JPH05248835A - Method and apparatus for inspecting pattern - Google Patents

Method and apparatus for inspecting pattern

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JPH05248835A
JPH05248835A JP4730992A JP4730992A JPH05248835A JP H05248835 A JPH05248835 A JP H05248835A JP 4730992 A JP4730992 A JP 4730992A JP 4730992 A JP4730992 A JP 4730992A JP H05248835 A JPH05248835 A JP H05248835A
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JP
Japan
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light
pattern
reflected
height
detected
Prior art date
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Withdrawn
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JP4730992A
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Japanese (ja)
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Tetsuo Hizuka
哲男 肥塚
Yutaka Nakamura
裕 中村
Moritoshi Ando
護俊 安藤
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain the accurate information of a height by providing a pumping-light-component extracting means and a second light-point-position detecting means. CONSTITUTION:When laser light rays L1 and L2 are projected on an object 27 to be inspected, the ray L1 is totally reflected as the reflected laser light ray r1 from an upper wiring layer pattern 27C. The height of the pattern 27C is detected with the ray r1. When the laser light ray is projected on a transparent film 27B, the excited fluorescence is generated in the film 27B when the film is the organic material. The generated amount of the fluorescence (b) in the vicinity of the surface of the film 27B becomes the maximum value. Therefore, the height of the surface of the film 27B can be detected by detecting the position. The thickness of the pattern 27C can be detected by comparing the height of the surface of the film 27B and the height of the pattern 27C. Namely, when the height of the film 27B is subtracted from the height of the pattern 27C, the thickness of the pattern 27C is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、パターンの検査方法及
びその検査装置に関し、更に詳しく言えば、プリント配
線板のパターン検査などに用いるパターン検査方法とそ
の検査装置の改善に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern inspection method and an inspection apparatus therefor, and more specifically to a pattern inspection method used for a pattern inspection of a printed wiring board and an improvement in the inspection apparatus.

【０００２】近年、電子機器の高密度化に伴い、内部の
プリント基板も高密度配線を目的とした多層薄膜パター
ンの開発が盛んになっている。この製造工程において
は、配線パターンの欠け、断線や短絡などを検査するパ
ターン検査が必須である。この検査は、配線パターンの
微細化に伴い、もはや作業者の目視では困難となってい
る。In recent years, with the increase in density of electronic devices, development of multi-layered thin film patterns for the purpose of high-density wiring on an internal printed circuit board has become popular. In this manufacturing process, a pattern inspection is indispensable for inspecting wiring patterns for chipping, disconnection, short circuit, and the like. This inspection has become difficult for the operator's visual inspection as the wiring pattern becomes finer.

【０００３】そこで、被検査対象に対して非接触で、か
つ高速自動検査を行えるパターンの検査装置の開発が強
く求められている。Therefore, there is a strong demand for the development of a pattern inspection apparatus which is capable of performing high-speed automatic inspection in a non-contact manner with respect to the inspection object.

【０００４】[0004]

【従来の技術】以下で、従来例に係るパターン検査装置
について図を参照しながら説明する。図９は、従来例に
係るパターン検査装置の構成図である。2. Description of the Related Art A conventional pattern inspection apparatus will be described below with reference to the drawings. FIG. 9 is a configuration diagram of a pattern inspection apparatus according to a conventional example.

【０００５】なお、図９においては、従来例に係るパタ
ーン検査装置において、不図示の光源によって反射され
た反射光を検出して配線パターンの位置、高さなどを検
出する光検出部の構成を示している。Incidentally, in FIG. 9, in the pattern inspection apparatus according to the conventional example, the structure of the light detecting portion for detecting the reflected light reflected by the light source (not shown) to detect the position, height, etc. of the wiring pattern is shown. Shows.

【０００６】従来例に係るパターン検査装置は、図９に
示すように、銅などから成る下層配線層37Ａ，透明な材
質から成る層間絶縁膜（例えばポリイミド）である透明
膜37Ｂ，銅などから成る上層配線パターン37Ｃが順次形
成された被検査対象37の配線パターンを検査する装置で
ある。As shown in FIG. 9, the pattern inspection apparatus according to the conventional example includes a lower wiring layer 37A made of copper or the like, a transparent film 37B which is an interlayer insulating film (for example, polyimide) made of a transparent material, and copper or the like. This is an apparatus for inspecting a wiring pattern of an inspection target 37 in which an upper layer wiring pattern 37C is sequentially formed.

【０００７】当該装置の光検出部は、図９に示すよう
に、レンズ30，ＰＳＤ（Position Sensitive Detector
，位置検出受光素子）31，高さ演算回路32及び明るさ
演算回路33から成る。As shown in FIG. 9, the photo-detecting section of the apparatus comprises a lens 30 and a PSD (Position Sensitive Detector).
, Position detection light receiving element) 31, height calculation circuit 32, and brightness calculation circuit 33.

【０００８】まず不図示の光源から被検査対象37に入射
されるレーザ光が上層配線パターン37Ｃ及びその下層の
透明膜37Ｂに斜め上方から照射されると、それぞれの層
によって反射される。First, when laser light incident on the object 37 to be inspected from a light source (not shown) irradiates the upper wiring pattern 37C and the transparent film 37B below it obliquely from above, it is reflected by each layer.

【０００９】次にレンズ30によってそれぞれの層から反
射されたレーザ光（以下反射光ＬＲという）が集光さ
れ、集光された反射光ＬＲが被検査対象37を斜め上方か
ら見込む位置に設置されたＰＳＤ31に結像され、上層配
線パターン37Ｃの像を示す検出信号Ａ，Ｂとして検出さ
れる。Next, the laser light (hereinafter referred to as reflected light LR) reflected from each layer by the lens 30 is condensed, and the condensed reflected light LR is installed at a position where the object 37 to be inspected is seen obliquely from above. An image is formed on the PSD 31 and detected as detection signals A and B indicating an image of the upper wiring pattern 37C.

【００１０】ところで、一般的には、銅などの金属で構
成される配線パターンでの反射光は明るく、樹脂などの
基板部での反射光は暗い。そこで、反射光の明るさを示
す情報（以下明るさ情報という）を検出することで上層
配線パターン37Ｃと透明膜37Ｂとの弁別がなされる。こ
の明るさ情報の検出は明るさ演算回路33によってなさ
れ、上層配線パターン37Ｃと透明膜37Ｂとの弁別は不図
示の画像処理手段によってなされる。By the way, in general, the light reflected by the wiring pattern made of metal such as copper is bright, and the light reflected by the substrate such as resin is dark. Therefore, the upper layer wiring pattern 37C and the transparent film 37B are discriminated by detecting information indicating the brightness of the reflected light (hereinafter referred to as brightness information). The brightness information is detected by the brightness calculation circuit 33, and the upper layer wiring pattern 37C and the transparent film 37B are discriminated from each other by image processing means (not shown).

【００１１】また、ＰＳＤ31に結像された反射光の像の
位置関係に基づいて高さ演算回路32によって上層配線パ
ターン37Ｃの高さを示す情報（以下高さ情報という）が
検出される。Information indicating the height of the upper wiring pattern 37C (hereinafter referred to as height information) is detected by the height calculation circuit 32 based on the positional relationship between the images of the reflected light formed on the PSD 31.

【００１２】こうして検出された高さ情報及び明るさ情
報は、不図示の画像処理部に出力され、これらの情報に
基づいて配線パターンの欠け，断線や短絡などの欠陥検
査が行われる。The height information and the brightness information thus detected are output to an image processing unit (not shown), and defect inspections such as wiring pattern breaks, disconnections and short circuits are performed based on these information.

【００１３】以上のようにして配線パターンの二次元及
び三次元（厚み）の検査をしていた。The two-dimensional and three-dimensional (thickness) inspection of the wiring pattern has been performed as described above.

【００１４】[0014]

【発明が解決しようとする課題】ところで従来例に係る
パターン検査装置によれば、図９に示すように、被検査
対象37のそれぞれの層から反射されたレーザ光線である
反射光のみに依存して被検査対象37の高さ情報を検出し
ていた。By the way, according to the pattern inspection apparatus of the conventional example, as shown in FIG. 9, it depends only on the reflected light which is the laser beam reflected from each layer of the object 37 to be inspected. The height information of the inspection target 37 was detected.

【００１５】このため、以下に示すような問題が生じ
る。ここで従来例に係るパターン検査装置の問題点につ
いて図８を参照しながら説明する。図８（ａ），
（ｂ），（ｃ）は従来例の問題点を説明する図である。Therefore, the following problems occur. Here, problems of the pattern inspection apparatus according to the conventional example will be described with reference to FIG. 8 (a),
(B), (c) is a figure explaining the problem of a prior art example.

【００１６】図８（ａ）は、被検査対象と、レーザ光線
の照射状態を示す図である。又、同図（ｂ）は、従来例
による上層配線パターンの高さの計測結果の一例を示す
グラフであり、横軸は被検査対象の表面上の位置を示
し、縦軸は計測された高さを示す。また、同図（ｃ）は
ＰＳＤ上に結像される各反射光の像の位置状態を示す。FIG. 8A is a diagram showing an object to be inspected and a laser beam irradiation state. FIG. 2B is a graph showing an example of the result of measuring the height of the upper layer wiring pattern according to the conventional example, in which the horizontal axis represents the position on the surface of the object to be inspected and the vertical axis represents the measured height. It shows Further, FIG. 3C shows the position of the image of each reflected light imaged on the PSD.

