 which will be described later on this surface. The other transparent electrode and liquid crystal in the liquid crystal cell are not shown.
【００２５】単結晶シリコン膜10にはＭＯＳトランジス
タαが形成されている。ＭＯＳトランジスタαはＳＩＯ
2 膜11、15、17、配線電極12、13、14等から構成されて
いる。なお、ＭＯＳトランジスタαの配線電極14は、絶
縁膜43の一部に開けた穴を介して透明電極22と電気的に
接続される。A MOS transistor α is formed on the single crystal silicon film 10. MOS transistor α is SIO
It is composed of two films 11, 15, 17 and wiring electrodes 12, 13, 14 and the like. The wiring electrode 14 of the MOS transistor α is electrically connected to the transparent electrode 22 through a hole formed in a part of the insulating film 43.
【００２６】ＭＯＳトランジスタαと絶縁膜43との間に
は金属膜50' が設けられている。ＭＯＳトランジスタα
の上側面は金属膜50' により覆われており、金属膜50'
は液晶駆動時のＭＯＳトランジスタαの光遮蔽層の役目
を果たす。即ち、液晶セルにおける他方の透明基板（ガ
ラス基板30' に対向する透明基板）から入り込む光がＭ
ＯＳトランジスタαに当たることを防ぐ。A metal film 50 'is provided between the MOS transistor α and the insulating film 43. MOS transistor α
The upper side surface of the metal film 50 'is covered with the metal film 50'.
Serves as a light shielding layer of the MOS transistor α when driving the liquid crystal. That is, the light entering from the other transparent substrate (the transparent substrate facing the glass substrate 30 ') in the liquid crystal cell is M
Prevents hitting the OS transistor α.
【００２７】なお、ガラス基板30' と単結晶シリコン膜
10との間に設けられているのは、ポリイミド、エポキシ
等の接着層41' である。The glass substrate 30 'and the single crystal silicon film
Provided between 10 and 10 is an adhesive layer 41 ′ made of polyimide, epoxy or the like.
【００２８】次に、上記した構造を有する液晶表示用基
板の製造方法について同じく図３を参照して説明する。Next, a method of manufacturing the liquid crystal display substrate having the above structure will be described with reference to FIG.
【００２９】第１の実施例における図２(b) に示す製造
プロセスまでは同じであるので、これ以後の製造プロセ
スについて説明する。図２(b) に示す状態から、ホトエ
ッチング技術、選択エッチング技術により、ＭＯＳトラ
ンジスタαにおけるドレイン部、ソース部の電極窓開け
を行った後、スパッタ又は電子ビーム蒸着等によりAL、
MO等の金属膜を作成し、ホトエッチング技術、選択エッ
チング技術によりソース・ドレインの配線電極12、14を
作成する。これでＭＯＳトランジスタαが作成される。
同様にして金属膜50' を作成する（図３(a))。Since the manufacturing process shown in FIG. 2B in the first embodiment is the same, the manufacturing process thereafter will be described. From the state shown in FIG. 2 (b), after opening the drain and source electrode windows in the MOS transistor α by photo-etching technology and selective etching technology, AL by sputtering or electron beam evaporation,
A metal film such as MO is formed, and the source / drain wiring electrodes 12 and 14 are formed by a photo etching technique and a selective etching technique. This produces the MOS transistor α.
Similarly, a metal film 50 'is formed (FIG. 3 (a)).
【００３０】その後、単結晶シリコンウエハ１の図中表
面に仮止め用の接着剤としてワックス44を塗布する。単
結晶シリコンウエハ１の図中上側に、金属膜50' を挟み
こむようにして、ガラス等の支持基板31をワックス44に
より仮止めをする。Then, a wax 44 is applied to the surface of the single crystal silicon wafer 1 in the figure as an adhesive for temporary fixing. The supporting substrate 31 made of glass or the like is temporarily fixed with the wax 44 so that the metal film 50 ′ is sandwiched on the upper side of the single crystal silicon wafer 1 in the figure.