【００１７】図８（ａ）に示すように、下層配線層37
Ａ，透明膜37Ｂ，上層配線パターン37Ｃが順次形成され
た被検査対象37において、不図示の光源が発光したレー
ザ光線Ｌ１，Ｌ２が斜め上方から入射される。このと
き、上層配線パターン37Ｃに照射されたレーザ光線Ｌ１
は該上層配線パターン37Ｃによって、反射レーザ光線ｒ
１として完全に反射される。As shown in FIG. 8A, the lower wiring layer 37
Laser light beams L1 and L2 emitted from a light source (not shown) are obliquely incident on the object 37 to be inspected in which A, the transparent film 37B, and the upper wiring pattern 37C are sequentially formed. At this time, the laser beam L1 applied to the upper wiring pattern 37C
Is reflected laser beam r by the upper wiring pattern 37C.
It is completely reflected as 1.

【００１８】また、透明膜37Ｂに照射されたレーザ光線
Ｌ２は、透明膜37Ｂの表面によって反射レーザ光線ｒ２
として反射されるが、透明膜37Ｂの下層に下層配線層37
Ａが有る場合、レーザ光線Ｌ２の一部は、透明膜37Ｂを
透過して下層配線層37Ａによって反射され、再び透明膜
37Ｂを通って反射レーザ光線ｒ３として反射される。The laser beam L2 applied to the transparent film 37B is reflected by the surface of the transparent film 37B as a laser beam r2.
Is reflected as the lower wiring layer 37 under the transparent film 37B.
When there is A, a part of the laser beam L2 passes through the transparent film 37B and is reflected by the lower wiring layer 37A, and again the transparent film L2.
It is reflected as a reflected laser beam r3 through 37B.

【００１９】ところで、ＰＳＤ31には本来、上層配線パ
ターン37Ｃの高さ情報のもとになる反射レーザ光線ｒ１
の像と、透明膜37Ｂの高さ情報のもとになる反射レーザ
光線ｒ２の像が結像され、両方の像の位置関係に基づい
て上層配線パターン37Ｃの高さ情報が検出される。（図
８（ｃ）参照）しかし、従来例によると、透明膜37Ｂの
高さ情報のもとになる反射レーザ光線ｒ２の他に、下層
配線層37Ａから反射された反射レーザ光線ｒ３があたか
も透明膜37Ｂの表面から反射されるように見える（図８
（ａ）参照）ので、反射レーザ光線ｒ２，ｒ３の２つの
像Ｉ２，Ｉ３がＰＳＤ31に結像されることになる。（図
８（ｃ）参照）。By the way, the PSD 31 originally has a reflected laser beam r1 which is a source of height information of the upper wiring pattern 37C.
And the image of the reflected laser beam r2 which is the source of the height information of the transparent film 37B are formed, and the height information of the upper wiring pattern 37C is detected based on the positional relationship between both images. (See FIG. 8C.) However, according to the conventional example, in addition to the reflected laser beam r2 that is the source of the height information of the transparent film 37B, the reflected laser beam r3 reflected from the lower wiring layer 37A is as transparent as possible. It appears to be reflected from the surface of membrane 37B (Fig. 8).
Therefore, two images I2 and I3 of the reflected laser beams r2 and r3 are formed on the PSD 31. (See FIG. 8C).

【００２０】このような場合、ＰＳＤ31は結像された反
射レーザ光線ｒ２，ｒ３の像Ｉ２，Ｉ３の位置の平均位
置を算出し、該平均位置をもって透明膜37Ｂ表面からの
反射レーザ光線の像として扱う（図８（ｃ）のＩ′２参
照）。In such a case, the PSD 31 calculates the average position of the positions of the images I2 and I3 of the reflected laser beams r2 and r3 formed as an image, and the average position is used as the image of the reflected laser beam from the surface of the transparent film 37B. Handle (see I'2 in FIG. 8C).

【００２１】よって、この平均位置の像であるＩ′２に
基づいて検出される透明膜37Ｂ表面の高さも、下層配線
層表面の高さと実際の透明膜表面の高さとの平均値とし
て検出され、下層配線層表面と透明膜表面との中間の値
として検出される。Therefore, the height of the surface of the transparent film 37B detected based on the image I'2 of this average position is also detected as an average value of the height of the lower wiring layer surface and the actual height of the transparent film. , Is detected as an intermediate value between the surface of the lower wiring layer and the surface of the transparent film.

【００２２】これにより、透明膜表面の高さは、実際の
高さ（図８（ｂ）のＧ１参照）よりも低い値として検出
され、同図（ｂ）のＧ２に示すような値となる。よっ
て、上層配線パターンの厚さとしては、真の厚さｔより
も大きい値であるｔ′が検出される（図８（ｂ）参
照）。As a result, the height of the transparent film surface is detected as a value lower than the actual height (see G1 in FIG. 8B), and becomes a value as indicated by G2 in FIG. 8B. .. Therefore, as the thickness of the upper layer wiring pattern, t ′ which is a value larger than the true thickness t is detected (see FIG. 8B).

【００２３】このようにして、従来の装置においては、
高さ検出において高精度な計測値が得られないといった
問題が生じる。本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み
創作されたものであり、透明な膜の上下に金属パターン
が形成された基板において、反射光のみに依存して被検
査対象の高さ情報を検出することなく、正確な高さ情報
を得ることが可能になるパターンの検査方法及びその検
査装置の提供を目的とする。Thus, in the conventional device,
There is a problem that a highly accurate measurement value cannot be obtained in height detection. The present invention was created in view of the problems of the conventional example, and detects height information of an object to be inspected by relying only on reflected light in a substrate in which metal patterns are formed above and below a transparent film. It is an object of the present invention to provide a pattern inspecting method and an inspecting apparatus for the pattern that enable accurate height information to be obtained without performing the above.

【００２４】[0024]

【課題を解決するための手段】図１は、本発明に係るパ
ターンの検査方法及びその検査装置の原理図である。本
発明に係るパターンの検査方法は、図１（ａ）に示すよ
うに、光Ｌが照射されると励起光ＥＬを発生し、かつ前
記光Ｌを透過する透明基板17Ａの上層に、前記光Ｌを反
射する配線層17Ｂが設けられた被検査対象17の配線パタ
ーンを検査する方法であって、前記被検査対象17に光Ｌ
を照射し、前記配線層17Ｂから反射される反射光ＲＬの
位置を検出し、前記光Ｌの照射によって前記透明基板17
Ａから励起される励起光ＥＬの位置を検出し、前記反射
光ＲＬの位置と励起光ＥＬの位置とに基づいて前記配線
層17Ｂの高さを検出することを特徴とする。FIG. 1 is a principle diagram of a pattern inspection method and its inspection apparatus according to the present invention. As shown in FIG. 1A, the pattern inspection method according to the present invention generates the excitation light EL when irradiated with the light L, and transmits the light L on the transparent substrate 17A above the transparent substrate 17A. A method for inspecting a wiring pattern of an inspected object 17 provided with a wiring layer 17B that reflects L, comprising:
And the position of the reflected light RL reflected from the wiring layer 17B is detected, and the transparent substrate 17 is irradiated with the light L.
The position of the excitation light EL excited from A is detected, and the height of the wiring layer 17B is detected based on the position of the reflected light RL and the position of the excitation light EL.

【００２５】また、本発明に係る第１のパターンの検査
装置は、図１（ｂ）に示すように、本発明に係るパター
ンの検査方法を実施する検査装置であって、少なくと
も、被検査対象17に光Ｌを照射する光源10と、前記被検
査対象17によって反射される反射光ＲＬの位置を検出す
る第１の光点位置検出手段11を備えたパターン検査装置
において、前記反射光ＲＬ及び励起光ＥＬを分割する光
分割手段12と、被検査対象17から発生される前記反射光
ＲＬ及び励起光ＥＬの中から前記励起光ＥＬのみを抽出
する励起光成分抽出手段13と、前記励起光ＥＬの位置を
検出する第２の光点位置検出手段14とを設けたことを特
徴とする。The first pattern inspection apparatus according to the present invention is an inspection apparatus for carrying out the pattern inspection method according to the present invention, as shown in FIG. In the pattern inspection apparatus including the light source 10 for irradiating the light L to the light 17 and the first light spot position detection means 11 for detecting the position of the reflected light RL reflected by the object 17 to be inspected, A light splitting means 12 for splitting the excitation light EL, an excitation light component extraction means 13 for extracting only the excitation light EL from the reflected light RL and the excitation light EL generated from the inspection object 17, and the excitation light. Second light spot position detecting means 14 for detecting the EL position is provided.

【００２６】さらに、本発明に係る第２のパターンの検
査装置は、図１（ｃ）に示すように、本発明に係るパタ
ーンの検査方法を実施する検査装置であって、少なくと
も、被検査対象17に光Ｌを照射する光源10と、前記光Ｌ
の反射光ＲＬの位置を検出する光点位置検出手段15を備
えたパターン検査装置において、前記被検査対象17と、
光点位置検出手段15との間に光波長減衰フィルタ16が設
けられ、前記光波長減衰フィルタ16は、前記光源10の波
長の反射光ＲＬを減衰し、励起光ＥＬを透過させるもの
であることを特徴とし、上記目的を達成する。Furthermore, the second pattern inspection apparatus according to the present invention is an inspection apparatus for carrying out the pattern inspection method according to the present invention, as shown in FIG. A light source 10 for irradiating the light L to the light 17,
In the pattern inspection device provided with the light spot position detection means 15 for detecting the position of the reflected light RL,
An optical wavelength attenuating filter 16 is provided between the optical spot position detecting means 15 and the optical wavelength attenuating filter 16 attenuates the reflected light RL having the wavelength of the light source 10 and transmits the excitation light EL. The above object is achieved.