【００３１】この状態で、単結晶シリコンウエハ１の裏
面側からグランディング、ラッピング、ポリッシング等
により単結晶シリコンウエハ１を平滑に薄くして所定の
厚さにして、単結晶シリコン膜10を形成する( 図３
(b))。In this state, the single crystal silicon wafer 1 is smoothed and thinned to a predetermined thickness by grounding, lapping, polishing or the like from the back surface side of the single crystal silicon wafer 1 to form the single crystal silicon film 10. (Fig. 3
(b)).
【００３２】一方、ガラス基板30' の表面にポリイミ
ド、エポキシ等の接着剤( 接着層41') を塗布し、ガラ
ス基板30' の表面を単結晶シリコン膜10の裏面に接着し
た後、所定の温度条件でワックス44を溶解させて支持基
板31を取り外す( 図３(c))。On the other hand, an adhesive (adhesive layer 41 ') such as polyimide or epoxy is applied to the surface of the glass substrate 30', and the surface of the glass substrate 30 'is adhered to the back surface of the single crystal silicon film 10 and then a predetermined The wax 44 is melted under temperature conditions and the supporting substrate 31 is removed (FIG. 3 (c)).
【００３３】次に、ホトエッチング技術、選択エッチン
グ技術により、ＳＩＯ2 膜15、11、単結晶シリコン膜1
0、接着層41' のうちでも不要な部分を除去して、所定
のパターン形状にする。このとき、単結晶シリコン膜10
に透光穴18が形成される。その後、スパッタ又は低温Ｃ
ＶＤ法等により、基板表面にSiN 等の絶縁膜を作成し、
ホトエッチング技術、選択エッチング技術により、絶縁
膜43を形成する。このとき、透明電極22と配線電極14と
を接続するための穴も形成される。Next, the SIO 2 films 15 and 11 and the single crystal silicon film 1 are formed by the photo etching technique and the selective etching technique.
0, unnecessary portions of the adhesive layer 41 'are removed to form a predetermined pattern. At this time, the single crystal silicon film 10
A transparent hole 18 is formed in the. After that, spatter or low temperature C
An insulating film such as SiN is formed on the substrate surface by the VD method,
The insulating film 43 is formed by the photo etching technique and the selective etching technique. At this time, a hole for connecting the transparent electrode 22 and the wiring electrode 14 is also formed.
【００３４】引き続き、スパッタ又は電子ビーム蒸着等
によりITO(Indium Tin Oxide) 膜等を基板表面に作成
し、ホトエッチング技術、選択エッチング技術により、
透光穴18の部分及び上記穴の周辺部に透明電極22を形成
する。このとき透明電極22と配線電極14とが接続される
( 図３(d))。Subsequently, an ITO (Indium Tin Oxide) film or the like is formed on the surface of the substrate by sputtering or electron beam vapor deposition and the like, and is subjected to photo-etching technology and selective etching technology.
A transparent electrode 22 is formed on the transparent hole 18 and on the periphery of the hole. At this time, the transparent electrode 22 and the wiring electrode 14 are connected
(Fig. 3 (d)).
【００３５】上記した一連のプロセスを経て、液晶表示
用基板が製造される。第２の実施例による場合でも、光
遮蔽層としては第１の実施例と同様の効果が得られる。
また、ソース・ドレインの配線電極12、14を形成すると
同時に、光遮蔽層たる金属膜50' を形成するので、工程
を減らすことができ、工程が簡単化するというメリット
がある。更に、単結晶シリコン基板10の素子表面側から
ＳＩＯ2 膜11、15等のエッチングが行われるので、ホト
エッチング時の位置合わせが容易となるというメリット
もある。A liquid crystal display substrate is manufactured through the series of processes described above. Even in the case of the second embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained as the light shielding layer.