【００２７】[0027]

【作 用】本発明に係るパターンの検査方法によれば、
図１（ａ）に示すように、ステップＰ２で反射光ＲＬの
位置を検出し、ステップＰ３で励起光ＥＬの位置を検出
し、ステップＰ４で反射光ＲＬの位置と励起光ＥＬの位
置とに基づいて配線層17Ｂの高さを検出している。[Operation] According to the pattern inspection method of the present invention,
As shown in FIG. 1A, the position of the reflected light RL is detected in step P2, the position of the excitation light EL is detected in step P3, and the position of the reflected light RL and the position of the excitation light EL are detected in step P4. Based on this, the height of the wiring layer 17B is detected.

【００２８】このため、反射光ＲＬにのみ依存して高さ
を検出していた従来例に比して、透明基板Ｔ１から発生
される励起光ＥＬの発生位置を検出することができる。
これにより、励起光ＥＬの発生位置と反射光ＲＬの位置
とを比較対照することにより、高精度な高さ情報を得る
ことが可能になる。Therefore, it is possible to detect the generation position of the excitation light EL generated from the transparent substrate T1 as compared with the conventional example in which the height is detected only depending on the reflected light RL.
This makes it possible to obtain highly accurate height information by comparing and comparing the generation position of the excitation light EL and the position of the reflected light RL.

【００２９】また、本発明に係る第１のパターンの検査
装置によれば、図１（ｂ）に示すように、少なくとも、
光源10と、第１の光点位置検出手段11を備えたパターン
検査装置において、光分割手段12と、励起光成分抽出手
段13と、第２の光点位置検出手段14を設けている。According to the first pattern inspection apparatus of the present invention, as shown in FIG.
The pattern inspection apparatus including the light source 10 and the first light spot position detecting means 11 is provided with the light splitting means 12, the excitation light component extracting means 13, and the second light spot position detecting means 14.

【００３０】例えば、光源10によって被検査対象17に光
Ｌが照射され、第１の光点位置検出手段11によって反射
光ＲＬの位置が検出され、光分割手段12によって反射光
ＲＬ及び励起光ＥＬが分割され、励起光成分抽出手段13
によって被検査対象17から発生される反射光ＲＬ及び励
起光ＥＬの中から励起光ＥＬのみが抽出され、第２の光
点位置検出手段14によって励起光ＥＬの位置が検出され
る。For example, the light L is irradiated onto the object 17 to be inspected by the light source 10, the position of the reflected light RL is detected by the first light spot position detecting means 11, and the reflected light RL and the excitation light EL are detected by the light dividing means 12. Is divided, and the excitation light component extraction means 13
Thus, only the excitation light EL is extracted from the reflected light RL and the excitation light EL generated from the inspection object 17, and the position of the excitation light EL is detected by the second light spot position detecting means 14.

【００３１】このため、被検査対象17から励起される励
起光ＥＬの位置を検出することが可能になる。これによ
り、被検査対象17から反射される反射光ＲＬの位置と励
起光ＥＬの位置とに基づいて精度の高い高さ測定が可能
になる。Therefore, it becomes possible to detect the position of the excitation light EL excited from the object 17 to be inspected. This enables highly accurate height measurement based on the position of the reflected light RL reflected from the inspection object 17 and the position of the excitation light EL.

【００３２】さらに、本発明に係る第２のパターンの検
査装置によれば、図１（ｃ）に示すように、少なくと
も、光源10と、光点位置検出手段15を備えたパターン検
査装置において、光波長減衰フィルタ16を光点位置検出
手段15に設けている。Further, according to the second pattern inspection apparatus of the present invention, as shown in FIG. 1C, in the pattern inspection apparatus including at least the light source 10 and the light spot position detecting means 15, An optical wavelength attenuation filter 16 is provided in the light spot position detecting means 15.

【００３３】例えば、光源10によって被検査対象17に光
Ｌが照射され、光波長減衰フィルタ16によって光源10の
波長の反射光ＲＬが減衰され、励起光ＥＬが透過され
る。このため、反射光ＲＬのみを減衰することにより、
反射光ＲＬと、微弱な励起光ＥＬの光量とを同一レベル
で扱うことができるので、一個の光点位置検出手段15に
よって光Ｌの反射光ＲＬの位置と励起光ＥＬの位置との
両方を検出することが可能になる。For example, the light source 10 irradiates the object 17 to be inspected with the light L, the optical wavelength attenuation filter 16 attenuates the reflected light RL having the wavelength of the light source 10, and the excitation light EL is transmitted. Therefore, by attenuating only the reflected light RL,
Since the reflected light RL and the light amount of the weak excitation light EL can be handled at the same level, both the position of the reflected light RL of the light L and the position of the excitation light EL can be detected by one light spot position detection means 15. It becomes possible to detect.

【００３４】これにより、被検査対象から反射される反
射光の位置と励起光の位置とに基づいて精度の高い高さ
測定が可能になる。This enables highly accurate height measurement based on the position of the reflected light reflected from the object to be inspected and the position of the excitation light.

【００３５】[0035]

【実施例】次に図を参照しながら本発明の実施例につい
て説明をする。図２〜図７は、本発明の実施例に係るパ
ターンの検査方法及びその検査装置を説明する図であ
る。以下で、本発明の実施例に係るパターンの検査方法
を実施する検査装置及びその検査方法について図２〜図
７を参照しながら説明する。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. 2 to 7 are views for explaining the pattern inspection method and the inspection apparatus therefor according to the embodiment of the present invention. An inspection apparatus and an inspection method for implementing the pattern inspection method according to the embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【００３６】（１）第１の実施例 以下で、各実施例に係るパターンの検査装置について図
２を参照しながら説明する。図２は、本発明の各実施例
に係るパターンの検査装置の構成図である。(1) First Example A pattern inspection apparatus according to each example will be described below with reference to FIG. FIG. 2 is a configuration diagram of a pattern inspection apparatus according to each embodiment of the present invention.

【００３７】本発明の各実施例に係るパターンの検査装
置は、光照射部Ｍ１，被検査対象支持部Ｍ２，パターン
検出部Ｍ３及び画像処理部Ｍ４から成る。光照射部Ｍ１
は、光Ｌの一例であるレーザ光線を被検査対象27に照射
するものであり、被検査対象支持部Ｍ２は、被検査対象
27を支持して、レーザ光線の走査に応じて移動させたり
するものである。また、パターン検出部Ｍ３は、該被検
査対象27によって反射された反射光に基づいて被検査対
象27のパターンの状態を示すパターン情報を検出するも
のである。The pattern inspection apparatus according to each embodiment of the present invention comprises a light irradiation section M1, an inspected object support section M2, a pattern detection section M3 and an image processing section M4. Light irradiation part M1
Is for irradiating the inspected object 27 with a laser beam which is an example of the light L, and the inspected object support portion M2 is the inspected object 27.
It supports 27 and moves it according to the scanning of the laser beam. The pattern detection unit M3 detects pattern information indicating the state of the pattern of the inspection target 27 based on the reflected light reflected by the inspection target 27.

【００３８】画像処理部Ｍ４は、パターン検出部Ｍ３に
よって検出されたパターン情報に基づいてパターン信号
画像を求め、それを基準とするパターン信号画像と比較
することにより、配線パターンの欠け，断線，短絡など
の欠陥検査を行うものである。本発明の各実施例におい
ては、特に上記したパターン検出部Ｍ３について特徴が
あるので、該パターン検出部Ｍ３について説明する。The image processing unit M4 obtains a pattern signal image based on the pattern information detected by the pattern detection unit M3, and compares it with a pattern signal image using the pattern information as a reference, whereby the wiring pattern is broken, broken, or short-circuited. For example, the defect inspection is performed. In each of the embodiments of the present invention, since the above-mentioned pattern detecting section M3 is particularly characteristic, the pattern detecting section M3 will be described.

【００３９】以下で本発明の第１の実施例に係るパター
ン検出部について図３を参照しながら説明する。図３
は、本発明の第１の実施例に係るパターン検出部の構成
図である。The pattern detecting section according to the first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. Figure 3
FIG. 3 is a configuration diagram of a pattern detection unit according to the first embodiment of the present invention.

【００４０】本実施例に係るパターン検出部は、図３に
示すように、下層配線層27Ａ，透明膜27Ｂ，上層配線パ
ターン27Ｃが順次形成された被検査対象27の上層配線パ
ターン27Ｃのパターンの厚さを検出する装置であって、
その構成は、レンズ30、１：ｎ分割ミラー22、ＮＤ（Ne
utral Decrement ）フィルタ21Ａ，第１のＰＳＤ21Ｂ，
高さ演算回路21Ｃ，照明光波長カットフィルタ23，第２
のＰＳＤ24Ａ，基材高さ演算回路24Ｂ，明るさ演算回路
24Ｃ及び選択回路25から成る。As shown in FIG. 3, the pattern detecting unit according to the present embodiment has a pattern of an upper wiring pattern 27C of an object 27 to be inspected in which a lower wiring layer 27A, a transparent film 27B and an upper wiring pattern 27C are sequentially formed. A device for detecting thickness,
The structure is as follows: lens 30, 1: n split mirror 22, ND (Ne
utral Decrement) filter 21A, first PSD 21B,
Height calculation circuit 21C, illumination light wavelength cut filter 23, second
PSD24A, substrate height calculation circuit 24B, brightness calculation circuit
24C and a selection circuit 25.

【００４１】レンズ30は、不図示の光照射部から照射さ
れたレーザ光線Ｌａの被検査対象27による反射光や、透
明膜27Ｂから発光される蛍光を集光して１：ｎ分割ミラ
ー22に照射するものである。The lens 30 collects the reflected light of the laser beam La radiated from the light irradiation unit (not shown) by the object 27 to be inspected and the fluorescence emitted from the transparent film 27B to the 1: n split mirror 22. It is to irradiate.