In addition, since the metal film 50 ′ serving as the light shielding layer is formed at the same time when the source / drain wiring electrodes 12 and 14 are formed, the number of steps can be reduced and the steps can be simplified. Furthermore, since the SIO 2 films 11, 15 and the like are etched from the element surface side of the single crystal silicon substrate 10, there is also an advantage that alignment during photo-etching becomes easy.
【００３６】なお、上記第１、第２の実施例に限定され
ず、透明基板については石英等の他の基板の使用が可能
で、単結晶半導体薄膜についてもGaAs等の他の単結晶半
導体の使用が可能である。また、単結晶半導体薄膜上に
ＭＯＳトランジスタ及び電荷蓄積のキャパシタ素子を形
成する或いはＣＭＯＳ、ダイオード素子、バイポーラ素
子等を形成するようにしても良く、液晶駆動回路を含む
周辺回路を形成するような形態を採っても良い。The present invention is not limited to the first and second embodiments described above, but other substrates such as quartz can be used for the transparent substrate, and other single crystal semiconductors such as GaAs can be used for the single crystal semiconductor thin film. Can be used. Further, a MOS transistor and a capacitor element for charge storage may be formed on the single crystal semiconductor thin film, or a CMOS, a diode element, a bipolar element, or the like may be formed, and a peripheral circuit including a liquid crystal drive circuit is formed. May be taken.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上、本発明の液晶表示用基板及びその
製造方法による場合には、次に述べるメリットが得られ
る。まず、単結晶半導体薄膜に透光穴を設けたので、透
過型の液晶表示ディスプレイとすることができ、コント
ラストが良好なＴＮ方式等を用いることができる。それ
故、バックライトを利用する等して、液晶表示ディスプ
レイの画面を明るく画質を良好にすることが可能とな
る。特に、家庭用テレビジョン等への応用も容易とな
る。また、光遮蔽層を設けた構成となっているので、こ
れにより複数の素子が光の影響を受けることなく、安定
して動作し、液晶表示ディスプレイの電気的特性が良好
となる。更に、単結晶半導体薄膜に他の周辺回路やテレ
ビジョンにおけるコントロール回路等が容易に組み込む
ことができるので、組立コストの低減化や小型化を図る
上でもメリットがある。As described above, according to the liquid crystal display substrate and the method of manufacturing the same of the present invention, the following advantages can be obtained. First, since the single crystal semiconductor thin film is provided with the light-transmitting holes, a transmissive liquid crystal display can be obtained, and a TN method or the like with good contrast can be used. Therefore, it becomes possible to brighten the screen of the liquid crystal display and improve the image quality by using a backlight or the like. In particular, the application to a home television or the like becomes easy. Further, since the light shielding layer is provided, the plurality of elements can operate stably without being affected by light, and the liquid crystal display has good electrical characteristics. Furthermore, since other peripheral circuits, a control circuit in a television, and the like can be easily incorporated in the single crystal semiconductor thin film, there is an advantage in reducing the assembly cost and downsizing.
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための図であ
って、液晶表示用基板の部分断面図である。FIG. 1 is a diagram for explaining a first embodiment of the present invention, which is a partial cross-sectional view of a liquid crystal display substrate.
【図２】第１の実施例における液晶表示用基板の製造方
法を説明するための図であって、製造プロセスを示す図
である。FIG. 2 is a diagram for explaining the manufacturing method of the liquid crystal display substrate in the first embodiment, which is a diagram illustrating a manufacturing process.
【図３】第２の実施例を説明するための図であって、製
造プロセスを示す図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the second embodiment and is a diagram showing a manufacturing process.
【図４】従来のアクティブマトリクス方式の液晶表示デ
ィスプレイの代表的な等価回路を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a typical equivalent circuit of a conventional active matrix liquid crystal display.
１ 単結晶シリコンウエハ 10 単結晶シリコン膜 18 透光穴 α ＭＯＳトランジスタ 30 プラスチック透明板 31 支持基板 41 接着層 44 ワックス 30' ガラス基板 50、50' 金属膜 1 Single crystal silicon wafer 10 Single crystal silicon film 18 Translucent hole α MOS transistor 30 Plastic transparent plate 31 Support substrate 41 Adhesive layer 44 Wax 30 'Glass substrate 50, 50' Metal film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土本 修平 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shuhei Tsuchimoto 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka
Claims (4)
ィスプレイに使用される液晶表示用基板において、液晶
セルの一方の基板である透明基板と、透明基板の面上に
形成され且つ複数の透光穴を有する単結晶半導体薄膜
と、少なくとも液晶駆動回路の一構成部であり単結晶半
導体薄膜上に形成された複数の素子と、前記複数の素子
を覆う光遮蔽層とを具備していることを特徴とすること
を特徴とする液晶表示用基板。1. A liquid crystal display substrate used for an active matrix liquid crystal display, comprising a transparent substrate which is one substrate of a liquid crystal cell, and a plurality of light transmitting holes formed on the surface of the transparent substrate. A single crystal semiconductor thin film, a plurality of elements that are at least one component of a liquid crystal drive circuit and are formed on the single crystal semiconductor thin film, and a light shielding layer that covers the plurality of elements. A liquid crystal display substrate characterized by the following.
液晶駆動回路を形成してあることを特徴とする請求項１
記載の液晶表示用基板。2. A liquid crystal drive circuit other than a plurality of elements is formed on the single crystal semiconductor thin film.
The liquid crystal display substrate described.
成し、光遮蔽層を作成した後、光遮蔽層を挟んで透明基
板を接着し、単結晶半導体ウエハの不要な部分を除去す
るとともに所定の厚さにすることにより、複数の透光穴
を有する単結晶半導体薄膜を形成することを特徴とした
請求項１記載の液晶表示用基板の製造方法。3. A plurality of devices are formed on a single crystal semiconductor wafer, a light shielding layer is formed, a transparent substrate is adhered with the light shielding layer sandwiched therebetween, and unnecessary portions of the single crystal semiconductor wafer are removed. The method for manufacturing a liquid crystal display substrate according to claim 1, wherein a single crystal semiconductor thin film having a plurality of light transmitting holes is formed by setting a predetermined thickness.
成し、更に光遮蔽層を作成した後、光遮蔽層を挟んで支
持基板を接着層で仮止めし、この状態で単結晶半導体ウ
エハの裏面を削って所定の厚さにして単結晶半導体薄膜
を形成した後、支持基板を取り外し、単結晶半導体薄膜
の不要な部分を除去することにより透光穴を形成するこ
とを特徴とした請求項１記載の液晶表示用基板の製造方
法。4. A plurality of devices are formed on a single crystal semiconductor wafer, a light shielding layer is further formed, and then a supporting substrate is temporarily fixed with an adhesive layer sandwiching the light shielding layer. In this state, the single crystal semiconductor wafer is formed. A transparent hole is formed by removing the unnecessary portion of the single crystal semiconductor thin film after removing the supporting substrate after forming the single crystal semiconductor thin film to a predetermined thickness by cutting the back surface of the single crystal semiconductor thin film. Item 2. A method for manufacturing a liquid crystal display substrate according to item 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8460992A JPH05249496A (en) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | Substrate for liquid crystal display and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8460992A JPH05249496A (en) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | Substrate for liquid crystal display and its production |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05249496A true JPH05249496A (en) | 1993-09-28 |
Family
ID=13835440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8460992A Pending JPH05249496A (en) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | Substrate for liquid crystal display and its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05249496A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413838B2 (en) | 2000-03-03 | 2002-07-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of display device |
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| US8012782B2 (en) | 1995-03-18 | 2011-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing display device |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP8460992A patent/JPH05249496A/en active Pending
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