【００４２】１：ｎ分割ミラー22は、光分割手段12の一
実施例であり、自身に照射される反射光や蛍光などの光
の一部を透過し、一部を反射させることによって光量を
１：ｎの比でそれぞれ異なる方向に分割するものであ
る。なお、蛍光は励起光ＥＬの一例であり、レーザが透
明膜27Ｂに照射されることにより発光する。蛍光を用い
た位置検出などについては後に詳述する。The 1: n splitting mirror 22 is one embodiment of the light splitting means 12, and transmits a part of the light such as reflected light or fluorescent light radiated to itself and reflects a part thereof to change the light amount. It is divided into different directions at a ratio of 1: n. The fluorescence is an example of the excitation light EL, and emits light when the transparent film 27B is irradiated with laser. Position detection using fluorescence will be described later in detail.

【００４３】ＮＤフィルタ21Ａ，第１のＰＳＤ21Ｂ，高
さ演算回路21Ｃは第１の光点位置検出手段11の一実施例
を構成するものである。ここで、ＮＤフィルタ21Ａは、
自身に照射される光の光量を減衰して透過するものであ
る。The ND filter 21A, the first PSD 21B, and the height calculation circuit 21C constitute one embodiment of the first light spot position detecting means 11. Here, the ND filter 21A is
It attenuates the amount of light applied to itself and transmits it.

【００４４】第１のＰＳＤ21Ｂは、上層配線パターン27
Ｃから反射され、ＮＤフィルタ21Ａによって減衰された
反射光の位置を検出して上層配線パターン27Ｃの高さ情
報の基になる検出信号Ａ，Ｂを高さ演算回路21Ｃに出力
するものである。The first PSD 21B is the upper layer wiring pattern 27.
The position of the reflected light reflected from C and attenuated by the ND filter 21A is detected, and the detection signals A and B, which are the basis of the height information of the upper wiring pattern 27C, are output to the height calculation circuit 21C.

【００４５】高さ演算回路21Ｃは、第１のＰＳＤ21Ｂか
ら出力された上層配線パターン27Ｃの高さ情報の基にな
る検出信号Ａ，Ｂに基づいて上層配線パターン27Ｃの高
さ情報を算出し、後述の選択回路25へ出力するものであ
る。The height calculation circuit 21C calculates the height information of the upper layer wiring pattern 27C based on the detection signals A and B which are the basis of the height information of the upper layer wiring pattern 27C output from the first PSD 21B, This is output to the selection circuit 25 described later.

【００４６】照明光波長カットフィルタ23は、励起光成
分抽出手段13の一実施例であり、反射光の波長をカット
して蛍光成分のみを透過するフィルタである。第２のＰ
ＳＤ24Ａ，基材高さ演算回路24Ｂ及び明るさ演算回路24
Ｃは、第２の光点位置検出手段14の一実施例を構成する
ものである。第２のＰＳＤ24Ａは、透明膜27Ｂの表面近
くから発光される蛍光の発光位置及びその明るさを検出
するものであって、透明膜27Ｂの高さ情報の基になる情
報及び蛍光の明るさ情報の基になる検出信号Ａ，Ｂを基
材高さ演算回路24Ｂに出力するものである。The illumination light wavelength cut filter 23 is an embodiment of the excitation light component extraction means 13 and is a filter that cuts the wavelength of the reflected light and transmits only the fluorescence component. Second P
SD24A, substrate height calculation circuit 24B and brightness calculation circuit 24
C constitutes an embodiment of the second light spot position detecting means 14. The second PSD 24A detects the light emission position and the brightness of the fluorescence emitted from the vicinity of the surface of the transparent film 27B, and is the information on which the height information of the transparent film 27B is based and the brightness information of the fluorescence. The detection signals A and B, which are the basis of the above, are output to the substrate height calculation circuit 24B.

【００４７】基材高さ演算回路24Ｂは、第２のＰＳＤ24
Ａから出力された透明膜27Ｂ表面の高さ情報に基づいて
透明膜27Ｂの高さ情報を算出し、後述の選択回路25へ出
力するものである。The substrate height calculation circuit 24B is the second PSD 24.
The height information of the transparent film 27B is calculated based on the height information of the surface of the transparent film 27B output from A, and is output to the selection circuit 25 described later.

【００４８】明るさ演算回路24Ｃは第２のＰＳＤ24Ａか
ら出力された透明膜27Ｂから発光される蛍光の明るさ情
報の基になる検出信号Ａ，Ｂに基づいて明るさ情報Ａ＋
Ｂを算出する。The brightness calculation circuit 24C outputs the brightness information A + based on the detection signals A and B which are the basis of the brightness information of the fluorescence emitted from the transparent film 27B output from the second PSD 24A.
Calculate B.

【００４９】この明るさ情報Ａ＋Ｂをあるスライスレベ
ルで二値化し、この二値化された信号（明るさ信号）を
選択回路25及び不図示の画像処理部へと出力する。当該
明るさ演算回路24Ｃは蛍光のみの明るさを検出するの
で、金属からなる配線パターンの形成された領域では第
２のＰＳＤ24Ａが蛍光を検出できない。This brightness information A + B is binarized at a certain slice level, and this binarized signal (brightness signal) is output to the selection circuit 25 and an image processing unit (not shown). Since the brightness calculation circuit 24C detects only the brightness of the fluorescence, the second PSD 24A cannot detect the fluorescence in the area where the wiring pattern made of metal is formed.

【００５０】よって、当該明るさ信号は、被検査対象に
おいて、レーザの照射領域が上層配線パターン27Ｃの形
成された領域上では０になり、透明膜27Ｂの形成された
領域上では１になる。かくして上層配線パターン27Ｃと
透明膜27Ｂの弁別をしている。Therefore, the brightness signal becomes 0 on the region to be inspected where the laser is irradiated, on the region where the upper layer wiring pattern 27C is formed, and becomes 1 on the region where the transparent film 27B is formed. Thus, the upper wiring pattern 27C and the transparent film 27B are discriminated.

【００５１】選択回路25は、上層配線パターン27Ｃ，透
明膜27Ｂのいずれかの高さ情報を不図示の画像処理部に
選択出力するものである。すなわち、明るさ演算回路24
Ｃから出力される二値化信号が０のときは高さ演算回路
21Ｃから出力される上層配線パターン27Ｃの高さ情報が
不図示の画像処理部へ出力され、二値化信号が１のとき
は基材高さ演算回路24Ｂから出力される透明膜27Ｂの高
さ情報が画像処理部へと出力される。The selection circuit 25 selectively outputs the height information of either the upper wiring pattern 27C or the transparent film 27B to an image processing unit (not shown). That is, the brightness calculation circuit 24
Height calculation circuit when the binary signal output from C is 0
The height information of the upper wiring pattern 27C output from 21C is output to an image processing unit (not shown), and when the binarization signal is 1, the height of the transparent film 27B output from the substrate height calculation circuit 24B. Information is output to the image processing unit.

【００５２】以上のようにして、本発明の第１の実施例
に係るパターンの検査装置によれば、図３に示すよう
に、１：ｎ分割ミラー22と、照明光波長カットフィルタ
23と、第２のＰＳＤ24Ａ，基材高さ演算回路24Ｂ，明る
さ演算回路24Ｃとを設けている。As described above, according to the pattern inspection apparatus of the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3, the 1: n split mirror 22 and the illumination light wavelength cut filter are used.
23, a second PSD 24A, a base material height calculation circuit 24B, and a brightness calculation circuit 24C.

【００５３】例えば、光照射部によって被検査対象27に
レーザ光線Ｌａが照射され、１：ｎ分割ミラー22によっ
て反射光及び蛍光が二方向に分割され、照明光波長カッ
トフィルタ23によって被検査対象27から発生される反射
光及び蛍光の中から蛍光のみが抽出され、第２のＰＳＤ
24Ａ，基材高さ演算回路24Ｂ，明るさ演算回路24Ｃによ
って蛍光の発光位置が検出される。For example, the object 27 to be inspected is irradiated with the laser beam La by the light irradiator, the reflected light and the fluorescence are split into two directions by the 1: n split mirror 22, and the object 27 to be inspected by the illumination light wavelength cut filter 23. Only the fluorescence is extracted from the reflected light and the fluorescence generated from the second PSD.
The light emission position of the fluorescence is detected by 24A, the base material height calculation circuit 24B, and the brightness calculation circuit 24C.

【００５４】このため、被検査対象27から励起される蛍
光の位置を検出することが可能になる。これにより、被
検査対象27から反射される反射光の位置と蛍光の位置と
に基づいて精度の高い高さ測定が可能になる。Therefore, it becomes possible to detect the position of the fluorescence excited from the inspection object 27. This enables highly accurate height measurement based on the position of the reflected light reflected from the inspection target 27 and the position of the fluorescent light.

【００５５】以下で、本発明の各実施例に係る、蛍光に
よる位置検出を用いたパターンの検査方法について図４
を参照しながら説明する。図４は、本発明の各実施例に
係るパターンの検査方法の説明図である。A method of inspecting a pattern using position detection by fluorescence according to each embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
Will be described with reference to. FIG. 4 is an explanatory diagram of a pattern inspection method according to each embodiment of the present invention.

【００５６】図４（ａ）は、下層配線層27Ａ，透明膜27
Ｂ，上層配線パターン27Ｃが順次形成された被検査対象
27にレーザ光線Ｌ１，Ｌ２が入射したときの状態を示し
ている。FIG. 4A shows the lower wiring layer 27A and the transparent film 27.
B, object to be inspected in which upper layer wiring pattern 27C is sequentially formed
27 shows a state in which the laser beams L1 and L2 are incident on 27.

【００５７】まず、不図示の光照射部からレーザ光線Ｌ
１，Ｌ２が、被検査対象27に向けて照射される。こうし
て照射されたレーザ光線Ｌ１，Ｌ２のうち、レーザ光線
Ｌ１は上層配線パターン27Ｃによって完全に反射され、
反射レーザ光線ｒ１として反射される。この反射レーザ
光線ｒ１によって、上層配線パターン27Ｃの高さが検出
される。First, a laser beam L is emitted from a light irradiation unit (not shown).
1, L2 is irradiated toward the inspection target 27. Of the laser beams L1 and L2 thus irradiated, the laser beam L1 is completely reflected by the upper wiring pattern 27C,
The reflected laser beam r1 is reflected. The height of the upper wiring pattern 27C is detected by the reflected laser beam r1.

【００５８】ところで、レーザ光線が透明膜27Ｂに照射
されると、その内部に浸透されていくが、この透明膜27
Ｂが例えばポリイミドなどの有機物質であるときには、
透明膜27Ｂ内部にレーザ光線によって励起された蛍光が
発生する。By the way, when the transparent film 27B is irradiated with the laser beam, it penetrates into the transparent film 27B.
When B is an organic substance such as polyimide,
Fluorescence excited by the laser beam is generated inside the transparent film 27B.

【００５９】図４（ｂ）は、この蛍光の発光量と、透明
膜27Ｂの表面からの深さとの相互関係を示すグラフであ
って、横軸に蛍光発光量を、縦軸に表面からの深さをそ
れぞれとっている。図４（ｂ）に示すように、発生され
た蛍光の発光量は、表面近くで大きくなり、その内部の
深さ方向に進むほど小さくなる。FIG. 4B is a graph showing the interrelationship between the fluorescence emission amount and the depth from the surface of the transparent film 27B. The horizontal axis represents the fluorescence emission amount and the vertical axis represents the surface emission amount. Each depth is taken. As shown in FIG. 4 (b), the amount of emitted fluorescent light increases near the surface and decreases in the depth direction inside the surface.

【００６０】すなわち、透明膜27Ｂの表面近くにおいて
蛍光の発光量が最大になるので、該発光量が最大になる
位置を検出することによって、透明膜27Ｂの表面の高さ
を検出することが出来る。That is, since the amount of fluorescence emitted is maximum near the surface of the transparent film 27B, the height of the surface of the transparent film 27B can be detected by detecting the position where the amount of emitted fluorescence is maximum. ..

【００６１】こうして求めた透明膜27Ｂ表面の高さと、
反射レーザ光線ｒ１に基づいて得られる上層配線パター
ン27Ｃの高さとを比較することによって、該上層配線パ
ターン27Ｃの厚さｔが検出できる。すなわち、上層配線
パターン27Ｃの高さから透明膜27Ｂの高さを引けば、上
層配線パターン27Ｃの厚さが求められる。The height of the surface of the transparent film 27B thus obtained,
The thickness t of the upper layer wiring pattern 27C can be detected by comparing with the height of the upper layer wiring pattern 27C obtained based on the reflected laser beam r1. That is, by subtracting the height of the transparent film 27B from the height of the upper layer wiring pattern 27C, the thickness of the upper layer wiring pattern 27C can be obtained.

【００６２】以下で、本発明の第１の実施例に係るパタ
ーン検査装置を用いた検査方法について当該装置の動作
を補足しながら説明する。図５は、本発明の第１の実施
例に係るパターンの検査方法を説明するフローチャート
である。An inspection method using the pattern inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described below, supplementing the operation of the apparatus. FIG. 5 is a flowchart illustrating a pattern inspection method according to the first embodiment of the present invention.

【００６３】まず、図５のステップＰ１で、下層配線層
27Ａ，透明膜27Ｂ，上層配線パターン27Ｃが順次形成さ
れた被検査対象27（図３参照）に、レーザ光線Ｌａを照
射する。このとき、該レーザ光線Ｌａは不図示の光照射
部から照射される。First, in step P1 of FIG. 5, the lower wiring layer is
27 A, the transparent film 27 B, and the upper wiring pattern 27 C are sequentially formed on the object 27 to be inspected (see FIG. 3), and the laser beam La is irradiated. At this time, the laser beam La is emitted from a light irradiation unit (not shown).

【００６４】次に、ステップＰ２で被検査対象27からの
反射光及び蛍光を集光する。このとき、該集光はレンズ
30によってなされる。なお、ここで反射光とは被検査対
象27によってレーザ光線Ｌａが反射された光であり、ま
た、蛍光とは、レーザ光線Ｌａの照射によって被検査対
象27の透明膜27Ｂから励起されて発光する光である。Next, in step P2, the reflected light and fluorescence from the object 27 to be inspected are collected. At this time, the light is condensed
Made by 30. Here, the reflected light is the light in which the laser beam La is reflected by the inspection object 27, and the fluorescence is emitted from the transparent film 27B of the inspection object 27 by the irradiation of the laser beam La. Light.

【００６５】次いで、ステップＰ３で反射光及び蛍光を
２方向に分割する。このとき、該分割は１：ｎ分割ミラ
ー22によってなされる。すなわち、１：ｎ分割ミラー22
自身に照射される反射光や蛍光などの光の一部が透過さ
れ、残部が反射され、その光量が１：ｎの比でそれぞれ
異なる方向に分割される。その光のうち、一方は第１の
ＰＳＤ21Ｂに向けて進行し、他方は第２のＰＳＤ24Ａに
向けて進行する。Then, in step P3, the reflected light and the fluorescent light are split into two directions. At this time, the division is performed by the 1: n division mirror 22. That is, the 1: n split mirror 22
A part of the light such as reflected light or fluorescent light that is applied to itself is transmitted and the rest is reflected, and the light amount is divided into different directions at a ratio of 1: n. One of the lights travels toward the first PSD 21B and the other travels toward the second PSD 24A.

【００６６】さらに、ステップＰ４で第１のＰＳＤ21Ｃ
に進行する光の光量を減衰させる。このとき、この光の
減衰はＮＤフィルタ21Ａによってなされ、自身に照射さ
れる光の光量が減衰されかつ第１のＰＳＤ21Ｂに向けて
透過される。Further, in step P4, the first PSD 21C
Attenuate the amount of light traveling to. At this time, the light is attenuated by the ND filter 21A, the light amount of the light irradiated on the light is attenuated, and the light is transmitted toward the first PSD 21B.

【００６７】次いで、ステップＰ５で上層配線パターン
27Ｃにおける反射光の反射する位置を検出する。このと
き、第１のＰＳＤ21Ｂによって、減衰された反射光の位
置が検出され、かつ上層配線パターン27Ｃの高さ情報の
基になる検出信号Ａ，Ｂが高さ演算回路21Ｃに出力され
る。Then, in step P5, the upper wiring pattern is formed.
The position where the reflected light is reflected at 27C is detected. At this time, the position of the attenuated reflected light is detected by the first PSD 21B, and the detection signals A and B, which are the basis of the height information of the upper layer wiring pattern 27C, are output to the height calculation circuit 21C.

【００６８】すなわち、第１のＰＳＤ21Ｂから出力され
た検出信号Ａ，Ｂに基づいて上層配線パターン27Ｃの高
さ情報｛（Ａ−Ｂ）／（Ａ＋Ｂ）｝が高さ演算回路21Ｃ
によって算出され、選択回路25へ出力される。That is, the height information {(A-B) / (A + B)} of the upper wiring pattern 27C is calculated based on the detection signals A and B output from the first PSD 21B and the height calculation circuit 21C.
Is calculated and output to the selection circuit 25.

【００６９】一方、ステップＰ６で、第２のＰＳＤ24Ａ
に向けて進行する光の反射光成分の波長をカットする。
このとき、当該カットは、照明光波長カットフィルタ23
によってなされ、その蛍光成分のみが当該カットフィル
タ23を透過される。On the other hand, in step P6, the second PSD 24A
The wavelength of the reflected light component of the light traveling toward is cut.
At this time, the cut is the illumination light wavelength cut filter 23.
Then, only the fluorescent component is transmitted through the cut filter 23.

【００７０】次に、ステップＰ７で、照明光波長カット
フィルタ23を透過された蛍光の発光位置、明るさを検出
する。このとき、該発光位置、明るさの検出は、第２の
ＰＳＤ24Ａによってなされる。Next, in step P7, the emission position and brightness of the fluorescence transmitted through the illumination light wavelength cut filter 23 are detected. At this time, detection of the light emitting position and brightness is performed by the second PSD 24A.

【００７１】すなわち、蛍光成分の像が第２のＰＳＤ24
Ａに結像され、透明膜27Ｂの高さ情報の基になる検出信
号Ａ′，Ｂ′が基材高さ演算回路24Ｂに出力され、第２
のＰＳＤ24Ａによって出力された検出信号Ａ′，Ｂ′に
基づいて透明膜27Ｂの高さ情報｛（Ａ′−Ｂ′）／
（Ａ′＋Ｂ′）｝が基材高さ演算回路24Ｂ によって算
出され、選択回路25へ出力される。That is, the image of the fluorescent component is the second PSD 24.
The detection signals A'and B ', which are imaged on A and are the basis of the height information of the transparent film 27B, are output to the base material height calculation circuit 24B, and the second
Based on the detection signals A'and B'output by the PSD 24A, the height information of the transparent film 27B {(A'-B ') /
(A '+ B')} is calculated by the base material height calculation circuit 24B and output to the selection circuit 25.

【００７２】また、同時にＡ′，Ｂ′に基づいて明るさ
情報であるＡ′＋Ｂ′が基材高さ演算回路24Ｂ によっ
て算出され、適当なスライスレベルによって二値化され
た、明るさ信号として選択回路25に出力される。At the same time, based on A'and B ', brightness information A' + B 'is calculated by the substrate height calculation circuit 24B and binarized as a brightness signal by an appropriate slice level. It is output to the selection circuit 25.

【００７３】さらに、ステップＰ７で検出された蛍光の
明るさ信号に基づいて、ステップＰ８で上層配線パター
ン27Ｃの高さ情報｛（Ａ−Ｂ）／（Ａ＋Ｂ）｝と、透明
膜27Ｂの高さ情報｛（Ａ′−Ｂ′）／（Ａ′＋Ｂ′）｝
とのいずれかを選択して、画像処理部へと出力する。Further, based on the fluorescence brightness signal detected in step P7, the height information {(AB) / (A + B)} of the upper wiring pattern 27C and the height of the transparent film 27B are obtained in step P8. Information {(A'-B ') / (A' + B ')}
Is output to the image processing unit.

【００７４】このとき、該選択出力処理は、選択回路25
によってなされる。すなわち、明るさ演算回路24Ｃから
選択回路25に明るさ信号が出力され、該明るさ信号に基
づいて、上層配線パターン27Ｃの高さ情報｛（Ａ−Ｂ）
／（Ａ＋Ｂ）｝と透明膜27Ｂの高さ情報｛（Ａ′−
Ｂ′）／（Ａ′＋Ｂ′）｝との高さ情報のいずれかが選
択回路25によって選択出力される。At this time, the selection output process is performed by the selection circuit 25.
Done by That is, the brightness signal is output from the brightness calculation circuit 24C to the selection circuit 25, and based on the brightness signal, the height information of the upper wiring pattern 27C {(AB)
/ (A + B)} and the height information of the transparent film 27B {(A'-
Any one of the height information of B ') / (A' + B ')} is selectively output by the selection circuit 25.

【００７５】例えば、明るさ演算回路24Ｃは、蛍光の明
るさのみを検出するので、レーザ光線が金属からなる上
層配線パターン27Ｃ上に照射されるときには蛍光が発光
されず、従って蛍光の明るさが検出されない。よってこ
のときの明るさ信号を０とする。また、透明膜27Ｂ上で
は蛍光が発光するので、蛍光の明るさが検出される。よ
って明るさ信号を１とする。For example, since the brightness calculation circuit 24C detects only the brightness of the fluorescent light, the fluorescent light is not emitted when the laser beam is applied onto the upper wiring pattern 27C made of metal, and therefore the brightness of the fluorescent light is reduced. Not detected. Therefore, the brightness signal at this time is set to zero. Further, since the fluorescence is emitted on the transparent film 27B, the brightness of the fluorescence is detected. Therefore, the brightness signal is set to 1.

【００７６】このようにして、ＰＳＤによって検出され
た光が上層配線パターン27Ｃの反射光と、透明膜27Ｂの
蛍光とのいずれの光であるかを、明るさ信号を用いて弁
別することができる。In this way, whether the light detected by the PSD is the reflected light of the upper wiring pattern 27C or the fluorescent light of the transparent film 27B can be discriminated using the brightness signal. ..

【００７７】すると、上述した明るさ信号が０のとき
に、上層配線パターン27Ｃの高さ情報｛（Ａ−Ｂ）／
（Ａ＋Ｂ）｝が選択回路25によって選択出力され、該明
るさ信号が１のときに透明膜27Ｂの高さ情報｛（Ａ′−
Ｂ′）／（Ａ′＋Ｂ′）｝が選択回路25によって選択出
力される。Then, when the above-mentioned brightness signal is 0, the height information of the upper layer wiring pattern 27C {(AB) /
(A + B)} is selectively output by the selection circuit 25, and when the brightness signal is 1, the height information of the transparent film 27B {(A'-
B ') / (A' + B ')} is selectively output by the selection circuit 25.

【００７８】こうして出力された２種類の高さ情報
｛（Ａ−Ｂ）／（Ａ＋Ｂ）｝，｛（Ａ′−Ｂ′）／
（Ａ′＋Ｂ′）｝に基づいて、ステップＰ９で上層配線
パターン27Ｃの厚さを求める。Two types of height information thus output {(A-B) / (A + B)}, {(A'-B ') /
Based on (A '+ B')}, the thickness of the upper wiring pattern 27C is determined in step P9.

【００７９】このとき、上層配線パターン27Ｃの厚さ
は、不図示の画像処理部において求められる。こうして
求められた上層配線パターン27Ｃの厚さに基づいて、配
線パターンの欠け，断線，短絡などの欠陥を検査するパ
ターン検査が行われる。At this time, the thickness of the upper wiring pattern 27C is obtained by an image processing unit (not shown). On the basis of the thickness of the upper layer wiring pattern 27C thus obtained, a pattern inspection for inspecting the wiring pattern for defects such as chipping, disconnection and short circuit is performed.

【００８０】以上のようにして、本発明の第１の実施例
に係るパターンの検査方法によれば、図５のステップＰ
５で上層配線パターン27Ｃにおける反射光の反射位置を
検出し、ステップＰ７で蛍光の発光位置を検出し、ステ
ップＰ９で反射光の反射位置と蛍光の発光位置とに基づ
いて上層配線パターンの厚さを検出している。As described above, according to the pattern inspection method of the first embodiment of the present invention, step P of FIG.
In step 5, the reflection position of the reflected light in the upper wiring pattern 27C is detected, in step P7, the emission position of the fluorescent light is detected, and in step P9, the thickness of the upper wiring pattern is determined based on the reflection position of the reflected light and the emission position of the fluorescent light. Is being detected.

【００８１】このため、反射光にのみ依存して上層配線
パターンの厚さを検出していた従来例に比して、透明膜
27Ｂから発生される蛍光の発生位置を検出して、反射光
の位置と比較対照することにより、上層配線パターンの
厚さを高精度に得ることが可能になる。Therefore, as compared with the conventional example in which the thickness of the upper wiring pattern is detected only by the reflected light, the transparent film
The thickness of the upper wiring pattern can be obtained with high accuracy by detecting the generation position of the fluorescence generated from 27B and comparing and comparing it with the position of the reflected light.

【００８２】（２）第２の実施例 以下で本発明の第２の実施例に係るパターンの検査装置
のパターン検出部について図６を参照しながら説明す
る。図６（ａ）は、本発明の第２の実施例に係るパター
ン検出部の構成図であり、図６（ｂ）は、当該パターン
検出部の動作説明図である。(2) Second Embodiment A pattern detecting section of a pattern inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 6A is a configuration diagram of the pattern detection unit according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 6B is an operation explanatory diagram of the pattern detection unit.

【００８３】本実施例に係るパターン検出部は、図６
（ａ）に示すように、下層配線層27Ａ，透明膜27Ｂ，上
層配線パターン27Ｃが順次形成された被検査対象27の上
層配線パターン27Ｃの厚さなどの高さ情報を検出する装
置であって、その構成は、レンズ30、照明光波長減衰フ
ィルタ26、ＰＳＤ25Ａ，高さ演算回路25Ｂ及び明るさ演
算回路25Ｃから成る。The pattern detection section according to the present embodiment is shown in FIG.
As shown in (a), it is a device for detecting height information such as the thickness of the upper wiring pattern 27C of the inspection target 27 in which the lower wiring layer 27A, the transparent film 27B, and the upper wiring pattern 27C are sequentially formed. The configuration includes a lens 30, an illumination light wavelength attenuation filter 26, a PSD 25A, a height calculation circuit 25B, and a brightness calculation circuit 25C.

【００８４】レンズ30は、不図示の光照射部から照射さ
れたレーザ光線の被検査対象27による反射光や、透明膜
27Ｂから発光される蛍光を集光して照明光波長減衰フィ
ルタ26に照射するものである。The lens 30 is used to reflect the laser beam emitted from the light irradiation unit (not shown) by the object 27 to be inspected and the transparent film.
The fluorescent light emitted from 27B is condensed and applied to the illumination light wavelength attenuation filter 26.

【００８５】照明光波長減衰フィルタ26は、光波長減衰
フィルタ16の一実施例であり、反射光の光量のみを減衰
して、蛍光はそのまま減衰することなく透過するフィル
タである。The illumination light wavelength attenuating filter 26 is an embodiment of the light wavelength attenuating filter 16 and is a filter that attenuates only the amount of reflected light and transmits fluorescence as it is without attenuating.

【００８６】ＰＳＤ25Ａ，高さ演算回路25Ｂ及び明るさ
演算回路25Ｃは光点位置検出手段15の一実施例を構成す
るものである。ＰＳＤ25Ａは、被検査対象27から反射さ
れる反射光及び発光される蛍光の位置，明るさを検出す
るものであって、透明膜27Ｂの高さ情報の基になる情報
及び蛍光の明るさ情報の基になる検出信号Ａ，Ｂを基材
高さ演算回路25Ｂに出力するものである。The PSD 25A, the height calculation circuit 25B and the brightness calculation circuit 25C constitute one embodiment of the light spot position detecting means 15. The PSD 25A detects the position and brightness of the reflected light reflected from the object 27 to be inspected and the fluorescence emitted, and includes the information on which the height information of the transparent film 27B is based and the brightness information of the fluorescence. The base detection signals A and B are output to the substrate height calculation circuit 25B.

【００８７】高さ演算回路25Ｂは、ＰＳＤ25Ａから出力
された上層配線パターン27Ｃの高さ情報の基になる検出
信号Ａ，Ｂに基づいて上層配線パターン27Ｃと透明膜27
Ｂの高さ情報を算出し、不図示の画像処理部へ出力する
ものである。The height calculation circuit 25B receives the upper layer wiring pattern 27C and the transparent film 27 based on the detection signals A and B which are the basis of the height information of the upper layer wiring pattern 27C output from the PSD 25A.
The height information of B is calculated and output to an image processing unit (not shown).

【００８８】明るさ演算回路25ＣはＰＳＤ25Ａから出力
された蛍光の明るさ情報の基になる検出信号Ａ，Ｂに基
づいて明るさ情報Ａ＋Ｂをあるスライスレベルで二値化
し、二値化された明るさ信号として不図示の画像処理部
へと出力するものである。The brightness calculation circuit 25C binarizes the brightness information A + B at a certain slice level based on the detection signals A and B which are the basis of the brightness information of the fluorescence output from the PSD 25A, and binarized the brightness. It is output to the image processing unit (not shown) as a signal.

【００８９】以上のようにして、本発明の第２の実施例
に係るパターン検査装置によれば、図６（ａ）に示すよ
うに、照明光波長減衰フィルタ26をＰＳＤ25Ａと被検査
対象27との間に設けている。As described above, according to the pattern inspection apparatus of the second embodiment of the present invention, as shown in FIG. 6A, the illumination light wavelength attenuating filter 26 is connected to the PSD 25A and the inspection object 27. It is provided between.

【００９０】例えば、不図示の光照射部から被検査対象
27にレーザ光線が照射され、照明光波長減衰フィルタ26
によって反射光のみが減衰され、蛍光が透過される。こ
のため、反射光のみを減衰することにより、反射光と微
弱な蛍光との光量を同一レベルで扱うことができるの
で、一個のＰＳＤ25Ａによって前記レーザ光線の反射光
の位置と蛍光の位置との両方を同時に検出することが可
能になる。For example, an object to be inspected from a light irradiation unit (not shown)
27 is irradiated with a laser beam, and the illumination light wavelength attenuation filter 26
Due to this, only the reflected light is attenuated and the fluorescence is transmitted. Therefore, by attenuating only the reflected light, it is possible to handle the light amounts of the reflected light and the weak fluorescence at the same level. Therefore, one PSD 25A can be used for both the position of the reflected light of the laser beam and the position of the fluorescence. Can be detected at the same time.

【００９１】これにより、被検査対象27から反射される
反射光の位置と蛍光の位置とに基づいて精度の高い高さ
測定が可能になる。本発明の第２の実施例に係るパター
ン検査装置を用いたパターン検査方法について当該装置
の動作を補足しながら以下で説明する。図７は、本発明
の第２の実施例に係るパターンの検査方法を説明するフ
ローチャートである。As a result, the height can be measured with high accuracy based on the position of the reflected light reflected from the inspection object 27 and the position of the fluorescence. A pattern inspection method using the pattern inspection apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described below while supplementing the operation of the apparatus. FIG. 7 is a flowchart illustrating a pattern inspection method according to the second embodiment of the present invention.

【００９２】まず、図７のステップＰ１で、下層配線層
27Ａ，透明膜27Ｂ，上層配線パターン27Ｃが順次形成さ
れた被検査対象27（図６参照）に、レーザ光線Ｌａを照
射する。このとき、該レーザ光線Ｌａは不図示の光照射
部から照射される。First, in step P1 of FIG. 7, the lower wiring layer
The inspection target 27 (see FIG. 6) in which 27A, the transparent film 27B, and the upper wiring pattern 27C are sequentially formed is irradiated with the laser beam La. At this time, the laser beam La is emitted from a light irradiation unit (not shown).

【００９３】次に、ステップＰ２で被検査対象27からの
反射光及び蛍光を集光する。このとき、該集光はレンズ
30によってなされる。なお、ここで反射光とは被検査対
象27によってレーザ光線Ｌａが反射された光であり、ま
た、蛍光とは、レーザ光線Ｌａの照射によって被検査対
象27の透明膜27Ｂから励起されて発光する光である。Next, in step P2, the reflected light and fluorescence from the object 27 to be inspected are collected. At this time, the light is collected by the lens
Made by 30. Here, the reflected light is the light in which the laser beam La is reflected by the inspection object 27, and the fluorescence is emitted from the transparent film 27B of the inspection object 27 by the irradiation of the laser beam La. Light.

【００９４】次いで、ステップＰ３で、反射光及び蛍光
の中で反射光成分の光量のみを減衰させる。このとき、
この減衰は照明光波長減衰フィルタ26によってなされ
る。次に、ステップＰ４で、被検査対象27における反射
光の反射位置と、蛍光の発光位置とを検出する。このと
き、当該検出は、ＰＳＤ25Ａによってなされる。Then, in step P3, only the light quantity of the reflected light component in the reflected light and the fluorescent light is attenuated. At this time,
This attenuation is performed by the illumination light wavelength attenuation filter 26. Next, in step P4, the reflection position of the reflected light and the emission position of the fluorescence on the inspection object 27 are detected. At this time, the detection is performed by the PSD 25A.

【００９５】ここで、ステップＰ３，Ｐ４におけるＰＳ
Ｄ25Ａによる光の位置検出について図６（ｂ）を参照し
ながら詳述する。図６（ｂ）は、横軸に被検査対象27の
表面における位置、縦軸にＰＳＤ25Ａに結像される光の
明るさを示すグラフである。Here, PS in steps P3 and P4
The light position detection by the D25A will be described in detail with reference to FIG. FIG. 6B is a graph showing the position on the surface of the inspection target 27 on the horizontal axis and the brightness of the light imaged on the PSD 25A on the vertical axis.

【００９６】グラフのｇ１は被検査対象27によって反射
される光であって、照明光波長減衰フィルタ26によって
減衰される以前の光の明るさを示す。また、ｇ２は、照
明光波長減衰フィルタ26によって減衰された後の光の明
るさを示す。さらに、ｇ３は、透明膜27Ｂから発光され
る蛍光の明るさを示す。In the graph, g1 is the light reflected by the object 27 to be inspected and shows the brightness of the light before being attenuated by the illumination light wavelength attenuation filter 26. Further, g2 represents the brightness of the light after being attenuated by the illumination light wavelength attenuation filter 26. Further, g3 indicates the brightness of the fluorescence emitted from the transparent film 27B.

【００９７】照明光波長減衰フィルタ26によって減衰さ
れる以前の反射光は、ｇ１に示すように、透明膜27Ｂか
ら発光される蛍光（ｇ３参照）の明るさに比して相当明
るい（蛍光の明るさの十倍程度）。よってＰＳＤ25Ａに
結像される光の像は、反射光が強すぎるので、殆どが反
射光の像であって、蛍光の像は殆ど検出されなくなって
しまう。The reflected light before being attenuated by the illumination light wavelength attenuating filter 26 is considerably brighter than the brightness of the fluorescence (see g3) emitted from the transparent film 27B as shown by g1 (brightness of fluorescence). About ten times). Therefore, since the reflected light is too strong in the image of the light formed on the PSD 25A, most of the image is the reflected light, and the fluorescent image is hardly detected.

【００９８】そこで、照明光波長減衰フィルタ26によっ
て、反射光の光量だけを減衰して、その光量を蛍光の光
量よりも少なくすれば、１個のＰＳＤ25Ａによって、蛍
光の像と反射光の像との両方が検出できる。Therefore, if the illumination light wavelength attenuating filter 26 attenuates only the light amount of the reflected light and makes the light amount smaller than the light amount of the fluorescent light, one PSD 25A produces an image of the fluorescent light and an image of the reflected light. Both can be detected.

【００９９】このようにして、蛍光の像（これは透明膜
27Ｂの高さを表す）と反射光の像（これは上層配線パタ
ーンの高さを表す）との検出が一個のＰＳＤ25Ａによっ
てなされる。In this way, the fluorescence image (this is the transparent film
The detection of the height of 27B) and the image of the reflected light (which represents the height of the upper wiring pattern) is performed by one PSD 25A.

【０１００】ここで、図７のフローチャートに戻って、
本実施例に係るパターンの検出方法について説明を続け
る。ステップＰ５で、上層配線パターン27Ｃ及び透明膜
27Ｂの高さ情報，明るさ情報を画像処理部に出力する。
このとき、当該出力処理は、高さ演算回路25Ｂ，明るさ
演算回路25Ｃによってなされる。Now, returning to the flowchart of FIG. 7,
The description of the pattern detection method according to the present embodiment will be continued. In step P5, the upper wiring pattern 27C and the transparent film
The height information and the brightness information of 27B are output to the image processing unit.
At this time, the output processing is performed by the height calculation circuit 25B and the brightness calculation circuit 25C.

【０１０１】次に、ステップＰ６で、こうして出力され
た上層配線パターン27Ｃ及び透明膜27Ｂの高さ情報，明
るさ情報に基づいて上層配線パターン27Ｃの厚さを求め
る。このとき、上層配線パターン27Ｃの厚さは、不図示
の画像処理部において求められる。こうして求められた
上層配線パターン27Ｃの厚さに基づいて、配線パターン
の欠け，断線，短絡などの欠陥を検査するパターン検査
が行われる。Next, in step P6, the thickness of the upper layer wiring pattern 27C is obtained based on the height information and the brightness information of the upper layer wiring pattern 27C and the transparent film 27B thus output. At this time, the thickness of the upper wiring pattern 27C is obtained by an image processing unit (not shown). On the basis of the thickness of the upper layer wiring pattern 27C thus obtained, a pattern inspection for inspecting the wiring pattern for defects such as chipping, disconnection and short circuit is performed.

【０１０２】以上のようにして、本発明の第２の実施例
に係るパターンの検査方法によれば、反射光の位置を検
出し、蛍光の発光位置を検出し、反射光の位置と蛍光の
発光位置とに基づいて上層配線パターンの厚さを検出し
ている。As described above, according to the pattern inspection method of the second embodiment of the present invention, the position of reflected light is detected, the emission position of fluorescence is detected, and the position of reflected light and fluorescence are detected. The thickness of the upper layer wiring pattern is detected based on the light emitting position.

【０１０３】このため、反射光にのみ依存して上層配線
パターン27Ｃの厚さを検出していた従来例に比して、透
明膜27Ｂから発生される蛍光の発生位置を検出して、反
射光の位置と比較対照することにより、上層配線パター
ン27Ｃの厚さを高精度に得ることが可能になる。Therefore, as compared with the conventional example in which the thickness of the upper wiring pattern 27C is detected only depending on the reflected light, the position where the fluorescence generated from the transparent film 27B is detected is detected and the reflected light is detected. The thickness of the upper layer wiring pattern 27C can be obtained with high accuracy by comparing with the position of.

【０１０４】[0104]

【発明の効果】本発明に係るパターンの検査方法によれ
ば、反射光の位置を検出し、励起光の位置を検出し、反
射光の位置と励起光の位置とに基づいて配線層の高さを
検出している。According to the pattern inspection method of the present invention, the position of the reflected light is detected, the position of the excitation light is detected, and the height of the wiring layer is detected based on the position of the reflected light and the position of the excitation light. Is being detected.

【０１０５】このため、透明基板から発生される励起光
の発生位置の検出が可能になることから、励起光の発生
位置と反射光の反射位置とを比較対照することにより、
高精度な高さ情報を得ることが可能になる。Therefore, it becomes possible to detect the generation position of the excitation light generated from the transparent substrate. Therefore, by comparing and contrasting the generation position of the excitation light and the reflection position of the reflected light,
It becomes possible to obtain highly accurate height information.

【０１０６】また、本発明に係る第１のパターンの検査
装置によれば、光分割手段と、励起光成分抽出手段と、
第２の光点位置検出手段を設けている。このため、被検
査対象から励起される励起光の位置を検出することが可
能になる。これにより、被検査対象から反射される反射
光の位置と励起光の位置とに基づいて精度の高い高さ測
定が可能になる。According to the first pattern inspection apparatus of the present invention, the light splitting means, the excitation light component extracting means,
A second light spot position detecting means is provided. Therefore, it becomes possible to detect the position of the excitation light excited from the inspection target. This enables highly accurate height measurement based on the position of the reflected light reflected from the inspection target and the position of the excitation light.

【０１０７】さらに、本発明に係る第２のパターンの検
査装置によれば、光波長減衰フィルタを光点位置検出手
段に設けている。Further, according to the second pattern inspection apparatus of the present invention, the light wavelength attenuation filter is provided in the light spot position detecting means.

【０１０８】このため、反射光のみを減衰することによ
り、反射光と微弱な励起光との光量を同一レベルで扱う
ことができるので、一個の光点位置検出手段によって前
記光の反射光の位置と励起光の位置との両方を検出する
ことが可能になる。Therefore, by attenuating only the reflected light, it is possible to handle the light amounts of the reflected light and the weak excitation light at the same level, so that the position of the reflected light of the light can be treated by one light spot position detecting means. It is possible to detect both the position and the position of the excitation light.

【０１０９】これにより、被検査対象から反射される反
射光の位置と励起光の位置とに基づいて精度の高い高さ
測定が可能になる。よって、安定性の高いパターン検査
に寄与するところ大である。As a result, the height can be measured with high accuracy based on the position of the reflected light reflected from the object to be inspected and the position of the excitation light. Therefore, it greatly contributes to highly stable pattern inspection.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明に係るパターンの検査方法及びその検査
装置の原理図である。FIG. 1 is a principle diagram of a pattern inspection method and an inspection apparatus therefor according to the present invention.

【図２】本発明の各実施例に係るパターン検査装置の構
成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of a pattern inspection apparatus according to each embodiment of the present invention.

【図３】本発明の第１の実施例に係るパターン検出部の
構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a pattern detection unit according to the first embodiment of the present invention.

【図４】本発明の各実施例に係るパターン検査方法の説
明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a pattern inspection method according to each embodiment of the present invention.

【図５】本発明の第１の実施例に係るパターンの検査方
法を説明するフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart illustrating a pattern inspection method according to the first embodiment of the present invention.

【図６】本発明の第２の実施例に係るパターン検出部の
説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a pattern detection unit according to a second embodiment of the present invention.

【図７】本発明の第２の実施例に係るパターンの検査方
法を説明するフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart illustrating a pattern inspection method according to a second embodiment of the present invention.

【図８】従来例の問題点を説明する図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a problem of a conventional example.

【図９】従来例に係るパターン検査装置の構成図であ
る。FIG. 9 is a configuration diagram of a pattern inspection apparatus according to a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…光源、 11…第１の光点位置検出手段、 12…光分割手段、 13…励起光成分抽出手段、 14…第２の光点位置検出手段、 15…光点位置検出手段、 16…光波長減衰フィルタ、 17…被検査対象、 17Ａ…透明基板、 17Ｂ…配線層、 ＥＬ…励起光、 ＲＬ…反射光、 Ｌ…光。 10 ... Light source, 11 ... First light spot position detecting means, 12 ... Light splitting means, 13 ... Excitation light component extracting means, 14 ... Second light spot position detecting means, 15 ... Light spot position detecting means, 16 ... Optical wavelength attenuation filter, 17 ... Inspected object, 17A ... Transparent substrate, 17B ... Wiring layer, EL ... Excitation light, RL ... Reflected light, L ... Light.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 光（Ｌ）が照射されると励起光（ＥＬ）
を発生し、かつ前記光（Ｌ）を透過する透明基板（17
Ａ）の上層に、前記光（Ｌ）を反射する配線層（17Ｂ）
が設けられた被検査対象（17）の配線パターンを検査す
る方法であって、 前記被検査対象（17）に光（Ｌ）を照射し、 前記配線層（17Ｂ）から反射される反射光（ＲＬ）の位
置を検出し、 前記光（Ｌ）の照射によって前記透明基板（17Ａ）から
励起される励起光（ＥＬ）の位置を検出し、 前記反射光（ＲＬ）の位置と励起光（ＥＬ）の位置とに
基づいて前記配線層（17Ｂ）の高さを検出することを特
徴とするパターンの検査方法。1. Excitation light (EL) when irradiated with light (L)
And a transparent substrate (17) that transmits the light (L).
A wiring layer (17B) that reflects the light (L) on the upper layer of A)
A method of inspecting a wiring pattern of an inspected object (17) provided with, wherein the inspected object (17) is irradiated with light (L), and reflected light from the wiring layer (17B) ( RL), the position of the excitation light (EL) excited from the transparent substrate (17A) by the irradiation of the light (L) is detected, and the position of the reflected light (RL) and the excitation light (EL) are detected. ), The height of the wiring layer (17B) is detected based on the position. 【請求項２】 請求項１記載のパターンの検査方法を実
施する検査装置であって、 少なくとも、被検査対象（17）に光（Ｌ）を照射する光
源（10）と、前記被検査対象（17）によって反射される
反射光（ＲＬ）の位置を検出する第１の光点位置検出手
段（11）を備えたパターン検査装置において、 前記反射光（ＲＬ）及び励起光（ＥＬ）を分割する光分
割手段（12）と、 被検査対象（17）から発生される前記反射光（ＲＬ）及
び励起光（ＥＬ）の中から前記励起光（ＥＬ）のみを抽
出する励起光成分抽出手段（13）と、 前記励起光（ＥＬ）の位置を検出する第２の光点位置検
出手段（14）とを設けたことを特徴とするパターンの検
査装置。2. An inspection apparatus for carrying out the pattern inspection method according to claim 1, wherein at least a light source (10) for irradiating the inspection target (17) with light (L) and the inspection target ( In a pattern inspection device equipped with a first light spot position detecting means (11) for detecting the position of the reflected light (RL) reflected by 17), the reflected light (RL) and the excitation light (EL) are split. A light splitting means (12) and an excitation light component extraction means (13) for extracting only the excitation light (EL) from the reflected light (RL) and the excitation light (EL) generated from the inspection target (17). ) And a second light spot position detecting means (14) for detecting the position of the excitation light (EL), the pattern inspection device. 【請求項３】 請求項１記載のパターンの検査方法を実
施する検査装置であって、 少なくとも、被検査対象（17）に光（Ｌ）を照射する光
源（10）と、前記光（Ｌ）の反射光（ＲＬ）の位置を検
出する光点位置検出手段（15）を備えたパターン検査装
置において、 前記被検査対象（17）と、光点位置検出手段（15）との
間に光波長減衰フィルタ（16）が設けられ、前記光波長
減衰フィルタ（16）は、前記光源（10）の波長の反射光
（ＲＬ）を減衰し、励起光（ＥＬ）を透過させるもので
あることを特徴とするパターンの検査装置。3. An inspection apparatus for carrying out the pattern inspection method according to claim 1, comprising at least a light source (10) for irradiating an object (17) to be inspected with light (L), and the light (L). In a pattern inspection device equipped with a light spot position detection means (15) for detecting the position of the reflected light (RL) of the above, an optical wavelength is provided between the inspection target (17) and the light spot position detection means (15). An attenuation filter (16) is provided, and the optical wavelength attenuation filter (16) attenuates the reflected light (RL) of the wavelength of the light source (10) and transmits the excitation light (EL). Inspection device for patterns.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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